JP2024125195A - Iridium complex compound, composition for organic electroluminescence device, and method for producing organic electroluminescence device - Google Patents

Iridium complex compound, composition for organic electroluminescence device, and method for producing organic electroluminescence device Download PDF

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和弘 長山
Kazuhiro Nagayama
茜 加藤
Akane Kato
一毅 岡部
Kazutake Okabe
智宏 安部
Tomohiro Abe
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Abstract

To provide an iridium complex compound that has high solvent solubility suitable for the wet deposition technique and enhances luminous efficiency of red organic EL devices when used as an assistance dopant in red luminous devices.SOLUTION: The present invention provides an iridium complex compound represented by a formula (1) (where each substituent is as defined in the specifications).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明はイリジウム錯体化合物に関し、特に、有機電界発光素子(以下、「有機EL素子」と称す場合がある。)の発光層の材料として有用なイリジウム錯体化合物、該化合物を含有する有機電界発光素子用組成物、この有機電界発光素子用組成物を用いる有機電界発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to an iridium complex compound, and in particular to an iridium complex compound useful as a material for the light-emitting layer of an organic electroluminescent element (hereinafter sometimes referred to as an "organic EL element"), a composition for an organic electroluminescent element containing the compound, and a method for producing an organic electroluminescent element using the composition for an organic electroluminescent element.

有機EL照明や有機ELディスプレイなど、有機EL素子を利用する各種電子デバイスが実用化されている。有機EL素子は、印加電圧が低いため消費電力が小さく、三原色発光も可能であるため、大型のディスプレイモニターだけではなく、携帯電話やスマートフォンに代表される中小型ディスプレイへの応用が始まっている。
有機EL素子は発光層や電荷注入層、電荷輸送層など複数の層を積層することにより製造される。現在、有機EL素子の多くは、有機材料を真空下で蒸着することにより製造されている。しかし、真空蒸着法では、蒸着プロセスが煩雑となり、生産性に劣る。さらに、真空蒸着法で製造された有機EL素子では照明やディスプレイのパネルの大型化が極めて難しいという問題がある。そのため、近年、大型のディスプレイや照明に用いることのできる有機EL素子を効率よく製造するプロセスとして、湿式成膜法(塗布法)が盛んに研究されている。湿式成膜法は、真空蒸着法に比べて安定した層を容易に形成できる利点があるため、ディスプレイや照明装置の量産化や大型デバイスへの適用が期待されている。
Various electronic devices that use organic EL elements, such as organic EL lighting and organic EL displays, have been put to practical use. Organic EL elements consume little power due to the low applied voltage, and are capable of emitting the three primary colors, so they are beginning to be used not only in large display monitors, but also in small and medium-sized displays such as mobile phones and smartphones.
An organic EL element is manufactured by stacking a plurality of layers, such as a light-emitting layer, a charge injection layer, and a charge transport layer. Currently, most organic EL elements are manufactured by depositing organic materials under vacuum. However, the vacuum deposition method requires a complicated deposition process, resulting in poor productivity. Furthermore, organic EL elements manufactured by the vacuum deposition method have a problem in that it is extremely difficult to enlarge the panels of lighting and displays. For this reason, in recent years, wet film formation (coating) has been actively researched as a process for efficiently manufacturing organic EL elements that can be used for large displays and lighting. The wet film formation method has the advantage of being able to easily form a stable layer compared to the vacuum deposition method, and is therefore expected to be applied to mass production of displays and lighting devices and large devices.

一方で、有機EL素子として求められる性能として、発光効率の向上と駆動寿命の長寿命化が挙げられる。これらを同時に満たすことが出来なければ、有機ELディスプレイ材料として用いることは困難となる。 On the other hand, the performance required for an organic EL element is improved luminous efficiency and a long operating life. If these requirements cannot be met simultaneously, it will be difficult to use the element as an organic EL display material.

特に、赤色の有機EL素子においては、発光効率、すなわち、単位電流あたりの光度(カンデラ)をいかに向上させるかに注目が集まっている。ディスプレイの色域を広くして、より色再現性のある映像とするためには、赤色素子には、より長波長発光を示す赤色発光材料を用いなければならない。しかし、赤色領域における長波長化には、発光効率の観点から2つの本質的な課題がある。
第一の課題は、人間の目による視感度(分光視感効率)の問題で、600nmを超える波長の光は長波長化すると急激に視感度が減少するため、発光効率の値も大きく減じてしまうことにある。
第二の課題は、エネルギーギャップ則という法則が存在し、励起エネルギーが小さくなる(長波長発光する)と、発光する分子の振動状態との相互作用が大きくなるため、無輻射失活する割合が指数関数的に増大してしまい、結果として発光量子収率が低下する、すなわち発光効率が低下することにある。
従って、赤色素子の発光効率の向上は有機ELディスプレイの性能向上に極めて重要である。
In particular, for red organic EL elements, attention has been focused on how to improve the luminous efficiency, i.e., the luminous intensity (candela) per unit current. In order to widen the color gamut of the display and produce images with better color reproducibility, red elements must use red luminous materials that emit light at longer wavelengths. However, there are two essential problems in terms of luminous efficiency when it comes to increasing the wavelength in the red region.
The first problem is the visibility of the human eye (spectral luminous efficiency), in that the visibility of light with wavelengths over 600 nm drops sharply as the wavelength increases, resulting in a large reduction in the luminous efficiency.
The second problem is that there exists a law known as the energy gap law, which states that as the excitation energy decreases (emission of long wavelengths occurs), the interaction with the vibrational state of the emitting molecule increases, and the rate of non-radiative deactivation increases exponentially. As a result, the luminescence quantum yield decreases, i.e., the luminescence efficiency decreases.
Therefore, improving the luminous efficiency of the red elements is extremely important for improving the performance of organic EL displays.

赤色素子の特性向上のための手法の一つとして、発光層にアシストドーパントを共存させるという方法がある。通常、有機EL素子の発光層には、電荷を輸送するホスト分子と、正孔と電子が再結合することにより発生する励起エネルギーを得て発光するドーパント分子が存在する。再結合はホストあるいはドーパント上で起こりうるが、発光効率の向上が期待できるドーパント上で再結合を起こすように設計されることが多い。しかし、赤色素子においては赤色発光ドーパント分子が耐久性に劣る場合が多い。このような設計の結果、該ドーパント分子に負荷が集中するために、結果として駆動寿命が短いものとなる。
これを改善するために、ドーパント分子よりもエネルギーギャップが広い(言い換えれば、発光した場合に発光極大波長がより短い)第二のドーパント分子を共存させ、第二のドーパント上に一旦励起子を発生させたのち、よりエネルギーギャップの狭い赤色発光ドーパントへエネルギー移動を起こさせて発光させる方法がある。耐久性の高い第二のドーパント、すなわちアシストドーパントを用いて負荷を分散させることで素子の長寿命化を図ることができる。また、赤色発光ドーパントはHOMO-LUMOギャップが狭いために、正孔あるいは電子を注入するのに適切なホスト材料が用意できない場合があるが、アシストドーパントとしてエネルギーギャップが広い材料を用いて、該アシストドーパント上で再結合を起こさせるように素子を設計すれば、無効電流を減らして発光効率を向上させることができる。このような、赤色素子における好ましいアシストドーパントは、それ自身が黄緑~黄色ないし橙色に発光するものである。
One of the methods for improving the characteristics of red elements is to have an assist dopant coexist in the light-emitting layer. Usually, the light-emitting layer of an organic EL element contains a host molecule that transports charges and a dopant molecule that emits light by obtaining excitation energy generated by the recombination of holes and electrons. Recombination can occur on the host or the dopant, but it is often designed to cause recombination on the dopant, which is expected to improve the light-emitting efficiency. However, in red elements, red-emitting dopant molecules often have poor durability. As a result of such a design, the load is concentrated on the dopant molecule, resulting in a short operating life.
To improve this, there is a method in which a second dopant molecule having a wider energy gap than the dopant molecule (in other words, a shorter maximum emission wavelength when light is emitted) is made to coexist, and excitons are generated on the second dopant, and then energy is transferred to a red light-emitting dopant having a narrower energy gap to emit light. The life of the element can be extended by distributing the load using a highly durable second dopant, i.e., an assist dopant. In addition, since the red light-emitting dopant has a narrow HOMO-LUMO gap, there are cases in which a host material suitable for injecting holes or electrons cannot be prepared. However, if a material having a wide energy gap is used as an assist dopant and the element is designed to cause recombination on the assist dopant, the reactive current can be reduced and the luminous efficiency can be improved. A preferred assist dopant in such a red element is one that emits light in yellow-green to yellow or orange by itself.

発光層内に多くの成分を共存させ性能の向上を図ることは、湿式成膜法の、真空蒸着法に対する利点である。真空蒸着法では材料種が増加すると蒸着速度を一定にコントロールすることが困難になるのに対して、湿式成膜法では材料種が増加しても各材料が有機溶剤(以下、単に「溶剤」と称す場合がある。)に溶解しさえすれば、一定の成分比のインクが作製可能である。 The advantage of the wet film-forming method over the vacuum deposition method is that it allows many components to coexist in the light-emitting layer, improving performance. With the vacuum deposition method, it becomes difficult to control the deposition rate at a constant rate as the number of material types increases, whereas with the wet film-forming method, as long as each material dissolves in an organic solvent (hereinafter sometimes simply referred to as "solvent"), it is possible to create an ink with a constant component ratio, even if the number of material types increases.

近年、インクに発光ドーパントおよびアシストドーパントとして2種類のイリジウム錯体化合物を用い、有機EL素子の発光効率を高めたり、駆動電圧を低めたりして、有機EL素子の性能を改善しようとする試みがなされている(例えば、特許文献1及び2)。
また、黄緑~黄色に発光しうるイリジウム錯体化合物の例として、フルオレニルピリジン配位子や、チエノ[3,2-c]ピリジン配位子を有する構造が開示されている(特許文献3~6および非特許文献1)この化合物をアシストドーパントとして用い赤色発光材料を光らせる素子の例についても報告がある(非特許文献2)。
In recent years, attempts have been made to improve the performance of organic EL elements by using two types of iridium complex compounds in inks as a light-emitting dopant and an assist dopant to increase the luminous efficiency of the organic EL element and reduce the driving voltage (for example, Patent Documents 1 and 2).
In addition, as examples of iridium complex compounds capable of emitting yellow-green to yellow light, structures having a fluorenylpyridine ligand or a thieno[3,2-c]pyridine ligand have been disclosed (Patent Documents 3 to 6 and Non-Patent Document 1). There has also been a report of an example of a device in which this compound is used as an assist dopant to make a red light-emitting material emit light (Non-Patent Document 2).

国際公開第2015/192939号International Publication No. 2015/192939 国際公開第2016/015815号International Publication No. 2016/015815 特開2002-332291号公報JP 2002-332291 A 国際公開第2015/105014号International Publication No. 2015/105014 米国特許出願公開第2016/0164007号明細書US Patent Application Publication No. 2016/0164007 米国特許出願公開第2018/0175309号明細書US Patent Application Publication No. 2018/0175309

C.Fang,J.Miao,B.Jiang,C.Yang,H.Wu,J.Qin,Y.Cao,Organic Electronics 14(2013) 3392-3398.C. Fang, J. Miao, B. Jiang, C. Yang, H. Wu, J. Qin, Y. Cao, Organic Electronics 14 (2013) 3392-3398. Y.Zou,J.Hu,M.Yu, J. Miao,Z.Xie, Y. Qiu,X. Cao,C.Yang,Adv.Mater.2022,34,2201442.Y. Zou, J. Hu, M. Yu, J. Miao, Z. Xie, Y. Qiu, X. Cao, C. Yang, Adv. Mater. 2022, 34, 2201442.

しかし、特許文献1および2に開示されているアシストドーパントの構造では、そのものの発光色が緑色であり、赤色ドーパントとのエネルギー差が大きいため、エネルギー移動が遅く、結果としてアシストドーパント自体の発光が観察される。このことは、赤色素子としての色純度などの素子特性に悪影響を及ぼす。
また、特許文献3~6および非特許文献1~2に具体的に開示されている化合物では、溶剤溶解性が不足するために湿式成膜法の材料として利用することは難しく、溶媒や塗布条件などを工夫することにより塗布型有機EL素子を作成した場合であっても寿命が短く、赤色ドーパントへのエネルギー移動効率が低いなどアシストドーパントとしての特性も十分ではない。
However, in the assist dopant structures disclosed in Patent Documents 1 and 2, the emitted light is green and has a large energy difference with the red dopant, so that the energy transfer is slow and, as a result, the luminescence of the assist dopant itself is observed. This adversely affects the element characteristics such as color purity as a red element.
In addition, the compounds specifically disclosed in Patent Documents 3 to 6 and Non-Patent Documents 1 and 2 are difficult to use as materials for a wet film formation method due to insufficient solubility in solvents, and even when a coating-type organic EL element is produced by improving the solvent, coating conditions, etc., the element has a short life and is not sufficient in terms of properties as an assist dopant, such as low efficiency of energy transfer to a red dopant.

本発明は、湿式成膜法に用いることができる高い溶剤溶解性を備え、かつ、赤色発光素子においてアシストドーパントとして用いた場合に赤色有機EL素子の発光効率を向上させるイリジウム錯体化合物の提供を目的とする。 The present invention aims to provide an iridium complex compound that has high solvent solubility that can be used in wet film formation methods and that improves the luminous efficiency of red organic EL elements when used as an assist dopant in red light-emitting elements.

本発明者らが上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、特定の化学構造を有するイリジウム錯体化合物が、高い溶剤溶解性を有すると同時に、赤色発光有機EL素子の発光効率と駆動寿命の向上に寄与することを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive research conducted by the inventors to solve the above problems, they discovered that an iridium complex compound having a specific chemical structure has high solubility in solvents and at the same time contributes to improving the luminous efficiency and operating life of red-emitting organic EL elements, and thus completed the present invention.

即ち、本発明の要旨は、以下のとおりである。 In other words, the gist of the present invention is as follows:

本発明の態様1は、
下記式(1)で表されるイリジウム錯体化合物である。
Aspect 1 of the present invention is
The iridium complex compound is represented by the following formula (1).

Figure 2024125195000002
Figure 2024125195000002

[上記式(1)において、Irはイリジウム原子を表す。
~R10は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
11およびR12は、各々独立に、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
2つの隣接するR~RおよびR11とR12はそれぞれ水素原子を失いつつ互いに結合して環を形成してもよい。]
In the above formula (1), Ir represents an iridium atom.
R 1 to R 10 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.
R11 and R12 each independently represent a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.
Any two adjacent R 2 to R 5 and any two adjacent R 11 and R 12 may be bonded to each other while losing a hydrogen atom to form a ring.

本発明の態様2は、態様1のイリジウム錯体化合物において、
置換基R、R、R、RおよびR10が水素原子である、イリジウム錯体化合物である。
Aspect 2 of the present invention relates to an iridium complex compound according to aspect 1,
The iridium complex compound is one in which the substituents R 1 , R 2 , R 6 , R 7 and R 10 are hydrogen atoms.

本発明の態様3は、態様1または2のイリジウム錯体化合物において、
置換基R11が炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基である、イリジウム錯体化合物である。
A third aspect of the present invention relates to an iridium complex compound according to the first or second aspect,
In the iridium complex compound, the substituent R 11 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.

