JP2013054979A - Organic el display device, method for manufacturing organic el display device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device capable of achieving reduced power consumption with a simplified manufacturing process.SOLUTION: The organic EL display device includes: a first electrode provided on a substrate; an auxiliary electrode provided to be electrically insulated from the first electrode; an inter-pixel insulation film having a first opening facing the first electrode and a second opening facing at least a part of the auxiliary electrode, respectively; an organic layer formed over the whole area of the inter-pixel insulation film and including a luminous layer; and a second electrode provided on the organic layer. The second opening of the inter-pixel insulation film has a normal taper part tilted at an obtuse angle relative to a substrate surface and a reverse taper part tilted at an acute angle relative to the substrate surface. An electrical connection between the second electrode and the auxiliary electrode is secured in an area facing the reverse taper part within the second opening, without undergoing a separate coating step using a vapor deposition mask and a coating method or a laser irradiation step.

Description

本開示は、有機材料の電界発光(EL;Electro Luminescence)現象を利用して画像表示を行う有機EL表示装置に関する。   The present disclosure relates to an organic EL display device that displays an image using an electroluminescence (EL) phenomenon of an organic material.

近年、ディスプレイ(Display)の大型化が進み、低消費電力化が求められている。例えば、アクティブマトリクス駆動方式の有機EL表示装置においても同様の要求があり、低消費電力化のためには、上部電極(カソード電極)に起因する電圧降下を防ぐことが重要である。このような電圧降下を防ぐ手法としては、例えば、いわゆる補助配線(補助電極)を利用した様々な手法が提案されている(例えば、特許文献1〜4)。これらの手法では、駆動基板上に下部電極(アノード電極)、有機層(発光層を含む)および上部電極がこの順に設けられた素子構造において、上記補助電極が、下部電極と電気的に絶縁される一方、上部電極とは電気的に接続された状態で、駆動基板上に配設されている。このような素子構造では、補助電極を駆動基板側に形成することが多いため、補助電極を有機層から露出させ、上部電極と接触させる必要がある。   In recent years, display has been increased in size, and low power consumption has been demanded. For example, an active matrix driving type organic EL display device has the same requirement, and in order to reduce power consumption, it is important to prevent a voltage drop caused by the upper electrode (cathode electrode). As a technique for preventing such a voltage drop, for example, various techniques using so-called auxiliary wiring (auxiliary electrode) have been proposed (for example, Patent Documents 1 to 4). In these methods, in the element structure in which a lower electrode (anode electrode), an organic layer (including a light emitting layer) and an upper electrode are provided in this order on a driving substrate, the auxiliary electrode is electrically insulated from the lower electrode. On the other hand, the upper electrode is disposed on the driving substrate in an electrically connected state. In such an element structure, since the auxiliary electrode is often formed on the drive substrate side, the auxiliary electrode needs to be exposed from the organic layer and brought into contact with the upper electrode.

例えば、特許文献1では、補助電極表面に有機層が付着しないように、下部電極上の選択的な領域にのみ有機層を成膜した後、上部電極を基板全面にわたって成膜することにより、補助電極と上部電極とを接触させている。   For example, in Patent Document 1, an organic layer is formed only in a selective region on the lower electrode so that the organic layer does not adhere to the surface of the auxiliary electrode, and then the upper electrode is formed over the entire surface of the substrate. The electrode is in contact with the upper electrode.

また、下部電極上に設けられ、発光領域を区画する絶縁膜(画素間絶縁膜)を有する構造において、この画素間絶縁膜に補助電極へ通じるスルーホールを設け、このスルーホールを用いて補助電極と上部電極とを接続する手法(特許文献2)もある。あるいは、画素間絶縁膜は下部電極に対向して、発光領域を区画するための開口を有するが、この開口部分にのみ有機層を選択的に設け、補助電極については画素間絶縁膜上(開口以外の壁部分)に設ける手法もある(特許文献3)。   Further, in a structure having an insulating film (inter-pixel insulating film) provided on the lower electrode and partitioning the light emitting region, a through-hole leading to the auxiliary electrode is provided in the inter-pixel insulating film, and the auxiliary electrode is formed using the through-hole. There is also a technique (Patent Document 2) for connecting the upper electrode and the upper electrode. Alternatively, the inter-pixel insulating film has an opening for defining a light emitting region facing the lower electrode, and an organic layer is selectively provided only in the opening portion, and the auxiliary electrode is formed on the inter-pixel insulating film (opening). There is also a technique provided on the wall portion other than (Patent Document 3).

更に、下部電極および補助電極が配設された駆動基板の全面にわたって、有機層を形成した後に、補助電極に対向する部分のみをレーザー照射によって選択的に除去して補助電極表面を露出させる手法(特許文献4)もある。   Furthermore, after the organic layer is formed over the entire surface of the driving substrate on which the lower electrode and the auxiliary electrode are disposed, only the portion facing the auxiliary electrode is selectively removed by laser irradiation to expose the surface of the auxiliary electrode ( There is also Patent Document 4).

特開2005−011810号公報JP 2005-011810 A 特開2005−327674号公報JP 2005-327664 A 特開2006−059796号公報JP 2006-059796 A 特開2007−052966号公報JP 2007-052966 A

ところが、上記特許文献1〜3の手法ではいずれも、有機層を形成する際に、マスク蒸着法または塗布法により有機層を領域毎に塗り分ける必要がある。マスク蒸着法では、マスクとの位置合わせ精度や歩留まりが悪くなり易く、塗布法では高精細化に対応しにくい。一方、特許文献4の手法では、レーザー照射工程を経るために、製造コストが高くなってしまう。このため、そのような塗り分け工程やレーザー照射工程等を経ることなく、簡易な製造プロセスで補助電極を形成し、低消費電力化を実現することが望まれている。   However, in any of the methods disclosed in Patent Documents 1 to 3, when forming the organic layer, it is necessary to coat the organic layer for each region by a mask vapor deposition method or a coating method. In the mask vapor deposition method, the alignment accuracy with the mask and the yield are likely to deteriorate, and in the coating method, it is difficult to cope with high definition. On the other hand, in the method of Patent Document 4, since the laser irradiation process is performed, the manufacturing cost is increased. For this reason, it is desired that the auxiliary electrode is formed by a simple manufacturing process without going through such a separate coating process or laser irradiation process, thereby realizing low power consumption.

本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡易な製造プロセスで低消費電力化を実現することが可能な有機EL表示装置、有機EL表示装置の製造方法および電子機器を提供することにある。   The present disclosure has been made in view of such a problem, and an object of the present disclosure is to provide an organic EL display device, a method for manufacturing the organic EL display device, and an electronic apparatus that can realize low power consumption with a simple manufacturing process. It is to provide.

本開示の有機EL表示装置は、基板上に設けられた第1電極と、第1電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、第1電極に対向して第1開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第2電極とを備えている。画素間絶縁膜の第2開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ第2開口の逆テーパ部に対向する領域において第2電極が補助電極に電気的に接続されている。   An organic EL display device according to the present disclosure includes a first electrode provided on a substrate, an auxiliary electrode provided to be electrically insulated from the first electrode, a first opening facing the first electrode, and an auxiliary electrode. An inter-pixel insulating film having a second opening facing at least a part of the organic EL element; an organic layer including a light-emitting layer formed over the entire area on the inter-pixel insulating film; and a second electrode provided on the organic layer; It has. The second opening of the inter-pixel insulating film has a forward taper portion inclined at an obtuse angle with respect to the substrate surface, and a reverse taper portion inclined at an acute angle with respect to the substrate surface, and the reverse taper of the second opening. The second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the part.

本開示の有機EL表示装置では、画素間絶縁膜が第1電極に対向して第1開口、補助電極に対向して第2開口を有し、画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層および第2電極が設けられている。画素間絶縁膜の第2開口が、所定の順テーパ部と逆テーパ部とをそれぞれ有することにより、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第2開口の逆テーパ部に対向する領域において、第2電極と補助電極との電気的接続が確保される。   In the organic EL display device according to the present disclosure, the inter-pixel insulating film has a first opening facing the first electrode, a second opening facing the auxiliary electrode, and the light emitting layer is formed over the entire area on the inter-pixel insulating film. An organic layer and a second electrode are provided. Since the second opening of the inter-pixel insulating film has a predetermined forward taper portion and a reverse taper portion, the second opening can be performed without performing a separate coating process using a deposition mask or a coating method or a laser irradiation process. In the region facing the reverse tapered portion of the opening, electrical connection between the second electrode and the auxiliary electrode is ensured.

本開示の有機EL表示装置の製造方法は、基板上に第1電極を形成する工程と、第1電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、第1電極に対向して第1開口、補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、有機層上に第2電極を形成する工程とを含む。画素間絶縁膜を形成する工程では、第2開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、第2電極を形成する工程では、第2開口の逆テーパ部に対向する領域において第2電極を補助電極に電気的に接続させる。   The method for manufacturing an organic EL display device according to the present disclosure includes a step of forming a first electrode on a substrate, a step of forming an auxiliary electrode electrically insulated from the first electrode, and a first facing the first electrode. Forming an interpixel insulating film having a second opening facing at least a part of the opening and the auxiliary electrode, forming an organic layer including a light emitting layer over the entire area on the interpixel insulating film, and organic Forming a second electrode on the layer. In the step of forming the inter-pixel insulating film, a forward tapered portion that is inclined with an obtuse angle with respect to the substrate surface and a reverse tapered portion that is inclined with an acute angle with respect to the substrate surface are formed in the second opening. In the step of forming the electrode, the second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the reverse tapered portion of the second opening.

本開示の有機EL表示装置の製造方法では、画素間絶縁膜に、第1電極に対向する第1開口、補助電極に対向する第2開口を形成し、第2開口には、所定の順テーパ部と逆テーパ部とを形成する。このような画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層および第2電極を形成することにより、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、第2開口の逆テーパ部に対向する領域において、第2電極と補助電極との電気的接続が確保される。   In the method for manufacturing an organic EL display device according to the present disclosure, a first opening facing the first electrode and a second opening facing the auxiliary electrode are formed in the inter-pixel insulating film, and a predetermined forward taper is formed in the second opening. And a reverse taper portion are formed. By forming the organic layer including the light emitting layer and the second electrode over the entire region on the inter-pixel insulating film, without performing a separate coating process using a deposition mask or a coating method, or a laser irradiation process, In the region facing the reverse tapered portion of the second opening, electrical connection between the second electrode and the auxiliary electrode is ensured.

本開示の電子機器は、上記本開示の有機EL表示装置を備えたものである。   An electronic apparatus according to the present disclosure includes the organic EL display device according to the present disclosure.

尚、本開示および以下の実施の形態において、「順テーパ部」および「逆テーパ部」とは、基板面(基板の表面または裏面)と非平行な面であり、かつ直交しない面(傾斜面)を有する部分である。また、「順テーパ部」および「逆テーパ部」の基板面とのなす角は、第2開口内において基板面と各傾斜面とがなす角である。即ち、「順テーパ部」では、第2開口内において基板面とのなす角が90°より大きく180°未満のいわゆる鈍角であり、「逆テーパ部」では、第2開口内において基板面とのなす角が0°より大きく90°未満のいわゆる鋭角となっている。   In the present disclosure and the following embodiments, the “forward taper portion” and the “reverse taper portion” are surfaces that are non-parallel to the substrate surface (the front surface or the back surface of the substrate) and are not orthogonal (inclined surfaces). ). Further, the angle between the “forward taper portion” and the “reverse taper portion” with the substrate surface is an angle between the substrate surface and each inclined surface in the second opening. That is, in the “forward taper portion”, the angle formed with the substrate surface in the second opening is a so-called obtuse angle that is greater than 90 ° and less than 180 °, and in the “reverse taper portion”, the angle with the substrate surface is within the second opening. The formed angle is a so-called acute angle greater than 0 ° and less than 90 °.

本開示の有機EL表示装置、有機EL表示装置の製造方法および電子機器によれば、画素間絶縁膜に、第1電極に対向する第1開口、補助電極に対向する第2開口をそれぞれ設け、第2開口には、所定の順テーパ部と逆テーパ部とを設ける。これにより、発光層を含む有機層を、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく所望の領域に形成しつつ、第2電極と補助電極との電気的接続を確保できる。これによって、第2電極に起因する電圧降下を抑制できる。従って、簡易な製造プロセスで補助電極を形成することができ、低消費電力化を実現することが可能となる。   According to the organic EL display device, the organic EL display device manufacturing method, and the electronic apparatus of the present disclosure, the inter-pixel insulating film is provided with the first opening facing the first electrode and the second opening facing the auxiliary electrode, The second opening is provided with a predetermined forward tapered portion and a reverse tapered portion. As a result, the organic layer including the light emitting layer is formed in a desired region without undergoing a separate coating process using a deposition mask or a coating method, or a laser irradiation process, and the electrical connection between the second electrode and the auxiliary electrode. Connection can be secured. Thereby, a voltage drop caused by the second electrode can be suppressed. Therefore, the auxiliary electrode can be formed by a simple manufacturing process, and low power consumption can be realized.

本開示の実施の形態に係る有機EL表示装置の断面構成を表す図である。It is a figure showing the cross-sectional structure of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this indication. 図1に示した第1電極および補助電極の平面レイアウト例を表す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a planar layout example of a first electrode and an auxiliary electrode illustrated in FIG. 1. 図1に示した第1電極および補助電極付近の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view in the vicinity of a first electrode and an auxiliary electrode shown in FIG. 1. 図1に示した有機EL表示装置の製造方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the organic electroluminescence display shown in FIG. 図4の一部構造に対応する断面図である。It is sectional drawing corresponding to the partial structure of FIG. 図4に続く工程を表す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 4. 図6に続く工程を表す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 6. 図7に続く工程を表す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 7. 図8に続く工程を表す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional diagram illustrating a process following the process in FIG. 8. 比較例1に係る有機EL表示装置の一部領域に対応する断面図である。10 is a cross-sectional view corresponding to a partial region of an organic EL display device according to Comparative Example 1. FIG. 比較例2に係る有機EL表示装置の一部領域に対応する断面図である。10 is a cross-sectional view corresponding to a partial region of an organic EL display device according to Comparative Example 2. FIG. 第2電極の膜厚を変化させた場合の電流電圧特性にを表す特性図である。It is a characteristic view showing the current-voltage characteristic when the film thickness of a 2nd electrode is changed. 変形例1に係る有機EL表示装置の断面構成を表す図である。It is a figure showing the cross-sectional structure of the organic electroluminescence display which concerns on the modification 1. FIG. 変形例2に係る製造方法を説明するための要部断面図である。10 is a cross-sectional view of a main part for explaining a manufacturing method according to Modification 2. FIG. 図14に続く工程を表す要部断面図である。It is principal part sectional drawing showing the process of following FIG. 図15に続く工程を表す要部断面図である。FIG. 16 is a main part cross-sectional view illustrating a process following FIG. 15. 変形例3に係る製造方法を説明するための要部断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a main part for explaining a manufacturing method according to Modification 3. 図17に続く工程を表す要部断面図である。FIG. 18 is an essential part cross-sectional view illustrating a process following the process in FIG. 17. 実施の形態等に係る表示装置の周辺回路を含む全体構成を表す図である。It is a figure showing the whole structure containing the peripheral circuit of the display apparatus which concerns on embodiment etc. 図19に示した画素の回路構成を表す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel illustrated in FIG. 19. 図19に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。FIG. 20 is a plan view illustrating a schematic configuration of a module including the display device illustrated in FIG. 19. 実施の形態等の表示装置の適用例1の外観を表す斜視図である。It is a perspective view showing the external appearance of the application example 1 of display apparatuses, such as embodiment. (A)は適用例2の表側から見た外観を表す斜視図であり、(B)は裏側から見た外観を表す斜視図である。(A) is a perspective view showing the external appearance seen from the front side of the application example 2, (B) is a perspective view showing the external appearance seen from the back side. 適用例3の外観を表す斜視図である。12 is a perspective view illustrating an appearance of application example 3. FIG. 適用例4の外観を表す斜視図である。14 is a perspective view illustrating an appearance of application example 4. FIG. (A)は適用例5の開いた状態の正面図、(B)はその側面図、(C)は閉じた状態の正面図、(D)は左側面図、(E)は右側面図、(F)は上面図、(G)は下面図である。(A) is a front view of the application example 5 in an open state, (B) is a side view thereof, (C) is a front view in a closed state, (D) is a left side view, and (E) is a right side view, (F) is a top view and (G) is a bottom view.

