JP2010021336A - Organic electroluminescence device, illuminator, and display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置に関する。より詳しくは高い発光効率を示し、且つ、低電圧化した有機EL素子材料、それを用いた有機EL素子に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence element, a lighting device, and a display device. More specifically, the present invention relates to an organic EL element material that exhibits high luminous efficiency and has a low voltage, and an organic EL element using the same.
従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。 Conventionally, there is an electroluminescence display (ELD) as a light-emitting electronic display device. Examples of the constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements). Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.
一方、有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子である。電極と電極の間は厚さわずか0.1μm程度であり、且つ、その発光が数V〜数十V程度の比較的低い電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から次世代の平面ディスプレイや照明として注目されている。 On the other hand, an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and injects electrons and holes into the light emitting layer to recombine excitons. It is an element that emits light by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated. Between the electrodes, the thickness is only about 0.1 μm, the light emission can be performed at a relatively low voltage of about several V to several tens V, and the viewing angle because of the self-luminous type. Therefore, it is attracting attention as a next-generation flat display and illumination from the viewpoint of space saving, portability, etc.
現在、有機EL素子は低電圧、高発光効率且つ高輝度を実現させるために、発光層以外にも正孔輸送層、電子輸送層などを発光以外の機能を有する複数の有機層から構成されており、発光層にはホスト化合物に微量のドーパント化合物を含有させることで、より効率よく発光することが知られている。ドーパント分子としてはキナクリドン誘導体に代表されるような蛍光ドーパント(例えば、特許文献1参照。)とイリジウム(III)トリス(2−フェニルピリジン)に代表されるリン光ドーパントが知られており、高い発光効率を有するリン光ドーパント及びリン光ドーパントを効率よく発光させるためのホスト分子の研究が活発になされている。 Currently, in order to realize low voltage, high luminous efficiency and high luminance, organic EL elements are composed of a plurality of organic layers having functions other than light emission, in addition to a light emitting layer, such as a hole transport layer and an electron transport layer. In addition, it is known that the light emitting layer emits light more efficiently by containing a small amount of a dopant compound in the host compound. As the dopant molecules, fluorescent dopants represented by quinacridone derivatives (see, for example, Patent Document 1) and phosphorescent dopants represented by iridium (III) tris (2-phenylpyridine) are known and have high light emission. Research has been actively conducted on phosphorescent dopants having efficiency and host molecules for efficiently emitting phosphorescent dopants.
また、有機EL素子を作製する方法としては蒸着法と塗布法(湿式法)が知られており、有機EL素子の大面積化への適用のしやすさ及び将来的には低コストで製造できると目算されていることから近年塗布法による有機EL素子作製の研究もさかんに行われている。(例えば、特許文献2及び特許文献3参照。)
本発明の目的は、高温耐久性に優れ、高い発光効率を示し、且つ低電圧化した有機EL素子、照明装置及び表示装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an organic EL element, a lighting device, and a display device that are excellent in high temperature durability, exhibit high light emission efficiency, and have a low voltage.
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。 The above object of the present invention has been achieved by the following constitution.
1.陽極と陰極により挟まれた発光層を含む複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該有機層の少なくとも1層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
1. In an organic electroluminescence device having a plurality of organic layers including a light emitting layer sandwiched between an anode and a cathode,
At least 1 layer of this organic layer contains the compound represented by following General formula (1), The organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned.
〔式中、R11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR40〜R48は、各々水素原子または置換基を表す。X1は単なる結合手または連結基を表す。但し、R11〜R18の少なくとも一つ及びR21〜R28の少なくとも一つは、各々R31〜R36のいずれか一つとの連結に用いられ、R11〜R18、R21〜R28及びR31〜R36の少なくとも1つ及びR40〜R48の少なくとも1つはX1との連結に用いられる。nは1以上の整数を表し、nが2以上の場合、結合の位置は同じでも異なっていても良い。mは0以上の整数を表し、mが2以上の場合、X1は同じでも異なっていても良い。Mは1以上の整数を表し、Mが2以上の場合、X1は同じでも異なっていても良い。〕
2.前記一般式(1)において、R31〜R36のうちいずれか2つが、R16及びR23と結合していることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein, R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36 and R 40 to R 48 each represent a hydrogen atom or a substituent. X 1 represents a simple bond or a linking group. However, at least one of R 11 to R 18 and at least one of R 21 to R 28 are each used for connection with any one of R 31 to R 36 , and R 11 to R 18 , R 21 to R are used. 28 and at least one of R 31 to R 36 and at least one of R 40 to R 48 are used for connection with X 1 . n represents an integer of 1 or more, and when n is 2 or more, the bonding positions may be the same or different. m represents an integer of 0 or more. When m is 2 or more, X 1 may be the same or different. M represents an integer of 1 or more, and when M is 2 or more, X 1 may be the same or different. ]
2. 2. The organic electroluminescence device according to 1 above, wherein in the general formula (1), any two of R 31 to R 36 are bonded to R 16 and R 23 .
3.前記一般式(1)において、R31及びR33が、R16及びR23と結合していることを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3. 2. The organic electroluminescence device according to 1 above, wherein in the general formula (1), R 31 and R 33 are bonded to R 16 and R 23 .
4.前記一般式(1)で表される化合物が、下記一般式(2)、一般式(3)または一般式(4)で表されることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 4). The compound represented by the general formula (1) is represented by the following general formula (2), general formula (3), or general formula (4): The organic electroluminescent element of description.
〔式中、R11〜R18及びR21〜R28は、前記一般式(1)におけるR11〜R18及びR21〜R28と各々同義である。〕
5.前記有機層の少なくとも1層が、湿式法で形成されていることを特徴とする前記1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Wherein, R 11 to R 18 and R 21 to R 28 are each the same meaning as R 11 to R 18 and R 21 to R 28 in the general formula (1). ]
5). 5. The organic electroluminescent element according to any one of 1 to 4, wherein at least one of the organic layers is formed by a wet method.
6.前記有機層の少なくとも1層と隣接する1層が湿式法で形成されることを特徴とする前記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 6). 6. The organic electroluminescent element according to 5 above, wherein at least one layer of the organic layer is adjacent to a wet method.
7.前記有機層の少なくとも1層と隣接する2層が湿式法で形成されることを特徴とする前記6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 7). 7. The organic electroluminescence device according to 6 above, wherein two layers adjacent to at least one of the organic layers are formed by a wet method.
8.構成層として発光層を有し、該発光層が、前記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 8). 8. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 7, wherein the organic electroluminescence device has a light emitting layer as a constituent layer, and the light emitting layer contains a compound represented by the general formula (1).
9.前記発光層がリン光発光性の金属錯体を含有することを特徴とする前記8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 9. 9. The organic electroluminescence device according to 8, wherein the light emitting layer contains a phosphorescent metal complex.
10.前記リン光発光性の金属錯体が下記一般式(5)で表される金属錯体であることを特徴とする前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 10. 10. The organic electroluminescence device as described in 9 above, wherein the phosphorescent metal complex is a metal complex represented by the following general formula (5).
〔式中、P及びQは炭素原子または窒素原子を表し、A1はP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A2はQ−Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。M1は元素周期表における8〜10族の遷移金属元素を表す。〕
11.前記一般式(5)で表されるA2が5員の芳香族複素環を形成する原子群を表すことを特徴とする前記10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[In formula, P and Q represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A1 represents the atomic group which forms an aromatic-hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring with PC. A2 represents an atomic group which forms an aromatic heterocycle with QN. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. ]
11. 11. The organic electroluminescence device as described in 10 above, wherein A2 represented by the general formula (5) represents an atomic group forming a 5-membered aromatic heterocyclic ring.
12.前記リン光発光性の金属錯体が下記一般式(6)で表される金属錯体であることを特徴とする前記10または11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 12 12. The organic electroluminescence device as described in 10 or 11 above, wherein the phosphorescent metal complex is a metal complex represented by the following general formula (6).
〔式中、Zは炭化水素環基または複素環基を表す。P及びQは炭素原子または窒素原子を表し、A1はP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A3は−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−または−N=N−を表し、R01及びR02は水素原子または置換基を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。M1は元素周期表における8〜10族の遷移金属元素を表す。〕
13.前記一般式(6)におけるZが、下記一般式(7)で表される基であることを特徴とする前記12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[Wherein, Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P and Q represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle together with PC. A3 represents -C ( R01 ) = C ( R02 )-, -N = C ( R02 )-, -C ( R01 ) = N- or -N = N-, and R01 and R02 represent Represents a hydrogen atom or a substituent. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a transition metal element of Group 8 to Group 10 in the periodic table. ]
13. 13. The organic electroluminescence device as described in 12 above, wherein Z in the general formula (6) is a group represented by the following general formula (7).
一般式(7)
H1−(Ar1)n−
〔式中、Ar1は芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、H1はキャリア輸送ユニットを表し、nは0〜10の整数を表す。〕
14.前記リン光発光性の金属錯体がIr錯体であることを特徴とする前記9〜13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
General formula (7)
H 1- (Ar 1 ) n −
[In the formula, Ar 1 represents a group derived from an aromatic hydrocarbon ring or a group derived from an aromatic heterocyclic ring, H 1 represents a carrier transport unit, and n represents an integer of 0 to 10. ]
14 14. The organic electroluminescence device according to any one of 9 to 13, wherein the phosphorescent metal complex is an Ir complex.
