DE927642C - Herstellung von Germaniumschichten fuer Detektorzwecke - Google Patents

Herstellung von Germaniumschichten fuer Detektorzwecke

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DE927642C
DE927642C DEG2937D DEG0002937D DE927642C DE 927642 C DE927642 C DE 927642C DE G2937 D DEG2937 D DE G2937D DE G0002937 D DEG0002937 D DE G0002937D DE 927642 C DE927642 C DE 927642C
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DE
Germany
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production
germanium
coatings
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detector
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DEG2937D
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English (en)
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Paul Ludwig Dr Guenther
W Dr-Ing Rebentisch
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Individual
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
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    • HELECTRICITY
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Description

  • Herstellung von Germaniumschichten für Detektorzwecke Die Gleichrichterwirhung des Germaniums ist bekannt, ebenso wi die Reduktion von Germaniumtetrachlornddurch Wasserstoff, jedooh gelang es bisher nur, einen äußerst geringen Prozentsatz des Germani:u,mtetraclilarid:s mu metallischem Germaniu@m zu reduzieren, während. der größte Teil neben etwas gebildetem Germani:u-mdichloriid unzersetzt bleibt.
  • Die Reduktion des Germaniu.mtetrachlorids läßt sich nun erfindungsgemäß weitgehend verbessern und dabei eine Abischeidung von Germaniu@mchlorid überhaupt vermeiden, wenn für eine geringe Konzentration an Germaniumtetrachlori-d und für eine hohe Wasserstoffkonzentration gesorgt wird, wobei zweckmäßig die Strömungsgeschwindigkeit des Gemisches in gewissen Grenzen gehalten wird. Dieses erreicht man erstens .dadurch, daß mian -dien Wasserstoff nicht durch das Germaniumtetrachlordd hindurchperlen, sondern nur darüber hinwegstreichen läßt. Zweitens kann zur weiteren Herabsetzung @derGermaniumtetrurhlorndkonzentration der Dampfdruck z. B. .durch Abkühlen oder Verdünnen mixt indifferenten Lösemitteln oder du-roh Auflösen nicht flüchtiger indifferenter Stoffe erniedrigt werden. Drittens soll die Strömungsgeschwindigkeit des Wasserstoffes nicht wesentlich unter oder über 0,7 bis 1,41 pro Stunde betragen. Die Redülktion selbst erfolgt in einem Temperaturbereich zwischen 650 und iooo°' C. Als günstigster Temperaturbereich hat sich der Bereich zwischen 8oo und 950'0 C ergeiben.
  • Überraschenderweise zeigen nun die .durch Reduktion des Gemmaniumtetrachlorids im Wass@erstoffstrom erhaltenen Germaniumüberzü ge gegen-
    über anders hergestellten Überzügen, z. B. durch
    Aufdämpfen od ier durch Reduktion mit Aluminium,
    ausgezeichnete Detektomeigenschaften.. Die Knils@tadl-
    struktur und damit die De tcktorevgenschaften lassen
    sich diuTch Änderung .der Temperatur variieren. Da
    Germanüu;m ein relativ seltenes und wertvolles
    Element .ist, ist es zweckmäßig, nur geringe
    Mengen, d. h. se=hr dünne Schichten dieses Ele-
    ments zu- .benutzen.
    Die Vorteile einer Herstellung von Detektor-
    Überzügen durch Reduktion von Germaniumtetra-
    cJhlorigd. mit Wasserstoff sind: augenscheinlich:
    i. Die Kristallstruktur und diamit die Detektor-
    wirlaung kann d @i.reltt gbzeinflußt werden.; 2. die Ger-
    maniumüberzüge können hierbei- beliebig-dick auf-
    getragen werden; 3. das Germanium kann auf jedem
