DE1246884B - Semiconducting electrode system - Google Patents

Semiconducting electrode system

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DE1246884B
DE1246884B DEN15740A DEN0015740A DE1246884B DE 1246884 B DE1246884 B DE 1246884B DE N15740 A DEN15740 A DE N15740A DE N0015740 A DEN0015740 A DE N0015740A DE 1246884 B DE1246884 B DE 1246884B
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Ludovicus Augustinus Esseling
Johannes Jacobus Van Der Spek
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

DEUTSCHES PATENTAMTGERMAN PATENT OFFICE AUSLEGESCHRIFTEDITORIAL DeutscheKl.: 21g-U/02German class: 21g-U / 02

Nummer: 1246 884Number: 1246 884

Aktenzeichen: N15740 VIII c/21 gFile number: N15740 VIII c / 21 g

J 246 884 Anmeldetag: 18. Oktober 1958 J 246 884 filing date: October 18, 1958

Auslegetag: 10. August 1967Opened on: August 10, 1967

Die Erfindung betrifft ein halbleitendes Elektrodensystem, z. B. einen Transistor oder eine Kristalldiode, mit einer Metallhülle, die mittels einer Kaltschweißung verschlossen ist. Eine solche Metallhülle ist z. B. in der französischen Patentschrift 1130175 beschrieben.The invention relates to a semiconducting electrode system, e.g. B. a transistor or a crystal diode, with a metal shell that is closed by means of a cold weld. Such a metal shell is z. Am the French patent 1130175 described.

Dabei kann eine Kaltschweißung Verwendung finden, um z. B. zwei Teile des Gehäuses, insbesondere einen Boden und einen Deckel, zu verbinden oder um ein metallenes Pumpröhrchen zu verschließen.A cold weld can be used to make z. B. two parts of the housing, in particular a base and a lid, to connect or to close a metal pump tube.

Eine so verschlossene Metallhülle, insbesondere zur Verwendung bei Entladungsröhren, ist bereits in der britischen Patentschrift 561111 beschrieben, in der auch ausgeführt ist, daß einer der Vorteile der angewendeten Kaltschweißung darin zu sehen ist, daß keine Gasentwicklung auftritt.A metal shell closed in this way, in particular for use in discharge tubes, is already in British Patent 561111, which also states that one of the advantages of applied cold welding can be seen in the fact that no gas development occurs.

Überraschenderweise hat sich jedoch gezeigt, daß die elektrischen Eigenschaften von in kaltgeschweißten Metallhüllen angeordneten halbleitenden Elektrodensystemen sich nach der Kaltschweißung verschlechtern. Bei Dioden nahm insbesondere der Leckstrom zu.Surprisingly, however, it has been shown that the electrical properties of in cold-welded Metal sheaths arranged semiconducting electrode systems deteriorate after the cold welding. In the case of diodes, the leakage current increased in particular.

Der Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, daß diese Erscheinungen auf das Auftreten von Gasen oder festen Verunreinigungen beim Kaltschweißen zurückzuführen sind, und die Erfindung zielt u. a. auf die Beseitigung dieses Nachteiles ab.The invention is based on the knowledge that these phenomena are due to the occurrence of gases or solid contaminants in cold welding, and the invention aims i.a. aimed at eliminating this disadvantage.

Gemäß der Erfindung ist in der Hülle zwischen dem halbleitenden Elektrodensystem und der genannten Kaltschweißung eine mechanische Abschirmung derart angebracht, daß der direkte Weg zwischen der Kaltschweißstelle und dem Elektrodensystem unterbrochen ist.According to the invention, there is in the sheath between the semiconducting electrode system and the aforementioned Cold welding a mechanical shield attached in such a way that the direct path between the cold weld and the electrode system is interrupted.

Es hat sich nämlich gezeigt, daß von der Kaltschweißstelle »explosionsartig«, d. h. ganz kurzzeitig, Gase und eventuell andere Teilchen ausgehen und es daher ausreichend ist, wenn der direkte Weg zwischen der Kaltschweißstelle und dem Elektrodensystem unterbrochen ist.It has been shown that from the cold weld point "explosively", i. H. very briefly, Gases and possibly other particles go out and it is therefore sufficient if the direct route between the cold weld and the electrode system is interrupted.

