TWI306668B - Display panel and method of manufacturing the same - Google Patents
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Description
30^^^^:TW2952PA , " 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法,且特別 是有關於一種可縮短去光阻製程之時間,並避免光阻^留 的顯示面板之製造方法。 【先前技術】
請參照第1圖,係繪示一種顯示面板之示意圖。顯示 面板係具有一顯示區域(display area)丨1、一週邊區^ (periphery area)12 和一空白區域(Mank 虹⑸)。其;一, 週邊區域12係與顯示區域丨丨電性連接,以控制顯示區域 η的顯示晝面,而多個薄膜電晶體、儲存電容及驅動:: 則分別形成於顯示_ u和㈣區域12。f ,區域12係與顯示區域丨丨之間的虛線部分則表 於
j内的金屬線,以電性連接週邊區域12和顯示區域:二 i圖中之虛線圓圈部份是局部的代表該顯示區域 未_交錯所構成,而至少=a,資料線, 在雷六“ r 而至夕一溥膜電晶體(未標註)、儲 子電谷(如· Cst,Clc等)形成於晝素中。而空 顯示區域11和週邊區域12除外之所有部分,包::⑽曰 ⑽和13。;其令又以空白區域⑶所估的面積^ 在顯不面板(例如薄膜電a ^^ 一 , 、電日日體液日日顯不面板,TFTLCD) 町表作技術發展中,已有相關 目之製程,達到節省出了減少使用光罩數 w時間和成本之目的,然而,卻在 6
:TW2952PA 製程中容易產生空白區域的光阻和導電層殘留的問題。特 別是空白區域中面積最大的13c。 請參照第2A〜2H圖,其繪示一種利用傳統減少光罩 之製程製作顯示面板之示意圖。請同時參照第1圖。首先, 提供一基板20,並在基板20上對應於顯示區域11處,沈 積一第一金屬層和姓刻(利用第一道光罩)後’而形成閘極 211和儲存電容處(Cst)之下電極241,如第2A圖所示。 接著,在閘極211上方形成一閘極絕緣層212材料例 如是氮化矽層(SiNx),且閘極絕緣層212係覆蓋儲存電容 處(Cst)之下電極241及位於空白區域13b/13c的基板20 上。之後,在閘極絕緣層212上方依序形成通道層213、 歐姆接觸層214和一第二金屬層215,I虫刻第二金屬層(利 用第二道光罩)215後形成源極S、汲極D和位於源極S汲 極D之間的通道區域216,如第2B圖所示。 然後,沈積一保護層217以覆蓋TFT元件處的源極S、 汲_極0和通道區域216,且保護層217亦位於儲存電容處 之下電極241之閘極絕緣層212的上方,更位於空白區域 13b/13c處的閘極絕緣層212上方,如第2C圖所示。保護 層217之材料例如是氮化矽層(SiNx)。另外,閘極絕緣層 212和保護層217又稱為絕緣複合層。 接著,利用一具有半透區域之光罩(第三道光罩,未 顯示於圖中)在保護層217上形成光阻層218a、218b、 218c ;其中光阻層218a對應於TFT元件處,光阻層218b 係對應於顯示區域11中除了 TFT元件處之外的部分,光
I306^6& TW2952PA - 阻層218c則對應於空白區域13b/13c處,如第2D圖所示。 並形成一開口 219於顯示區域11的各TFT元件處中以暴 露出TFT元件處之部份汲極/源極,如第2E圖所示。其中, 光阻層218a的高度和光阻層218c的高度相等,而光阻層 218b的高度則小於兩者。 之後,對光阻進行灰化(ashing)程序,去除顯示區域 11中TFT元件處以外的光阻層218b,而TFT元件處上方 的光阻層218a’和空白區域13b/13c的光阻層218c’也 I 同時變薄’如第2F圖所不。 