本発明の態様4は、態様1~3のいずれか1つのイリジウム錯体化合物において、
置換基RおよびRのいずれか一つが水素原子である、イリジウム錯体化合物である。
A fourth aspect of the present invention relates to an iridium complex compound according to any one of the first to third aspects,
In the iridium complex compound, any one of the substituents R3 and R4 is a hydrogen atom.

本発明の態様5は、態様1~4のいずれか1つのイリジウム錯体化合物において、
置換基Rが水素原子、炭素数1以上30以下の、直鎖もしくは分岐アルキル基または炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基である、イリジウム錯体化合物である。
A fifth aspect of the present invention relates to an iridium complex compound according to any one of the first to fourth aspects,
The iridium complex compound is one in which the substituent R 8 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms.

本発明の態様6は、
発光層に、態様1~5のいずれか1つのイリジウム錯体化合物と、最大発光波長が600nm以上である赤色発光材料とが含まれる、有機電界発光素子である。
Aspect 6 of the present invention is
The organic electroluminescent device includes an emitting layer containing the iridium complex compound according to any one of Embodiments 1 to 5 and a red emitting material having a maximum emission wavelength of 600 nm or longer.

本発明の態様7は、態様6の有機電界発光素子において、
前記赤色発光材料が式(201)で表されるイリジウム錯体化合物である、有機電界発光素子である。
A seventh aspect of the present invention is the organic electroluminescent device of the sixth aspect,
The organic electroluminescent device is characterized in that the red light emitting material is an iridium complex compound represented by formula (201).

Figure 2024125195000003
Figure 2024125195000003

[上記式(201)中、Mは、周期表第7~11族から選ばれる金属を表す。
環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
201、R202は、各々独立に、上記式(202)で表される構造であり、“*”は環A1又は環A2と結合することを表す。R201、R202は同じであっても異なっていてもよく、R201、R202がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar201は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造を表す。Ar201が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar202は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の脂肪族炭化水素構造を表す。Ar202が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar203は、置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環構造を表す。Ar203がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
環A1に結合する置換基同士、環A2に結合する置換基同士、又は環A1に結合する置換基と環A2に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
201-L200-B202は、アニオン性の2座配位子を表す。B201及びB202は、各々独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。L200は、単結合、又は、B201及びB202とともに2座配位子を構成する原子団を表す。B201-L200-B202が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
i1、i2は、各々独立に、0以上12以下の整数を表す。
i3は、Ar202に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
jは、Ar201に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
k1、k2は、各々独立に、環A1、環A2に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
mは1~3の整数である。]
[In the above formula (201), M represents a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
R 201 and R 202 are each independently a structure represented by the above formula (202), and "*" represents bonding to ring A1 or ring A2. R 201 and R 202 may be the same or different, and when a plurality of R 201 and R 202 are present, they may be the same or different.
Ar 201 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent. When a plurality of Ar 201 are present, they may be the same or different.
Ar 202 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent, or a divalent aliphatic hydrocarbon structure which may have a substituent. When a plurality of Ar 202 are present, they may be the same or different.
Ar 203 represents a monovalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a monovalent aromatic heterocyclic ring structure which may have a substituent. When there are a plurality of Ar 203 , they may be the same or different.
The substituents bonded to ring A1, the substituents bonded to ring A2, or the substituents bonded to ring A1 and the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other to form a ring.
B 201 -L 200 -B 202 represents an anionic bidentate ligand. B 201 and B 202 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, and these atoms may be atoms constituting a ring. L 200 represents a single bond, or an atomic group constituting a bidentate ligand together with B 201 and B 202. When a plurality of B 201 -L 200 -B 202 are present, they may be the same or different.
i1 and i2 each independently represent an integer of 0 to 12.
i3 is an integer of 0 or more, the upper limit of which is the number that can be substituted for Ar 202 .
j is an integer of 0 or more, the upper limit of which is the number that can be substituted on Ar 201 .
k1 and k2 each independently represent an integer of 0 or more, which is the upper limit of the number that can be substituted on ring A1 and ring A2.
m is an integer from 1 to 3.

本発明の態様8は、
態様1~5のいずれか1つのイリジウム錯体化合物と、最大発光波長が600nm以上である赤色発光材料と、有機溶剤とを含む、塗布型有機電界発光素子の発光層形成用インクである。
Aspect 8 of the present invention is
An ink for forming a light-emitting layer of a coating-type organic electroluminescent device, comprising the iridium complex compound according to any one of Aspects 1 to 5, a red light-emitting material having a maximum emission wavelength of 600 nm or more, and an organic solvent.

本発明のイリジウム錯体化合物は、湿式成膜法に用いることができる高い溶剤溶解性を備え、かつ、赤色発光素子においてアシストドーパントとして用いた場合に赤色有機EL素子の発光効率を向上させることができる。 The iridium complex compound of the present invention has high solvent solubility that allows it to be used in wet film formation methods, and when used as an assist dopant in a red light-emitting element, it can improve the luminous efficiency of the red organic EL element.

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic example of a structure of an organic electroluminescent device of the present invention.

以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
なお、本明細書において、水素原子(H)には、その同位体である重水素原子(D)を含むものとする。
The following describes in detail the embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to the following embodiments and can be modified in various ways within the scope of the invention.
In this specification, a hydrogen atom (H) includes its isotope, a deuterium atom (D).

〔イリジウム錯体化合物〕
本発明のイリジウム錯体化合物は、下記式(1)で表される化合物である。
[Iridium Complex Compounds]
The iridium complex compound of the present invention is a compound represented by the following formula (1).

Figure 2024125195000004
Figure 2024125195000004

[上記式(1)において、Irはイリジウム原子を表す。
~R10は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
11およびR12は、各々独立に、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
2つの隣接するR~RおよびR11とR12はそれぞれ水素原子を失いつつ互いに結合して環を形成してもよい。]
In the above formula (1), Ir represents an iridium atom.
R 1 to R 10 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.
R11 and R12 each independently represent a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.
Any two adjacent R 2 to R 5 and any two adjacent R 11 and R 12 may be bonded to each other while losing a hydrogen atom to form a ring.

<メカニズム>
本発明のイリジウム錯体化合物は従来材料に比べ高い溶剤溶解性を有すると同時に、このイリジウム錯体化合物を用いた赤色有機EL素子の発光効率と駆動寿命を向上させることができる。この理由は以下のように推測される。
本発明のイリジウム錯体化合物の配位子の主構造である2-フルオレニル-5-フェニルピリジン骨格は直線性が高く、HOMOとLUMOの重なりが非常に大きいと考えられる。このイリジウム錯体化合物の励起状態からの緩和の速度が速いことが予想され、事実、溶液のPL量子収率は他の類似構造に比べても同等の値を示している。加えて、このイリジウム錯体化合物の発光スペクトルの半値幅は他の類似構造と比べかなり狭い。このことは、主ピークの基となる、励起状態から最低の基底状態への遷移がより多く起こることを示唆しており、赤色ドーパントへのエネルギー移動が速く、より効果的に起きると考えられる。エネルギー移動が遅いと有機EL素子の駆動時において、アシストドーパント上での励起三重項同士の衝突(Triplet-triplet annihilation)や励起三重項と正孔との衝突(Triplet-polaron quenching)など発光とは別の異なる消光過程により、励起状態が熱に変わるため効率が低下し、また、同時に生成されるより高いエネルギー状態からの化学結合の解離を伴う分解反応が起こるため駆動寿命が低下する原因となるが、本発明のイリジウム錯体化合物ではこの問題が解消される。
<Mechanism>
The iridium complex compound of the present invention has higher solubility in solvents than conventional materials, and at the same time, it can improve the luminous efficiency and driving life of a red organic EL device using this iridium complex compound. The reason for this is presumed to be as follows.
The 2-fluorenyl-5-phenylpyridine skeleton, which is the main structure of the ligand of the iridium complex compound of the present invention, is highly linear, and it is considered that the overlap between the HOMO and LUMO is very large. It is expected that the rate of relaxation from the excited state of this iridium complex compound is fast, and in fact, the PL quantum yield of the solution shows a value equivalent to that of other similar structures. In addition, the half-width of the emission spectrum of this iridium complex compound is considerably narrower than that of other similar structures. This suggests that the transition from the excited state to the lowest ground state, which is the basis of the main peak, occurs more frequently, and it is considered that the energy transfer to the red dopant occurs quickly and more effectively. If the energy transfer is slow, when the organic EL element is driven, the excited state is converted to heat due to a quenching process separate from light emission, such as collisions between excited triplets on the assist dopant (triplet-triplet annihilation) or collisions between excited triplets and holes (triplet-polaron quenching), resulting in a decrease in efficiency. In addition, a decomposition reaction accompanied by dissociation of chemical bonds from the higher energy state generated at the same time occurs, resulting in a decrease in driving life; however, the iridium complex compound of the present invention solves these problems.

さらに、ピリジン部位が[3,2-c]チエノピリジンであることが好ましい。赤色発光材料に対するアシストドーパントとして適切な励起三重項エネルギーに調節されること、および、ピリジン環上に主に分布するLUMOをチオフェン環に拡張することによって、電子受容性が向上し、結果としてアシストドーパント上における正孔と電子の再結合が起こりやすくなり、効率が向上するものと考えられる。 Furthermore, it is preferable that the pyridine moiety is [3,2-c]thienopyridine. It is believed that the electron-accepting property is improved by adjusting the excited triplet energy to an appropriate level as an assist dopant for red light-emitting materials and by extending the LUMO, which is mainly distributed on the pyridine ring, to the thiophene ring, which results in easier recombination of holes and electrons on the assist dopant and improved efficiency.

なお、このような効果を奏させるためには、ホモレプチック型錯体、すなわち同一構造の2座配位子を3個有する錯体(LIr錯体:Lは2座配位子を表す)であることが必須である。イリジウムが有する3個の配位子が異なる場合(例えば、LIrX錯体:Xは補助配位子を表す)、HOMOやLUMOがLまたはX上に局在する割合が大きくなり、励起三重項エネルギーの低下や量子収率の低下、さらには多様な振動モードの出現により赤色発光材料へのエネルギー移動が遅くなる。そして、その結果として、赤色発光素子としての効率が低下し、および、イリジウム原子と各配位子間の結合力に偏りが生じて、素子の耐久性が低下してしまうためである。 In order to achieve such an effect, it is essential that the complex is a homoleptic complex, that is, a complex having three bidentate ligands of the same structure (L 3 Ir complex: L represents a bidentate ligand). When the three ligands of iridium are different (for example, L 2 IrX complex: X represents an auxiliary ligand), the proportion of HOMO or LUMO localized on L or X increases, resulting in a decrease in excited triplet energy, a decrease in quantum yield, and the slowing of energy transfer to the red light-emitting material due to the appearance of various vibration modes. As a result, the efficiency as a red light-emitting element decreases, and the binding force between the iridium atom and each ligand becomes biased, which reduces the durability of the element.

<置換基R~R12
式(1)における置換基R~R12は、以下に述べる種類の範囲内において、互いに同一であっても異なっていてもよく、目的とする発光波長の精密な制御や用いる溶剤との相性、有機EL素子にする場合のホスト化合物、および赤色発光化合物との相性などを考慮して最適な種類を選択することができる。
また、2つの隣接するR~RおよびR11とR12は、下式に例示されるように、隣り合う2つの置換基がそれぞれ水素原子1つを失いつつ結合することにより、環を形成してもよい。ただし、イリジウム原子近傍の配位子の縮環構造が増加すると、イリジウム錯体化合物の溶剤溶解性を著しく損なうか、π電子共役系の拡張のために励起三重項エネルギーの大きな低下を起こしうるため、2つの隣接するR~RおよびR11とR12はこのような環形成をしないことが好ましい。
<Substituents R 1 to R 12 >
The substituents R 1 to R 12 in formula (1) may be the same or different within the range of types described below, and may be selected in accordance with the requirements for precise control of the desired emission wavelength and compatibility with the solvent used. An optimal type can be selected taking into consideration compatibility with a host compound and a red light emitting compound when used in an organic EL device.
In addition, two adjacent R 2 to R 5 and R 11 and R 12 can be bonded to each other while losing one hydrogen atom, as exemplified in the following formula, to form a ring. However, if the number of condensed ring structures of the ligands near the iridium atom increases, the solvent solubility of the iridium complex compound is significantly impaired, or the excited triplet energy is large due to the expansion of the π-electron conjugated system. It is preferred that two adjacent R 2 to R 5 and R 11 and R 12 do not form such a ring, since this may cause degradation.

Figure 2024125195000005
Figure 2024125195000005

<置換基R~R10
式(1)中のR~R10は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
<Substituents R 1 to R 10 >
R 1 to R 10 in formula (1) each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, a cyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, The substituents are aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic groups having 5 to 60 carbon atoms, aralkyl groups having 5 to 60 carbon atoms, and heteroaralkyl groups having 5 to 60 carbon atoms. It may have the following structure.

<置換基R11およびR12
置換基R11およびR12は、各々独立に、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
<Substituents R 11 and R 12 >
The substituents R11 and R12 are each independently a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.

炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、n-オクチル基、ノルボルニル基、アダマンチル基などが挙げられる。アルキル基の場合、炭素数があまりにも多すぎると錯体を高度に遮蔽してしまい耐久性が損なわれるため、好ましい炭素数は20以下であり、12以下がさらに好ましく、8以下が最も好ましい。ただし、分岐アルキル基の場合は、遮蔽効果が直鎖アルキル基や環状アルキル基と比べて大きいため、炭素数は8以下が最も好ましい。 Examples of linear, branched or cyclic alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, n-pentyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, isopropyl, isobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, n-octyl, norbornyl and adamantyl groups. In the case of alkyl groups, if the number of carbon atoms is too large, the complex is highly shielded and durability is impaired, so the preferred number of carbon atoms is 20 or less, more preferably 12 or less, and most preferably 8 or less. However, in the case of branched alkyl groups, the shielding effect is greater than that of linear alkyl groups and cyclic alkyl groups, so the most preferred number of carbon atoms is 8 or less.

炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基は、単一の環あるいは縮合環として存在していてもよいし、一つの環にさらに別の種類の芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が結合あるいは縮環してできる基であってもよい。
これらの例としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェナントレニル基、ベンゾフェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、ベンゾピレニル基、ベンゾフルオランテニル基、ナフタセニル基、ペンタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ジヒドロフェナントレニル基、ジヒドロピレニル基、テトラヒドロピレニル基、インデノフルオレニル基、フリル基、ベンゾフリル基、イソベンゾフリル基、ジベンゾフラニル基、チオフェン基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピロリル基、インドリル基、イソインドリル基、カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、インドロカルバゾリル基、インデノカルバゾリル基、ピリジル基、シンノリル基、イソシンノリル基、アクリジル基、フェナンスリジル基、フェノチアジニル基、フェノキサジル基、ピラゾリル基、インダゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ナフトイミダゾリル基、フェナンスロイミダゾリル基、ピリジンイミダゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ナフトオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ピリミジル基、ベンゾピリミジル基、ピリダジニル基、キノキサリニル基、ジアザアントラセニル基、ジアザピレニル基、ピラジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、ナフチリジニル基、アザカルバゾリル基、ベンゾカルボリニル基、フェナンスロリニル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアジニル基、2,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-4-イル基、テトラゾリル基、プリニル基、ベンゾチアジアゾリル基などが挙げられる。
溶剤溶解性と耐久性のバランスの観点から、これらの基の炭素数は50以下であることが好ましく、40以下であることがより好ましく、30以下であることが最も好ましい。
The aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms and the aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms may exist as a single ring or a condensed ring, or may be a group formed by further bonding or condensing another type of aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group to one ring.
Examples of these include a phenyl group, a naphthyl group, anthracenyl group, a benzoanthracenyl group, a phenanthrenyl group, a benzophenanthrenyl group, a pyrenyl group, a chrysenyl group, a fluoranthenyl group, a perylenyl group, a benzopyrenyl group, a benzofluoranthenyl group, a naphthacenyl group, a pentacenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a spirobifluorenyl group, a dihydrophenanthrenyl group, a dihydropyrenyl group, a tetrahydropyrenyl group, an indenofluorenyl group, a furyl group, a benzofuryl group, an isobenzofuryl group, a dibenzofuranyl group, a thiophene group, a benzothiophenyl group, a dibenzothiophenyl group, a pyrrolyl group, an indolyl group, an isoindolyl group, a carbazolyl group, a benzocarbazolyl group, an indolocarbazolyl group, an indenocarbazolyl group, a pyridyl group, a cinnolyl group, an isocinnolyl group, an acridyl group, a phenoxy group, a phenyl ... anthracenyl group, phenothiazinyl group, phenoxazyl group, pyrazolyl group, indazolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, naphthimidazolyl group, phenanthroimidazolyl group, pyridineimidazolyl group, oxazolyl group, benzoxazolyl group, naphthoxazolyl group, thiazolyl group, benzothiazolyl group, pyrimidyl group, benzopyrimidyl group, pyridazinyl group, quinoxalinyl group, diazaanthracenyl group, Examples of such groups include an isyl group, a diazapyrenyl group, a pyrazinyl group, a phenoxazinyl group, a phenothiazinyl group, a naphthyridinyl group, an azacarbazolyl group, a benzocarbolinyl group, a phenanthrolinyl group, a triazolyl group, a benzotriazolyl group, an oxadiazolyl group, a thiadiazolyl group, a triazinyl group, a 2,6-diphenyl-1,3,5-triazin-4-yl group, a tetrazolyl group, a purinyl group, and a benzothiadiazolyl group.
From the viewpoint of the balance between solvent solubility and durability, these groups preferably have 50 or less carbon atoms, more preferably 40 or less, and most preferably 30 or less.

炭素数5以上60以下のアラルキル基の例としては、1,1-ジメチル-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-ブチル)-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-ヘキシル)-1-フェニルメチル基、1,1-ジ(n-オクチル)-1-フェニルメチル基、フェニルメチル基、フェニルエチル基、3-フェニル-1-プロピル基、4-フェニル-1-n-ブチル基、1-メチル-1-フェニルエチル基、5-フェニル-1-n-プロピル基、6-フェニル-1-n-ヘキシル基、6-ナフチル-1-n-ヘキシル基、7-フェニル-1-n-ヘプチル基、8-フェニル-1-n-オクチル基、4-フェニルシクロヘキシル基などが挙げられる。溶解性と耐久性のバランスの観点から、これらのアラルキル基の炭素数は40以下であることがより好ましい。 Examples of aralkyl groups having 5 to 60 carbon atoms include 1,1-dimethyl-1-phenylmethyl, 1,1-di(n-butyl)-1-phenylmethyl, 1,1-di(n-hexyl)-1-phenylmethyl, 1,1-di(n-octyl)-1-phenylmethyl, phenylmethyl, phenylethyl, 3-phenyl-1-propyl, 4-phenyl-1-n-butyl, 1-methyl-1-phenylethyl, 5-phenyl-1-n-propyl, 6-phenyl-1-n-hexyl, 6-naphthyl-1-n-hexyl, 7-phenyl-1-n-heptyl, 8-phenyl-1-n-octyl, and 4-phenylcyclohexyl. From the viewpoint of the balance between solubility and durability, it is more preferable that the number of carbon atoms in these aralkyl groups is 40 or less.

炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基の例としては、1,1-ジメチル-1-(2-ピリジル)メチル基、1,1-ジ(n-ヘキシル)-1-(2-ピリジル)メチル基、(2-ピリジル)メチル基、(2-ピリジル)エチル基、3-(2-ピリジル)-1-プロピル基、4-(2-ピリジル)-1-n-ブチル基、1-メチル-1-(2-ピリジル)エチル基、5-(2-ピリジル)-1-n-プロピル基、6-(2-ピリジル)-1-n-ヘキシル基、6-(2-ピリミジル)-1-n-ヘキシル基、6-(2,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン-4-イル)-1-n-ヘキシル基、7-(2-ピリジル)-1-n-ヘプチル基、8-(2-ピリジル)-1-n-オクチル基、4-(2-ピリジル)シクロヘキシル基などが挙げられる。溶解性と耐久性のバランスの観点から、これらのヘテロアラルキル基は50以下であることが好ましく、40以下であることがより好ましく、30以下であることが最も好ましい。 Examples of heteroaralkyl groups having 5 to 60 carbon atoms include 1,1-dimethyl-1-(2-pyridyl)methyl, 1,1-di(n-hexyl)-1-(2-pyridyl)methyl, (2-pyridyl)methyl, (2-pyridyl)ethyl, 3-(2-pyridyl)-1-propyl, 4-(2-pyridyl)-1-n-butyl, 1-methyl-1-(2-pyridyl)ethyl, 5-(2 -pyridyl)-1-n-propyl group, 6-(2-pyridyl)-1-n-hexyl group, 6-(2-pyrimidyl)-1-n-hexyl group, 6-(2,6-diphenyl-1,3,5-triazin-4-yl)-1-n-hexyl group, 7-(2-pyridyl)-1-n-heptyl group, 8-(2-pyridyl)-1-n-octyl group, 4-(2-pyridyl)cyclohexyl group, etc. From the viewpoint of the balance between solubility and durability, these heteroaralkyl groups are preferably 50 or less, more preferably 40 or less, and most preferably 30 or less.

置換基R~R12がさらに有していても良い置換基の種類に制限は無いが、好ましくは、フッ素原子、シアノ基、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。
置換基R、R、R、RおよびR10は、配位子の平面構造を保つこと、および、配位子とイリジウム原子間の結合を立体的に阻害することなく耐久性を保つという観点から、水素原子であることが好ましい。
There is no limitation on the type of substituent that the substituents R 1 to R 12 may further have, but is preferably a fluorine atom, a cyano group, a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms.
The substituents R 1 , R 2 , R 6 , R 7 and R 10 are preferably hydrogen atoms from the viewpoints of maintaining the planar structure of the ligand and maintaining durability without sterically interfering with the bond between the ligand and the iridium atom.

置換基RまたはRは、アシストドーパントとして発光層内に存在する場合の本発明のイリジウム錯体化合物の正孔輸送性を制御するために重要である。この観点から特に好ましい置換基の種類は、水素原子、炭素数1以上30以下の、直鎖または分岐アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。正孔輸送性を大きく損なわないためには、フルオレン部分が立体的な遮蔽を受けていないことが好ましいため、置換基RまたはRはうち少なくとも一つが水素原子であることがさらに好ましく、置換基RおよびRのいずれか一つが水素原子であることが特に好ましい。 Substituent R3 or R4 is important for controlling the hole transport property of the iridium complex compound of the present invention when it exists in the light-emitting layer as an assist dopant.From this viewpoint, the types of particularly preferred substituents are hydrogen atom, linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, aromatic hydrocarbon group having 5 to 60 carbon atoms and aromatic heterocyclic group having 5 to 60 carbon atoms, aralkyl group having 5 to 60 carbon atoms or heteroaralkyl group having 5 to 60 carbon atoms.In order not to significantly impair hole transport property, it is preferable that the fluorene part is not sterically shielded, so it is more preferable that at least one of the substituents R3 or R4 is a hydrogen atom, and it is particularly preferable that one of the substituents R3 and R4 is a hydrogen atom.

置換基Rはチオフェン環において置換活性が高い位置の置換基であり、強固な置換基を導入すれば耐久性は増す一方、[3,2-c]チエノピリジン環は電子が注入される部位であるため、かさ高い置換基を導入するとかえって効率に影響する可能性がある。従って、駆動寿命を伸長させる観点からは、特に、水素原子、炭素数1以上30以下の直鎖もしくは分岐アルキル基または炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基であることが好ましく、一方、効率を高める観点からは水素原子または炭素数1以上10以下の直鎖もしくは分岐アルキル基または炭素数5以上20以下の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
同様に、[3,2-c]チエノピリジン環の置換基であるRは効率を高める観点から、水素原子または炭素数1以上10以下の直鎖もしくは分岐アルキル基または炭素数5以上20以下の芳香族炭化水素基であることが好ましい。
The substituent R 8 is a substituent at a position with high substitution activity in the thiophene ring, and the introduction of a strong substituent increases durability, whereas the introduction of a bulky substituent may affect efficiency since the [3,2-c]thienopyridine ring is the site for electron injection. Therefore, from the viewpoint of extending the driving life, it is particularly preferred that the substituent is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 5 to 60 carbon atoms, whereas from the viewpoint of increasing efficiency, it is particularly preferred that the substituent is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms.
Similarly, from the viewpoint of improving efficiency, R 9 which is a substituent on the [3,2-c]thienopyridine ring is preferably a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having from 1 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 20 carbon atoms.

置換基R11およびR12は、イリジウム錯体化合物の溶解性を高く保つ観点から、好ましくはいずれか一つが、より好ましくはいずれも、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基であることが好ましい。例えば、置換基R11が炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基であることが好ましい。置換基R11およびR12は互いに異なっていても良いが、同じ種類の置換基であることが製造容易であるために好ましい。 From the viewpoint of maintaining high solubility of the iridium complex compound, it is preferable that either one of the substituents R 11 and R 12 , and more preferably both of them, is a linear, branched or cyclic alkyl group having a carbon number of 1 to 30. For example, it is preferable that the substituent R 11 is a linear, branched or cyclic alkyl group having a carbon number of 1 to 30. The substituents R 11 and R 12 may be different from each other, but it is preferable that they are the same type of substituent for ease of production.

<具体例>
以下に、後掲の実施例に示した以外の本発明のイリジウム錯体化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<Specific examples>
Specific examples of the iridium complex compound of the present invention other than those shown in the examples given later will be shown below, but the present invention is not limited to these.

Figure 2024125195000006
Figure 2024125195000006

<溶液における最大発光波長の測定方法>
本発明のイリジウム錯体化合物の溶液における最大発光波長の測定方法は以下のとおりである。
室温下で、トルエンに、イリジウム錯体化合物を濃度1×10-4mol/L以下で溶解した溶液について、分光光度計(浜松ホトニクス株式会社製 有機EL量子収率測定装置C9920-02)でりん光スペクトルを測定する。得られたりん光スペクトル強度の最大値を示す波長を、本発明における最大発光波長とみなす。
本発明のイリジウム錯体化合物が示す最大発光波長は、下限は通常530nm以上、好ましくは550nm以上、さらに好ましくは570nm以上である。上限は共に用いる赤色発光ドーパントが示す最大発光波長以下であることが好ましい。
<Method for measuring maximum emission wavelength in solution>
The method for measuring the maximum emission wavelength in a solution of the iridium complex compound of the present invention is as follows.
A solution of an iridium complex compound dissolved in toluene at a concentration of 1×10 −4 mol/L or less at room temperature is subjected to phosphorescence spectrum measurement using a spectrophotometer (Organic EL Quantum Yield Measurement System C9920-02, manufactured by Hamamatsu Photonics K.K.). The wavelength showing the maximum intensity of the obtained phosphorescence spectrum is regarded as the maximum emission wavelength in the present invention.
The iridium complex compound of the present invention has a maximum emission wavelength of usually 530 nm or more, preferably 550 nm or more, more preferably 570 nm or more, and preferably has an upper limit equal to or lower than the maximum emission wavelength of the red light-emitting dopant used together.

<イリジウム錯体化合物の合成方法>
本発明のイリジウム錯体化合物の配位子は、ハロゲン化フルオレンや2-ブロモ-5-ヨードピリジンなどのビルディングブロックを用い、宮浦・石山ホウ素化反応またはハートウィグ・宮浦C-Hホウ素化反応によりホウ酸エステルに変換し、これら中間体とハロゲン化アリールとの鈴木-宮浦カップリング反応により骨格を構築していくことができる。その他の既知の方法の組み合わせることにより、多様な置換基が導入された配位子を合成することができる。
<Method for synthesizing iridium complex compound>
The ligands of the iridium complex compounds of the present invention can be constructed by converting building blocks such as halogenated fluorenes and 2-bromo-5-iodopyridines to borate esters by the Miyaura-Ishiyama boration reaction or the Hartwig-Miyaura C-H boration reaction, and then subjecting these intermediates to the Suzuki-Miyaura coupling reaction with aryl halides. By combining this with other known methods, ligands with various substituents can be synthesized.

イリジウム錯体化合物の合成方法については、(判りやすさのためにフェニルピリジン配位子を例として用いた)下記式[A]に示すような塩素架橋イリジウム二核錯体を経由する方法(M.G.Colombo,T.C.Brunold,T.Riedener,H.U.Gudel,Inorg.Chem.,1994,33,545-550)、下記式[B]二核錯体からさらに塩素架橋をアセチルアセトナートと交換させ単核錯体へ変換したのち目的物を得る方法(S.Lamansky,P.Djurovich,D.Murphy,F.Abdel-Razzaq,R.Kwong,I.Tsyba,M.Borz,B.Mui,R.Bau,M.Thompson,Inorg.Chem.,2001,40,1704-1711)等が例示できる。さらに、配位子とトリス(アセチルアセトナトイリジウム(III))錯体とをグリセリン中高温で反応させ、直接ホモ-トリスシクロメタル化イリジウム錯体を得る方法(K.Dedeian,P.I.Djurovich、F.O.Garces,G.Carlson,R.J.Watts、Inorg.Chem.,1991,30、1685-1687)があげられるが、これらに限定されるものではない。 Regarding the synthesis method of iridium complex compounds, there are a method via a chlorine-bridged iridium dinuclear complex as shown in the following formula [A] (using a phenylpyridine ligand as an example for ease of understanding) (M. G. Colombo, T. C. Brunold, T. Riedener, H. U. Gudel, Inorg. Chem., 1994, 33, 545-550), and a method via a dinuclear complex as shown in the following formula [B]. and a method of converting the chlorine bridge of the acetylacetonate to a mononuclear complex and then obtaining the target compound (S. Lamansky, P. Djurovich, D. Murphy, F. Abdel-Razzaq, R. Kwong, I. Tsyba, M. Borz, B. Mui, R. Bau, M. Thompson, Inorg. Chem., 2001, 40, 1704-1711). Further, a method of reacting a ligand with a tris(acetylacetonatoiridium(III)) complex at high temperature in glycerin to directly obtain a homo-triscyclometalated iridium complex (K. Dedean, P.I. Djurovich, F.O. Garces, G. Carlson, R.J. Watts, Inorg. Chem., 1991, 30, 1685-1687) is also available, but is not limited to these.

