TWI306668B - Display panel and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

30^^^^:TW2952PA , " 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別 是有關於一種可縮短去光阻製程之時間，並避免光阻^留 的顯示面板之製造方法。 【先前技術】

請參照第1圖，係繪示一種顯示面板之示意圖。顯示 面板係具有一顯示區域（display area)丨1、一週邊區^ (periphery area)12 和一空白區域（Mank 虹⑸）。其;一， 週邊區域12係與顯示區域丨丨電性連接，以控制顯示區域 η的顯示晝面，而多個薄膜電晶體、儲存電容及驅動：： 則分別形成於顯示_ u和㈣區域12。f ，區域12係與顯示區域丨丨之間的虛線部分則表 於

j内的金屬線，以電性連接週邊區域12和顯示區域:二 i圖中之虛線圓圈部份是局部的代表該顯示區域 未_交錯所構成，而至少=a，資料線， 在雷六“ r 而至夕一溥膜電晶體（未標註）、儲 子電谷（如· Cst，Clc等）形成於晝素中。而空 顯示區域11和週邊區域12除外之所有部分，包::⑽曰 ⑽和13。;其令又以空白區域⑶所估的面積^ 在顯不面板（例如薄膜電a ^^ 一 , 、電日日體液日日顯不面板，TFTLCD) 町表作技術發展中，已有相關 目之製程，達到節省出了減少使用光罩數 w時間和成本之目的，然而，卻在 6

：TW2952PA 製程中容易產生空白區域的光阻和導電層殘留的問題。特 別是空白區域中面積最大的13c。 請參照第2A〜2H圖，其繪示一種利用傳統減少光罩 之製程製作顯示面板之示意圖。請同時參照第1圖。首先， 提供一基板20，並在基板20上對應於顯示區域11處，沈 積一第一金屬層和姓刻（利用第一道光罩）後’而形成閘極 211和儲存電容處（Cst)之下電極241，如第2A圖所示。 接著，在閘極211上方形成一閘極絕緣層212材料例 如是氮化矽層（SiNx)，且閘極絕緣層212係覆蓋儲存電容 處（Cst)之下電極241及位於空白區域13b/13c的基板20 上。之後，在閘極絕緣層212上方依序形成通道層213、 歐姆接觸層214和一第二金屬層215，I虫刻第二金屬層（利 用第二道光罩）215後形成源極S、汲極D和位於源極S汲 極D之間的通道區域216，如第2B圖所示。 然後，沈積一保護層217以覆蓋TFT元件處的源極S、 汲_極0和通道區域216，且保護層217亦位於儲存電容處 之下電極241之閘極絕緣層212的上方，更位於空白區域 13b/13c處的閘極絕緣層212上方，如第2C圖所示。保護 層217之材料例如是氮化矽層（SiNx)。另外，閘極絕緣層 212和保護層217又稱為絕緣複合層。 接著，利用一具有半透區域之光罩（第三道光罩，未 顯示於圖中）在保護層217上形成光阻層218a、218b、 218c ;其中光阻層218a對應於TFT元件處，光阻層218b 係對應於顯示區域11中除了 TFT元件處之外的部分，光

I306^6& TW2952PA - 阻層218c則對應於空白區域13b/13c處，如第2D圖所示。 並形成一開口 219於顯示區域11的各TFT元件處中以暴 露出TFT元件處之部份汲極/源極，如第2E圖所示。其中， 光阻層218a的高度和光阻層218c的高度相等，而光阻層 218b的高度則小於兩者。 之後，對光阻進行灰化（ashing)程序，去除顯示區域 11中TFT元件處以外的光阻層218b，而TFT元件處上方 的光阻層218a’和空白區域13b/13c的光阻層218c’也 I 同時變薄’如第2F圖所不。 接著，形成一導電層220，覆蓋顯示區域11中TFT 元件處上的光阻層218a’和空白區域中13b/13c的光阻層 218c’ ，且導電層220並覆蓋顯示區域11中TFT元件處 以外的保護層217上方，並形成儲存電容處（Cst)之上電 極，如第2G圖所示。導電層220的材料例如是氧化銦錫 (indium tin oxide 5 ITO) ° 最後，進行剝離（liftoff)步驟，將光阻層去除。如 > 第2H圖所示，顯示區域11的光阻層218a’及其上方的導 電層220和空白區域13b/l3c中的光阻層218c’及其上方 的導電層220在此步驟中一併去除。 在上述減光罩之製程中，理想狀態是將光阻層完全去 除。然而，在有限的製程時間中，要完整地將大面積的光 阻層去除實屬不易，例如空白區域13c，容易有光阻層及 導電層的殘餘物（residue)留下。一般來說，光阻層的長 8

