DE2329462A1 - IMAGE STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - Google Patents
IMAGE STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAMEInfo
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Description
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Die Erfindung betrifft eine Bildspeichervorrichtung auf Photoleiter-Flüssigkristallbasis sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.The invention relates to an image storage device based on photoconductor liquid crystal and to a method of manufacture the same.
In jüngster Zeit hat eine Gruppe von Substanzen steigende Beachtung erlangt, welche beim Übergang aus ihrem festen Kristallzustand in einen isotropen Flüssigkeitszustand innerhalb eines speziellen Temperaturbereiches in einen mesomorphen Zwischenzustand übergehen. In diesem mesomorphen Zustand zeigen diese Substanzen Theologische Eigenschaften, die ähnlich denen von Flüssigkeiten sind. Sie zeigen jedoch optische Eigenschaften, die denen des kristallinen Zustandes ähnlich sind.Recently, a group of substances has received increasing attention which, when transitioning from their solid crystal state to an isotropic liquid state within transition into a mesomorphic intermediate state within a special temperature range. Show in this mesomorphic state these substances have theological properties similar to those of liquids. However, they show optical properties that are similar to those of the crystalline state.
Substanzen, die sich in diesem mesomorphen Zustand befinden, werden bekanntlich als flüssige Kristalle oder Flüssigkristalle bezeichnet.Substances that are in this mesomorphic state are known as liquid crystals or liquid crystals.
Der mesomorphe Zustand besteht tatsächlich aus drei verschiedenen Formen, nämlich der sogenannten smektischen Mesophase, der nematischen Mesophase und der cholesterischen Mesophase. Von diesen drei Formen haben bis heute lediglich die nematische und die cholesterische Mesophase praktische Bedeutung erlangt. Ein nematischer flüssiger Kristall ist im Grunde transparent und somit lichtdurchlässig. Wird jedoch ein|elektrisches Gleichstromfeld über den nematischen Flüssigkristall gelegt, so erfolgt eine Disorientierung der Moleküle, so daß der Flüssigkristall Licht streut und ein milchig-weisses Aussehen annimmt. Wird das elektrische Feld aufgehoben, so kehren die Moleküle des Flüssigkristalls in ihre ursprüngliche Orientierung zurück,The mesomorphic state actually consists of three different forms, namely the so-called smectic mesophase, the nematic mesophase and the cholesteric mesophase. Of these three forms, only the nematic have to date and the cholesteric mesophase becomes of practical importance. A nematic liquid crystal is basically transparent and therefore translucent. If, however, an electrical direct current field is placed over the nematic liquid crystal, the molecules are disoriented so that the liquid crystal scatters light and takes on a milky-white appearance. If the electric field is canceled, the molecules of the liquid crystal return to their original orientation,
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so daß der Flüssigkristall erneut transparent wird. Dies Phänomen wird beispielsweise in einem Aufsatz von Heilmeier, Zanoni und Barton "Dynamic Scattering: A New Electro-Optical Effect in Certain Classes of Nematic Liquid Crystals" auf Seiten 1162 bis 1171 der "Proceedings of the IEEE for July 1968" näher beschrieben.so that the liquid crystal becomes transparent again. This phenomenon is, for example, in an essay by Heilmeier, Zanoni and Barton, "Dynamic Scattering: A New Electro-Optical Effect in Certain Classes of Nematic Liquid Crystals" at pages 1162 to 1171 of the "Proceedings of the IEEE for July 1968".