15.白色発光することを特徴とする前記1〜14のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 15. 15. The organic electroluminescence device according to any one of 1 to 14, wherein the organic electroluminescence device emits white light.
16.前記1〜15のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする照明装置。 16. An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 15 above.
17.前記1〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。 17. 17. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 16 above.
本発明により、高い発光効率を示し、耐久性の高く、且つ低電圧化した有機EL素子を得ることができ、また、前記有機EL素子を具備した、高輝度の表示装置、照明装置を得ることにも併せて成功した。 According to the present invention, an organic EL element exhibiting high luminous efficiency, high durability, and low voltage can be obtained, and a high-luminance display device and lighting apparatus including the organic EL element can be obtained. Also succeeded.
本発明の有機EL素子においては、請求項1〜15のいずれか1項に記載の構成を有することにより、高い発光効率を示し、耐久性の高く、且つ低電圧化した有機EL素子を得ることができ、また、前記有機EL素子を具備した、高輝度の表示装置、照明装置を得ることにも併せて成功した。 In the organic EL element of this invention, by having the structure of any one of Claims 1-15, the organic EL element which shows high luminous efficiency, high durability, and low voltage is obtained. In addition, the present inventors have succeeded in obtaining a high-luminance display device and lighting device including the organic EL element.
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。 Hereinafter, details of each component according to the present invention will be sequentially described.
本発明の有機EL素子に係る一般式(1)で表される化合物を用いて製造(作製ともいう)した有機EL素子は、リーク電流やダークスポットの発生を抑えることができた。 The organic EL device manufactured (also referred to as production) using the compound represented by the general formula (1) related to the organic EL device of the present invention was able to suppress the occurrence of leakage current and dark spots.
その理由としては、一般式(1)で表される化合物は、適度な分子量と立体的な嵩高さを有していることから分子が凝集しにくく、有機層内の密度が均一かつ平滑な膜を形成することができ、電気の流れが均一化されたからだと推測される。 The reason is that the compound represented by the general formula (1) has a moderate molecular weight and a three-dimensional bulkiness, so that the molecules are less likely to aggregate and the density in the organic layer is uniform and smooth. It is presumed that the flow of electricity is made uniform.
また、一般式(1)で表される化合物は他の化合物と混合した際にも、同様に有機層内の密度が均一であり、平滑な膜を形成することができる。 In addition, when the compound represented by the general formula (1) is mixed with another compound, the density in the organic layer is similarly uniform and a smooth film can be formed.
更に、本発明の有機EL素子においては、前記一般式(1)で表される化合物をホスト化合物(単にホストともいう)として用い、前記一般式(5)で表される化合物を発光ドーパントとして用いた時に、特に高い発光効率を示し、耐久性の高く、且つ低電圧化した有機EL素子を提供できる。 Furthermore, in the organic EL device of the present invention, the compound represented by the general formula (1) is used as a host compound (also simply referred to as a host), and the compound represented by the general formula (5) is used as a light emitting dopant. The organic EL element exhibiting particularly high luminous efficiency, high durability and low voltage can be provided.
尚、ホスト化合物、発光ドーパントについては、後に詳細に説明する。 The host compound and the light emitting dopant will be described in detail later.
《一般式(1)で表される化合物》
本発明に係る一般式(1)で表される化合物について説明する。
<< Compound Represented by Formula (1) >>
The compound represented by the general formula (1) according to the present invention will be described.
一般式(1)において、R11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR41〜R48はで各々表される置換基としては、例えば、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)等が挙げられる。 In the general formula (1), R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36 and R 41 to R 48 are each represented by, for example, an alkyl group (for example, a methyl group) , Ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.) ), Alkenyl groups (for example, vinyl groups, allyl groups, etc.), alkynyl groups (for example, ethynyl groups, propargyl groups, etc.), aromatic hydrocarbon ring groups (aromatic carbocyclic groups, aryl groups, etc.), for example, phenyl Group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, aceto group Phenenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group) Group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, Isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (the carboline ring of the carbolinyl group is One of the constituent carbon atoms is nitrogen Quinoxalinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (for example, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (for example, Methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (for example, , Phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentyl) O group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxy group) Carbonyl group etc.), aryloxycarbonyl group (eg phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group etc.), sulfamoyl group (eg aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylamino) Sulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pi Diylaminosulfonyl group, etc.), acyl groups (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthyl) Carbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (eg, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (eg, Methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylamino) Carbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (For example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido , Phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group) , Naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group Or a heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (eg, Group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc.), halogen atom (for example, fluorine atom) Chlorine atom, bromine atom, etc.), fluorinated hydrocarbon group (for example, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, Examples thereof include a silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group).
これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。 These substituents may be further substituted with the above substituents. In addition, a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.
これらのうちR11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR41〜R48は水素原子、アルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基であることが好ましい。 Among these, R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36, and R 41 to R 48 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aromatic hydrocarbon ring group, or an aromatic heterocyclic group. .
一般式(1)において、X1で表される連結基としては、アリーレン基(例えば、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基(例えば、[1,1′−ビフェニル]−4,4′−ジイル基、3,3′−ビフェニルジイル基、3,6−ビフェニルジイル基等)、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等)、ヘテロアリーレン基(例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す)、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される2価の基等)等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。 In the general formula (1), the linking group represented by X 1 is an arylene group (for example, o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, naphthalenediyl group, anthracenediyl group, naphthacenediyl group, pyrenediyl group). Group, naphthylnaphthalenediyl group, biphenyldiyl group (for example, [1,1′-biphenyl] -4,4′-diyl group, 3,3′-biphenyldiyl group, 3,6-biphenyldiyl group, etc.), tellurium Phenyldiyl group, quaterphenyldiyl group, kinkphenyldiyl group, sexiphenyldiyl group, septiphenyldiyl group, octylphenyldiyl group, nobiphenyldiyl group, deciphenyldiyl group, etc.), heteroarylene group (for example, Carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (also known as monoazacarboline ring) A ring structure in which one of the carbon atoms constituting the carboline ring is replaced by a nitrogen atom), triazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine ring, quinoxaline ring, thiophene ring, oxadiazole ring, dibenzofuran ring , Dibenzothiophene ring, divalent group derived from the group consisting of indole ring, and the like. These substituents may be further substituted with the above substituents.
一般式(1)において、X1で表される連結基の置換末端の少なくとも一つは一般式(1)におけるR11〜R18、R21〜R28、R31〜R36から選ばれる置換基とR41〜R48から選ばれる置換基とが結合をしているが、R13、R16、R23、R26、R31〜R36から選ばれる置換基とR40、R43、R46から選ばれる置換基と結合していることが好ましい。 In the general formula (1), at least one of the substituted terminals of the linking group represented by X 1 is a substituent selected from R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , and R 31 to R 36 in the general formula (1). Group and a substituent selected from R 41 to R 48 are bonded to each other, but a substituent selected from R 13 , R 16 , R 23 , R 26 , R 31 to R 36 and R 40 , R 43 , it is preferably bonded with a substituent selected from R 46.
一般式(1)で表される化合物は分子量としては、700〜5000の範囲であることが好ましく、更に好ましくは、800〜3000の範囲である。 The compound represented by the general formula (1) preferably has a molecular weight in the range of 700 to 5000, and more preferably in the range of 800 to 3000.
また一般式(1)はR31〜R36のうちいずれか2つがR16及びR23と結合していることが好ましく、更にはR31とR16が結合しており、R33とR23が結合していることがより好ましい。 In the general formula (1), any two of R 31 to R 36 are preferably bonded to R 16 and R 23, and R 31 and R 16 are further bonded, and R 33 and R 23 are bonded. Is more preferably bonded.
nが2以上の場合()nの中でのジベンゾチオフェンユニット及びフェニレンユニットの結合位置は異なっていてもよい。 When n is 2 or more, the bonding position of the dibenzothiophene unit and the phenylene unit in () n may be different.
《一般式(2)、(3)または(4)で表される化合物》
一般式(1)で表される化合物の中でも、前記一般式(2)、(3)または(4)で表される化合物が好ましく用いられる。
<< Compound Represented by General Formula (2), (3) or (4) >>
Among the compounds represented by the general formula (1), the compounds represented by the general formula (2), (3) or (4) are preferably used.
一般式(2)、(3)または(4)で表される化合物において、R11〜R18及びR21〜R28は、前記一般式(1)におけるR11〜R18及びR21〜R28と各々同義である。 Formula (2), (3) or in the compounds represented by (4), R 11 to R 18 and R 21 to R 28 is, R 11 to R 18 and R 21 in the general formula (1) to R 28 is synonymous with each other.
