DE1246684B - Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheidung aus der Dampfphase - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheidung aus der Dampfphase

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DE1246684B
DE1246684B DEM57747A DEM0057747A DE1246684B DE 1246684 B DE1246684 B DE 1246684B DE M57747 A DEM57747 A DE M57747A DE M0057747 A DEM0057747 A DE M0057747A DE 1246684 B DE1246684 B DE 1246684B
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Germany
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reaction chamber
semiconductor material
deposition
production
hydrogen
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DEM57747A
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English (en)
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Edward Christoph Schaarschmidt
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Merck and Co Inc
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Merck and Co Inc
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases

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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheidung aus der Dampfphase Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheidung aus der Dampfphase sind bekannt. Bei solchen Verfahren ist in einer Reaktionskammer ein beheizter Halbleiterträger angebracht. In die Kammer wird dann eine thermisch zersetzbare, gasförmigeHalbleiterverbindung zusammen mit einem Trägergas eingeführt. Diese Arbeitsweise hat jedoch den Nachteil, daß der elektrische Widerstand des sich aus dem Reaktionsgas abscheidenden Halbleitermaterials nach hohen Werten hin begrenzt ist. Eine besondere Schwierigkeit ist die Herstellung von n-Halbleiterschichten mit hohem Widerstand.
  • Halbleitermaterial mit hohem elektrischem Widerstand kann aber durch Abscheidung aus der Dampfphase in einer Reaktionskammer hergestellt werden, wenn erfindungsgemäß vor der Abscheidung die Reaktionskammer auf eine Temperatur zwischen 450 und 1000` C im Chlorwasserstoff-, Wasserstoff- oder Chlorgasstrom erhitzt wird. Nach diesem Verfahren werden z. B. n-Halbleiterschichten mit einem Widerstand bis zu 50 Ohm - cm hergestellt.
  • Durch diese Vorbehandlung der Reaktionskammer sind zu Beginn der Abscheidung den Widerstand begrenzende Verunreinigungen in der Reaktionskammer praktisch nicht vorhanden. Die Gase können in einem Trägerstrom von Argon oder Wasserstoff zugeführt werden. Beispiel Eine Glocke aus Quarz als Reaktionskammer wird zunächst mit chemischen Reagenzien gereinigt und in eine Dampfabscheidungsapparatur, wie sie beispielsweise in den USA.-Patentschriften 3 011877 und 3 042 494 beschrieben ist, eingesetzt. Der Reaktor wird dann bei 600° C erhitzt, während je Minute ein Strom von 11 Chlorwasserstoff in 41 Wasserstoff zugeführt wird. Bei diesem Arbeitsgang reagiert der Chlorwasserstoff mit den adsorbierten Donatorverunreinigungen an den Wandungen des Gefäßes unter Bildung von flüchtigen Verbindungen, die dann aus dem Reaktionsgefäß entfernt werden. Das so behandelte Reaktionsgefäß ist dann für die Abscheidung von Halbleitermaterial aus der Dampfphase in der üblichen Weise fertig. So wird beispielsweise unter Verwendung von 1,3 g SiHCl3 je Minute als Abscheidungsmaterial in 201 Wasserstoff je Minute Silicium mit einem Widerstand von 42 Ohm - cm erhalten.

Claims (3)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial mit hohem elektrischem Widerstand durch Abscheidung aus der Dampfphase in einer Reaktionskammer, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Abscheidung die Reaktionskammer auf eine Temperatur zwischen 450 und 1000°C im Chlorwasserstoff-, Wasserstoff- oder Chlorgasstrom erhitzt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer auf eine Temperatur von 600° C erhitzt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer in einem ChlorwasserstofEgasstrom, der Wasserstoff als Trägergas enthält, erhitzt wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Auslegeschriften Nr. 1029 941, 1048638.
DEM57747A 1962-08-14 1963-08-07 Verfahren zur Herstellung von Halbleitermaterial durch Abscheidung aus der Dampfphase Pending DE1246684B (de)

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WO1999036589A1 (en) * 1998-01-13 1999-07-22 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a cvd cold-wall chamber and exhaust lines

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