Es hat sich gezeigt, daß eine Mischung aus cholesterischen und nematischen Flüssigkristallen die Eigenschaft hat, aus einem ursprünglichen transparenten Zustand in einen milchig-weißen lichtstreuenden Zustand überzugehen, wenn ein elektrisches Gleichstrollfeld oder elektrisches Wechselstromfeld niedriger Frequenz angelegt wird, wobei bei Entfernung des Feldes das Flüssigkristallmaterial im lichtstreuenden Zustand verbleibt und diesen Zustand beibehält, bis es durch Einwirkung eines hochfrequenten Wechselstromsignales den transparenten Zustand wieder einnimmt. Dieses Verhalten von cholesterischen und nematischen Flüssigkristallmischungen wird näher in einem Aufsatz von Heilmeier und Goldmacher unter der Überschrift "A New Electric Field Controlled Reflective Optical Storage Effect In Mixed-Liquid Crystal Systems" in "Applied Physics Letters for August 15, 1968" auf Seiten 132 und 133 näher beschrieben.It has been shown to be a mixture of cholesteric and nematic liquid crystals has the property of one original transparent state to change into a milky-white light-diffusing state when an electrical Direct current field or electric alternating current field of low frequency is applied, whereby when the field is removed the Liquid crystal material remains in the light-scattering state and maintains that state until it is exposed to a high-frequency alternating current signal assumes the transparent state again. This behavior of cholesteric and nematic liquid-crystal mixtures is discussed in more detail in an article von Heilmeier and Goldmacher under the heading "A New Electric Field Controlled Reflective Optical Storage Effect In Mixed-Liquid Crystal Systems "in" Applied Physics Letters for August 15, 1968 "on pages 132 and 133 described in more detail.
Aus den US-PS 3 592 527 sowie 3 627 408 und den US-Patentanmeldungen 81 959 und 81 960/ist die kombinierte Verwendung eines Flüssigkristallmaterials mit einem Photoleiter bekannt. Die gleichzeitige Verwendung eines Flüssigkristallmaterials und eines Photoleiters erfolgt dabei in einem Sandwich aus einer ersten transparenten Elektrode, einer Photoleiterschicht, einer Flüssigkristallschicht und einer zweiten transparenten Elektrode. An die Elektroden eines solchen Sandwiches kann ein elektrisches Feld angelegt und ein darzustellendes oder vorzuführendes Strahlungsmuster kann auf die Photoleiterschicht /" vergl. auch die US-PS 3 722 99 8 und die FR-PS 2 111 293From U.S. Patents 3,592,527 and 3,627,408 and U.S. Patent Applications 81,959 and 81,960 / is the combined use a liquid crystal material with a photoconductor is known. The simultaneous use of a liquid crystal material and a photoconductor takes place in a sandwich of a first transparent electrode, a photoconductor layer, a liquid crystal layer and a second transparent electrode. Can be attached to the electrodes of such a sandwich An electric field is applied and a radiation pattern to be represented or demonstrated can be applied to the photoconductor layer See also US Pat. No. 3,722,998 and French Pat. No. 2,111,293
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durch die erste Elektrode projiziert werden, wobei die Photoleiterschicht in den exponierten Bezirken leitfähig wird. Die Leitfähigkeit des Photoleitermaterials führt zu einem Stromfluß zwischen den Elektroden, wodurch eine Veränderung des Durchlässigkeitsgrades des Flüssigkristallfilmes erzeugt wird unter Erzeugung eines Bildes entsprechend dem Strahlungsmuster. Das in dem Flüssigkristall erzeugte Bild läßt sich dann durch die zweite Elektrode durch Raumlicht oder künstliches Licht sichtbar machen, welches von einer Spektral-Mosaikschicht zwischen der Photoleiterschicht und der Flüssigkristallschicht oder einer opaken Beschichtung (wie in den vorerwähnten Patentschriften beschrieben) reflektiert wird oder durch Projektion des Bildes durch eine Lichtquelle durch den Photoleiter-Flüssigkristall-Sandwich (wie in den vorerwähnten US-Patentanmeldungen) .projected through the first electrode, the photoconductor layer becomes conductive in the exposed areas. The conductivity of the photoconductor material leads to a flow of current between the electrodes, thereby producing a change in the transmittance of the liquid crystal film generating an image corresponding to the radiation pattern. The image formed in the liquid crystal can then make visible through the second electrode by room light or artificial light, which is from a spectral mosaic layer between the photoconductor layer and the liquid crystal layer or an opaque coating (as in the aforementioned patents described) is reflected or by projection of the image by a light source through the photoconductor-liquid crystal sandwich (as in the aforementioned U.S. patent applications).