本発明に係る一般式(1)で表される化合物、前記一般式(1)で表される化合物の好ましい態様である、一般式(2)、(3)または(4)で表される化合物は、本発明の有機EL素子の構成層(有機層)のいずれにも用いることができるが、好ましくは、発光層にホスト化合物として含有されることが好ましい。 The compound represented by the general formula (1) according to the present invention, the compound represented by the general formula (2), (3) or (4), which is a preferred embodiment of the compound represented by the general formula (1). Can be used in any of the constituent layers (organic layers) of the organic EL device of the present invention, but is preferably contained as a host compound in the light emitting layer.
尚、本発明の有機EL素子の構成層や該構成層に含有される化合物等については、後に詳細に説明する。 The constituent layers of the organic EL device of the present invention and the compounds contained in the constituent layers will be described in detail later.
以下、一般式(1)で表される化合物、一般式(2)、(3)または(4)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2), (3) or (4) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
《例示化合物H−4の合成》
以下、本発明に係る一般式(1)で表される化合物の合成の一例(例示化合物H−1)を示すが、本発明はこれらに限定されない。
<< Synthesis of Exemplified Compound H-4 >>
Hereinafter, although an example (example compound H-1) of a synthesis | combination of the compound represented by General formula (1) based on this invention is shown, this invention is not limited to these.
工程(1) Process (1)
以下、本発明に係る一般式(1)で表される化合物の合成の一例(例示化合物H−1)を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Hereinafter, although an example (example compound H-1) of a synthesis | combination of the compound represented by General formula (1) based on this invention is shown, this invention is not limited to these.
原料1 109gに酢酸1122ml、無水酢酸198ml、ヨウ化ベンゼンジアセテート95.6gを加え、完溶させた後、ヨウ素78.5g、硫酸1.65mlを交互に数回に分けて加え、窒素気流下室温で3時間加熱攪拌した。 After adding 1122 ml of acetic acid, 198 ml of acetic anhydride, and 95.6 g of iodobenzene diacetate to 109 g of the raw material 1, 78.5 g of iodine and 1.65 ml of sulfuric acid were added alternately in several portions, The mixture was heated and stirred at room temperature for 3 hours.
反応液中の不溶物をろ過し、メタノールで洗浄し、乾燥させ、中間体2を57.1g得た。収率は31%であった。 Insoluble matter in the reaction solution was filtered, washed with methanol, and dried to obtain 57.1 g of Intermediate 2. The yield was 31%.
得られた中間体2は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。 The structure of the obtained intermediate 2 was confirmed by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.
工程(2) Step (2)
中間体2 30gに、酢酸500mlを加え完溶させたところに臭素を滴下し、60℃で16時間加熱攪拌した。 Bromine was added dropwise to 30 g of Intermediate 2 where 500 ml of acetic acid was completely dissolved, and the mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 16 hours.
反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、メタノールとテトラヒドロフランの混合溶液で洗浄し、乾燥させ、中間体3を20.8g得た。収率は55%であった。 After the reaction solution was cooled to room temperature, insoluble matters were filtered, washed with a mixed solution of methanol and tetrahydrofuran, and dried to obtain 20.8 g of Intermediate 3. The yield was 55%.
得られた中間体3は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。 The structure of the obtained intermediate 3 was confirmed by a nuclear magnetic resonance spectrum and a mass spectrum.
工程(3) Process (3)
中間体3 10gに、カルバゾール 4.9g、銅粉5.1g、炭酸カリウム5.6g、ジメチルアセトアミド(脱水)300mlを加え、窒素気流下150度で10時間攪拌した。 To 3 g of Intermediate 3, 4.9 g of carbazole, 5.1 g of copper powder, 5.6 g of potassium carbonate, and 300 ml of dimethylacetamide (dehydrated) were added and stirred at 150 ° C. for 10 hours under a nitrogen stream.
反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、食塩水を加え、テトラヒドロフランで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。 The reaction mixture was cooled to room temperature, insolubles were filtered, brine was added, and the mixture was extracted with tetrahydrofuran. The organic layer was repeatedly washed with water and concentrated under reduced pressure.
得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体4を36.8g得た。収率は32%であった。 The resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain 36.8 g of Intermediate 4. The yield was 32%.
得られた中間体4は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。 The structure of the obtained intermediate 4 was confirmed by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.
工程(4) Process (4)
中間体4 35g、ビス(ピナコラト)ジボロン23.1g、酢酸カリウム12.2g、PdCl2(dppf)CH2Cl2 1.0gにジメチルスルホキシド300mlを加え、窒素気流下100℃で16時間加熱攪拌した。 Intermediate 35 (35 g), bis (pinacolato) diboron (23.1 g), potassium acetate (12.2 g), PdCl 2 (dppf) CH 2 Cl 2 ( 1.0 ml) was added with dimethyl sulfoxide (300 ml), and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 16 hours in a nitrogen stream. .
反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。 The reaction mixture was cooled to room temperature, insolubles were filtered, water was added, and the mixture was extracted with ethyl acetate. The organic layer was repeatedly washed with water and concentrated under reduced pressure.
得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体5を31g得た。収率は80%であった。 The resulting mixture was purified by silica gel column chromatography to obtain 31 g of Intermediate 5. The yield was 80%.
得られた中間体5は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。 The structure of the obtained intermediate 5 was confirmed by a nuclear magnetic resonance spectrum and a mass spectrum.
工程(5) Step (5)
酢酸パラジウム0.29gに、tert−ブチルホスフィンの50質量%トルエン溶液を2.1gとキシレン(脱水)を10mlを加え、窒素気流下室温で1時間攪拌した。続いて、中間体5 10.5g、1,3−ジヨードベンゼン3.0g、ナトリウムt−ブトキシド2.1g、キシレン(脱水)120mlを加え、窒素気流下にて5時間加熱還流を行った。 To 0.29 g of palladium acetate, 2.1 g of a 50 mass% toluene solution of tert-butylphosphine and 10 ml of xylene (dehydrated) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour in a nitrogen stream. Subsequently, 10.5 g of Intermediate 5, 3.0 g of 1,3-diiodobenzene, 2.1 g of sodium t-butoxide and 120 ml of xylene (dehydrated) were added, and the mixture was heated to reflux for 5 hours under a nitrogen stream.
反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、水を加え、トルエンで抽出した。有機層は水洗を繰り返し、減圧下で濃縮した。 After cooling the reaction solution to room temperature, insolubles were filtered, water was added, and the mixture was extracted with toluene. The organic layer was repeatedly washed with water and concentrated under reduced pressure.
得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、さらにトルエンで再結晶を行い、例示化合物H−1を5.7g得た。収率は80%であった。 The resulting mixture was purified by silica gel column chromatography and further recrystallized from toluene to obtain 5.7 g of exemplary compound H-1. The yield was 80%.
得られた例示化合物H−1は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。 The obtained exemplary compound H-1 was confirmed in structure by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.
《一般式(5)で表される金属錯体》
本発明に係る一般式(5)で表される金属錯体について説明する。
<< Metal Complex Represented by Formula (5) >>
The metal complex represented by the general formula (5) according to the present invention will be described.
本発明の有機EL素子では、発光層がリン光発光性の金属錯体を含有することが好ましい、更に好ましくは、前記リン光発光性の金属錯体が上記一般式(5)で表される金属錯体であることである。尚、発光層については、後述する有機EL素子の構成層のところで詳細に説明する。 In the organic EL device of the present invention, the light emitting layer preferably contains a phosphorescent metal complex, and more preferably, the phosphorescent metal complex is represented by the general formula (5). That is. The light emitting layer will be described in detail in the constituent layers of the organic EL element described later.
一般式(5)において、P及びQは炭素原子または窒素原子を表し、A1はP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A2はQ−Nと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。中心金属であるM1は元素周期表における8〜10族の遷移金属元素を表す。 In General formula (5), P and Q represent a carbon atom or a nitrogen atom, A1 represents the atomic group which forms an aromatic-hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring with PC. A2 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with QN. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 that is a central metal represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table.
一般式(5)において、A1で表される芳香族炭化水素環としては、具体的にはベンゼン環、クロロベンゼン環、メシチレン環、トルエン環、キシレン環、ナフタレン環、アントラセン環、アズレン環、アセナフテン環、フルオレン環、フェナントレン環、インデン環、ピレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ペリレン環等が挙げられる。更に該炭化水素環基は前述のR11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR41〜R48の置換基例で説明した置換基によって置換されていてもよく、更に縮合環(例えば、ベンゼン環に複素環を縮合させたキノリン環等)を形成してもよい。 In the general formula (5), the aromatic hydrocarbon ring represented by A1 is specifically a benzene ring, chlorobenzene ring, mesitylene ring, toluene ring, xylene ring, naphthalene ring, anthracene ring, azulene ring, acenaphthene ring. Fluorene ring, phenanthrene ring, indene ring, pyrene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, perylene ring and the like. Further, the hydrocarbon ring group may be substituted with the substituents described in the examples of the substituents of R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36 and R 41 to R 48 described above. A condensed ring (for example, a quinoline ring obtained by condensing a heterocyclic ring with a benzene ring) may be formed.
