JP2023051984A - 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】発光体として使用するための化合物、及びそれを含む有機発光ダイオードなどのデバイスを提供する。【解決手段】下記式で表される第１の配位子ＬＡを含む発光層用化合物が開示される。TIFF2023051984000151.tif5147配位子ＬＡは、Ｌ１及びＬ２によって金属Ｍと錯体化され、Ｍは、４０超の原子量を有し；Ｍは、任意に他の配位子に配位され；前記配位子ＬＡは、任意に他の配位子と連結され、三座配位子、四座配位子、五座配位子、又は六座配位子を含む。【選択図】なし

Description

関連出願の相互参照
本願は、その開示内容の全体を参照によって組み込まれる、２０１８年１月２６日出願の米国特許仮出願第６２／６２２，３０７号に対する優先権を主張するものである。

本発明は、発光体として使用するための化合物、及びそれを含む有機発光ダイオードなどのデバイスに関する。

有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつもの理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光ダイオード／デバイス（ＯＬＥＤ）、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。ＯＬＥＤについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。例えば、有機発光層が光を放出する波長は、概して、適切なドーパントで容易に調整され得る。

ＯＬＥＤはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。ＯＬＥＤは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。数種のＯＬＥＤ材料及び構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、特許文献１、特許文献２及び特許文献３において記述されている。

リン光性発光分子の１つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和（ｓａｔｕｒａｔｅｄ）」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。若しくは、ＯＬＥＤは、白色光を照射するように設計することができる。従来の、白色バックライトからの液晶ディスプレイ発光は、吸収フィルターを用いてフィルタリングされ、赤色、緑色、及び青色発光を生成する。同様の技術は、ＯＬＥＤでも用いられることができる。白色ＯＬＥＤは、単一のＥＭＬデバイス又は積層体構造のいずれかであることができる。色は、当技術分野において周知のＣＩＥ座標を使用して測定することができる。

緑色発光分子の一例は、下記の構造：

を有する、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３と表示されるトリス（２－フェニル）イリジウムである。

この図面及び本明細書における後出の図面中で、本発明者らは、窒素から金属（ここではＩｒ）への配位結合を直線として描写する。

本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び小分子有機材料を含む。「小分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「小分子」は実際にはかなり大型であってよい。小分子は、いくつかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「小分子」クラスから分子を排除しない。小分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。小分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又はリン光性小分子発光体であってよい。デンドリマーは「小分子」であってよく、ＯＬＥＤの分野において現在使用されているデンドリマーはすべて小分子であると考えられている。

本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第一層が第二層「の上に配置されている」と記述される場合、第一層のほうが基板から遠くに配置されている。第一層が第二層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第一層と第二層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。

本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送することができ、且つ／又は該媒質から堆積することができるという意味である。

配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」（ＨＯＭＯ）又は「最低空分子軌道」（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル（ＩＰ）は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いＨＯＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するＩＰ（あまり負でないＩＰ）に相当する。同様に、より高いＬＵＭＯエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力（ＥＡ）（あまり負でないＥＡ）に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のＬＵＭＯエネルギー準位は、同じ材料のＨＯＭＯエネルギー準位よりも高い。「より高い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位は、「より低い」ＨＯＭＯ又はＬＵＭＯエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。

本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第一の仕事関数は第二の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。

ＯＬＥＤについての更なる詳細及び上述した定義は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる特許文献４において見ることができる。

本開示の態様によれば、下記の式Ｉで表される第１の配位子Ｌ_Ａを含む化合物が開示される。

式Ｉの構造において、
Ｌ^１及びＬ^２の一方はＣであり、Ｌ^１及びＬ^２の他方はＮであり；
Ｙ^１～Ｙ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
少なくとも２つの隣接するＹ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、及びＹ^１０は、下記の式ＩＩで表される構造に縮合される炭素原子であり；

Ｙ^１１～Ｙ^１４は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ、ＣＲＲ’、及びＳｉＲＲ’からなる群から選択され；
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｄは、モノから置換の最大可能数を表す、又は無置換を表し；
Ｒ^Ｃは、ジ置換、トリ置換、又はテトラ置換を表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
任意の２つの置換基は、共に結合又は縮合して環を形成してもよく；
Ｌ_Ａは、Ｌ^１及びＬ^２によって金属Ｍと錯体化され、Ｍは、４０超の原子量を有し；
Ｍは、任意に他の配位子に配位され；
前記配位子Ｌ_Ａは、任意に他の配位子と連結され、三座配位子、四座配位子、五座配位子、又は六座配位子を含む。

本開示の化合物を有機層中に含むＯＬＥＤも開示される。

前記ＯＬＥＤを含む消費者製品も開示される。

図１は、有機発光デバイスを示す。

図２は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。

概して、ＯＬＥＤは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも１つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層（複数可）に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。

初期のＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第４，７６９，２９２号において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子（「蛍光」）を使用していた。蛍光発光は、概して、１０ナノ秒未満の時間枠で発生する。

ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料（「リン光」）を有するＯＬＥＤが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Ｂａｌｄｏら、「Ｈｉｇｈｌｙ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｆｒｏｍ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、３９５巻、１５１～１５４、１９９８；（「Ｂａｌｄｏ－Ｉ」）及びＢａｌｄｏら、「Ｖｅｒｙ ｈｉｇｈ－ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｇｒｅｅｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ」、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、７５巻、３号、４～６（１９９９）（「Ｂａｌｄｏ－ＩＩ」）。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第７，２７９，７０４号５～６段において更に詳細に記述されている。

図１は、有機発光デバイス１００を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス１００は、基板１１０、アノード１１５、正孔注入層１２０、正孔輸送層１２５、電子ブロッキング層１３０、発光層１３５、正孔ブロッキング層１４０、電子輸送層１４５、電子注入層１５０、保護層１５５、カソード１６０、及びバリア層１７０を含み得る。カソード１６０は、第一の導電層１６２及び第二の導電層１６４を有する複合カソードである。デバイス１００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるＵＳ７，２７９，７０４、６～１０段において更に詳細に記述されている。

これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板－アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５、８４４、３６３号において開示されている。ｐ－ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、５０：１のモル比でｍ－ＭＴＤＡＴＡにＦ_４－ＴＣＮＱをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるＴｈｏｍｐｓｏｎらの米国特許第６，３０３，２３８号において開示されている。ｎ－ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において開示されている通りの、１：１のモル比でＢＰｈｅｎにＬｉをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第５，７０３，４３６号及び同第５，７０７，７４５号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したＩＴＯ層を持つＭｇ：Ａｇ等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０９７，１４７号及び米国特許出願公開第２００３／０２３０９８０号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第２００４／０１７４１１６号において見ることができる。

図２は、反転させたＯＬＥＤ２００を示す。デバイスは、基板２１０、カソード２１５、発光層２２０、正孔輸送層２２５、及びアノード２３０を含む。デバイス２００は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なＯＬＥＤ構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス２００はアノード２３０の下に配置されたカソード２１５を有するため、デバイス２００は「反転させた」ＯＬＥＤと称されることがある。デバイス１００に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス２００の対応する層において使用してよい。図２は、いくつかの層が如何にしてデバイス１００の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。

図１及び２において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なＯＬＥＤは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス２００において、正孔輸送層２２５は正孔を輸送し、正孔を発光層２２０に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、ＯＬＥＤは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図１及び２に関して記述されている通りの異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。

参照によりその全体が組み込まれるＦｒｉｅｎｄらの米国特許第５，２４７，１９０号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるＯＬＥＤ（ＰＬＥＤ）等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するＯＬＥＤが使用され得る。ＯＬＥＤは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第５，７０７，７４５号において記述されている通り、積み重ねられてよい。ＯＬＥＤ構造は、図１及び２において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Ｆｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，０９１，１９５号において記述されている通りのメサ構造及び／又はＢｕｌｏｖｉｃらの米国特許第５，８３４，８９３号において記述されている通りのくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。

別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，０１３，９８２号及び同第６，０８７，１９６号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるＦｏｒｒｅｓｔらの米国特許第６，３３７，１０２号において記述されているもの等の有機気相堆積（ＯＶＰＤ）、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第７，４３１，９６８号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第６，２９４，３９８号及び同第６，４６８，８１９号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及び有機蒸気ジェット印刷（ＯＶＪＰ）等の堆積法のいくつかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、且つ好ましくは少なくとも３個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、小分子において使用され得る。２０個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、３～２０個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を持つ材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける小分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。

本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の１つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び／又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第７，９６８，１４６号、ＰＣＴ特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２３０９８号及び同第ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０４２８２９号において記述されている通りの、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を構成する前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び／又は同時に堆積されるべきである。ポリマー材料対非ポリマー材料の重量比は、９５：５から５：９５の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作成され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。

本発明の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール（又はユニット）に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス（離散的光源デバイス又は照明パネル等）が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び／又は電源を任意に含むことができる。本発明の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた１つ以上の電子部品モジュール（又はユニット）を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。ＯＬＥＤの有機層に本開示の化合物を含むＯＬＥＤを含む消費者製品が開示される。このような消費者製品は、１つ以上の光源及び／又は１つ以上のある種の表示装置を含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、曲がったディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び／又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、丸めることができるディスプレイ、折り畳むことができるディスプレイ、伸ばすことができるディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡｓ）、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ（対角で２インチ未満のディスプレイ）、３－Ｄディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール（ｖｉｄｅｏ ｗａｌｌｓ）、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本発明に従って製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、摂氏１８度から摂氏３０度、より好ましくは室温（摂氏２０～２５度）等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏－４０度～＋８０度で用いることもできる。

本明細書において記述されている材料及び構造は、ＯＬＥＤ以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。

相互交換可能に使用される、「ハロ」、「ハロゲン」、及び「ハライド」という用語は、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を指す。

「アシル」という用語は、置換されたカルボニル基（Ｃ（Ｏ）－Ｒ_ｓ）を指す。

「エステル」という用語は、置換されたオキシカルボニル（－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ_ｓ又は－Ｃ（Ｏ）－Ｏ－Ｒ_ｓ）基を指す。

「エーテル」という用語は、－ＯＲ_ｓ基を指す。

「スルファニル」又は「チオエーテル」という用語は、相互交換可能に使用され、－ＳＲ_ｓ基を指す。

「スルフィニル」という用語は、－Ｓ（Ｏ）－Ｒ_ｓ基を指す。

「スルホニル」という用語は、－ＳＯ_２－Ｒ_ｓ基を指す。

「ホスフィノ」という用語は、－Ｐ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同じでも異なっていてもよい。

「シリル」という用語は、－Ｓｉ（Ｒ_ｓ）_３基を指し、各Ｒ_ｓは、同じでも異なっていてもよい。

上記のそれぞれにおいて、Ｒ_ｓは、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される基であることができる。好ましいＲ_ｓは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される。

「アルキル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキル基のいずれを指し、含む。好ましいアルキル基としては、１個から１５個までの炭素原子を含むものであり、メチル、エチル、プロピル、１－メチルエチル、ブチル、１－メチルプロピル、２－メチルプロピル、ペンチル、１－メチルブチル、２－メチルブチル、３－メチルブチル、１，１－ジメチルプロピル、１，２－ジメチルプロピル、及び２，２－ジメチルプロピル等が挙げられる。更に、前記アルキル基は、任意に置換される。

「シクロアルキル」という用語は、単環式、多環式、及びスピロアルキル基を指し、含む。好ましいシクロアルキル基は、３～１２個の環炭素原子を含むものであり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ビシクロ［３．１．１］ヘプチル、スピロ［４．５］デシル、スピロ［５．５］ウンデシル、アダマンチルなどが挙げられる。更に、前記シクロアルキル基は、任意に置換される。