以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。

1.実施の形態(駆動基板上の補助電極に対向して逆テーパをもつ絶縁膜開口を設けた例)
2.変形例1(TFTの電極と同層に補助電極を設けた例)
3.変形例2(逆テーパ形成手法の他の例)
4.変形例3(逆テーパ形成手法の他の例)
5.適用例(電子機器への適用例)
Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The description will be given in the following order.

1. Embodiment (Example in which an insulating film opening having a reverse taper is provided facing the auxiliary electrode on the driving substrate)
2. Modification 1 (example in which an auxiliary electrode is provided in the same layer as the TFT electrode)
3. Modification 2 (Another example of reverse taper forming method)
4). Modification 3 (Another example of reverse taper forming method)
5. Application example (application example to electronic equipment)

<実施の形態>
[構成]
図1は、本開示の第1の実施の形態に係る有機EL表示装置(有機EL表示装置1)の断面構成を表すものである。有機EL表示装置1は、例えばいわゆるトップエミッション方式(上面発光方式)により発光を生じるものであり、例えば、駆動基板10上の所定の領域(後述の表示領域110)に、複数の有機EL素子1Aが例えばマトリクス状に配置されたものである。各有機EL素子1Aは、例えば赤(R),緑(G),青(B)の3つのサブピクセルのいずれかを構成しており、これらの3つのサブピクセルが1つのピクセルとして機能するようになっている。
<Embodiment>
[Constitution]
FIG. 1 illustrates a cross-sectional configuration of an organic EL display device (organic EL display device 1) according to the first embodiment of the present disclosure. The organic EL display device 1 emits light by, for example, a so-called top emission method (upper surface light emission method). Are arranged in a matrix, for example. Each organic EL element 1A constitutes, for example, one of three sub-pixels of red (R), green (G), and blue (B), and these three sub-pixels function as one pixel. It has become.

(駆動基板10)
駆動基板10は、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコンまたはプラスチック等からなる基板10a上に、TFT11を含む駆動回路(後述の画素回路40等)が配設されたものである。
(Drive board 10)
The drive substrate 10 is obtained by disposing a drive circuit (a pixel circuit 40 described later) including the TFT 11 on a substrate 10a made of, for example, quartz, glass, metal foil, silicon, or plastic.

TFT11は、例えば後述の画素回路40におけるサンプリング用トランジスタ3Aまたは書き込み用トランジスタ3Bに相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造(いわゆるボトムゲート型)でもよいしスタガ構造(トップゲート型)であってもよい。ここでは、一例としてボトムゲート型の薄膜トランジスタを例に挙げる。TFT11は、例えば、基板10a上の選択的な領域にゲート電極110を有し、このゲート電極110と基板10aとを覆うように基板10aの全面にわたってゲート絶縁膜111が設けられている。ゲート絶縁膜111上には、半導体層112が形成されている。この半導体層112は、チャネルを形成する活性層として機能するものであり、例えば非晶質シリコン(アモルファスシリコン)、多結晶シリコンまたは酸化物半導体等により構成されている。この半導体層112上には、貫通孔(コンタクトホールH)を有する層間絶縁膜113が形成されており、層間絶縁膜113上には、そのコンタクトホールHを埋め込むように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極114が配設されている。このTFT11は、駆動基板10において、平坦化膜115により被覆されている。   The TFT 11 corresponds to, for example, a sampling transistor 3A or a writing transistor 3B in the pixel circuit 40 described later, and the configuration thereof may be, for example, an inverted staggered structure (so-called bottom gate type) or a staggered structure (top gate type). There may be. Here, as an example, a bottom-gate thin film transistor is given as an example. For example, the TFT 11 includes a gate electrode 110 in a selective region on the substrate 10a, and a gate insulating film 111 is provided over the entire surface of the substrate 10a so as to cover the gate electrode 110 and the substrate 10a. A semiconductor layer 112 is formed on the gate insulating film 111. The semiconductor layer 112 functions as an active layer for forming a channel, and is made of, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, an oxide semiconductor, or the like. An interlayer insulating film 113 having a through hole (contact hole H) is formed on the semiconductor layer 112. The interlayer insulating film 113 functions as a source or drain so as to bury the contact hole H. Source / drain electrodes 114 are provided. The TFT 11 is covered with a planarizing film 115 on the driving substrate 10.

平坦化膜115は、例えばポリイミド,アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜よりなる。あるいは、無機絶縁膜、例えば酸化シリコン(SiOx),窒化シリコン(SiNx)および酸窒化シリコン(SiON)等のうちの少なくとも1種を含む単層膜あるいは積層膜より構成されていてもよい。平坦化膜115は、コンタクトホールH2を有し、このコンタクトホールH2を通じてTFT11(ソース・ドレイン電極114)と、後述の第1電極12とが電気的に接続されている。 The planarizing film 115 is made of an organic insulating film such as polyimide, acrylic resin, or novolac resin. Alternatively, it may be composed of an inorganic insulating film, for example, a single layer film or a laminated film containing at least one of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiON), and the like. The planarization film 115 has a contact hole H2, and the TFT 11 (source / drain electrode 114) and a first electrode 12 described later are electrically connected through the contact hole H2.

(有機EL素子1A)
有機EL素子1Aは、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板10の平坦化膜115上に、例えば第1電極12、有機層15および第2電極16を備えている。
(Organic EL element 1A)
The organic EL element 1A emits light by, for example, a top emission method, and includes, for example, a first electrode 12, an organic layer 15, and a second electrode 16 on the planarizing film 115 of the driving substrate 10.

第1電極12は、例えば有機EL素子1A毎に設けられ、例えばアノードとして機能するものである。この第1電極12は、ここでは(トップエミッション方式の場合には)、光反射性を有する金属膜、またはそのような金属膜と透明導電膜との積層膜により構成される。例えば、第1電極12は、アルミニウム(Al)とネオジウム(Nd)との合金(AlNd合金)、酸化インジウム錫(ITO)と銀(Ag)との積層膜、または酸化インジウム亜鉛(IZO)と銀との積層膜により構成されている。但し、第1電極12の最表面には、後述の製造プロセスにおいて所定のエッチング耐性を有する材料、例えばAlNd合金が設けられていることが望ましい。この第1電極12は、第2電極16および後述の補助電極13と電気的に絶縁して設けられている。   The first electrode 12 is provided for each organic EL element 1A, for example, and functions as an anode, for example. Here, the first electrode 12 is composed of a metal film having light reflectivity or a laminated film of such a metal film and a transparent conductive film (in the case of a top emission method). For example, the first electrode 12 is made of an alloy of aluminum (Al) and neodymium (Nd) (AlNd alloy), a laminated film of indium tin oxide (ITO) and silver (Ag), or indium zinc oxide (IZO) and silver. And a laminated film. However, it is desirable that the outermost surface of the first electrode 12 is provided with a material having a predetermined etching resistance in a manufacturing process described later, for example, an AlNd alloy. The first electrode 12 is provided to be electrically insulated from the second electrode 16 and an auxiliary electrode 13 described later.

有機層15は、例えば白色光を発する有機電界発光層(以下、白色発光層という)含むものであり、第1電極12および第2電極16を通じて電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じて、白色光を発生するようになっている。   The organic layer 15 includes, for example, an organic electroluminescent layer that emits white light (hereinafter referred to as a white light emitting layer), and recombines electrons and holes by applying an electric field through the first electrode 12 and the second electrode 16. To generate white light.

白色発光層は、詳細には、例えば、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層および青色光を発する青色発光層を積層した構造(タンデム構造)を有している。赤色発光層は、例えば赤色発光材料,正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも1種を含み、例えば4,4−ビス(2,2−ジフェニルビニン)ビフェニル(DPVBi)に2,6−ビス[(4'−メトキシジフェニルアミノ)スチリル]−1,5−ジシアノナフタレン(BSN)を混合したものから構成されている。緑色発光層は、例えば、緑色発光材料,正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも1種を含み、例えば、ADNやDPVBiにクマリン6を混合したものから構成されている。青色発光層は、例えば、青色発光材料,正孔輸送性材料および電子輸送性材料のうち少なくとも1種を含み、例えば、DPVBiに4,4'−ビス[2−{4−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル]ビフェニル(DPAVBi)を混合したものから構成されている。   Specifically, the white light emitting layer has, for example, a structure (tandem structure) in which a red light emitting layer that emits red light, a green light emitting layer that emits green light, and a blue light emitting layer that emits blue light are stacked. The red light emitting layer includes, for example, at least one of a red light emitting material, a hole transporting material, and an electron transporting material, such as 4,4-bis (2,2-diphenylbinine) biphenyl (DPVBi), It is composed of a mixture of 6-bis [(4′-methoxydiphenylamino) styryl] -1,5-dicyanonaphthalene (BSN). The green light emitting layer includes, for example, at least one of a green light emitting material, a hole transporting material, and an electron transporting material, and is composed of, for example, a mixture of ADN or DPVBi and coumarin 6. The blue light emitting layer includes, for example, at least one of a blue light emitting material, a hole transporting material, and an electron transporting material. For example, 4,4′-bis [2- {4- (N, N− Diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi) is mixed.

この有機層15は、上記のような発光層の他にも、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などを含んでいてもよい。具体的には、第1電極12が陽極として機能する場合には、第1電極12側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、白色発光層および電子輸送層を積層した構造であってもよい。また、このような積層構造を有する有機層15は、駆動基板10上の全ての有機EL素子1Aに共通して形成されていてもよいが、一部の層が有機EL素子1A毎に設けられ、その他の層が全有機EL素子1Aに共通して設けられていてもよい。また、有機層15と第2電極16との間には、更に、例えばLiFよりなる電子注入層が設けられていてもよい。   The organic layer 15 may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like in addition to the light emitting layer as described above. Specifically, when the first electrode 12 functions as an anode, a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a white light emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order from the first electrode 12 side. Also good. In addition, the organic layer 15 having such a stacked structure may be formed in common for all the organic EL elements 1A on the drive substrate 10, but a part of the layers is provided for each organic EL element 1A. Other layers may be provided in common for all organic EL elements 1A. Further, an electron injection layer made of, for example, LiF may be further provided between the organic layer 15 and the second electrode 16.

尚、ここでは、白色発光層として、赤色発光層、緑色発光層および青色発光層を積層したものを例示したが、白色発光層の構成はこれに限定されず、混色により白色光を生成可能な構造であればよい。例えば、青色発光層と黄色発光層とを積層した構造、または青色発光層と橙色発光層とを積層した構造であってもよい。   In this example, the white light emitting layer is a laminate of a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer. However, the configuration of the white light emitting layer is not limited to this, and white light can be generated by color mixing. Any structure can be used. For example, a structure in which a blue light emitting layer and a yellow light emitting layer are stacked, or a structure in which a blue light emitting layer and an orange light emitting layer are stacked may be employed.

本実施の形態では、この有機層15が駆動基板10の全域にわたって形成されており、この有機層15上の全域にわたって第2電極が形成されている。   In the present embodiment, the organic layer 15 is formed over the entire area of the drive substrate 10, and the second electrode is formed over the entire area of the organic layer 15.

第2電極16は、例えば駆動基板10上の全ての有機EL素子1Aに共通して設けられ、例えばカソードとして機能するものである。この第2電極16は、例えば酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛(ZnO)、またはマグネシウム(Mg)および銀の共蒸着膜(MgAg共蒸着膜)により構成されている。この第2電極16は、後述の画素間絶縁膜14の開口S2内において補助電極13と電気的に接続されている。   The second electrode 16 is provided in common to all the organic EL elements 1A on the drive substrate 10, for example, and functions as a cathode, for example. The second electrode 16 is made of, for example, indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide (ZnO), or a co-deposited film (MgAg co-deposited film) of magnesium (Mg) and silver. The second electrode 16 is electrically connected to the auxiliary electrode 13 in an opening S2 of the inter-pixel insulating film 14 described later.

この第2電極16上には、保護層17が設けられている。保護層17は、例えば厚みが2〜5μmであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン(a−Si),アモルファス炭化シリコン(a−SiC),アモルファス窒化シリコン(a−Si1-xx)、アモルファスカーボン(a−C)等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。保護層17上には、図示しない接着層により封止基板20が貼り合わせられている。 A protective layer 17 is provided on the second electrode 16. The protective layer 17 has a thickness of 2 to 5 μm, for example, and may be made of either an insulating material or a conductive material. Examples of the insulating material include inorganic amorphous insulating materials such as amorphous silicon (a-Si), amorphous silicon carbide (a-SiC), amorphous silicon nitride (a-Si 1-x N x ), and amorphous carbon (a -C) and the like are preferable. Such an inorganic amorphous insulating material does not constitute grains, and thus has low water permeability and becomes a good protective film. On the protective layer 17, the sealing substrate 20 is bonded together by an adhesive layer (not shown).