Zur Herstellung einer Bildspeichervorrichtung oder Bildvorführvorrichtung auf Photoleiter-Flüssigkristall-Basis geeigneten Aufbaues und zur Verwendung im Durchstrahlungsverfahren (im Gegensatz zum Reflexionsverfahren) ist es notwendig, ein geeignetes Photoleitermaterial aufzufinden, auf welchem eine transparente Schicht erzeugt werden kann unter Beibehaltung einer ausreichenden Photoleitfähigkeit zwecks Erzeugung eines Strahlungsmusters durch eingestrahlte Strahlung. Es hat sich gezeigt, daß die bisher bekannten Stoffe mit diesen Eigenschaften mit den bekannten Flüssigkristallmaterialien chemisch unverträglich waren. Es wurde daher bereits vorgeschlagen, zur Erzielung einer geeigneten Vorrichtung dieses Typs eine Trennschicht zwischen dem photoleitfähigen Material und dem Flüssigkristallmaterial anzuordnen. Die Verwendung einer solchen Trennschicht hat sich jedoch nur als wenig erfolgreich erwiesen. For making an image storage device or image presentation device on a photoconductor liquid crystal basis and suitable for use in the radiographic process (im In contrast to the reflection method) it is necessary to have a suitable Find photoconductor material on which a transparent layer can be created while maintaining a sufficient photoconductivity for the purpose of generating a radiation pattern by irradiated radiation. It has has shown that the previously known substances with these properties are chemically incompatible with the known liquid crystal materials was. It has therefore already been proposed to use a separating layer in order to achieve a suitable device of this type to be placed between the photoconductive material and the liquid crystal material. The use of such However, separation layer has proven to be less than successful.
Aufgabe der Erfindung war es, eine verbesserte Bildspeichervorrichtung oder Bildvorführvorrichtung auf Photoleiter-The object of the invention was to provide an improved image storage device or image demonstration device on photoconductor
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Flüssigkristall-Basis anzugeben. Die neue Vorrichtung sollte dabei insbesondere chemisch stabil sein und ein verbessertes Bildspeichervermögen aufweisen. Die neue Vorrichtung sollte insbesondere dadurch gekennzeichnet sein, daß sie ein photoleitfähiges Material aufweist, welches chemisch mit dem Flüssigkristallmaterial verträglich ist.Specify liquid crystal base. The new device should come with it in particular be chemically stable and have an improved image storage capacity. The new device in particular should characterized in that it comprises a photoconductive material which chemically interacts with the liquid crystal material is compatible.
Es wurde gefunden, daß man zu Bildspeichervorrichtungen des beschriebenen Typs dann gelangt, wenn man als Photoleiter Bleioxid verwendet und dieses in Form einer Schicht in einer zwei transparente Elektroden aufweisenden Vorrichtung auf einer Elektrode niederschlägt.It has been found that image storage devices of the described Type is achieved when lead oxide is used as the photoconductor and this is in the form of a layer in a two transparent electrodes having device is deposited on an electrode.
Gegenstand der Erfindung ist somit eine Bildspeichervorrichtung auf Photoleiter-Flüssigkristall-Basis, gekennzeichnet durch zwei im Abstand voneinander angeordnete transparente Elektroden, wobei gilt, daß die eine Elektrode auf der der zweiten Elektrode zugewandten Seite eine Bleioxidschicht als Photoleiterschicht aufgetragen enthält und sich zwischen dem Photoleiter und der zweiten Elektrode eine Flüssigkristallschicht befindet, sowie Mitteln zur Erzeugung einer Spannung zwischen den beiden transparenten Elektroden.The invention thus relates to an image storage device based on photoconductor liquid crystal, characterized by two spaced apart transparent electrodes, it being the case that one electrode is on top of that of the second The side facing the electrode contains a lead oxide layer applied as a photoconductor layer and is located between the photoconductor and a liquid crystal layer is located on the second electrode, and means for generating a voltage therebetween the two transparent electrodes.
Das photoleitfähige Bleioxid kann dabei auf eine der transparenten Elektroden durch Zerstäubung (sputtering technique) aufgebracht werden.The photoconductive lead oxide can be on one of the transparent Electrodes are applied by atomization (sputtering technique).
Um die Bildspeicherungs- und Arbeitscharakteristika der Vorrichtung noch weiter zu verbessern, kann in vorteilhafter Weise eine Siliciumdioxid- oder Aluminiumoxidschicht als isolierende Schicht zwischen der photoleitfähigen Bleioxidschicht und der Flüssigkristallschicht angeordnet werden.About the image storage and operating characteristics of the device To improve even further, a silicon dioxide or aluminum oxide layer can advantageously be used as an insulating Layer can be arranged between the photoconductive lead oxide layer and the liquid crystal layer.