「ヘテロアルキル」又は「ヘテロシクロアルキル」という用語は、それぞれ、ヘテロ原子によって置換された少なくとも１つの炭素原子を有するアルキル又はシクロアルキル基を指す。任意に、少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。更に、前記ヘテロアルキル又は前記ヘテロシクロアルキル基は、任意に置換される。

「アルケニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖のアルケン基の両方を指し、含む。アルケニル基は、本質的に、アルキル鎖中に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を含むアルキル基である。シクロアルケニル基は、本質的に、シクロアルキル環中に少なくとも１つの炭素－炭素二重結合を含むシクロアルキル基である。本明細書で使用される「ヘテロアルケニル」という用語は、ヘテロ原子によって置換された少なくとも１つの炭素原子を有するアルケニル基を指す。任意に、少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。好ましいアルケニル、シクロアルケニル、又はヘテロアルケニル基は、２～１５個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルケニル、前記シクロアルケニル、又は前記ヘテロアルケニル基は、任意に置換される。

「アルキニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖アルキン基の両方を指し、含む。好ましいアルキニル基は、２～１５個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルキニル基は、任意に置換される。

「アラルキル」又は「アリールアルキル」という用語は、相互交換可能に使用され、アリール基で置換されたアルキル基を指す。更に、前記アラルキル基は、任意に置換される。

「複素環式基」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む芳香族及び非芳香族の環式基を指し、含む。任意に、前記少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅ、好ましくはＯ、Ｓ、又はＮから選択される。ヘテロ芳香族環式基は、ヘテロアリールと相互交換可能に使用され得る。好ましいヘテロ非芳香族環式基は、少なくとも１つのヘテロ原子を含み、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノなどの環式アミン、及び例えばテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェンなどの環式エーテル／チオエーテルが挙げられる。更に、前記複素環式基は、任意に置換されることができる。

「アリール」という用語は、単環式芳香族ヒドロカルビル基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。多環とは、２つの隣接する環（前記環は、「縮合」している）により２つの炭素が共有されている２つ以上の環を有することができ、前記環の少なくとも１つは、芳香族ヒドロカルビル基であり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールである。好ましいアリール基は、６～３０個の炭素原子を含むものであり、６～２０個の炭素原子を含むものが好ましく、６～１２個の炭素原子を含むものが更に好ましい。６個の炭素を有するアリール基、１０個の炭素を有するアリール基、又は１２個の炭素を有するアリール基が特に好ましい。好適なアリール基としては、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナンスレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等が挙げられ、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、フルオレン、及びナフタレンが好ましい。更に、前記アリール基は、任意に置換される。

「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも１つのヘテロ原子を含む単環式芳香族基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。ヘテロ原子としては、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、及びＳｅが挙げられるが、これらに限定されない。多くの例においては、Ｏ、Ｓ、又はＮが好ましいヘテロ原子である。ヘテロ単環式芳香族系は、好ましくは５つ又は６個の環原子を有する単環であり、前記環は１～６個のヘテロ原子を有することができる。ヘテロ多環式環系は、２つの原子が２つの隣接する環に共通である２つ以上の環を有してもよく（前記環は「縮合している」）、前記環の少なくとも１つはヘテロアリールであり、例えば、他の環は、シクロアルキル、シクロアルケニル、アリール、ヘテロ環、及び／又はヘテロアリールであることができる。複素多環式芳香族環系は、多環式芳香族環系の環当たり１～６個のヘテロ原子を有することができる。好ましいヘテロアリール基は、３～３０個の炭素原子を含むものであり、３～２０個の炭素原子を含むものが好ましく、３～１２個の炭素原子を含むものがより好ましい。好適なヘテロアリール基としては、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン、及びセレノフェノジピリジンが挙げられ、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、１，２－アザボリン、１，３－アザボリン、１，４－アザボリン、ボラジン、及びこれらのアザ類似体が好ましい。更に、前記ヘテロアリール基は、任意に置換される。

上記にリストされる前記アリール及び前記ヘテロアリール基のうち、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、及びベンズイミダゾールの基、並びにそのそれぞれのアザ類似体が、特に興味深い。

本明細書で使用されるアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アラルキル、複素環式基、アリール、及びヘテロアリールという用語は、独立して非置換であるか、又は独立して１以上の一般的な置換基で置換される。

多くの例においては、前記一般的な置換基は、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される。

多くの例においては、好ましい前記一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される。

多くの例においては、好ましい前記一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アリール、ヘテロアリール、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される。

更に他の例においては、より好ましい前記一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される。

「置換された」及び「置換」という用語は、関連する位置（例えば炭素又は窒素）に結合されているＨ以外の置換基を指す。例えば、Ｒ^１がモノ－置換を表す場合、Ｒ^１はＨ以外でなければならない（即ち、置換）。同様に、Ｒ^１がジ置換を表す場合、Ｒ^１の２つはＨ以外でなければならない。同様に、Ｒ^１が無置換を表す場合、Ｒ^１は、例えば、ベンゼンにおける炭素原子及びピロール中の窒素原子の場合のように、環原子の利用可能な原子価における水素であることができる、又は完全に満たされた原子価を有する環原子（例えば、ピリジン中の窒素）の場合には単に何も表さない。環構造において可能な置換の最大数は、環原子における利用可能な原子価の総数に依存する。

本明細書中で使用される場合、「これらの組合せ」は、適用されるリストから当業者が想到することができる知られた又は化学的に安定な配置を形成するために、適用されるリストの１つ以上のメンバーが組み合わされることを示す。例えば、アルキル及び重水素は、組み合わされて、部分的又は完全に重水素化されたアルキル基を形成することができる；ハロゲン及びアルキルは、組み合わされて、ハロゲン化アルキル置換基を形成することができる；ハロゲン、アルキル、及びアリールは、組み合わされて、ハロゲン化アリールアルキルを形成することができる。１つの例においては、置換という用語は、リストされた基の２～４個の組合せを含む。別の例においては、置換という用語は、２～３個の基の組合せを含む。更に別の例では、置換という用語は、２個の基の組み合わせを含む。置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素でない５０個までの原子を含むもの、又は水素又は重水素ではない４０個までの原子を含むもの、又は水素若しくは重水素ではない３０個までの原子を含むものである。多くの例においては、置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素ではない２０個までの原子を含む。

本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ－ジベンゾフラン、アザ－ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各芳香族環中のＣ－Ｈ基の１つ以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリンとジベンゾ［ｆ，ｈ］キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素アナログを容易に想像することができ、このようなアナログ全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。

本明細書で使用される場合、「重水素」は、水素の同位体を指す。重水素化化合物は、当該分野で公知の方法を用いて容易に調製することができる。例えば、それらの内容の全体を参照によって援用する、米国特許第８，５５７，４００号明細書、国際公開第ＷＯ２００６／０９５９５１号、及び米国特許出願公開第２０１１／００３７０５７号には、重水素で置換された有機金属錯体の作製が記載されている。更なる参照は、それらの内容の全体を参照によって組み込まれる、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ２０１５，７１，１４２５－３０（Ｍｉｎｇ Ｙａｎら）及びＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．（Ｒｅｖｉｅｗｓ）２００７，４６，７７４４－６５（Ａｔｚｒｏｄｔら）によって為され、ベンジルアミン中のメチレン水素の重水素化及び芳香族環水素を重水素で置換する効率的な経路が、それぞれ記載されている。

分子フラグメントが置換基として記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント（例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル）又は分子全体（例えば、ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。

本開示の態様によれば、下記の式Ｉで表される第１の配位子Ｌ_Ａを含む化合物が開示される。

式Ｉの構造において、
Ｌ^１及びＬ^２の一方はＣであり、Ｌ^１及びＬ^２の他方はＮであり；
Ｙ^１～Ｙ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
少なくとも２つの隣接するＹ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、及びＹ^１０は、下記の式ＩＩで表される構造に縮合される炭素原子であり；

Ｙ^１１～Ｙ^１４は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ、ＣＲＲ’、及びＳｉＲＲ’からなる群から選択され；
Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｄは、モノから置換の最大可能数を表す、又は無置換を表し；
Ｒ^Ｃは、ジ置換、トリ置換、又はテトラ置換を表し；
Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
任意の２つの置換基は、共に結合又は縮合して環を形成してもよく；
Ｌ_Ａは、Ｌ^１及びＬ^２によって金属Ｍと錯体化され、Ｍは、４０超の原子量を有し；
Ｍは、任意に他の配位子に配位され；
前記配位子Ｌ_Ａは、任意に他の配位子と連結され、三座配位子、四座配位子、五座配位子、又は六座配位子を含む。

幾つかの実施形態においては、Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基である。幾つかの実施形態においては、Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アリール、ヘテロアリール、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基である。他の実施形態においては、Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基である。

幾つかの実施形態においては、Ｍは、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＣｕからなる群から選択される。幾つかの実施形態においては、Ｍは、Ｉｒ又はＰｔである。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ホモレプティックである。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ヘテロレプティックである。

幾つかの実施形態においては、Ｙ^１～Ｙ^１４は、それぞれＣである。幾つかの実施形態においては、Ｙ^１～Ｙ^４の少なくとも１つは、Ｎである。幾つかの実施形態においては、Ｙ^１１～Ｙ^１４の少なくとも１つは、Ｎである。

幾つかの実施形態においては、Ｚ^１は、Ｏである。幾つかの実施形態においては、Ｚ^２は、Ｏである。幾つかの実施形態においては、Ｚ^１及びＺ^２は、いずれもＯである。

幾つかの実施形態においては、Ｚ^１は、Ｓである。幾つかの実施形態においては、Ｚ^２は、Ｓである。幾つかの実施形態においては、Ｚ^１及びＺ^２は、いずれもＳである。

幾つかの実施形態においては、式ＩＩで表される構造は、Ｙ^９及びＹ^１０に縮合される。幾つかの実施形態においては、式ＩＩで表される構造は、Ｙ^８及びＹ^９に縮合される。幾つかの実施形態においては、式ＩＩで表される構造は、Ｙ^７及びＹ^８に縮合される。

幾つかの実施形態においては、Ｙ^７～Ｙ^１０は、それぞれＣである。

幾つかの実施形態においては、Ｌ^１はＣであり、Ｌ^２はＮである。幾つかの実施形態においては、Ｌ^１はＮであり、Ｌ^２はＣである。

幾つかの実施形態においては、Ｚ^１及びＺ^２は、互いに対してパラである。言い換えれば、Ｚ^２は、Ｙ^８に直接結合される。

幾つかの実施形態においては、Ｚ^１及びＺ^２は、互いに対してオルトである。言い換えれば、Ｚ^２は、Ｙ^１０に直接結合される。

幾つかの実施形態においては、Ｚ^２は、Ｙ^９に直接結合され、第１のメタ配向である。幾つかの実施形態においては、Ｚ^２は、Ｙ^７に直接結合され、第２のメタ配向である。

幾つかの実施形態においては、前記第１の配位子Ｌ_Ａは、下記からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記第１の配位子Ｌ_Ａは、下記からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式で表され、Ｌ_Ｂ及びＬ_Ｃは、それぞれ、異なる二座配位子であり；ｘは１、２、又は３であり；ｙは０、１、又は２であり；ｚは０、１、又は２であり；ｘ＋ｙ＋ｚは、前記金属Ｍの酸化状態である。

Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、Ｉｒ（Ｌ_Ａ）_３、Ｉｒ（Ｌ_Ａ）（Ｌ_Ｂ）_２、Ｉｒ（Ｌ_Ａ）_２（Ｌ_Ｂ）、Ｉｒ（Ｌ_Ａ）_２（Ｌ_Ｃ）、及びＩｒ（Ｌ_Ａ）（Ｌ_Ｂ）（Ｌ_Ｃ）からなる群から選択される式で表され；Ｌ_Ａ、Ｌ_Ｂ、及びＬ_Ｃは、互いに異なる。

Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式の幾つかの実施形態においては、前記化合物は、Ｐｔ（Ｌ_Ａ）（Ｌ_Ｂ）の式で表され；Ｌ_Ａ及びＬ_Ｂは、同じでも異なっていても良い。

Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式の幾つかの実施形態においては、配位子Ｌ_Ａ及びＬ_Ｂは、接続され、四座配位子を形成する。

Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式の幾つかの実施形態においては、配位子Ｌ_Ａ及びＬ_Ｂは、二箇所で接続され、大環状四座配位子を形成する。

Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式の幾つかの実施形態においては、配位子Ｌ_Ｂ及びＬ_Ｃは、それぞれ独立して、下記からなる群から選択される。

式中、Ｘ^１～Ｘ^１３は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され；
Ｘは、ＢＲ’、ＮＲ’、ＰＲ’、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ’Ｒ’’、ＳｉＲ’Ｒ’’、及びＧｅＲ’Ｒ’’からなる群から選択され；
Ｒ’及びＲ’’は、任意に縮合又は結合して環を形成し；
Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄは、それぞれ、モノ置換から置換の最大可能数を表す、又は無置換を表し；
Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄの２つの隣接する置換基は、任意に縮合又は結合して、環を形成する、又は多座配位子を形成する。

Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式の幾つかの実施形態においては、配位子Ｌ_Ｂ及びＬ_Ｃは、それぞれ独立して、下記からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、式Ｉｒ（Ｌ_Ａｉ）_３で表される化合物Ａｘ、式Ｉｒ（Ｌ_Ａｉ）（Ｌ_Ｂｋ）_２で表される化合物Ｂｙ、又は式Ｉｒ（Ｌ_Ａｉ）_２（Ｌ_Ｃｊ）で表される化合物Ｃｚである。化合物Ａｘ、Ｂｙ、及びＣｚにおいて、ｘ＝ｉであり、ｙ＝４６８ｉ＋ｋ－４６８であり、ｚ＝１２６０＋ｊ－１２６０である。化合物Ａｘ、Ｂｙ、及びＣｚにおいて、ｉは、１～１１１の整数であり、ｋは、１～４６８の整数であり；ｊは、１～２５の整数である。化合物Ａｘ、Ｂｙ、及びＣｚにおいて、配位子Ｌ_Ｂｋは、下記の構造で表され；

Ｌ_Ｃは、下記の構造からなる群から選択され、
Ｌ_Ｃ１～Ｌ_{Ｃ１２６０}は、下記の式Ｘの構造に基づいており、

Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、下記の通り定義され；

Ｒ^Ｄ１～Ｒ^Ｄ２１は、下記の構造で表される。

幾つかの実施形態においては、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）が記載される。前記ＯＬＥＤは、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層とを含むことができ、前記有機層は、本明細書中に記載される式Ｉで表される第１の配位子Ｌ_Ａを含む化合物を含む。

幾つかの実施形態においては、本明細書中に記載されるＯＬＥＤを含む消費者製品が記載される。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、可撓性があること、丸めることができること、折り畳むことができること、伸ばすことができること、曲げることができることからなる群から選択される１つ以上の特性を有する。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、透明又は半透明である。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、カーボンナノチューブを含む層を更に含む。

幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、遅延蛍光発光体を含む層を更に含む。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、ＲＧＢ画素配列又は白色及びカラーフィルター画素配列を含む。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、モバイルデバイス、ハンドヘルドデバイス、又はウェアラブルデバイスである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、１０インチ未満の対角線又は５０平方インチ未満の面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、少なくとも１０インチの対角線又は少なくとも５０平方インチの面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記ＯＬＥＤは、照明パネルである。

他の態様によれば、ＯＬＥＤ中の発光領域（例えば、本明細書中に記載される前記有機層）が開示される。前記発光領域は、本明細書中に記載される式Ｉで表される第１の配位子Ｌ_Ａを含む化合物を含む。幾つかの実施形態においては、前記発光領域中の第１の化合物は、発光ドーパント又は非発光ドーパントである。幾つかの実施形態においては、前記発光ドーパントは、ホストを更に含み、前記ホストは、金属錯体、トリフェニレン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、アザ－トリフェニレン、アザ－カルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、及びアザ－ジベンゾセレノフェンからなる群から選択される少なくとも１つを含む。幾つかの実施形態においては、前記発光領域は、ホストを更に含み、前記ホストは、下記からなる群から選択される。

幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、リン光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちＴＡＤＦ（Ｅ型遅延蛍光とも言われる；例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第１５／７００，３５２号参照）、三重項－三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる。幾つかの実施形態においては、前記発光ドーパントは、ラセミ混合物であることができる、又は１つのエナンチオマーに富む（ｅｎｒｉｃｈｅｄ）ことができる。

他の態様によれば、本明細書中に記載される前記化合物を含む配合物も開示される。

本明細書中に開示される前記ＯＬＥＤは、消費者製品、電子部品モジュール、及び照明パネルの１つ以上に組み込まれることができる。前記有機層は、発光層であることができ、幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができ、他の実施形態においては、前記化合物は、非発光ドーパントであることができる。

前記有機層は、ホストを含むこともできる。幾つかの実施形態においては、２つ以上のホストが好ましい。幾つかの実施形態においては、使用される前記ホストは、ａ）双極性（ｂｉｐｏｌａｒ）材料、ｂ）電子輸送材料、ｃ）正孔輸送材料、又はｄ）電荷輸送の役割がほとんどないワイドバンドギャップ材料であることができる。幾つかの実施形態においては、前記ホストは、金属錯体を含むことができる。前記ホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンであることができる。前記ホスト中のいずれの置換基は、独立して、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１、ＯＡｒ_１、Ｎ（Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１）_２、Ｎ（Ａｒ_１）（Ａｒ_２）、ＣＨ＝ＣＨ－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、Ｃ≡Ｃ－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１、Ａｒ_１、Ａｒ_１－Ａｒ_２、及びＣ_ｎＨ_２ｎ－Ａｒ_１からなる群から選択される非縮合置換基であることができる、又は前記ホストは無置換である。前述の置換基において、ｎは１から１０の範囲にわたることができ、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似体からなる群から選択されることができる。前記ホストは、無機化合物であることができる。例えば、ＺｎＳ等、Ｚｎ含有無機材料が挙げられる。

前記ホストは、トリフェニレン、カルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、アザトリフェニレン、アザカルバゾール、アザ－ジベンゾチオフェン、アザ－ジベンゾフラン、及びアザ－ジベンゾセレノフェンからなる群から選択される少なくとも１つの化学基を含む化合物であることができる。前記ホストは、金属錯体を含むことができる。前記ホストは、下記からなる群から選択される具体的な化合物であることができるが、これらに限定されない。

可能なホストに関する追加の情報は、下記に提供される。

本開示の更に他の態様においては、本明細書に開示される新規化合物を含む配合物が記載される。前記配合物は、本明細書に開示される溶媒、ホスト、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子ブロッキング材料、正孔ブロッキング材料、及び電子輸送材料からなる群から選択される１つ以上の成分を含むことができる
他の材料との組合せ

有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。
伝導性（導電性）ドーパント：

電荷輸送層は、伝導性ドーパントでドープされ、電荷キャリアの密度を大きく変え、それによりその伝導性を変えることとなる。伝導性は、マトリックス材料中の電荷キャリアを生成することで、又はドーパントのタイプに応じて増加され、半導体のフェルミ準位における変化も達成することができる。正孔輸送層は、ｐ型伝導性ドーパントでドープされることができ、ｎ型伝導性ドーパントは、電子輸送層中に用いられる。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができる伝導性ドーパントの非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＥＰ０１６１７４９３、ＥＰ０１９６８１３１、ＥＰ２０２０６９４、ＥＰ２６８４９３２、ＵＳ２００５０１３９８１０、ＵＳ２００７０１６０９０５、ＵＳ２００９０１６７１６７、ＵＳ２０１０２８８３６２、ＷＯ０６０８１７８０、ＷＯ２００９００３４５５、ＷＯ２００９００８２７７、ＷＯ２００９０１１３２７、ＷＯ２０１４００９３１０、ＵＳ２００７２５２１４０、ＵＳ２０１５０６０８０４、ＵＳ２０１５０１２３０４７、及びＵＳ２０１２１４６０１２

ＨＩＬ／ＨＴＬ：

本発明の実施形態において使用される正孔注入／輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入／輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体；芳香族アミン誘導体；インドロカルバゾール誘導体；フッ化炭化水素を含有するポリマー；伝導性ドーパントを持つポリマー；ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性ポリマー；ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー；ＭｏＯ_ｘ等の金属酸化物誘導体；１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のｐ型半導体有機化合物；金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造を含むがこれらに限定されない。

Ａｒ^１からＡｒ^９のそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基である２から１０個の環式構造単位からなる群から選択され、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して、互いに結合している。各Ａｒは、無置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。

一態様において、Ａｒ^１からＡｒ^９は、

からなる群から独立に選択される。
式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮであり；Ｚ^１０１はＮＡｒ^１、Ｏ、又はＳであり；Ａｒ^１は、上記で定義したものと同じ基を有する。

ＨＩＬ又はＨＴＬ中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれに限定されない。

式中、Ｍｅｔは、４０より大きい原子量を有し得る金属であり；（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）は二座配位子であり、Ｙ^１０１及びＹ^１０２は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は補助配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。