Ι306ϋ| ：TW2952-PA * 度L(見第2G圖的光阻層218c’上方）超過1500μπι，就會 產生殘餘物，影響顯示面板的品質。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種顯示面板及 其製造方法，以在有限的製程時間中完全去除光阻，避免 光阻殘留。 根據本發明的目的，係提出一種顯示面板（display _ panel)，係包括一顯示區域（display area)定義於一基板 上以及一空白區域（blank area)定義於該基板上，並鄰近 於該顯示區域，且空白區域包括一非金屬線區。非金屬線 區包括複數個絕緣島（insulating island)和一第一導電 " 圖案層形成於基板上，且該些絕緣島係被第一導電圖案層 * 間隔開來。 根據本發明的目的，再提出一種顯示面板，係包括一 φ 顯示區域（display area)定義於一基板上以及一空白區域 (blank area)定義於該基板上，並鄰近於該顯示區域，且 空白區域包括一金屬線區。金屬線區包括一絕緣複合層形 成於基板上，和形成於絕緣複合層上之一導電圖案層，且 導電圖案層係將絕緣複合層之表面圍出複數個隔離區。 根據本發明的目的，提出一種顯示面板之製造方法， 其中顯示面板係具有一顯示區域、一週邊區域和一空白區 9

: TW2952.pa =於一基板上，且空白區域包括一非金屬線區。此方法包 一 y刀別形成複數個薄膜電晶體、複數個電容及複數個驅 動元件於顯示區域和週邊區域内，且空白區域内具有一浐 緣複合層； ε 形成一光阻圖案層於顯示區域、週邊區域和空白區域 上/以在空白區域的非金屬線區中形成複數個光阻區段一， 且该些光阻區段係位於絕緣複合層上； 命，成至少一開口於顯示區域的各薄膜電晶體中，以曝 鏠電晶體之汲極’源極，且根據該些光阻區段對絕 金=目進行钱刻，以在空白區域之非金屬線區處形成複 • 絕緣島和位於該些絕緣島上的該些光阻區段； .之示輯之光阻層和空白區域中非金屬線區處 阻區段’並去除顯示區域中該些薄膜電晶 的先阻層’且在該些薄膜 分，及在空白區域之兮此⑺成一第一光阻部 • 形成-導電緣島上形成—第二光阻部分； 以^ s \，、、不區域、週邊區域和空白區域處， 以覆盍顯不區域中該些薄 空白區域中之部分基板==的、第-光阻部分和 晶體中之開口，，以及 阻部分’並填入各薄膜電 同時一起去除顯示區域中 上的導電層，並同時—起去除‘和覆盍其 第二光阻部分及覆蓋其上之導=層^中非金屬線區處的 10

I306^& ：TW2952PA 根據本發明的目的，提出另一種顯示面板之製造方 法，其中顯示面板係具有—顯示區域、—週邊區域和1^ 白區域於-基板上，且空白區域包括一金屬線區。此^ 包括： / 分別形成複數個薄膜電晶體和複數個驅動元件 示區域和週邊區域内’且空白區域内具有一絕緣複合層. 形成-光阻圖案層於顯示區域、週邊區域和空白^域 上)，以在空白區域的-金屬線區中形成複數個光阻區段: 且遠些光阻區段係位於絕緣複合層上； 形成至少-開口於顯示區域之各薄膜電晶體中，以眼 露出薄膜電晶體之汲極/源極； ^ "灰化顯示區域之光阻層和空白區域中金屬線區處之 舻以ΐΐΐ二光阻凸塊’以去除顯示區域中該些薄膜電晶 外的光阻層，並在該些薄膜電晶體上方形成—第一光 ，部分’在空白區域之金輕區處之絕緣 第三光阻部分； ❿风 二成一導電層於顯示區域、週邊區域和空白區域處， ，盍』不區域中該些薄膜電晶體上的第一光阻部分，和 空白區域中金屬線區的部分絕緣複合層和第三光阻 σ刀’導電層並填滿各薄膜電晶體中的開口；和 去除顯示輯中的第—光阻部分和覆蓋其上的導電 曰亚同時去除空白區域中金屬線區處的第三光 位於其上之導電層。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易