封止基板20は、保護層17と共に、各有機EL素子1Aを封止するものであり、例えばR,G,Bの各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板20には、図示しないカラーフィルタが設けられていてもよい。カラーフィルタは、例えば赤色,緑色または青色のフィルタを有し、例えば顔料や染料を混入した樹脂より構成されている。このようなカラーフィルタを設けることにより、各有機EL素子1Aで発生した光(ここでは白色光)をR,G,Bの色光に変換して取り出すことができる。   The sealing substrate 20 seals each organic EL element 1 </ b> A together with the protective layer 17, and is made of a material such as glass that is transparent to each color light of R, G, and B, for example. The sealing substrate 20 may be provided with a color filter (not shown). The color filter has, for example, a red, green or blue filter, and is made of, for example, a resin mixed with a pigment or a dye. By providing such a color filter, light (here, white light) generated in each organic EL element 1A can be converted into R, G, B color light and extracted.

また、図示しないブラックマトリクス(遮光膜)が設けられていてもよく、これにより、有機EL素子1A間(サブピクセル間)および配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。   Further, a black matrix (light shielding film) (not shown) may be provided, which can absorb external light reflected between the organic EL elements 1A (between sub-pixels), wirings, etc., and improve contrast. it can. The light-shielding film is constituted by, for example, a resin film mixed with a black colorant, or a thin film filter using thin film interference.

(補助電極13)
上記のような有機EL素子1Aを用いて映像表示を行う有機EL表示装置1では、第2電極16が、各有機EL素子1Aに共通の電極であるために、駆動基板10上の広い領域にわたって形成される。このため、第2電極16の形状に起因して電圧降下が生じるが、有機EL表示装置1は、そのような電圧降下を抑制するために、補助電極13を備えている。補助電極13は、駆動基板10側において、有機EL素子1Aにおける第1電極12と電気的に絶縁される一方、第2電極16と電気的に接続された状態で配設されている。本実施の形態では、補助電極13は、駆動基板10上(詳細には平坦化膜115上)の第1電極12と同層に設けられている。
(Auxiliary electrode 13)
In the organic EL display device 1 that displays an image using the organic EL element 1A as described above, since the second electrode 16 is an electrode common to each organic EL element 1A, it extends over a wide region on the drive substrate 10. It is formed. For this reason, although a voltage drop occurs due to the shape of the second electrode 16, the organic EL display device 1 includes the auxiliary electrode 13 in order to suppress such a voltage drop. The auxiliary electrode 13 is disposed on the drive substrate 10 side while being electrically insulated from the first electrode 12 in the organic EL element 1 </ b> A and electrically connected to the second electrode 16. In the present embodiment, the auxiliary electrode 13 is provided in the same layer as the first electrode 12 on the drive substrate 10 (specifically, on the planarization film 115).

図2は、この補助電極13と第1電極12との平面レイアウト(基板面に平行なXY平面レイアウト)について模式的に示したものである。尚、図1の断面構造は、この図2におけるI−I線に沿った断面の積層構造に対応している。このように、駆動基板10上には、複数の第1電極12が、例えばマトリクス状に配置されている。補助電極13は、例えば各第1電極12を離隔しつつ囲むように設けられ、全体の形状が例えば格子形状となっている。この補助電極13の一部、例えば格子形状における交差部が、第2電極16との接触部分(コンタクト部13A)となっている。   FIG. 2 schematically shows a planar layout (XY planar layout parallel to the substrate surface) of the auxiliary electrode 13 and the first electrode 12. The cross-sectional structure in FIG. 1 corresponds to the laminated structure having a cross section taken along the line II in FIG. Thus, on the drive substrate 10, the some 1st electrode 12 is arrange | positioned, for example in matrix form. The auxiliary electrode 13 is provided, for example, so as to surround each first electrode 12 while being separated from each other, and the entire shape is, for example, a lattice shape. A part of the auxiliary electrode 13, for example, an intersecting portion in a lattice shape, is a contact portion (contact portion 13 </ b> A) with the second electrode 16.

コンタクト部13Aは、後述の画素間絶縁膜14の開口S2に対向して(詳細には、開口S2の逆テーパ部14Bに対向して)形成されるものであり、図2に示したように、補助電極13において点在する複数の選択的な領域に対応している。例えば、コンタクト部13Aは、格子状における全交差部のうちの選択的な交差部にのみ設けられていてもよいし、または全交差部に設けられていてもよい。また、交差部以外の領域に配置されていてもよい。   The contact portion 13A is formed so as to face an opening S2 of the inter-pixel insulating film 14 to be described later (specifically, face the reverse tapered portion 14B of the opening S2), as shown in FIG. This corresponds to a plurality of selective regions scattered in the auxiliary electrode 13. For example, the contact portion 13A may be provided only at a selective intersection among all the intersections in the lattice shape, or may be provided at all the intersections. Moreover, you may arrange | position in areas other than an intersection.

但し、補助電極13のレイアウトはこれに限定されず、表示領域において、第1電極12と電気的に絶縁されて設けられていればよい。また、格子形状以外の形状であってもよく、例えば、X方向またはY方向の1方向に沿ってのみ延在するストライプ形状であってもよい。また、コンタクト部13Aは上記のように点在して形成されてもよいし、例えばX方向またはY方向の1方向に沿って延在するストライプ状に形成されていてもよい。あるいは、コンタクト部13Aは、補助電極13の全域にわたって形成されていてもよい。   However, the layout of the auxiliary electrode 13 is not limited to this, and may be provided so as to be electrically insulated from the first electrode 12 in the display region. Moreover, shapes other than a lattice shape may be sufficient, for example, the stripe shape extended only along one direction of a X direction or a Y direction may be sufficient. Further, the contact portions 13A may be formed in a scattered manner as described above, or may be formed in a stripe shape extending along one direction of the X direction or the Y direction, for example. Alternatively, the contact portion 13 </ b> A may be formed over the entire area of the auxiliary electrode 13.

このような補助電極13は、例えば、チタン(Ti),アルミニウム(Al),アルミニウムとネオジウムとの合金(AlNd合金),酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの1種以上を含む単層膜または積層膜により構成されている。但し、補助電極13の最表面には、後述の製造プロセスにおいて所定のエッチング耐性を有する材料、例えばチタンまたはAlNd合金が設けられていることが望ましい。また、第2電極16とのオーミック接触を確保するため、最表面にはチタンが設けられていることが、より望ましい。   Such an auxiliary electrode 13 is, for example, a single layer film containing one or more of titanium (Ti), aluminum (Al), an alloy of aluminum and neodymium (AlNd alloy), indium tin oxide, and indium zinc oxide. It is composed of a laminated film. However, it is desirable that the outermost surface of the auxiliary electrode 13 is provided with a material having a predetermined etching resistance in a manufacturing process described later, such as titanium or an AlNd alloy. In order to ensure ohmic contact with the second electrode 16, it is more desirable that titanium is provided on the outermost surface.

(画素間絶縁膜14)
上記第1電極12および補助電極13が配設された駆動基板10上には、基板全面にわたって画素間絶縁膜14が形成されている。画素間絶縁膜14は、各有機EL素子1Aを電気的に分離する(画素開口を区画する)機能を有するものであり、例えばポリイミド,アクリル系樹脂またはノボラック系樹脂などの有機絶縁膜により構成され、感光性を有することが望ましい。本実施の形態では、この画素間絶縁膜14が複数の開口S1,S2を有している。
(Inter-pixel insulating film 14)
On the driving substrate 10 on which the first electrode 12 and the auxiliary electrode 13 are disposed, an inter-pixel insulating film 14 is formed over the entire surface of the substrate. The inter-pixel insulating film 14 has a function of electrically separating each organic EL element 1A (dividing the pixel opening), and is composed of an organic insulating film such as polyimide, acrylic resin, or novolac resin, for example. It is desirable to have photosensitivity. In the present embodiment, the inter-pixel insulating film 14 has a plurality of openings S1 and S2.

開口S1(第1開口)は、有機EL素子1A毎に設けられ、第1電極12に対向して形成されている。この開口S1によって各有機EL素子1Aが電気的に分離される。   The opening S1 (first opening) is provided for each organic EL element 1A and is formed to face the first electrode 12. The organic EL elements 1A are electrically separated by the openings S1.

開口S2(第2開口)は、補助電極13の少なくとも一部に対向して設けられている。この開口S2は、順テーパ部14Aおよび逆テーパ部14Bを有している。図3に、開口S2付近の拡大図を示す。これらの順テーパ部14Aおよび逆テーパ部14Bは、開口S2の内壁(内側の側面)の一部に相当するものであり、基板面と非平行かつ直交しない傾斜面を有している。具体的には、順テーパ部14Aは、基板面とのなす角αが90°より大きく180°未満の鈍角であり、逆テーパ部14Bでは、基板面とのなす角βが0°より大きく90°未満の鋭角である。   The opening S2 (second opening) is provided to face at least a part of the auxiliary electrode 13. The opening S2 has a forward tapered portion 14A and a reverse tapered portion 14B. FIG. 3 shows an enlarged view near the opening S2. The forward taper portion 14A and the reverse taper portion 14B correspond to a part of the inner wall (inner side surface) of the opening S2, and have an inclined surface that is not parallel to and orthogonal to the substrate surface. Specifically, the forward taper portion 14A is an obtuse angle with the substrate surface having an angle α greater than 90 ° and less than 180 °, and the reverse taper portion 14B has an angle β with the substrate surface greater than 0 ° and 90 °. An acute angle of less than °.

本実施の形態では、上述のように、基板全面にわたって有機層15(または有機層15の一部)と第2電極16とが積層されるが、開口S2内の逆テーパ部14Bの上端e1付近において有機層15が途切れ(分断され)ており、補助電極13の表面が露出している。第2電極16は、そのような有機層15の分断面を被覆すると共に、開口S2内の逆テーパ部14Bに対向する領域(逆テーパ部14Bと基板面との間の空隙)まで延在形成され、補助電極13と接触している。補助電極13の逆テーパ部14Bに対向する領域の一部または全部(第2電極16と接触した部分)が、上記コンタクト部13Aに対応している。   In the present embodiment, as described above, the organic layer 15 (or part of the organic layer 15) and the second electrode 16 are stacked over the entire surface of the substrate, but in the vicinity of the upper end e1 of the reverse tapered portion 14B in the opening S2. , The organic layer 15 is interrupted (divided), and the surface of the auxiliary electrode 13 is exposed. The second electrode 16 covers such a divided section of the organic layer 15 and extends to a region facing the reverse taper portion 14B in the opening S2 (a gap between the reverse taper portion 14B and the substrate surface). And is in contact with the auxiliary electrode 13. Part or all of the region of the auxiliary electrode 13 facing the reverse tapered portion 14B (the portion in contact with the second electrode 16) corresponds to the contact portion 13A.

一方、この開口S2の順テーパ部14Aに対向する領域では、有機層15および第2電極16が、順テーパ部14Aの形状に倣って連続的に(分断されることなく)形成されている。また、これらの有機層15および第2電極16が、順テーパ部14Aに対向する領域から開口S1に対向する領域まで、画素間絶縁膜14の表面形状に倣って連続的に形成されている。   On the other hand, in the region of the opening S2 facing the forward tapered portion 14A, the organic layer 15 and the second electrode 16 are formed continuously (without being divided) following the shape of the forward tapered portion 14A. Further, the organic layer 15 and the second electrode 16 are continuously formed from the region facing the forward taper portion 14A to the region facing the opening S1, following the surface shape of the inter-pixel insulating film 14.

[製造方法]
上記のような有機EL表示装置1は、例えば次のようにして製造することができる。即ち、まず、駆動基板10を用意する。具体的には、上述した材料よりなる基板10a上に、所定の薄膜プロセスを経てTFT11を含む駆動回路を形成した後、基板10aの全面にわたって平坦化膜115を、例えばスピンコート法,スリットコート法により成膜する。続いて、成膜した平坦化膜115を、例えばフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングすると共に、この平坦化膜115にコンタクトホールH2を形成する。
[Production method]
The organic EL display device 1 as described above can be manufactured, for example, as follows. That is, first, the drive substrate 10 is prepared. Specifically, after a driving circuit including the TFT 11 is formed on the substrate 10a made of the above-described material through a predetermined thin film process, the planarizing film 115 is formed on the entire surface of the substrate 10a by, for example, spin coating or slit coating. The film is formed by Subsequently, the formed planarizing film 115 is patterned into a predetermined shape by, for example, photolithography, and a contact hole H2 is formed in the planarizing film 115.

(第1電極,補助電極の形成工程)
次いで、図4に示したように、駆動基板10上に、上述した材料よりなる第1電極12および補助電極13を同一または異なるパターニング工程により形成する。例えば、まず、第1電極12としてAlNd合金を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。この際、第1電極12の一部を平坦化膜115のコンタクトホールH2に埋め込み、第1電極12とTFT11とを電気的に接続する。この後、補助電極13としてアルミニウムおよびチタンをこの順にそれぞれスパッタ法により基板全面にわたって堆積させた後、形成した積層膜(Ti/Al)をフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。
(First electrode, auxiliary electrode formation process)
Next, as shown in FIG. 4, the first electrode 12 and the auxiliary electrode 13 made of the above-described material are formed on the driving substrate 10 by the same or different patterning process. For example, first, an AlNd alloy is formed as the first electrode 12 over the entire surface of the substrate by, for example, a sputtering method, and then patterned by, for example, etching using a photolithography method. At this time, a part of the first electrode 12 is buried in the contact hole H2 of the planarization film 115, and the first electrode 12 and the TFT 11 are electrically connected. Thereafter, aluminum and titanium are deposited as an auxiliary electrode 13 over the entire surface of the substrate in this order by sputtering, and the formed laminated film (Ti / Al) is patterned by etching using photolithography.

尚、上記順序とは逆に、補助電極13を形成した後に、第1電極12を形成してもよい。第1電極12および補助電極13の成膜順序は、各電極材料に応じて適宜設定される。また、第1電極12と補助電極13との積層構造および材料が同一の場合には、これらの第1電極12および補助電極13を同一工程において一括してパターニングしてもよい。   In contrast to the above order, the first electrode 12 may be formed after the auxiliary electrode 13 is formed. The order of forming the first electrode 12 and the auxiliary electrode 13 is appropriately set according to each electrode material. Moreover, when the laminated structure and material of the 1st electrode 12 and the auxiliary electrode 13 are the same, you may pattern these 1st electrode 12 and the auxiliary electrode 13 collectively in the same process.

次に、上記のようにして第1電極12および補助電極13を形成した駆動基板10上に、上記画素間絶縁膜14、有機層15および第2電極をこの順に形成する。尚、図5は、図4における第1電極12および補助電極13付近の一部の領域Dを拡大したものである。以下の工程では、装置全体の断面構造のうちの領域Dに相当する部分を示して説明する。   Next, the inter-pixel insulating film 14, the organic layer 15, and the second electrode are formed in this order on the drive substrate 10 on which the first electrode 12 and the auxiliary electrode 13 are formed as described above. 5 is an enlarged view of a part of the region D in the vicinity of the first electrode 12 and the auxiliary electrode 13 in FIG. In the following steps, a portion corresponding to the region D in the cross-sectional structure of the entire apparatus will be shown and described.