In der Zeichnung ist eine Ausführungsformieiner Bildspeichervorrichtung nach der Erfindung teilweise im Schnitt und schematisch dargestellt.In the drawing is one embodiment of an image storage device according to the invention shown partially in section and schematically.
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Die Vorrichtung besteht aus dem Sandwich 1 aus einer ersten transparenten Elektrode 2 und einer zweiten, im Abstand von der ersten transparenten Elektrode angeordneten zweiten transparenten Elektrode 3. Die transparenten Elektroden 2 und 3 sind aus elektrisch leitenden Materialien aufgebaut, beispielsweise transparenten Elektroden aus z. B. Glas oder einer plastischen Masse mit darauf niedergeschlagenen dünnen Schichten aus Zinnoxid oder Indiumoxid. Zwischen den transparenten Elektroden 2 und befindet sich eine Schicht aus einem Photoleiter 4 und eine Schicht aus einem Flüssigkristall 5, wobei die beiden Schichten gegebenenfalls durch eine Trennschicht 6 voneinander getrennt sein können. Das Photoleitermaterial, Flüssigkristallmaterial und Material zur Herstellung der Trennschicht werden später genauer beschrieben werden.The device consists of the sandwich 1 of a first transparent electrode 2 and a second, at a distance from the First transparent electrode arranged second transparent electrode 3. The transparent electrodes 2 and 3 are off built up electrically conductive materials, for example transparent electrodes made of z. B. glass or a plastic mass with thin layers of tin oxide or indium oxide deposited on it. Between the transparent electrodes 2 and there is a layer of a photoconductor 4 and a layer of a liquid crystal 5, the two layers may optionally be separated from one another by a separating layer 6. The photoconductor material, liquid crystal material and material for making the release layer will be described in detail later.
Um das notwendige Potential selektiv an die Elektroden 2 und anlegen zu können, um den Sandwich 1 zu aktivieren, weisen die Elektroden Elektrodenklemmen oder Endstücke 7 und 8 auf. Das Endstück 7 ist dabei über 9 mit einem beweglichen Schalter 10 verbunden. Das Endglied 8 ist über 11 über eine Lotleine mit einer veränderbaren Gleichspannungsquelle 12 und einer parallelen Wechselspannungsquelle 13 verbunden. Die Spannungsquellen weisen Kontakte 14 bzw. 15 auf, welche sdektiv mit dem beweglichen Glied des Schalters 10 in Kontakt gebracht werden können, so daß entweder ein Gleichstromfeld oder ein Wechselstromfeld an die transparenten Elektroden 2 und 3 angelegt werden kann.In order to be able to selectively apply the necessary potential to the electrodes 2 and 2 in order to activate the sandwich 1, the Electrodes, electrode clamps or end pieces 7 and 8. The end piece 7 is connected to a movable switch 10 via 9 tied together. The end member 8 is via 11 via a plumb line with a variable DC voltage source 12 and a parallel AC voltage source 13 connected. The voltage sources have contacts 14 and 15, which are separately connected to the movable Member of the switch 10 can be brought into contact so that either a direct current field or an alternating current field can be applied to the transparent electrodes 2 and 3.
Die transparente Elektrode 2 weist eine Bleioxidschicht auf, welche durch Zerstäuben von Bleioxid auf die Elektrode aufgetragen sein kann. Eine solche Zerstäubungstechnik von Bleioxid wird beispielsweise näher in der US-Patentanmeldung Ser.No. 259 705 vom 5.6.1972 beschrieben.The transparent electrode 2 has a lead oxide layer, which can be applied to the electrode by sputtering lead oxide. Such a technique of atomization of lead oxide is described in more detail, for example, in U.S. patent application Ser.No. 259 705 of June 5, 1972.