: TW2952PA 懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明 如下： 【實施方式】 本發明係提出-種顯示面板之製造方法，以縮短去光 阻製程之時間，並避免光阻層和導電層殘留，㈣是可完 整的去除空白區域的光阻層。請同時參照第】目，空白區 域⑽心㈣指顯示區域⑻叩㈣⑽扣和週邊區域 (Penphery area)12除外之所有部分，包括空白區域 13a、13b及13c。換句話說，空白區域13&，位於週邊區 f 12和顯示區域U之間。空白區域既，位於鄰近於週 邊區域12且非位於週邊區域12和顯示區域u 近於週邊區域12、顯示區域Π與空白區域13a之一側及 :二於顯不區域11。空白區域13c，位於 板 所在位置並不限制於此。另外，依習知 顯示面板具有數個晝素，在第1圖的顯示 極㈣早—晝素的等電位圖（包括訊號線(閘 極線和資料線）、ΤΠ和儲存電容）。 r本發明之實施例中之圖示與第2Α〜2Η圖相同之元件 ::用相同標號。另外，關於薄膜電晶體 知識者所熟知，在此不多加贅述二示： ’、义要之70件’以清楚顯示本發Η狀技術特點。 12 130^1 ：TW2952?A . > 第一實施例 第3A〜3H圖為依照本發明第—實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。本實施例係以空白區域l3b、13c為範 例中，但空白區域13b/13c中之絕緣複合層下方一般不具 金屬線或圖案的區域’所以，亦可稱之為非金屬線區域或 非金屬圖案區域，然而’本實施例之製造方法亦可適用於 其它空白區域，如13a。再者，本實施例係以一晝素為範 例，且每個晝素都具有至少—TFT處及至少一儲存電容， _ '然而’依習知技藝之人士知悉顯示面板是具有數個晝素區 或亦可多個ΤΠ處或多個儲存電容。請同時參照p圖。 :先’提供-基板20 ’並在基板2G上對應於顯示區域11 處，沈積-第-金屬層和餘刻（利用第一道光罩）後，而形 ^極211於m處、閑極線（未緣示）、儲存電容（⑽ 處=下電極241和連接於閘極線尾端之接觸墊（未繪示）， 如第3A圖所不。 接著，在閘極2卜私4、 •絕緣層m係覆蓋儲存電容(c ^絕雷緣層212 ’且閘極 白區域m/13c的基H i t下電極Μ及位於空 Π开二成通道層213、歐姆接觸層214和一第二金屬層 215,在餘刻第二金屬層（利用楚 ㈣山么-、 _用弟二道光罩）215後並形成資 13

：TW2952PA 元件於TFT處，且TFT元件係位於資料線（未 線（未繪示）相交叉處。 (如材料例如是：包括無機絕緣材料 虱化夕（SiNx)、氧化石夕、敗氧化石夕或類似之 有機絕緣材料（如··碳化矽、聚酯類、光阻、 y' 料）或上述材料之組合。 或顏似之材 通道層213及歐姆接觸層214之材料係包括