まず、図6に示したように、画素間絶縁膜14を形成する前に、補助電極13上に逆テーパ形成用薄膜120を形成する。この際、本実施の形態では、例えばアルミニウム等の金属よりなる逆テーパ形成用薄膜120を例えばスパッタ法により基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたウェットエッチングによりパターニングする。このようにして、側面に順テーパ120A1,120A2を有する(台形の断面形状を有する)逆テーパ形成用薄膜120を補助電極13上に選択的に形成する。   First, as shown in FIG. 6, the reverse taper forming thin film 120 is formed on the auxiliary electrode 13 before the inter-pixel insulating film 14 is formed. At this time, in the present embodiment, a reverse taper forming thin film 120 made of a metal such as aluminum is formed over the entire surface of the substrate by sputtering, for example, and then patterned by wet etching using photolithography, for example. In this manner, the reverse taper forming thin film 120 having the forward tapers 120A1 and 120A2 on the side surfaces (having a trapezoidal cross-sectional shape) is selectively formed on the auxiliary electrode 13.

(画素間絶縁膜形成工程)
続いて、画素間絶縁膜14を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には、まず図7に示したように、上述した材料よりなる画素間絶縁膜14を、例えばスピンコート法,スリットコート法により基板全面にわたって成膜する。この際、画素間絶縁膜14としては、感光性を有する樹脂材料を用いる。
(Inter-pixel insulating film formation process)
Subsequently, the inter-pixel insulating film 14 is formed by using a photolithography method. Specifically, first, as shown in FIG. 7, the inter-pixel insulating film 14 made of the above-described material is formed over the entire surface of the substrate by, for example, spin coating or slit coating. At this time, a photosensitive resin material is used as the inter-pixel insulating film 14.

次いで、図8(A)に示したように、画素間絶縁膜14の選択的な領域を、所定のフォトマスク121を用いて露光する。この際、フォトマスク121としては、第1電極12に対向する領域に開口121a、補助電極16の一部に対向する領域に開口121bを有するものを用いる。これらの開口121a,121bのうち、開口121bは、詳細には、逆テーパ形成用薄膜120における順テーパ120A1,120A2のうちの一方(例えば順テーパ120A1)に対向すると共に、他方(例えば順テーパ120A2)に非対向となっている。   Next, as shown in FIG. 8A, a selective region of the inter-pixel insulating film 14 is exposed using a predetermined photomask 121. At this time, a photomask 121 having an opening 121 a in a region facing the first electrode 12 and an opening 121 b in a region facing a part of the auxiliary electrode 16 is used. Of these openings 121a and 121b, the opening 121b specifically faces one of the forward tapers 120A1 and 120A2 (for example, the forward taper 120A1) in the reverse taper forming thin film 120 and the other (for example, the forward taper 120A2). ).

続いて、露光した画素間絶縁膜14を現像する。この際、現像液としては、例えば、TMAH(Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde)水溶液を使用する。TMAHを用いることにより、画素間絶縁膜14の現像と同時に、金属(アルミニウム等)によりなる逆テーパ形成用薄膜120をウェットエッチングにより除去(リフトオフ)することができる。この際、第1電極12にAlNd合金が用いられていれば、例えばアルミニウム単層で構成する場合に比べてTMAHに対して耐性を有することから、第1電極12を電極として残すことができる。   Subsequently, the exposed inter-pixel insulating film 14 is developed. At this time, as the developer, for example, a TMAH (Tetra-methyl-ammonium-hydroxyde) aqueous solution is used. By using TMAH, the reverse taper forming thin film 120 made of metal (aluminum or the like) can be removed (lifted off) by wet etching simultaneously with the development of the inter-pixel insulating film 14. At this time, if an AlNd alloy is used for the first electrode 12, for example, the first electrode 12 can be left as an electrode because it is more resistant to TMAH than a case where the first electrode 12 is made of an aluminum single layer.

この後、リンス液で洗浄し、更に加熱(ポストベーク)することにより、図8(B)に示したように、画素間絶縁膜14では、第1電極12に対向する領域に、開口S1が形成される。また、この一方で、補助電極13に対向する領域には、上述したような順テーパ部14Aおよび逆テーパ部14Bを有する開口S2が形成される。   Thereafter, the opening S1 is formed in a region facing the first electrode 12 in the inter-pixel insulating film 14, as shown in FIG. 8B, by washing with a rinse solution and further heating (post-baking). It is formed. On the other hand, an opening S2 having the forward tapered portion 14A and the reverse tapered portion 14B as described above is formed in a region facing the auxiliary electrode 13.

(有機層形成工程)
次いで、図9(A)に示したように、基板全面にわたって、上述した積層構造および材料等よりなる有機層15を形成する。この際、有機層15を、例えば真空蒸着法により成膜する。例えば、白色発光層としてR,G,Bの各色の発光層を積層させる場合には、各色の発光材料をそれぞれ真空蒸着法により、例えば基板全面に渡って順に堆積させる。
(Organic layer formation process)
Next, as shown in FIG. 9A, the organic layer 15 made of the above-described laminated structure and material is formed over the entire surface of the substrate. At this time, the organic layer 15 is formed by, for example, a vacuum evaporation method. For example, in the case of laminating light emitting layers of R, G, and B as white light emitting layers, the light emitting materials of each color are sequentially deposited, for example, over the entire surface of the substrate by a vacuum evaporation method.

これにより、画素間絶縁膜14の全域にわたって有機層15が成膜されるが、本実施の形態では、画素間絶縁膜14の開口S2が逆テーパ部14Bを有しているため、この逆テーパ部14Bのエッジ(図3の上端e1)付近において、有機層15が分断されて成膜される。これは、有機層15をカバレッジの低い蒸着法により成膜することから、開口S2内の逆テーパ部14Bに対向する領域までは有機材料が回り込まないためである。これによって、開口S2内において補助電極13の表面の一部が有機層15から露出する。   As a result, the organic layer 15 is formed over the entire area of the inter-pixel insulating film 14, but in this embodiment, the opening S2 of the inter-pixel insulating film 14 has the reverse tapered portion 14B. In the vicinity of the edge of the portion 14B (the upper end e1 in FIG. 3), the organic layer 15 is divided and formed. This is because the organic layer 15 is formed by an evaporation method having a low coverage, so that the organic material does not reach the region facing the reverse tapered portion 14B in the opening S2. Thereby, a part of the surface of the auxiliary electrode 13 is exposed from the organic layer 15 in the opening S2.

(第2電極形成工程)
この後、図9(B)に示したように、基板全面にわたって、上述した材料よりなる第2電極16を例えばスパッタ法により成膜する。これにより、上記有機層15と同様、画素間絶縁膜14の全域にわたって第2電極16が形成される。但し、この第2電極16については、カバレッジのよいスパッタ法を用いて成膜することから、有機層15の分断面を被覆すると共に、電極材料が、逆テーパ部14Bと基板面との間の空隙部分まで回り込んで堆積し、補助電極13の露出部分と接触する。このようにして、補助電極13の一部(逆テーパ部14Bに対向する領域の一部または全部)と第2電極16との電気的接続が確保される。この際、補助電極13の最表面をチタンにより形成しておくことにより、第2電極16とのオーミック接触を確保し易くなる。
(Second electrode forming step)
Thereafter, as shown in FIG. 9B, the second electrode 16 made of the above-described material is formed by, for example, sputtering over the entire surface of the substrate. As a result, like the organic layer 15, the second electrode 16 is formed over the entire area of the inter-pixel insulating film 14. However, since the second electrode 16 is formed using a sputtering method with good coverage, it covers the divided section of the organic layer 15 and the electrode material is disposed between the reverse tapered portion 14B and the substrate surface. The air wraps around the gap and deposits, and contacts the exposed portion of the auxiliary electrode 13. In this way, electrical connection between the second electrode 16 and a part of the auxiliary electrode 13 (part or all of the region facing the reverse tapered portion 14B) is ensured. At this time, by forming the outermost surface of the auxiliary electrode 13 with titanium, it becomes easy to ensure ohmic contact with the second electrode 16.

次いで、図示はしないが、形成した第2電極16上の全面を覆って、上述した材料よりなる上述した材料よりなる保護層17を形成した後、接着層を用いて駆動基板10と封止基板20とを貼り合わせる。以上により、図1に示した有機EL表示装置1を完成する。   Next, although not shown, after covering the entire surface of the formed second electrode 16 and forming the protective layer 17 made of the above-described material, the drive substrate 10 and the sealing substrate are formed using the adhesive layer. 20 and pasted together. Thus, the organic EL display device 1 shown in FIG. 1 is completed.

[作用・効果]
有機EL表示装置1では、各サブピクセル(有機EL素子1A)に対し、映像信号に基づく駆動電流が第1電極12および第2電極16を通じて供給されると、各有機EL素子1Aでは、有機層15(白色発光層)において、正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた白色光のうち、第1電極12側(下方)へ放たれた光は、第1電極12等によって反射された後、封止基板20の上方より出射する。一方、第2電極16側(上方)へ放たれた光は、そのまま第2電極16を透過した後、封止基板20の上方より出射する。封止基板20を出射する際には、図示しないカラーフィルタを透過することにより、R,G,Bの色光が表示光として取り出される。このようにして、トップエミッション方式によるフルカラーの映像表示がなされる。
[Action / Effect]
In the organic EL display device 1, when a driving current based on a video signal is supplied to each subpixel (organic EL element 1 </ b> A) through the first electrode 12 and the second electrode 16, each organic EL element 1 </ b> A has an organic layer. 15 (white light emitting layer) emits light by recombination of holes and electrons. Of the white light generated in this way, the light emitted toward the first electrode 12 (downward) is reflected by the first electrode 12 and the like and then exits from above the sealing substrate 20. On the other hand, the light emitted toward the second electrode 16 (upward) passes through the second electrode 16 as it is and then exits from above the sealing substrate 20. When exiting the sealing substrate 20, R, G, and B color lights are extracted as display light by passing through a color filter (not shown). In this way, full color video display by the top emission method is performed.

ここで、有機EL表示装置1では、上述したように、第2電極16の形状に起因して電圧降下を生じることがあるが、このような電圧降下を抑制するために補助電極13が設けられている。具体的には駆動基板10上の第1電極12と同層に、かつ第1電極12と電気的に絶縁された状態で設けられている。   Here, in the organic EL display device 1, as described above, a voltage drop may occur due to the shape of the second electrode 16. In order to suppress such a voltage drop, the auxiliary electrode 13 is provided. ing. Specifically, it is provided in the same layer as the first electrode 12 on the driving substrate 10 and in a state of being electrically insulated from the first electrode 12.

(比較例)
このような補助電極13は、第2電極16と電気的に接続させる必要があるが、次のような理由から改善が望まれている。図10(A)〜(C)に、比較例1に係る有機EL表示装置の製造方法の一部(画素間絶縁膜形成後から第2電極形成までの工程)を模式的に示す。この比較例1では、例えば図10(A)に示したように、画素間絶縁膜103を形成する際に、駆動基板100上の第1電極101に対向して開口103A、補助電極102に対向して開口103Bをそれぞれ設ける。これらの開口103A,103Bはいすれも通常の順テーパを有するものである。
(Comparative example)
Such an auxiliary electrode 13 needs to be electrically connected to the second electrode 16, but improvement is desired for the following reason. 10A to 10C schematically show a part of the method for manufacturing the organic EL display device according to Comparative Example 1 (steps from the formation of the inter-pixel insulating film to the formation of the second electrode). In this comparative example 1, for example, as shown in FIG. 10A, when the inter-pixel insulating film 103 is formed, the opening 103A and the auxiliary electrode 102 are opposed to the first electrode 101 on the driving substrate 100. Opening 103B is provided respectively. Each of these openings 103A and 103B has a normal forward taper.

続いて、図10(B)に示したように、画素間絶縁膜103の開口103Aに対応する選択的な領域にのみ発光層を含む有機層104を、蒸着マスク法または塗布法により形成する(補助電極102の表面は露出させておく)。この後、図10(C)に示したように、第2電極105を基板全面にわたって形成することにより、第2電極105と補助電極102とを接触させ電気的接続を確保する。   Subsequently, as shown in FIG. 10B, an organic layer 104 including a light emitting layer only in a selective region corresponding to the opening 103A of the inter-pixel insulating film 103 is formed by an evaporation mask method or a coating method ( The surface of the auxiliary electrode 102 is exposed). Thereafter, as shown in FIG. 10C, the second electrode 105 is formed over the entire surface of the substrate, whereby the second electrode 105 and the auxiliary electrode 102 are brought into contact with each other to ensure electrical connection.

また、図11(A)〜(C)には、比較例2に係る有機EL表示装置の製造方法の一部(画素間絶縁膜形成後から第2電極形成までの工程)を模式的に示す。この比較例2では、例えば図11(A)に示したように、上記比較例1と同様の画素間絶縁膜103上の全域に有機層104を形成した後、補助電極102に対向する領域にのみレーザー光を照射する。これにより、図11(B)に示したように、補助電極102上に堆積されていた有機層104が選択的に除去される。この後、図11(C)に示したように、第2電極105を基板全面にわたって形成することにより、第2電極105と補助電極102とを接触させ電気的接続を確保する。   11A to 11C schematically show a part of the method for manufacturing the organic EL display device according to Comparative Example 2 (steps from formation of the inter-pixel insulating film to formation of the second electrode). . In this comparative example 2, as shown in FIG. 11A, for example, after the organic layer 104 is formed over the entire area of the inter-pixel insulating film 103 similar to the comparative example 1, the region facing the auxiliary electrode 102 is formed. Only irradiate with laser light. Thereby, as shown in FIG. 11B, the organic layer 104 deposited on the auxiliary electrode 102 is selectively removed. Thereafter, as shown in FIG. 11C, the second electrode 105 is formed over the entire surface of the substrate, whereby the second electrode 105 and the auxiliary electrode 102 are brought into contact with each other to ensure electrical connection.

上記比較例1,2のうち、比較例1の手法では、有機層104を塗り分けマスクを用いた蒸着法(マスク蒸着法)または塗布法によりパターニングする必要がある。この際、マスク蒸着法では、マスクとの位置合わせ精度や歩留まりが悪くなり易く、塗布法では高精細化に対応しにくい。一方、比較例2の手法では、有機層15を選択的に除去するためにレーザー照射工程を経るために、製造コストが高くなってしまう。このため、そのような塗り分け工程やレーザー照射工程等を経ることなく、簡易な製造プロセスで補助電極を形成することが望まれている。   Of the above Comparative Examples 1 and 2, in the method of Comparative Example 1, it is necessary to pattern the organic layer 104 by a vapor deposition method (mask vapor deposition method) using a separate mask or a coating method. At this time, the mask deposition method tends to deteriorate the alignment accuracy with the mask and the yield, and the coating method is difficult to cope with high definition. On the other hand, in the method of Comparative Example 2, since the laser irradiation process is performed to selectively remove the organic layer 15, the manufacturing cost is increased. For this reason, it is desired to form the auxiliary electrode by a simple manufacturing process without going through such a separate coating process or laser irradiation process.

