DE2918066C2 - - Google Patents
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
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- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
Silicium durch thermische Zersetzung eines aus Chlorsilanen
und Wasserstoff bestehenden Gasgemisches auf erhitzten
Trägerkörpern, bei dem die aus unverbrauchten und neu gebildeten
Chlorsilanen, aus Chlorwasserstoff und aus Wasserstoff
bestehenden Restgase zurückgewonnen werden, der
zurückgewonnene Wasserstoff und die zurückgewonnenen Chlorsilane
dem Abscheidungsprozeß wieder zugeführt und die
durch die Abscheidung von Silicium verbrauchte Menge an
Chlorsilanen und Wasserstoff durch Zugabe von weiteren
Chlorsilanen und weiterem Wasserstoff ersetzt wird.
Ein solches Verfahren ist z. B. in der US-PS 30 91 517 beschrieben.
Das aus dem Rezipienten einer Gasphasenabscheidevorrichtung
heraustretende Restgasgemisch setzt sich
dort ungefähr aus 4% Chlorsilanen, 1% Chlorwasserstoff
und 95% Wasserstoff zusammen. In einem aufwendigen
Verfahren werden die einzelnen Bestandteile dieses Restgasgemisches
voneinander getrennt. Dazu werden zunächst
die Chlorsilane auskondensiert und einem Chlorsilansammelbecken
zugeführt. Da beim Abscheidungsprozeß neben den unverbrauchten
Chlorsilanen auch neue Chlorsilane entstehen,
werden die Chlorsilane gereinigt und in ihre einzelnen Chlorsilananteile
zerlegt. Der dadurch wiedergewonnene Anteil an
Trichlorsilan (SiHCl₃) wird dem Rezipienten dann wieder zugeführt.
Aus dem verbleibenden Restgasgemisch aus
Chlorwasserstoff und Wasserstoff wird der Chlorwasserstoff
in einer Waschanlage herausgewaschen und der Wasserstoff anschließend
dem Abscheidungsprozeß wiederum zugeführt. Die während
des Abscheidungsprozesses verbrauchte Menge an Chlorsilanen
und Wasserstoff wird durch externe Zugabe von weiteren
Chlorsilanen und weiterem Wasserstoff ersetzt.
Der Erfindung liegt die
Aufgabe zugrunde, die zurückgewonnenen Chlorsilane und den
rückgewonnenen Wasserstoff in einfacher und wirtschaftlicher
Weise dem Abscheidungsprozeß wieder zuzuführen, ohne daß
dieser Prozeß z. B. durch einen Reinigungsprozeß, wie Destillation,
unterbrochen werden muß.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die
zurückgewonnenen Chlorsilane dem Abscheidungsprozeß direkt
wieder zugeführt werden und daß das Verhältnis zwischen
den im Restgas enthaltenen Chlorsilanen während des Abscheidungsprozesses
konstant gehalten wird, indem mit zunehmendem
Durchmesser des Trägerkörpers der Durchsatz des zugeführten
Gasgemisches erhöht und/oder die Abscheidungstemperatur
gesenkt und/oder das Molverhältnis von Chlorsilanen
zu Wasserstoff des zugeführten Gasgemisches verringert
wird.
Die zurückgewonnenen Chlorsilane werden nach Abtrennung
des Chlorwasserstoffes dem Abscheidungsprozeß
direkt, d. h. ohne Durchführung eines Destillationsprozesses
und ohne Durchführung eines Reinigungsprozesses
wieder zugeführt.