多晶矽、單晶矽、微晶矽或上述之組合，且歐 之摻雜成份可為N型或P型。 胃層214 然後，沈積一保護層217以覆蓋TFT處之源極$

緣示）與閘極 極D和通道區域216,且保護層217亦位於儲存電六卢％ 之閑極絕緣層之上；且保護層21?更位於= 13b/13c之閘極絕緣層212上方，如第3C圖所示。保護層 217之材料例如是：包括無機絕緣材料（如：氮化石^ (SiNx)、氧化⑦、氮氧化妙或類似之材料）、有機絕緣材 料（如：碳化矽、聚酯類、光阻、或類似之材料）或上述材 料之組合。另外，閘極絕緣層212和保護層217又合稱為 絕緣複合層。 ~ 接著，利用一光罩製程（例如是具有半透區域之光 罩，如：半透光罩、光繞射光罩、灰階光罩、栅狀圖案光 罩或類似之光罩）於顯示區域1卜週邊區域12和空白區域 形成一光阻圖案層。如第3D圖所示，在保護層2Π上形 成光阻層 218a、218b 和光阻區段 218di、218d2”.218dn。 其中，光阻層218a對應於TF7處，光阻層218b係對應於 14

I’3 : TW2952PA '顯示區域11之每一晝素中除了 TFT處之外的部分，而光 阻層218a及218b之間具有一開口 219，用以曝露出位於 該TFT處之部份保護層217。至於光阻區段218ώ、 218d^218dn則對應於空白區域13b/13c處。其中，光阻 層218a的高度和光阻區段218di、21δώ.·.2ιδάη的高度相 等’而光阻層218b的高度則小於兩者。 相較於傳統的製造方式（請參照第2D圖和第3D圖）， 在此步驟中，空白區域13b/13c，位於絕緣複合層（由閘極 • 、、、&緣層212和保護層217所組合）上的光阻層已經被切割 形成多個底部未相連的光阻區段218di、218d2...218dn或稱 之，多個底部分離的光阻區段。換句話說，該些光阻區段 曝路出位於空白區域Ub/ISc的部份保護層217。在第一 實施例々中，每個光阻區段的長度寬度均較佳地實質上 小於或等於1500μιη，而二相鄰的光阻區段其間距L2係較 佳地實質上大於2μπι。 如第3Ε圖所*，移除曝露出來之部份保護層及部份 籲絕緣複合層。姓刻被開口 219所曝露出之部份保護層217 用以形成-開口 219a於顯示區域u之抓處，並曝露出 TFT處之部份汲極/源極，並根據光阻區段us山、 218d2〜218cL對絕緣複合層進行蝕刻，以在空白區域 13b/13c處形成複數個絕緣島伽”奶心侧^其中， 絕緣島372ώ、372(12...372(1η由閘極絕緣層212和保護層 2Π組合而成，且各絕緣島37灿、37沾· ·3胤的底部係 分離地位於基板20上。 15

1，306顧& ：TW2952PA ' 之後，灰化（ashing)顯示區域11之光阻層218a、218b 和空白區域13b/13c之光阻區段218ώ、218d2."218cL，以 去除該顯示區域中該TFT處以外的光阻層218b。如第3F 圖所示，灰化後，在TFT元件上方係形成一第一光阻部分 218a’ ，在空白區域之該些絕緣島372ώ、372dr” 372dn 上則形成一第二光阻部分218ώ’ 、218ώ’…218dn’ ；而 光阻層218b則完全去除。其中，’該灰化可使用電漿處理 (plasma trimming)或離子氣體處理。 P 接著，形成一導電層220於顯示區域11、週邊區域 12和空白區域處，除了覆蓋顯示區域11中TFT元件上的 第一光阻部分218a’ 、填入各該TFT元件中之開口 219a 和位於TFT元件以外的保護層217上方，導電層220更覆 蓋了空白區域13b/13c的第二光阻部分218d/ 、 ' 218d2’ ”.218dn’和空白區域13b/13c的部分基板20上， 如第3G圖所示。 導電層220的材料例如是：包括透明導電材質、反射 φ 導電材質、上述材質之合金、或上述材質之組合。透明導 電材質例如銦錫氧化物（indium tin oxide ’ I TO)、銦鋅 氧化物（indium zinc oxide，IZO)、鑛錫氧化物（cadmium tin oxide，CTO)、銘鋅氧化物（aluminum zinc oxide， AZO);反射導電材質例如鉬（Mo)、鋁（Al)、金（Au)、銀 (Ag)、銅（Cu)、鈦（Nd)、鎢（W)、鎘（Cd)、鈦（Ti)、組（Ta) 或上述之氮化物。 16

