WO2010044342A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 Download PDF

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秀雄 ▲高▼
善幸 硯里
利恵 片倉
秀謙 尾関
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コニカミノルタホールディングス株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence element, a method for producing an organic electroluminescence element, a white organic electroluminescence element, a display device, and an illumination device.
  • ELD electroluminescence display
  • inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements).
  • organic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.
  • an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and injects electrons and holes into the light emitting layer to recombine excitons. It is an element that emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when this exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it has a wide viewing angle, high visibility, and since it is a thin-film type completely solid element, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.
  • the organic EL device using phosphorescence emission is greatly different from the organic EL device using fluorescence emission, and the method for controlling the position of the emission center, particularly the emission layer, is particularly different.
  • An important technical issue in capturing the efficiency and lifetime of the device is how to recombine inside to stably emit light.
  • a multilayer stacked device having a hole transport layer (located on the anode side of the light emitting layer) and an electron transport layer (located on the cathode side of the light emitting layer) adjacent to the light emitting layer is better.
  • a hole transport layer located on the anode side of the light emitting layer
  • an electron transport layer located on the cathode side of the light emitting layer
  • Examples of electrode film formation by a wet process include using PEDOT / PSS in place of the ITO anode, applying low-melting metal paste (see, for example, Patent Document 1), and conductive paste material.
  • a cathode forming method by coating film formation (for example, see Patent Document 2) has been reported.
  • An object of the present invention is to provide an organic electroluminescence element having a high external extraction quantum efficiency, a long emission lifetime, and a low driving voltage, a white organic electroluminescence element including the element, a display device, and an illumination device. That is.
  • a phosphorescent organic EL device having an organic layer sandwiched between an anode and a cathode, It has an electron transport layer adjacent to the cathode as a constituent layer of the organic layer, and the electron transport layer is formed through a step of forming a film by a wet method and contains a low molecular weight compound or a non-conjugated high molecular weight compound
  • An organic electroluminescence device wherein the cathode is formed through a step of forming a film by a wet method using a conductive paste.
  • A represents —O—, —S— or —N (R1) —, and A11 to A18 each represents a nitrogen atom or —C (R2) —.
  • R1 and R2 each represent a bond, a hydrogen atom or a substituent. However, when there are a plurality of —C (R2) —, each —C (R2) — may be the same or different.
  • 4 The organic electroluminescence device as described in 2 or 3 above, wherein the compound represented by the general formula (1) has at least one pyridine ring as a partial structure.
  • Q1 represents a 5-membered or 6-membered aromatic ring.
  • Ar represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and R3 and R4 represent a hydrogen atom or a substituent.
  • k represents an integer of 2 or 3, and has m secondary ligands L so as to satisfy the valence of iridium.
  • 11. 11 The organic electroluminescent device as described in 10 above, wherein the phosphorescent light emitting layer contains the compound represented by the general formula (1) as a light emitting host.
  • a film is formed by a wet method using a mixed solution or mixed dispersion of the compound represented by the general formula (1) and an alkali metal, alkaline earth metal, the alkali metal compound, or the alkaline earth metal compound.
  • a step of forming an electron transport layer by forming a film by a wet method using a coating liquid or dispersion containing the compound represented by the general formula (1), then alkali metal, alkaline earth metal, and the alkali metal And a step of impregnating the electron transport layer with a solution or dispersion containing the above compound or the alkaline earth metal compound, followed by a step of forming a cathode by a wet method using a conductive paste.
  • a white organic electroluminescence device comprising the organic electroluminescence device according to any one of 1 to 11 above.
  • a display device comprising the organic electroluminescent element according to any one of 1 to 11 or the white organic electroluminescent element according to 16.
  • An illumination device comprising the organic electroluminescent element according to any one of 1 to 11 or the white organic electroluminescent element according to 16.
  • an organic electroluminescence element having a high external extraction quantum efficiency, a long emission lifetime, and a low driving voltage, a white organic electroluminescence element including the element, a display device, and an illumination device. did it.
  • the compound for an organic EL device of the present invention has the structure according to any one of claims 1 to 11, and thereby has high external extraction quantum efficiency, long emission lifetime, and low driving voltage.
  • a luminescence element could be provided.
  • the organic EL device of the present invention is a phosphorescent organic EL device having an organic layer sandwiched between an anode and a cathode as described in claim 1, and the cathode is used as a constituent layer of the organic layer.
  • the electron transport layer is formed through a process of forming a film by a wet method, contains a low molecular weight compound or a non-conjugated high molecular weight compound, and the cathode is conductive.
  • It is an organic electroluminescence device that exhibits the effects described in the present invention (high external extraction quantum efficiency, long light emission lifetime, low driving voltage, etc.) by being formed through a process that uses a paste to form a film by a wet method. .
  • the cathode constituting the organic EL device of the present invention is formed by a wet process using a conductive paste, and an electron transport layer adjacent to the cathode (the cathode, anode, electron transport layer, etc. are described later)
  • the film is also formed by a wet method.
  • the low molecular weight compound according to the present invention refers to a compound having a value of 2,000 or less, which is obtained by directly measuring the relative mass (synonymous with molecular weight) of a molecule by mass spectrometry.
  • Mass spectrometry uses ionization methods such as EI, CI, FD, FAB, MALDI, ESI, etc., magnetic field deflection type, quadrupole type, ion trap type, time of flight (TOF) type, etc.
  • TOF time of flight
  • the low molecular weight compound according to the present invention is preferably a compound represented by the above general formula (1), and more preferably a compound represented by any one of the following general formulas (3) to (99).
  • the condensed aromatic heterocyclic ring represented by L is specifically acridine.
  • carbazole ring carboline ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring and the like are preferable.
  • these rings may have a substituent described later.
  • examples of the aromatic hydrocarbon ring represented by Q include a benzene ring, a biphenyl ring, and naphthalene.
  • Ring azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, Examples include a fluoranthrene ring, a naphthacene ring, a pentacene ring, a perylene ring, a pentaphen ring, a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthrathrene ring.
  • these rings may have a substituent described later.
  • the aromatic heterocycle represented by Q includes a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring. , Pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, indazole ring, benzimidazole ring, Benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, carbazole ring, carboline ring, carboline ring, carboline ring, carboline ring, carboline ring
  • these rings may have a substituent described later.
  • L of the compound represented by the general formula (1) according to the present invention preferably has a partial structure represented by the general formula (2).
  • each of R1 and R2 is an alkyl group.
  • alkyl group e.g, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, octyl, dodecyl, tridecyl, tetradecyl, pentadecyl, etc.
  • cycloalkyl groups eg, cyclopentyl
  • alkenyl group eg, vinyl group, allyl group, 1-propenyl group, 2-butenyl group, 1,3-butadienyl group, 2-pentenyl group, isopropenyl group, etc.
  • alkynyl group eg, Ethynyl group, propargyl group, etc.
  • aromatic hydrochloric acid e.g, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, tert-butyl, pentyl,
  • substituents may be further substituted with the above substituents.
  • a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.
  • the compound represented by the general formula (1) according to the present invention preferably has at least one pyridine ring as a partial structure.
  • the low molecular weight compounds according to the present invention are disclosed in JP 2007-288035 A, Chem. Mater. It can be synthesized by referring to known methods described in 2008, 20, 5951, Experimental Chemistry Course 5th Edition (Edited by Chemical Society of Japan).
  • the non-conjugated high molecular weight compound according to the present invention refers to a compound having a number average molecular weight (Mw) of 1,000 or more in terms of standard polystyrene using a molecular weight measurement method using size exclusion chromatography (SEC).
  • Mw number average molecular weight
  • SEC size exclusion chromatography
  • the preferred molecular weight (Mw) for use in organic EL applications is 1,000 to 1,000,000.
  • GPC gel permeation chromatography
  • THF tetrahydrofuran
  • the conjugated system is a general term for molecular systems in which the ⁇ electrons of the multiple bond are delocalized due to the repetition of multiple bonds and single bonds.
  • the conjugated polymer means poly p-phenylene, polyacetylene, etc.
  • a non-conjugated polymer refers to a polymer material in which the polymer main chain does not mainly form a conjugated system (non-conjugated), such as polystyrene that does not have multiple bonds in the main chain or a polymer in which the main chain conjugated system is interrupted. and m-phenylene.
  • the low molecular weight compound and the non-conjugated high molecular weight compound according to the present invention are preferably used as an electron transport material constituting the electron transport layer of the organic EL device of the present invention, but in other organic layers of the organic EL device of the present invention. It may be contained.
  • the non-conjugated high molecular weight compound according to the present invention can be synthesized with reference to known methods described in the above-mentioned description relating to the synthesis of low molecular weight compounds and polymer synthesis / reaction (edited by the Society of Polymer Science). .
  • the low molecular weight compound and the non-conjugated high molecular weight compound according to the present invention are preferably used as an electron transport material constituting the electron transport layer of the organic EL device of the present invention, but in other organic layers of the organic EL device of the present invention. It may be contained.
  • the cathode (the cathode, anode, organic layer, etc. will be described in detail later) constituting the organic EL device of the present invention is formed by a wet method using a conductive paste.
  • the conductive paste according to the present invention preferably contains a conductive compound dispersion or a low melting point metal compound.
  • a conductive compound dispersion refers to a liquid material in a state where a conductive compound is dispersed in a liquid such as water or an organic solvent.
  • the conductive compound include metals and conductive polymer materials, and either an inorganic compound or an organic compound may be used.
  • the conductive compound is preferably used in a fine particle state (particle size is 1 nm to 10 ⁇ m) in order to facilitate the formation of a dispersion.
  • the organic solvent generally well-known solvents such as hydrocarbon solvents and fluorine-containing solvents can be appropriately used.
  • the conductive compound dispersion liquid is preferably a metal nanoparticle dispersion liquid.
  • the metal nanoparticle dispersion refers to a solution in which metal nanoparticles having an average particle diameter of 1 nm to 100 nm are suspended in a solvent.
  • a dispersion stabilizer, a protective agent or the like may be mixed in order to prevent reaggregation of metal nanoparticles.