接著,形成一導電層220,覆蓋顯示區域11中TFT 元件處上的光阻層218a’和空白區域中13b/13c的光阻層 218c’ ,且導電層220並覆蓋顯示區域11中TFT元件處 以外的保護層217上方,並形成儲存電容處(Cst)之上電 極,如第2G圖所示。導電層220的材料例如是氧化銦錫 (indium tin oxide 5 ITO) ° 最後,進行剝離(liftoff)步驟,將光阻層去除。如 > 第2H圖所示,顯示區域11的光阻層218a’及其上方的導 電層220和空白區域13b/l3c中的光阻層218c’及其上方 的導電層220在此步驟中一併去除。 在上述減光罩之製程中,理想狀態是將光阻層完全去 除。然而,在有限的製程時間中,要完整地將大面積的光 阻層去除實屬不易,例如空白區域13c,容易有光阻層及 導電層的殘餘物(residue)留下。一般來說,光阻層的長 8
Ι306ϋ| :TW2952-PA * 度L(見第2G圖的光阻層218c’上方)超過1500μπι,就會 產生殘餘物,影響顯示面板的品質。 【發明内容】 有鑑於此,本發明的目的就是在提供一種顯示面板及 其製造方法,以在有限的製程時間中完全去除光阻,避免 光阻殘留。 根據本發明的目的,係提出一種顯示面板(display _ panel),係包括一顯示區域(display area)定義於一基板 上以及一空白區域(blank area)定義於該基板上,並鄰近 於該顯示區域,且空白區域包括一非金屬線區。非金屬線 區包括複數個絕緣島(insulating island)和一第一導電 " 圖案層形成於基板上,且該些絕緣島係被第一導電圖案層 * 間隔開來。 根據本發明的目的,再提出一種顯示面板,係包括一 φ 顯示區域(display area)定義於一基板上以及一空白區域 (blank area)定義於該基板上,並鄰近於該顯示區域,且 空白區域包括一金屬線區。金屬線區包括一絕緣複合層形 成於基板上,和形成於絕緣複合層上之一導電圖案層,且 導電圖案層係將絕緣複合層之表面圍出複數個隔離區。 根據本發明的目的,提出一種顯示面板之製造方法, 其中顯示面板係具有一顯示區域、一週邊區域和一空白區 9
: TW2952.pa =於一基板上,且空白區域包括一非金屬線區。此方法包 一 y刀別形成複數個薄膜電晶體、複數個電容及複數個驅 動元件於顯示區域和週邊區域内,且空白區域内具有一浐 緣複合層; ε 形成一光阻圖案層於顯示區域、週邊區域和空白區域 上/以在空白區域的非金屬線區中形成複數個光阻區段一, 且该些光阻區段係位於絕緣複合層上; 命,成至少一開口於顯示區域的各薄膜電晶體中,以曝 鏠電晶體之汲極’源極,且根據該些光阻區段對絕 金=目進行钱刻,以在空白區域之非金屬線區處形成複 • 絕緣島和位於該些絕緣島上的該些光阻區段; .之示輯之光阻層和空白區域中非金屬線區處 阻區段’並去除顯示區域中該些薄膜電晶 的先阻層’且在該些薄膜 分,及在空白區域之兮此⑺成一第一光阻部 • 形成-導電緣島上形成—第二光阻部分; 以^ s \,、、不區域、週邊區域和空白區域處, 以覆盍顯不區域中該些薄 空白區域中之部分基板==的、第-光阻部分和 晶體中之開口,,以及 阻部分’並填入各薄膜電 同時一起去除顯示區域中 上的導電層,並同時—起去除‘和覆盍其 第二光阻部分及覆蓋其上之導=層^中非金屬線區處的 10
I306^& :TW2952PA 根據本發明的目的,提出另一種顯示面板之製造方 法,其中顯示面板係具有—顯示區域、—週邊區域和1^ 白區域於-基板上,且空白區域包括一金屬線區。此^ 包括: / 分別形成複數個薄膜電晶體和複數個驅動元件 示區域和週邊區域内’且空白區域内具有一絕緣複合層. 