例えば、下記式[A]で表される典型的な反応の条件は以下のとおりである。第一段階として、配位子2当量と塩化イリジウムn水和物1当量の反応により塩素架橋イリジウム二核錯体を合成する。溶媒は通常2-エトキシエタノールと水の混合溶媒が用いられるが、無溶媒あるいは他の溶媒を用いてもよい。配位子を過剰量用いたり、塩基等の添加剤を用いて反応を促進することもできる。塩素に代えて臭素など他の架橋性陰イオン配位子を使用することもできる。 For example, typical reaction conditions represented by the following formula [A] are as follows: In the first step, a chlorine-bridged iridium dinuclear complex is synthesized by reacting two equivalents of a ligand with one equivalent of iridium chloride n-hydrate. A mixture of 2-ethoxyethanol and water is usually used as the solvent, but no solvent or other solvents may be used. The reaction can also be accelerated by using an excess amount of the ligand or by using an additive such as a base. Other bridging anionic ligands such as bromine can also be used instead of chlorine.

反応温度に特に制限はないが、通常は0℃以上が好ましく、50℃以上がより好ましい。また、250℃以下が好ましく、150℃以下がより好ましい。これらの範囲であることで副生物や分解反応を伴うことなく目的の反応のみが進行し、高い選択性が得られる傾向にある。 There are no particular limitations on the reaction temperature, but it is usually preferred to set the temperature at 0°C or higher, and more preferably at 50°C or higher. It is also preferred to set the temperature at 250°C or lower, and more preferably at 150°C or lower. Within these ranges, the desired reaction proceeds without the generation of by-products or decomposition reactions, and high selectivity tends to be obtained.

Figure 2024125195000007
Figure 2024125195000007

二段階目は、トリフルオロメタンスルホン酸銀のようなハロゲンイオン捕捉剤を添加し新たに添加された配位子と接触させることにより目的とする錯体を得る。溶媒は通常エトキシエタノール又はジグリムが用いられるが、配位子の種類により無溶媒あるいは他の溶媒を使用することができ、複数の溶媒を混合して使用することもできる。ハロゲンイオン捕捉剤を添加しなくても反応が進行する場合があるので必ずしも必要ではないが、反応収率を高め、より量子収率が高いフェイシャル異性体を選択的に合成するには該捕捉剤の添加が有利である。反応温度に特に制限はないが、通常0℃~250℃の範囲で行われる。 In the second step, a halide ion trapping agent such as silver trifluoromethanesulfonate is added and brought into contact with the newly added ligand to obtain the desired complex. The solvent is usually ethoxyethanol or diglyme, but depending on the type of ligand, no solvent or other solvents can be used, or multiple solvents can be mixed. The reaction may proceed without adding a halide ion trapping agent, so it is not necessarily required, but adding the trapping agent is advantageous for increasing the reaction yield and selectively synthesizing facial isomers with higher quantum yields. There are no particular restrictions on the reaction temperature, but it is usually carried out in the range of 0°C to 250°C.

また、下記式[B]で表される典型的な反応条件を説明する。第一段階の二核錯体は式[A]と同様に合成できる。第二段階は、該二核錯体にアセチルアセトンのような1,3-ジオン化合物を1当量以上、及び、炭酸ナトリウムのような該1,3-ジオン化合物の活性水素を引き抜き得る塩基性化合物を1当量以上反応させることにより、1,3-ジオナト配位子が配位する単核錯体へと変換する。通常原料の二核錯体を溶解しうるエトキシエタノールやジクロロメタンなどの溶媒が使用されるが、配位子が液状である場合無溶媒で実施することも可能である。反応温度に特に制限はないが、通常は0℃~200℃の範囲内で行われる。 In addition, typical reaction conditions represented by the following formula [B] are explained. The dinuclear complex in the first step can be synthesized in the same manner as formula [A]. In the second step, the dinuclear complex is reacted with one equivalent or more of a 1,3-dione compound such as acetylacetone and one equivalent or more of a basic compound capable of abstracting active hydrogen from the 1,3-dione compound such as sodium carbonate to convert it into a mononuclear complex coordinated with a 1,3-dionato ligand. Usually, a solvent such as ethoxyethanol or dichloromethane capable of dissolving the dinuclear complex as the raw material is used, but if the ligand is in liquid form, it is also possible to carry out the reaction without a solvent. There is no particular restriction on the reaction temperature, but it is usually carried out within the range of 0°C to 200°C.

Figure 2024125195000008
Figure 2024125195000008

第三段階は、配位子を1当量以上反応させる。溶媒の種類と量は特に制限はなく、配位子が反応温度で液状である場合には無溶媒でもよい。反応温度も特に制限はないが、反応性が若干乏しいため100℃~300℃の比較的高温下で反応させることが多い。そのため、グリセリンなど高沸点の溶媒が好ましく用いられる。
最終反応後は未反応原料や反応副生物及び溶媒を除くために精製を行う。通常の有機合成化学における精製操作を適用することができるが、上記の非特許文献記載のように主として順相のシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製が行われる。展開液にはヘキサン、ヘプタン、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸エチル、トルエン、メチルエチルケトン、メタノールの単一又は混合液を使用できる。精製は条件を変え複数回行ってもよい。その他のクロマトグラフィー技術(逆相シリカゲルクロマトグラフィー、サイズ排除クロマトグラフィー、ペーパークロマトグラフィー)や、分液洗浄、再沈殿、再結晶、粉体の懸濁洗浄、減圧乾燥などの精製操作を必要に応じて施すことができる。
In the third step, one or more equivalents of the ligand are reacted. There is no particular restriction on the type and amount of the solvent, and if the ligand is liquid at the reaction temperature, no solvent is necessary. There is no particular restriction on the reaction temperature, but since the reactivity is somewhat poor, the reaction is often carried out at a relatively high temperature of 100°C to 300°C. Therefore, a solvent with a high boiling point such as glycerin is preferably used.
After the final reaction, purification is performed to remove unreacted raw materials, reaction by-products, and solvents. Although purification procedures in ordinary organic synthesis chemistry can be applied, purification is mainly performed by normal phase silica gel column chromatography as described in the above non-patent literature. As the developing solution, a single or mixed solution of hexane, heptane, dichloromethane, chloroform, ethyl acetate, toluene, methyl ethyl ketone, and methanol can be used. Purification may be performed multiple times under different conditions. Other chromatography techniques (reverse phase silica gel chromatography, size exclusion chromatography, paper chromatography), separation washing, reprecipitation, recrystallization, suspension washing of powder, drying under reduced pressure, and other purification procedures can be performed as necessary.

<イリジウム錯体化合物の用途>
本発明のイリジウム錯体化合物は、有機EL素子に用いられる材料、特に赤色有機EL素子におけるアシストドーパントとして好適に使用可能である。さらに、黄緑~橙色発光有機EL素子の発光材料としても好適に使用可能である。
<Uses of iridium complex compounds>
The iridium complex compound of the present invention can be suitably used as a material for an organic EL device, particularly as an assist dopant in a red organic EL device, and can also be suitably used as a light-emitting material for a yellow-green to orange light-emitting organic EL device.

〔赤色発光材料〕
本発明のイリジウム錯体化合物は発光層形成用組成物として、赤色発光材料とともに用いられることが好ましい。発光材料とは、本発明の組成物において、主として発光する成分を指す。
赤色発光材料の最大発光波長は、そのスペクトルの形状にもよるが、通常580nm以上、好ましくは600nm以上、より好ましくは620nm以上であり、通常700nm以下、好ましくは650nm以下、より好ましくは640nm以下である。最大発光波長の測定手法は特に制限はないが、溶液、固体膜などの測定サンプルの状態やそれらの濃度により異なるため、後述の溶液の最大発光波長の測定方法を用いることにより、再現性良く決定することができる。
赤色発光材料としては、公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料あるいは燐光発光材料を単独もしくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
[Red light-emitting material]
The iridium complex compound of the present invention is preferably used together with a red light emitting material as a composition for forming a light emitting layer. The light emitting material refers to the component that mainly emits light in the composition of the present invention.
The maximum emission wavelength of the red light-emitting material depends on the shape of its spectrum, but is usually 580 nm or more, preferably 600 nm or more, more preferably 620 nm or more, and usually 700 nm or less, preferably 650 nm or less, more preferably 640 nm or less. There is no particular limitation on the method for measuring the maximum emission wavelength, but since it differs depending on the state of the measurement sample such as a solution or solid film and the concentration thereof, it can be determined with good reproducibility by using the measurement method of the maximum emission wavelength of a solution described later.
As the red light emitting material, known materials can be used, and fluorescent materials or phosphorescent materials can be used alone or in combination. From the viewpoint of internal quantum efficiency, phosphorescent materials are preferred.

[燐光発光材料]
赤色発光を示す燐光発光材料の化学構造は多岐にわたり、その構造を特定することは難しい。中心金属に直接結合している配位子の種類が発光波長に大きく影響するが、配位子に導入される置換基によっても発光波長を大きく変化させることができる。そのため、燐光発光材料の一般的な構造につき説明したあと、赤色発光材料としてより好ましい構造の種類について説明する。
[Phosphorescent material]
The chemical structures of phosphorescent materials that emit red light are diverse, and it is difficult to specify the structure. The type of ligand directly bonded to the central metal has a large effect on the emission wavelength, but the emission wavelength can also be changed significantly depending on the substituents introduced into the ligand. Therefore, after explaining the general structure of phosphorescent materials, we will first explain the types of structures that are more suitable for red light-emitting materials.

燐光発光材料とは、励起三重項状態から発光を示す材料をいう。例えば、Ir、Pt、Euなどを有する金属錯体化合物がその代表例であり、材料の構造として、金属錯体を含むもことが好ましい。
金属錯体の中でも、三重項状態を経由して発光する燐光発光性有機金属錯体として、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7~11族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体又は有機金属錯体化合物が挙げられる。このような燐光発光材料としては、下記式(201)で表される化合物、又は後述の式(205)で表される化合物が好ましく、より好ましくは下記式(201)で表される化合物である。
The phosphorescent material is a material that emits light from an excited triplet state. Representative examples of the phosphorescent material include metal complex compounds having Ir, Pt, Eu, etc., and the material preferably has a structure including a metal complex.
Among metal complexes, examples of phosphorescent organometallic complexes that emit light via a triplet state include Werner-type complexes or organometallic complex compounds containing, as a central metal, a metal selected from Groups 7 to 11 of the long-form periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, the term "periodic table" refers to the long-form periodic table). As such phosphorescent materials, a compound represented by the following formula (201) or a compound represented by the below-described formula (205) is preferred, and a compound represented by the following formula (201) is more preferred.

Figure 2024125195000009
Figure 2024125195000009

[上記式(201)中、Mは、周期表第7~11族から選ばれる金属を表す。
環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
201、R202は、各々独立に、上記式(202)で表される構造であり、“*”は環A1又は環A2と結合することを表す。R201、R202は同じであっても異なっていてもよく、R201、R202がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar201は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造を表す。Ar201が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar202は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の脂肪族炭化水素構造を表す。Ar202が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar203は、置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環構造を表す。Ar203がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
環A1に結合する置換基同士、環A2に結合する置換基同士、又は環A1に結合する置換基と環A2に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
201-L200-B202は、アニオン性の2座配位子を表す。B201及びB202は、各々独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。L200は、単結合、又は、B201及びB202とともに2座配位子を構成する原子団を表す。B201-L200-B202が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
i1、i2は、各々独立に、0以上12以下の整数を表す。
i3は、Ar202に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
jは、Ar201に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
k1、k2は、各々独立に、環A1、環A2に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
mは1~3の整数である。]
[In the above formula (201), M represents a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
R 201 and R 202 are each independently a structure represented by the above formula (202), and "*" represents bonding to ring A1 or ring A2. R 201 and R 202 may be the same or different, and when a plurality of R 201 and R 202 are present, they may be the same or different.
Ar 201 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent. When a plurality of Ar 201 are present, they may be the same or different.
Ar 202 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent, or a divalent aliphatic hydrocarbon structure which may have a substituent. When a plurality of Ar 202 are present, they may be the same or different.
Ar 203 represents a monovalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a monovalent aromatic heterocyclic ring structure which may have a substituent. When there are a plurality of Ar 203 , they may be the same or different.
The substituents bonded to ring A1 may be bonded to each other, the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other, or the substituents bonded to ring A1 and the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other to form a ring.
B 201 -L 200 -B 202 represents an anionic bidentate ligand. B 201 and B 202 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, and these atoms may be atoms constituting a ring. L 200 represents a single bond, or an atomic group constituting a bidentate ligand together with B 201 and B 202. When a plurality of B 201 -L 200 -B 202 are present, they may be the same or different.
i1 and i2 each independently represent an integer of 0 to 12.
i3 is an integer of 0 or more, the upper limit of which is the number that can be substituted for Ar 202 .
j is an integer of 0 or more, the upper limit of which is the number that can be substituted on Ar 201 .
k1 and k2 each independently represent an integer of 0 or more, which is the upper limit of the number that can be substituted on ring A1 and ring A2.
m is an integer from 1 to 3.

(M)
上記式(201)中、Mは、周期表第7~11族から選ばれる金属であり、例えば、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、ユウロピウムが挙げられる。
(M)
In the above formula (201), M is a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table, and examples thereof include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold, and europium.

(環A1)
上記式(201)中、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A1における芳香族炭化水素環としては、好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素環であり、具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましい。
(Ring A1)
In the above formula (201), ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
The aromatic hydrocarbon ring in ring A1 is preferably an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 30 carbon atoms, and specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenylyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, or a fluorene ring is preferred.

環A1における芳香族複素環としては、ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環が好ましく、さらに好ましくは、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環である。 The aromatic heterocycle in ring A1 is preferably an aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing a nitrogen atom, oxygen atom, or sulfur atom as a heteroatom, and more preferably a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, or a benzothiophene ring.

環A1としてより好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環又はフルオレン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。 Ring A1 is more preferably a benzene ring, a naphthalene ring, or a fluorene ring, particularly preferably a benzene ring or a fluorene ring, and most preferably a benzene ring.

(環A2)
上記式(201)中、環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A2における芳香族複素環としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環の単環、縮合環、又は単環が連結した構造である。
単環又は縮合環としては具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環が挙げられ、さらに好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、より好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、最も好ましくは、ピリジン環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環である。
(Ring A2)
In the above formula (201), ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
The aromatic heterocycle in ring A2 is preferably a monocyclic ring, a condensed ring, or a structure in which monocyclic rings are linked, of an aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom as a heteroatom.
Specific examples of the monocyclic or condensed ring include a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a benzothiazole ring, a benzoxazole ring, a benzimidazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a quinazoline ring, a naphthyridine ring, and a phenanthridine ring. More preferred are a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, an imidazole ring, a benzothiazole ring, a benzoxazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, and a quinazoline ring. More preferred are a pyridine ring, an imidazole ring, a benzothiazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, and a quinazoline ring. Most preferred are a pyridine ring, a benzothiazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, and a quinazoline ring.

単環が連結した構造は、ピリジン環とトリアジン環が結合した下記式(203)で表される構造である。 The structure in which the single rings are linked is represented by the following formula (203), in which a pyridine ring and a triazine ring are bonded.

Figure 2024125195000010
Figure 2024125195000010

式(203)において、*1は式(201)の環A1との結合を表し、*2は式(201)のMに配位していることを表す。 In formula (203), *1 represents a bond to ring A1 in formula (201), and *2 represents coordination to M in formula (201).

赤色燐光発光材料として環A1と環A2の好ましい組合せとしては、(環A1-環A2)で表記すると、(ベンゼン環-ピリジン環-トリアジン環)、(ベンゼン環-キノリン環)、(ベンゼン環-イソキノリン環)、(ベンゼン環-キノキサリン環)、(ベンゼン環-キナゾリン環)、(ベンゼン環-ベンゾチアゾール環)である。 Preferred combinations of ring A1 and ring A2 for red phosphorescent light-emitting materials, expressed as (ring A1-ring A2), are (benzene ring-pyridine ring-triazine ring), (benzene ring-quinoline ring), (benzene ring-isoquinoline ring), (benzene ring-quinoxaline ring), (benzene ring-quinazoline ring), and (benzene ring-benzothiazole ring).