:TW2952PA 最後，進行剝離（liftoff)步驟，將光阻去除。如第 3H圖所示，同時去除顯示區域n的第一光阻部分？此， 及其上方的導電層22〇和去除空白區域13b/l3c的第二光 阻部分218d〆、2l8d2，...218(1/及其上方的導電層22〇。 根據第—實施例所述之製作方法，在光阻去除後（第 3H圖），空白區域13b/13c中係包括：複數個絕緣島 (msulatmg lsland) 372dl、372d2...372dn和形成於基板 20上的一第一導電圖案層（即導電層220),且該些絕緣島 372ώ、372.··372(1η係被第一導電圖案層間隔開來。再者， 由於絕緣島是根據光阻區段218dl、218d2...218dn蝕刻絕緣 複合層（包括閘極絕緣層212和保護層2丨7)而來，因此絕 緣島372ώ、372ώ...372(1η的長度/寬度均實質上小於或等 於1500μπι，各二相鄰的絕緣島之間距係實質上大於2卿。 另外，雖然第一導電圖案層是直接形成於基板上，但 此應用處屬於非金屬線區，因此沒有短路之餘。 第二實施例 第4Α〜4Η圖為依照本發明第二實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。本實施例係以空白區域l3a為範例中， 但空白區域13a中之絕緣複合層下方一般具有金屬線或金 屬圖案的區域，所以，亦可稱之為金屬線或金屬圖案區 域。一般而言’金屬線區域所包含之金屬線，如：訊號線、 多餘的線（dummy line)、測試線、修補線、屏蔽線或環 (shielding line or ring)、靜電防護線（static electric 17

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discharge ESD)、...等。然而，本實施例之製造方法亦 可適用於其^白區域，如13b、⑶。再者，本實施例係 以旦素為範例’且每個晝素都具有至少一 TFT處及至少 儲存電4然;而，依習知技藝之人士知悉顯示面板是具 有數個畫素區。請同時參照第1圖。第4A〜4C圖與第3A 3C圖巧步v相同，請參考第一實施例之相關内容，在此 不再贅述。 在完成沈積保護層217的步驟後，如第牝圖所示， 空白區域13a的基板20上係具有由閘極絕緣層212和保 護層217所組成的絕緣複合層。 接著，在利用一光罩製程（例如是具有半透區域之光 罩，、如：半透光罩、光繞射光罩、灰階光罩、桃狀圖案光 罩或類似之光罩）於顯示區域u、週邊區域12和空白區域 處形成-光阻圖案層的步驟中，除了在顯示區域u的保 護層217上形成光阻層218a、218b外，係在空白區域 之絕緣複合層上形成一具有複數個光阻凸塊2丨、 218以…218匕之光阻層218e，且光阻層2188及21肋之間 具有一開口 219，用以曝露出位於該TFT處之部份保護層 2Π，如第4D圖所示。之後，移除曝露出來之部份保護層 及邛伤絕緣衩合層。敍刻被開口 2 1 g所曝露出之部份保護 層217用以形成一開口 219a於顯示區域π之TFT處，並 曝硌出TFT處之部份汲極/源極，如第4E圖所示。 再者，根據第二實施例，光阻層218e的最大高度（底 部至光阻凸塊的頂部）係和光阻層218a的高度相等，而光 18