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Das Zerstäuben und Auftragen des Bleioxides kann in einer Vakuumkammer erfolgen, welche beispielsweise evakuiert wird und in welche Sauerstoff gebracht wird mit einem Partialdruck von 1 Mikron und Argon mit einem Partialdruck von 3 Mikron.The lead oxide can be atomized and applied in a vacuum chamber which, for example, is evacuated and in which is brought in oxygen at a partial pressure of 1 micron and argon at a partial pressure of 3 microns.
Durch Verpressen von tetragonalem Bleioxid in einer Metallform wurde zunächst eine Scheibe (target) eines Durchmessers von 12,7 cm hergestellt. Die Scheibe wurde dann bei der Kathode eines RF-Zerstäubungssystems in einer Entfernung von 3 cm vom Substrat (Glas), auf das das Bleioxid aufgestäubt werden sollte, plaziert. Bei einem magnetischen Fluß von 3 Ampdre und einem Batteriestrom von 200 Milliampdre wurde die RF-Einheit eingeschaltet, wodurch der Zerstäubungsprozeß in Gang gesetzt wurde. Der Zerstäubungsprozeß dauerte zweimal 10 Minuten mit einem 30 Minuten währenden Kühlungsintervall zwischen den beiden Zerstäubungsperioden. Die Zeitdauer des Zerstäubungsprozesses bestimmt die Filmdicke. Dies bedeutet, daß selbstverständlich die Bleioxidschicht nicht in dem beschriebenen 2 χ 10 Minuten-Zyklus aufgebracht zu werden braucht, sondern daß auch andere Zerstäubungszeiten und -zyklen durchgeführt werden können.By pressing tetragonal lead oxide in a metal mold a disc (target) with a diameter of 12.7 cm was first produced. The disc was then at the cathode an RF sputtering system at a distance of 3 cm from the substrate (glass) on which the lead oxide should be sputtered. With a magnetic flux of 3 amps and With a battery current of 200 milliamperes, the RF unit was switched on, thereby starting the atomization process became. The atomization process lasted 10 minutes twice with a 30 minute cooling interval between the two atomization periods. The length of time the atomization process takes determines the film thickness. This means that of course the lead oxide layer is not in the described 2 χ 10 minute cycle needs to be applied, but that other atomization times and cycles are carried out can.
Im vorliegenden Fall wurde eine aufgestäubte Oxidschicht in Form eines Fünf-Kristallniederschlages auf dem Substrat erhalten, und zwar unter Ausschaltung von kleinen Löchern (pin holes) und einer relativ porösen Konfiguration, die häufig bei Filmen und Folien beobachtet wird, die durch Verdampfungsverfahren hergestellt werden.In the present case, a sputtered oxide layer in the form of a five-crystal deposit was obtained on the substrate, with the elimination of small holes (pin holes) and a relatively porous configuration often observed in films and foils made by evaporation processes.
Die Ansprechzeit der erhaltenen photoleitfähigen Schicht gegenüber einfallender Strahlung wurde bis in den Mikrosekundenbereich vermindert und der Dunkelstrom der Beschichtung wurde wesentlich gegenüber dem bisher erzielbaren Dunkelstrom vermindert.The response time of the resulting photoconductive layer to incident radiation was decreased to the microsecond range and the dark current of the coating was decreased significantly reduced compared to the previously achievable dark current.
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Obgleich viele bekannte Mischungen aus nematischen und cholesterischen Materialien zur Herstellung einer Bildspeichervorrichtung nach der Erfindung verwendet werden können, hat sich gezeigt, daß eine Mischung von 5 molaren % Cholesteryl-2-äthylhexanoat in N-(p-Methoxybenzyliden)-p-butylanilin zur Herstellung der Flüssigkristallschicht 5 besonders gut geeignet ist und besonders gut mit der aufgestäubten photoleitfähigen Bleioxidschicht 4 zusammenwirkt, ohne daß dabei nachteilige chemische Reaktionen zwischen diesen beiden Schichten auftreten.Although many known mixtures of nematic and cholesteric materials can be used to make an image storage device according to the invention, it has been found that a mixture of 5 molar % cholesteryl 2-ethylhexanoate in N- (p-methoxybenzylidene) -p-butylaniline can be used to make the liquid crystal layer 5 is particularly well suited and interacts particularly well with the sputtered photoconductive lead oxide layer 4 without adverse chemical reactions occurring between these two layers.