形成-光阻圖案層於顯示區域、週邊區域和空白^域 上),以在空白區域的-金屬線區中形成複數個光阻區段: 且遠些光阻區段係位於絕緣複合層上; 形成至少-開口於顯示區域之各薄膜電晶體中,以眼 露出薄膜電晶體之汲極/源極; ^ "灰化顯示區域之光阻層和空白區域中金屬線區處之 舻以ΐΐΐ二光阻凸塊’以去除顯示區域中該些薄膜電晶 外的光阻層,並在該些薄膜電晶體上方形成—第一光 ,部分’在空白區域之金輕區處之絕緣 第三光阻部分; ❿风 二成一導電層於顯示區域、週邊區域和空白區域處, ,盍』不區域中該些薄膜電晶體上的第一光阻部分,和 空白區域中金屬線區的部分絕緣複合層和第三光阻 σ刀’導電層並填滿各薄膜電晶體中的開口;和 去除顯示輯中的第—光阻部分和覆蓋其上的導電 曰亚同時去除空白區域中金屬線區處的第三光 位於其上之導電層。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易
: TW2952PA 懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明 如下: 【實施方式】 本發明係提出-種顯示面板之製造方法,以縮短去光 阻製程之時間,並避免光阻層和導電層殘留,㈣是可完 整的去除空白區域的光阻層。請同時參照第】目,空白區 域⑽心㈣指顯示區域⑻叩㈣⑽扣和週邊區域 (Penphery area)12除外之所有部分,包括空白區域 13a、13b及13c。換句話說,空白區域13&,位於週邊區 f 12和顯示區域U之間。空白區域既,位於鄰近於週 邊區域12且非位於週邊區域12和顯示區域u 近於週邊區域12、顯示區域Π與空白區域13a之一側及 :二於顯不區域11。空白區域13c,位於 板 所在位置並不限制於此。另外,依習知 顯示面板具有數個晝素,在第1圖的顯示 極㈣早—晝素的等電位圖(包括訊號線(閘 極線和資料線)、ΤΠ和儲存電容)。 r本發明之實施例中之圖示與第2Α〜2Η圖相同之元件 ::用相同標號。另外,關於薄膜電晶體 知識者所熟知,在此不多加贅述二示: ’、义要之70件’以清楚顯示本發Η狀技術特點。 12 130^1 :TW2952?A . > 第一實施例 第3A〜3H圖為依照本發明第—實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。本實施例係以空白區域l3b、13c為範 例中,但空白區域13b/13c中之絕緣複合層下方一般不具 金屬線或圖案的區域’所以,亦可稱之為非金屬線區域或 非金屬圖案區域,然而’本實施例之製造方法亦可適用於 其它空白區域,如13a。再者,本實施例係以一晝素為範 例,且每個晝素都具有至少—TFT處及至少一儲存電容, _ '然而’依習知技藝之人士知悉顯示面板是具有數個晝素區 或亦可多個ΤΠ處或多個儲存電容。請同時參照p圖。 :先’提供-基板20 ’並在基板2G上對應於顯示區域11 處,沈積-第-金屬層和餘刻(利用第一道光罩)後,而形 ^極211於m處、閑極線(未緣示)、儲存電容(⑽ 處=下電極241和連接於閘極線尾端之接觸墊(未繪示), 如第3A圖所不。 接著,在閘極2卜私4、 •絕緣層m係覆蓋儲存電容(c ^絕雷緣層212 ’且閘極 白區域m/13c的基H i t下電極Μ及位於空 Π开二成通道層213、歐姆接觸層214和一第二金屬層 215,在餘刻第二金屬層(利用楚 ㈣山么-、 _用弟二道光罩)215後並形成資 13
:TW2952PA 元件於TFT處,且TFT元件係位於資料線(未 線(未繪示)相交叉處。 (如材料例如是:包括無機絕緣材料 虱化夕(SiNx)、氧化石夕、敗氧化石夕或類似之 有機絕緣材料(如··碳化矽、聚酯類、光阻、 y' 料)或上述材料之組合。 或顏似之材 通道層213及歐姆接觸層214之材料係包括
多晶矽、單晶矽、微晶矽或上述之組合,且歐 之摻雜成份可為N型或P型。 胃層214 然後,沈積一保護層217以覆蓋TFT處之源極$