  • the viscosity and the like can be adjusted by selecting the metal nanoparticle concentration and the type of solvent in accordance with the purpose of use and apparatus specifications.
  • Examples of the metal species of the metal nanoparticles related to the present invention include Ag, Au, Cu, Pd, Sn, In, Co, Bi, Al, and Zn.
  • the low melting point metal compound refers to an alloy having a melting point of 100 ° C. or lower, and the low melting point alloy is classified into an alkali metal type and other types depending on the use and handling.
  • Alkali metal is an alloy between alkali metals, and NaK is known. However, since it reacts violently with air and water, it is mainly used as a heat medium in a sealed state.
  • various alloys mainly containing zinc, indium, gallium, tin, bismuth, lead, etc. other than alkali metal are preferred.
  • solder that is an alloy of tin, galinstan that is a gallium alloy (composition is gallium 68.5%, indium 21.5%, tin 10%), wood metal that is a bismuth alloy (composition is 50% bismuth, lead 26 0.7%, tin 13.3%, cadmium 10%) and the like, and the melting point can be changed by changing the composition ratio of the alloy.
  • the conductive paste preferably contains an alkali metal, alkaline earth metal, alkali metal compound or alkaline earth metal compound.
  • the alkali metal according to the present invention represents an element excluding hydrogen among elements belonging to Group 1 (hydrogen, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, francium) in the periodic table.
  • the alkaline earth metal according to the present invention represents a typical element (beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, radium) belonging to Group 2 of the periodic table.
  • the alkali metal compound or alkaline earth metal compound according to the present invention represents a salt, complex, oxide, or the like containing the alkali metal or alkaline earth metal element.
  • an alkali metal, an alkaline earth metal, a compound of the alkali metal or a compound of the alkaline earth metal is preferably contained at the interface between the electron transport layer and the cathode adjacent to the cathode.
  • the cathode contains an alkali metal, an alkaline earth metal, the alkali metal compound or the alkaline earth metal compound, or the electron transport layer contains an alkali metal, an alkaline earth metal, or the alkali metal. Or a compound of the alkaline earth metal.
  • an anode is fabricated by forming an electrode material, for example, a thin film made of an anode material on an appropriate substrate so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 nm to 200 nm.
  • a thin film containing organic compounds such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, and an electron transport layer, which are element materials, is formed thereon.
  • the cathode and the electron transport layer adjacent to the cathode are applied and formed by a wet method.
  • the wet method there are a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an ink jet method, a printing method, a spray coating method, a curtain coating method, etc., but a precise thin film can be formed.
  • a method having high suitability for a roll-to-roll method such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, or a spray coating method is preferable. Different film forming methods may be applied for each layer.
  • a thin film made of a cathode material is formed thereon so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm, and a desired organic EL device can be obtained by providing a cathode. .
  • the cathode, electron transport layer, hole blocking layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode can be produced in the order of the reverse order.
  • a DC voltage When a DC voltage is applied to the multicolor display device obtained in this way, light emission can be observed by applying a voltage of about 2V to 40V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode.
  • An alternating voltage may be applied.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • the organic EL device of the present invention it is preferable to produce from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but it may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.
  • the light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light
  • the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of the uniformity of the film to be formed, the application of unnecessary high voltage during light emission, and the improvement of the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust in the range of 2 nm to 200 nm, and more preferably in the range of 5 nm to 100 nm.
  • the light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains at least one of a light emitting host compound and a light emitting dopant as a guest material, and preferably contains a phosphorescent light emitting dopant described later as the light emitting dopant.
  • a light emitting layer of the organic EL device of the present invention it can be mentioned as an example of a preferable embodiment that a light emitting host compound and three or more kinds of light emitting dopants are contained.
  • a host compound also referred to as a light emitting host
  • a light emitting dopant also referred to as a light emitting dopant compound
  • the host compound in the present invention is a phosphorescent quantum yield of phosphorescence emission at a room temperature (25 ° C.) having a mass ratio of 20% or more in the compound contained in the light emitting layer. Is defined as a compound of less than 0.1.
  • the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in a layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • the compound represented by the general formula (1) according to the present invention is also preferably used as the host compound according to the present invention.
  • known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient.
  • the light emitting host used in the present invention may be a conventionally known low molecular weight compound or a high molecular weight compound having a repeating unit, and a low molecular weight compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (deposition polymerization property). Light emitting host).
  • a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from being increased in wavelength, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • Luminescent dopant The light emitting dopant according to the present invention will be described.
  • the organic EL device of the present invention is phosphorescent, it contains at least a phosphorescent dopant (also referred to as phosphorescent emitter, phosphorescent compound, phosphorescent compound, etc.) as the luminescent dopant according to the present invention. To do.
  • a phosphorescent dopant also referred to as phosphorescent emitter, phosphorescent compound, phosphorescent compound, etc.
  • the phosphorescent dopant according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.) and has a phosphorescence quantum yield.
  • the phosphorescence quantum yield is preferably 0.1 or more, although it is defined as a compound of 0.01 or more at 25 ° C.
  • the phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence emitting dopant according to the present invention achieves the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. It only has to be done.
  • phosphorescent dopants There are two types of light emission of phosphorescent dopants in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent dopant. Energy transfer type to obtain light emission from the phosphorescent dopant, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and the phosphorescent dopant In any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is required to be lower than the excited state energy of the host compound.
  • the phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL element.
  • the phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex).
  • System compounds preferably iridium compounds, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex).
  • System compounds rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds.
  • a compound represented by the above general formula (A) is preferably used.
  • the 5-membered or 6-membered aromatic ring represented by Q1 includes a benzene ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiophene ring, a furan ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, and a pyrimidine ring.
  • Pyrazine ring diazine ring, triazine ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring and the like.
  • the above ring may further form a condensed ring and may have a substituent.
  • the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group represented by Ar are respectively -N (R1)-represented by A in the general formula (2), and A11 to A18.
  • -C (R2)-represented by each has the same meaning as the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group mentioned as examples of the substituent represented by R1 and R2.
  • the substituents represented by R3 and R4 are each represented by —N (R1) — represented by A in the general formula (2) and —C (R2) represented by A11 to A18. )-Has the same meaning as the substituents represented by R1 and R2.
  • oxycarboxylic acid for example, salicylaldehyde, oxyacetophenonate, etc.
  • dioxy compounds for example, biphenolate, etc.
  • diketones For example, acetylacetonato, dibenzoylmethanato, diethylmalonate, ethylacetoacetate, etc.
  • oxyquinones eg, pyromeconato, oxynaphthoquinato, oxyanthraquinato, etc.
  • tropolones eg, troponato, hinokitiolato, etc.
  • N-oxide compounds aminocarboxylic acids and similar compounds (eg, glycinato, alaninato, anthranilate, picolinato, etc.), hydroxylamines (eg, aminophenolato, ethanolaminato, mercap
  • ligands may also be used.
  • Nitrogen heterocyclic ligands for example, bipyridyl, phenanthroline, etc.
  • diketone ligands for example, bipyridyl, phenanthroline, etc.
  • the charge injection layer according to the present invention is provided as necessary, and includes an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. It may be present between.
  • An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance.
  • Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
  • anode buffer layer hole injection layer
  • copper phthalocyanine is used.
  • examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
  • cathode buffer layer (electron injection layer) The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc.
  • Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. It is done.
  • the buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 ⁇ m, although it depends on the material.
  • ⁇ Blocking layer hole blocking layer, electron blocking layer>
  • the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL elements and the forefront of industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998)” on page 237. There is a hole blocking (hole blocking) layer.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons and a very small ability to transport holes. By blocking the holes, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.
  • the structure of the electron transport layer described later can be used as a hole blocking layer according to the present invention, if necessary.
  • the hole blocking layer of the organic EL device according to the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the hole blocking layer preferably contains the azacarbazole derivative mentioned as the host compound described above.
  • the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers.
  • 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.
  • the ionization potential is defined by the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by the following method, for example.
  • Gaussian 98 Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.
  • the ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *.
  • the reason why this calculated value is effective is that there is a high correlation between the calculated value obtained by this method and the experimental value.
  • the ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy.
  • a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd. or a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used.
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 nm to 30 nm.
  • Charge transport layer electron transport layer, hole transport layer >> Examples of the charge transport layer according to the present invention include an electron transport layer and a hole transport layer.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has either hole injection or transport or electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives
  • Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
  • the above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminoph
  • No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ′, 4 ′′ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.
  • NPD 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • JP-A-4-308 4,4 ′, 4 ′′ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used from the viewpoint of obtaining a light emitting element with higher efficiency.
  • the hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can.
  • the thickness of the hole transport layer is preferably in the range of 5 nm to 5 ⁇ m, more preferably 5 nm to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • a hole transport layer having a high p property doped with impurities examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • an electron transport material also serving as a hole blocking material used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode.
  • any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, or a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc.
  • the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu , Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as an electron transport material.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material for the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.
  • the film thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 nm to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • n-type electron transport layer doped with impurities examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used.
  • these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 ⁇ m or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • a wet film forming method such as a printing method or a coating method can be used.
  • the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less.
  • the film thickness is preferably in the range of 10 nm to 1000 nm, more preferably in the range of 10 nm to 200 nm, although it depends on the material.
  • cathode As the cathode, a material having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode material is used.
  • Electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • these electrode substances are used as a conductive paste to form a thin film by a wet method to produce a cathode.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is preferably in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, more preferably in the range of 50 nm to 200 nm.
  • the emission luminance is improved, which is convenient.
  • a transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the conductive transparent material mentioned in the description of the anode on the cathode after producing the metal with a film thickness of 1 nm to 20 nm. By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.
  • substrate As a substrate (hereinafter also referred to as a base, a base material, a support substrate, a support, etc.) that can be used in the organic EL device according to the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. Or opaque. When extracting light from the substrate side, the substrate is preferably transparent. Examples of the transparent substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfone , Polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylates, cyclone resins such as Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade
  • an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed on the surface of the resin film.
  • a high barrier property film having a degree of 10 ⁇ 3 ml / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ MPa) or less and a water vapor permeability of 10 ⁇ 5 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less is preferable.