Der Photoleiter-Flüssigkristall-Sandwich 1 wird durch Strahlung der Strahlungsquelle 16 aktiviert, der gegenüber die photoleitfähige/4 empfindlich ist. Das Strahlungsmuster, das auf die photoleitfähige Schicht des Sandwich 1 auftrifft, z. B. längs der Blicklinie LS, verursacht eine dynamische Streuung innerhalb der Flüssigkristallschicht 5 bei Einwirkung einer Spannung der veränderlichen Gleichspannungsquelle 12, die bei 17 betrachtet werden kann. Das erzeugte Bild wird dabei in der Flüssigkristallschicht 5 gespeichert, bis es durch Einwirkung einer Wechselspannung von der Spannungsquelle 13 über den Sandwich 1 gelöscht wird.The photoconductor-liquid crystal sandwich 1 is activated by radiation from the radiation source 16, to which the photoconductive / 4 is sensitive. The radiation pattern impinging on the photoconductive layer of the sandwich 1, e.g. B. along the line of sight LS, causes dynamic scattering within the liquid crystal layer 5 when a voltage is applied to the variable DC voltage source 12, which can be viewed at 17. The image generated is stored in the liquid crystal layer 5 until it is erased by the action of an alternating voltage from the voltage source 13 via the sandwich 1.
Der beschriebene Sandwich 1 besitzt die besondere Fähigkeit, in zweierlei Weise verwendbar zu sein. Dies bedeutet, daß ein negatives Bild oder eine Auflösung (scattering), wenn der Photoleiter belichtet wird, in der Vorrichtung gespeichert werden kann, und zwar durch Anwendung eines elektrischen Impulses niedriger Spannung mäßiger Dauer (in typischer Weise 40 Volt bei 500 Millisekunden) von der Gleichspannungsquelle 32,oder daß andererseits ein positives Bild oder eine Auflösung (scattering), wenn der Photoleiter nicht belichtet wird, gespeichert werden kann durch Anwendung eines Hochspannungsimpulses mäßiger Dauer (in typischer Weise 80 Volt bei 500 Millisekunden) von der veränderlichen Gleichspannungsquelle 12.The sandwich 1 described has the particular ability to be used in two ways. This means that a negative image or a dissolution (scattering) when the photoconductor is exposed can be stored in the device by applying a low voltage electrical pulse of moderate duration (typically 40 volts at 500 milliseconds) from the DC voltage source 32, or that on the other hand a positive image or a resolution (Scattering), if the photoconductor is not exposed, can be saved by applying a high voltage pulse moderate duration (typically 80 volts at 500 milliseconds) from the variable DC voltage source 12.
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Obgleich eine zufriedenstellende Bildspeicherung bei solch einer Anordnung erzielt wird, kann eine weiter verbesserte Steuerung des Sandwiches 1 dadurch erzielt werden, daß ein isolierender Film 6 aus z. B. Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid zwischen die Photoleiterschicht 4 und die Flüssigkristallschicht 5 gebracht wird.Although a satisfactory image storage with such an arrangement is achieved, a further improved control of the sandwich 1 can be achieved in that a insulating film 6 made of e.g. B. silicon dioxide or aluminum oxide between the photoconductor layer 4 and the liquid crystal layer 5 is brought.
Ein Sandwich des beschriebenen Typs mit Bleioxid, Siliciumdioxid und einem Flüssigkristall ist in der Lage, Bilder hoher Qualität zu speichern.A sandwich of the type described with lead oxide, silicon dioxide and a liquid crystal is capable of higher images Save quality.