Da Trichlorsilan relativ leicht zu handhaben und
kostengünstig herzustellen ist, wird es bevorzugt als
Ausgangsmaterial für den Siliciumabscheidungsprozeß
verwendet. In diesem Falle befinden sich als Chlorsilane
im Abgas im wesentlichen nur Trichlorsilan und neugebildetes
Siliciumtetrachlorid. Bei gegebenen Abscheidungsbedigungen
bildet sich ein Gleichgewichtsverhältnis
zwischen Trichlorsilan und Siliciumtetrachlorid
im Abgas. Mit wachsendem Durchmesser des in der
Regel stabförmigen Trägerkörpers steigt bei sonst unveränderten
Abscheidungsparametern jedoch der Anteil
von Siliciumtetrachlorid im Restgas, d. h., das Molverhältnis
von Trichlorsilan zu Siliciumtetrachlorid wird
mit steigendem Stabdurchmesser kleiner. Um konstante
Verhältnisse im Reaktionsraum zu haben, werden
die Abscheidungsparameter so eingestellt, daß
dieses Molverhältnis nach einer Anlaufphase während
des Abscheidungsprozesses konstant gehalten wird. So
wird beispielsweise vermieden, daß mit steigendem Anteil
an Siliciumtetrachlorid im Restgas die Abscheidungsgeschwindigkeit
sinkt und damit die Dauer des Abscheidungsprozesses
verlängert wird.
Die für die Zusammensetzung des Restgases wichtigen
Abscheidungsparameter sind der Durchsatz, d. h. die dem
Rezipienten pro Zeiteinheit zugeführte Gasgemischmenge,
das Molverhältnis zwischen den Chlorsilanen und dem
Wasserstoff, die dem Rezipienten zugeführt werden, und
die Abscheidungstemperatur der Trägerkörper. Verändert
man nur einen Abscheidungsparameter und hält die restlichen
konstant, so zeigt es sich, daß der Anteil von
Siliciumtetrachlorid im Abgas bei einer Verringerung
des Durchsatzes bzw. bei einer Vergrößerung des Molverhältnisses
von Chlorsilanen zu Wasserstoff bzw. bei
steigender Abscheidungstemperatur wächst. Um das Molverhältnis
der im Abgas enthaltenen Chlorsilane bei
wachsendem Stabdurchmesser konstant zu halten, kann
man also entweder den Durchsatz erhöhen oder das Molverhältnis
erniedrigen oder die Abscheidungstemperatur
senken. Selbstverständlich ist auch eine beliebige Kombination
dieser Maßnahmen möglich.
Da die einzelnen Chlorsilane beim Rückgewinnungsprozeß
im flüssigen Zustand anfallen und unterschiedliche
Dichten aufweisen, ist die Bestimmung des Molverhältnisses
zwischen den im Restgas enthaltenen Chlorsilanen
durch eine Dichtemessung in einfacher Weise durchzuführen.
Weicht die so gemessene Abgaszusammensetzung
bzw. die Dichte des Chlorsilangemisches vom gewünschten
Verhältnis ab, so kann sie durch Veränderung eines oder
mehrerer der oben beschriebenen Parameter wieder auf
den gewünschten Wert geregelt werden. Auf diese Weise
ist es möglich, den gesamten Abscheidungsprozeß durch
die Überwachung nur einer Meßgröße, nämlich des Verhältnisses
der im Abgas enthaltenen Chlorsilane zu regeln.
Werden mehrere Abscheidungsreaktoren verwendet, deren
Abgase in einer gemeinsamen Rückgewinnungsanlage wiedergewonnen
werden, so ist es auch möglich, das konstante
Chlorsilanverhältnis im gemeinsamen Abgas dadurch
herzustellen, daß in den einzelnen Reaktoren
der Abscheidungsprozeß zu unterschiedlichen Zeiten
gestartet wird.
Es ist ein wesentlicher Vorzug der vorliegenden Erfindung,
daß die zurückgewonnenen Chlorsilane direkt dem
Abscheidungsprozeß wieder zugeführt werden. Ein im allgemeinen
üblicher Destillations- und/oder Reinigungsprozeß
erübrigt sich, da die in den dem Abscheidungsprozeß
wieder zugeführten Substanzen enthaltenen Verunreinigungen
so gering sind, daß der Abscheidungsprozeß
nicht behindert wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht nur dann anwendbar,
wenn dem Kreislaufprozeß als frisches Silan
Trichlorsilan zugesetzt wird, sondern auch dann, wenn
ein Silangemisch aus beispielsweise Trichlorsilan und
Siliciumtetrachlorid zugeführt wird. Der beim Rückgewinnungsprozeß
gewonnene Wasserstoff wird
ebenso wie die Chlorsilane dem Abscheidungsprozeß
wieder zugeführt. Etwaiger beim Rückgewinnungsprozeß
verlorener Wasserstoff kann durch die Zugabe
von weiterem Wasserstoff ersetzt werden.