環A1、環A2が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは後述の[置換基群S]から選ばれる1種又は複数種の置換基である。
環A1に結合する置換基同士、環A2に結合する置換基同士、又は環A1に結合する置換基と環A2に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
The substituents which the ring A1 and the ring A2 may have can be arbitrarily selected, but are preferably one or more kinds of substituents selected from the [Substituent group S] described below.
The substituents bonded to ring A1 may be bonded to each other, the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other, or the substituents bonded to ring A1 and the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other to form a ring.

(Ar201、Ar202、Ar203
上記式(201)中、Ar201は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造を表す。Ar201が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
上記式(201)中、Ar202は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の脂肪族炭化水素構造を表す。Ar202が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
上記式(201)中、Ar203は、置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環構造を表す。Ar203がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
(Ar 201 , Ar 202 , Ar 203 )
In the above formula (201), Ar 201 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent. When multiple Ar 201 are present, they may be the same or different.
In the above formula (201), Ar 202 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, a divalent aromatic heterocyclic ring structure which may have a substituent, or a substituted When a plurality of Ar 202 are present, they may be the same or different.
In the above formula (201), Ar 203 represents a monovalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a monovalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent. When there are multiple Ar 203 , they may be the same or different.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造である場合、該芳香族炭化水素環構造としては、好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましく、より好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環が好ましく、最も好ましくはベンゼン環である。 When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, the aromatic hydrocarbon ring structure is preferably an aromatic hydrocarbon ring having a carbon number of 6 to 30. Specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenylyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, or a fluorene ring is preferred, a benzene ring, a naphthalene ring, or a fluorene ring is more preferred, and a benzene ring is most preferred.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいフルオレン環である場合、フルオレン環の9位及び9’位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。 When any of Ar 201 , Ar 202 and Ar 203 is a fluorene ring which may have a substituent, the 9- and 9'-positions of the fluorene ring preferably have a substituent or are bonded to an adjacent structure.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいベンゼン環である場合、少なくとも一つのベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましく、少なくとも一つのベンゼン環がメタ位で隣接する構造と結合していることがより好ましい。 When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is a benzene ring which may have a substituent, it is preferable that at least one benzene ring is bonded to an adjacent structure at an ortho position or a meta position, and it is more preferable that at least one benzene ring is bonded to an adjacent structure at a meta position.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族複素環構造である場合、該芳香族複素環構造としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環である。
具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環である。
When any of Ar 201 , Ar 202 and Ar 203 is an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent, the aromatic heterocyclic structure is preferably an aromatic heterocyclic ring having 3 to 30 carbon atoms and containing a nitrogen atom, an oxygen atom or a sulfur atom as a heteroatom.
Specific examples include a pyridine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, a triazine ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a benzothiazole ring, a benzoxazole ring, a benzimidazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a quinazoline ring, a naphthyridine ring, a phenanthridine ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, and a dibenzothiophene ring, and preferably a pyridine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, or a dibenzothiophene ring.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいカルバゾール環である場合、カルバゾール環のN位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。 When any of Ar 201 , Ar 202 and Ar 203 is a carbazole ring which may have a substituent, the N-position of the carbazole ring preferably has a substituent or is bonded to an adjacent structure.

Ar202が置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造である場合、該脂肪族炭化水素構造としては、直鎖、分岐鎖、又は環状構造を有する脂肪族炭化水素構造であり、好ましくは炭素数が1以上24以下の脂肪族炭化水素構造であり、さらに好ましくは炭素数が1以上12以下の脂肪族炭化水素構造であり、より好ましくは炭素数が1以上8以下の脂肪族炭化水素構造である。 When Ar 202 is an aliphatic hydrocarbon structure which may have a substituent, the aliphatic hydrocarbon structure is an aliphatic hydrocarbon structure having a straight chain, branched chain, or cyclic structure, preferably an aliphatic hydrocarbon structure having 1 to 24 carbon atoms, more preferably an aliphatic hydrocarbon structure having 1 to 12 carbon atoms, and still more preferably an aliphatic hydrocarbon structure having 1 to 8 carbon atoms.

(i1、i2、i3、j、k1、k2、m)
上記式(201)中、i1、i2は、各々独立に、0以上12以下の整数を表す。
i1、i2は、各々独立に、好ましくは1~12の整数、より好ましくは1~8の整数、さらに好ましくは1~6の整数である。この範囲であることにより、溶解性向上、電荷輸送性向上が見込まれる。
(i1, i2, i3, j, k1, k2, m)
In the above formula (201), i1 and i2 each independently represent an integer of 0 or more and 12 or less.
Each of i1 and i2 is independently preferably an integer of 1 to 12, more preferably an integer of 1 to 8, and further preferably an integer of 1 to 6. By being in this range, the solubility and charge transport It is expected to improve sexual function.

上記式(201)中、i3は、Ar202に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
i3は好ましくは0~5の整数を表し、さらに好ましくは0~2の整数、より好ましくは0又は1である。
In the above formula (201), i3 is an integer of 0 or more, which is the upper limit of the number that can be substituted for Ar 202 .
i3 preferably represents an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 0 to 2, and even more preferably 0 or 1.

上記式(201)中、jは、Ar201に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
jは好ましくは0~2の整数を表し、さらに好ましくは0又は1である。
In the above formula (201), j is an integer of 0 or more, which is the upper limit of the number that can be substituted on Ar 201 .
j preferably represents an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1.

上記式(201)中、k1、k2は、各々独立に、環A1、環A2に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
k1、k2は好ましくは0~3の整数を表し、さらに好ましくは1~3の整数であり、より好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。
In the above formula (201), k1 and k2 each independently represent an integer of 0 or more, which is the upper limit of the number that can be substituted on ring A1 and ring A2.
k1 and k2 each preferably represent an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 1 to 3, even more preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.

上記式(201)中、mは1~3の整数である。
mは好ましくは2~3の整数を表し、特に好ましくは3である。
In the above formula (201), m is an integer of 1 to 3.
m preferably represents an integer of 2 or 3, and particularly preferably 3.

(置換基)
環A1、環A2、Ar201、Ar202、Ar203が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは以下の[置換基群S]から選ばれる1種又は複数種の置換基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基であり、特に好ましくはアルキル基であり、最も好ましくは無置換である。
(Substituent)
The substituents that Ring A1, Ring A2, Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 may have can be selected arbitrarily, but are preferably one or more substituents selected from the following [Substituent Group S], more preferably an alkyl group or an aryl group, particularly preferably an alkyl group, and most preferably unsubstituted.

[置換基群S]
・アルキル基、好ましくは炭素数1~20のアルキル基、より好ましくは炭素数1~12のアルキル基、さらに好ましくは炭素数1~8のアルキル基、特に好ましくは炭素数1~6のアルキル基。
・アルコキシ基、好ましくは炭素数1~20のアルコキシ基、より好ましくは炭素数1~12のアルコキシ基、さらに好ましくは炭素数1~6のアルコキシ基。
・アリールオキシ基、好ましくは炭素数6~20のアリールオキシ基、より好ましくは炭素数6~14のアリールオキシ基、さらに好ましくは炭素数6~12のアリールオキシ基、特に好ましくは炭素数6のアリールオキシ基。
・ヘテロアリールオキシ基、好ましくは炭素数3~20のヘテロアリールオキシ基、より好ましくは炭素数3~12のヘテロアリールオキシ基。
・アルキルアミノ基、好ましくは炭素数1~20のアルキルアミノ基、より好ましくは炭素数1~12のアルキルアミノ基。
・アリールアミノ基、好ましくは炭素数6~36のアリールアミノ基、より好ましくは炭素数6~24のアリールアミノ基。
・アラルキル基、好ましくは炭素数7~40のアラルキル基、より好ましくは炭素数7~18のアラルキル基、さらに好ましくは炭素数7~12のアラルキル基。
・ヘテロアラルキル基、好ましくは炭素数7~40のヘテロアラルキル基、より好ましくは炭素数7~18のヘテロアラルキル基。
・アルケニル基、好ましくは炭素数2~20のアルケニル基、より好ましくは炭素数2~12のアルケニル基、さらに好ましくは炭素数2~8のアルケニル基、特に好ましくは炭素数2~6のアルケニル基。
・アルキニル基、好ましくは炭素数2~20のアルキニル基、より好ましくは炭素数2~12のアルキニル基。
・アリール基、好ましくは炭素数6~30のアリール基、より好ましくは炭素数6~24のアリール基、さらに好ましくは炭素数6~18のアリール基、特に好ましくは炭素数6~14のアリール基。
・ヘテロアリール基、好ましくは炭素数3~30のヘテロアリール基、より好ましくは炭素数3~24のヘテロアリール基、さらに好ましくは炭素数3~18のヘテロアリール基、特に好ましくは炭素数3~14のヘテロアリール基。
・アルキルシリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が1~20であるアルキルシリル基、より好ましくはアルキル基の炭素数が1~12であるアルキルシリル基。
・アリールシリル基、好ましくはアリール基の炭素数が6~20であるアリールシリル基、より好ましくはアリール基の炭素数が6~14であるアリールシリル基。
・アルキルカルボニル基、好ましくは炭素数2~20のアルキルカルボニル基。
・アリールカルボニル基、好ましくは炭素数7~20のアリールカルボニル基。
・水素原子、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、又は、-SF
[Substituent Group S]
An alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
An alkoxy group, preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, and even more preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
An aryloxy group, preferably an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, even more preferably an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, and particularly preferably an aryloxy group having 6 carbon atoms.
A heteroaryloxy group, preferably a heteroaryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a heteroaryloxy group having 3 to 12 carbon atoms.
An alkylamino group, preferably an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylamino group having 1 to 12 carbon atoms.
An arylamino group, preferably an arylamino group having 6 to 36 carbon atoms, more preferably an arylamino group having 6 to 24 carbon atoms.
An aralkyl group, preferably an aralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, more preferably an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms, and even more preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms.
A heteroaralkyl group, preferably a heteroaralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, more preferably a heteroaralkyl group having 7 to 18 carbon atoms.
An alkenyl group, preferably an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, even more preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and particularly preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms.
An alkynyl group, preferably an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms.
An aryl group, preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 24 carbon atoms, still more preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, and particularly preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms.
A heteroaryl group, preferably a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, more preferably a heteroaryl group having 3 to 24 carbon atoms, still more preferably a heteroaryl group having 3 to 18 carbon atoms, and particularly preferably a heteroaryl group having 3 to 14 carbon atoms.
An alkylsilyl group, preferably an alkylsilyl group having an alkyl group with 1 to 20 carbon atoms, and more preferably an alkylsilyl group having an alkyl group with 1 to 12 carbon atoms.
An arylsilyl group, preferably an arylsilyl group having 6 to 20 carbon atoms in the aryl group, and more preferably an arylsilyl group having 6 to 14 carbon atoms in the aryl group.
An alkylcarbonyl group, preferably an alkylcarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms.
An arylcarbonyl group, preferably an arylcarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms.
A hydrogen atom, a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, or --SF.sub.5 .

以上の基は一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられているか、もしくは1つ以上の水素原子が重水素原子で置き換えられていてもよい。 In the above groups, one or more hydrogen atoms may be replaced with a fluorine atom, or one or more hydrogen atoms may be replaced with a deuterium atom.

特に断りのない限り、アリール基は芳香族炭化水素基であり、ヘテロアリール基は芳香族複素環基である。 Unless otherwise specified, an aryl group is an aromatic hydrocarbon group, and a heteroaryl group is an aromatic heterocyclic group.

([置換基群S]の中の好ましい基)
上記[置換基群S]のうち、
好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、これらの基の一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は、-SFであり、
より好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、これらの基の一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は、-SFであり、
さらに好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基であり、
特に好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、
最も好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基である。
(Preferred groups in [Substituent group S])
Among the above [Substituent group S],
Preferred are an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an arylamino group, an aralkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkylsilyl group, an arylsilyl group, a group in which one or more hydrogen atoms of these groups are replaced with fluorine atoms, a fluorine atom, a cyano group, or -SF5 .
More preferably, it is an alkyl group, an arylamino group, an aralkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a group in which one or more hydrogen atoms of these groups are replaced with fluorine atoms, a fluorine atom, a cyano group, or -SF5 .
More preferred are an alkyl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an arylamino group, an aralkyl group, an alkenyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkylsilyl group, and an arylsilyl group.
Particularly preferred are an alkyl group, an arylamino group, an aralkyl group, an alkenyl group, an aryl group, and a heteroaryl group.
Most preferred are an alkyl group, an arylamino group, an aralkyl group, an aryl group and a heteroaryl group.

これら[置換基群S]は、さらに[置換基群S]から選ばれる置換基を置換基として有していてもよい。有していてもよい置換基の好ましい基、より好ましい基、さらに好ましい基、特に好ましい基、最も好ましい基は[置換基群S]の中の好ましい基等と同様である。 These [Substituent group S] may further have a substituent selected from [Substituent group S] as a substituent. The preferred groups, more preferred groups, even more preferred groups, particularly preferred groups, and most preferred groups of the substituents that may be had are the same as the preferred groups in [Substituent group S].

(B201-L200-B202
上記式(201)中、B201-L200-B202は、アニオン性の2座配位子を表す。B201及びB202は、各々独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。L200は、単結合、又は、B201及びB202とともに2座配位子を構成する原子団を表す。B201-L200-B202が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
201-L200-B202で表される構造は、下記式(203)又は(204)で表される構造が好ましい。
(B 201 -L 200 -B 202 )
In the above formula (201), B 201 -L 200 -B 202 represent an anionic bidentate ligand. B 201 and B 202 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom. These atoms may be atoms constituting a ring. L 200 represents a single bond or an atomic group constituting a bidentate ligand together with B 201 and B 202. B 201 -L 200 -B When there are multiple 202 , they may be the same or different.
The structure represented by B 201 -L 200 -B 202 is preferably a structure represented by the following formula (203) or (204).

Figure 2024125195000011
Figure 2024125195000011

211、R212、R213は置換基を表す。該置換基は特に限定されないが、好ましくは前記[置換基群S]から選択される基である。 R 211 , R 212 and R 213 each represent a substituent. The substituent is not particularly limited, but is preferably a group selected from the above [Substituent Group S].

Figure 2024125195000012
Figure 2024125195000012

環B3は、置換基を有していてもよい、窒素原子を含む芳香族複素環構造を表す。
環B3は好ましくはピリジン環である。
環B3が有してもよい置換基は特に限定されないが、好ましくは前記[置換基群S]から選択される基である。
Ring B3 represents an aromatic heterocyclic structure containing a nitrogen atom which may have a substituent.
Ring B3 is preferably a pyridine ring.
The substituent that Ring B3 may have is not particularly limited, but is preferably a group selected from the above [Substituent Group S].

(式(201)の好ましい構造)
前記式(201)中の前記式(202)で表される構造のなかでも、ベンゼン環が連結した基を有する構造、環A1又は環A2に、アルキル基もしくはアラルキル基が結合した芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を有する構造、環A1又は環A2に、デンドロンが結合した構造が好ましい。
(Preferred structure of formula (201))
Among the structures represented by the formula (202) in the formula (201), a structure having a group linked to benzene rings, a structure having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group to which an alkyl group or an aralkyl group is bonded to ring A1 or ring A2, and a structure having a dendron bonded to ring A1 or ring A2 are preferable.