Die Herstellung eines solchen Sandwiches kann in der folgenden Weise bewirkt werden:The production of such a sandwich can be effected in the following way:
Zunächst wird bleioxid auf eine transparente Elektrode in der beschriebenen Weise aufgestäubt oder aufgesprüht. Nachdem die Bleioxidschicht erzeugt ist, kann die beschichtete transparente Elektrode in der Zerstäubungskammer in einer Entfernung von z. B. 3 cm von einer Scheibe (target) angeordnet werden, die aus Siliciumdioxid besteht. Das Aufbringen der Siliciumdioxidschicht kann da-nn z. B. bei einem Magnetfluß von 10 Ampe*re und einem Batteriestrom von 250 Milliampere erfolgen. Bei einem Sauerstoffpartialdruck von 1/2 Mikron und einem Argonpartialdruck von 4 Mikron kann nach Einschalten des RF-Zerstä„ubungsmechanismus 60 Minuten lang Siliciumdioxid auf die Bleioxidschicht aufgestäubt werden. Durch Aufbringen der Flüssigkristallschicht und der zweiten transparenten Elektrode wird auf diese Weise ein Photoleiter-Flüssigkristall-Sandwich 1 erhalten, welcher in 2 Millisekunden bei 600 Volt Gleichspannung ansprechbar ist, bei einem gespeichertem Bild im positiven Sinn. Die Siliciumdioxidschicht dient des weiteren dazu , den Dunkelstrom zu vermindern, wodurch die Zelle bei einer höheren Spannung betrieben werden kann, ohne daß eine nachteilige Verschleierung auftritt, wodurch eine größere Ansprechgeschwindigkeit erzielt wird.First, lead oxide is dusted or sprayed onto a transparent electrode in the manner described. after the Lead oxide layer is generated, the coated transparent electrode in the sputtering chamber at a distance of z. B. 3 cm from a disk (target) made of silicon dioxide. The application of the silicon dioxide layer can da-nn z. B. be done with a magnetic flux of 10 Ampe * re and a battery current of 250 milliamps. At a Oxygen partial pressure of 1/2 micron and an argon partial pressure of 4 microns can be achieved after switching on the RF atomization mechanism Silica can be sputtered onto the lead oxide layer for 60 minutes. By applying the liquid crystal layer and the second transparent electrode, a photoconductor-liquid crystal sandwich 1 is obtained in this way, which can be addressed in 2 milliseconds at 600 volts DC voltage, with a saved image in the positive Sense. The silicon dioxide layer also serves to reduce the dark current, causing the cell to operate at a higher level Voltage can be operated without adverse obscuration occurring, thereby providing a greater speed of response is achieved.
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Die unter Verwendung von Bleioxid, Aluminiumoxid und einem Flüssigkristall aufgebaute bildspeichervorrichtung nach der Erfindung besitzt eine weitere zusätzliche Verwendbarkeit im Vergleich zu vergleichbaren bekannten Vorrichtungen.The image storage device constructed using lead oxide, aluminum oxide and a liquid crystal according to the The invention has a further additional utility compared to comparable known devices.
Eine solche Bildspeichervorrichtung kann beispielsweise dadurch hergestellt werden, daß Bleioxid auf die transparente Elektrode 2 in der beschriebenen Weise aufgebracht wird, worauf die beschichtete transparente Elektrode in der Zerstäubungskammer in einer Entfernung von etwa 3 cm von einer Scheibe aus vorgeformtem Aluminium angeordnet wird. Der magnetische I-'luß wird dann z. B. auf 10 Ampdre und der Batteriestrom auf 250 Milliampere eingestellt bei einem Sauerstoffpartialdruck von 1 Mikron und einem Argonpartialdruck von 3 Mikron. Der RF-Zerstäubungsmechanismus kann dabei auf eine Zerstäubungsdauer von z. B. 6 Minuten eingestellt werden. Nach Aufbringung des Flüssigkristallmaterials und der zweiten transparenten Elektrode wird auf diese Weise eine Bildspeichervorrichtung erhalten, die beispielsweise nach dem Negativverfahren bei 35 Volt Gleichspannung bei 350 Millisekunden und nach dem Positivverfahren bei 170 Volt Gleichspannung bei 40 Millisekunden betrieben werden kann. Es ist jedoch auch möglich, einen raschen Zugang zu erreichen, wenn die Vorrichtung durch einen 10-Mikrosekunden-Lichtimpuls angesprochen wird, welcher 90 Millisekunden nach dem Einsatz eines 150-Volt-Impulses erfolgt. Die Gesamtimpulsdauer bei dieser Methode beträgt 130 Millisekunden.Such an image storage device can be produced, for example, by placing lead oxide on the transparent one Electrode 2 is applied in the manner described, whereupon the coated transparent electrode in the sputtering chamber about 3 cm away from a disc of preformed aluminum. The magnetic one I-'luß is then z. B. to 10 Ampdre and the battery current 250 milliamps set at 1 micron partial pressure of oxygen and 3 microns of argon. The RF atomization mechanism can be based on an atomization time of z. B. 6 minutes can be set. After applying the Liquid crystal material and the second transparent electrode an image storage device is obtained in this way, for example, using the negative process at 35 volts direct voltage at 350 milliseconds and the positive process can be operated at 170 volts DC at 40 milliseconds. However, it is also possible to have quick access to be achieved when the device is triggered by a 10 microsecond pulse of light is addressed, which takes place 90 milliseconds after the use of a 150-volt pulse. The total pulse duration with this method is 130 milliseconds.