一般式(5)において、A1、A2で表される芳香族複素環としては、具体的には、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環等が挙げられる。更に該複素環は、前述のR11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR41〜R48の置換基例で説明した置換基によって置換されていてもよく、更に縮合環を形成してもよい。 In the general formula (5), the aromatic heterocycle represented by A1 or A2 specifically includes an oxazole ring, oxadiazole ring, oxatriazole ring, isoxazole ring, tetrazole ring, thiadiazole ring, thiatriazole A ring, an isothiazole ring, a thiophene ring, a furan ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a diazine ring, and a triazine ring. Further, the heterocyclic ring may be substituted with the substituents described in the examples of the substituents R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36 and R 41 to R 48 described above, and further condensed. A ring may be formed.
A1において好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環であり、より好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環及びピリジン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。 A1 is preferably a benzene ring, a naphthalene ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyrrole ring, a thiophene ring, a pyrazole ring, an imidazole ring, an oxazole ring, and a thiazole ring, more preferably a benzene ring, a naphthalene ring, a thiophene ring, and A pyridine ring, most preferably a benzene ring.
A2において好ましくはピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環であり、より好ましくはピリジン環、トリアジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環であり、また、5員の芳香族複素環(例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等)が好ましいが、最も好ましくはイミダゾール環及びトリアゾール環である。 A2 is preferably a pyridine ring, pyrimidine ring, triazine ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, triazole ring, oxazole ring and thiazole ring, more preferably a pyridine ring, triazine ring, imidazole ring, triazole ring, oxazole ring. And a 5-membered aromatic heterocyclic ring (for example, oxazole ring, oxadiazole ring, oxatriazole ring, isoxazole ring, tetrazole ring, thiadiazole ring, thiatriazole ring, isothiazole ring, thiophene ring) A furan ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, etc.), most preferably an imidazole ring and a triazole ring.
一般式(5)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子の具体例としては、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。 In the general formula (5), specific examples of the bidentate ligand represented by P1-L1-P2 include substituted or unsubstituted phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, Examples include acetylacetone and picolinic acid.
j1は1、2または3の整数を表し、j2は0、1または2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。中でも、j2は0である場合が好ましい。 j1 represents an integer of 1, 2 or 3, j2 represents an integer of 0, 1 or 2, and j1 + j2 is 2 or 3. Among these, j2 is preferably 0.
一般式(5)において、M1は元素周期表における8〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でもイリジウム、白金が好ましく、特にイリジウムが好ましい。 In General Formula (5), M 1 is a transition metal element belonging to Group 8 to 10 in the periodic table (also simply referred to as a transition metal). Among them, iridium and platinum are preferable, and iridium is particularly preferable.
本発明では、一般式(5)で表される金属錯体の中でも、上記一般式(6)で表される金属錯体が好ましく用いられる。 In the present invention, among the metal complexes represented by the general formula (5), the metal complex represented by the general formula (6) is preferably used.
《一般式(6)で表される金属錯体》
本発明に係る一般式(6)で表される金属錯体について説明する。
<< Metal Complex Represented by General Formula (6) >>
The metal complex represented by the general formula (6) according to the present invention will be described.
一般式(6)において、Zは炭化水素環基または複素環基を表す。P及びQは炭素原子または窒素原子を表し、A1はP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。A3はN−Q−Nと共に芳香族複素環を形成する原子群であって、−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−または−N=N−を表し、R01及びR02は水素原子または置換基を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1、P2は各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。L1はP1、P2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。中心金属であるM1は元素周期表における8〜10族の金属を表す。 In General formula (6), Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P and Q represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle together with PC. A3 is an atomic group that forms an aromatic heterocycle with NQN, and is —C (R 01 ) ═C (R 02 ) —, —N═C (R 02 ) —, —C (R 01 ) = N— or —N═N—, and R 01 and R 02 represent a hydrogen atom or a substituent. P1-L1-P2 represents a bidentate ligand, and P1 and P2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P1 and P2. j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 which is the central metal represents a group 8 to 10 metal in the periodic table.
一般式(6)において、A1で表される芳香族炭化水素環および芳香族複素環としては、一般式(5)のA1で表される芳香族炭化水素環または芳香族複素環と同義であり、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環であり、より好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、チオフェン環及びピリジン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。 In the general formula (6), the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocycle represented by A1 have the same meaning as the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle represented by A1 in the general formula (5). , Preferably a benzene ring, naphthalene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrrole ring, thiophene ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxazole ring and thiazole ring, more preferably a benzene ring, naphthalene ring, thiophene ring and pyridine ring. And most preferably a benzene ring.
一般式(6)において、A3およびN−Q−Nと共に形成される含窒素芳香族複素環としては、一般式(5)のA2で表される芳香族複素環と同義であって、好ましくはイミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられる。特に好ましくはイミダゾール環である。 In the general formula (6), the nitrogen-containing aromatic heterocycle formed together with A3 and NQN is synonymous with the aromatic heterocycle represented by A2 in the general formula (5), and preferably Examples include an imidazole ring, a triazole ring, and a tetrazole ring. Particularly preferred is an imidazole ring.
R01及びR02は水素原子または置換基を表す。置換基の例としては前述のR11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR41〜R48の置換基例と同一である。R01及びR02においても置換基が前述R11〜R18、R21〜R28、R31〜R36及びR41〜R48の置換基例から選ばれる置換基によって、更に置換されていてもよく、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。 R 01 and R 02 represent a hydrogen atom or a substituent. Examples of the substituent are the same as the above-described substituent examples of R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36, and R 41 to R 48 . Also in R 01 and R 02 , the substituent is further substituted with a substituent selected from the examples of the substituents of R 11 to R 18 , R 21 to R 28 , R 31 to R 36 and R 41 to R 48. In addition, a plurality of substituents may be bonded to each other to form a ring.
R01及びR02における、置換基の種類として好ましくは水素原子、アルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。 The type of substituent in R 01 and R 02 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.
一般式(6)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子の具体例としては、一般式(5)のP1−L1−P2で表される2座の配位子と同義である。 In the general formula (6), specific examples of the bidentate ligand represented by P1-L1-P2 include a bidentate ligand represented by P1-L1-P2 in the general formula (5) and It is synonymous.
j1は1、2または3の整数を表し、j2は0、1または2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。中でも、j2は0である場合が好ましい。 j1 represents an integer of 1, 2 or 3, j2 represents an integer of 0, 1 or 2, and j1 + j2 is 2 or 3. Among these, j2 is preferably 0.
一般式(6)において、M1は元素周期表における8〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でもイリジウム、白金が好ましく、特にイリジウムが好ましい。 In the general formula (6), M 1 is a transition metal element belonging to Group 8 to 10 in the periodic table of elements (also simply referred to as a transition metal), among which iridium and platinum are preferable, and iridium is particularly preferable.
一般式(6)において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも後述する置換基を有していてもよい。 In the general formula (6), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include a cyclopropyl group. , Cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. These groups may be unsubstituted or have a substituent described later.
また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でもよく、一般式(1)においてR11〜R18で表される置換基を有してもよい。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic hydrocarbon group, aryl group, etc.) include, for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl. Group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent represented by R 11 to R 18 in the general formula (1).
一般式(6)において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1、1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げることが出来る。これらの基は無置換でも置換基を有していてもよい。 In the general formula (6), examples of the heterocyclic group represented by Z include a non-aromatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring and an aziridine group. Ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietane ring, tetrahydrofuran ring, dioxolane ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolane ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε- Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thiomorpholine Ring, thiomorpholine-1,1-dioxide And groups derived from a ring, a pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] -octane ring, and the like. These groups may be unsubstituted or have a substituent.
また、Zで表される炭化水素環基または複素環基は、下記一般式(7)で表される基であることが好ましい。 The hydrocarbon ring group or heterocyclic group represented by Z is preferably a group represented by the following general formula (7).
一般式(7)
H1−(Ar1)n−
一般式(7)で表される、Ar1は芳香族炭芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、H1はキャリア輸送ユニットを表し、nは0〜10の整数を表す。
General formula (7)
H 1- (Ar 1 ) n −
Ar 1 represented by the general formula (7) represents a group derived from an aromatic carbon aromatic hydrocarbon ring or a group derived from an aromatic heterocyclic ring, H 1 represents a carrier transport unit, and n represents The integer of 0-10 is represented.
Ar1で表される芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、一般式(5)のA1で表される芳香族炭化水素環または芳香族複素環と同義である。 The aromatic heterocyclic ring used for forming the group derived from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring used for forming the group derived from the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar 1 has the general formula It is synonymous with the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle represented by A1 in (5).
H1で表されるキャリア輸送ユニットとは、芳香族炭化水素環や芳香族複素環を部分構造として有する化合物で、キャリア輸送をするユニットである。 The carrier transport unit represented by H 1 is a compound that has an aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle as a partial structure and transports carriers.
本発明に係るキャリア輸送をするユニットとしては、一般的な有機ELの電子輸送材料、正孔輸送材料、ホスト材料のことを指し、好ましくはカルバゾール誘導体である。 The carrier transport unit according to the present invention refers to a general organic EL electron transport material, hole transport material, and host material, and is preferably a carbazole derivative.