1306^¾ - TW2952PA 阻層218e的最小高度（不具光阻凸塊的光阻層 光阻層218b的高度相等。 係矛 相較於傳統的製造方式（請參照第2j)圖和第4D圖）， 根據第二實施例的此步驟，空白區域Ua中，光阻層 上的複數個光阻凸塊218ei、218e2...218en可視為^部分 離：而每個光阻&塊的長度L3和寬度均較佳地實質上小於 或等於1500μπι，而二相鄰的光阻凸塊其間距u係較佳地 實質上大於2μπι。 之後，灰化（ashing)顯示區域11之光阻層218&、21肋 和空白區域13a處之光阻層218e和光阻凸塊2l8ei、 M8e2."218en，如第4F圖所示，灰化後，在τπ元件上方 係形成一第一光阻部分218a，，光阻層218b則完全去除， 而在空白區域13a處的絕緣複合層上則形成一第三光阻部 分218e!’、218e2，...218en，。其中，該灰化可使用電漿 處理（plasma trimming)或離子氣體處理。 接著，形成-導電層220於顯示區域u、週邊區域 1_2和空白區域處，導電層22〇除了覆蓋顯示區域u中了打 7G件上的第一光阻部分218a，、填入該ΤΡΊ元件中之開口 219a和位於TFT元件以外的保護層217上方，導電層22〇 更同衧覆蓋了空白區域13a的第三光阻部分2i8ei，、 218e2 ”’218en和部分絕緣複合層（即位於保護層217 上）’如第4 G圖所示。 最後，在同時一起去除顯示區域11中的第一光阻部 分218a’和空白區域13a的第三光阻部分218ei,、 19

1306^^¾ :TW2952PA 2_18β2…218〜及覆蓋其上之導電層220，如第4H圖所 示。 根據第二實施例所述之製作方法，在光阻去除後（第 =圖），空白區域13a中係具有：形成於絕緣複合層上的 第二導電圖案層（即由留在保護層217上的導電層22〇所 構成），且第二導電圖案層係將絕緣複合層之表^圍出複 數個隔離區糊i、472d2...472dn。再者，由於隔離區是剝 除，，光阻部分218〆 、218e2，…218en’後所產生的， 而第三光阻部分的尺寸又由光阻凸塊218ei、218e2 .2i8en 的尺寸所決定，因此各隔離區的長度/寬度均實質上小於 或等於1500μιη，各二相鄰的隔離區之間距係實質上大於 2μιη。另外，雖然此應用處屬於空白區域丨如，但由於第二 ^電圖案層是形成於絕緣複合層上，亦即整個基板2〇在 空白區域13a處仍受絕緣複合層的保護，因此沒有短路之 餘0 根據上述第一、第二實施例，係在空白區域13b/13c 處形成光阻區段218ώ、218d2“.218dn (第3D圖），而在空 白區域13a處形成具有光阻凸塊218ei、218e2...218en的光 阻層218e(第4D圖），使之後進行剝離光阻的步驟時，空 白區域内的所有光阻能順利且迅速地被去除，而不會產生 光阻殘餘物的問題。 再者，必需說明的是，本發明之第二實施例，係以空 I306^^& :TW2952PA · .白區域13a中之絕緣複合層下方具有金屬線或圖案來做為 範例，但在其它空白區域13b或13c亦可因顯示面板之設 α十上及可罪性之需求，則空白區域1 3b或1 中之絕緣複 合層下方亦可具有金屬線或圖案，如：訊號線（signal line)、多餘的線（dummy iine)、測試線（test line)、修 補線（repair line)、屏蔽線或環（shielding line or ring)、靜電防護線（static electric❿咖哪，ESD)、… 等。並且本發明上述實施例之設計亦可同時使用於顯示面 • 板上，例如：空白區域Uc、13b中之絕緣複合層下方具 有金屬線或圖案、空白區域13a、13b、13c中之絕緣複合 層下方具有金屬線或圖案、空白區域13a、13b、13c中之 其中一者之絕緣複合層下方同時具有金屬線或圖案區及 非金屬線或圖案區、空白區域l3a、13c之絕緣複合層下 方具有金屬線或圖案，而空白區域13b之絕緣複合層下方 不具有金屬線或圖案、空白區域13a、13b之絕緣複合層 下方具有金屬線或圖案，而空白區域13c之絕緣複合層下 具有金屬線或圖案或其它設置方式。然而，顯示面板 乂 區域13a、13b、13c之其中一者之絕緣複合層下方 刀別具有金屬線或圖案區或非金屬線或圖案區或其中一 者之絶緣複合層下方同時具有金屬線或圖案區及非金屬 線或圖案區，則係可同時移去上述空白區域上之光阻區 段。 、、’τ、上所述’雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 "並非用⑽定本發明。本發明所屬技觸域巾具有通常 21 ^^^»：TW2952PA . t識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之仅#〜 各種之 1月之保遵乾圍當視後附之申請專 利乾圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係繪不一種顯示面板之示意圖。 第2A〜2H圖繪示一種利用傳統減少光罩之製程製作 .、、、員不面板之示意圖。 苐3A〜3H圖為依照本發明箆—鲁 制1 x ^ ^實施例之顯示面板之 衣造方法示意圖。 第4A〜4H圖為依照本發明第-眚彳 _ 制、Λ 十奴π罘一貫施例之顯不面板之 灰造方法示意圖。