Es sei noch erwähnt, daß aus der französischen Patentschrift 1149 240 ein in einer kaltgeschweißten Metallhülle angeordnetes halbleitendes Elektrodensystem bekannt war, bei dem der Innenraum der Hülle durch ein Montageblech in zwei Teile aufgeteilt ist. Das halbleitende Elektrodensystem erstreckt sich jedoch zu beiden Seiten des Montagebleches, so daß dies den direkten Weg zwischen der oder den Kaltschweißstellen und dem Elektrodensystem nicht unterbricht.It should also be mentioned that from French patent specification 1149 240 a cold-welded in a Metal shell arranged semiconducting electrode system was known, in which the interior of the Shell is divided into two parts by a mounting plate. The semiconducting electrode system extends However, on both sides of the mounting plate, so that this is the direct path between the or the Cold welds and the electrode system.

Gemäß weiteren Ausgestaltungen der Erfindung besteht die Abschirmung aus einer elektrisch isolierenden Scheibe, die an einer Zuleitung des Systems befestigt ist oder aus einem rings um das System an-According to further refinements of the invention, the shield consists of an electrically insulating one Disc, which is attached to a supply line of the system or from a one around the system.

Halbleitendes ElektrodensystemSemiconducting electrode system

Anmelder:Applicant:

N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven
(Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven
(Netherlands)

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7Dipl.-Ing. EE Walther, patent attorney,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7th

Als Erfinder benannt:Named as inventor:

Johannes Jacobus van der Spek, Eindhoven;
Ludovicus Augustinus Lambertus Esseling,
Nijmegen (Niederlande)Johannes Jacobus van der Spek, Eindhoven;
Ludovicus Augustinus Lambertus Esseling,
Nijmegen (Netherlands)

Beanspruchte Priorität:Claimed priority:

Niederlande vom 22. Oktober 1957 (221824) - Netherlands of October 22 , 1957 (221824) -

geordneten Röhrchen, das an einem Teil der Hülle befestigt ist.ordered tube attached to part of the envelope.

Falls das Gehäuse mittels mehr als einer Kaltschweißung abgedichtet ist, reicht eine Abschirmung zwischen der letzten Kaltschweißstelle und dem Elektrodensystem aus, sofern es möglich ist, beim Ausführen der anderen Kaltschweißung(en) die erzeugten Gase oder schädlichen Verunreinigungen abzusaugen. If the housing is sealed by means of more than one cold weld, a shield is sufficient between the last cold weld and the electrode system, if possible, during execution the other cold weld (s) to extract the generated gases or harmful impurities.

Es sei bemerkt, daß im allgemeinen unter Kaltschweißung eine Verschweißung zu verstehen ist, die dadurch entsteht, daß zwei Metalle von etwa gleicher Härte aufeinander angeordnet werden und anschließend senkrecht zur Berührungsebene ein so hoher Druck ausgeübt wird, daß ein starkes Fließen des Metalls in einer Richtung senkrecht zu der des Preßdrucks erfolgt. Durch dieses Fließen des Metalls wird die etwaige Oxydhaut des Metalls zerrissen, und die beiden Teile fließen zusammen. Im vorliegenden Fall sind unter der Bezeichnung »Kaltschweißung« aber auch Verschweißungen zu verstehen, bei denen das Metall von nur einem der beiden Teile zum Fließen gebracht wird, weil gerade bei der starken Verformung von Metallen Gase oder schädliche Verunreinigungen frei werden und das Zusammenfließen zweier Teile an sich dabei keine Rolle spielt.It should be noted that, in general, cold weld is to be understood as a weld which arises from the fact that two metals of approximately the same hardness are placed on top of one another and then so high a pressure is exerted perpendicular to the contact plane that a strong flow of the Metal takes place in a direction perpendicular to that of the pressing pressure. Through this flow of the metal any oxide skin on the metal is torn, and the two parts flow together. In the present In this case, however, the term "cold welding" also includes welds, in which the metal is made to flow by only one of the two parts, because straight when metals are deformed, gases or harmful impurities are released and that The confluence of two parts in itself does not matter.