緣示)與閘極 極D和通道區域216,且保護層217亦位於儲存電六卢% 之閑極絕緣層之上;且保護層21?更位於= 13b/13c之閘極絕緣層212上方,如第3C圖所示。保護層 217之材料例如是:包括無機絕緣材料(如:氮化石^ (SiNx)、氧化⑦、氮氧化妙或類似之材料)、有機絕緣材 料(如:碳化矽、聚酯類、光阻、或類似之材料)或上述材 料之組合。另外,閘極絕緣層212和保護層217又合稱為 絕緣複合層。 ~ 接著,利用一光罩製程(例如是具有半透區域之光 罩,如:半透光罩、光繞射光罩、灰階光罩、栅狀圖案光 罩或類似之光罩)於顯示區域1卜週邊區域12和空白區域 形成一光阻圖案層。如第3D圖所示,在保護層2Π上形 成光阻層 218a、218b 和光阻區段 218di、218d2”.218dn。 其中,光阻層218a對應於TF7處,光阻層218b係對應於 14
I’3 : TW2952PA '顯示區域11之每一晝素中除了 TFT處之外的部分,而光 阻層218a及218b之間具有一開口 219,用以曝露出位於 該TFT處之部份保護層217。至於光阻區段218ώ、 218d^218dn則對應於空白區域13b/13c處。其中,光阻 層218a的高度和光阻區段218di、21δώ.·.2ιδάη的高度相 等’而光阻層218b的高度則小於兩者。 相較於傳統的製造方式(請參照第2D圖和第3D圖), 在此步驟中,空白區域13b/13c,位於絕緣複合層(由閘極 • 、、、&緣層212和保護層217所組合)上的光阻層已經被切割 形成多個底部未相連的光阻區段218di、218d2...218dn或稱 之,多個底部分離的光阻區段。換句話說,該些光阻區段 曝路出位於空白區域Ub/ISc的部份保護層217。在第一 實施例々中,每個光阻區段的長度寬度均較佳地實質上 小於或等於1500μιη,而二相鄰的光阻區段其間距L2係較 佳地實質上大於2μπι。 如第3Ε圖所*,移除曝露出來之部份保護層及部份 籲絕緣複合層。姓刻被開口 219所曝露出之部份保護層217 用以形成-開口 219a於顯示區域u之抓處,並曝露出 TFT處之部份汲極/源極,並根據光阻區段us山、 218d2〜218cL對絕緣複合層進行蝕刻,以在空白區域 13b/13c處形成複數個絕緣島伽”奶心侧^其中, 絕緣島372ώ、372(12...372(1η由閘極絕緣層212和保護層 2Π組合而成,且各絕緣島37灿、37沾· ·3胤的底部係 分離地位於基板20上。 15
1,306顧& :TW2952PA ' 之後,灰化(ashing)顯示區域11之光阻層218a、218b 和空白區域13b/13c之光阻區段218ώ、218d2."218cL,以 去除該顯示區域中該TFT處以外的光阻層218b。如第3F 圖所示,灰化後,在TFT元件上方係形成一第一光阻部分 218a’ ,在空白區域之該些絕緣島372ώ、372dr” 372dn 上則形成一第二光阻部分218ώ’ 、218ώ’…218dn’ ;而 光阻層218b則完全去除。其中,’該灰化可使用電漿處理 (plasma trimming)或離子氣體處理。 P 接著,形成一導電層220於顯示區域11、週邊區域 12和空白區域處,除了覆蓋顯示區域11中TFT元件上的 第一光阻部分218a’ 、填入各該TFT元件中之開口 219a 和位於TFT元件以外的保護層217上方,導電層220更覆 蓋了空白區域13b/13c的第二光阻部分218d/ 、 ' 218d2’ ”.218dn’和空白區域13b/13c的部分基板20上, 如第3G圖所示。 導電層220的材料例如是:包括透明導電材質、反射 φ 導電材質、上述材質之合金、或上述材質之組合。透明導 電材質例如銦錫氧化物(indium tin oxide ’ I TO)、銦鋅 氧化物(indium zinc oxide,IZO)、鑛錫氧化物(cadmium tin oxide,CTO)、銘鋅氧化物(aluminum zinc oxide, AZO);反射導電材質例如鉬(Mo)、鋁(Al)、金(Au)、銀 (Ag)、銅(Cu)、鈦(Nd)、鎢(W)、鎘(Cd)、鈦(Ti)、組(Ta) 或上述之氮化物。 16