ベンゼン環が連結した基を有する構造においては、
Ar201がベンゼン環構造であり、i1が1~6の整数であり、少なくとも一つの前記ベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合している。
この構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
In the structure having a group linked to a benzene ring,
Ar 201 is a benzene ring structure, i1 is an integer of 1 to 6, and at least one of the benzene rings is bonded to an adjacent structure at the ortho or meta position.
This structure is expected to improve the solubility and charge transport properties.

環A1又は環A2に、アルキル基もしくはアラルキル基が結合した芳香族炭化水素基もしくは芳香族複素環基を有する構造においては、
Ar201が芳香族炭化水素環構造又は芳香族複素環構造であり、i1が1~6の整数であり、
Ar202が脂肪族炭化水素構造であり、i2が1~12の整数であり、好ましくは3~8の整数であり、
Ar203は存在する場合ベンゼン環構造であり、i3が0又は1である。 この構造の場合、好ましくは、Ar201は前記芳香族炭化水素環構造であり、さらに好ましくはベンゼン環が1~5個連結した構造であり、より好ましくはベンゼン環1つである。
この構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
In the structure having an aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group to which an alkyl group or an aralkyl group is bonded in the ring A1 or the ring A2,
Ar 201 is an aromatic hydrocarbon ring structure or an aromatic heterocyclic ring structure, i1 is an integer of 1 to 6,
Ar 202 is an aliphatic hydrocarbon structure, i2 is an integer of 1 to 12, preferably an integer of 3 to 8,
When Ar 203 is present, it is a benzene ring structure, and i3 is 0 or 1. In the case of this structure, Ar 201 is preferably the aromatic hydrocarbon ring structure, more preferably a structure in which 1 to 5 benzene rings are linked, and more preferably one benzene ring.
This structure is expected to improve the solubility and charge transport properties.

環A1又は環A2に、デンドロンが結合した構造においては、
Ar201、Ar202がベンゼン環構造であり、
Ar203がベンゼン環構造、ビフェニル構造又はターフェニル構造であり、
i1、i2は、各々独立に、1~6の整数であり、i3が2であり、jが2である。
この構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
In the structure in which a dendron is bonded to ring A1 or ring A2,
Ar 201 and Ar 202 each represent a benzene ring structure;
Ar 203 is a benzene ring structure, a biphenyl structure or a terphenyl structure;
i1 and i2 each independently represents an integer from 1 to 6, i3 is 2, and j is 2.
This structure is expected to improve the solubility and charge transport properties.

(具体例)
式(201)で表される赤色発光する燐光発光材料としては特に限定はされないが、具体的には以下の構造が挙げられる。
なお、Meはメチル基を意味し、Phはフェニル基を意味する。
(Specific example)
The red-emitting phosphorescent material represented by formula (201) is not particularly limited, but specific examples thereof include the following structures.
In addition, Me means a methyl group, and Ph means a phenyl group.

Figure 2024125195000013
Figure 2024125195000013

Figure 2024125195000014
Figure 2024125195000014

Figure 2024125195000015
Figure 2024125195000015

Figure 2024125195000016
Figure 2024125195000016

Figure 2024125195000017
Figure 2024125195000017

(式(205))
以下に、下記式(205)で表される化合物について説明する。
(Equation (205))
The compound represented by the following formula (205) will be described below.

Figure 2024125195000018
Figure 2024125195000018

式(205)中、Mは金属を表し、Tは炭素原子又は窒素原子を表す。R92~R95は、各々独立に、置換基を表す。但し、Tが窒素原子の場合は、R94及びR95は存在しない。 In formula (205), M2 represents a metal, T represents a carbon atom or a nitrogen atom, and R92 to R95 each independently represent a substituent, provided that when T is a nitrogen atom, R94 and R95 do not exist.

式(205)中、Mは金属を表す。具体例としては、周期表第7~11族から選ばれる金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。 In formula (205), M2 represents a metal. Specific examples include metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, preferred are ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold, and particularly preferred are divalent metals such as platinum and palladium.

また、式(205)において、R92及びR93は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 In addition, in formula (205), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group.

更に、Tが炭素原子の場合、R94及びR95は、各々独立に、R92及びR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Tが窒素原子の場合は該Tに直接結合するR94又はR95は存在しない。 Furthermore, when T is a carbon atom, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93. When T is a nitrogen atom, R 94 or R 95 does not exist that is directly bonded to T.

また、R92~R95は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、R92及びR93として挙げた前記の置換基とすることができる。更に、R92~R95のうち任意の2つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。 Furthermore, R 92 to R 95 may further have a substituent. The substituent may be the same as those exemplified for R 92 and R 93. Furthermore, any two or more groups among R 92 to R 95 may be bonded to each other to form a ring.

(分子量)
燐光発光材料の分子量は、好ましくは5000以下、更に好ましくは4000以下、特に好ましくは3000以下である。また、燐光発光材料の分子量は、通常1000以上、好ましくは1100以上、更に好ましくは1200以上である。この分子量範囲であることによって、燐光発光材料同士が凝集せず本発明のイリジウム錯体化合物及び/又は他の電荷輸送性材料と均一に混合し、発光効率の高い発光層を得ることができると考えられる。
(Molecular Weight)
The molecular weight of the phosphorescent material is preferably 5000 or less, more preferably 4000 or less, particularly preferably 3000 or less. The molecular weight of the phosphorescent material is usually 1000 or more, preferably 1100 or more, and more preferably 1200 or more. It is believed that by having the molecular weight within this range, the phosphorescent materials do not aggregate with each other and can be uniformly mixed with the iridium complex compound of the present invention and/or other charge transport materials, thereby making it possible to obtain a light-emitting layer with high luminous efficiency.

燐光発光材料の分子量は、Tgや融点、分解温度等が高く、燐光発光材料及び形成された発光層の耐熱性に優れる点、及び、ガス発生、再結晶化及び分子のマイグレーション等に起因する膜質の低下や材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇等が起こり難い点では大きいことが好ましい。一方、燐光発光材料の分子量は、有機化合物の精製が容易である点では小さいことが好ましい。 The molecular weight of the phosphorescent material is preferably large in that it has a high Tg, melting point, decomposition temperature, etc., and the heat resistance of the phosphorescent material and the formed light-emitting layer is excellent, and that deterioration of film quality due to gas generation, recrystallization, molecular migration, etc., and an increase in impurity concentration due to thermal decomposition of the material are unlikely to occur. On the other hand, the molecular weight of the phosphorescent material is preferably small in that it is easy to purify the organic compound.

〔イリジウム錯体化合物含有組成物〕
本発明のイリジウム錯体化合物は、溶剤溶解性に優れることから、溶剤とともに使用されることが好ましい。以下、本発明のイリジウム錯体化合物と溶剤とを含有する組成物(以下、「イリジウム錯体化合物含有組成物」と称す場合がある。)について説明する。
[Iridium complex compound-containing composition]
Since the iridium complex compound of the present invention has excellent solubility in a solvent, it is preferably used together with a solvent. Hereinafter, a composition containing the iridium complex compound of the present invention and a solvent (hereinafter, sometimes referred to as an "iridium complex compound-containing composition") will be described.

本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物は、上述の本発明のイリジウム錯体化合物および溶剤を含有する。本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物は通常湿式成膜法で層や膜を形成するために用いられ、特に有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられることが好ましい。該有機層は、特に発光層であることが好ましい。つまり、イリジウム錯体化合物含有組成物は、有機電界発光素子用組成物、即ち、本発明の有機電界発光素子用組成物であることが好ましく、更に発光層形成用組成物として用いられることが特に好ましい。 The iridium complex compound-containing composition according to the present invention contains the iridium complex compound of the present invention and a solvent. The iridium complex compound-containing composition according to the present invention is usually used to form a layer or film by a wet film-forming method, and is preferably used to form an organic layer of an organic electroluminescent device. The organic layer is preferably a light-emitting layer. In other words, the iridium complex compound-containing composition is preferably a composition for organic electroluminescent devices, i.e., the composition for organic electroluminescent devices according to the present invention, and is particularly preferably used as a composition for forming a light-emitting layer.

該イリジウム錯体化合物含有組成物における本発明のイリジウム錯体化合物の含有量は、通常0.001質量%以上、好ましくは0.01質量%以上、通常99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。組成物中のイリジウム錯体化合物の含有量をこの範囲とすることにより、隣接する層(例えば、正孔輸送層や正孔阻止層)から発光層へ効率よく、正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。なお、本発明のイリジウム錯体化合物はイリジウム錯体化合物含有組成物中に、1種のみ含まれていてもよく、2種以上が組み合わされて含まれていてもよい。 The content of the iridium complex compound of the present invention in the iridium complex compound-containing composition is usually 0.001% by mass or more, preferably 0.01% by mass or more, and usually 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less. By setting the content of the iridium complex compound in the composition within this range, holes and electrons are efficiently injected from adjacent layers (e.g., hole transport layer and hole blocking layer) to the light-emitting layer, and the driving voltage can be reduced. The iridium complex compound of the present invention may be contained in the iridium complex compound-containing composition alone or in a combination of two or more types.

本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物を有機電界発光素子用組成物として例えば有機電界発光素子用に用いる場合には、上述のイリジウム錯体化合物や溶剤の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる前述の赤色発光材料、好ましくは燐光発光材料と電荷輸送性化合物を含有することができる。
本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成する場合には、本発明のイリジウム錯体化合物をアシストドーパントとして前述のとおり赤色発光材料と組合せて用いることができる。あるいは、本発明のイリジウム錯体化合物はそれ自身が黄緑色~黄色~橙色の範囲で発光するものでもあるため、該錯体化合物自体を発光材料とし、他の電荷輸送性化合物を電荷輸送ホスト材料として含むこともできる。
When the iridium complex compound-containing composition according to the present invention is used as a composition for organic electroluminescence elements, for example, for organic electroluminescence elements, it may contain, in addition to the above-mentioned iridium complex compound and solvent, the above-mentioned red light-emitting material, preferably a phosphorescent light-emitting material and a charge-transporting compound, which are used in the organic electroluminescence element, particularly in the light-emitting layer.
When the iridium complex compound-containing composition according to the present invention is used to form a light-emitting layer of an organic electroluminescent device, the iridium complex compound according to the present invention can be used as an assist dopant in combination with a red light-emitting material as described above. Alternatively, since the iridium complex compound according to the present invention itself emits light in the range of yellow-green to yellow to orange, the complex compound itself can be used as a light-emitting material and another charge-transporting compound can be included as a charge-transporting host material.

イリジウム錯体化合物含有組成物に含有される溶剤は、湿式成膜によりイリジウム錯体化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
該溶剤は、溶質である本発明のイリジウム錯体化合物が高い溶剤溶解性を有するために、むしろ後述の電荷輸送性化合物が良好に溶解する有機溶剤であれば特に限定されない。
好ましい溶剤としては、例えば、n-デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類;トルエン、キシレン、メシチレン、フェニルシクロヘキサン、テトラリン等の芳香族炭化水素類;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル類;等が挙げられる。
The solvent contained in the iridium complex compound-containing composition is a volatile liquid component used for forming a layer containing an iridium complex compound by wet film formation.
The solvent is not particularly limited as long as it is an organic solvent in which the charge transporting compound described below dissolves well since the iridium complex compound of the present invention, which is the solute, has high solvent solubility.
Preferred solvents include, for example, alkanes such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, phenylcyclohexane, and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; and aromatic ethers such as 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, and diphenyl ether. aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate, etc., alicyclic ketones such as cyclohexanone, cyclooctanone, fenchone, etc., alicyclic alcohols such as cyclohexanol, cyclooctanol, etc., aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone, dibutyl ketone, etc., aliphatic alcohols such as butanol, hexanol, etc., aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA), etc.

中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類であり、特に、フェニルシクロヘキサンは湿式成膜プロセスにおいて好ましい粘度と沸点を有している。
これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
用いる溶剤の沸点は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、また、通常270℃以下、好ましくは250℃以下、より好ましくは230℃以下である。沸点がこの範囲を下回ると、湿式成膜時において、組成物からの溶剤蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。
Among these, alkanes and aromatic hydrocarbons are preferable, and in particular, phenylcyclohexane has a viscosity and boiling point suitable for the wet film formation process.
These solvents may be used alone or in any combination of two or more in any ratio.
The boiling point of the solvent used is usually 80° C. or higher, preferably 100° C. or higher, more preferably 120° C. or higher, and usually 270° C. or lower, preferably 250° C. or lower, more preferably 230° C. or lower. If the boiling point is below this range, the film formation stability may decrease due to evaporation of the solvent from the composition during wet film formation.

溶剤の含有量は、イリジウム錯体化合物含有組成物において好ましくは1質量%以上、より好ましくは10質量%以上、特に好ましくは50質量%以上、また、好ましくは99.99質量%以下、より好ましくは99.9質量%以下、特に好ましくは99質量%以下である。通常発光層の厚みは3~200nm程度であるが、溶剤の含有量がこの下限を下回ると、組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。 The content of the solvent in the iridium complex compound-containing composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, particularly preferably 50% by mass or more, and preferably 99.99% by mass or less, more preferably 99.9% by mass or less, particularly preferably 99% by mass or less. The thickness of the light-emitting layer is usually about 3 to 200 nm, but if the solvent content falls below this lower limit, the viscosity of the composition becomes too high, which may reduce the workability of film formation. On the other hand, if the solvent content exceeds this upper limit, the thickness of the film obtained by removing the solvent after film formation cannot be achieved, which tends to make film formation difficult.

有機電界発光素子用組成物としてのイリジウム錯体化合物含有組成物に含有される前述の燐光発光材料等の赤色発光材料の含有量はイリジウム錯体化合物含有組成物中の本発明のイリジウム錯体化合物1質量部に対して通常0.01質量部以上、好ましくは0.2質量部以上、より好ましくは0.25質量部以上であり、通常10質量部以下、好ましくは4質量部以下、より好ましくは2質量部以下である。赤色発光材料の含有量が上記下限より少なければ、本発明のイリジウム錯体化合物自体の発光も起こり赤色としての色純度が低下する場合がある。上記上限より多ければアシストドーパントが寄与できる赤色発光材料の割合が少なすぎるため、素子性能が低下する場合がある。 The content of the red light-emitting material, such as the phosphorescent material, contained in the iridium complex compound-containing composition as a composition for organic electroluminescent elements is usually 0.01 parts by mass or more, preferably 0.2 parts by mass or more, more preferably 0.25 parts by mass or more, and usually 10 parts by mass or less, preferably 4 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass or less, per 1 part by mass of the iridium complex compound of the present invention in the iridium complex compound-containing composition. If the content of the red light-emitting material is less than the above lower limit, the iridium complex compound of the present invention itself may emit light, and the color purity as red may decrease. If the content is more than the above upper limit, the proportion of the red light-emitting material that the assist dopant can contribute to is too small, and the device performance may decrease.