一態様において、（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）は２－フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、（Ｙ^１０１－Ｙ^１０２）はカルベン配位子である。別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＺｎから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Ｆｃ^＋／Ｆｃカップルに対して、溶液中で約０．６Ｖ未満の最小酸化電位を有する。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるＨＩＬ材料及びＨＴＬ材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＣＮ１０２７０２０７５、ＤＥ１０２０１２００５２１５、ＥＰ０１６２４５００、ＥＰ０１６９８６１３、ＥＰ０１８０６３３４、ＥＰ０１９３０９６４、ＥＰ０１９７２６１３、ＥＰ０１９９７７９９、ＥＰ０２０１１７９０、ＥＰ０２０５５７００、ＥＰ０２０５５７０１、ＥＰ１７２５０７９、ＥＰ２０８５３８２、ＥＰ２６６０３００、ＥＰ６５０９５５、ＪＰ０７－０７３５２９、ＪＰ２００５１１２７６５、ＪＰ２００７０９１７１９、ＪＰ２００８０２１６８７、ＪＰ２０１４－００９１９６、ＫＲ２０１１００８８８９８、ＫＲ２０１３００７７４７３、ＴＷ２０１１３９４０２、ＵＳ０６５１７９５７、ＵＳ２００２０１５８２４２、ＵＳ２００３０１６２０５３、ＵＳ２００５０１２３７５１、ＵＳ２００６０１８２９９３、ＵＳ２００６０２４０２７９、ＵＳ２００７０１４５８８８、ＵＳ２００７０１８１８７４、ＵＳ２００７０２７８９３８、ＵＳ２００８００１４４６４、ＵＳ２００８００９１０２５、ＵＳ２００８０１０６１９０、ＵＳ２００８０１２４５７２、ＵＳ２００８０１４５７０７、ＵＳ２００８０２２０２６５、ＵＳ２００８０２３３４３４、ＵＳ２００８０３０３４１７、ＵＳ２００８１０７９１９、ＵＳ２００９０１１５３２０、ＵＳ２００９０１６７１６１、ＵＳ２００９０６６２３５、ＵＳ２０１１００７３８５、ＵＳ２０１１０１６３３０２、ＵＳ２０１１２４０９６８、ＵＳ２０１１２７８５５１、ＵＳ２０１２２０５６４２、ＵＳ２０１３２４１４０１、ＵＳ２０１４０１１７３２９、ＵＳ２０１４１８３５１７、ＵＳ５０６１５６９、ＵＳ５６３９９１４、ＷＯ０５０７５４５１、ＷＯ０７１２５７１４、ＷＯ０８０２３５５０、ＷＯ０８０２３７５９、ＷＯ２００９１４５０１６、ＷＯ２０１００６１８２４、ＷＯ２０１１０７５６４４、ＷＯ２０１２１７７００６、ＷＯ２０１３０１８５３０、ＷＯ２０１３０３９０７３、ＷＯ２０１３０８７１４２、ＷＯ２０１３１１８８１２、ＷＯ２０１３１２０５７７、ＷＯ２０１３１５７３６７、ＷＯ２０１３１７５７４７、ＷＯ２０１４００２８７３、ＷＯ２０１４０１５９３５、ＷＯ２０１４０１５９３７、ＷＯ２０１４０３０８７２、ＷＯ２０１４０３０９２１、ＷＯ２０１４０３４７９１、ＷＯ２０１４１０４５１４、ＷＯ２０１４１５７０１８

ＥＢＬ：

電子ブロッキング層（ＥＢＬ）は、発光層から出る電子及び／又は励起子の数を減らすために使用されることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、大幅に高い効率及び／又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、ＯＬＥＤの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、ＥＢＬ材料は、ＥＢＬインターフェースに最も近接した発光体よりも高いＬＵＭＯ（真空準位により近い）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、ＥＢＬ材料は、ＥＢＬインターフェースに最も近接したホストの１つ以上よりも高いＬＵＭＯ（真空準位により近い）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。１つの態様においては、ＥＢＬ中に用いられる前記化合物は、下記に記載されるホストの１つとして、同じ分子又は同じ官能基を含む。
ホスト：

本発明の有機ＥＬデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いたホスト材料を含むことができる。前記ホスト材料としては特に限定されず、前記ホストの三重項エネルギーがドーパントのものよりも大きければ、任意の金属錯体又は有機化合物が用いられることができる。いずれのホスト材料も、三重項の基準が満たされる限り、任意のドーパントと共に用いられることができる。

ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。

式中、Ｍｅｔは金属であり；（Ｙ^１０３－Ｙ^１０４）は二座配位子であり、Ｙ^１０３及びＹ^１０４は、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ及びＳから独立に選択され；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり；且つ、ｋ’＋ｋ’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。

一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。

式中、（Ｏ－Ｎ）は、原子Ｏ及びＮに配位された金属を有する二座配位子である。

別の態様において、Ｍｅｔは、Ｉｒ及びＰｔから選択される。更なる態様において、（Ｙ^１０３－Ｙ^１０４）はカルベン配位子である。

１つの態様においては、前記ホスト化合物は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群；ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群；並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも１つを介して互いに結合している２から１０個の環式構造単位からなる群から選択される群の少なくとも１つを含む。各基内の各オプションは、非置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。

一つの態様においては、前記ホスト化合物は、分子中に、下記基の少なくとも１つを含む。

式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒ’のものと同様の定義を有する。ｋは０から２０又は１から２０までの整数である。Ｘ^１０１～Ｘ^１０８は、独立して、Ｃ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。Ｚ^１０１及びＺ^１０２は、独立して、ＮＲ^１０１、Ｏ、又はＳから選択される。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるホスト材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＥＰ２０３４５３８、ＥＰ２０３４５３８Ａ、ＥＰ２７５７６０８、ＪＰ２００７２５４２９７、ＫＲ２０１０００７９４５８、ＫＲ２０１２００８８６４４、ＫＲ２０１２０１２９７３３、ＫＲ２０１３０１１５５６４、ＴＷ２０１３２９２００、ＵＳ２００３０１７５５５３、ＵＳ２００５０２３８９１９、ＵＳ２００６０２８０９６５、ＵＳ２００９００１７３３０、ＵＳ２００９００３０２０２、ＵＳ２００９０１６７１６２、ＵＳ２００９０３０２７４３、ＵＳ２００９０３０９４８８、ＵＳ２０１０００１２９３１、ＵＳ２０１０００８４９６６、ＵＳ２０１００１８７９８４、ＵＳ２０１０１８７９８４、ＵＳ２０１２０７５２７３、ＵＳ２０１２１２６２２１、ＵＳ２０１３００９５４３、ＵＳ２０１３１０５７８７、ＵＳ２０１３１７５５１９、ＵＳ２０１４００１４４６、ＵＳ２０１４０１８３５０３、ＵＳ２０１４０２２５０８８、ＵＳ２０１４０３４９１４、ＵＳ７１５４１１４、ＷＯ２００１０３９２３４、ＷＯ２００４０９３２０７、ＷＯ２００５０１４５５１、ＷＯ２００５０８９０２５、ＷＯ２００６０７２００２、ＷＯ２００６１１４９６６、ＷＯ２００７０６３７５４、ＷＯ２００８０５６７４６、ＷＯ２００９００３８９８、ＷＯ２００９０２１１２６、ＷＯ２００９０６３８３３、ＷＯ２００９０６６７７８、ＷＯ２００９０６６７７９、ＷＯ２００９０８６０２８、ＷＯ２０１００５６０６６、ＷＯ２０１０１０７２４４、ＷＯ２０１１０８１４２３、ＷＯ２０１１０８１４３１、ＷＯ２０１１０８６８６３、ＷＯ２０１２１２８２９８、ＷＯ２０１２１３３６４４、ＷＯ２０１２１３３６４９、ＷＯ２０１３０２４８７２、ＷＯ２０１３０３５２７５、ＷＯ２０１３０８１３１５、ＷＯ２０１３１９１４０４、ＷＯ２０１４１４２４７２、ＵＳ２０１７０２６３８６９、ＵＳ２０１６０１６３９９５、ＵＳ９４６６８０３

追加の発光体：

１つ以上の追加の発光体ドーパントを本開示の化合物と共に使用することができる。前記追加の発光体ドーパントの例としては、特に限定されず、前記化合物が典型的に発光体材料として用いられるものであれば、いずれの化合物も用いられることができる。好適な発光体材料の例としては、リン光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちＴＡＤＦ（Ｅ型遅延蛍光とも言われる）、三重項－三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる化合物が挙げられるが、これらに限定されない。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができる発光体材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
ＣＮ１０３６９４２７７、ＣＮ１６９６１３７、ＥＢ０１２３８９８１、ＥＰ０１２３９５２６、ＥＰ０１９６１７４３、ＥＰ１２３９５２６、ＥＰ１２４４１５５、ＥＰ１６４２９５１、ＥＰ１６４７５５４、ＥＰ１８４１８３４、ＥＰ１８４１８３４Ｂ、ＥＰ２０６２９０７、ＥＰ２７３０５８３、ＪＰ２０１２０７４４４４、ＪＰ２０１３１１０２６３、ＪＰ４４７８５５５、ＫＲ１０２００９０１３３６５２、ＫＲ２０１２００３２０５４、ＫＲ２０１３００４３４６０、ＴＷ２０１３３２９８０、ＵＳ０６６９９５９９、ＵＳ０６９１６５５４、ＵＳ２００１００１９７８２、ＵＳ２００２００３４６５６、ＵＳ２００３００６８５２６、ＵＳ２００３００７２９６４、ＵＳ２００３０１３８６５７、ＵＳ２００５０１２３７８８、ＵＳ２００５０２４４６７３、ＵＳ２００５１２３７９１、ＵＳ２００５２６０４４９、ＵＳ２００６０００８６７０、ＵＳ２００６００６５８９０、ＵＳ２００６０１２７６９６、ＵＳ２００６０１３４４５９、ＵＳ２００６０１３４４６２、ＵＳ２００６０２０２１９４、ＵＳ２００６０２５１９２３、ＵＳ２００７００３４８６３、ＵＳ２００７００８７３２１、ＵＳ２００７０１０３０６０、ＵＳ２００７０１１１０２６、ＵＳ２００７０１９０３５９、ＵＳ２００７０２３１６００、ＵＳ２００７０３４８６３、ＵＳ２００７１０４９７９、ＵＳ２００７１０４９８０、ＵＳ２００７１３８４３７、ＵＳ２００７２２４４５０、ＵＳ２００７２７８９３６、ＵＳ２００８００２０２３７、ＵＳ２００８０２３３４１０、ＵＳ２００８０２６１０７６、ＵＳ２００８０２９７０３３、ＵＳ２００８０５８５１、ＵＳ２００８１６１５６７、ＵＳ２００８２１０９３０、ＵＳ２００９００３９７７６、ＵＳ２００９０１０８７３７、ＵＳ２００９０１１５３２２、ＵＳ２００９０１７９５５５、ＵＳ２００９０８５４７６、ＵＳ２００９１０４４７２、ＵＳ２０１０００９０５９１、ＵＳ２０１００１４８６６３、ＵＳ２０１００２４４００４、ＵＳ２０１００２９５０３２、ＵＳ２０１０１０２７１６、ＵＳ２０１０１０５９０２、ＵＳ２０１０２４４００４、ＵＳ２０１０２７０９１６、ＵＳ２０１１００５７５５９、ＵＳ２０１１０１０８８２２、ＵＳ２０１１０２０４３３３、ＵＳ２０１１２１５７１０、ＵＳ２０１１２２７０４９、ＵＳ２０１１２８５２７５、ＵＳ２０１２２９２６０１、ＵＳ２０１３０１４６８４８、ＵＳ２０１３０３３１７２、ＵＳ２０１３１６５６５３、ＵＳ２０１３１８１１９０、ＵＳ２０１３３３４５２１、ＵＳ２０１４０２４６６５６、ＵＳ２０１４１０３３０５、ＵＳ６３０３２３８、ＵＳ６４１３６５６、ＵＳ６６５３６５４、ＵＳ６６７０６４５、ＵＳ６６８７２６６、ＵＳ６８３５４６９、ＵＳ６９２１９１５、ＵＳ７２７９７０４、ＵＳ７３３２２３２、ＵＳ７３７８１６２、ＵＳ７５３４５０５、ＵＳ７６７５２２８、ＵＳ７７２８１３７、ＵＳ７７４０９５７、ＵＳ７７５９４８９、ＵＳ７９５１９４７、ＵＳ８０６７０９９、ＵＳ８５９２５８６、ＵＳ８８７１３６１、ＷＯ０６０８１９７３、ＷＯ０６１２１８１１、ＷＯ０７０１８０６７、ＷＯ０７１０８３６２、ＷＯ０７１１５９７０、ＷＯ０７１１５９８１、ＷＯ０８０３５５７１、ＷＯ２００２０１５６４５、ＷＯ２００３０４０２５７、ＷＯ２００５０１９３７３、ＷＯ２００６０５６４１８、ＷＯ２００８０５４５８４、ＷＯ２００８０７８８００、ＷＯ２００８０９６６０９、ＷＯ２００８１０１８４２、ＷＯ２００９０００６７３、ＷＯ２００９０５０２８１、ＷＯ２００９１００９９１、ＷＯ２０１００２８１５１、ＷＯ２０１００５４７３１、ＷＯ２０１００８６０８９、ＷＯ２０１０１１８０２９、ＷＯ２０１１０４４９８８、ＷＯ２０１１０５１４０４、ＷＯ２０１１１０７４９１、ＷＯ２０１２０２０３２７、ＷＯ２０１２１６３４７１、ＷＯ２０１３０９４６２０、ＷＯ２０１３１０７４８７、ＷＯ２０１３１７４４７１、ＷＯ２０１４００７５６５、ＷＯ２０１４００８９８２、ＷＯ２０１４０２３３７７、ＷＯ２０１４０２４１３１、ＷＯ２０１４０３１９７７、ＷＯ２０１４０３８４５６、ＷＯ２０１４１１２４５０