:TW2952PA 最後,進行剝離(liftoff)步驟,將光阻去除。如第 3H圖所示,同時去除顯示區域n的第一光阻部分?此, 及其上方的導電層22〇和去除空白區域13b/l3c的第二光 阻部分218d〆、2l8d2,...218(1/及其上方的導電層22〇。 根據第—實施例所述之製作方法,在光阻去除後(第 3H圖),空白區域13b/13c中係包括:複數個絕緣島 (msulatmg lsland) 372dl、372d2...372dn和形成於基板 20上的一第一導電圖案層(即導電層220),且該些絕緣島 372ώ、372.··372(1η係被第一導電圖案層間隔開來。再者, 由於絕緣島是根據光阻區段218dl、218d2...218dn蝕刻絕緣 複合層(包括閘極絕緣層212和保護層2丨7)而來,因此絕 緣島372ώ、372ώ...372(1η的長度/寬度均實質上小於或等 於1500μπι,各二相鄰的絕緣島之間距係實質上大於2卿。 另外,雖然第一導電圖案層是直接形成於基板上,但 此應用處屬於非金屬線區,因此沒有短路之餘。 第二實施例 第4Α〜4Η圖為依照本發明第二實施例之顯示面板之 製造方法示意圖。本實施例係以空白區域l3a為範例中, 但空白區域13a中之絕緣複合層下方一般具有金屬線或金 屬圖案的區域,所以,亦可稱之為金屬線或金屬圖案區 域。一般而言’金屬線區域所包含之金屬線,如:訊號線、 多餘的線(dummy line)、測試線、修補線、屏蔽線或環 (shielding line or ring)、靜電防護線(static electric 17
130¾ :TW2952t>A
discharge ESD)、...等。然而,本實施例之製造方法亦 可適用於其^白區域,如13b、⑶。再者,本實施例係 以旦素為範例’且每個晝素都具有至少一 TFT處及至少 儲存電4然;而,依習知技藝之人士知悉顯示面板是具 有數個畫素區。請同時參照第1圖。第4A〜4C圖與第3A 3C圖巧步v相同,請參考第一實施例之相關内容,在此 不再贅述。 在完成沈積保護層217的步驟後,如第牝圖所示, 空白區域13a的基板20上係具有由閘極絕緣層212和保 護層217所組成的絕緣複合層。 接著,在利用一光罩製程(例如是具有半透區域之光 罩,、如:半透光罩、光繞射光罩、灰階光罩、桃狀圖案光 罩或類似之光罩)於顯示區域u、週邊區域12和空白區域 處形成-光阻圖案層的步驟中,除了在顯示區域u的保 護層217上形成光阻層218a、218b外,係在空白區域 之絕緣複合層上形成一具有複數個光阻凸塊2丨、 218以…218匕之光阻層218e,且光阻層2188及21肋之間 具有一開口 219,用以曝露出位於該TFT處之部份保護層 2Π,如第4D圖所示。之後,移除曝露出來之部份保護層 及邛伤絕緣衩合層。敍刻被開口 2 1 g所曝露出之部份保護 層217用以形成一開口 219a於顯示區域π之TFT處,並 曝硌出TFT處之部份汲極/源極,如第4E圖所示。 再者,根據第二實施例,光阻層218e的最大高度(底 部至光阻凸塊的頂部)係和光阻層218a的高度相等,而光 18
1306^¾ - TW2952PA 阻層218e的最小高度(不具光阻凸塊的光阻層 光阻層218b的高度相等。 係矛 相較於傳統的製造方式(請參照第2j)圖和第4D圖), 根據第二實施例的此步驟,空白區域Ua中,光阻層 上的複數個光阻凸塊218ei、218e2...218en可視為^部分 離:而每個光阻&塊的長度L3和寬度均較佳地實質上小於 或等於1500μπι,而二相鄰的光阻凸塊其間距u係較佳地 實質上大於2μπι。 之後,灰化(ashing)顯示區域11之光阻層218&、21肋 和空白區域13a處之光阻層218e和光阻凸塊2l8ei、 M8e2."218en,如第4F圖所示,灰化後,在τπ元件上方 係形成一第一光阻部分218a,,光阻層218b則完全去除, 而在空白區域13a處的絕緣複合層上則形成一第三光阻部 分218e!’