  • the material for forming the barrier film may be any material that has a function of suppressing the intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used.
  • the method for forming the barrier film is not particularly limited.
  • a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
  • the opaque substrate examples include metal plates such as aluminum and stainless steel, films, opaque resin substrates, ceramic substrates, and the like.
  • the external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device according to the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
  • the external extraction quantum efficiency (%) the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element ⁇ 100.
  • a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination.
  • the ⁇ max of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.
  • the sealing member may be disposed so as to cover the display area of the organic EL element, and may be a concave plate shape or a flat plate shape. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.
  • Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film.
  • the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.
  • a polymer film and a metal film can be preferably used because the organic EL element can be thinned.
  • the polymer film measured oxygen permeability by the method based on JIS K 7126-1987 is 1 ⁇ 10 -3 ml / m 2 / 24h or less, as measured by the method based on JIS K 7129-1992 water vapor transmission rate (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) is preferably that of 1 ⁇ 10 -3 g / (m 2 / 24h) or less.
  • sealing member For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.
  • the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups of acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to.
  • hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned.
  • a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
  • an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesively cured from room temperature to 80 ° C. is preferable.
  • a desiccant may be dispersed in the adhesive.
  • coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
  • an inorganic or organic layer as a sealing film by covering the electrode and the organic layer on the outer side of the electrode facing the substrate with the organic layer interposed therebetween, and in contact with the substrate.
  • the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
  • the method for forming these films is not particularly limited.
  • vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil
  • a vacuum is also possible.
  • a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
  • Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide), sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
  • metal oxides eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide
  • sulfates eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt
  • a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film.
  • the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate.
  • the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
  • the organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said.
  • a method of improving the light extraction efficiency for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate and preventing total reflection at the transparent substrate and the air interface (US Pat. No. 4,774,435), A method for improving efficiency by providing light condensing property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflective surface on a side surface of an organic EL element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (Japanese Patent Laid-Open No.
  • a method of introducing a flat layer having a structure Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827, a method of forming a diffraction grating between any one of the substrate, the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside world) No. 283751) That.
  • these methods can be used in combination with the organic EL device according to the present invention.
  • a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate A method of forming a diffraction grating between any layers of the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
  • the low refractive index layer examples include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of 1.5 or less, more preferably 1.35 or less.
  • the thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
  • the method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.
  • This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction.
  • Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.
  • the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
  • the refractive index distribution a two-dimensional distribution
  • the light traveling in all directions is diffracted, and the light extraction efficiency is increased.
  • the position where the diffraction grating is introduced may be in any one of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
  • the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
  • the arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
  • the organic EL device according to the present invention is processed on the light extraction side of the substrate so as to provide, for example, a microlens array structure, or in combination with a so-called condensing sheet, for example, with respect to a specific direction, for example, the light emitting surface By condensing in the front direction, the luminance in a specific direction can be increased.
  • quadrangular pyramids having a side of 30 ⁇ m and an apex angle of 90 degrees are arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate.
  • One side is preferably 10 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the condensing sheet it is possible to use, for example, a sheet that has been put to practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device.
  • a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.
  • the base material may be formed by forming a ⁇ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 ⁇ m, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
  • a light diffusion plate / film may be used in combination with the light collecting sheet.
  • a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
  • the organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources.
  • lighting devices home lighting, interior lighting
  • clock and liquid crystal backlights billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light
  • the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.
  • patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like during film formation, if necessary.
  • patterning only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned.
  • a conventionally known method is used. Can do.
  • the light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with a total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.
  • the organic EL element according to the present invention is a white element
  • the display device of the present invention comprises the organic EL element of the present invention.
  • the display device of the present invention may be single color or multicolor, but here, the multicolor display device will be described.
  • a shadow mask is provided only at the time of forming a light emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.
  • the method is not limited, but preferred examples include vapor deposition, ink jet, spin coating, and printing.
  • the configuration of the organic EL element included in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as necessary.
  • the manufacturing method of an organic EL element is as having shown in the one aspect
  • a DC voltage When a DC voltage is applied to the obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2V to 40V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • the multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light sources.
  • a display device or display full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.
  • Display devices and displays include televisions, personal computers, mobile devices, AV devices, teletext displays, information displays in automobiles, and the like. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • Light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc.
  • the present invention is not limited to these examples.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.
  • the display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.
  • the control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line respond to the image data signal by the scanning signal.
  • the image information is sequentially emitted to scan the image and display the image information on the display unit A.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.
  • the display unit A has a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 on the substrate.
  • the main members of the display unit A will be described below.
  • the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).
  • the scanning line 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are illustrated). Not)
  • the pixel 3 When the scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives the image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
  • a full color display can be achieved by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.
  • the pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like.
  • a full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.
  • an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6.
  • a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5
  • the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.
  • the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive transistor 12 is turned on.
  • the drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.
  • the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 maintains the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues.
  • the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
  • the light emission of the organic EL element 10 is performed by providing the switching transistor 11 and the drive transistor 12 which are active elements with respect to the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels. It is carried out.
  • Such a light emitting method is called an active matrix method.
  • the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or by turning on / off a predetermined light emission amount by a binary image data signal. Good.
  • the potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
  • the present invention not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which an organic EL element emits light according to a data signal only when a scanning signal is scanned.
  • FIG. 4 is a schematic view of a passive matrix display device.
  • a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
  • the pixel 3 connected to the applied scanning line 5 emits light according to the image data signal.
  • the lighting device of the present invention will be described.
  • the illuminating device of this invention has the said organic EL element.
  • the organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure.
  • the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure is as follows.
  • the light source of a machine, the light source of an optical communication processing machine, the light source of a photosensor, etc. are mentioned, However, It is not limited to these. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
  • the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a display for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a device (display).
  • the drive method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
  • the organic EL material of the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device.
  • a plurality of light emitting colors are simultaneously emitted by a plurality of light emitting materials to obtain white light emission by color mixing.
  • the combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue, or two using the relationship of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
  • a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and light from the light emitting material as excitation light. Any of those combined with a dye material that emits light may be used, but in the white organic EL device according to the present invention, only a combination of a plurality of light-emitting dopants may be mixed.
  • an electrode film can be formed by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is also improved.
  • the elements themselves are luminescent white.
  • luminescent material used for a light emitting layer For example, if it is a backlight in a liquid crystal display element, the metal complex which concerns on this invention so that it may suit the wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristic, Any one of known luminescent materials may be selected and combined to whiten.
  • CF color filter
  • the non-light emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 ⁇ m is used as a sealing substrate, and an epoxy-based photocurable adhesive (LUX TRACK manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is used as a sealing material.
  • LC0629B is applied, and this is overlaid on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. Can be formed.
  • FIG. 5 shows a schematic diagram of a lighting device, and the organic EL element 101 of the present invention is covered with a glass cover 102 (in the sealing operation with the glass cover, the organic EL element 101 is brought into contact with the atmosphere. And a glove box under a nitrogen atmosphere (in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more).
  • FIG. 6 shows a cross-sectional view of the lighting device.
  • 105 denotes a cathode
  • 106 denotes an organic EL layer
  • 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode.
  • the glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.
  • Example 1 Solution stability during preparation of coating solution ⁇
  • BCP, PBD, BAlq and the compound (11 types) according to the general formula (1) of the present invention which are materials used as the constituent material of the electron transport layer of the organic electroluminescence device of the present invention.
  • the solution stability of was evaluated.
  • the solvent is selected from five general solvents shown in Table 1 based on the solvent classification such as nonpolar aliphatic hydrocarbon, nonpolar aromatic hydrocarbon, polar aprotic, polar protic, and fluorine. I went there.
  • test sample 10 mg test sample was weighed, 1 ml of solvent was added, and the mixture was stirred at room temperature with a magnetic stirrer. After stirring for 30 minutes, when an insoluble matter could be visually confirmed, the mixture was heated and stirred at 50 ° C. for 30 minutes.
  • Evaluation conditions were purity measurement by HPLC (High Performance Liquid Chromatography) before and after standing at 25 ° C. for 24 hours.
  • Measuring device name High-performance liquid chromatograph LC-2000Plus series (manufactured by JASCO Corporation) Column: GL Science Co., Ltd. Inert Sil SIL-100A (4.6 ⁇ x250mm) Measurement conditions: Toluene / cyclohexane mixed solvent system (50/50 to 30/70) Evaluation was performed by the following rank evaluation.
  • Table 1 shows that the solution prepared using the compound represented by the general formula (1) according to the present invention exhibits very excellent solution stability.
  • the compounds of Sample Nos. 1 to 11 are highly versatile and very excellent as wet-type film-forming materials because they are dissolved in a plurality of solvent systems and exhibit high solution stability. all right.
  • Example 2 Manufacture of organic EL element 1-1 >> Patterning was performed on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a 100 nm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate as a positive electrode on a 100 mm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate was formed, and then this ITO transparent electrode was provided.
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • a solution prepared by dissolving 40 mg of BH-16 and 2 mg of ID-4 in 2.5 ml of dehydrated mesitylene was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. Heat-dried at 150 degreeC for 1 hour, and provided the light emitting layer with a film thickness of 40 nm.
  • a solution prepared by dissolving 30 mg of HS-69 and 3 mg of cesium fluoride in 6 ml of dehydrated 1,1,1-3,3,3-hexafluoroisopropanol was spun on this light emitting layer under conditions of 1000 rpm and 30 seconds.
  • a film was formed by a coating method. Heat-dried at 120 ° C. for 1 hour to provide an electron transport layer having a thickness of 20 nm.
  • Organic EL element 1-1 was produced in the same manner except that Poly-1 which is a non-conjugated polymer electron transporting material was used instead of HS-69 used for the electron transport layer. 2 and the organic EL device 1-3 was produced in the same manner except that the cathode was directly formed without providing the electron transport layer on the light emitting layer.
  • the external quantum efficiency also referred to as light emission efficiency
  • the light emission lifetime and the drive voltage of the organic EL element 1-1 being 100, respectively.