そこで、本実施の形態では、画素間絶縁膜14に、第1電極12に対向する開口S1を設ける一方、補助電極13に対向して、逆テーパ部14Bを有する開口S2を設けている。これにより、有機層15を、全面蒸着した場合であっても、画素間絶縁膜14の開口S2内の逆テーパ部14Bに対向する領域において、補助電極13の表面を有機層15から露出させておくことができる。この有機層15上の全域に第2電極16をスパッタ形成することにより、第2電極16を、開口S2内部まで逆テーパ部14Bを回り込むように成膜することができ、補助電極13の露出部分まで延在形成される。従って、上記比較例1のような蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいは比較例2のようなレーザー照射工程を経ることなく、開口S2の一部において、第2電極16と補助電極13との電気的接続が確保される。   Therefore, in the present embodiment, the inter-pixel insulating film 14 is provided with the opening S1 that faces the first electrode 12, while the opening S2 that has the reverse tapered portion 14B is provided facing the auxiliary electrode 13. Thereby, even when the organic layer 15 is deposited on the entire surface, the surface of the auxiliary electrode 13 is exposed from the organic layer 15 in a region facing the reverse tapered portion 14B in the opening S2 of the inter-pixel insulating film 14. I can leave. By forming the second electrode 16 over the entire area of the organic layer 15 by sputtering, the second electrode 16 can be formed to wrap around the reverse taper portion 14B to the inside of the opening S2, and the exposed portion of the auxiliary electrode 13 can be formed. Is formed to extend to. Therefore, the second electrode 16 and the auxiliary electrode are partially supported in the opening S2 without the separate coating process using the vapor deposition mask and the coating method as in Comparative Example 1 or the laser irradiation process as in Comparative Example 2. Electrical connection with the electrode 13 is ensured.

ここで、図12に、上記のような有機EL表示装置1において、IZOよりなる第2電極16の膜厚を変化させた場合の電流電圧特性(I−V特性)についての実験結果を示す。尚、比較例として、塗り分けマスクを使用して発光画素のみ有機膜を成膜した(補助電極部分は有機膜により被覆されないようにした)ものを作成し(IZO膜厚:40nm)、同様にI−V特性について測定した。これをこの結果から、第2電極16の膜厚が大きくなるほど、補助電極との良好なコンタクト性能が得られ、例えばIZO30nm以上では、比較例と同等に電圧降下が抑制されていることがわかる。   Here, in FIG. 12, the experimental result about the current-voltage characteristic (IV characteristic) at the time of changing the film thickness of the 2nd electrode 16 which consists of IZO in the above organic EL display devices 1 is shown. As a comparative example, an organic film was formed only on the light-emitting pixels using a separate mask (the auxiliary electrode portion was not covered with the organic film) (IZO film thickness: 40 nm), and similarly The IV characteristics were measured. From this result, it can be seen that as the film thickness of the second electrode 16 increases, better contact performance with the auxiliary electrode is obtained. For example, at IZO of 30 nm or more, the voltage drop is suppressed as in the comparative example.

また、画素間絶縁膜14の開口S2に、順テーパ部14Aが設けられていることにより、この順テーパ部14A上の領域では、有機層15および第2電極16が、順テーパ部14Aの形状に倣って連続的に(分断されることなく)形成される。また、これらの有機層15および第2電極16が、順テーパ部14Aに対向する領域から開口S1に対向する領域まで、画素間絶縁膜14の表面形状に倣って連続的に形成される。これにより、第2電極16のうち開口S1上の部分(発光領域直上の電極部分)にまで補助電極13から電位供給を行うことができる。従って、基板面内の電圧降下をより効果的に抑制することができる。   In addition, since the forward tapered portion 14A is provided in the opening S2 of the inter-pixel insulating film 14, the organic layer 15 and the second electrode 16 are formed in the shape of the forward tapered portion 14A in the region on the forward tapered portion 14A. Are formed continuously (without being divided). Further, the organic layer 15 and the second electrode 16 are continuously formed following the surface shape of the inter-pixel insulating film 14 from a region facing the forward tapered portion 14A to a region facing the opening S1. Thus, the potential can be supplied from the auxiliary electrode 13 to the portion of the second electrode 16 above the opening S1 (the electrode portion immediately above the light emitting region). Therefore, the voltage drop in the substrate surface can be suppressed more effectively.

以上のように本実施の形態では、画素間絶縁膜14に、第1電極12に対向する開口S1、補助電極13に対向する開口S2をそれぞれ設け、開口S2には、順テーパ部14Aおよび逆テーパ部14B形成する。これにより、有機層15を、全面蒸着した場合であっても、画素間絶縁膜14の開口S2の一部において、補助電極13の表面を有機層15から露出させておくことができる。従って、蒸着用マスクや塗布法を用いた塗り分け工程、あるいはレーザー照射工程を経ることなく、開口S2において、第2電極16と補助電極13とを電気的に接続することができる。   As described above, in this embodiment, the inter-pixel insulating film 14 is provided with the opening S1 that faces the first electrode 12 and the opening S2 that faces the auxiliary electrode 13, and the forward taper portion 14A and the reverse side are provided in the opening S2. A tapered portion 14B is formed. Thereby, even when the organic layer 15 is deposited on the entire surface, the surface of the auxiliary electrode 13 can be exposed from the organic layer 15 in a part of the opening S2 of the inter-pixel insulating film 14. Therefore, the second electrode 16 and the auxiliary electrode 13 can be electrically connected to each other in the opening S2 without performing a coating process using a vapor deposition mask or a coating method or a laser irradiation process.

続いて、上記実施の形態の変形例(変形例1〜3)について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。   Subsequently, modified examples (modified examples 1 to 3) of the above-described embodiment will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same thing as the component in the said embodiment, and description is abbreviate | omitted suitably.

<変形例1>
図13は、変形例1に係る有機EL表示装置(有機EL表示装置2)の断面構成を表したものである。有機EL表示装置2は、上記実施の形態の有機EL表示装置1と同様、例えばトップエミッション方式により発光を生じるものであり、駆動基板10上に、複数の有機EL素子1Aが例えばマトリクス状に配置されたものである。また、有機EL素子1Aの第1電極12と電気的に絶縁され、かつ第2電極16と電気的に接続された、補助電極21を備えている。そして、画素間絶縁膜14がその補助電極21に対向して開口S3を有しており、開口S3には、順テーパ部14Aと逆テーパ部14Bとが設けられている。
<Modification 1>
FIG. 13 illustrates a cross-sectional configuration of an organic EL display device (organic EL display device 2) according to Modification 1. Similar to the organic EL display device 1 of the above-described embodiment, the organic EL display device 2 emits light by, for example, a top emission method, and a plurality of organic EL elements 1A are arranged on the drive substrate 10 in a matrix, for example. It has been done. In addition, an auxiliary electrode 21 that is electrically insulated from the first electrode 12 of the organic EL element 1 </ b> A and electrically connected to the second electrode 16 is provided. The inter-pixel insulating film 14 has an opening S3 facing the auxiliary electrode 21, and a forward taper portion 14A and a reverse taper portion 14B are provided in the opening S3.

但し、本変形例では、上記実施の形態と異なり、補助電極21が、第1電極12と異なる層(第1電極12よりも下層)に設けられている。具体的には、補助電極21は、駆動基板10における層間絶縁膜113上(ソース・ドレイン電極114と同層)に設けられている。また、この補助電極21上には平坦化膜115が形成されるが、この平坦化膜115には、補助電極21に対向して開口H3が設けられている。画素間絶縁膜14は、そのような平坦化膜115の開口H3を埋め込むように形成されている。   However, in the present modification, unlike the above embodiment, the auxiliary electrode 21 is provided in a layer different from the first electrode 12 (lower layer than the first electrode 12). Specifically, the auxiliary electrode 21 is provided on the interlayer insulating film 113 in the drive substrate 10 (same layer as the source / drain electrode 114). A planarizing film 115 is formed on the auxiliary electrode 21, and an opening H <b> 3 is provided in the planarizing film 115 so as to face the auxiliary electrode 21. The inter-pixel insulating film 14 is formed so as to fill the opening H3 of the planarizing film 115.

本変形例のように、補助電極21は、第1電極12よりも下層、例えば駆動基板10におけるTFT11のソース・ドレイン電極114と同層に形成されていてもよい。このような場合であっても、例えばソース・ドレイン電極114の形成工程において、補助電極21を同時にパターニング形成し、平坦化膜115の補助電極21に対向する領域を開口すれば、上記実施の形態と同様にして、開口S1,S3を有する画素間絶縁膜14を形成することができる。この画素間絶縁膜14上に、有機層15および第2電極16を形成することにより、上記実施の形態と同様、開口S3内の逆テーパ部14Bに対向する領域において、第2電極16と補助電極21との電気的接続を確保できる。よって、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。   As in this modification, the auxiliary electrode 21 may be formed in a lower layer than the first electrode 12, for example, in the same layer as the source / drain electrode 114 of the TFT 11 in the driving substrate 10. Even in such a case, for example, in the step of forming the source / drain electrode 114, if the auxiliary electrode 21 is simultaneously formed by patterning and a region facing the auxiliary electrode 21 of the planarizing film 115 is opened, the above embodiment Similarly, the inter-pixel insulating film 14 having the openings S1 and S3 can be formed. By forming the organic layer 15 and the second electrode 16 on the inter-pixel insulating film 14, the second electrode 16 and the auxiliary electrode are formed in a region facing the reverse tapered portion 14B in the opening S3, as in the above embodiment. An electrical connection with the electrode 21 can be ensured. Therefore, an effect equivalent to that of the above embodiment can be obtained.

尚、補助電極21は、ソース・ドレイン電極114と別工程において、ソース・ドレイン電極114と異なる積層構造または電極材料により形成するようにしてもよい。また、補助電極21を設ける層は、このソース・ドレイン電極114と同層に限らず、他の層、例えばゲート電極110と同層であってもよい。   The auxiliary electrode 21 may be formed in a different process from the source / drain electrode 114 by a laminated structure or an electrode material different from the source / drain electrode 114. The layer on which the auxiliary electrode 21 is provided is not limited to the same layer as the source / drain electrode 114, but may be another layer, for example, the same layer as the gate electrode 110.

<変形例2>
図14〜図16は、変形例2に係る画素間絶縁膜の形成方法の断面構成を表したものである。画素間絶縁膜14において補助電極に対向する開口を形成する手法(逆テーパ形成手法)としては、上記実施の形態で説明した手法の他にも、本変形例のようなリフトオフ層を用いたものが挙げられる。
<Modification 2>
14 to 16 illustrate a cross-sectional configuration of the inter-pixel insulating film forming method according to the second modification. As a method of forming an opening facing the auxiliary electrode in the inter-pixel insulating film 14 (reverse taper forming method), in addition to the method described in the above embodiment, a lift-off layer as in this modification is used. Is mentioned.

即ち、図14(A)に示したように、まず補助電極13上に、リフトオフ層22として例えばアルミニウム等からなる薄膜を例えばスパッタ法により成膜した後、このアルミニウム膜上にフォトレジスト膜122を塗布し、露光、現像によりパターニングする。この後、フォトレジスト膜122をマスクとしたエッチングにより、上記アルミニウム膜をパターニングし、補助電極13とフォトレジスト膜122との間にリフトオフ層22を形成する。   That is, as shown in FIG. 14A, first, a thin film made of, for example, aluminum or the like is formed on the auxiliary electrode 13 as the lift-off layer 22, for example, by sputtering, and then a photoresist film 122 is formed on the aluminum film. It is applied and patterned by exposure and development. Thereafter, the aluminum film is patterned by etching using the photoresist film 122 as a mask, and the lift-off layer 22 is formed between the auxiliary electrode 13 and the photoresist film 122.

続いて、図14(B)に示したように、フォトレジスト膜122をアッシングした後、ポストベークすることにより、側面にテーパ(順テーパ)を形成する。このようにして形成したフォトレジスト膜(逆テーパ形成用薄膜122a)を、上記実施の形態における逆テーパ形成用薄膜120(金属)と同様にして、逆テーパ形成用の薄膜として利用する。即ち、本変形例では、上記リフトオフ層22のパターニングに使用したフォトレジスト膜122を除去せずにリフトオフ層22上に残存させ、これを逆テーパ形成用に利用する。   Subsequently, as shown in FIG. 14B, the photoresist film 122 is ashed and then post-baked to form a taper (forward taper) on the side surface. The photoresist film thus formed (reverse taper forming thin film 122a) is used as a reverse taper forming thin film in the same manner as the reverse taper forming thin film 120 (metal) in the above embodiment. That is, in this modification, the photoresist film 122 used for the patterning of the lift-off layer 22 is left on the lift-off layer 22 without being removed, and this is used for reverse taper formation.

次いで、画素間絶縁膜14を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には
、まず図15(A)に示したように、上記実施の形態と同様にして、画素間絶縁膜14
を基板全面にわたって成膜する。また、この後、図15(B)に示したように、画素間
絶縁膜14の選択的な領域を、上記実施の形態と同様のフォトマスク121を用いて露
光する。続いて、上記実施の形態と同様にして画素間絶縁膜14を現像する。この際、
現像液としては、例えば、TMAH水溶液を使用することにより、画素間絶縁膜14の
現像と同時に、逆テーパ形成用薄膜122aの下層にあるリフトオフ層(アルミニウム
等)をウェットエッチングにより溶かすことができる。これにより、フォトレジストよ
りなる逆テーパ形成用薄膜122aを除去(リフトオフ)することができる。この後、
リンス液で洗浄し、更に加熱(ポストベーク)することにより、図16に示したように
、上記実施の形態と同様の開口S1,S2を有する画素間絶縁膜14を形成できる。
Next, the inter-pixel insulating film 14 is formed using a photolithography method. Specifically, first, as shown in FIG. 15A, the inter-pixel insulating film 14 is formed in the same manner as in the above embodiment.
Is formed over the entire surface of the substrate. After that, as shown in FIG. 15B, a selective region of the inter-pixel insulating film 14 is exposed using a photomask 121 similar to that in the above embodiment mode. Subsequently, the inter-pixel insulating film 14 is developed in the same manner as in the above embodiment. On this occasion,
As the developer, for example, by using a TMAH aqueous solution, the lift-off layer (aluminum or the like) under the reverse taper forming thin film 122a can be dissolved by wet etching simultaneously with the development of the inter-pixel insulating film 14. Thereby, the reverse taper forming thin film 122a made of a photoresist can be removed (lifted off). After this,
By washing with a rinsing solution and further heating (post-baking), the inter-pixel insulating film 14 having the openings S1 and S2 similar to those in the above embodiment can be formed as shown in FIG.