、218e2,...218en,。其中,該灰化可使用電漿 處理(plasma trimming)或離子氣體處理。 接著,形成-導電層220於顯示區域u、週邊區域 1_2和空白區域處,導電層22〇除了覆蓋顯示區域u中了打 7G件上的第一光阻部分218a,、填入該ΤΡΊ元件中之開口 219a和位於TFT元件以外的保護層217上方,導電層22〇 更同衧覆蓋了空白區域13a的第三光阻部分2i8ei,、 218e2 ”’218en和部分絕緣複合層(即位於保護層217 上)’如第4 G圖所示。 最後,在同時一起去除顯示區域11中的第一光阻部 分218a’和空白區域13a的第三光阻部分218ei,、 19
1306^^¾ :TW2952PA 2_18β2…218〜及覆蓋其上之導電層220,如第4H圖所 示。 根據第二實施例所述之製作方法,在光阻去除後(第 =圖),空白區域13a中係具有:形成於絕緣複合層上的 第二導電圖案層(即由留在保護層217上的導電層22〇所 構成),且第二導電圖案層係將絕緣複合層之表^圍出複 數個隔離區糊i、472d2...472dn。再者,由於隔離區是剝 除,,光阻部分218〆 、218e2,…218en’後所產生的, 而第三光阻部分的尺寸又由光阻凸塊218ei、218e2 .2i8en 的尺寸所決定,因此各隔離區的長度/寬度均實質上小於 或等於1500μιη,各二相鄰的隔離區之間距係實質上大於 2μιη。另外,雖然此應用處屬於空白區域丨如,但由於第二 ^電圖案層是形成於絕緣複合層上,亦即整個基板2〇在 空白區域13a處仍受絕緣複合層的保護,因此沒有短路之 餘0 根據上述第一、第二實施例,係在空白區域13b/13c 處形成光阻區段218ώ、218d2“.218dn (第3D圖),而在空 白區域13a處形成具有光阻凸塊218ei、218e2...218en的光 阻層218e(第4D圖),使之後進行剝離光阻的步驟時,空 白區域内的所有光阻能順利且迅速地被去除,而不會產生 光阻殘餘物的問題。 再者,必需說明的是,本發明之第二實施例,係以空 I306^^& :TW2952PA · .白區域13a中之絕緣複合層下方具有金屬線或圖案來做為 範例,但在其它空白區域13b或13c亦可因顯示面板之設 α十上及可罪性之需求,則空白區域1 3b或1 中之絕緣複 合層下方亦可具有金屬線或圖案,如:訊號線(signal line)、多餘的線(dummy iine)、測試線(test line)、修 補線(repair line)、屏蔽線或環(shielding line or ring)、靜電防護線(static electric❿咖哪,ESD)、… 等。並且本發明上述實施例之設計亦可同時使用於顯示面 • 板上,例如:空白區域Uc、13b中之絕緣複合層下方具 有金屬線或圖案、空白區域13a、13b、13c中之絕緣複合 層下方具有金屬線或圖案、空白區域13a、13b、13c中之 其中一者之絕緣複合層下方同時具有金屬線或圖案區及 非金屬線或圖案區、空白區域l3a、13c之絕緣複合層下 方具有金屬線或圖案,而空白區域13b之絕緣複合層下方 不具有金屬線或圖案、空白區域13a、13b之絕緣複合層 下方具有金屬線或圖案,而空白區域13c之絕緣複合層下 具有金屬線或圖案或其它設置方式。然而,顯示面板 乂 區域13a、13b、13c之其中一者之絕緣複合層下方 刀別具有金屬線或圖案區或非金屬線或圖案區或其中一 者之絶緣複合層下方同時具有金屬線或圖案區及非金屬 線或圖案區,則係可同時移去上述空白區域上之光阻區 段。 、、’τ、上所述’雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然 "並非用⑽定本發明。本發明所屬技觸域巾具有通常 21 ^^^»:TW2952PA . t識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種之 更動與潤飾。