Das Beispiel bezieht sich auf einen Abscheidungsreaktor
mit sechs 1 m langen Trägerstäben. Da sich während des
Abscheidungsprozesses die Verhältnisse mit wachsendem
Durchmesser der Siliciumstäbe laufend ändern, zeigt das
Beispiel nur eine Momentaufnahme des Abscheidungsprozesses;
und zwar zu einem Zeitpunkt, in dem die Stäbe
in der verwendeten Apparatur auf 30 mm Querschnitt angewachsen
sind:
Durchsatz: 25 m³ Gasgemisch (H₂, SiHCl₃ und
SiCl₄) pro Stunde.
Abscheidungstemperatur: 1050°C.
14% zugesetztes Trichlorsilan sind in etwa 1500 Gramm
Trichlorsilan pro Stunde und entsprechen in etwa 310
Gramm abgeschiedendem Silicium pro Stunde. Da sich die
Abgasprozentzahlen mit wachsendem Stabdurchmesser ändern
- der Anteil an Siliciumtetrachlorid steigt, der
von Trichlorsilan sinkt -, müssen die Abscheidungsbedingungen
soweit geändert werden, daß die obige Abgaszusammensetzung
wieder erreicht wird. Es muß also entweder
der Durchsatz vergrößert oder das Molverhältnis
von Chlorsilanen zu Wasserstoff erniedrigt oder die
Abscheidungstemperatur erniedrigt werden; auch eine
Kombination einer oder mehrerer dieser Maßnahmen ist
möglich.
Claims (1)
- Verfahren zur Herstellung von Silicium durch thermische Zersetzung eines aus Chlorsilanen und Wasserstoff bestehenden Gasgemisches auf erhitzten Trägerkörpern, bei dem die aus unverbrauchten und neu gebildeten Chlorsilanen, aus Chlorwasserstoff und aus Wasserstoff bestehenden Restgase zurückgewonnen werden, der zurückgewonnene Wasserstoff und die zurückgewonnenen Chlorsilane dem Abscheidungsprozeß wieder zugeführt und die durch die Abscheidung von Silicium verbrauchte Menge an Chlorsilanen und Wasserstoff durch Zugabe von weiteren Chlorsilanen und weiterem Wasserstoff ersetzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die zurückgewonnenen Chlorsilane dem Abscheidungsprozeß direkt wieder zugeführt werden, und daß das Verhältnis zwischen den im Restgas enthaltenen Chlorsilanen während des Abscheidungsprozesses konstant gehalten wird, indem mit zunehmendem Durchmesser des Trägerkörpers der Durchsatz des zugeführten Gasgemisches erhöht und/oder die Abscheidungstemperatur gesenkt und/oder das Molverhältnis von Chlorsilanen zu Wasserstoff des zugeführten Gasgemisches verringert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792918066 DE2918066A1 (de) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | Verfahren zur siliciumherstellung durch gasphasenabscheidung unter wiederverwendung der restgase |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19792918066 DE2918066A1 (de) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | Verfahren zur siliciumherstellung durch gasphasenabscheidung unter wiederverwendung der restgase |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2918066A1 DE2918066A1 (de) | 1980-11-13 |
DE2918066C2 true DE2918066C2 (de) | 1987-08-27 |
Family
ID=6069967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792918066 Granted DE2918066A1 (de) | 1979-05-04 | 1979-05-04 | Verfahren zur siliciumherstellung durch gasphasenabscheidung unter wiederverwendung der restgase |
Country Status (1)
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US3091517A (en) * | 1959-11-25 | 1963-05-28 | Texas Instruments Inc | Method for recovery and recycling hydrogen and silicon halides from silicon deposition reactor exhaust |
-
1979
- 1979-05-04 DE DE19792918066 patent/DE2918066A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
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