<変形例3>
図17および図18は、変形例3に係る画素間絶縁膜の形成方法の断面構成を表した
ものである。上記変形例2では、逆テーパ形成手法として、アルミニウム等の金属から
なるリフトオフ層を用いたものを例示したが、以下のようなリフトオフ層を用いると、
より工程を簡易化できる。
<Modification 3>
17 and 18 show a cross-sectional configuration of the method for forming an inter-pixel insulating film according to the third modification. In the second modification, the reverse taper forming method is exemplified by using a lift-off layer made of a metal such as aluminum, but when the following lift-off layer is used,
Further, the process can be simplified.

即ち、まず図17(A)に示したように、駆動基板10上に、上記実施の形態と同様
にして補助電極13を形成する。この後、上記実施の形態と同様にして第1電極12を
形成するが、この際、補助電極13上にも薄膜パターン(リフトオフ層12A)を同時
に形成する。即ち、基板全面にわたって第1電極12としての金属膜を成膜した後、フ
ォトレジストの塗布、露光、現像によりパターニングを行い、フォトレジスト膜123
,124を形成する。この後、図17(B)に示したように、フォトレジスト膜123
,124をマスクとしたエッチングを行うことにより、第1電極12とリフトオフ層1
2Aとを一括形成する。
That is, first, as shown in FIG. 17A, the auxiliary electrode 13 is formed on the drive substrate 10 in the same manner as in the above embodiment. Thereafter, the first electrode 12 is formed in the same manner as in the above embodiment. At this time, a thin film pattern (lift-off layer 12A) is also formed on the auxiliary electrode 13 at the same time. That is, after forming a metal film as the first electrode 12 over the entire surface of the substrate, patterning is performed by applying, exposing, and developing a photoresist, and the photoresist film 123 is formed.
, 124 are formed. Thereafter, as shown in FIG.
, 124 as a mask, the first electrode 12 and the lift-off layer 1 are etched.
2A are collectively formed.

続いて、図17(C)に示したように、フォトレジスト膜123,124をアッシン
グした後、ポストベークすることにより、側面にテーパ(順テーパ)を形成する。この
ようにして形成したフォトレジスト膜(逆テーパ形成用薄膜124a)を、上記実施の
形態における逆テーパ形成用薄膜120(金属)と同様にして、逆テーパ形成用の薄膜
として利用する。即ち、本変形例では、上記リフトオフ層12Aのパターニングに使用
したフォトレジスト膜124を除去せずにリフトオフ層12A上に残存させ、これを逆
テーパ形成用に利用する。尚、第1電極12上にはフォトレジスト膜123aが残存す
るが、これは後の工程において除去すればよい。
Subsequently, as shown in FIG. 17C, the photoresist films 123 and 124 are ashed and then post-baked to form a taper (forward taper) on the side surface. The photoresist film thus formed (reverse taper forming thin film 124a) is used as a reverse taper forming thin film in the same manner as the reverse taper forming thin film 120 (metal) in the above embodiment. That is, in this modification, the photoresist film 124 used for the patterning of the lift-off layer 12A is left on the lift-off layer 12A without being removed, and this is used for forming an inverse taper. Although the photoresist film 123a remains on the first electrode 12, it may be removed in a later step.

次いで、画素間絶縁膜14を、フォトリソグラフィ法を用いて形成する。具体的には
、まず、上記実施の形態と同様にして、画素間絶縁膜14を基板全面にわたって成膜し
た後、図18(A)に示したように、画素間絶縁膜14の選択的な領域を、上記実施の
形態と同様のフォトマスク121を用いて露光する。続いて、上記実施の形態と同様に
して画素間絶縁膜14を現像する。この際、現像液としては、例えば、TMAH水溶液
を使用することにより、画素間絶縁膜14の現像と同時に、逆テーパ形成用薄膜124
aの下層にあるリフトオフ層12A(AlNd)と補助電極13の最表面に形成された
Tiとのガルバニ腐食により溶かすことができる。これにより、フォトレジストよりな
る逆テーパ形成用薄膜124aを除去(リフトオフ)することができる。続いて、駆動
基板10上に残ったフォトレジスト(特にフォトレジスト膜123a)をアッシングに
より除去する。この後、リンス液で洗浄し、更に加熱(ポストベーク)することにより
、図18(B)に示したように、上記実施の形態と同様の開口S1,S2を有する画素
間絶縁膜14を形成できる。
Next, the inter-pixel insulating film 14 is formed using a photolithography method. Specifically, first, as in the above embodiment, the inter-pixel insulating film 14 is formed over the entire surface of the substrate, and then, as shown in FIG. The region is exposed using a photomask 121 similar to that in the above embodiment mode. Subsequently, the inter-pixel insulating film 14 is developed in the same manner as in the above embodiment. At this time, as the developing solution, for example, a TMAH aqueous solution is used, so that the reverse taper forming thin film 124 is simultaneously formed with the development of the inter-pixel insulating film 14.
It can be dissolved by galvanic corrosion between the lift-off layer 12A (AlNd) in the lower layer of a and Ti formed on the outermost surface of the auxiliary electrode 13. Thereby, the reverse taper forming thin film 124a made of a photoresist can be removed (lifted off). Subsequently, the photoresist (particularly the photoresist film 123a) remaining on the driving substrate 10 is removed by ashing. Thereafter, the substrate is washed with a rinsing solution and further heated (post-baked) to form an inter-pixel insulating film 14 having openings S1 and S2 similar to those in the above-described embodiment as shown in FIG. it can.

[有機EL表示装置の全体構成、画素回路構成]
次に、上記実施の形態等に係る有機EL表示装置の全体構成および画素回路構成につ
いて説明する。図19は、有機ELディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路
を含む全体構成を表すものである。このように、例えば駆動基板10上には、有機EL
素子を含む複数の画素PXLC(サブピクセル)がマトリクス状に配置されてなる表示
領域30が形成され、この表示領域30の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレク
タ(HSEL)31と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ(WSCN)32と、
電源線駆動回路としての電源スキャナ(DSCN)33とが設けられている。
[Overall configuration of organic EL display device, pixel circuit configuration]
Next, the overall configuration and pixel circuit configuration of the organic EL display device according to the above-described embodiment and the like will be described. FIG. 19 shows an overall configuration including peripheral circuits of a display device used as an organic EL display. Thus, for example, on the drive substrate 10, the organic EL
A display region 30 in which a plurality of pixels PXLC (subpixels) including elements are arranged in a matrix is formed, and a horizontal selector (HSEL) 31 serving as a signal line driver circuit and a scanning line are formed around the display region 30. A write scanner (WSCN) 32 as a drive circuit;
A power supply scanner (DSCN) 33 as a power supply line driving circuit is provided.

表示領域30において、列方向には複数(整数n個)の信号線DTL1〜DTLnが
配置され、行方向には、複数(整数m個)の走査線WSL1〜WSLmおよび電源線D
SL1〜DSLmがそれぞれ配置されている。また、各信号線DTLと各走査線WSL
との交差点に、各画素PXLC(R、G、Bに対応する画素のいずれか1つ)が設けら
れている。各信号線DTLは水平セレクタ31に接続され、この水平セレクタ31から
各信号線DTLへ映像信号が供給されるようになっている。各走査線WSLはライトス
キャナ32に接続され、このライトスキャナ32から各走査線WSLへ走査信号(選択
パルス)が供給されるようになっている。各電源線DSLは電源スキャナ33に接続さ
れ、この電源スキャナ33から各電源線DSLへ電源信号(制御パルス)が供給される
ようになっている。
In the display area 30, a plurality (n integers) of signal lines DTL1 to DTLn are arranged in the column direction, and a plurality (m integers) of the scanning lines WSL1 to WSLm and the power supply line D are arranged in the row direction.
SL1 to DSLm are respectively arranged. Each signal line DTL and each scanning line WSL
Each pixel PXLC (any one of pixels corresponding to R, G, and B) is provided at the intersection with. Each signal line DTL is connected to a horizontal selector 31, and a video signal is supplied from the horizontal selector 31 to each signal line DTL. Each scanning line WSL is connected to the write scanner 32, and a scanning signal (selection pulse) is supplied from the write scanner 32 to each scanning line WSL. Each power supply line DSL is connected to the power supply scanner 33, and a power supply signal (control pulse) is supplied from the power supply scanner 33 to each power supply line DSL.

図20は、画素PXLCにおける具体的な回路構成例を表したものである。各画素P
XLCは、有機EL素子3D(上記有機EL素子1Aに相当)を含む画素回路40を有
している。この画素回路40は、サンプリング用トランジスタ3Aおよび駆動用トラン
ジスタ3Bと、保持容量素子3Cと、有機EL素子3Dとを有するアクティブ型の駆動
回路である。
FIG. 20 illustrates a specific circuit configuration example in the pixel PXLC. Each pixel P
The XLC has a pixel circuit 40 including an organic EL element 3D (corresponding to the organic EL element 1A). The pixel circuit 40 is an active driving circuit having a sampling transistor 3A and a driving transistor 3B, a storage capacitor element 3C, and an organic EL element 3D.

サンプリング用トランジスタ3Aは、そのゲートが対応する走査線WSLに接続され
、そのソースおよびドレインのうちの一方が対応する信号線DTLに接続され、他方が
駆動用トランジスタ3Bのゲートに接続されている。駆動用トランジスタ3Bは、その
ドレインが対応する電源線DSLに接続され、ソースが有機EL素子3Dのアノードに
接続されている。また、この有機EL素子3Dのカソードは、接地配線3Hに接続され
ている。なお、この接地配線3Hは、全ての画素PXLCに対して共通に配線されてい
る。保持容量素子3Cは、駆動用トランジスタ3Bのソースとゲートとの間に配置され
ている。
Sampling transistor 3A has its gate connected to corresponding scanning line WSL, one of its source and drain connected to corresponding signal line DTL, and the other connected to the gate of driving transistor 3B. The drive transistor 3B has a drain connected to the corresponding power supply line DSL and a source connected to the anode of the organic EL element 3D. The cathode of the organic EL element 3D is connected to the ground wiring 3H. The ground wiring 3H is wired in common to all the pixels PXLC. The storage capacitor element 3C is disposed between the source and gate of the driving transistor 3B.

サンプリング用トランジスタ3Aは、走査線WSLから供給される走査信号(選択パ
ルス)に応じて導通することにより、信号線DTLから供給される映像信号の信号電位
をサンプリングし、保持容量素子3Cに保持するものである。駆動用トランジスタ3B
は、所定の第1電位(図示せず)に設定された電源線DSLから電流の供給を受け、保
持容量素子3Cに保持された信号電位に応じて、駆動電流を有機EL素子3Dへ供給す
るものである。有機EL素子3Dは、この駆動用トランジスタ3Bから供給された駆動
電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
The sampling transistor 3A conducts according to the scanning signal (selection pulse) supplied from the scanning line WSL, thereby sampling the signal potential of the video signal supplied from the signal line DTL and holding it in the storage capacitor element 3C. Is. Driving transistor 3B
Receives a current supplied from a power supply line DSL set to a predetermined first potential (not shown), and supplies a drive current to the organic EL element 3D according to the signal potential held in the holding capacitor element 3C. Is. The organic EL element 3D emits light with a luminance corresponding to the signal potential of the video signal by the driving current supplied from the driving transistor 3B.

このような回路構成では、走査線WSLから供給される走査信号(選択パルス)に応
じてサンプリング用トランジスタ3Aが導通することにより、信号線DTLから供給さ
れた映像信号の信号電位がサンプリングされ、保持容量素子3Cに保持される。また、
上記第1電位に設定された電源線DSLから駆動用トランジスタ3Bへ電流が供給され
、保持容量素子3Cに保持された信号電位に応じて、駆動電流が有機EL素子3Dへ供
給される。そして、各有機EL素子3Dは、供給された駆動電流により、映像信号の信
号電位に応じた輝度で発光する。これにより、表示装置において、映像信号に基づく映
像表示がなされる。
In such a circuit configuration, the sampling transistor 3A is turned on according to the scanning signal (selection pulse) supplied from the scanning line WSL, whereby the signal potential of the video signal supplied from the signal line DTL is sampled and held. It is held in the capacitive element 3C. Also,
A current is supplied to the driving transistor 3B from the power supply line DSL set to the first potential, and a driving current is supplied to the organic EL element 3D in accordance with the signal potential held in the holding capacitor element 3C. Each organic EL element 3D emits light with a luminance corresponding to the signal potential of the video signal by the supplied drive current. Thereby, video display based on the video signal is performed on the display device.

<適用例>
以下、上記のような有機EL表示装置1等の電子機器への適用例について説明する。
有機EL表示装置1等は、テレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコ
ンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電
子機器に適用することが可能である。言い換えると、有機EL表示装置1等は、外部か
ら入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表
示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
<Application example>
Hereinafter, application examples to the electronic apparatus such as the organic EL display device 1 will be described.
The organic EL display device 1 and the like can be applied to electronic devices in various fields such as a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile terminal device such as a mobile phone, or a video camera. In other words, the organic EL display device 1 and the like can be applied to electronic devices in various fields that display a video signal input from the outside or a video signal generated inside as an image or video.

(モジュール)
上記有機EL表示装置1等は、例えば図21に示したようなモジュールとして、後述
の適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆
動基板10の一辺に、封止基板20から露出した領域210を設け、この露出した領域
210に、水平セレクタ31、ライトスキャナ32および電源スキャナ33の配線を延
長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。この外部接続端子には、信号
の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)
220が設けられていてもよい。
(module)
The organic EL display device 1 and the like are incorporated into various electronic devices such as application examples 1 to 5 described later, for example, as a module shown in FIG. In this module, for example, a region 210 exposed from the sealing substrate 20 is provided on one side of the drive substrate 10, and the wiring of the horizontal selector 31, the light scanner 32, and the power scanner 33 is extended to the exposed region 210. A connection terminal (not shown) is formed. This external connection terminal has a flexible printed circuit (FPC) for signal input and output.
220 may be provided.

(適用例1)
図22は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、
例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部3
00を有しており、この映像表示画面部300が有機EL表示装置1等に相当する。
(Application example 1)
FIG. 22 illustrates the appearance of a television device. This television device
For example, the video display screen unit 3 including the front panel 310 and the filter glass 320.
00, and this video display screen unit 300 corresponds to the organic EL display device 1 or the like.

(適用例2)
図23は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例え
ば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャ
ッターボタン440を有しており、この表示部420が有機EL表示装置1等に相当す
る。
(Application example 2)
FIG. 23 shows the appearance of a digital camera. The digital camera includes, for example, a flash light emitting unit 410, a display unit 420, a menu switch 430, and a shutter button 440. The display unit 420 corresponds to the organic EL display device 1 or the like.