Ar1で表される芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、p−クロロベンゼン環、メシチレン環、トルエン環、キシレン環、フタレン環、アントラセン環、アズレン環、アセナフテン環、フルオレン環、フェナントレン環、インデン環、ピレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、ペリレン環等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring used for forming the group derived from the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar 1 include a benzene ring, a p-chlorobenzene ring, a mesitylene ring, a toluene ring, a xylene ring, a phthalene ring, and an anthracene. And a ring, an azulene ring, an acenaphthene ring, a fluorene ring, a phenanthrene ring, an indene ring, a pyrene ring, a biphenyl ring, a terphenyl ring, and a perylene ring.
Ar1で表される芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環等が挙げられる。 The aromatic heterocycle used for forming the group derived from the aromatic heterocycle represented by Ar 1 includes an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, a thiadiazole ring, Examples include triazole ring, isothiazole ring, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, diazine ring, and triazine ring.
Ar1で表される芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環は置換基を有してもよく、置換基としては、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、tert−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)が好ましく、分岐アルキル基(例えば、イソプロピル基、tert−ブチル基等)または分岐アルコキシ基(例えば、イソプロピルオキシ基、tert−ブチルオキシ基等)が更に好ましい。 The aromatic heterocyclic ring used for forming the group derived from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring used for forming the group derived from the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar 1 has a substituent. The substituent may be an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, Pentadecyl group, etc.) and alkoxy groups (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, isopropyloxy group, tert-butyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.) are preferable. An alkyl group (eg, isopropyl group, tert-butyl group, etc.) or branched alkoxy group (eg, Sopropyloxy group, tert-butyloxy group, etc.) are more preferable.
以下、Zの好ましい例を挙げるが、Zは以下の例示以外にも更に置換基を有していてもよいなどこれらの例に限定されない。尚、*は結合位置を表す。 Hereinafter, preferred examples of Z will be given, but Z is not limited to these examples, and may further have a substituent other than the following examples. Note that * represents a bonding position.
一般式(5)で表される金属錯体、一般式(6)で表される金属錯体の各々の分子量に特に規定はないが、900〜3000の範囲が好ましく、更に好ましくは、900〜2000の範囲である。 The molecular weight of each of the metal complex represented by the general formula (5) and the metal complex represented by the general formula (6) is not particularly specified, but is preferably in the range of 900 to 3000, more preferably 900 to 2000. It is a range.
以下に、リン光発光性ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。 Although the specific example of the compound used as a phosphorescent dopant below is shown, this invention is not limited to these. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like.
以下に、本発明に係る金属錯体の合成例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Although the synthesis example of the metal complex based on this invention is shown below, this invention is not limited to these.
《例示化合物D−39の合成》 << Synthesis of Exemplified Compound D-39 >>
工程1:錯体Aの合成
窒素雰囲気下で2−フェニル−(2,4,6−トリメチルフェニル)−1H−イミダゾール18g(0.06861モル)を2−エトキシエタノール350mlに溶解した溶液に、塩化イリジウム3水和物、8.1g(0.02297モル)及び100mlの水を加え、窒素雰囲気下で5時間還流した。反応液を冷却し、メタノール500mlを加え、析出した結晶を濾取した。得られた結晶を更にメタノールで洗浄し、乾燥後15.2g(収率88.4%)の錯体Aを得た。
Step 1: Synthesis of Complex A Iridium chloride was added to a solution of 18 g (0.06861 mol) of 2-phenyl- (2,4,6-trimethylphenyl) -1H-imidazole in 350 ml of 2-ethoxyethanol under a nitrogen atmosphere. Trihydrate, 8.1 g (0.02297 mol) and 100 ml of water were added and refluxed for 5 hours under a nitrogen atmosphere. The reaction solution was cooled, 500 ml of methanol was added, and the precipitated crystals were collected by filtration. The obtained crystals were further washed with methanol and dried to obtain 15.2 g (yield 88.4%) of Complex A.
工程2:例示化合物D−39の合成
工程1で得られた、6.0g(0.003998モル)の錯体A及び1.85g(0.008396モル)のトリフルオロ酢酸銀を塩化メチレン500ml中、窒素バブリングを行いながら1時間還流した。
Step 2: Synthesis of Exemplified Compound D-39 6.0 g (0.003998 mol) of Complex A and 1.85 g (0.008396 mol) of silver trifluoroacetate obtained in Step 1 were added in 500 ml of methylene chloride. The mixture was refluxed for 1 hour with nitrogen bubbling.
反応液を冷却後、塩を濾別し、濾液を濃縮した後、テトラヒドロフラン500mlを加え、カルベン前駆体3.2g(0.007996モル)及びtert−ブトキシカリウム1.35gを加え、5時間還流した。反応液を冷却後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/テトラヒドロフラン)により分離生成し、例示化合物D−39を5.33g(65.0%)得た。 After cooling the reaction solution, the salt was filtered off, the filtrate was concentrated, 500 ml of tetrahydrofuran was added, 3.2 g (0.007996 mol) of carbene precursor and 1.35 g of tert-butoxy potassium were added, and the mixture was refluxed for 5 hours. . After cooling the reaction solution, the insoluble material was filtered off and the filtrate was concentrated. The obtained residue was separated and produced by silica gel column chromatography (hexane / tetrahydrofuran) to obtain 5.33 g (65.0%) of Exemplary Compound D-39.
上記の合成方法は1例であり、本発明はこれらに限定されない。例えば、使用する溶媒を酢酸フェニル等の高沸点の極性溶媒に変える、また、反応基質の量を変化させ、反応温度を変化させることで、種々の化合物を合成することができる。 The above synthesis method is an example, and the present invention is not limited thereto. For example, various compounds can be synthesized by changing the solvent to be used to a polar solvent having a high boiling point such as phenyl acetate, or changing the amount of the reaction substrate to change the reaction temperature.
また、本発明に用いるドーパントは本発明に係るもののみに限定されず、他のドーパントと組み合わせることで、発光強度の増大・発光ピークのシフトなどを行うことが出来る。特に白色発光の有機EL素子は複数のドーパントを混ぜ合わせることで達成できる。 Further, the dopant used in the present invention is not limited to the one according to the present invention, and by combining with other dopants, the emission intensity can be increased and the emission peak can be shifted. In particular, an organic EL element that emits white light can be achieved by mixing a plurality of dopants.
以下に本発明に用いられる発光ドーパントの一例を示すが、本発明はこれらに限定されない。 Although an example of the light emission dopant used for this invention below is shown, this invention is not limited to these.
《有機EL素子の構成層(無機化合物層、有機化合物層(有機層)等)》
本発明の有機EL素子の構成層、有機化合物層等について説明する。本発明の有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
<< Constitutional layer of organic EL element (inorganic compound layer, organic compound layer (organic layer), etc.) >>
The constituent layers and organic compound layers of the organic EL device of the present invention will be described. Although the preferable specific example of the layer structure of the organic EL element of this invention is shown below, this invention is not limited to these.
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
《有機化合物層(有機層とも言う)》
本発明に係る有機化合物層について説明する。
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode << organic compound layer (also referred to as organic layer) >>
The organic compound layer according to the present invention will be described.
本発明の有機EL素子は、構成層として複数の有機化合物層を有することが好ましく、該有機化合物層としては、例えば、上記の層構成の中で正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等が挙げられるが、その他、正孔注入層、電子注入層等、有機EL素子の構成層に含有される有機化合物が含有されていれば、本発明に係る有機化合物層として定義される。 The organic EL device of the present invention preferably has a plurality of organic compound layers as a constituent layer. Examples of the organic compound layer include a hole transport layer, a light emitting layer, and a hole blocking layer in the above layer constitution. In addition, an organic compound layer according to the present invention is defined as long as it contains an organic compound contained in a constituent layer of an organic EL element, such as a hole injection layer or an electron injection layer. Is done.
更に陽極バッファー層、陰極バッファー層等に有機化合物が用いられる場合には、陽極バッファー層、陰極バッファー層等も各々有機化合物層を形成していることになる。 Further, when an organic compound is used for the anode buffer layer, the cathode buffer layer, etc., the anode buffer layer, the cathode buffer layer, etc. each form an organic compound layer.
なお、前記有機化合物層には『有機EL素子の構成層に使用可能な有機EL素子材料』等を含有する層も含まれる。 The organic compound layer includes a layer containing “organic EL element material that can be used for a constituent layer of an organic EL element” or the like.
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。 In the organic EL device of the present invention, the light emitting maximum wavelength of the blue light emitting layer is preferably 430 nm to 480 nm, the green light emitting layer has a light emitting maximum wavelength of 510 nm to 550 nm, and the red light emitting layer has a light emitting maximum wavelength of 600 nm to 640 nm. A monochromatic light emitting layer in the range is preferable, and a display device using these is preferable.
また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。 Alternatively, a white light emitting layer may be formed by laminating at least three light emitting layers. Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers.
本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。 The organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and is preferably a lighting device using these.
本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。 Each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは10nm〜20nmの範囲である。 The total film thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but it is 2 nm to from the viewpoint of preventing the application of a high voltage unnecessary for the film homogeneity and light emission and improving the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust to the range of 5 micrometers, More preferably, it adjusts to the range of 2 nm-200 nm, Most preferably, it is the range of 10 nm-20 nm.