709 620/407709 620/407

Claims (1)

Die Erfindung wird an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Die Figur zeigt eine Kristalldiode im Schnitt. Die Diode hat einen z. B. aus Kupfer bestehenden Boden 1. An einem erhöhten Teil 2, in der Mitte des Bodens, ist ein Siliziumkristall 3 mit einem gleichrichtenden Kontakt 4 festgelötet. An diesem Kontakt ist ein Leiter 5 befestigt. Unweit des Randes des Bodens 1 ist eine Nut 6 vorgesehen. In dieser Nut ist eine zylindrische Kappe 6 angeordnet, die an der Unterseite mit einem Flansch 8 ausgestattet ist. Im oberen Ende der Kappe befindet sich ein Isolator 9 aus sogenanntem Pulverglas, der mit einem Röhrchen 10 verschmolzen ist. Dieses Röhrchen kann mittels einer Zange, von der lediglich die Backen 11 dargestellt sind, zugequetscht werden. Dies erfolgt im letzten Herstellungsgang der Diode, nachdem der untere Rand 8 der Kappe 7 in der Nut 6 festgedrückt worden ist. Die Abdichtung längs dieses Randes ist durch einen Ring 12 aus Zinn gesichert, der in der Nut 6 untergebracht ist. Es hat sich gezeigt, daß bei einer so aufgebauten Diode der Leckstrom des wirksamen Teiles der aus dem Boden 1, dem Kristall 3, dem Kontakt 4 und der Zuleitung 5 bestehenden Diode einen sehr niedrigen, verhältnismäßig konstanten Wert beibehielt, bis das Röhrchen 10 zugequetscht wurde. Nach der Quetschung stieg der Leckstrom so stark an, daß die Diode praktisch unbrauchbar wurde. Diese Steigung machte sich bereits bemerkbar, sobald das Röhrchen 10 verformt wurde, und noch ohne Einklemmung der Leitung 5. Nach einer Ausbildung der Erfindung ist eine Glimmerscheibe 15 über den Leiter 5 geschoben. Obwohl diese Scheibe am Rand 16 einen großen Spielraum in bezug auf die Innenwand der Kappe 7 haben kann, läßt sich auf diese Weise eine Steigerung des Leckstroms verhüten. Es wurde bereits bemerkt, daß das Zudrücken des Randes 8 der Kappe in der Nut 6 nur einen geringen Einfluß auf den Leckstrom hat, wahrscheinlich weil die Nut 6 so tief war, daß bereits hierdurch eine hinreichende Abschirmung entsteht. Wäre die Nut weniger tief oder würde aus anderen Gründen das Zudrücken des Randes den Leckstrom steigern, so könnte z. B. ein gestrichelt dargestellter rohr förmiger Schirm 20 rings um den erhöhten Teil geklemmt werden. Im Rahmen der Erfindung sind natürlich viele Abwandlungen möglich, insbesondere in bezug auf die verwendeten Werkstoffe und die Halterungsart der Abschirmung zwischen der Kaltschweiße und dem halbleitenden Elektrodensystem. Wichtig ist es aber, daß die bei starker Materialverformung frei werdenden Verunreinigungen, gleichgültig welcher Art, das halbleitende Elektrodensystem nicht unmittelbar zu erreichen vermögen. Patentansprüche:The invention is explained in more detail using an exemplary embodiment shown in the drawing. The figure shows a crystal diode in section. The diode has a z. B. made of copper bottom 1. On a raised part 2, in the middle of the bottom, a silicon crystal 3 is soldered to a rectifying contact 4. A conductor 5 is attached to this contact. A groove 6 is provided not far from the edge of the base 1. A cylindrical cap 6, which is equipped with a flange 8 on the underside, is arranged in this groove. In the upper end of the cap there is an insulator 9 made of so-called powder glass, which is fused to a tube 10. This tube can be squeezed shut by means of a pair of pliers, of which only the jaws 11 are shown. This takes place in the last production step of the diode after the lower edge 8 of the cap 7 has been pressed into the groove 6. The seal along this edge is ensured by a ring 12 made of tin, which is housed in the groove 6. It has been shown that with a diode constructed in this way, the leakage current of the active part of the diode consisting of the base 1, the crystal 3, the contact 4 and the supply line 5 maintained a very low, relatively constant value until the tube 10 was squeezed . After the pinching, the leakage current increased so much that the diode was practically unusable. This slope was already noticeable as soon as the tube 10 was deformed, and still without the line 5 being jammed. According to one embodiment of the invention, a mica disk 15 is pushed over the conductor 5. Although this disc at the edge 16 can have a large amount of clearance with respect to the inner wall of the cap 7, an increase