(適用例3)
図24は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート
型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボ
ード520および画像を表示する表示部530を有しており、この表示部530が有機
EL表示装置1等に相当する。
(Application example 3)
FIG. 24 shows the appearance of a notebook personal computer. The notebook personal computer has, for example, a main body 510, a keyboard 520 for inputting characters and the like, and a display unit 530 for displaying an image. The display unit 530 corresponds to the organic EL display device 1 and the like. .

(適用例4)
図25は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、
本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620
,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。この
表示部640が有機EL表示装置1等に相当する。
(Application example 4)
FIG. 25 shows the appearance of the video camera. This video camera is, for example,
A main body 610 and a subject photographing lens 620 provided on the front side surface of the main body 610
, A start / stop switch 630 and a display unit 640 at the time of shooting. The display unit 640 corresponds to the organic EL display device 1 or the like.

(適用例5)
図26は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐
体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディ
スプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ77
0を有している。そして、これらのうちのディスプレイ740またはサブディスプレイ
750が、有機EL表示装置1等に相当する。
(Application example 5)
FIG. 26 shows the appearance of a mobile phone. In this mobile phone, for example, an upper housing 710 and a lower housing 720 are connected by a connecting portion (hinge portion) 730, and a display 740, a sub-display 750, a picture light 760, and a camera 77 are connected.
0. Of these, the display 740 or the sub-display 750 corresponds to the organic EL display device 1 or the like.

以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて説明したが、本開示内容はこれらの
実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等にお
いて説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定される
ものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件
としてもよい。
As described above, the embodiments, modifications, and application examples have been described, but the present disclosure is not limited to these embodiments and the like, and various modifications are possible. For example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment and the like, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used, or other film formation methods and film formation may be performed. It is good also as film | membrane conditions.

また、上記実施の形態等では、第2電極16の成膜手法としてスパッタ法を例示した
が、斜め蒸着(テーパ面に沿った方向からの斜方蒸着)により形成することもできる。
このようにして、逆テーパ部を有する開口S2内に第2電極16を堆積させるようにし
てもよい。
Moreover, in the said embodiment etc., although the sputtering method was illustrated as a film-forming method of the 2nd electrode 16, it can also form by diagonal vapor deposition (oblique vapor deposition from the direction along a taper surface).
In this way, the second electrode 16 may be deposited in the opening S2 having a reverse tapered portion.

更に、上記実施の形態等では、有機EL素子としてトップエミッション方式のものを
例示したが、これに限らず、下面発光方式(いわゆるボトムエミッション方式)のもの
にも適用可能である。この場合、第1電極12を透明導電膜により形成すると共に、第
2電極16に光反射性を有する金属膜が設けられるようにする。また、この場合、駆動
基板10のTFT11上に、例えばR,G,B,の各色のカラーフィルタが設けられて
いてもよい。具体的には、TFT11上に無機絶縁膜が設けられ、この無機絶縁膜上の
第1電極12に対向する領域にカラーフィルタが形成される。
Further, in the above-described embodiment and the like, the top emission type is exemplified as the organic EL element. However, the organic EL element is not limited to this and can be applied to a bottom emission type (so-called bottom emission type). In this case, the first electrode 12 is formed of a transparent conductive film, and the second electrode 16 is provided with a metal film having light reflectivity. In this case, for example, R, G, B color filters may be provided on the TFT 11 of the drive substrate 10. Specifically, an inorganic insulating film is provided on the TFT 11 and a color filter is formed in a region facing the first electrode 12 on the inorganic insulating film.

また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の有機EL表示装置の場合に
ついて説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の有機EL表示装置への適用も可能
である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実
施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加して
もよい。
In the above-described embodiment and the like, the case of an active matrix organic EL display device has been described. However, the present disclosure can also be applied to a passive matrix organic EL display device. Furthermore, the configuration of the pixel driving circuit for active matrix driving is not limited to that described in the above embodiment, and a capacitor or a transistor may be added as necessary.

尚、本開示は、以下の(1)〜(20)に記載したような構成であってもよい。
(1)基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、前記第1電極に対向して第1開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に設けられた第2電極とを備え、前記画素間絶縁膜の前記第2開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第2電極が前記補助電極に電気的に接続されている有機EL表示装置。
(2)前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域では、前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した領域において前記第2電極が前記補助電極に接触している上記(1)に記載の有機EL表示装置。
(3)前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域では、前記有機層が補助電極を被覆すると共に、前記有機層および前記第2電極がそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に設けられている上記(1)または(2)に記載の有機EL表示装置。
(4)前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第1開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第2電極が前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に設けられている上記(1)〜(3)のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(5)前記補助電極は、前記基板上の前記第1電極と同層に設けられている上記(1)〜(4)のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(6)前記基板上に薄膜トランジスタを含む画素回路が設けられ、前記補助電極は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート、ソースまたはドレインのいずれかの電極と同層に設けられている上記(1)〜(5のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(7)第1電極は、アルミニウムとネオジウムとの合金(AlNd合金),酸化インジウム錫(ITO)と銀(Ag)との積層膜,または酸化インジウム亜鉛(IZO)と銀との積層膜である上記(1)〜(6)のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(8)第2電極は、酸化インジウム錫,酸化インジウム亜鉛,酸化亜鉛(ZnO)またはマグネシウム(Mg)および銀の共蒸着膜よりなる上記(1)〜(7)のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(9)前記補助電極は、チタン(Ti),アルミニウム(Al),アルミニウムとネオジウムとの合金(AlNd合金),酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの1種以上を含む単層膜または積層膜である上記(1)〜(8)のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(10)前記発光層は白色発光層である上記(1)〜(9)のいずれかに記載の有機EL表示装置。
(11)基板上に第1電極を形成する工程と、前記第1電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、前記第1電極に対向して第1開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、前記有機層上に第2電極を形成する工程とを含み、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第2開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、前記第2電極を形成する工程では、前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第2電極を前記補助電極に電気的に接続させる有機EL表示装置の製造方法。
(12)前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において、前記補助電極の一部を前記有機層から露出させ、この露出した領域において前記第2電極を前記補助電極に接触させる上記(11)に記載の有機EL表示装置の製造方法。
(13)前記有機層を形成する工程では、前記有機層を蒸着法により形成し、前記第2電極を形成する工程では、前記第2電極をスパッタ法または斜方蒸着法により形成する上記(11)または(12)に記載の有機EL表示装置の製造方法。
(14)前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域において、前記有機層および前記第2電極をそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に形成する上記(1)〜(13)のいずれかに記載の有機EL表示装置の製造方法。
(15)前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第1開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第2電極を前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に形成する上記(1)〜(14)のいずれかに記載の有機EL表示装置の製造方法。
(16)前記画素間絶縁膜を形成する工程の前に、前記補助電極上に、側面に順テーパを有する逆テーパ形成用薄膜を形成し、前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記逆テーパ形成用薄膜を覆って絶縁膜材料を成膜した後、前記画素間絶縁膜に前記第1開口を形成し、かつ前記逆テーパ形成用薄膜と、前記絶縁膜材料の前記逆テーパ形成用薄膜の順テーパに対向する一部を除いた部分とを選択的に除去することにより、前記第2開口を形成する上記(1)〜(15)のいずれかに記載の有機EL表示装置の製造方法。
(17)前記逆テーパ形成用薄膜と前記補助電極との間に、前記逆テーパ形成用薄膜を除去するためのリフトオフ層を形成する上記(16)記載の有機EL表示装置の製造方法。
(18)前記リフトオフ層を形成する際に使用したフォトレジスト膜を、前記逆テーパ形成用薄膜として利用する上記(17)に記載の有機EL表示装置の製造方法。
(19)前記補助電極を形成した後、前記リフトオフ層と前記第1電極とを同一工程において一括形成する上記(18)に記載の有機EL表示装置の製造方法。
(20)基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、前記第1電極に対向して第1開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に設けられた第2電極とを備え、前記画素間絶縁膜の前記第2開口は、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第2電極が前記補助電極に電気的に接続されている有機EL表示装置を備えた電子機器。
The present disclosure may be configured as described in the following (1) to (20).
(1) A first electrode provided on a substrate, an auxiliary electrode provided in electrical insulation with the first electrode, a first opening facing the first electrode, and at least one of the auxiliary electrode An inter-pixel insulating film having a second opening facing each other, an organic layer formed over the entire area on the inter-pixel insulating film and including a light emitting layer, and a second electrode provided on the organic layer And the second opening of the inter-pixel insulating film includes a forward tapered portion that is inclined with an obtuse angle with respect to the substrate surface, and a reverse tapered portion that is inclined with an acute angle with respect to the substrate surface. An organic EL display device in which the second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the reverse tapered portion of two openings.
(2) In a region of the second opening facing the reverse tapered portion, a part of the auxiliary electrode is exposed from the organic layer, and the second electrode is in contact with the auxiliary electrode in the exposed region. The organic EL display device according to (1) above.
(3) In the region of the second opening facing the forward tapered portion, the organic layer covers the auxiliary electrode, and the organic layer and the second electrode are each continuously following the shape of the forward tapered portion. The organic EL display device according to (1) or (2), which is provided in the above.
(4) From the region facing the forward tapered portion of the second opening to the region facing the first opening, the organic layer and the second electrode continuously follow the surface shape of the inter-pixel insulating film. The organic EL display device according to any one of (1) to (3), which is provided.
(5) The organic EL display device according to any one of (1) to (4), wherein the auxiliary electrode is provided in the same layer as the first electrode on the substrate.
(6) A pixel circuit including a thin film transistor is provided on the substrate, and the auxiliary electrode is provided in the same layer as any of the gate, source, and drain electrodes of the thin film transistor. The organic electroluminescence display in any one.
(7) The first electrode is an alloy of aluminum and neodymium (AlNd alloy), a laminated film of indium tin oxide (ITO) and silver (Ag), or a laminated film of indium zinc oxide (IZO) and silver. The organic EL display device according to any one of (1) to (6) above.
(8) The organic EL according to any one of (1) to (7), wherein the second electrode is formed of a co-deposited film of indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide (ZnO), magnesium (Mg), and silver. Display device.
(9) The auxiliary electrode is a single layer film or a multilayer film including at least one of titanium (Ti), aluminum (Al), an alloy of aluminum and neodymium (AlNd alloy), indium tin oxide, and indium zinc oxide. The organic EL display device according to any one of the above (1) to (8).
(10) The organic EL display device according to any one of (1) to (9), wherein the light emitting layer is a white light emitting layer.
(11) a step of forming a first electrode on the substrate, a step of forming an auxiliary electrode electrically insulated from the first electrode, a first opening facing the first electrode, and at least one of the auxiliary electrodes Forming an inter-pixel insulating film having a second opening facing a part thereof; forming an organic layer including a light-emitting layer over the entire area on the inter-pixel insulating film; The step of forming the inter-pixel insulating film includes forming a forward tapered portion inclined at an obtuse angle with respect to the substrate surface and an acute angle with respect to the substrate surface. In the step of forming an inclined reverse taper portion and forming the second electrode, an organic EL that electrically connects the second electrode to the auxiliary electrode in a region of the second opening facing the reverse taper portion. Manufacturing method of display device.
(12) In the region of the second opening facing the reverse tapered portion, a part of the auxiliary electrode is exposed from the organic layer, and the second electrode is brought into contact with the auxiliary electrode in the exposed region. A method for producing an organic EL display device according to 11).
(13) In the step of forming the organic layer, the organic layer is formed by vapor deposition, and in the step of forming the second electrode, the second electrode is formed by sputtering or oblique vapor deposition. ) Or the method for producing an organic EL display device according to (12).
(14) In the region of the second opening facing the forward tapered portion, the organic layer and the second electrode are continuously formed in accordance with the shape of the forward tapered portion, respectively (1) to (13) The manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus in any one of.
(15) From the region of the second opening facing the forward tapered portion to the region of facing the first opening, the organic layer and the second electrode are continuously formed following the surface shape of the inter-pixel insulating film. The manufacturing method of the organic electroluminescence display in any one of said (1)-(14) to form.
(16) Before the step of forming the interpixel insulating film, a reverse taper forming thin film having a forward taper on the side surface is formed on the auxiliary electrode, and in the step of forming the interpixel insulating film, the reverse After forming the insulating film material over the taper forming thin film, the first opening is formed in the inter-pixel insulating film, and the reverse taper forming thin film and the reverse taper forming thin film of the insulating film material are formed. The method of manufacturing an organic EL display device according to any one of (1) to (15), wherein the second opening is formed by selectively removing a portion excluding a portion facing the forward taper of .
(17) The method for manufacturing an organic EL display device according to the above (16), wherein a lift-off layer for removing the reverse taper forming thin film is formed between the reverse taper forming thin film and the auxiliary electrode.
(18) The method for manufacturing an organic EL display device according to (17), wherein the photoresist film used when forming the lift-off layer is used as the thin film for forming an inverse taper.
(19) The method for manufacturing an organic EL display device according to (18), wherein after the auxiliary electrode is formed, the lift-off layer and the first electrode are collectively formed in the same step.
(20) At least one of the first electrode provided on the substrate, the auxiliary electrode provided to be electrically insulated from the first electrode, the first opening facing the first electrode, and the auxiliary electrode. An inter-pixel insulating film having a second opening facing each other, an organic layer formed over the entire area on the inter-pixel insulating film and including a light emitting layer, and a second electrode provided on the organic layer And the second opening of the inter-pixel insulating film includes a forward tapered portion that is inclined with an obtuse angle with respect to the substrate surface, and a reverse tapered portion that is inclined with an acute angle with respect to the substrate surface. An electronic apparatus including an organic EL display device in which the second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the reverse tapered portion of two openings.

1,2…有機EL表示装置、1A…有機EL素子、10…駆動基板、11…TFT、12…第1電極、13,21…補助電極、14…画素間絶縁膜、15…有機層、16…第2電極、17…保護層、20…封止基板、S1〜S3…開口、14A…順テーパ部、14B…逆テーパ部、120,122a,124a…逆テーパ形成用薄膜、22,12A…リフトオフ層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 ... Organic EL display apparatus, 1A ... Organic EL element, 10 ... Drive board, 11 ... TFT, 12 ... 1st electrode, 13, 21 ... Auxiliary electrode, 14 ... Inter pixel insulating film, 15 ... Organic layer, 16 2nd electrode, 17 ... protective layer, 20 ... sealing substrate, S1 to S3 ... opening, 14A ... forward taper part, 14B ... reverse taper part, 120, 122a, 124a ... thin film for forming reverse taper, 22, 12A ... Lift-off layer.