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1306^¾ ：TW2952PA 【主要元件符號說明】 11 :顯示區域 12 :週邊區域 13a、13b、13c :空白區域 20 :基板 211 :閘極 212 :閘極絕緣層 213 :通道層 214 :歐姆接觸層 215 :第二金屬層 216 :通道區域 217 :保護層 218a、218b、218c、218c’ 、218e :光阻層 218a’ ：第一光阻部分 218ώ、218ώ…218dn :光阻區段 218άΓ 、218d2’ …218dn’ ：第二光阻部分 218ei、218e2".218en :光阻凸塊 218e〆、218e2’…218en’ ：第三光阻部分 219、219a :開口 220 :導電層 241 :下電極 372ώ、372ώ…372dn :絕緣島 472ώ、472ώ···472(1η :隔離區 23

Claims (1)

1. TW2952PA • 十、申請專利範圍： 1. 一種顯示面板（display panel)，係包括： 一顯不區域（display area)定義於一基板上；以及 一空白區域（blank area)定義於該基板上，並鄰近於 該顯示區域，該空白區域包括： —非金屬線區，包括複數個絕緣島（insulating fand)和—第—導電圖案層形成於該基板上，該些絕緣 島係被該第一導電圖案層間隔開來。 i如申清專利範圍第1項所述之顯示面板，其中各 緣島的長度和寬度係實質上小於或等於15_ra。 兮-:二申請專利範圍第2項所述之顯示面板，其中各 5亥一相鄰的絕緣島之—間距係實質上大於2⑽。 各該第1項所述之顚示面板，其中 馬係由一絕緣複合層所組成。 絕緣複合Hi專利乾圍第4項所述之顯示面板，其中該 緣層，形成於該基板上；和 ”邊層，形成於該閘極絕緣層上。 顯示面板，其中該 6.如申請專利範圍第}項所述之 24 Ι30ι ：TW2952PA 空白區域更包括： 金屬線區，包括： 一絕緣複合層，形成於該基板上；和 一第二導電圖案層， 圯成於该絕緣複合層上，且 该弟二導電圖案層係 ^ ,..^ , τ么°亥絶緣禝合層之表面形 成禝數個隔離區。

   7·如申請專利範圍第6 5亥隔離區的長度和寬度係實質 項所述之顯示面板，其中各 上小於或等於1500μιη。 8.如申請專利範圍第 該二相鄰的隔離區之間距係 7項所述之顯示面板，其中各 貫質上大於2μιη。 9.如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該 絕緣複合層係包括：