  • the external quantum efficiency, light emission lifetime, and drive voltage of 2 are 105, 60, and 95, respectively
  • the external quantum efficiency, light emission lifetime, and drive voltage of the organic EL element 1-3 are 80, 1, 170, respectively.
  • Each of the organic EL elements 1-1 and 1-2 having an excellent performance as compared with the organic EL element 1-3 having no electron transporting layer has an electron transporting property in the phosphorescent organic EL element. It is clear that the layer has an important role.
  • Example 3 Manufacture of organic EL element 2-1 >> Patterning was performed on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a 100 nm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate as a positive electrode on a 100 mm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate was formed, and then this ITO transparent electrode was provided.
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • HT-24 and 10 mg of HT-26 were dissolved in 3 ml of dehydrated toluene, and a film was formed by spin coating using this solution under conditions of 1000 and 30 seconds.
  • UV irradiation 100 W UVA, 200 mJ
  • photopolymerization / crosslinking 15 seconds
  • further heat drying 120 ° C. for 10 minutes to effect insolubilization by polymerizing polymerizable groups, resulting in a film thickness of 20 nm
  • the second hole transport layer was formed.
  • a solution prepared by dissolving 40 mg of BH-16 and 2 mg of ID-4 in 2.5 ml of dehydrated mesitylene was formed into a film by spin coating under conditions of 1000 rpm and 30 seconds. Heat-dried at 1 degreeC for 1 hour, and provided the light emitting layer with a film thickness of 40 nm.
  • a solution prepared by dissolving 30 mg of HS-70 in 6 ml of dehydrated 1,1,1-3,3,3-hexafluoroisopropanol was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. Heat-dried at 120 ° C. for 1 hour to provide an electron transport layer having a thickness of 20 nm.
  • a solution prepared by dissolving 20 mg of potassium fluoride in 1 ml of methanol is dropped on the electron transport layer, spin coating is initially performed at 100 rpm for 10 seconds, and then immediately at 3000 rpm for 30 seconds. Potassium halide immersion was performed.
  • ⁇ Luminescent life> When driving at a constant current of 2.5 mA / cm 2 in a dry nitrogen gas atmosphere at 23 ° C., the time required for the luminance to drop to half of the luminance immediately after the start of light emission (initial luminance) was measured. The half-life time ( ⁇ 0.5 ) was used as an index of life. Similarly, a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Minolta) was used for the measurement.
  • ⁇ Drive voltage> The voltage at the start of light emission was measured at a temperature of 23 ° C. in a dry nitrogen gas atmosphere. In addition, the voltage value at the time of the brightness
  • Table 2 shows the results obtained.
  • relative evaluation was performed by setting the external quantum efficiency, light emission lifetime, and driving voltage of the organic EL element 2-4 to 100, and Table 2 shows the results.
  • the effect of the present invention obtained by providing an electron transport layer (high external extraction quantum efficiency) It is clear that the electron transport layer is indispensable in the organic EL device using phosphorescence emission since the long emission lifetime and the low driving voltage are lower than those using the phosphorescence emission dopant. It is.
  • Example 4 Preparation of organic EL element 3-8 >> Patterning was performed on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a 100 nm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate as a positive electrode on a 100 mm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate was formed, and then this ITO transparent electrode was provided.
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • a solution prepared by dissolving 40 mg of BH-16 and 2 mg of ID-4 in 2.5 ml of dehydrated mesitylene was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. Heat-dried at 150 degreeC for 1 hour, and provided the light emitting layer with a film thickness of 40 nm.
  • a solution prepared by dissolving 30 mg of HS-42 in 6 ml of dehydrated 1,1,1-3,3,3-hexafluoroisopropanol was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. . Heat-dried at 120 ° C. for 1 hour to provide an electron transport layer having a thickness of 20 nm.
  • the above dispersion was discharged and patterned using an inkjet head (manufactured by Epson; MJ800C), and then baked at 120 ° C. for 5 minutes under nitrogen to form a silver cathode having a thickness of 110 nm. Manufactured.
  • organic EL elements 3-1 to 3-7 and 3-9 to 3-24 were changed in the same manner except that the constituent material of the electron transport layer (also referred to as electron transport material) was changed as shown in Table 3. 9 to 3-24 were produced respectively.
  • the lower light-emitting layer flowed out when the electron transport layer was applied, and the element could not be manufactured.
  • the organic EL device of the present invention in which the compound represented by the general formula (1) according to the present invention is contained in the electron transport layer as an electron transport material has a high external extraction quantum efficiency and a long emission lifetime. It is also clear that the driving voltage is low.
  • Example 5 Preparation of organic EL element 4-1 >> Patterning was performed on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) on which a 100 nm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate as a positive electrode on a 100 mm ⁇ 100 mm ⁇ 1.1 mm glass substrate was formed, and then this ITO transparent electrode was provided.
  • the transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • a solution prepared by dissolving 40 mg of BH-16 and 2 mg of ID-4 in 2.5 ml of dehydrated mesitylene was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. Heat-dried at 150 degreeC for 1 hour, and provided the light emitting layer with a film thickness of 40 nm.
  • a solution prepared by dissolving 30 mg of HS-42 in 6 ml of dehydrated 1,1,1-3,3,3-hexafluoroisopropanol was formed by spin coating at 1000 rpm for 30 seconds. . Heat-dried at 120 ° C. for 1 hour to provide an electron transport layer having a thickness of 20 nm.
  • the obtained paste was set in a dispenser, discharged and patterned while being heated to 100 ° C., a cathode was formed, and an organic EL element 4-1 was manufactured.
  • Relative evaluation was performed by setting the external quantum efficiency, light emission lifetime, and drive voltage of the organic EL element 4-1 to 100.
  • the external quantum efficiency, light emission lifetime, and drive of the organic EL element 4-2 lacking the electron transport layer were obtained.
  • the voltages were 69, 5, and 200, respectively, and the importance of the electron transport layer in the phosphorescent organic EL device became clear.
  • Example 6 Provide of full-color display device> (Blue light emitting organic EL device) The organic EL element 2-1 described in Example 2 was used.
  • Green light-emitting organic EL device A green light-emitting organic EL element 2-1G was produced in the same manner as in the organic EL element 2-1 produced in Example 2, except that ID-4 was changed to PD-1.
  • red light-emitting organic EL element 2-1R was produced in the same manner as in the organic EL element 2-1 produced in Example 2, except that ID-4 was changed to PD-10.
  • the red, green and blue light-emitting organic EL elements are juxtaposed on the same substrate to produce an active matrix type full-color display device having the form shown in FIG. 1, and FIG. 2 shows the display of the produced display device. Only the schematic diagram of part A is shown.
  • a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 on the same substrate, and a plurality of juxtaposed pixels 3 (light emission color is a red region pixel, a green region pixel, a blue region pixel, etc.)
  • the scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions ( Details are not shown).
  • the plurality of pixels 3 are driven by an active matrix system provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. Then, an image data signal is received from the data line 6 and light is emitted according to the received image data.
  • Example 7 Preparation of white light emitting lighting device ⁇
  • a white light-emitting organic EL element 2-1W was manufactured in the same manner as in the manufacture of the organic EL element 2-1 of Example 2, except that ID-4 was changed to PD-1, PD-10, and ID-4.
  • the obtained organic EL element 2-1W was covered with a glass case on the non-light emitting surface to obtain a lighting device.
  • the lighting device can be used as a thin white light emitting lighting device that emits white light having a low driving voltage, high external quantum efficiency (also referred to as light emission efficiency), and a long light emission lifetime.