因此,本發明之仅#〜 各種之 1月之保遵乾圍當視後附之申請專 利乾圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係繪不一種顯示面板之示意圖。 第2A〜2H圖繪示一種利用傳統減少光罩之製程製作 .、、、員不面板之示意圖。 苐3A〜3H圖為依照本發明箆—鲁 制1 x ^ ^實施例之顯示面板之 衣造方法示意圖。 第4A〜4H圖為依照本發明第-眚彳 _ 制、Λ 十奴π罘一貫施例之顯不面板之 灰造方法示意圖。
22
1306^¾ :TW2952PA 【主要元件符號說明】 11 :顯示區域 12 :週邊區域 13a、13b、13c :空白區域 20 :基板 211 :閘極 212 :閘極絕緣層 213 :通道層 214 :歐姆接觸層 215 :第二金屬層 216 :通道區域 217 :保護層 218a、218b、218c、218c’ 、218e :光阻層 218a’ :第一光阻部分 218ώ、218ώ…218dn :光阻區段 218άΓ 、218d2’ …218dn’ :第二光阻部分 218ei、218e2".218en :光阻凸塊 218e〆、218e2’…218en’ :第三光阻部分 219、219a :開口 220 :導電層 241 :下電極 372ώ、372ώ…372dn :絕緣島 472ώ、472ώ···472(1η :隔離區 23
Claims (1)
- TW2952PA • 十、申請專利範圍: 1. 一種顯示面板(display panel),係包括: 一顯不區域(display area)定義於一基板上;以及 一空白區域(blank area)定義於該基板上,並鄰近於 該顯示區域,該空白區域包括: —非金屬線區,包括複數個絕緣島(insulating fand)和—第—導電圖案層形成於該基板上,該些絕緣 島係被該第一導電圖案層間隔開來。 i如申清專利範圍第1項所述之顯示面板,其中各 緣島的長度和寬度係實質上小於或等於15_ra。 兮-:二申請專利範圍第2項所述之顯示面板,其中各 5亥一相鄰的絕緣島之—間距係實質上大於2⑽。 各該第1項所述之顚示面板,其中 馬係由一絕緣複合層所組成。 絕緣複合Hi專利乾圍第4項所述之顯示面板,其中該 緣層,形成於該基板上;和 ”邊層,形成於該閘極絕緣層上。 顯示面板,其中該 6.如申請專利範圍第}項所述之 24 Ι30ι :TW2952PA 空白區域更包括: 金屬線區,包括: 一絕緣複合層,形成於該基板上;和 一第二導電圖案層, 圯成於该絕緣複合層上,且 该弟二導電圖案層係 ^ ,..^ , τ么°亥絶緣禝合層之表面形 成禝數個隔離區。7·如申請專利範圍第6 5亥隔離區的長度和寬度係實質 項所述之顯示面板,其中各 上小於或等於1500μιη。 8.如申請專利範圍第 該二相鄰的隔離區之間距係 7項所述之顯示面板,其中各 貫質上大於2μιη。 9.如申請專利範圍第6項所述之顯示面板,其中該 絕緣複合層係包括:一閘極絕緣層,形成於該基板上;和 一保護層,形成於該閘極絕緣層上。 人10.如申請專利範圍第1項所述之顯示面板,更包 含:一週邊區域(periphery area)定義於該基板上,並鄰 近於該顯示區域及該空白區域,其中該顯示區域係包括複 數個薄膜電晶體(TFT)及複數個電容,該週邊區域係包括 複數個驅動元件。 25 130666¾ ·' TW2952-PA . 二二種顯不面板之製造方法,其中該顯示面板係具 -頁示區域(display area)、一週邊區域(periphery rea)和空白區域(blank area)於一基板上,該方法包 括: 一刀別开y成複數個薄膜電晶體、複數個電容及複數個驅 動疋件於該顯示區域和該週邊區域内,且該空白區域内具 有一絕緣複合層; . 