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により成膜して形成することができる。 For the production of the light-emitting layer, a light-emitting dopant or a host compound, which will be described later, is formed by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink-jet method. it can.
本発明の有機EL素子の発光層には、ホスト化合物と発光ドーパント(リン光発光性ドーパントや蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。 The light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains a host compound and at least one kind of light emitting dopant (phosphorescent dopant, fluorescent dopant, etc.).
《ホスト化合物》
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
《Host compound》
The host compound used in the present invention will be described.
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の中で、室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。 Here, in the present invention, the host compound is defined as a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission of less than 0.1 at room temperature (25 ° C.) among compounds contained in the light emitting layer. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
本発明では、前記一般式(1)で表される化合物をホスト化合物として用いることが好ましく、更に好ましくは、一般式(2)、(3)または(4)で表される化合物がホスト化合物として特に好ましく用いられる。 In the present invention, the compound represented by the general formula (1) is preferably used as the host compound, and more preferably the compound represented by the general formula (2), (3) or (4) is used as the host compound. Particularly preferably used.
なお、ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を併用で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。 In addition, as a host compound, a well-known host compound may be used together, and may be used in combination of multiple types. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of light emission dopants mentioned later, and, thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.
併用してもよい従来公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。 A conventionally known host compound that may be used in combination is preferably a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from becoming longer, and has a high Tg (glass transition temperature).
従来公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。 Specific examples of conventionally known host compounds include compounds described in the following documents.
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。 JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.
《発光ドーパント》
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
《Light emitting dopant》
The light emitting dopant according to the present invention will be described.
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント、リン光発光性ドーパントを用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパントとしては、上記のホスト化合物を含有すると同時にリン光発光性ドーパントを含有することが好ましい。 As the light emitting dopant according to the present invention, a fluorescent dopant or a phosphorescent light emitting dopant can be used. From the viewpoint of obtaining an organic EL element with higher luminous efficiency, the light emitting layer or light emitting unit of the organic EL element of the present invention. As the luminescent dopant used in the above, it is preferable to contain the above-mentioned host compound and at the same time a phosphorescent dopant.
《リン光発光性ドーパント》
本発明に係るリン光発光性ドーパントについて説明する。
《Phosphorescent dopant》
The phosphorescent dopant according to the present invention will be described.
本発明に係るリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。 The phosphorescent dopant according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.) and has a phosphorescence quantum yield. The phosphorescence quantum yield is preferably 0.1 or more, although it is defined as a compound of 0.01 or more at 25 ° C.
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。 The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence emitting dopant according to the present invention achieves the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. It only has to be done.
リン光発光性ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性ドーパントに移動させることでリン光発光性ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光発光性ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光性ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型が挙げられる。 There are two types of light emission of phosphorescent dopants in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound. The energy transfer type is to obtain light emission from the phosphorescent dopant by transferring to the phosphorescent dopant, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant to cause phosphorescence. There is a carrier trap type in which light emission from a photoluminescent dopant can be obtained.
上記のいずれの場合においても、リン光発光性ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。 In any of the above cases, it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent dopant is lower than the excited state energy of the host compound.
リン光発光性ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。 The phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device.
本発明に係るリン光発光性ドーパントとしては、好ましくは元素周期表で8〜10族の遷移金属元素を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物(Ir錯体)、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物(Ir錯体)である。 The phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a complex compound containing a transition metal element of group 8 to 10 in the periodic table, more preferably an iridium compound (Ir complex), an osmium compound, or platinum. Compounds (platinum complex compounds) and rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds (Ir complexes).
また、本発明において好ましいリン光発光性ドーパントとして、上記一般式(5)または一般式(6)で表される化合物(金属錯体、金属錯体化合物ともいう)が好ましい。 Further, as a preferred phosphorescent dopant in the present invention, a compound represented by the above general formula (5) or general formula (6) (also referred to as a metal complex or a metal complex compound) is preferable.
《蛍光ドーパント》
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
<Fluorescent dopant>
As fluorescent dopants, coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes , Polythiophene dyes, or rare earth complex phosphors.
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。 Next, an injection layer, a blocking layer, an electron transport layer, and the like used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention will be described.
《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。 An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。 The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。 The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking.
また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。 Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。 The hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。 In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode.
更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。 Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。 The ionization potential is defined by the energy required to emit an electron at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by the following method, for example.
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。 (1) Using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA The ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。 (2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。 On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3〜100nmであり、更に好ましくは5〜30nmである。 Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transporting layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, and more preferably 5 to 30 nm.
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。 The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。 The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。 Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.
更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。 JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号、特開2000−196140号、同2001−102175号の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, and JP-A-2001-102175; Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。 In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。 Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode. Any material may be used as long as it has a function of transferring electrons to the light-emitting layer, and any material can be selected from conventionally known compounds.
例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。 Examples include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and the like.
更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。 Furthermore, in the above oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。 In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。 In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer Can also be used as an electron transporting material.
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。 The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。 Further, an electron transport layer having a high n property doped with impurities can also be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。 In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.
《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。 Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。 Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used. For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。 Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used.
この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10〜1000nm、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。 When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3) mixture, indium, a lithium / aluminum mixture, and rare earth metals.
これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。 Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。 The sheet resistance as a cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the emission luminance is advantageously improved.
また、陰極に上記金属を1〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。 Moreover, after producing the said metal with a film thickness of 1-20 nm on a cathode, a transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.
《支持基板》
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。
《Support substrate》
As a support substrate (hereinafter also referred to as a substrate, substrate, substrate, support, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. May be opaque. When extracting light from the support substrate side, the support substrate is preferably transparent.
好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。 Examples of the transparent support substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable support substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(JSR社製)あるいはアペル(三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Polyetherimide, polyether ketone imide, polyamide, fluorine resin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylates, and cycloolefin resins such as ARTON (JSR Corp.) or APEL (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.).
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更にはJIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が10−3ml/(m2・24h・MPa)以下、水蒸気透過度が10−5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992. , it is preferable that the relative humidity of (90 ± 2)% RH) is a barrier film of 0.01g / (m 2 · 24h) or less, more oxygen permeability measured by the method based on JIS K 7126-1987 A high barrier film having a degree of 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · MPa) or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less is preferable.
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。 As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers.
無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。 The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma polymerization A plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。 Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, and ceramic substrates.
本発明の有機EL素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。 The external extraction quantum efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。 Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。 In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
<Sealing>
As a sealing means used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.
封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。 As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。 Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムはJIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−3ml/(m2・24h・MPa)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。 In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned. Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · MPa) or less, and a method according to JIS K 7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured in (1) is preferably 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less.
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。 For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。 Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to.
また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。 Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。 In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesively cured from room temperature to 80 is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。 In addition, it is also preferable that the electrode and the organic layer are coated on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and an inorganic or organic layer is formed in contact with the support substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials.
これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。 The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。 In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, it is preferable to inject an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil in the gas phase and the liquid phase. . A vacuum can also be used. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film.
特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量、且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。 In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used. It is preferable to use a film.
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光の内、15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。
《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1), and only 15% to 20% of light generated in the light emitting layer can be extracted. It is generally said that there is no.
これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は全反射を起こし、素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。 This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be extracted outside the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light undergoes total reflection between the light and the light, and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer.
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。 As a method of improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate and preventing total reflection at the transparent substrate and the air interface (US Pat. No. 4,774,435), A method of improving efficiency by providing a light collecting property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), and light emission from a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the bodies (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), a flat having a lower refractive index between the substrate and the light emitter than the substrate A method of introducing a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) (Japanese Patent Laid-Open No. 11-283951) Gazette).
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。 In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。 In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。 When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率が凡そ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。 Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。 The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。 The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.
この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Of these, light that cannot be emitted due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (inside a transparent substrate or transparent electrode), and the light is emitted outside. I want to take it out.
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。 The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。 However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。 As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。 At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。 The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated, such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
《集光シート》
本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工し、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
<Condenser sheet>
The organic EL device of the present invention is processed to provide, for example, a microlens array-like structure on the light extraction side of the substrate, or in combination with a so-called condensing sheet, so that the organic EL device is in front of a specific direction, for example, the device light emitting surface. By condensing in the direction, the luminance in a specific direction can be increased.
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。 As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。 As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
また、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。 Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる有機EL素子の作製法を説明する。
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode Will be explained.
まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。 First, a desired electrode material, for example, a thin film made of an anode material is formed on a suitable substrate so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, to form an anode.
次に、この上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層の有機化合物薄膜を形成させる。 Next, an organic compound thin film of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer is formed thereon.
これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、塗布法(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、インクジェット法、印刷法等の塗布法による成膜が好ましい。 As a method for forming each of these layers, there are a vapor deposition method and a coating method (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, but it is easy to obtain a homogeneous film and it is difficult to generate pinholes. In view of the above, film formation by a coating method such as a spin coating method, an ink jet method, or a printing method is preferable in the present invention.