    beliebigen Grundmaterial, z. B. Kohle, Metalle oder
    keramische Massen, niedergeschlagen werden;
    4. die Form dies Grundmaterials kann beliebig ge-
    wählt werden.
    Die Ausführung des Verfahrens geschieht z. B.
    in folgender Weise: Der einer Stah1bomb,e ent-
    nommene und üb"-#r C.a.lciumchloiri:d . getrö-cknote
    Wasiserstoff wird mit -der oben angegebenen Strö-
    mungsgescbwindigkeiit in das Gefäß mit Ger-
    ma,niumtetrachlorid geib-racht, wo, er über das Tetra-
    ch@l,ogri:d hi:nwiegstreüoht. Das Germaniumtetra-
    chloriid ist z. B. auf -2o° C .gekühlt. Hierauf ge-
    langt Jegr . mit German@iumte-trachlorid beladene
    Wasserstoff -in e-in erhitztes Quiarzrohr, in dein
    siech die zu überziehenden Gegenstände in der Ab-
    scheidungszone des Germanliuxns befinden. Geringe-
    bfengen noch nicht reduzierten Germaniumfietra-
    chlorids werden am Ende des Rohres ausgefroren
    und können wieder verwendet werden.
    Au-s.füh.rungsbeisp-iele
    i. Ein Wasserstoffstrom -mit einer Strömungs-
    gesahwimdiigkeit von etwa i_ 1/Std: belädt sich in
    einem Gefäß, welches auf -20'°' C..gekühlt 'ist, mit
    Germand;umtegtrachlorigd:dampf . und st:re@icht durch
    ein sauf Sod` C erhitztes Qüiarz.roihr. Im Onazzrohr
    befinden sich zylindrische Stäbohen .aus Kohle, die
    im Verlauf von i bis 2 Stundien mit einer dichten,
    fest haftenden Germaniumschicht überzogen sind,
    die ausgezeichnete Detektorwirk ung zeigt.
    2. Ausführung wie unter i, nur daB an Stelle
    von Kohle Stäbchen aus Wolfram benutzt werden.
    3. Ausführung wie unter I, nur d'aß dias Gefäß
    mit- Germ.a;niumntetraohlorid auf io° C gehalten
    wird und,die Ofentemperatur 950° C beträgt.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCIiE: i. Verfahren zurHerstellungvon,Germ an@ium- überzügen für D.etektorzwecke, daidurch ge- ken:nze:iclznet, daß diese Überzüge durch Re- duktion von Germandumtetrachlor.id mit Was- serstoff eiihialten werdien. 2. Verfahren näch Anspruch i, dadurch ge- k enn,zeichnet, da,ß durch Regelung der Kon- zentration des Gerrn:aniumtetracah:lo@riiidis, der Ströimunigsge,sc ihwindi;gkeit des blass erstoffes und ;der Temperatur die Reduktion des Ger- inan.iiumtetr [email protected] stark gefördert und die Bildung von Germaniumidichilomid vermieden wird- 3. Ven-fahr,-n nach Anspruch i oder 2, da- durch gekennzeichnet, daß der Dampfdruck des Germarniumtetrachlomids niedrig gehalten wird. 4. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeicdinet, d aß die Reduktion bei Tem- peraturen zwischen 8oo und 95o° C erfolgt.
    _ Angezogene Druekschriften: Pröc. of the National Academy of Science, 1925, S. 743; Lehrbuch der anorganischen Chemie von Hol1emann-Wieburg, S:340; Reine Metalle von v a n A r k e l , 1939, S. 26 und 27. .
DEG2937D 1944-12-05 1944-12-05 Herstellung von Germaniumschichten fuer Detektorzwecke Expired DE927642C (de)

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DE (1) DE927642C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048638B (de) * 1957-07-02 1959-01-15 Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
CN116397115A (zh) * 2023-03-23 2023-07-07 山东有研国晶辉新材料有限公司 一种金属锗的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1048638B (de) * 1957-07-02 1959-01-15 Siemens &. Halske Aktiengesellschaft, Berlin und München Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium durch thermische Zersetzung oder Reduktion
CN116397115A (zh) * 2023-03-23 2023-07-07 山东有研国晶辉新材料有限公司 一种金属锗的制备方法

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