   一閘極絕緣層，形成於該基板上；和 一保護層，形成於該閘極絕緣層上。 人10.如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包 含：一週邊區域（periphery area)定義於該基板上，並鄰 近於該顯示區域及該空白區域，其中該顯示區域係包括複 數個薄膜電晶體（TFT)及複數個電容，該週邊區域係包括 複數個驅動元件。 25 130666¾ ·' TW2952-PA . 二二種顯不面板之製造方法，其中該顯示面板係具 -頁示區域（display area)、一週邊區域（periphery rea)和空白區域（blank area)於一基板上，該方法包 括： 一刀別开y成複數個薄膜電晶體、複數個電容及複數個驅 動疋件於該顯示區域和該週邊區域内，且該空白區域内具 有一絕緣複合層； . 八 口形成一光阻圖案層於該顯示區域、該週邊區域和該空 _自區域上，以在該空白區域的—非金屬線區中形成複數個 光阻區/段，且該些光阻區段係位於該絕緣複合層上； *形成至少一開口於該顯示區域的各該TFT元件中以 :、路出該TFT元件之汲極/源極，且根據該些光阻區段對 緣複合層進行_，以在射自11域之該非金屬線區 处形成複數個絕緣島和位於該些絕緣島上的該些光阻區 段； 灰化該顯示區域之該光阻層和該空白區域中該非金 籲屬線區處之該些光阻區段，縣除賴示區域中該些m 二件以外的該光阻層，且在該些m元件上方形成一第一 光阻部分及在該空白區域之該些絕緣島上形成 阻部分； 、/成&電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區 域處，以覆蓋該顯示區域中該些m元件上的該第一光阻 部分和該空白區域中之部分該基板和該第二光阻部分，並 填入各該TFT元件中該開口；以及 27 130 lifit TW2952PA 二該顯示區域中之該第—光阻部分和覆 屬綠以 電層，亚同時—起去除該空白輯巾該非金 屬線Q處的該第二総部分及覆蓋其上之該導電層。 I7.如申請專利範圍第16項所述之製造方法，复 ，空白區域中該非金屬線區處所形成之該些光阻區段係 離’且其長度和寬錢實質上小於鱗於15〇_。 18’如申明專利範圍第ι7項所述之製造方法，其中 各該二相鄰的光阻區段之一間距係實質上大於2帅。八 19·如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其 «亥二白區域更包括—金屬線區，在形成該光阻圖案層之井 驟後、’該金I㈣處位於該騎複合層上之該光阻^係ς 成有複數個光阻凸塊。 肌如申請專利範圍第19項所述之製造方法，其中 灰化該顯示區域之該絲料，亦同時灰化該光阻層和該 =二凸：，以在該空白區域之該金屬線區處之該：緣： 合層上形成一第三光阻部分。 21.如申請專利範圍第20項所述之製造方法，盆中 在形成該導電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區域 處的步驟中’該導電層亦同時覆蓋該空白區域中該金屬線 28 :TW2952PA :TW2952PA

   -area)和一空白區域（blank area)於一基板上，該方法包 括： 分別形成複數個TFT元件和複數個驅動元件於該顯 示區域和該週邊區域内，且該空白區域内具有一絕緣複合 層； ϋ 形成一光阻圖案層於該顯示區域、該週邊區域和該空 白區域上，以在該空白區域的一金屬線區中形成複數個光 阻區段，且該些光阻區段係位於該絕緣複合層上； 形成至少一開口於該顯示區域之各該TFT元件中，以 暴露出該TFT元件之汲極/源極； 灰化該顯示區域之該光阻層和該空白區域中該金屬 線區處之該光阻層和該些光阻凸塊，以去除該顯示區域中 該些TFT元件以外的該光阻層，並在該些TFT元件上方形 成第-光阻部分，在該空白區域之該金屬 緣複合層上形成—第三光阻部分； 、开乂成導電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區 ，處’以覆蓋該顯示區域中該些m元件上的該第一光阻 覆蓋該空白區域中該金屬線區的部分該絕緣複合 ς δ亥弟二光阻部分’該導電層並填滿各該τρτ元件 孩開口；和 料2軸㈣域巾的該第—綠部分和覆蓋其上的 2電層’並同時絲触白區域找金職區處的 —光阻部分及位於其上之該導電層。 30 13〇

   :TW2952f>A 27·如申請專利範園第26項所述之製造方法， 形成竣^光阻部分後，在該空白區域的該金屬線區H =電圖案層於該絕緣複合層上，且該導電圖案= 、〜、巴緣稷合層之表面圍出複數個隔離區， 長度和寬度係㈣以、於衫於。各外離區的 28.如申請專利範圍第27項所述之製造方法， -相鄰的隔離區之間距係實質上大於2μιπ。八 在申料㈣圍第26項所述之製造方法，立中 ^白區域内所形成之該絕緣複合層係包括： 1極絕緣層，形成於該基板上；和 保濩層，形成於該閘極絕緣層上。 31