Die in der aus Bleioxid, Aluminiumoxid und einem Flüssigkristall aufgebauten Bildspeichervorrichtung nach der Erfindung erzeugten Bilder weisen eine hohe Qualität auf und zeigen in typischer Weise ein Auflösungsvermögen von mindestens 10 Linien pro nun. Eine solche Bildspeichervorrichtung hat den weiteren Vorteil, gegenüber rotem Licht wie auch,blauem Licht und grünem Licht empfindlich zu sein. Eine panchromatische EmpfindlichkeitThose produced in the image memory device composed of lead oxide, aluminum oxide and a liquid crystal according to the invention Images are of high quality and typically show a resolution of at least 10 lines per inch. Such an image storage device has the further advantage over red light as well as blue light and green light to be sensitive. A panchromatic sensitivity
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ist bekanntlich bedeutsam in Anwendungsfällen wie z. B. der Analyse eines Farbnegatives, wie sie beispielsweise in der .US-Patentanmeldung 81 960 beschrieben wird, bei welcher ein Bild in seine Farbkomponenten aufgetrennt werden muß und diese Komponenten individuell eingestellt werden.is known to be significant in applications such as B. the analysis of a color negative, as for example in the .US patent application 81 960 is described in which an image must be separated into its color components and these components can be set individually.
Die Verwendung zerstäubten Bleioxides ermöglicht die Herstellung von gegenüber vergleichbaren Bildspeichervorrichtungen stabileren Vorrichtungen mit verbesserten Gebrauchseigenschaften. So können die erfindungsgemäßen Bildspeichervorrichtungen sowohl zur Speicherung von positiven als auch negativen Bildern verwendet werden, wobei die Ansprechzeiten und die Bildstabilität stark verbessert sind. Durch die zusätzliche Anwendung einer Trennschicht aus Siliciumdioxid oder Aluminiumoxid zwischen der Bleioxidphotoleiterschicht und der Flüssigkristallschicht läßt sich die Qualität der gespeicherten Bilder noch weiter verbessern, wobei die Ansprechzeit noch weiter vermindert werden kann.The use of atomized lead oxide enables the production of image storage devices that are comparable to those of the present invention more stable devices with improved performance characteristics. Thus, the image storage devices according to the invention Can be used to store both positive and negative images, with the response times and image stability are greatly improved. By the additional application of a separating layer of silicon dioxide or aluminum oxide between The lead oxide photoconductor layer and the liquid crystal layer can still improve the quality of the stored images further improve, whereby the response time can be reduced even further.
309881 /0881309881/0881
Claims (6)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26188972A | 1972-06-12 | 1972-06-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2329462A1 true DE2329462A1 (en) | 1974-01-03 |
Family
ID=22995317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732329462 Pending DE2329462A1 (en) | 1972-06-12 | 1973-06-08 | IMAGE STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2329462A1 (en) |
| FR (1) | FR2188201A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148298A (en) * | 1990-03-27 | 1992-09-15 | Victor Company Of Japan | Spatial light modulator |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04301819A (en) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Victor Co Of Japan Ltd | Space optical modulating element |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2109512A5 (en) * | 1970-10-30 | 1972-05-26 | Thomson Csf |
-
1973
- 1973-06-08 FR FR7320889A patent/FR2188201A1/en active Granted
- 1973-06-08 DE DE19732329462 patent/DE2329462A1/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5148298A (en) * | 1990-03-27 | 1992-09-15 | Victor Company Of Japan | Spatial light modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2188201B1 (en) | 1977-02-11 |
| FR2188201A1 (en) | 1974-01-18 |
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