本発明に係る有機層(有機化合物層ともいう)の少なくとも1層は、上記一般式(1)で表される化合物を含有するが、前記有機層の少なくとも1層が、湿式法で形成されていることが好ましく、更に好ましくは、前記有機層の少なくとも1層と隣接する1層が湿式法で形成されることであり、特に好ましくは、前記有機層の少なくとも1層と隣接する2層が湿式法で形成されることである。 At least one layer of the organic layer (also referred to as an organic compound layer) according to the present invention contains the compound represented by the general formula (1), but at least one layer of the organic layer is formed by a wet method. It is preferable that one layer adjacent to at least one of the organic layers is formed by a wet method, and it is particularly preferable that two layers adjacent to at least one of the organic layers are wet. Is to be formed by law.
特に、上記一般式(1)で表される化合物を含有する有機層は発光層であることが好ましい。 In particular, the organic layer containing the compound represented by the general formula (1) is preferably a light emitting layer.
また、陽極と陰極の間に存在する層(有機EL素子の構成層である)の全層数を100%とした時、該全層数の50%以上が塗布法で形成されることが好ましい。 Further, when the total number of layers (the constituent layers of the organic EL element) existing between the anode and the cathode is 100%, 50% or more of the total number of layers is preferably formed by a coating method. .
例えば、上記の有機EL素子の一例として挙げられた、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層/陰極においては、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/電子注入層という全層数が6の場合には、少なくとも3層が塗布法により形成されることが好ましい。 For example, in the anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode mentioned as an example of the organic EL element, the hole injection layer In the case where the total number of layers / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer is 6, it is preferable that at least three layers are formed by a coating method.
本発明の有機EL素子の構成層を塗布により形成する場合、塗布に用いる各種の有機EL材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。 When the constituent layers of the organic EL device of the present invention are formed by coating, examples of the liquid medium for dissolving or dispersing various organic EL materials used for coating include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, and fatty acid esters such as ethyl acetate. , Halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO be able to.
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。 Moreover, as a dispersion method, it can disperse | distribute by dispersion methods, such as an ultrasonic wave, high shear force dispersion | distribution, and media dispersion | distribution.
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。 After these layers are formed, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained.
また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。 Further, it is also possible to reverse the production order and produce the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the hole blocking layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode in this order.
このようにして得られた多色の表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the anode as + and the cathode as-polarity. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
<Application>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, It can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and an illumination light source especially.
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。 In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.
本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。 The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.
また、本発明の有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に1000cd/m2でのCIE1931表色系における色度がX=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。 When the organic EL element of the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE 1931 color system at 1000 cd / m 2 is X = It is in the region of 0.33 ± 0.07, Y = 0.33 ± 0.1.
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量%」を表す。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these. In addition, although the display of "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "mass%" is represented.
実施例1
《有機EL素子の発光層のモデル薄膜1の作製》
30mm×30mm×1.1mmの石英基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、市販のスピンコータに取り付け、H−1(50mg)及びIr−15(5mg)を10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜し、更に、25℃で1時間真空乾燥して、膜厚25nmのモデル薄膜1を作製した。
Example 1
<< Preparation of model thin film 1 of light emitting layer of organic EL element >>
A quartz substrate of 30 mm × 30 mm × 1.1 mm was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes, then attached to a commercially available spin coater, H-1 (50 mg) and Ir A solution of -15 (5 mg) dissolved in 10 ml of toluene was formed by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds, and further vacuum dried at 25 ° C. for 1 hour to obtain a model thin film 1 having a thickness of 25 nm. Produced.
《有機EL素子の発光層のモデル薄膜2〜12の作製》
上記のモデル薄膜1の作製において、ホスト化合物H−1を表1に記載のように変更した以外は同様にして、モデル薄膜2〜12を各々作製した。
<< Production of Model Thin Films 2 to 12 of Light-Emitting Layer of Organic EL Element >>
In the production of the model thin film 1, model thin films 2 to 12 were produced in the same manner except that the host compound H-1 was changed as shown in Table 1.
《Raの測定、P−to−Vの測定》
得られたモデル薄膜1〜12について、装置名:SII製SPI3800N DFM, カンチレバー:SI−DF20を用い、測定エリア:50μm×50μm、10μm×10μmで表面粗さの測定を行った。
<< Ra measurement, P-to-V measurement >>
About the obtained model thin films 1-12, the apparatus name: SPI3800N DFM made from SII, cantilever: SI-DF20 was used, and the surface roughness was measured by measurement area: 50 micrometers x 50 micrometers, 10 micrometers x 10 micrometers.
ここでRaは、JISの粗さ形状パラメータ(JIS B0601−1994)の一種であり、中心線平均粗さを表す。粗さ曲線を中心線から折り返し、その粗さ曲線と中心線によって得られた面積を長さLで割った値をRa値としてマイクロメートル(μm)で表される(図1参照)。 Here, Ra is a kind of JIS roughness shape parameter (JIS B0601-1994) and represents the centerline average roughness. The roughness curve is folded back from the center line, and the value obtained by dividing the area obtained by the roughness curve and the center line by the length L is expressed as a Ra value in micrometers (μm) (see FIG. 1).
P−to−Vは、JISの粗さ形状パラメータ(JIS B0601−1994)の一種であるRyと同意であり基準長さ毎の最低谷底から最大山頂までの高さを表す。断面曲線を基準長さLを抜き取った部分の最大高さを求めてマイクロメートル(μm)で表してP−to−V値またはRy値とする。 P-to-V is the same as Ry, which is a kind of JIS roughness shape parameter (JIS B0601-1994), and represents the height from the lowest valley bottom to the highest mountain peak for each reference length. The maximum height of the section from which the reference length L is extracted from the cross-sectional curve is obtained and expressed in micrometers (μm), which is defined as a P-to-V value or a Ry value.
ここで断面曲線とは、被測定面に直角な平面で被測定面を切断したとき、その切り口に現れる輪郭を表す。 Here, the cross-sectional curve represents a contour that appears at the cut end when the surface to be measured is cut along a plane perpendicular to the surface to be measured.
得られた表面粗さのデータに基づいて、Ra、P−to−Vを得た。 Ra and P-to-V were obtained based on the obtained surface roughness data.
得られたRa測定値、P−to−V測定値について表1に示した。 The obtained Ra measurement values and P-to-V measurement values are shown in Table 1.
表1から、一般式(1)で表される化合物を含有するモデル薄膜1〜9は、比較の薄膜10〜12と比べて、P−to−V値の低い平滑性の高い薄膜ができることが分かった。 From Table 1, the model thin films 1 to 9 containing the compound represented by the general formula (1) can form a thin film having a low smoothness with a low P-to-V value as compared with the comparative thin films 10 to 12. I understood.
実施例2
《有機EL素子の1−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 2
<< Production of Organic EL Element 1-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により製膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。 On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. After forming the film by spin coating, the film was dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.
この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、50mgの正孔輸送材料1を10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。窒素雰囲気下、180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの第二の正孔輸送層とした。 This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 50 mg of the hole transport material 1 dissolved in 10 ml of toluene was formed on the hole transport layer by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds. In a nitrogen atmosphere, ultraviolet light was irradiated for 180 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking to form a second hole transport layer having a thickness of about 20 nm.
この第二正孔輸送層上に、100mgの比較化合物1と10mgのD−3を10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。120℃で1時間真空乾燥し、膜厚約50nmの発光層とした。 On this second hole transport layer, a solution prepared by dissolving 100 mg of Comparative Compound 1 and 10 mg of D-3 in 10 ml of toluene was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. It vacuum-dried at 120 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer with a film thickness of about 50 nm.
次にこの発光層上に、50mgの電子輸送材料1を10mlの1−ブタノールに溶解した溶液を5000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約15nmの電子輸送層とした。 Next, a solution obtained by dissolving 50 mg of the electron transport material 1 in 10 ml of 1-butanol was formed on this light emitting layer by spin coating under a condition of 5000 rpm for 30 seconds. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the electron carrying layer with a film thickness of about 15 nm.
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧し、陰極バッファー層としてフッ化リチウム1.0nm及び陰極としてアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。 Subsequently, this substrate is fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, the vacuum chamber is decompressed to 4 × 10 −4 Pa, lithium fluoride 1.0 nm is deposited as a cathode buffer layer, and aluminum 110 nm is deposited as a cathode to form a cathode. Then, an organic EL element 1-1 was produced.
《有機EL素子1−2〜1−11の作製》
有機EL素子1−1の作製において、比較化合物1を表2に示す化合物に変更した以外は有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−2〜1−11を各々作製した。
<< Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-11 >>
Organic EL elements 1-2 to 1-11 were respectively prepared in the same manner as the organic EL element 1-1 except that the comparative compound 1 was changed to the compounds shown in Table 2 in the preparation of the organic EL element 1-1.
《有機EL素子1−1〜1−11の評価》
得られた有機EL素子1−1〜1−11を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図2、図3に示すような照明装置を形成して評価した。
<< Evaluation of Organic EL Elements 1-1 to 1-11 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 1-1 to 1-11, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production was covered with a glass case, and a glass substrate having a thickness of 300 μm was used as a sealing substrate. An epoxy-based photo-curing adhesive (Lux Track LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealing material in the periphery, and this is placed on the cathode to be in close contact with the transparent support substrate and irradiated with UV light from the glass substrate side Then, it was cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. 2 and 3 was formed and evaluated.