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Abstract

　外部取り出し量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧である有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた白色有機エレクトロルミネッセンス素子や、表示装置及び照明装置を提供する。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、白色有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。
　従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
　一方、有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ～数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
　実用化に向けた有機ＥＬ素子の開発としては、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ　ｅｔ　ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１～１５４ページ（１９９８年）により、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告がされて以来、Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ　ｅｔ　ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０～７５３頁（２０００年）、米国特許第６，０９７，１４７号明細書により、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきている。
　更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機ＥＬ素子では、以前の蛍光発光を利用する素子に比べ原理的に約４倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。
　例えば、Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ　ｅｔ　ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）には、多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされている。
　このように大変ポテンシャルの高い方式であるが、リン光発光を利用する有機ＥＬデバイスにおいては、蛍光発光を利用する有機ＥＬデバイスとは大きく異なり、発光中心の位置をコントロールする方法、とりわけ発光層の内部で再結合を行い、いかに発光を安定に行わせることができるかが、素子の効率・寿命を捕らえる上で重要な技術的な課題となっている。
　そこで、近年、発光層に隣接する形で、（発光層の陽極側に位置する）正孔輸送層と（発光層の陰極側に位置する）電子輸送層を備えた多層積層型の素子が良く知られている（例えば、非特許文献１参照。）。
　特に、青色リン光発光を利用するにあたっては、青色リン光発光材料自身の励起三重項エネルギーが大きいため、周辺材料の開発と精密な発光中心の制御が強く求められている。
　一方で、大面積化、低コスト化、高生産性に対する要求から、ウエットプロセスに対する期待が大きく、特に電極成膜における脱真空化が強く求められている。また、真空プロセスでの成膜に比して低温で成膜可能であるため、下層の有機層のダメージを低減でき、発光効率や素子寿命の改善の面からも大きな期待が寄せられる。
　ウエットプロセスによる電極成膜の例としては、ＩＴＯ陽極に代わってＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いること等、また、低融金属ペーストの塗布成膜（例えば、特許文献１参照。）、や導電性ペースト材料の塗布成膜（例えば、特許文献２参照。）等による陰極形成方法が報告されている。
　前述の通り、青色リン光発光を利用する有機ＥＬ素子において、有機層から陰極までを含めたウエット成膜を実現するためには、とりわけ隣接する電子輸送材料が課題となり、実用上の観点から、現在知られている電子輸送材料では、溶液安定性、駆動電圧等の点で、まだ不十分であり、更なる改良技術が不可欠である。
特開２００５－２８５７３２号公報 特表２００５－５１４７２９号公報
有機ＥＬハンドブック　Ｐ－１９８、リアライズ理工センター、２００４年発刊
　本発明の目的は、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧である有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた白色有機エレクトロルミネッセンス素子や、表示装置及び照明装置を提供することである。
　本発明の上記目的は下記の構成により達成された。
　１．陽極と陰極の間に挟持された有機層を有するリン光発光性の有機ＥＬ素子において、
　該有機層の構成層として該陰極に隣接する電子輸送層を有し、該電子輸送層が、湿式法により成膜される工程を経て形成され、低分子量化合物または非共役系高分子量化合物を含有し、且つ、該陰極が導電性ペーストを用いて湿式法により成膜される工程を経て形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
　２．前記低分子量化合物が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　一般式（１）
　Ｑｍ－Ｌｎ
〔式中、Ｌは縮合した芳香族複素環を表し、Ｑは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、であり、ｎ、ｍは、各々１～３の整数である。ｎが２以上の時は、Ｌは互いに異なっていても良く、ｍが２以上の時は、Ｑは互いに異なっていても良い。〕
　３．前記一般式（１）で表される化合物のＬが下記一般式（２）で表される部分構造を有することを特徴とする前記２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔式中、Ａは、－Ｏ－、－Ｓ－または－Ｎ（Ｒ１）－を表し、Ａ１１～Ａ１８は、各々窒素原子または－Ｃ（Ｒ２）－を表す。Ｒ１、Ｒ２は、各々結合手、水素原子または置換基を表す。但し、－Ｃ（Ｒ２）－が複数の場合、各々の－Ｃ（Ｒ２）－は同じでも異なっていても良い。〕
　４．前記一般式（１）で表される化合物が部分構造として少なくとも一つのピリジン環を有することを特徴とする前記２または３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　５．前記導電性ペーストが、導電性化合物分散液及び低融点金属化合物から選択される少なくとも１つを含有することを特徴とする前記１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　６．前記導電性化合物分散液が金属ナノ粒子分散液であることを特徴とする前記５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　７．前記電子輸送層と前記陰極の界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする前記１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　８．前記導電性ペーストが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする前記１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　９．前記電子輸送層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする前記１～８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　１０．構成層としてリン光発光性の発光層を有し、該発光層は電子輸送層と隣接し、且つ、前記発光層は、少なくともリン光発光性ドーパントと発光ホストを含有し、該リン光発光性ドーパントが下記一般式（Ａ）で表される化合物であることを特徴とする前記１～９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
〔式中、Ｑ１は５員または６員の芳香環を表す。Ａｒは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子または置換基を表す。ｋは２または３の整数を示し、イリジウムの価数を満足するようにｍ個の副配位子Ｌを有する。〕
　１１．前記リン光発光性の発光層が、前記一般式（１）で表される化合物を発光ホストとして含有することを特徴とする前記１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　１２．前記１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、電子輸送層を湿式法により塗布・成膜される工程、次いで、陰極を導電性ペーストを用いて湿式法により塗布・成膜する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　１３．前記導電性ペーストが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする前記１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　１４．前記一般式（１）で表される化合物及び、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物との混合溶液または混合分散液を用いて湿式法により成膜して電子輸送層を形成する工程、次いで、陰極を導電性ペーストを用いて湿式法により成膜する工程を有することを特徴とする前記１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　１５．前記一般式（１）で表される化合物を含有する塗布液または分散液を用いて湿式法により成膜して電子輸送層を形成する工程、次いで、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有する溶液または分散液を該電子輸送層に含浸させる工程の後に、陰極を導電性ペーストを用いて湿式法により成膜する工程を有することを特徴とする前記１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
　１６．前記１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備したことを特徴とする白色有機エレクトロルミネッセンス素子。
　１７．前記１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または前記１６に記載の白色有機エレクトロルミネッセンス素子を具備したことを特徴とする表示装置。
　１８．前記１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または前記１６に記載の白色有機エレクトロルミネッセンス素子を具備したことを特徴とする照明装置。
　本発明により、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧である有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を備えた白色有機エレクトロルミネッセンス素子や、表示装置及び照明装置を提供することができた。
有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部の模式図である。 画素の模式図である。 パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。 照明装置の概略図である。 照明装置の断面図である。
　本発明の有機ＥＬ素子用化合物においては、請求項１～１１のいずれか１項に記載の構成を有することにより、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命が長く、且つ、低駆動電圧の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができた。
　併せて、該素子の製造方法、白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置を提供することができた。
　以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の各構成要素の詳細について、順次説明する。
　本発明の有機ＥＬ素子は、請求項１に記載のように、陽極と陰極の間に挟持された有機層を有するリン光発光性の有機ＥＬ素子であり、該有機層の構成層として該陰極に隣接する電子輸送層を有し、該電子輸送層が、湿式法により成膜せれる工程を経て形成され、低分子量化合物または非共役系高分子量化合物を含有し、且つ、該陰極が導電性ペーストを用いて湿式法により成膜される工程を経て形成されたことにより、本発明に記載の効果（高い外部取り出し量子効率、長発光寿命、低駆動電圧等）を示す有機エレクトロルミネッセンス素子であります。
　本発明の有機ＥＬ素子を構成する陰極は、導電性ペーストを用いて湿式法により成膜され、該陰極に隣接する電子輸送層（陰極、陽極、電子輸送層等については、後述する有機ＥＬ素子の構成層のところで詳細に説明する）も湿式法により成膜される。
　ここで、湿式法については、有機ＥＬ素子の製造方法のところで詳細に説明する。
　《低分子量化合物》
　本発明に係る低分子量化合物について説明する。
　本発明に係る低分子量化合物とは、質量分析法にて分子の相対質量（分子量と同義）を直接測定し、その値が２，０００以下のものをさす。質量分析方法は、ＥＩ法、ＣＩ法、ＦＤ法、ＦＡＢ法、ＭＡＬＤＩ法、ＥＳＩ法等のイオン化方法を用い、磁場偏向型、四重極型、イオントラップ型、飛行時間（ＴＯＦ）型、等の分離方法による、一般的に広く知られた分析方法を用いることができる。
　本発明に係る低分子量化合物としては、上記一般式（１）で表される化合物が好ましく、更に好ましくは、下記一般式（３）～（９９）のいずれかで表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　一般式（１）で表される化合物または一般式（３）～（９９）のいずれかで表される化合物において、Ｌで表される縮合した芳香族複素環としては、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等が挙げられる。
　中でも、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環等が好ましい。
　また、これらの環は後述する置換基を有していても良い。
　一般式（１）で表される化合物または一般式（３）～（９９）のいずれかで表される化合物において、Ｑで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ－テルフェニル環、ｍ－テルフェニル環、ｐ－テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
　更に、これらの環は後述する置換基を有してもよい。
　一般式（１）で表される化合物または一般式（３）～（９９）のいずれかで表される化合物において、Ｑで表される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。
　更にこれらの環は後述する置換基を有していてもよい。
　本発明では、本発明に係る一般式（１）で表される化合物のＬが上記一般式（２）で表される部分構造を有することが好ましい。
　一般式（２）のＡで表される－Ｎ（Ｒ１）－、Ａ１１～Ａ１８で、各々表される－Ｃ（Ｒ２）－において、Ｒ１、Ｒ２で各々表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
　これらの置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
　また、本発明に係る一般式（１）で表される化合物は、部分構造として少なくとも一つのピリジン環を有することが好ましい。
　以下、本発明に係る低分子量化合物として好ましく用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　本発明に係る低分子量化合物は、特開２００７－２８８０３５号公報、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００８，２０，５９５１、実験化学講座第５版（日本化学会編）等に記載の公知の方法を参照して合成することができる。
　《非共役系高分子量化合物》
　本発明に係る非共役系高分子量化合物について説明する。
　本発明に係る非共役系高分子量化合物とは、サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）を用いた分子量測定方法を用いて、標準ポリスチレン換算で数平均分子量（Ｍｗ）１，０００以上の化合物を指す。有機ＥＬ用途での使用上、好ましい分子量（Ｍｗ）は１，０００～１，０００，０００である。
　また、ＳＥＣとしては、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）をカラム溶媒として用いるＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いることができ、一般に知られた分子量測定用ＧＰＣ装置を使用できる。
　本発明に係る非共役系高分子量化合物を説明するまえに、まず、共役系高分子について説明する。
　ここで、共役系とは、多重結合と単結合の繰り返しにより、多重結合のπ電子が非局在化を生じる分子系の総称をいい、特に共役系高分子とはポリｐ－フェニレンやポリアセチレン等、ポリマー主鎖が主として共役系を形成している高分子材料をさす。
　これに対し、非共役系高分子とは、ポリマー主鎖が主として共役系を形成しない（非共役）高分子材料を指し、主鎖に多重結合を持たないポリスチレンや主鎖の共役系が途切れるポリｍ－フェニレン等が挙げられる。
　本発明に係る低分子量化合物、非共役系高分子量化合物は、本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層を構成する電子輸送材料として好ましく用いられるが、本発明の有機ＥＬ素子の他の有機層に含有されていても良い。
　以下、本発明に係る非共役系高分子量化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　本発明に係る非共役系高分子量化合物は、前述の低分子量化合物の合成に関わる記載や高分子合成・反応（高分子学会編）等に記載の公知の方法を参照して合成することができる。
　本発明に係る低分子量化合物、非共役系高分子量化合物は、本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層を構成する電子輸送材料として好ましく用いられるが、本発明の有機ＥＬ素子の他の有機層に含有されていても良い。
　《導電性ペースト》
　本発明の有機ＥＬ素子を構成する陰極（陰極、陽極、有機層等については後に詳細に説明する。）は、導電性ペーストを用いて湿式法により成膜される。
　本発明に係る導電性ペーストは、導電性化合物分散液または低融点金属化合物を含有することが好ましい。
　ここで、