ＨＢＬ：

正孔ブロッキング層（ＨＢＬ）を使用して、発光層から出る正孔及び／又は励起子の数を低減させることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率及び／又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、ＯＬＥＤの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、ＨＢＬ材料は、ＨＢＬインターフェースに最も近接した発光体よりも低いＨＯＭＯ（真空準位から更に離れて）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、ＨＢＬ材料は、ＨＢＬインターフェースに最も近接したホストの１つ以上よりも低いＨＯＭＯ（真空準位から更に離れて）及び／又は高い三重項エネルギーを有する。

一態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、上述したホストとして使用されるものと同じ分子を含有する。

別の態様において、前記ＨＢＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。

式中、ｋは１から２０までの整数であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり、ｋ’は１から３までの整数である。
ＥＴＬ：

電子輸送層（ＥＴＬ）は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である（ドープされていない）か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ＥＴＬ材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。

一態様において、前記ＥＴＬ中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも１つを含有する。

式中、Ｒ^１０１は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びこれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。Ａｒ^１からＡｒ^３は、上記で言及したＡｒのものと同様の定義を有する。ｋは１から２０までの整数である。Ｘ^１０１からＸ^１０８はＣ（ＣＨを含む）又はＮから選択される。

別の態様において、前記ＥＴＬ中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。

式中、（Ｏ－Ｎ）又は（Ｎ－Ｎ）は、原子Ｏ、Ｎ又はＮ、Ｎに配位された金属を有する二座配位子であり；Ｌ^１０１は他の配位子であり；ｋ’は、１から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値である。

本明細書において開示される材料と組み合わせて、ＯＬＥＤ中に用いられることができるＥＴＬ材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。ＣＮ１０３５０８９４０、ＥＰ０１６０２６４８、ＥＰ０１７３４０３８、ＥＰ０１９５６００７、ＪＰ２００４－０２２３３４、ＪＰ２００５１４９９１８、ＪＰ２００５－２６８１９９、ＫＲ０１１７６９３、ＫＲ２０１３０１０８１８３、ＵＳ２００４００３６０７７、ＵＳ２００７０１０４９７７、ＵＳ２００７０１８１５５、ＵＳ２００９０１０１８７０、ＵＳ２００９０１１５３１６、ＵＳ２００９０１４０６３７、ＵＳ２００９０１７９５５４、ＵＳ２００９２１８９４０、ＵＳ２０１０１０８９９０、ＵＳ２０１１１５６０１７、ＵＳ２０１１２１０３２０、ＵＳ２０１２１９３６１２、ＵＳ２０１２２１４９９３、ＵＳ２０１４０１４９２５、ＵＳ２０１４０１４９２７、ＵＳ２０１４０２８４５８０、ＵＳ６６５６６１２、ＵＳ８４１５０３１、ＷＯ２００３０６０９５６、ＷＯ２００７１１１２６３、ＷＯ２００９１４８２６９、ＷＯ２０１００６７８９４、ＷＯ２０１００７２３００、ＷＯ２０１１０７４７７０、ＷＯ２０１１１０５３７３、ＷＯ２０１３０７９２１７、ＷＯ２０１３１４５６６７、ＷＯ２０１３１８０３７６、ＷＯ２０１４１０４４９９、ＷＯ２０１４１０４５３５

電荷発生層（ＣＧＬ）

タンデム型、又は積層型のＯＬＥＤ中で、ＣＧＬは、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのｎ－ドープ層及びｐ－ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記ＣＧＬ及び電極から供給される。前記ＣＧＬ中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なＣＧＬ材料は、輸送層で用いられるｎ型及びｐ型伝導性ドーパントを含む。

ＯＬＥＤデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的に又は完全に重水素化されていてよい。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスは、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。
実験
合成セクション

ＩｒＬ _Ａ１０８ （Ｌ _Ｂ２５７ ） _２ の合成

ボロン酸エステル（８ｇ、２０．８２ｍｍｏｌ）、２－クロロ－４－メチルピリジン（２．６６ｇ、２０．８２ｍｍｏｌ）、及び炭酸ナトリウム（６．６２ｇ、６２．５ｍｍｏｌ）をジメトキシエタン（ＤＭＥ）／水混合物（１００ｍｌ／２５ｍｌ）中に溶解した。反応混合物を脱気し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（‘‘テトラキス’’又はＰｄ（ＰＰｈ_３）_４）（０．７２２ｇ、０．６２５ｍｍｏｌ）を添加した。窒素下で、混合物を１００℃で一晩加熱した。反応物を室温（約２２℃）に冷却した後、水で希釈し、酢酸エチル（ＥｔＯＡｃ）で抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄し、溶媒を蒸発させた。ジクロロメタン（ＤＣＭ）中２％ＥｔＯＡｃで溶離されるシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製し、白色固体として目的化合物を得た（６．３ｇ、収率８７％）。

前の工程からの多環式化合物（６．３ｇ、１８．０３ｍｍｏｌ）を（（メチル－ｄ３）スルフィニル）メタン－ｄ３（３８．３ｍｌ、５４１ｍｍｏｌ）に溶解した。Ｎ_２下で、混合物を４０℃で加熱し、カリウム２－メチルプロパン－２－オラート（ＫＯｔＢｕ）（１．０１、９．０２ｍｍｏｌ）を添加した。Ｎ_２下で、混合物を６５℃で１８時間加熱した。反応物を室温に冷却した後、Ｄ_２Ｏ（２０ｍＬ）を添加し、その後過剰の水を添加した。混合物をＤＣＭで抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄した。溶媒を蒸発させ、ＤＣＭ中１０％ＥｔＯＡｃで溶離されるシリカゲルカラムで残渣を精製し、重水素化された生成物を得た（５．０ｇ、収率７９％）。

イリジウム錯体トリフルオロメタンスルホン酸（ｔｒｉｆｌｉｃ ｓａｌｔ）（１．６ｇ）及び前の工程からの配位子（１．５ｇ、４．３０ｍｍｏｌ）を２－エトキシエタノール（４０ｍｌ）及びジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（６０．００ｍｌ）に添加した。混合物を２０分間脱気し、窒素下で１８時間１３０℃に加熱した。反応物を室温に冷却した後、溶媒を蒸発させた。残渣をＤＣＭに溶解し、ショートシリカゲルプラグに通して濾過した。溶媒を蒸発させ、ＤＣＭ／ヘプタン７／３混合物（ｖ／ｖ）の混合物で溶離されるシリカゲルカラムクロマトグラフィーに残渣を付し、目的材料ＩｒＬ_Ａ１０８（Ｌ_Ｂ２５７）_２を得た（０．４ｇ、収率２２％）。

ＩｒＬ_Ａ１０４（Ｌ_Ｂ４６１）_２の合成

窒素下で、１－ブロモ－４－クロロ－２，５－ジフルオロベンゼン（１２ｇ、５２．８ｍｍｏｌ）、（２－メトキシフェニル）ボロン酸（８．４２ｇ、５５．４ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１４．５８ｇ、１０６ｍｍｏｌ）をトルエン（１００ｍｌ）／水（２０ｍｌ）混合物に溶解し、無色の懸濁液を得た。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．５４４ｇ、０．５２８ｍｍｏｌ）を反応混合物に一度に添加した。反応混合物を脱気し、窒素下で１６時間加熱還流した。ガスクロマトグラフ質量分析法（ＧＣＭＳ）分析の結果によると、反応は完了していなかった。したがって、触媒として７ｇ超のボロン酸、１ｇのＫ_２ＣＯ_３、及び０．６ｇのＰｄ（ＰＰｈ_３）_４を添加し、得られた混合物を脱気し、窒素下で１４時間還流した。その後、反応混合物を冷却し、有機相を分離し、蒸発させ、ヘプタンで溶離されるシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、黄色の油状物として、４－クロロ－２，５－ジフルオロ－２’－メトキシ－１，１’－ビフェニルを得た（１１．０ｇ、収率８２％）。

窒素下で、５００ｍＬの二つ口丸底フラスコに、ＤＭＥ（１２０ｍＬ）及び水（５ｍＬ）中に、４－クロロ－２，５－ジフルオロ－２’－メトキシ－１，１’－ビフェニル（７．５１ｇ、２９．５ｍｍｏｌ）、（３－クロロ－２－メトキシフェニル）ボロン酸（５．５ｇ、２９．５ｍｍｏｌ）、及びリン酸カリウム三塩基酸水和物（１３．５９ｇ、５９．０ｍｍｏｌ）を溶解し、無色の懸濁液を得た。トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（０．５４０ｇ、０．５９０ｍｍｏｌ）及びジシクロヘキシル（２’，６’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）ホスファン（‘‘ＳＰｈｏｓ’’、０．９６９ｇ、２．３６１ｍｍｏｌ）を反応混合物に一度に添加した。反応混合物を脱気し、１４時間１００℃に加熱した。その後、反応混合物を室温に冷却し、ＥｔＯＡｃで希釈し、水で洗浄した。有機抽出物を蒸発させ、固体残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタン／ＥｔＯＡｃグラジエント混合物で溶離し、白色固体として、３－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－２，２’’－ジメトキシ－１，１’：４’，１’’－テルフェニルを得た（９．００ｇ、２４．９５ｍｍｏｌ、収率８５％）。

５００ｍＬの丸底フラスコに、空気に開放された状態で、３－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－２，２’’－ジメトキシ－１，１’：４’，１’’－テルフェニル（１５ｇ、４１．６ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（１２０ｍｌ）中に溶解し、無色の溶液を得た。反応混合物をアイスバス中で冷却し、ＤＣＭ中、１Ｎトリブロモボラン溶液（８７ｍｌ、８７ｍｍｏｌ）を滴下した。得られた混合物を０℃で３時間撹拌し、その後２０℃に加温させ、１６時間撹拌した。反応混合物を水でクエンチし、水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。合わせた有機抽出物を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸発させた。粗生成物をシリカゲルカラムに添加し、ヘプタン／ＥｔＯＡｃ１／１（ｖ／ｖ）で溶離し、無色の固体として、３－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－［１，１’：４’，１’’－テルフェニル］－２，２’’－ジオールを得た（１１．１ｇ、３３．４ｍｍｏｌ、収率８０％）。

オーブン乾燥させた２５０ｍＬ丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）（１２０ｍｌ）中に、３－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－［１，１’：４’，１’’－テルフェニル］－２，２’’－ジオール（１２．８ｇ、３８．５ｍｍｏｌ）及び炭酸カリウム（１５．９５ｇ、１１５ｍｍｏｌ）を溶解し、暗色の懸濁液を得た。反応混合物を１３０℃に１４時間加熱し、溶媒を真空で留去した。反応混合物を酢酸エチル（３ｘ）で希釈し、撹拌し、得られた析出物を濾過した。この析出物を水、エタノール、ヘプタンで洗浄し、乾燥し、所望の生成物を得た（９．０ｇ、収率８０％）。