本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。
例えば、ピリジン、カルバゾール、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、p-ビス(2-フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。
As other charge transporting compounds that may be contained in the iridium complex compound-containing composition according to the present invention, those that have been used as materials for conventional organic electroluminescent devices can be used.
Examples of the compound include pyridine, carbazole, naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, chrysene, naphthacene, phenanthrene, coronene, fluoranthene, benzophenanthrene, fluorene, acetonaphthofluoranthene, coumarin, p-bis(2-phenylethenyl)benzene and derivatives thereof, quinacridone derivatives, DCM (4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)-based compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene, condensed aromatic ring compounds substituted with an arylamino group, and styryl derivatives substituted with an arylamino group.

これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
また、イリジウム錯体化合物含有組成物中の他の電荷輸送性化合物の含有量は、イリジウム錯体化合物含有組成物中の本発明のイリジウム錯体化合物1質量部に対して、通常1000質量部以下、好ましくは100質量部以下、さらに好ましくは50質量部以下であり、通常0.01質量部以上、好ましくは0.1質量部以上、さらに好ましくは1質量部以上である。
These may be used alone or in any combination of two or more in any ratio.
The content of other charge transport compounds in the iridium complex compound-containing composition is usually 1,000 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass or less, and more preferably 50 parts by mass or less, and usually 0.01 parts by mass or more, preferably 0.1 parts by mass or more, and more preferably 1 part by mass or more, relative to 1 part by mass of the iridium complex compound of the present invention in the iridium complex compound-containing composition.

本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。 The iridium complex compound-containing composition according to the present invention may contain other compounds in addition to the above compounds, etc., as necessary. For example, in addition to the above solvents, another solvent may be contained. Examples of such solvents include amides such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide. These may be used alone or in any combination and ratio of two or more types.

(塗布型有機電界発光素子の発光層形成用インク)
本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物は、湿式成膜法により発光層を形成するための、塗布型有機電界発光素子の発光層形成用インクとして好ましく用いることができる。本発明に係る塗布型有機電界発光素子の発光層形成用インクが含有する成分および特性等の好ましい態様は、本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物について前述した態様と同様である。
赤色発光素子として高い発光効率を示すという観点から、具体的には、本発明に係る塗布型有機電界発光素子の発光層形成用インクは、本発明のイリジウム錯体化合物と、前述の赤色発光材料と、有機溶剤とを含むことが好ましく、前記赤色発光材料として最大発光波長が600nm以上である赤色発光材料を含むことが好ましく、前記赤色発光材料が前述の式(201)で表されるイリジウム錯体化合物であることがより好ましい。
(Ink for forming light-emitting layer of coating-type organic electroluminescent device)
The iridium complex compound-containing composition according to the present invention can be preferably used as an ink for forming a light-emitting layer of a coating-type organic electroluminescent device for forming a light-emitting layer by a wet film-forming method. Preferred aspects of the components and characteristics contained in the ink for forming a light-emitting layer of a coating-type organic electroluminescent device according to the present invention are the same as those described above for the iridium complex compound-containing composition according to the present invention.
From the viewpoint of exhibiting high luminous efficiency as a red light emitting element, specifically, the ink for forming the light emitting layer of the coating type organic electroluminescent element according to the present invention preferably contains the iridium complex compound of the present invention, the above-mentioned red light emitting material, and an organic solvent, and preferably contains as the red light emitting material a red light emitting material having a maximum emission wavelength of 600 nm or more, and it is more preferable that the red light emitting material is the iridium complex compound represented by the above-mentioned formula (201).

〔有機電界発光素子〕
上述の本発明のイリジウム錯体化合物を含むイリジウム錯体化合物含有組成物を有機電界発光素子用組成物として有機電界発光素子を製造することができ、製造された有機電界発光素子(以下、「本発明の有機電界発光素子」と称す場合がある。)は、本発明のイリジウム錯体化合物を含むものである。
本発明の有機電界発光素子は、好ましくは、基板上に少なくとも陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に少なくとも1層の有機層を有するものであって、前記有機層のうち少なくとも1層が本発明のイリジウム錯体化合物を含む。前記有機層は発光層を含む。
[Organic electroluminescent element]
An organic electroluminescent device can be manufactured using an iridium complex compound-containing composition containing the above-mentioned iridium complex compound of the present invention as a composition for organic electroluminescent devices, and the manufactured organic electroluminescent device (hereinafter, may be referred to as "organic electroluminescent device of the present invention") contains the iridium complex compound of the present invention.
The organic electroluminescent device of the present invention preferably has at least an anode, a cathode, and at least one organic layer between the anode and the cathode on a substrate, and at least one of the organic layers contains the iridium complex compound of the present invention. The organic layer includes a light-emitting layer.

本発明のイリジウム錯体化合物を含む有機層は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることがより好ましく、湿式成膜法により形成された層であることがさらに好ましい。前記湿式成膜法により形成された層は、該発光層であることが好ましい。 The organic layer containing the iridium complex compound of the present invention is more preferably a layer formed using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention, and even more preferably a layer formed by a wet film-forming method. The layer formed by the wet film-forming method is preferably the light-emitting layer.

本発明において湿式成膜法とは、成膜方法、即ち、塗布方法として、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリンティング法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等、湿式で成膜される方法を採用し、これらの方法で成膜された膜を乾燥して膜形成を行う方法をいう。 In the present invention, the wet film formation method refers to a film formation method, i.e., a coating method, which employs a wet film formation method such as spin coating, dip coating, die coating, bar coating, blade coating, roll coating, spray coating, capillary coating, inkjet printing, nozzle printing, screen printing, gravure printing, flexographic printing, etc., and then dries the film formed by these methods to form a film.

図1は本発明の有機電界発光素子10に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、符号1は基板、符号2は陽極、符号3は正孔注入層、符号4は正孔輸送層、符号5は発光層、符号6は正孔阻止層、符号7は電子輸送層、符号8は電子注入層、符号9は陰極を各々表す。
これらの構造に適用する材料は、公知の材料を適用することができ、特に制限はないが、各層に関しての代表的な材料や製法を一例として以下に記載する。また、公報や論文等を引用している場合、該当内容を当業者の常識の範囲で適宜、適用、応用することができるものとする。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred structural example of an organic electroluminescent device 10 of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes an anode, reference numeral 3 denotes a hole injection layer, reference numeral 4 denotes a hole transport layer, reference numeral 5 denotes a light-emitting layer, reference numeral 6 denotes a hole blocking layer, reference numeral 7 denotes an electron transport layer, reference numeral 8 denotes an electron injection layer, and reference numeral 9 denotes a cathode.
The materials applied to these structures can be known materials and are not particularly limited, but representative materials and manufacturing methods for each layer are described below as examples. In addition, when publications, papers, etc. are cited, the relevant contents are assumed to be applicable and applicable as appropriate within the scope of common sense of a person skilled in the art.

<基板1>
基板1は、有機電界発光素子の支持体となるものであり、通常、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。これらのうち、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。基板1は、外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いことからガスバリア性の高い材質とすることが好ましい。このため、特に合成樹脂製の基板等のようにガスバリア性の低い材質を用いる場合は、基板1の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を上げることが好ましい。
<Substrate 1>
The substrate 1 is a support for the organic electroluminescent element, and is usually made of a quartz or glass plate, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, or the like. Of these, a glass plate or a plate made of a transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferred. The substrate 1 is preferably made of a material with high gas barrier properties, since the organic electroluminescent element is less likely to deteriorate due to the outside air. For this reason, when a material with low gas barrier properties such as a synthetic resin substrate is used, it is preferable to provide a dense silicon oxide film or the like on at least one side of the substrate 1 to increase the gas barrier properties.

<陽極2>
陽極2は、発光層側の層に正孔を注入する機能を担う。陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属;インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物;ヨウ化銅等のハロゲン化金属;カーボンブラックあるいはポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
<Anode 2>
The anode 2 has a function of injecting holes into the layer on the light-emitting layer side. The anode 2 is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, or platinum, a metal oxide such as indium and/or tin oxide, a metal halide such as copper iodide, or a conductive polymer such as carbon black, poly(3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline.

陽極2の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式法により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより形成することもできる。また、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布したりして陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。 The anode 2 is usually formed by a dry method such as sputtering or vacuum deposition. When the anode 2 is formed using fine metal particles such as silver, fine copper iodide particles, carbon black, fine conductive metal oxide particles, fine conductive polymer powder, etc., it can be formed by dispersing them in an appropriate binder resin solution and applying it to the substrate 1. When using a conductive polymer, the anode 2 can be formed by forming a thin film directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or by applying the conductive polymer to the substrate 1 (Appl. Phys. Lett., Vol. 60, p. 2711, 1992).

陽極2は、通常、単層構造であるが、適宜、積層構造としてもよい。陽極2が積層構造である場合、1層目の陽極上に異なる導電材料を積層してもよい。
陽極2の厚みは、必要とされる透明性と材質等に応じて、決めればよい。特に高い透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が60%以上となる厚みが好ましく、80%以上となる厚みが更に好ましい。陽極2の厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下である。一方、透明性が不要な場合は、陽極2の厚みは必要な強度等に応じて任意に厚みとすればよく、この場合、陽極2は基板1と同一の厚みでもよい。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but may have a laminated structure as appropriate. When the anode 2 has a laminated structure, a different conductive material may be laminated on the first anode layer.
The thickness of the anode 2 may be determined according to the required transparency and material. When particularly high transparency is required, a thickness that provides a visible light transmittance of 60% or more is preferable, and a thickness that provides a visible light transmittance of 80% or more is more preferable. The thickness of the anode 2 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less. On the other hand, when transparency is not required, the thickness of the anode 2 may be arbitrarily determined according to the required strength, and in this case, the anode 2 may have the same thickness as the substrate 1.

陽極2の表面に成膜を行う場合は、成膜前に、紫外線+オゾン、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等の処理を施すことにより、陽極上の不純物を除去すると共に、そのイオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させておくことが好ましい。 When forming a film on the surface of the anode 2, it is preferable to remove impurities on the anode and adjust its ionization potential to improve hole injection properties by performing a treatment such as ultraviolet light + ozone, oxygen plasma, or argon plasma before forming the film.

<正孔注入層3>
陽極2側から発光層5側に正孔を輸送する機能を担う層は、通常、正孔注入輸送層又は正孔輸送層と呼ばれる。陽極2側から発光層5側に正孔を輸送する機能を担う層が2層以上ある場合に、より陽極2側に近い方の層を正孔注入層3と呼ぶことがある。正孔注入層3は、陽極2から発光層5側に正孔を輸送する機能を強化する点で、用いることが好ましい。正孔注入層3を用いる場合、通常、正孔注入層3は、陽極2上に形成される。
<Hole injection layer 3>
A layer that transports holes from the anode 2 side to the light-emitting layer 5 side is usually called a hole injection transport layer or a hole transport layer. When there are two or more layers that transport holes from the anode 2 side to the light-emitting layer 5 side, the layer closer to the anode 2 side may be called a hole injection layer 3. The hole injection layer 3 is preferably used in order to enhance the function of transporting holes from the anode 2 to the light-emitting layer 5 side. When the hole injection layer 3 is used, the hole injection layer 3 is usually formed on the anode 2.

正孔注入層3の膜厚は、通常1nm以上、好ましくは5nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下である。
正孔注入層3の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層3は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層3中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
The thickness of the hole injection layer 3 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
The hole injection layer 3 may be formed by a vacuum deposition method or a wet film formation method. In terms of excellent film formability, the wet film formation method is preferred.
The hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound, more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound, and further preferably contains a cation radical compound, particularly preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.

(正孔輸送性化合物)
正孔注入層形成用組成物は、通常、正孔注入層3となる正孔輸送性化合物を含有する。
また、湿式成膜法の場合は、通常、更に溶剤も含有する。正孔注入層形成用組成物は、正孔輸送性が高く、注入された正孔を効率よく輸送できることが好ましい。このため、正孔移動度が大きく、トラップとなる不純物が製造時や使用時等に発生し難いことが好ましい。また、安定性に優れ、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光に対する透明性が高いことが好ましい。特に、正孔注入層3が発光層5と接する場合は、発光層5からの発光を消光しないものや発光層5とエキサイプレックスを形成して、発光効率を低下させないもことが好ましい。
(Hole transport compound)
The composition for forming the hole injection layer usually contains a hole transporting compound that becomes the hole injection layer 3 .
In the case of a wet film formation method, the composition usually further contains a solvent. It is preferable that the composition for forming the hole injection layer has high hole transportability and can efficiently transport injected holes. For this reason, it is preferable that the hole mobility is large and impurities that become traps are unlikely to occur during production or use. It is also preferable that the composition has excellent stability, small ionization potential, and high transparency to visible light. In particular, when the hole injection layer 3 is in contact with the light emitting layer 5, it is preferable that the composition does not quench the light emission from the light emitting layer 5 or does not form an exciplex with the light emitting layer 5 to reduce the light emitting efficiency.

正孔輸送性化合物としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から、4.5eV~6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、キナクリドン系化合物等が挙げられる。 From the viewpoint of the charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable as the hole transport compound. Examples of hole transport compounds include aromatic amine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, oligothiophene compounds, polythiophene compounds, benzylphenyl compounds, compounds in which a tertiary amine is linked via a fluorene group, hydrazone compounds, silazane compounds, and quinacridone compounds.

上述の例示化合物のうち、非晶質性及び可視光透過性の点から、芳香族アミン系化合物が好ましく、芳香族三級アミン化合物が特に好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は、特に制限されないが、表面平滑化効果により均一な発光を得やすい点から、重量平均分子量が1000以上1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)を用いることが好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、下記式(I)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物等が挙げられる。
Among the above-mentioned exemplary compounds, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoint of amorphousness and visible light transmittance, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferred. Here, the aromatic tertiary amine compounds are compounds having an aromatic tertiary amine structure, and also include compounds having a group derived from an aromatic tertiary amine.
The type of aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but it is preferable to use a polymer compound (polymerized compound having a series of repeating units) having a weight average molecular weight of 1000 to 1,000,000, in terms of the ease of obtaining uniform light emission due to the surface smoothing effect. Preferred examples of aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds having a repeating unit represented by the following formula (I).

Figure 2024125195000019
Figure 2024125195000019

[式(I)中、Ar11及びAr12は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar13~Ar15は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Qは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar11~Ar15のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。]
下記に連結基を示す。
[In formula (I), Ar 11 and Ar 12 each independently represent an aromatic group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 13 to Ar 15 each independently represent an aromatic group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Q represents a linking group selected from the following group of linking groups. In addition, among Ar 11 to Ar 15 , two groups bonded to the same N atom may bond to each other to form a ring.]
The linking groups are shown below.

Figure 2024125195000020
Figure 2024125195000020

[上記各式中、Ar16~Ar26は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。R~Rは、各々独立に、水素原子又は任意の置換基を表す。] [In the above formulas, Ar 16 to Ar 26 each independently represent an aromatic group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R a to R b each independently represent a hydrogen atom or any substituent.]

Ar11~Ar26の芳香族基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
式(I)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第2005/089024号に記載のもの等が挙げられる。
As the aromatic group and aromatic heterocyclic group of Ar 11 to Ar 26 , from the viewpoints of the solubility, heat resistance, and hole injection and transport properties of the polymer compound, groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, and a pyridine ring are preferred, and groups derived from a benzene ring and a naphthalene ring are more preferred.
Specific examples of the aromatic tertiary amine polymeric compound having a repeating unit represented by formula (I) include those described in WO 2005/089024.