　（ａ）導電性化合物分散液とは、導電性化合物を水や有機溶媒等の液体に分散させた状態の液状材料を指す。導電性化合物としては、金属や導電性高分子材料が挙げられ、無機化合物、有機化合物のどちらでも構わない。また前記導電性化合物は分散液の形成を容易にするために、微粒子状態（粒子サイズが１ｎｍ～１０μｍ）で使用されるのが好ましい。有機溶媒としては、炭化水素系溶媒や含フッ素系溶媒等、一般に良く知られた溶媒を適宜使用できる。
　本発明では、導電性化合物分散液が金属ナノ粒子分散液であることが好ましい。ここで、金属ナノ粒子分散液とは、平均粒径１ｎｍ～１００ｎｍの金属のナノ粒子が、溶媒中に懸濁している溶液を指す。
　前記溶液においては、金属ナノ粒子どうしの再凝集を防ぐために、分散安定剤、保護剤等を混入しても良い。また、使用目的や装置仕様にあわせて、金属のナノ粒子濃度や溶媒の種類を選択することで、粘度等の調整が可能である。
　本発明に関する金属ナノ粒子の金属種としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｚｎ等が挙げられる。
　また、Ａｌナノ粒子の製造については、２００８年９月２４日　産総研プレスリリース「プラスチックフィルム上に金属電極を低温で印刷形成する技術」等を参照することもできる。
　（ｂ）低融点金属化合物とは、低融点合金は１００℃以下の融点を持つ合金をさす、用途や扱いの違いによりアルカリ金属系とそれ以外のものに分けられる。アルカリ金属系は、アルカリ金属間の合金でＮａＫが知られているが、空気や水と激しく反応するため、密閉された状態で、主に熱媒体として利用される。本発明においては、特にアルカリ金属系以外の亜鉛、インジウム、ガリウム、スズ、ビスマス、鉛などを主成分とした種々の合金が好ましい態様である。
　例えば、錫の合金であるはんだや、ガリウム合金であるガリンスタン（組成はガリウム６８．５％、インジウム２１．５％、錫１０％）、ビスマス合金であるウッドメタル（組成はビスマス５０％、鉛２６．７％、錫１３．３％、カドミウム１０％）等があり、合金の組成比を変化させることで、融点を変化させることが可能である。
　また、本発明では、
　（ｃ）導電性ペーストが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の化合物またはアルカリ土類金属の化合物を含有することが好ましい。
　本発明に係るアルカリ金属とは、周期表において第１族に属する元素（水素・リチウム・ナトリウム・カリウム・ルビジウム・セシウム・フランシウム）のうち、水素を除いた元素を表す。
　本発明に係るアルカリ土類金属とは、周期表の第２族に属する典型元素（ベリリウム・マグネシウム・カルシウム・ストロンチウム・バリウム・ラジウム）を表す。
　本発明に係るアルカリ金属の化合物、アルカリ土類金属の化合物とは、前記アルカリ金属、またはアルカリ土類金属元素を含む、その塩、錯体、もしくは酸化物等を表す。
　本発明では、電子輸送層と隣接する陰極の界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することが好ましい。
　その態様として、陰極に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有する、もしくは、電子輸送層に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することが好ましい。
　《有機ＥＬ素子の製造方法》
　有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる素子の製造方法について説明する。
　まず、適当な基体上に電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ～２００ｎｍの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。
　次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
　本発明のリン光発光性の有機ＥＬ素子においては、少なくとも陰極と該陰極に隣接する電子輸送層は、湿式法により塗布・成膜される。
　ここで、湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。
　これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ～２００ｎｍの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
　また、順序を逆にして、陰極、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
　このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を－の極性として電圧２Ｖ～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
　本発明の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
　《有機ＥＬ素子の層構成》
　次に、本発明の有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
　（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
　（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
　（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
　（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
　（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
　《発光層》
　本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
　発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ～２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５ｎｍ～１００ｎｍの範囲に調整される。
　本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ホスト化合物とゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも一種を含有することが好ましく、該発光ドーパントとして後述するリン光発光性ドーパントを含有することが好ましい。
　また、本発明の有機ＥＬ素子の発光層として、発光ホスト化合物と３種以上の発光ドーパントを含有することも好ましい態様の一例として挙げることができる。
　以下に発光層に含まれるホスト化合物（発光ホスト等ともいう）と発光ドーパント（発光ドーパント化合物ともいう）について説明する。
　（ホスト化合物）
　本発明に係るホスト化合物について説明する。
　ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、かつ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。
　好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
　本発明に係る前記一般式（１）で表される化合物は、本発明に係るホスト化合物としても好ましく用いられる。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。
　また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子量化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子量化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子量化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
　併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
　特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報等。
　以下、本発明の有機ＥＬ素子の発光層のホスト化合物として併用してもよい化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　（発光ドーパント）
　本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
　本発明の有機ＥＬ素子はリン光発光性であるため、本発明に係る発光ドーパントとしては、少なくともリン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を含有するものである。
　（リン光発光性ドーパント）
　本発明に係るリン光発光性ドーパントについて説明する。
　本発明に係るリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
　上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
　リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光発光性ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光発光性ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光性ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光発光性ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
　リン光発光性ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
　本発明に係るリン光発光性ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で８族～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
　本発明に係るリン光発光性ドーパントとしては、上記一般式（Ａ）で表される化合物が好ましく用いられる。
　《一般式（Ａ）で表されるリン光発光性ドーパント》
　本発明に係る一般式（Ａ）で表されるリン光発光性ドーパントについて説明する。
　一般式（Ａ）において、Ｑ１で表される５員または６員の芳香環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
　上記の環は、更に縮合環を形成してもよく、また、置換基を有していても良い。
　一般式（Ａ）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、各々、一般式（２）のＡで表される－Ｎ（Ｒ１）－、Ａ１１～Ａ１８で、各々表される－Ｃ（Ｒ２）－において、Ｒ１、Ｒ２で各々表される置換基の例として挙げられている芳香族炭化水素基、芳香族複素環基と各々同義である。
　一般式（Ａ）において、Ｒ３、Ｒ４で各々表される置換基は、一般式（２）のＡで表される－Ｎ（Ｒ１）－、Ａ１１～Ａ１８で、各々表される－Ｃ（Ｒ２）－において、Ｒ１、Ｒ２で各々表される置換基と同義である。
　一般式（Ａ）において、副配位子Ｌとしては、オキシカルボン酸、オキシアルデヒド及びその誘導体（例えば、サリチルアルデヒダト、オキシアセトフェノナト等）、ジオキシ化合物（例えば、ビフェノラト等）、ジケトン類（例えば、アセチルアセトナト、ジベンゾイルメタナト、ジエチルマロナト、エチルアセトアセタト等）、オキシキノン類（例えば、ピロメコナト、オキシナフトキノナト、オキシアントラキノナト等）、トロポロン類（例えば、トロポナト、ヒノキチオラト等）、Ｎ－オキシド化合物、アミノカルボン酸及び類似化合物（例えば、グリシナト、アラニナト、アントラニラト、ピコリナト等）、ヒドロキシルアミン類（例えば、アミノフェノラト、エタノールアミナト、メルカプトエチルアミナト等）、オキシン類（例えば、８－オキシキノリナト等）、アルジミン類（例えば、サリチルアルジミナト等）、オキシオキシム類（例えば、ベンゾインオキシマト、サリチルアルドキシマト等）、オキシアゾ化合物（例えば、オキシアゾベンゾナト、フェニルアゾナフトラト等）、ニトロソナフトール類（例えば、β－ニトロソ－α－ナフトラト等）、トリアゼン類（例えば、ジアゾアミノベンゼナト等）、ビウレット類（例えば、ビウレタト、ポリペプチド基等）、ホルマゼン類及びジチゾン類（例えば、ジフェニルカルバゾナト、ジフェニルチオカルバゾナト等）、ピグアニド類（例えば、ピグアニダト等）、グリオキシム類（例えば、ジメチルグリオキシマト等）等が挙げられる。
　また、種々の公知の配位子を用いてもよく、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ－Ｖｅｒｌａｇ社　Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著　１９８７年発行、「有機金属化学－基礎と応用－」　裳華房社　山本明夫著　１９８２年発行　等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子なと）が挙げられる。
　以下、リン光発光性ドーパントとして、本発明に係る一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　また、以下、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の形成に用いても良い発光ドーパントの具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　《電荷注入層：電子注入層、正孔注入層》
　本発明に係る電荷注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
　陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
　陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属の化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ～５μｍの範囲が好ましい。
　《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
　阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
　正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
　また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
　本発明に係る有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
　正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。
　また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。
　更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
　イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
　（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ　Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ　ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ　ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
　（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ　ＡＣ－１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
　一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ～１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ～３０ｎｍである。
　《電荷輸送層：電子輸送層、正孔輸送層》
　本発明に係る電荷輸送層としては、電子輸送層、正孔輸送層等が挙げられる。
　以下、本発明に係る電子輸送層、正孔輸送層について詳細に説明する。
　《正孔輸送層》
　正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれでもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
　正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ－フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
　更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
　また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子を得る観点からこれらの材料を用いることが好ましい。
　正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
　正孔輸送層の膜厚については、５ｎｍ～５μｍの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、５ｎｍ～２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　以下、本発明の有機ＥＬ素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　《電子輸送層》
　電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
　従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
　上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
　更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　また８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
　その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。
　また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
　電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。
　電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をゲスト材料としてドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製する観点から好ましく用いられる。