ジオキサン（１００ｍＬ）中に、前の工程からの多環式クロライド（３．７ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、４，４，４’，４’，５，５，５’，５’－オクタメチル－２，２’－ビ（１，３，２－ジオキサボロラン）（６．４２ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．１ｇ、３１．６ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１ｍｏｌ％）、及びＳＰｈｏｓ（４ｍｏｌ％）を懸濁した。窒素下で、反応混合物を脱気し、１４時間１００℃に加熱した。反応混合物を室温に冷却し、水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。有機抽出物をショートシリカプラグに通し、濃縮した。目的ボロン酸エステルは、白色析出物を形成し、濾過した（白色固体、３．１ｇ、収率６８％）。

オーブン乾燥させた５００ｍＬ二つ口丸底フラスコに、窒素下で、ＤＭＦ（２００ｍｌ）及び２－エトキシエタノール（６６．７ｍｌ）中に、上記に示されるトリフルオロメタンスルホン（ｔｒｉｆｌｉｃ）イリジウム塩錯体（２．１７０ｇ、５．８７ｍｍｏｌ）及び前の工程からの配位子（２．０ｇ）を溶解し、暗色の懸濁液を得た。１００℃で、反応フラスコをオイルバス中に浸漬し、窒素下で１２日間撹拌した。完了後、反応混合物を室温に冷却し、水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。１０％ＬｉＣｌ水溶液で抽出物を数回洗浄し、蒸発させた。得られた固体残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、トルエン／ＥｔＯＡｃ／ヘプタン３５／５／６０（ｖ／ｖ／ｖ）で溶離し、目的材料ＩｒＬ_Ａ１０４（Ｌ_Ｂ４６１）_２を得た（１．６ｇ、収率４８％）。

ＩｒＬ_Ａ１１０（Ｌ_Ｂ２８４）_２の合成

ＩｒＬ_Ａ１１０（Ｌ_Ｂ２８４）_２をＩｒＬ_Ａ１０４（Ｌ_Ｂ４６１）_２と同じ方法で作製した。

ＩｒＬ_Ａ６７（Ｌ_Ｂ４６１）_２の合成

３－クロロ－３’，６’－ジフルオロ－２，２’’－ジメトキシ－１，１’：２’，１’’－テルフェニル（１０．８ｇ、２９．９ｍｍｏｌ）をＤＣＭ（４００ｍｌ）中に溶解し、その後０℃に冷却した。ＤＣＭ中、１Ｎトリブロモボラン（ＢＢｒ_３）溶液（９０ｍｌ、９０ｍｍｏｌ）を滴下した。反応混合物を２０℃で一晩撹拌し、その後水でクエンチし、ＤＣＭで抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄した。溶媒を除去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ＤＣＭ／ヘプタングラジエント混合物で溶離し、白色固体として、３－クロロ－３’，６’－ジフルオロ－［１，１’：２’，１’’－テルフェニル］－２，２’’－ジオールを得た（４．９ｇ、収率５３％）。

１－メチルピロリジン－２－オン（７５ｍＬ）中、３－クロロ－３’，６’－ジフルオロ－［１，１’：２’，１’’－テルフェニル］－２，２’’－ジオール（５ｇ、１５．０３ｍｍｏｌ）及びＫ_２ＣＯ_３（６．２３ｇ、４５．０８ｍｍｏｌ）の混合物を真空にかけ（ｖａｃｕｕｍｅｄ）、窒素下で保存した。混合物を１５０℃で一晩加熱した。反応物を２０℃に冷却した後、水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄した。溶媒を除去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタン中２０％ＤＣＭで溶離し、白色固体として目的クロライドを得た（３．０ｇ、収率６８％）。

上記クロライド分子（３ｇ、１０．２５ｍｍｏｌ）を４，４，４’，４’，５，５，５’，５’－オクタメチル－２，２’－ビ（１，３，２－ジオキサボロラン）（５．２１ｇ、２０．５０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．１８８ｇ、０．２０５ｍｍｏｌ）、ジシクロヘキシル（２’，６’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）ホスファン（ＳＰｈｏｓ、０．３３７ｇ、０．８２０ｍｍｏｌ）、及び酢酸カリウム（‘‘ＫＯＡｃ’’）（２．０１２ｇ、２０．５０ｍｍｏｌ）と混合し、１，４－ジオキサン（８０ｍｌ）中で懸濁した。混合物を脱気し、１００℃で一晩加熱した。その後、反応混合物を２０℃に冷却し、その後水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄した。溶媒を蒸発させた後、ＤＣＭ中、２％ＥｔＯＡｃで溶離するシリカゲルカラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、白色固体として、目的ボロン酸エステルを得た（３．９４ｇ、収率９９％）。

ＤＭＥ（８０ｍｌ）及び水（２０ｍｌ）の混合物中で、上記からのボロン酸エステル（３．９４ｇ、１０．２５ｍｍｏｌ）、２－クロロ－４－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ２）－５－（メチル－ｄ３）ピリジン（３．１２ｇ、１５．３８ｍｍｏｌ）、及び炭酸ナトリウム（２．７２ｇ、２５．６ｍｍｏｌ）を懸濁した。反応混合物を脱気し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．７２２ｇ、０．６２５ｍｍｏｌ）を一度に添加した。混合物を１００℃で１４時間加熱した。反応物を２０℃に冷却した後、水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。合わせた有機相をブラインで洗浄した。溶媒を蒸発させた後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ＤＣＭ中２％ＥｔＯＡｃで溶離し、白色固体として、目的配位子を得た（１．６ｇ、収率３７％）。

２－エトキシエタノール（３５ｍｌ）及びＤＭＦ（３５ｍｌ）の混合物中で、上記に示されるイリジウム錯体トリフルオロメタンスルホン酸（ｔｒｉｆｌｉｃ ｓａｌｔ）（１．７ｇ）及び前の工程からの目的配位子（１．５ｇ、３．５７ｍｍｏｌ）を懸濁した。混合物を２０分間脱気し、窒素下で１８時間加熱還流した（９０℃）。反応物を２０℃に冷却した後、溶媒を蒸発させた。残渣をＤＣＭに溶解し、ショートシリカゲルプラグに通して濾過した。溶媒を蒸発させ、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、その後ＤＣＭ及びヘプタン（７／３、ｖ／ｖ）の混合物で溶離し、黄色結晶として目的錯体ＩｒＬ_Ａ６７（Ｌ_Ｂ４６１）_２を得た（０．８ｇ、収率３８％）。

ＩｒＬ_Ａ１０９（Ｌ_Ｂ４６３）_２の合成

水（１４０ｍｌ）及びジオキサン（１４０ｍｌ）の混合物中に、１，４－ジブロモ－２，３－ジフルオロベンゼン（１５ｇ、５５．２ｍｍｏｌ）、（２－メトキシフェニル）ボロン酸（８．８０ｇ、５７．９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１１．６９ｇ、１１０ｍｍｏｌ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３．１９ｇ、２．７６ｍｍｏｌ）を溶解した。反応混合物を脱気し、８０℃のオイルバス中で２０時間加熱した。反応混合物を室温に冷却し、ブラインと混合し、ＥｔＯＡｃで抽出した。抽出物を水及びブラインで洗浄し、乾燥し、蒸発させて、固体／液体混合物を得て、シリカゲルプラグに吸着させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタンで溶離し、無色の油状物として、４－ブロモ－２，３－ジフルオロ－２’－メトキシ－１，１’－ビフェニルを得た（１２．５ｇ、収率７５％）。

水（１２５ｍｌ）及びジオキサン（１２５ｍｌ）の混合物中に、４－ブロモ－２，３－ジフルオロ－２’－メトキシ－１，１’－ビフェニル（１２．３８ｇ、４１．４ｍｍｏｌ）、（３－クロロ－２－メトキシフェニル）ボロン酸（８．１０ｇ、４３．５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（８．７７ｇ、８３ｍｍｏｌ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．４３５ｇ、１．２４２ｍｍｏｌ）を溶解した。反応混合物を脱気し、８０℃のオイルバス中で２０時間加熱した。ガスクロマトグラフ質量分析法（ＧＣＭＳ）分析が、８０％の変換を示したので、追加のＰｄ（ＰＰｈ_３）_４（１．４３５ｇ、１．２４２ｍｍｏｌ）及びボロン酸（２．４ｇ、０．３当量）を添加した。得られた混合物を脱気し、９０℃で一晩加熱し、その後室温に冷却させた。得られた混合物にブライン（１００ｍｌ）を添加し、その後ＤＣＭで抽出した。抽出物を水及びブラインで洗浄し、乾燥し、蒸発させた。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタンで溶離し、白色固体として、３－クロロ－２’，３’－ジフルオロ－２，２’’－ジメトキシ－１，１’：４’，１’’－テルフェニルを得た（９．９５ｇ、収率６６％）。

ＤＣＭ（１５０ｍｌ）中、３－クロロ－２’，３’－ジフルオロ－２，２’’－ジメトキシ－１，１’：４’，１’’－テルフェニル（９．９５ｇ、２７．６ｍｍｏｌ）の溶液を氷／塩バス中で冷却し、三臭化ホウ素（ＢＢｒ_３、ＤＣＭ中１Ｎ溶液、１１０ｍｌ、１１０ｍｍｏｌ）を滴下した。ゆっくり室温に加温しながら、反応物を一晩撹拌した。得られた混合物をアイスバス中で冷却し、１２５ｍｌの水を滴下した。得られた混合物を３０分間撹拌し、ＤＣＭで抽出した。抽出物を水で洗浄し、乾燥し、蒸発させ、３－クロロ－２’，３’－ジフルオロ－［１，１’：４’，１’’－テルフェニル］－２，２’’－ジオールを得て（８．３５ｇ、収率９０％）、更に精製することなく用いた。

Ｎ－メチル－２－ピロリジン（ＮＭＰ）（１００ｍｌ）中に、３－クロロ－２’，３’－ジフルオロ－［１，１’：４’，１’’－テルフェニル］－２，２’’－ジオール（８．３５ｇ、２５．１０ｍｍｏｌ）及び炭酸カリウム（７．６３ｇ、５５．２ｍｍｏｌ）を懸濁し、脱気し、窒素下で、１３０℃オイルバス中で１６時間加熱した。反応混合物を室温に冷却させ、真空下で溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタン／ＥｔＯＡｃ９／１（ｖ／ｖ）で溶離し、白色固体として、目的クロライドを得た（６．５ｇ、収率８８％）。

ジオキサン（２５０ｍｌ）中で、前の工程からのクロライド中間物（６．５ｇ、２２．２１ｍｍｏｌ）、４，４，４’，４’，５，５，５’，５’－オクタメチル－２，２’－ビ（１，３，２－ジオキサボロラン）（１１．２８ｇ、４４．４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（４．３６ｇ、４４．４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３（０．３０５ｇ、０．３３３ｍｍｏｌ）、及びジシクロヘキシル（２’，６’－ジメトキシ－［１，１’－ビフェニル］－２－イル）ホスファン（Ｓｐｈｏｓ、０．５４７ｇ、１．３３２ｍｍｏｌ）を懸濁した。反応混合物を脱気し、窒素下で１４時間加熱還流した。得られた混合物を室温に冷却し、水で希釈し、ＥｔＯＡｃで抽出した。抽出物を水で洗浄し、乾燥し、蒸発させ、有機半固体を得た。ヘプタンによる粉砕と濾過によって、９４％の目的生成物及び６％の脱塩素化生成物を含む、５．１ｇのオレンジ色の固体を得た。