八 口形成一光阻圖案層於該顯示區域、該週邊區域和該空 _自區域上,以在該空白區域的—非金屬線區中形成複數個 光阻區/段,且該些光阻區段係位於該絕緣複合層上; *形成至少一開口於該顯示區域的各該TFT元件中以 :、路出該TFT元件之汲極/源極,且根據該些光阻區段對 緣複合層進行_,以在射自11域之該非金屬線區 处形成複數個絕緣島和位於該些絕緣島上的該些光阻區 段; 灰化該顯示區域之該光阻層和該空白區域中該非金 籲屬線區處之該些光阻區段,縣除賴示區域中該些m 二件以外的該光阻層,且在該些m元件上方形成一第一 光阻部分及在該空白區域之該些絕緣島上形成 阻部分; 、/成&電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區 域處,以覆蓋該顯示區域中該些m元件上的該第一光阻 部分和該空白區域中之部分該基板和該第二光阻部分,並 填入各該TFT元件中該開口;以及 27 130 lifit TW2952PA 二該顯示區域中之該第—光阻部分和覆 屬綠以 電層,亚同時—起去除該空白輯巾該非金 屬線Q處的該第二総部分及覆蓋其上之該導電層。 I7.如申請專利範圍第16項所述之製造方法,复 ,空白區域中該非金屬線區處所形成之該些光阻區段係 離’且其長度和寬錢實質上小於鱗於15〇_。 18’如申明專利範圍第ι7項所述之製造方法,其中 各該二相鄰的光阻區段之一間距係實質上大於2帅。八 19·如申請專利範圍第16項所述之製造方法,其 «亥二白區域更包括—金屬線區,在形成該光阻圖案層之井 驟後、’該金I㈣處位於該騎複合層上之該光阻^係ς 成有複數個光阻凸塊。 肌如申請專利範圍第19項所述之製造方法,其中 灰化該顯示區域之該絲料,亦同時灰化該光阻層和該 =二凸:,以在該空白區域之該金屬線區處之該:緣: 合層上形成一第三光阻部分。 21.如申請專利範圍第20項所述之製造方法,盆中 在形成該導電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區域 處的步驟中’該導電層亦同時覆蓋該空白區域中該金屬線 28 :TW2952PA :TW2952PA-area)和一空白區域(blank area)於一基板上,該方法包 括: 分別形成複數個TFT元件和複數個驅動元件於該顯 示區域和該週邊區域内,且該空白區域内具有一絕緣複合 層; ϋ 形成一光阻圖案層於該顯示區域、該週邊區域和該空 白區域上,以在該空白區域的一金屬線區中形成複數個光 阻區段,且該些光阻區段係位於該絕緣複合層上; 形成至少一開口於該顯示區域之各該TFT元件中,以 暴露出該TFT元件之汲極/源極; 灰化該顯示區域之該光阻層和該空白區域中該金屬 線區處之該光阻層和該些光阻凸塊,以去除該顯示區域中 該些TFT元件以外的該光阻層,並在該些TFT元件上方形 成第-光阻部分,在該空白區域之該金屬 緣複合層上形成—第三光阻部分; 、开乂成導電層於該顯示區域、該週邊區域和該空白區 ,處’以覆蓋該顯示區域中該些m元件上的該第一光阻 覆蓋該空白區域中該金屬線區的部分該絕緣複合 ς δ亥弟二光阻部分’該導電層並填滿各該τρτ元件 孩開口;和 料2軸㈣域巾的該第—綠部分和覆蓋其上的 2電層’並同時絲触白區域找金職區處的 —光阻部分及位於其上之該導電層。 30 13〇:TW2952f>A 27·如申請專利範園第26項所述之製造方法, 形成竣^光阻部分後,在該空白區域的該金屬線區H =電圖案層於該絕緣複合層上,且該導電圖案= 、〜、巴緣稷合層之表面圍出複數個隔離區, 長度和寬度係㈣以、於衫於。各外離區的 28.如申請專利範圍第27項所述之製造方法, -相鄰的隔離區之間距係實質上大於2μιπ。八 在申料㈣圍第26項所述之製造方法,立中 ^白區域内所形成之該絕緣複合層係包括: 1極絕緣層,形成於該基板上;和 保濩層,形成於該閘極絕緣層上。 31
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