　以下、本発明の白色有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく併用される化合物（電子輸送材料）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　《陽極》
　有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
　陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
　あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
　更に、膜厚は材料にもよるが、１０ｎｍ～１０００ｎｍの範囲が好ましく、更に好ましくは１０ｎｍ～２００ｎｍの範囲である。
　《陰極》
　陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
　このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
　これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
　本発明では、これらの電極物質（導電性材料ともいう）を導電性ペーストとして用いて湿式法により薄膜を形成させ陰極を作製する。
　陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は、１０ｎｍ～５μｍの範囲が好ましく、更に好ましくは、５０ｎｍ～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
　尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
　また、陰極に上記金属を１ｎｍ～２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
　《基板》
　本発明に係る有機ＥＬ素子に用いることのできる基板（以下、基体、基材、支持基板、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
　樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０－３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ＭＰａ）以下、水蒸気透過度が、１０－５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
　バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
　バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
　不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
　本発明に係る有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。
　ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
　また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
　《封止》
　本発明に用いられる有機ＥＬ素子の封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
　封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
　具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
　本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
　更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／ｍ２／２４ｈ以下、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０－３ｇ／（ｍ２／２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
　封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
　接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
　尚、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
　また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。
　更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
　封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
　《保護膜、保護板》
　有機層を挟み基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
　《光取り出し》
　有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７～２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％～２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。
　これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
　この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３－３１４７９５号公報）、有機ＥＬ素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１－２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２－１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１－２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１－２８３７５１号公報）等がある。
　本発明においては、これらの方法を本発明に係る有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
　本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
　透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
　低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５～１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率が１．５以下が好ましく、更に好ましくは１．３５以下である。
　また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
　全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。
　この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
　導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
　しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
　回折格子を導入する位置としては、前述のように、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
　このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２～３倍程度が好ましい。
　回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
　《集光シート》
　本発明に係る有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工する、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
　マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ～１００μｍが好ましい。
　これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
　集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。
　プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
　また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
　《用途》
　本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
　本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
　本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
　また、本発明に係る有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度が、Ｘ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。
　《表示装置》
　本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備したものである。
　本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
　発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法等が挙げられる。
　表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
　また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。
　得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を－の極性として電圧２Ｖ～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が－の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
　多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
　表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
　発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
　以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
　図１は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
　ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
　制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
　図２は表示部Ａの模式図である。
　表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
　図においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
　配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
　画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
　発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
　次に、画素の発光プロセスを説明する。
　図３は画素の模式図である。
　画素は有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
　図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
　画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
　制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
　即ち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
　ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
　本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
　図４はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
　順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
　パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
　《照明装置》
　本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機ＥＬ素子を有する。
　本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
　また、本発明の有機ＥＬ素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
　動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
　また、本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。
　また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。
　発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。
　この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。
　発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
　《本発明の照明装置の一態様》
　本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
　本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成することができる。
　図５は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。
　図６は、照明装置の断面図を示し、図６において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
　以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例で使用の化合物の構造式を下記に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
　実施例１
　《塗布液調製時の溶液安定性》
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層の構成材料として用いられる材料である、Ａｌｑ３、ＢＣＰ、ＰＢＤ、ＢＡｌｑ及び本発明の一般式（１）に係る化合物（１１種）について塗布液調製時の溶液安定性を評価した。
　試験試料及び溶媒の組み合わせは、表１に示す。
　尚、溶媒の選択は、非極性脂肪族炭化水素、非極性芳香族炭化水素、極性非プロトン性、極性プロトン性、フッ素系等の溶媒分類から表１に示した一般的な溶媒５種類を選択して行った。
　１０ｍｇの試験試料を量り、１ｍｌの溶媒を加え、マグネチックスターラにて室温で撹拌した。３０分攪拌した後、目視にて不溶分が確認できる場合には、５０℃、３０分間加熱撹拌した。
　再び目視で確認し、不溶分が確認できる場合には、還流条件下で最長２時間を限度として溶解するまで加熱撹拌を行った。
　以上の条件で溶解したものに関して、電子輸送材料としての溶液安定性評価を行った。
　評価条件は、２５℃、２４時間静置前後、ＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィ）による純度測定を行った。
　測定装置名：高速液体クロマトグラフ　ＬＣ－２０００Ｐｌｕｓシリーズ（日本分光株式会社製）
　カラム　　：ジーエルサイエンス株式会社　イナートシル　ＳＩＬ－１００Ａ（４．６Φｘ２５０ｍｍ）
　測定条件　：トルエン／シクロヘキサン混合溶媒系（５０／５０～３０／７０）
　評価は下記のようなランク評価で行った。
　○：変化率（Ｐ２４／Ｐ０）が１％未満である
　△：変化率（Ｐ２４／Ｐ０）が１％以上５％未満
　×：変化率（Ｐ２４／Ｐ０）が５％以上
　尚、Ｐ０は初期の純度を表し、Ｐ２４は２４時間後の純度を表す。
　得られた結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000038
　表１から、本発明に係る一般式（１）で表される化合物を用いて調製された溶液は、非常に優れた溶液安定性を示すことがわかる。
　特に、試料番号１～１１の化合物は、複数種の溶媒系に溶解し、且つ、高い溶液安定性を示すことから、汎用性も高く、湿式方式の成膜材料として非常に優れていることがわかった。
　一方、電子輸送材料として従来良く知られているＡｌｑ３、ＢＡｌｑ等、アルミニウム錯体は溶液での安定性が非常に悪いことがわかる。
　実施例２
　《有機ＥＬ素子１－１の製造》
　陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ－４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
　この透明支持基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　Ａｌ　４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
　この正孔輸送層上に、４０ｍｇのＢＨ－１６と２ｍｇのＩＤ－４を脱水メシチレン２．５ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。
　この発光層上に、３０ｍｇのＨＳ－６９と３ｍｇのフッ化セシウムを脱水１，１，１－３，３，３－ヘキサフルオロイソプロパノール６ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１２０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。
　更に、銀ナノ粒子ペースト分散液（三ツ星ベルト社製　ＭＤｏｔ－ＳＬ）２０ｍｌをインクジェットヘッド（エプソン社製；ＭＪ８００Ｃ）を用いて吐出・パターニングした後、窒素下で１２０℃、５分焼成し、厚さ１１０ｎｍの銀陰極を形成し、有機ＥＬ素子１－１を製造した。