ジオキサン（１１０ｍｌ）中で、前の工程からのボロン酸エステル（３．６ｇ、９．３７ｍｍｏｌ）、２－クロロ－４－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ２）－５－（メチル－ｄ３）ピリジン（１．８９９ｇ、９．３７ｍｍｏｌ）、及びテトラキス（トリフェニル）ホスフィン）パラジウム（０）（０．５４１ｇ、０．４６８ｍｍｏｌ）を溶解した。水（２０ｍｌ）中、リン酸カリウム三塩基酸一水和物（６．４６ｇ、２８．１ｍｍｏｌ）を一度に添加した。反応混合物を脱気し、窒素下で２４時間加熱還流した。反応物を室温に冷却させ、７５ｍｌのブラインと混合し、ＥｔＯＡｃで抽出した。抽出物をブラインで洗浄し、乾燥し、蒸発させた。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタン／ＤＣＭ５０／５０～０／１００（ｖ／ｖ）グラジエント混合物で溶離し、白色固体として、目的化合物を得た（３．１７ｇ）。ヘプタン／ＤＣＭからの再結晶化によって、１．９５ｇの白色固体を得た。

２－エトキシエタノール（２５ｍｌ）及びＤＭＦ（２５ｍｌ）混合物中で、前の工程からの多環式化合物（１．９５ｇ、４．５９ｍｍｏｌ）を溶解した。上記に示されるイリジウムトリフルオロメタンスルホン酸（ｔｒｉｆｌｉｃ ｓａｌｔ）錯体（２．３６２ｇ、２．５５ｍｍｏｌ）を一度に添加した。反応混合物を脱気し、窒素下で、オイルバス中で１００℃に９日間加熱した。その後、反応混合物を室温に冷却し、溶媒を蒸発させた。残渣をメタノールで粉砕し、３．４ｇの固体を得て、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタン／トルエン／ＤＣＭ６０／３０／１０混合物（ｖ／ｖ／ｖ）で溶離し、１．１ｇの黄色固体を回収した（ＨＰＬＣによる純度９８．８％）。その後、混合物を第２のシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、ヘプタン／トルエン１／１（ｖ／ｖ）混合物で溶離し、メタノールによる粉砕を行い、黄色固体として、目的錯体ＩｒＬ_Ａ１０９（Ｌ_Ｂ４６３）_２を得た（２．０ｇ）。

ＩｒＬ_Ａ１１１（Ｌ_Ｂ２８４）_２の合成

アルゴン下で、還流冷却器を装備した１Ｌ丸底フラスコに、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）（５９０ｍＬ）及び水（６５ｍｌ）中、１，４－ジブロモ－２，５－ジフルオロベンゼン（５３．７ｇ、１９７ｍｍｏｌ）、（２－メトキシフェニル）ボロン酸（２０ｇ、１３２ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム一水和物（６０．５ｇ、２６３ｍｍｏｌ）の混合物をアルゴンで１０分間バブルし、その後テトラキス（１．５２１ｇ、１．３１６ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物を８２℃で８時間還流した。液体クロマトグラフィー質量分析法（ＬＣＭＳ）によって、反応物をモニターした。反応混合物を室温に冷却し、水（２００ｍｌ）で処理した。水層を分離し、酢酸エチルで数回抽出した（各３００ｍｌ）。有機層をブライン（２００ｍＬ）で洗浄し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥し、濾過し、濃縮し、真空下で乾燥した。粗生成物を２２０ｇの金ＳｉＯ_２カラムでクロマトグラフに付し、０～４０％ＥｔＯＡｃ／ヘキサンで溶離し、透明な油状物として、５－ブロモ－２，４ジフルオロ－２’－メトキシ－１，１’ビフェニル（ｂｙｐｈｅｎｙｌ）を得た（１９．６８ｇ、収率５０％）。

アルゴン雰囲気下で、ＤＭＥ（３０１ｍｌ）及び水（３３．４ｍｌ）中、５－ブロモ－２，４－ジフルオロ－２’－メトキシ－１，１’ビフェニル（２０ｇ、６６．９ｍｍｏｌ）及び（４－クロロ－２－メトキシフェニル）ボロン酸（１８．６９ｇ、１００ｍｍｏｌ）、及びリン酸カリウム一水和物（３０．８ｇ、１３４ｍｍｏｌ）の溶液を還流冷却器を用いて保存した。反応混合物をアルゴンで１０分間バブルし、その後テトラキス（１．５４５、１．３３７ｍｍｏｌ）を添加し、アルゴンによるバブリングを更に５分続けた。反応混合物を８２℃で１２時間加熱還流した。反応物をＬＣＭＳでモニターした。その後、反応混合物を室温に冷却し、水（４５０ｍＬ）を添加した。固体生成物を濾過し、水（５０ｍＬ）で洗浄し、その後真空中で乾燥し、淡黄色固体として、４－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－２，２’－ジメトキシ－１，１’４’１’’テルフェニルを得た（１７．８５ｇ、収率７４％）。

５００ｍＬの丸底（ＲＢ）フラスコに、ジクロロメタン（３６７ｍＬ）中、４－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－２，２’－ジメトキシ－１，１’４’１’’テルフェニル（Ｔ１８－２２４Ｂ）（２６．５、７３．５ｍｍｏｌ）を投入した。その後、三臭化ホウ素（１５．６８ｍＬ、１６２ｍｍｏｌ）を添加した。液体クロマトグラフィーによって、出発材料が完全に消費されたことを示すまで、得られた混合物を室温で約２時間撹拌した。その後、反応混合物を０℃にゆっくり冷却し、メタノール（５ｍｌ）でクエンチし、真空中で濃縮した。水（５０ｍＬ）及びＥｔＯＡｃ（１００ｍＬ）で、残渣をゆっくり処理した。有機層及び水層を分離し、水層をＥｔＯＡｃ（１００ｍｌ）で抽出した。合わせた有機層をブライン（１００ｍｌ）で洗浄し、Ｎａ_２ＳＯ_４で乾燥し、濾過し、濃縮し、真空中で乾燥した。粗生成物をＳｉＯ_２に充填し、３３０ｇの金ＳｉＯ_２カラムでクロマトグラフィーに付し、０～３０％ヘキサン／ＥｔＯＡｃで溶離し、純粋な生成物４－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－１，１’４’１’’テルフェニル－２，２’－ジオールを得た（１７．８５ｇ、８１％）。

２５０ｍＬのＲＢフラスコに、４－クロロ－２’，５’－ジフルオロ－２，２’－ジメトキシ－１，１’４’１’’テルフェニル（Ｔ１８－２２４Ａ）（６．５ｇ、７３．５ｍｍｏｌ）を投入し、アルゴン雰囲気下でＮＭＰ（９８ｍＬ）中に溶解した。その後、炭酸セシウム（１３．３７ｇ、４１ｍｍｏｌ）を添加し、液体クロマトグラフィーによって、出発材料の完全な消費を確認するまで、得られた混合物を約４時間１５０℃で撹拌した。その後、反応混合物を室温に冷却し、水（５０ｍＬ）でクエンチし、オフホワイトの固体生成物を得た（ＬＣＭＳに基づいた純度９０％）。テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）中の再結晶を介して、精製を行い、その後アルゴン雰囲気下で数回ＤＭＥで洗浄し、必要とされる純度を得た。活性炭処理を介して、生成物を更に精製し、白色固体を得た（２．２８７ｇ、４０％）。

工程Ａ 冷却器（コンデンサー；濃縮器；ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）、スターラーバー、及び熱電対を装備した５００ｍＬの４つ口丸底フラスコに、２－クロロ－ビス（ベンゾフロ）［２，３－ｂ：２’，３’－ｅ］ベンゼン（５．８１ｇ、１９．８ｍｍｏｌ、１．０当量）、ビス（ピナコラト）ジボロン（５．２９ｇ、２０．８ｍｍｏｌ、１．０５当量）、酢酸カリウム（４．８７ｇ、４９．６ｍｍｏｌ、２．５当量）、及び１，４－ジオキサン（１３２ｍＬ）を投入した。反応混合物を窒素で１５分間スパージし（ｓｐａｒｇｅｄ）、ＳＰｈｏｓＰｄＧ_３（（２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル）［２－（２’－アミノ－１，１’－ビフェニル）］パラジウム（ＩＩ）メタンスルホナート）（０．３８７ｇ、０．４９６ｍｍｏｌ、０．０２５当量）を添加した。スパージを続け、その後反応混合物を１００℃で一晩加熱した。冷却した反応混合物をシリカゲルのパッド（４０ｇ）に通し、酢酸エチル（２００ｍＬ）で濯ぎ、減圧下で濾液を濃縮した。粗残渣を中性アルミナ（１５０ｇ）でクロマトグラフィーに付し、ヘプタン中０～２０％酢酸エチルのグラジエント（極性の１０％の増加毎において、２００ｍＬの溶媒混合物）で溶離し、白色固体として、２－ＢＰｉｎ－ビス（ベンゾフロ）［２，３－ｂ：２’，３’－ｅ］ベンゼン（６．３ｇ、収率８３％）を得た。

工程Ｂ 上記で示される合成スキームの第２の工程において、冷却器、スターラーバー、及び熱電対を装備した１００ｍＬの４つ口丸底フラスコに、２－ＢＰｉｎ－ビス（ベンゾフロ）［２，３－ｂ：２’，３’－ｅ］ベンゼン（３．６ｇ、９．４ｍｍｏｌ、１．０当量）、２－クロロ－４－（２，２－ジメチル－プロピル－１，１－ｄ_２）－５－（メチル－ｄ_３）ピリジン（１．９９ｇ、９．８ｍｍｏｌ、１．０５当量）、炭酸カリウム（２．５９ｇ、１８．７ｍｍｏｌ、２．０当量）、及び１，４－ジオキサン（４６．８ｍＬ）及び脱イオン限外ろ過水（１５．６ｍＬ）の混合物を投入した。反応混合物を窒素で１５分間スパージし、その後パラジウム（ＩＩ）アセタート（０．０６３ｇ、０．２８１ｍｍｏｌ、０．０３当量）及び２－ジシクロヘキシル－ホスフィノ－２’，６’－ジメトキシ－ビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．２３１ｇ、０．５６２ｍｍｏｌ、０．０６当量）を添加した。反応混合物を還流下で一晩加熱しながら、スパージを続けた。反応混合物を室温に冷却し、その後濾過し、固体をジクロロメタン（５０ｍＬ）で洗浄した。［注：低い溶解度のために、少量の生成物がフィルター上に残った。］濾液を水（５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、減圧下で濃縮した。白色固体を温酢酸エチル（２０ｍＬ）で粉砕し、濾過し、白色固体として、２－（４－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－５－（メチル－ｄ_３）ピリジン）－ビス（ベンゾフロ）［２，３－ｂ：２’，３’－ｅ］ベンゼンを得た（２．２ｇ、収率５５％）。