in the leakage current can be prevented in this way. It has already been noted that the pressing shut of the edge 8 of the cap in the groove 6 has only a slight influence on the leakage current, probably because the groove 6 was so deep that this alone provides adequate shielding. If the groove were less deep or if for other reasons the pressing of the edge would increase the leakage current, z. B. a tubular screen shown in dashed lines 20 are clamped around the raised part. Many modifications are of course possible within the scope of the invention, in particular with regard to the materials used and the type of mounting of the shield between the cold weld and the semiconducting electrode system. It is important, however, that the impurities released when the material is severely deformed, regardless of the type, cannot directly reach the semiconducting electrode system. Patent claims: 1. Halbleitendes Elektrodensystem, z. B. ein Transistor oder eine Kristalldiode, mit einer Metallhülle, die mittels einer Kaltschweißung verschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der Hülle zwischen dem halbleitenden Elektrodensystem und der genannten Kaltschweißung eine mechanische Abschirmung angebracht ist, derart, daß der direkte Weg zwischen der Kaltschweißstelle und dem Elektrodensystem unterbrochen ist.1. Semiconducting electrode system, e.g. B. a transistor or a crystal diode, with a metal shell, which is closed by means of a cold weld, characterized in that in the sheath between the semiconducting A mechanical shield is attached to the electrode system and the aforementioned cold welding is such that the direct path between the cold weld and the electrode system is interrupted. 2. Halbleitendes Elektrodensystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung aus einer elektrisch isolierenden Scheibe besteht.2. Semiconducting electrode system according to claim 1, characterized in that the shield consists of an electrically insulating disc. 3. Halbleitendes Elektrodensystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Scheibe an einer Zuleitung des Systems befestigt ist.3. Semiconducting electrode system according to claim 1 or 2, characterized in that the disk is attached to a supply line of the system. 4. Halbleitendes Elektrodensystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung aus einem rings um das System angeordneten Röhrchen besteht.4. Semiconducting electrode system according to claim 1, characterized in that the shield consists of a arranged around the system Tube consists. 5. Halbleitendes Elektrodensystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Röhrchen an einem Teil der Hülle befestigt ist.5. Semiconducting electrode system according to claim 4, characterized in that the tube is attached to part of the shell. In Betracht gezogene Druckschriften:
Französische Patentschriften Nr. 1130 175.
240;
britische Patentschrift Nr. 561111;
USA.-Patentschrift Nr. 2 808 543.Considered publications:
French patent specification No. 1130 175.
240;
British Patent No. 561111;
U.S. Patent No. 2,808,543. Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 709 620/407 7.67 © Bundesdruckerei Berlin709 620/407 7.67 © Bundesdruckerei Berlin
DEN15740A 1957-10-22 1958-10-18 Semiconducting electrode system Pending DE1246884B (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3068382A (en) * 1960-05-23 1962-12-11 Westinghouse Electric Corp Hermetically sealed semiconductor devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB561111A (en) * 1941-11-01 1944-05-05 Marconi Wireless Telegraph Co Improvements in or relating to hermetic seals
FR1130175A (en) * 1954-08-23 1957-01-31 Gen Electric Co Ltd Semiconductor
US2808543A (en) * 1956-01-30 1957-10-01 Hughes Aircraft Co Mounting means for semiconductor crystal body
FR1149240A (en) * 1955-03-24 1957-12-23 Hughes Aircraft Co Transistor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB561111A (en) * 1941-11-01 1944-05-05 Marconi Wireless Telegraph Co Improvements in or relating to hermetic seals
FR1130175A (en) * 1954-08-23 1957-01-31 Gen Electric Co Ltd Semiconductor
FR1149240A (en) * 1955-03-24 1957-12-23 Hughes Aircraft Co Transistor
US2808543A (en) * 1956-01-30 1957-10-01 Hughes Aircraft Co Mounting means for semiconductor crystal body

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