　《有機ＥＬ素子１－２及び有機ＥＬ素子１－３の製造と評価》
　有機ＥＬ素子１－１の製造において、電子輸送層に用いたＨＳ－６９の替わりに非共役系高分子電子輸送材料であるＰｏｌｙ－１を用いた以外は全く同様にして、有機ＥＬ素子１－２を、また、発光層上に電子輸送層を設けることなしに直接陰極を形成する以外は全く同様にして、有機ＥＬ素子１－３を製造した。
　後述する有機ＥＬ素子の評価方法を用いて、有機ＥＬ素子１－１における外部量子効率（発光効率ともいう）、発光寿命、駆動電圧をそれぞれ１００として相対評価を行ったところ、有機ＥＬ素子１－２における外部量子効率、発光寿命、駆動電圧はそれぞれ、１０５、６０、９５、有機ＥＬ素子１－３における外部量子効率、発光寿命、駆動電圧は、各々８０、１、１７０となり、電子輸送層を有する有機ＥＬ素子１－１、１－２はいずれも、電子輸送層を有さない有機ＥＬ素子１－３に比して優れた性能を示し、リン光発光性の有機ＥＬ素子において、電子輸送層が重要な役割を有していることが明らかである。
　実施例３
　《有機ＥＬ素子２－１の製造》
　陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ－４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
　この透明支持基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　Ａｌ　４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの第一正孔輸送層を設けた。
　５ｍｇのＨＴ－２４と１０ｍｇのＨＴ－２６を脱水トルエン３ｍｌに溶解し、この溶液を用いて１０００、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。
　窒素下、１５秒間ＵＶを照射（１００Ｗ　ＵＶＡ、２００ｍＪ）し、光重合・架橋を行い、更に、１２０℃、１０分間加熱乾燥し、重合性基を重合させることにより不溶化処理を行い、膜厚２０ｎｍの第二正孔輸送層を形成した。
　この第二正孔輸送層上に、４０ｍｇのＢＨ－１６と２ｍｇのＩＤ－４を脱水メシチレン２．５ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。
　この発光層上に、３０ｍｇのＨＳ－７０を脱水１，１，１－３，３，３－ヘキサフルオロイソプロパノール６ｍｌに溶解した溶液を１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、１２０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。
　２０ｍｇのフッ化カリウムを１ｍｌのメタノールに溶解した溶液を上記電子輸送層上に滴下し、最初１００ｒｐｍ、１０秒、その後直ちに３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコートを行い、該電子輸送層中にフッ化カリウムの浸漬を行った。
　更に、銀ナノ粒子ペースト分散液（三ツ星ベルト社製　ＭＤｏｔ－ＳＬ）２０ｍｌをインクジェットヘッド（エプソン社製；ＭＪ８００Ｃ）を用いて吐出・パターニングした後、窒素下で１２０℃、５分焼成し、厚さ１１０ｎｍの銀陰極を形成し、有機ＥＬ素子２－３を製造した。
　《有機ＥＬ素子２－２～２－４の製造》
　有機ＥＬ素子２－１の製造において、発光層に使用した発光ドーパントと、電子輸送層を、表２に示したように変更した以外は全く同様にして、有機ＥＬ素子２－２～２－４を各々製造した。
　《有機ＥＬ素子２－１～２－４の評価》
　得られた有機ＥＬ素子２－１～２－４の評価に際しては、製造後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止して、図５、図６に示すような照明装置を形成し、外部取り出し量子効率、発光寿命、駆動電圧を評価した。また、各々の評価項目における条件を以下に示す。
　《外部取りだし量子効率》
　有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ２定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。尚、測定には分光放射輝度計ＣＳ－１０００（ミノルタ製）を用いた。
　《発光寿命》
　２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流で駆動した時に、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ０．５）として寿命の指標とした。尚、測定には同様に、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（ミノルタ製）を用いた。
　《駆動電圧》
　温度２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で発光開始の電圧を測定した。尚、発光開始の電圧は、輝度５０ｃｄ／ｍ２以上となったときの電圧値を測定した。輝度の測定には分光放射輝度計ＣＳ－１０００（ミノルタ製）を用いた。
　得られた結果を表２に示す。尚、有機ＥＬ素子２－４の外部量子効率、発光寿命、駆動電圧をそれぞれ１００として相対評価を行い、その結果を表２示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000039
　表２から、リン光発光を利用した有機ＥＬ素子２－１と蛍光発光を利用した有機ＥＬ素子２－３を比べると、その素子性能の差は明らかであり、本発明の素子構成においてもリン光発光素子の優位性は明解である。
　更に詳細に結果を解析すると、有機ＥＬ素子２－１と２－２で比較すると、電子輸送層の有無が有機ＥＬ素子の物性に大きく影響していることがわかる。
　更に、蛍光発光性ドーパントを用いた２－３（電子輸送層有り）と２－４（電子輸送層無し）では、電子輸送層を設けたことにより得られる本発明の効果（高い外部取り出し量子効率、長発光寿命及び低駆動電圧）が、リン光発光性ドーパントを用いた場合よりも低いことから、リン光発光を利用した有機ＥＬ素子においては、電子輸送層が不可欠な存在であることが明白である。
　実施例４
　《有機ＥＬ素子３－８の作製》
　陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ－４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
　この透明支持基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　Ａｌ　４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
　この正孔輸送層上に、４０ｍｇのＢＨ－１６と２ｍｇのＩＤ－４を脱水メシチレン２．５ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。
　この発光層上に、３０ｍｇのＨＳ－４２を脱水１，１，１－３，３，３－ヘキサフルオロイソプロパノール６ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１２０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。
　更に、２００ｍｇのフッ化ナトリウムを５ｍｌのメタノールに溶解し、凝集しないようにゆっくりと、銀ナノ粒子ペースト分散液（三ツ星ベルト社製　ＭＤｏｔ－ＳＬ）２０ｍｌに加え、アルカリ金属の化合物を有する導電性化合物分散液を調整した。
　上記分散液をインクジェットヘッド（エプソン社製；ＭＪ８００Ｃ）を用いて吐出・パターニングした後、窒素下で１２０℃、５分焼成し、厚さ１１０ｎｍの銀陰極を形成し、有機ＥＬ素子３－８を製造した。
　《有機ＥＬ素子３－１～３－７及び３－９～３－２４の製造》
　有機ＥＬ素子３－８において、表３に示したように電子輸送層の構成材料（電子輸送材料ともいう）を変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３－１～３－７及び３－９～３－２４を各々製造した。
　製造時、有機ＥＬ素子３－２２、３－２４の製造においては、電子輸送層の塗布時に下層の発光層が流出し、素子を製造することができなかった。
　また、有機ＥＬ素子３－２３においては、実施例１の試料Ｎｏ．１２で示したようにＥＴ－８（ＢＡｌｑ）の溶液安定性が著しく悪く、素子を製造できなかった。
　《有機ＥＬ素子３－１～３－２４の評価》
　実施例２に記載の素子の評価方法と全く同様にして、有機ＥＬ素子３－１～３－２４の素子評価を行った。
　評価においては、有機ＥＬ素子３－２１の外部量子効率、発光寿命、駆動電圧をそれぞれ１００として相対評価を行い、その結果を表３に示した。
　尚、素子が製造できなかった有機ＥＬ素子３－２２、３－２３、３－２４に関しては評価を行わなかった。
　得られた結果を下記の表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000040
　表３から、本発明に係る一般式（１）で表される化合物を電子輸送材料として電子輸送層に含有させた本発明の有機ＥＬ素子は、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命も長く、且つ、低駆動電圧であることが明かである。
　一方、電子輸送材料として従来良く知られているＢＡｌｑは溶液での安定性が非常に悪いため、湿式法では、電子輸送層が形成できていないことがわかる。
　実施例５
　《有機ＥＬ素子４－１の作製》
　陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ－４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
　この透明支持基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　Ａｌ　４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
　この正孔輸送層上に、４０ｍｇのＢＨ－１６と２ｍｇのＩＤ－４を脱水メシチレン２．５ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。
　この発光層上に、３０ｍｇのＨＳ－４２を脱水１，１，１－３，３，３－ヘキサフルオロイソプロパノール６ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜した。１２０℃で１時間加熱乾燥し、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を設けた。
　ＧａＩｎＳｎ（Ｇａ：Ｉｎ：Ｓｎが６２質量％：２５質量％：１３質量％）の液体合金中に上記で得られたＧａＩｎ（Ｇａ：Ｉｎが１５質量％：８５質量％）合金を２０質量％浸漬して６時間静置した後、攪拌しペースト状とし、更に１２０℃で１０分間撹拌し、低融点金属ペーストを調製した。
　得られたペーストをディスペンサーにセットし、１００℃に加温しながら吐出・パターニングを行い、陰極を形成し、有機ＥＬ素子４－１を製造した。
　《有機ＥＬ素子４－２の製造》
　有機ＥＬ素子４－１の製造において、発光層上に電子輸送層を設けることなしに直接陰極を形成する以外は全く同様にして、有機ＥＬ素子４－２を製造した。
　得られた有機ＥＬ素子の評価は、実施例２に記載と同様にして行った。
　有機ＥＬ素子４－１の外部量子効率、発光寿命、駆動電圧を各々１００として相対評価を行ったところ、電子輸送層が欠落している有機ＥＬ素子４－２の外部量子効率、発光寿命、駆動電圧は、各々６９、５、２００となり、リン光発光性の有機ＥＬ素子における電子輸送層の重要性が明確になった。
　実施例６
　《フルカラー表示装置の作製》
　（青色発光有機ＥＬ素子）
　実施例２に記載の有機ＥＬ素子２－１を用いた。
　（緑色発光有機ＥＬ素子）
　実施例２で製造した有機ＥＬ素子２－１において、ＩＤ－４をＰＤ－１に変更した以外は同様にして、緑色発光有機ＥＬ素子２－１Ｇを作製した。
　（赤色発光有機ＥＬ素子）
　実施例２で製造した有機ＥＬ素子２－１において、ＩＤ－４をＰＤ－１０に変更した以外は同様にして、赤色発光有機ＥＬ素子２－１Ｒを作製した。
　上記の赤色、緑色及び青色発光有機ＥＬ素子を、同一基板上に並置し、図１に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。
　即ち、同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。
　前記複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
　この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
　該フルカラー表示装置を駆動することにより、低駆動電圧で、外部量子効率（発光効率ともいう）が高く、且つ、発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。
　実施例７
　《白色発光照明装置の作製》
　実施例２の有機ＥＬ素子２－１の製造において、ＩＤ－４をＰＤ－１、ＰＤ－１０、ＩＤ－４に変更した以外は同様して、白色発光有機ＥＬ素子２－１Ｗを製造した。
　得られた有機ＥＬ素子２－１Ｗを同様に、非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、低駆動電圧で、外部量子効率（発光効率ともいう）が高く、且つ、発光寿命の長い白色光を発する薄型の白色発光照明装置として使用することができた。
　１　ディスプレイ
　３　画素
　５　走査線
　６　データ線
　７　電源ライン
　１０　有機ＥＬ素子
　１１　スイッチングトランジスタ
　１２　駆動トランジスタ
　１３　コンデンサ
　Ａ　表示部
　Ｂ　制御部
　１０７　透明電極付きガラス基板
　１０６　有機ＥＬ層
　１０５　陰極
　１０２　ガラスカバー
　１０８　窒素ガス
　１０９　捕水剤

Claims (18)

  1. 陽極と陰極の間に挟持された有機層を有するリン光発光性の有機ＥＬ素子において、
    　該有機層の構成層として該陰極に隣接する電子輸送層を有し、該電子輸送層が、湿式法により成膜される工程を経て形成され、低分子量化合物または非共役系高分子量化合物を含有し、且つ、該陰極が導電性ペーストを用いて湿式法により成膜される工程を経て形成されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 前記低分子量化合物が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    　一般式（１）
    　Ｑｍ－Ｌｎ
    〔式中、Ｌは縮合した芳香族複素環を表し、Ｑは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、であり、ｎ、ｍは、各々１～３の整数である。ｎが２以上の時は、Ｌは互いに異なっていても良く、ｍが２以上の時は、Ｑは互いに異なっていても良い。〕
  3. 前記一般式（１）で表される化合物のＬが下記一般式（２）で表される部分構造を有することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    〔式中、Ａは、－Ｏ－、－Ｓ－または－Ｎ（Ｒ１）－を表し、Ａ１１～Ａ１８は、各々窒素原子または－Ｃ（Ｒ２）－を表す。Ｒ１、Ｒ２は、各々結合手、水素原子または置換基を表す。但し、－Ｃ（Ｒ２）－が複数の場合、各々の－Ｃ（Ｒ２）－は同じでも異なっていても良い。〕
  4. 前記一般式（１）で表される化合物が部分構造として少なくとも一つのピリジン環を有することを特徴とする請求項２または３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 前記導電性ペーストが、導電性化合物分散液及び低融点金属化合物から選択される少なくとも１つを含有することを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 前記導電性化合物分散液が金属ナノ粒子分散液であることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 前記電子輸送層と前記陰極の界面に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記導電性ペーストが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記電子輸送層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 構成層としてリン光発光性の発光層を有し、該発光層は電子輸送層と隣接し、且つ、前記発光層は、少なくともリン光発光性ドーパントと発光ホストを含有し、該リン光発光性ドーパントが下記一般式（Ａ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    〔式中、Ｑ１は５員または６員の芳香環を表す。Ａｒは芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子または置換基を表す。ｋは２または３の整数を示し、イリジウムの価数を満足するようにｍ個の副配位子Ｌを有する。〕
  11. 前記リン光発光性の発光層が、前記一般式（１）で表される化合物を発光ホストとして含有することを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、電子輸送層を湿式法により塗布・成膜される工程、次いで、陰極を導電性ペーストを用いて湿式法により塗布・成膜する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  13. 前記導電性ペーストが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有することを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  14. 前記一般式（１）で表される化合物及び、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物との混合溶液または混合分散液を用いて湿式法により成膜して電子輸送層を形成する工程、次いで、陰極を導電性ペーストを用いて湿式法により成膜する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  15. 前記一般式（１）で表される化合物を含有する塗布液または分散液を用いて湿式法により成膜して電子輸送層を形成する工程、次いで、アルカリ金属、アルカリ土類金属、該アルカリ金属の化合物または該アルカリ土類金属の化合物を含有する溶液または分散液を該電子輸送層に含浸させる工程の後に、陰極を導電性ペーストを用いて湿式法により成膜する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  16. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備したことを特徴とする白色有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または請求項１６に記載の白色有機エレクトロルミネッセンス素子を具備したことを特徴とする表示装置。
  18. 請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子または請求項１６に記載の白色有機エレクトロルミネッセンス素子を具備したことを特徴とする照明装置。
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