工程Ｃ １Ｌの４つ口フラスコに、２－エトキシエタノール（２４０ｍＬ）及びＤＩＵＦ水（８０ｍＬ）を投入し、混合物を窒素で１５分間スパージした。塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物（２１．９ｇ、６９．２ｍｍｏｌ、１．０当量）及び５－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－２－（４－（メチル－ｄ_３）フェニル）ピリジン（３７．２ｇ、１５２ｍｍｏｌ、２．２当量）を添加し、反応混合物を６３時間還流下で加熱した。冷却した反応混合物を濾過し、固体をメタノールで洗浄し、風乾し、濃い黄色の固体として、約２．７％の配位子を含む、ジ－μ－クロロ－テトラキス［κ２（Ｃ２，Ｎ）－５－（２，２－ジメチル－プロピル－１，１－ｄ_２）－２－（４－メチル－ｄ_３）フェニル）ピリジン］ジイリジウム（ＩＩＩ）を得た（３４．２ｇ、収率６９％）。

工程Ｄ ４Ｌの４つ口フラスコに、ジクロロメタン（８３０ｍＬ）中、ジ－μ－クロロ－テトラキス［κ２（Ｃ２，Ｎ）－５－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－２－（４－メチル－ｄ_３）フェニル）ピリジン］ジイリジウム（ＩＩＩ）（３４．２ｇ、約２３．９ｍｍｏｌ、１．０当量）を投入した。光を遮断するために、アルミニウム箔でフラスコを包み、メタノール（１５０ｍＬ）中、銀トリフルオロメタンスルホナート（１４．６ｇ、５６．７ｍｍｏｌ、２．３７当量）の溶液を添加した。反応混合物を室温で２４時間撹拌し、その後セライト（３０ｇ）で覆ったシリカゲルのパッド（１００ｇ）に通して濾過し、ジクロロメタンで徹底的に濯いだ。濾液を減圧下で濃縮し、残渣を真空オーブン中で乾燥し、黄色の固体として、［Ｉｒ（５－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－２－（４－メチル－ｄ_３－フェニル）ピリジン（－１Ｈ））_２－（ＭｅＯＨ）_２］（トリフルオロメタンスルホナート）を得た（３５．２ｇ、収率８３％、ＵＰＬＣ純度９６．９％）。

工程Ｅ 冷却器及びスターラーバーを装備した１００ｍＬの１つ口丸底フラスコに、［Ｉｒ（５－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－２－（４－メチル－ｄ_３－フェニル）ピリジン（－１Ｈ））_２－（ＭｅＯＨ）_２］（トリフルオロメタンスルホナート）（１．３ｇ、１．４６ｍｍｏｌ、１．０当量）、２－（４－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－５－（メチル－ｄ_３）ピリジン）－ビス（ベンゾフロ）［２，３－ｂ：２’，３’－ｅ］－ベンゼン（１．３ｇ、３．０６ｍｍｏｌ、２．１当量）、及びエタノール（３２．４ｍＬ）を投入した。フラスコをアルミニウム箔で包み、反応混合物を８５℃で合計１４時間加熱した［注：反応混合物を一晩加熱しなかった］。反応混合物を室温に冷却し、濾過した。粗固体をメタノール（５０ｍＬ）で洗浄し、減圧下で濾液を濃縮した。ジクロロメタン中に、残渣を溶解し、ショートシリカゲルパッド（３０ｇ）に通し、ジクロロメタン（１００ｍＬ）で濯ぎ、溶離した溶液を減圧下で濃縮した。Ｉｎｔｅｒｃｈｉｍ自動化システムで残渣をクロマトグラフィーに付し（８０ｇのＳｏｒｂｔｅｃｈカラム、４５分間運転）、ヘプタン中、４０％ジクロロメタンで溶離した［注：各画分について、ＳＡ５０ＬｏｎｇＬＣ法で純度を分析した］。生成物画分を減圧下で濃縮し、黄色固体として、約２％の間違った（ｗｒｏｎｇ；目的外）ヘテロレプティック錯体を含む、ビス［５－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－２－（４－（メチル－ｄ_３）－［１’－フェニル］－２’－イル）ピリジン－１－イル］［２－（４－（２，２－ジメチルプロピル－１，１－ｄ_２）－５－（メチル－ｄ_３）ピリジン－２－イル）－（ビスベンゾフロ）［２，３－ｂ：２’，３’－ｅ］ベンゼン－３－イル］イリジウム（ＩＩＩ）を得た（０．５ｇ、収率２８％、ＵＨＰＬＣ純度９７．５％）。

デバイス実施例

下記の化合物をデバイス実施例で用いた。

実施例デバイスはいずれも高真空下（＜１０^－７Ｔｏｒｒ）における熱蒸着で作製した。アノード電極は、８００Åの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であった。カソードは、１，０００ÅのＡｌからなった。デバイスはいずれも、作製後直ちに、窒素グローブボックス（Ｈ_２Ｏ及びＯ_２は、＜１ｐｐｍ）中で、エポキシ樹脂で封止したガラス製の蓋で封入し、水分ゲッターをパッケージに入れた。デバイス実施例の有機積層体は、ＩＴＯ表面から順に、正孔注入層（ＨＩＬ）として、１００ÅのＨＡＴＣＮ；正孔輸送層（ＨＴＬ）として、４００ÅのＨＴＬ－１；電子ブロッキング層として、５０ÅのＥＢＬ－１；ホスト－１及びホスト－２の６０／４０混合物を含むホスト中において、１２％のドーパントを含む４００Åの発光層（ＥＭＬ）；ＥＴＬとして、３５％のＥＴＭ－１でドープした３５０ÅのＬｉｑ；及び電子注入層（ＥＩＬ）として、１０ÅのＬｉｑからなった。

製造時に、デバイスのエレクトロルミネセンス（ＥＬ）および電流密度－電圧－輝度（ＪＶＬ）性能を測定した。デバイス寿命は、８０ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で評価した。デバイスデータを表１にまとめ、本発明のドーパントが狭い線幅と高い効率を有する緑色発光デバイスを与えることを実証する。

本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。

米国特許第５，８４４，３６３号明細書 米国特許第６，３０３，２３８号明細書 米国特許第５，７０７，７４５号明細書 米国特許第７，２７９，７０４号明細書

１００ 有機発光デバイス
１１０ 基板
１１５ アノード
１２０ 正孔注入層
１２５ 正孔輸送層
１３０ 電子ブロッキング層
１３５ 発光層
１４０ 正孔ブロッキング層
１４５ 電子輸送層
１５０ 電子注入層
１５５ 保護層
１６０ カソード
１６２ 第一の導電層
１６４ 第二の導電層
１７０ バリア層
２００ 反転させたＯＬＥＤ、デバイス
２１０ 基板
２１５ カソード
２２０ 発光層
２２５ 正孔輸送層
２３０ アノード

Claims (10)

1. 下記式Ｉで表される第１の配位子Ｌ_Ａを含むことを特徴とする発光層用化合物。
   

   

   ・・・式Ｉ
   （Ｌ^１及びＬ^２の一方はＣであり、Ｌ^１及びＬ^２の他方はＮであり；
   Ｙ^１～Ｙ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
   少なくとも２つの隣接するＹ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、及びＹ^１０は、下記式ＩＩで表される構造に縮合される炭素原子であり；
   

   

   ・・・式ＩＩ
   Ｙ^１１～Ｙ^１４は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
   Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ、ＣＲＲ’、及びＳｉＲＲ’からなる群から選択され；
   Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｄは、モノから置換の最大可能数を表す、又は無置換を表し；
   Ｒ^Ｃは、ジ置換、トリ置換、又はテトラ置換を表し；
   Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
   任意の２つの置換基は、共に結合又は縮合して環を形成してもよく；
   Ｌ_Ａは、Ｌ^１及びＬ^２によって金属Ｍと錯体化され、Ｍは、４０超の原子量を有し；
   Ｍは、任意に他の配位子に配位され；
   前記配位子Ｌ_Ａは、任意に他の配位子と連結され、三座配位子、四座配位子、五座配位子、又は六座配位子を含む。）
2. Ｍが、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＣｕからなる群から選択される請求項１に記載の発光層用化合物。
3. Ｚ^１がＯである請求項１に記載の発光層用化合物。
4. Ｌ^１がＮであり、Ｌ^２がＣである請求項１に記載の発光層用化合物。
5. Ｚ^１及びＺ^２が、互いに対してパラである請求項１に記載の発光層用化合物。
6. 前記第１の配位子Ｌ_Ａが、下記からなる群から選択される請求項１に記載の発光層用化合物。
   

   
7. 前記第１の配位子Ｌ_Ａが、下記からなる群から選択される請求項１に記載の発光層用化合物。
   

   

   

   

   

   

   

   

   
8. 前記発光層用化合物が、Ｍ（Ｌ_Ａ）_ｘ（Ｌ_Ｂ）_ｙ（Ｌ_Ｃ）_ｚの式で表され、
   Ｌ_Ｂ及びＬ_Ｃが、それぞれ独立して、下記からなる群から選択される請求項１に記載の発光層用化合物。
   

   

   

   （式中、Ｘ^１～Ｘ^１３は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され；
   Ｘは、ＢＲ’、ＮＲ’、ＰＲ’、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ’Ｒ’’、ＳｉＲ’Ｒ’’、及びＧｅＲ’Ｒ’’からなる群から選択され；
   Ｒ’及びＲ’’は、任意に縮合又は結合して環を形成し；
   Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄは、それぞれ、モノ置換から置換の最大可能数を表す、又は無置換を表し；
   Ｒ’、Ｒ’’、Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
   Ｒ_ａ、Ｒ_ｂ、Ｒ_ｃ、及びＲ_ｄの２つの隣接する置換基は、任意に縮合又は結合して、環を形成する、又は多座配位子を形成する。）
9. 前記発光層用化合物が、式Ｉｒ（Ｌ_Ａｉ）_３で表される化合物Ａｘ、又は式Ｉｒ（Ｌ_Ａｉ）（Ｌ_Ｂｋ）_２で表される化合物Ｂｙであり、
   ｘ＝ｉであり、ｙ＝４６８ｉ＋ｋ－４６８であり；
   ｉは、１～１１１の整数であり、ｋは、１～４６８の整数であり；
   Ｌ_Ｂｋは、下記の構造で表される請求項７に記載の発光層用化合物。
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
10. 下記式Ｉで表される第１の配位子Ｌ_Ａを含む発光層用化合物を含むことを特徴とする発光層。
    

    

    ・・・式Ｉ
    （Ｌ^１及びＬ^２の一方はＣであり、Ｌ^１及びＬ^２の他方はＮであり；
    Ｙ^１～Ｙ^１０は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
    少なくとも２つの隣接するＹ^７、Ｙ^８、Ｙ^９、及びＹ^１０は、下記式ＩＩで表される構造に縮合される炭素原子であり；
    

    

    ・・・式ＩＩ
    Ｙ^１１～Ｙ^１４は、それぞれ独立して、Ｃ及びＮからなる群から選択され；
    Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ、ＣＲＲ’、及びＳｉＲＲ’からなる群から選択され；
    Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、及びＲ^Ｄは、モノから置換の最大可能数を表す、又は無置換を表し；
    Ｒ^Ｃは、ジ置換、トリ置換、又はテトラ置換を表し；
    Ｒ、Ｒ’、Ｒ^Ａ、Ｒ^Ｂ、Ｒ^Ｃ、及びＲ^Ｄは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり；
    任意の２つの置換基は、共に結合又は縮合して環を形成してもよく；
    Ｌ_Ａは、Ｌ^１及びＬ^２によって金属Ｍと錯体化され、Ｍは、４０超の原子量を有し；
    Ｍは、任意に他の配位子に配位され；
    前記配位子Ｌ_Ａは、任意に他の配位子と連結され、三座配位子、四座配位子、五座配位子、又は六座配位子を含む。）
    
    

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