Claims (20)

基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、
前記第1電極に対向して第1開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第2電極とを備え、
前記画素間絶縁膜の前記第2開口は、
基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、
基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ
前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第2電極が前記補助電極に電気的に接続されている
有機EL表示装置。
A first electrode provided on a substrate;
An auxiliary electrode that is electrically insulated from the first electrode;
An inter-pixel insulating film having a first opening facing the first electrode and a second opening facing at least a part of the auxiliary electrode;
An organic layer formed over the entire area of the inter-pixel insulating film and including a light emitting layer;
A second electrode provided on the organic layer,
The second opening of the inter-pixel insulating film is
A forward taper portion inclined at an obtuse angle with respect to the substrate surface;
A reverse taper portion inclined at an acute angle with respect to the substrate surface, and the second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the reverse taper portion of the second opening. EL display device.
前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域では、
前記補助電極の一部が前記有機層から露出し、この露出した領域において前記第2電極が前記補助電極に接触している
請求項1に記載の有機EL表示装置。
In a region facing the reverse tapered portion of the second opening,
The organic EL display device according to claim 1, wherein a part of the auxiliary electrode is exposed from the organic layer, and the second electrode is in contact with the auxiliary electrode in the exposed region.
前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域では、前記有機層が補助電極を被覆すると共に、前記有機層および前記第2電極がそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に設けられている
請求項1に記載の有機EL表示装置。
In the region of the second opening facing the forward tapered portion, the organic layer covers the auxiliary electrode, and the organic layer and the second electrode are continuously provided following the shape of the forward tapered portion, respectively. The organic EL display device according to claim 1.
前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第1開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第2電極が前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に設けられている
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The organic layer and the second electrode are continuously provided following the surface shape of the inter-pixel insulating film from a region facing the forward tapered portion of the second opening to a region facing the first opening. The organic EL display device according to claim 1.
前記補助電極は、前記基板上の前記第1電極と同層に設けられている
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is provided in the same layer as the first electrode on the substrate.
前記基板上に薄膜トランジスタを含む画素回路が設けられ、
前記補助電極は、前記薄膜トランジスタにおけるゲート、ソースまたはドレインのいずれかの電極と同層に設けられている
請求項1に記載の有機EL表示装置。
A pixel circuit including a thin film transistor is provided on the substrate,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is provided in the same layer as any one of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode in the thin film transistor.
第1電極は、アルミニウムとネオジウムとの合金(AlNd合金),酸化インジウム錫(ITO)と銀(Ag)との積層膜,または酸化インジウム亜鉛(IZO)と銀との積層膜である
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The first electrode is an alloy of aluminum and neodymium (AlNd alloy), a laminated film of indium tin oxide (ITO) and silver (Ag), or a laminated film of indium zinc oxide (IZO) and silver. The organic EL display device described in 1.
第2電極は、酸化インジウム錫,酸化インジウム亜鉛,酸化亜鉛(ZnO)またはマグネシウム(Mg)および銀の共蒸着膜よりなる
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 1, wherein the second electrode is formed of a co-evaporated film of indium tin oxide, indium zinc oxide, zinc oxide (ZnO), magnesium (Mg), and silver.
前記補助電極は、チタン(Ti),アルミニウム(Al),アルミニウムとネオジウムとの合金(AlNd合金),酸化インジウム錫および酸化インジウム亜鉛のうちの1種以上を含む単層膜または積層膜である
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The auxiliary electrode is a single layer film or a multilayer film including at least one of titanium (Ti), aluminum (Al), an alloy of aluminum and neodymium (AlNd alloy), indium tin oxide, and indium zinc oxide. Item 2. An organic EL display device according to Item 1.
前記発光層は白色発光層である
請求項1に記載の有機EL表示装置。
The organic EL display device according to claim 1, wherein the light emitting layer is a white light emitting layer.
基板上に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極と電気的に絶縁した補助電極を形成する工程と、
前記第1電極に対向して第1開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜を形成する工程と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層上に第2電極を形成する工程とを含み、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、前記第2開口に、基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを形成し、
前記第2電極を形成する工程では、前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第2電極を前記補助電極に電気的に接続させる
有機EL表示装置の製造方法。
Forming a first electrode on a substrate;
Forming an auxiliary electrode electrically insulated from the first electrode;
Forming an inter-pixel insulating film having a first opening facing the first electrode and a second opening facing at least a part of the auxiliary electrode;
Forming an organic layer including a light emitting layer over the entire region on the inter-pixel insulating film;
Forming a second electrode on the organic layer,
In the step of forming the inter-pixel insulating film, a forward taper portion inclined at an obtuse angle with respect to the substrate surface and a reverse taper portion inclined at an acute angle with respect to the substrate surface are formed in the second opening,
In the step of forming the second electrode, the second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the reverse tapered portion of the second opening.
前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において、前記補助電極の一部を前記有機層から露出させ、この露出した領域において前記第2電極を前記補助電極に接触させる
請求項11に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The part of the auxiliary electrode is exposed from the organic layer in a region of the second opening facing the reverse tapered portion, and the second electrode is brought into contact with the auxiliary electrode in the exposed region. Manufacturing method of organic EL display device.
前記有機層を形成する工程では、前記有機層を蒸着法により形成し、
前記第2電極を形成する工程では、前記第2電極をスパッタ法または斜方蒸着法により形成する
請求項12に記載の有機EL表示装置の製造方法。
In the step of forming the organic layer, the organic layer is formed by a vapor deposition method,
The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 12, wherein in the step of forming the second electrode, the second electrode is formed by a sputtering method or an oblique deposition method.
前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域において、前記有機層および前記第2電極をそれぞれ前記順テーパ部の形状に倣って連続的に形成する
請求項11に記載の有機EL表示装置の製造方法。
12. The organic EL display device according to claim 11, wherein the organic layer and the second electrode are continuously formed to follow the shape of the forward tapered portion in a region of the second opening facing the forward tapered portion. Production method.
前記第2開口の前記順テーパ部に対向する領域から前記第1開口に対向する領域まで、前記有機層および前記第2電極を前記画素間絶縁膜の表面形状に倣って連続的に形成する
請求項14に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The organic layer and the second electrode are continuously formed following the surface shape of the inter-pixel insulating film from a region facing the forward tapered portion of the second opening to a region facing the first opening. Item 15. A method for producing an organic EL display device according to Item 14.
前記画素間絶縁膜を形成する工程の前に、前記補助電極上に、側面に順テーパを有する逆テーパ形成用薄膜を形成し、
前記画素間絶縁膜を形成する工程では、
前記逆テーパ形成用薄膜を覆って絶縁膜材料を成膜した後、
前記画素間絶縁膜に前記第1開口を形成し、かつ
前記逆テーパ形成用薄膜と、前記絶縁膜材料の前記逆テーパ形成用薄膜の順テーパに対向する一部を除いた部分とを選択的に除去することにより、前記第2開口を形成する
請求項11に記載の有機EL表示装置の製造方法。
Before the step of forming the inter-pixel insulating film, a thin film for forming a reverse taper having a forward taper on the side surface is formed on the auxiliary electrode.
In the step of forming the inter-pixel insulating film,
After covering the reverse taper forming thin film and forming an insulating film material,
The first opening is formed in the inter-pixel insulating film, and the reverse taper forming thin film and a portion of the insulating film material excluding a part facing the forward taper of the reverse taper forming thin film are selectively used. The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 11, wherein the second opening is formed by removing the second opening.
前記逆テーパ形成用薄膜と前記補助電極との間に、前記逆テーパ形成用薄膜を除去するためのリフトオフ層を形成する
請求項16に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 16, wherein a lift-off layer for removing the reverse taper forming thin film is formed between the reverse taper forming thin film and the auxiliary electrode.
前記リフトオフ層を形成する際に使用したフォトレジスト膜を、前記逆テーパ形成用薄膜として利用する
請求項17に記載の有機EL表示装置の製造方法。
The method of manufacturing an organic EL display device according to claim 17, wherein a photoresist film used when forming the lift-off layer is used as the reverse taper forming thin film.
前記補助電極を形成した後、
前記リフトオフ層と前記第1電極とを同一工程において一括形成する
請求項18に記載の有機EL表示装置の製造方法。
After forming the auxiliary electrode,
The method for manufacturing an organic EL display device according to claim 18, wherein the lift-off layer and the first electrode are collectively formed in the same process.
基板上に設けられた第1電極と、
前記第1電極と電気的に絶縁して設けられた補助電極と、
前記第1電極に対向して第1開口、前記補助電極の少なくとも一部に対向して第2開口をそれぞれ有する画素間絶縁膜と、
前記画素間絶縁膜上の全域にわたって形成され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に設けられた第2電極とを備え、
前記画素間絶縁膜の前記第2開口は、
基板面に対し鈍角をなして傾斜する順テーパ部と、
基板面に対し鋭角をなして傾斜する逆テーパ部とを有し、かつ
前記第2開口の前記逆テーパ部に対向する領域において前記第2電極が前記補助電極に電気的に接続されている
有機EL表示装置を備えた電子機器。
A first electrode provided on a substrate;
An auxiliary electrode that is electrically insulated from the first electrode;
An inter-pixel insulating film having a first opening facing the first electrode and a second opening facing at least a part of the auxiliary electrode;
An organic layer formed over the entire area of the inter-pixel insulating film and including a light emitting layer;
A second electrode provided on the organic layer,
The second opening of the inter-pixel insulating film is
A forward taper portion inclined at an obtuse angle with respect to the substrate surface;
A reverse taper portion inclined at an acute angle with respect to the substrate surface, and the second electrode is electrically connected to the auxiliary electrode in a region facing the reverse taper portion of the second opening. An electronic device provided with an EL display device.
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015005342A (en) * 2013-06-19 2015-01-08 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and electronic apparatus
KR20150060509A (en) 2013-11-26 2015-06-03 소니 주식회사 Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
JP2015118796A (en) * 2013-12-18 2015-06-25 東京エレクトロン株式会社 ORGANIC EL ELEMENT STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING PANEL
KR20160033589A (en) * 2014-09-17 2016-03-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2016047440A1 (en) * 2014-09-22 2016-03-31 ソニー株式会社 Display device, method for manufacturing same and electronic device
KR20160066657A (en) * 2014-12-02 2016-06-13 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting transistor and display apparatus having the same
KR20170015829A (en) * 2015-07-31 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for fabricating thereof
CN106463642A (en) * 2014-05-12 2017-02-22 乐金显示有限公司 Organic light-emitting diode and method for manufacturing same
KR20170038599A (en) * 2015-09-30 2017-04-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JPWO2015198605A1 (en) * 2014-06-26 2017-04-20 株式会社Joled Display device
KR20170078168A (en) * 2015-12-29 2017-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
KR20180025053A (en) * 2016-08-31 2018-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Array and Organic Light Emitting Display Device Using the Same
JP2018156882A (en) * 2017-03-21 2018-10-04 株式会社Joled Organic el display panel and manufacturing method thereof
US10468623B2 (en) 2017-02-16 2019-11-05 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel
US10665812B2 (en) 2017-02-10 2020-05-26 Joled Inc. Organic EL display panel and method for producing organic EL display panel
CN113764606A (en) * 2020-06-03 2021-12-07 大日本印刷株式会社 Electronic device, manufacturing method of electronic device, and vapor deposition mask set
CN114512515A (en) * 2020-11-17 2022-05-17 株式会社日本显示器 display device
JP7531531B2 (en) 2021-12-16 2024-08-09 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 Organic light emitting diode display panel and display device

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015005342A (en) * 2013-06-19 2015-01-08 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and electronic apparatus
US9947887B2 (en) 2013-11-26 2018-04-17 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
KR20150060509A (en) 2013-11-26 2015-06-03 소니 주식회사 Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
JP2015103438A (en) * 2013-11-26 2015-06-04 ソニー株式会社 Display device, method of manufacturing display device and electronic apparatus
KR102481551B1 (en) * 2013-11-26 2022-12-27 소니그룹주식회사 Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
US10886496B2 (en) 2013-11-26 2021-01-05 Sony Corporation Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
JP2015118796A (en) * 2013-12-18 2015-06-25 東京エレクトロン株式会社 ORGANIC EL ELEMENT STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LIGHT EMITTING PANEL
TWI665799B (en) * 2013-12-18 2019-07-11 日商東京威力科創股份有限公司 Organic electroluminescence element structure, manufacturing method thereof, and light emitting panel
CN106463642B (en) * 2014-05-12 2018-05-29 乐金显示有限公司 Organic light emitting apparatus and its manufacturing method
CN106463642A (en) * 2014-05-12 2017-02-22 乐金显示有限公司 Organic light-emitting diode and method for manufacturing same
US10074823B2 (en) 2014-05-12 2018-09-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emtting device with short circuit preventing layer and method for manufacturing the same
JPWO2015198605A1 (en) * 2014-06-26 2017-04-20 株式会社Joled Display device
KR20160033589A (en) * 2014-09-17 2016-03-28 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102609226B1 (en) * 2014-09-17 2023-12-05 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
US10186569B2 (en) 2014-09-22 2019-01-22 Sony Corporation Display device having an auxiliary electrode on the substrate with an end surface contacting an electrode of the organic light emitting element
WO2016047440A1 (en) * 2014-09-22 2016-03-31 ソニー株式会社 Display device, method for manufacturing same and electronic device
US11476322B2 (en) 2014-09-22 2022-10-18 Sony Corporation Display device, method of manufacturing the display device, and electronic apparatus
KR20160066657A (en) * 2014-12-02 2016-06-13 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting transistor and display apparatus having the same
KR102294724B1 (en) 2014-12-02 2021-08-31 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting transistor and display apparatus having the same
KR20170015829A (en) * 2015-07-31 2017-02-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for fabricating thereof
KR102575459B1 (en) * 2015-07-31 2023-09-06 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method for fabricating thereof
KR20170038599A (en) * 2015-09-30 2017-04-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102521002B1 (en) * 2015-09-30 2023-04-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR102595445B1 (en) * 2015-12-29 2023-10-27 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
KR102462498B1 (en) * 2015-12-29 2022-11-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
KR20220150866A (en) * 2015-12-29 2022-11-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
KR20170078168A (en) * 2015-12-29 2017-07-07 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
KR102656232B1 (en) * 2016-08-31 2024-04-09 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Array and Organic Light Emitting Display Device Using the Same
KR20180025053A (en) * 2016-08-31 2018-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Array and Organic Light Emitting Display Device Using the Same
US10665812B2 (en) 2017-02-10 2020-05-26 Joled Inc. Organic EL display panel and method for producing organic EL display panel
US10468623B2 (en) 2017-02-16 2019-11-05 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel
JP2018156882A (en) * 2017-03-21 2018-10-04 株式会社Joled Organic el display panel and manufacturing method thereof
CN113764606A (en) * 2020-06-03 2021-12-07 大日本印刷株式会社 Electronic device, manufacturing method of electronic device, and vapor deposition mask set
CN114512515A (en) * 2020-11-17 2022-05-17 株式会社日本显示器 display device
JP7531531B2 (en) 2021-12-16 2024-08-09 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 Organic light emitting diode display panel and display device

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