図2は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子201は、ガラスカバー202で覆われている。尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子201を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った)。
FIG. 2 is a schematic diagram of the lighting device, and the
図3は、本発明の照明装置の一態様を示す断面図であり、図3において、205は陰極、206は有機EL層、207は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー202内には窒素ガス208が充填され、捕水剤209が設けられている。
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating one embodiment of the lighting device of the present invention. In FIG. 3,
次いで、下記のようにして発光寿命を測定した。 Subsequently, the light emission lifetime was measured as follows.
(外部取りだし量子効率)
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。
(External extraction quantum efficiency)
About the produced organic EL element, external extraction quantum efficiency (%) when 2.5 mA / cm 2 constant current was applied in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C. was measured.
尚、測定には同様に分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。 For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used in the same manner.
表1の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子1−1の測定値を100とした時の相対値で表した。 The measurement results of the external extraction quantum efficiency in Table 1 are expressed as relative values when the measured value of the organic EL element 1-1 is 100.
(寿命)
2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ0.5)として寿命の指標とした。
(lifespan)
When driven at a constant current of 2.5 mA / cm 2 , the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission (initial luminance) was measured, and this was calculated as the half-life time (τ 0.5). As an index of life.
尚、測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。 For the measurement, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta) was used.
表1の寿命の測定結果は、有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表した。 The lifetime measurement results in Table 1 are expressed as relative values when the organic EL element 1-1 is taken as 100.
得られた結果を表2に示す。 The obtained results are shown in Table 2.
表2から、比較に比べて、本発明の有機EL素子は、高い外部取り出し量子効率を示し、低駆動電圧であり、且つ、発光寿命が長いことが明らかである。 From Table 2, it is clear that the organic EL device of the present invention exhibits high external extraction quantum efficiency, a low driving voltage, and a long emission lifetime as compared with the comparison.
また素子1−4〜素子1−11においては比較素子1−1〜1−3よりも明らかにダークスポットの生成が少ないことが分かった。 In addition, it was found that the generation of dark spots was clearly less in the elements 1-4 to 1-11 than in the comparative elements 1-1 to 1-3.
更に、本実施例で使用したドーパントIr−11以外にも、発明で使用可能なドーパント化合物、Ir−21、Ir−27、ドーパント例示化合物116、D−2、D−3についても、各々素子1−1〜1−11に対応するホスト化合物を用いて評価したところ、同様の効果が得られた。 Further, in addition to the dopant Ir-11 used in the present example, the dopant compounds usable in the invention, Ir-21, Ir-27, and the dopant exemplified compounds 116, D-2, D-3 are also element 1 respectively. When the host compounds corresponding to -1 to 1-11 were evaluated, the same effect was obtained.
実施例3
《有機ELフルカラー表示装置の作製》
図4は有機ELフルカラー表示装置の概略構成図を示す。陽極としてガラス基板101上にITO透明電極(102)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)に100μmのピッチでパターニングを行った後、このガラス基板上でITO透明電極の間に非感光性ポリイミドの隔壁103(幅20μm、厚さ2.0μm)をフォトリソグラフィーで形成させた。
Example 3
<< Production of organic EL full-color display device >>
FIG. 4 shows a schematic configuration diagram of an organic EL full-color display device. After patterning at a pitch of 100 μm on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by forming a 100 nm ITO transparent electrode (102) on a
ITO電極上ポリイミド隔壁の間に下記組成の正孔注入層組成物を、インクジェットヘッド(エプソン社製;MJ800C)を用いて吐出注入し、紫外光を2分間照射し、60℃、10分間の乾燥処理により膜厚40nmの正孔注入層104を作製した。
A hole injection layer composition having the following composition is ejected and injected between polyimide partition walls on the ITO electrode using an inkjet head (manufactured by Epson; MJ800C), irradiated with ultraviolet light for 2 minutes, and dried at 60 ° C. for 10 minutes. A
この正孔注入層上に、各々下記の青色発光層組成物、緑色発光層組成物、赤色発光層組成物を同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、60℃、10分間乾燥処理し、それぞれの発光層(105B,105G,105R)を形成させた。最後に発光層105を覆うように、陰極としてAl(106)を真空蒸着して有機EL素子を作製した。 On the hole injection layer, the following blue light-emitting layer composition, green light-emitting layer composition, and red light-emitting layer composition were similarly discharged and injected using an inkjet head, and dried at 60 ° C. for 10 minutes. Each light emitting layer (105B, 105G, 105R) was formed. Finally, Al (106) was vacuum-deposited as a cathode so as to cover the light emitting layer 105, and an organic EL element was produced.
作製した有機EL素子はそれぞれの電極に電圧を印加することにより各々青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることがわかった。 It was found that the produced organic EL element showed blue, green, and red light emission by applying a voltage to each electrode, and could be used as a full-color display device.
(正孔注入層組成物)
正孔輸送材料1 20質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(青色発光層組成物)
H−3 0.7質量部
Ir−11 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(緑色発光層組成物)
H−3 0.7質量部
Ir−1 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(赤色発光層組成物)
H−3 0.7質量部
Ir−6 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(電子輸送層組成物)
電子輸送材料1 20質量部
1−ブタノール 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
H−3の代わりに化合物H−1、12、26を用いて作製した有機EL素子でも、同様にフルカラー表示装置として利用できることがわかった。
(Hole injection layer composition)
Hole transport material 1 20 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropyl biphenyl 50 parts by mass (Blue light emitting layer composition)
H-3 0.7 parts by mass Ir-11 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropyl biphenyl 50 parts by mass (green light emitting layer composition)
H-3 0.7 parts by mass Ir-1 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropylbiphenyl 50 parts by mass (red light emitting layer composition)
H-3 0.7 parts by weight Ir-6 0.04 parts by weight Cyclohexylbenzene 50 parts by weight Isopropylbiphenyl 50 parts by weight (electron transport layer composition)
Electron transport material 1 20 parts by mass 1-butanol 50 parts by mass Isopropyl biphenyl 50 parts by mass Organic EL elements prepared using compounds H-1, 12, and 26 instead of H-3 can also be used as full-color display devices. I understood.
実施例4
《白色の有機EL素子3−1の作製》
実施例2の透明電極基板上に、実施例2と同様に正孔輸送層/第2の正孔輸送層をスピンコート法により形成し、更に発光層として、100mgの化合物H−8、10mgの例示化合物D−3および0.1mgのD−38を10mlのトルエンに溶解した溶液を1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により製膜した。120℃で1時間真空乾燥し、膜厚約50nmの発光層とした。
Example 4
<< Production of White Organic EL Element 3-1 >>
A hole transport layer / second hole transport layer was formed by spin coating on the transparent electrode substrate of Example 2 in the same manner as in Example 2, and 100 mg of Compound H-8, 10 mg of the light emitting layer was further formed. A solution of Exemplified Compound D-3 and 0.1 mg of D-38 dissolved in 10 ml of toluene was formed into a film by spin coating under conditions of 1000 rpm and 30 seconds. It vacuum-dried at 120 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer of film thickness of about 50 nm.
次いで、実施例2と同様に、電子輸送層及びフッ化リチウム層、アルミニウム陰極を形成し、白色発光有機EL素子3−1を作製した。得られた有機EL素子3−1を実施例2と同様にして封止した。 Next, in the same manner as in Example 2, an electron transport layer, a lithium fluoride layer, and an aluminum cathode were formed to produce a white light-emitting organic EL element 3-1. The obtained organic EL element 3-1 was sealed in the same manner as in Example 2.
この有機EL素子3−1に通電したところ、CIE 1931色度図において(X,Y)=(0.38、0.45)のほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用できることが判った。 When this organic EL element 3-1 was energized, in the CIE 1931 chromaticity diagram, substantially white light of (X, Y) = (0.38, 0.45) was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device. .
尚、ホスト化合物を本発明に係る他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが判った。 It has been found that even when the host compound is replaced with another compound according to the present invention, white light emission can be obtained.
101 ガラス基板
102 ITO透明電極
103 隔壁
104 正孔注入層
105B、105G、105R 発光層
201 有機EL素子
207 透明電極付きガラス基板
206 有機EL層
205 陰極
202 ガラスカバー
208 窒素ガス
209 捕水剤
DESCRIPTION OF
Claims (17)
該有機層の少なくとも1層が、下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
At least 1 layer of this organic layer contains the compound represented by following General formula (1), The organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned.
一般式(7)
H1−(Ar1)n−
〔式中、Ar1は芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、H1はキャリア輸送ユニットを表し、nは0〜10の整数を表す。〕 Z in the said General formula (6) is group represented by following General formula (7), The organic electroluminescent element of Claim 12 characterized by the above-mentioned.
General formula (7)
H 1- (Ar 1 ) n −
[In the formula, Ar 1 represents a group derived from an aromatic hydrocarbon ring or a group derived from an aromatic heterocyclic ring, H 1 represents a carrier transport unit, and n represents an integer of 0 to 10. ]
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