(電子受容性化合物)
正孔注入層3には、正孔輸送性化合物の酸化により、正孔注入層3の導電率を向上させることができるため、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物がより好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物がより好ましく、電子親和力が5eV以上である化合物が更に好ましい。
(Electron Accepting Compound)
The hole injection layer 3 preferably contains an electron accepting compound because the conductivity of the hole injection layer 3 can be improved by oxidation of the hole transporting compound.
As the electron-accepting compound, a compound having an oxidizing power and an ability to accept one electron from the above-mentioned hole-transporting compound is more preferable. Specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is more preferable, and a compound having an electron affinity of 5 eV or more is even more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。具体的には、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開第2005/089024号);塩化鉄(III)(特開平11-251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物;トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003-31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体及びヨウ素等が挙げられる。 Examples of such electron-accepting compounds include one or more compounds selected from the group consisting of triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Specific examples include onium salts substituted with organic groups such as 4-isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate and triphenylsulfonium tetrafluoroborate (WO 2005/089024); high-valent inorganic compounds such as iron(III) chloride (JP 11-251067 A) and ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene; aromatic boron compounds such as tris(pentafluorophenyl)borane (JP 2003-31365 A); fullerene derivatives, and iodine.

(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
(Cation Radical Compound)
The cation radical compound is preferably an ionic compound consisting of a cation radical, which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound, and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from a repeating unit of the polymer compound.

カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、及び溶解性などの点から好適である。
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。
The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the compound described above as the hole transporting compound, which is preferable in terms of amorphousness, visible light transmittance, heat resistance, solubility, etc.
Here, the cation radical compound can be generated by mixing the above-mentioned hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the above-mentioned hole transporting compound and the electron accepting compound, electrons are transferred from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and a cation ion compound consisting of the cation radical of the hole transporting compound and a counter anion is generated.

PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)することによっても生成する。
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、又は、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。
Cation radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT/PSS (Adv. Mater., 2000, vol. 12, p. 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, vol. 94, p. 7716) can also be produced by oxidative polymerization (dehydrogenative polymerization).
The oxidative polymerization referred to here is a method in which a monomer is chemically or electrochemically oxidized in an acidic solution using peroxodisulfate or the like. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenative polymerization), the monomer is oxidized to polymerize, and a cation radical is generated by removing one electron from the repeating unit of the polymer, with the anion derived from the acidic solution as the counter anion.

(湿式成膜法による正孔注入層3の形成)
湿式成膜法により正孔注入層3を形成する場合、通常、正孔注入層3となる材料を可溶な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層形成用組成物を正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に湿式成膜法により成膜し、乾燥させることにより形成させる。成膜した膜の乾燥は、湿式成膜法による発光層5の形成における乾燥方法と同様に行うことができる。
(Formation of Hole Injection Layer 3 by Wet Film Formation Method)
When the hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method, a material for the hole injection layer 3 is usually mixed with a soluble solvent (solvent for hole injection layer) to prepare a film formation composition (composition for forming hole injection layer), and this composition for forming hole injection layer is formed by a wet film formation method on a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer 3 (usually the anode 2), and then dried to form the film. The formed film can be dried in the same manner as in the formation of the light emitting layer 5 by a wet film formation method.

正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点では、低い方が好ましく、一方、正孔注入層3に欠陥が生じ難い点では、高い方が好ましい。正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、0.01質量%以上が好ましく、0.1質量%以上が更に好ましく、0.5質量%以上が特に好ましく、また、一方、70質量%以下が好ましく、60質量%以下が更に好ましく、50質量%以下が特に好ましい。 The concentration of the hole transport compound in the composition for forming the hole injection layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but in terms of uniformity of the film thickness, a lower concentration is preferable, while in terms of preventing defects from occurring in the hole injection layer 3, a higher concentration is preferable. The concentration of the hole transport compound in the composition for forming the hole injection layer is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and particularly preferably 0.5% by mass or more, while preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less.

溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル及び1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。
Examples of the solvent include ether-based solvents, ester-based solvents, aromatic hydrocarbon-based solvents, and amide-based solvents.
Examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA), and aromatic ethers such as 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, and 2,4-dimethylanisole.

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3-イソプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.
Examples of aromatic hydrocarbon solvents include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylbiphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, and methylnaphthalene.

アミド系溶剤としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
これらの他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
正孔注入層3の湿式成膜法による形成は、通常、正孔注入層形成用組成物を調製後に、これを、正孔注入層3の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布成膜し、乾燥することにより行われる。正孔注入層3は、通常、成膜後に、加熱や減圧乾燥等により塗布膜を乾燥させる。
Examples of the amide solvent include N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide.
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
The formation of the hole injection layer 3 by a wet film formation method is usually carried out by preparing a composition for forming the hole injection layer, applying the composition to a layer (usually the anode 2) corresponding to the layer below the hole injection layer 3 to form a film, and drying the composition. After the hole injection layer 3 is formed, the applied film is usually dried by heating, drying under reduced pressure, or the like.

(真空蒸着法による正孔注入層3の形成)
真空蒸着法により正孔注入層3を形成する場合には、通常、正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等)の1種類又は2種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ)、真空容器内を真空ポンプで1.0×10-4Pa程度まで排気した後、坩堝を加熱して(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して)、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ)、坩堝に向き合って置かれた基板上の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。なお、2種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
(Formation of Hole Injection Layer 3 by Vacuum Deposition Method)
When forming the hole injection layer 3 by the vacuum deposition method, one or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (such as the above-mentioned hole transporting compound and electron accepting compound) are usually placed in a crucible installed in a vacuum container (when two or more materials are used, each is usually placed in a separate crucible), and the inside of the vacuum container is evacuated to about 1.0 × 10 -4 Pa with a vacuum pump, and then the crucible is heated (when two or more materials are used, each crucible is usually heated), and the material in the crucible is evaporated while controlling the evaporation amount (when two or more materials are used, each is usually evaporated while controlling the evaporation amount independently), and the hole injection layer 3 is formed on the anode 2 on the substrate placed opposite the crucible. Note that when two or more materials are used, a mixture of those materials can also be placed in a crucible, heated, and evaporated to form the hole injection layer 3.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上、50℃以下で行われる。 The degree of vacuum during deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is usually 0.1×10 −6 Torr (0.13×10 −4 Pa) or more and 9.0×10 −6 Torr (12.0×10 −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is usually 0.1 Å/sec or more and 5.0 Å/sec or less. The film formation temperature during deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is preferably 10° C. or more and 50° C. or less.

<正孔輸送層4>
正孔輸送層4は、陽極2側から発光層5側に正孔を輸送する機能を担う層である。正孔輸送層4は、本発明の有機電界発光素子では、必須の層では無いが、陽極2から発光層5に正孔を輸送する機能を強化する点では、この層を設けることが好ましい。正孔輸送層4を設ける場合、通常、正孔輸送層4は、陽極2と発光層5の間に形成される。また、上述の正孔注入層3がある場合は、正孔注入層3と発光層5の間に形成される。
<Hole transport layer 4>
The hole transport layer 4 is a layer that transports holes from the anode 2 side to the light emitting layer 5 side. Although the hole transport layer 4 is not an essential layer in the organic electroluminescent device of the present invention, it is preferable to provide this layer in terms of enhancing the function of transporting holes from the anode 2 to the light emitting layer 5. When the hole transport layer 4 is provided, the hole transport layer 4 is usually formed between the anode 2 and the light emitting layer 5. Furthermore, when the above-mentioned hole injection layer 3 is present, it is formed between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 5.

正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また、一方、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。
正孔輸送層4の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよい。成膜性が優れる点では、湿式成膜法により形成することが好ましい。
The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and on the other hand, usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
The hole transport layer 4 may be formed by a vacuum deposition method or a wet film formation method. In terms of excellent film formability, the wet film formation method is preferred.

正孔輸送層4は、通常、正孔輸送層4となる正孔輸送性化合物を含有する。正孔輸送層4に含まれる正孔輸送性化合物としては、特に、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルで代表される、2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4’’-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物(J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4’-N,N’-ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7-53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym.Adv.Tech.,7巻、33頁、1996年)等も好ましく使用できる。 The hole transport layer 4 usually contains a hole transport compound that becomes the hole transport layer 4. Examples of the hole transport compound contained in the hole transport layer 4 include aromatic diamines containing two or more tertiary amines and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms, such as 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (JP Patent Publication No. 5-234681), and aromatic amine compounds having a starburst structure, such as 4,4',4''-tris(1-naphthylphenylamino)triphenylamine (J. Lumin. , vol. 72-74, p. 985, 1997), aromatic amine compounds consisting of triphenylamine tetramers (Chem. Commun., p. 2175, 1996), spiro compounds such as 2,2',7,7'-tetrakis-(diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, vol. 91, p. 209, 1997), carbazole derivatives such as 4,4'-N,N'-dicarbazole biphenyl, etc. Also preferably used are polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (JP-A-7-53953), polyarylene ether sulfone containing tetraphenylbenzidine (Polym. Adv. Tech., vol. 7, p. 33, 1996), etc.

(湿式成膜法による正孔輸送層4の形成)
湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層3を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに正孔輸送層形成用組成物を用いて形成させる。
湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、通常、正孔輸送層形成用組成物は、更に溶剤を含有する。正孔輸送層形成用組成物に用いる溶剤は、上述の正孔注入層形成用組成物で用いる溶剤と同様の溶剤を使用することができる。
(Formation of Hole Transport Layer 4 by Wet Film Formation Method)
When the hole transport layer 4 is formed by a wet film formation method, it is usually formed using a composition for forming a hole transport layer instead of the composition for forming a hole injection layer, in the same manner as when the above-mentioned hole injection layer 3 is formed by a wet film formation method.
When the hole transport layer 4 is formed by a wet film formation method, the composition for forming a hole transport layer usually further contains a solvent. The solvent used in the composition for forming a hole transport layer may be the same as the solvent used in the composition for forming a hole injection layer described above.

正孔輸送層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度は、正孔注入層形成用組成物中における正孔輸送性化合物の濃度と同様の範囲とすることができる。
正孔輸送層4の湿式成膜法による形成は、前述の正孔注入層3の成膜方法と同様に行うことができる。
The concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole transport layer can be in the same range as the concentration of the hole transporting compound in the composition for forming a hole injection layer.
The hole transport layer 4 can be formed by a wet film formation method similar to the above-mentioned method for forming the hole injection layer 3 .

(真空蒸着法による正孔輸送層4の形成)
真空蒸着法で正孔輸送層4を形成する場合についても、通常、上述の正孔注入層3を真空蒸着法で形成する場合と同様にして、正孔注入層3の構成材料の代わりに正孔輸送層4の構成材料を用いて形成させることができる。蒸着時の真空度、蒸着速度及び温度などの成膜条件などは、前記正孔注入層3の真空蒸着時と同様の条件で成膜することができる。
(Formation of Hole Transport Layer 4 by Vacuum Deposition)
When the hole transport layer 4 is formed by the vacuum deposition method, it can be formed in the same manner as when the hole injection layer 3 is formed by the vacuum deposition method, by using the material of the hole transport layer 4 instead of the material of the hole injection layer 3. The film formation conditions such as the degree of vacuum, deposition rate, and temperature during deposition can be the same as those during the vacuum deposition of the hole injection layer 3.

<発光層5>
発光層5は、一対の電極間に電界が与えられた時に、陽極2から注入される正孔と陰極9から注入される電子が再結合することにより励起され、発光する機能を担う層である。
発光層5は、陽極2と陰極9の間に形成される層であり、発光層5は、陽極2の上に正孔注入層3がある場合は、正孔注入層3と陰極9の間に形成され、陽極2の上に正孔輸送層4がある場合は、正孔輸送層4と陰極9との間に形成される。
<Light-emitting layer 5>
The light-emitting layer 5 is a layer that is excited by the recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 when an electric field is applied between the pair of electrodes, and thus emits light.
The light-emitting layer 5 is a layer formed between the anode 2 and the cathode 9. When the hole injection layer 3 is present on the anode 2, the light-emitting layer 5 is formed between the hole injection layer 3 and the cathode 9. When the hole transport layer 4 is present on the anode 2, the light-emitting layer 5 is formed between the hole transport layer 4 and the cathode 9.

発光層5の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜に欠陥が生じ難い点では厚い方が好ましく、また、一方、薄い方が低駆動電圧としやすい点で好ましい。このため、発光層5の膜厚は、3nm以上が好ましく、5nm以上が更に好ましく、また、一方、通常200nm以下が好ましく、100nm以下が更に好ましい。 The thickness of the light-emitting layer 5 can be any thickness as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. However, a thicker layer is preferable in that defects are less likely to occur in the film, and a thinner layer is preferable in that it is easier to achieve a low driving voltage. For this reason, the thickness of the light-emitting layer 5 is preferably 3 nm or more, more preferably 5 nm or more, and usually preferably 200 nm or less, more preferably 100 nm or less.

発光層5は、少なくとも、発光の性質を有する材料(発光材料)を含有するとともに、好ましくは、電荷輸送性を有する材料(電荷輸送性材料)とを含有することが好ましい。
発光材料としては、いずれかの発光層に、本発明のイリジウム錯体化合物が含まれていればよく、適宜他の発光材料を用いてもよい。
赤色発光素子として高い発光効率を示すという観点から、本発明の有機電界発光素子は、発光層5に、本発明のイリジウム錯体化合物と前述の赤色発光材料とが含まれることが好ましく、前記赤色発光材料として最大発光波長が600nm以上である赤色発光材料が含まれることが好ましく、前記赤色発光材料が前述の式(201)で表されるイリジウム錯体化合物であることがより好ましい。
以下、本発明のイリジウム錯体化合物以外の他の発光材料について詳述する。
The light-emitting layer 5 contains at least a material having light-emitting properties (light-emitting material), and preferably also contains a material having charge transport properties (charge transport material).
As the light-emitting material, it is sufficient that any one of the light-emitting layers contains the iridium complex compound of the present invention, and other light-emitting materials may also be used appropriately.
From the viewpoint of exhibiting high luminous efficiency as a red light-emitting element, the organic electroluminescent element of the present invention preferably contains in the light-emitting layer 5 the iridium complex compound of the present invention and the above-mentioned red light-emitting material, preferably contains as the red light-emitting material a red light-emitting material having a maximum emission wavelength of 600 nm or more, and more preferably the red light-emitting material is the iridium complex compound represented by the above-mentioned formula (201).
Hereinafter, light-emitting materials other than the iridium complex compound of the present invention will be described in detail.

(発光材料)
発光材料は、所望の発光波長で発光し、本発明の効果を損なわない限り特に制限はなく、公知の発光材料を適用可能である。発光材料は、蛍光発光材料でも、燐光発光材料でもよいが、発光効率が良好である材料が好ましく、内部量子効率の観点から燐光発光材料が好ましい。具体的には、発光材料は、前述の赤色発光材料であることが好ましい。
(Light Emitting Material)
The light-emitting material is not particularly limited as long as it emits light at a desired emission wavelength and does not impair the effects of the present invention, and any known light-emitting material can be used. The light-emitting material may be a fluorescent material or a phosphorescent material, but a material with good luminous efficiency is preferred, and a phosphorescent material is preferred from the viewpoint of internal quantum efficiency. Specifically, the light-emitting material is preferably the red light-emitting material described above.

蛍光発光材料としては、例えば、以下の材料が挙げられる。
青色発光を与える蛍光発光材料(青色蛍光発光材料)としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、p-ビス(2-フェニルエテニル)ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
緑色発光を与える蛍光発光材料(緑色蛍光発光材料)としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Al(CNO)などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
Examples of the fluorescent material include the following materials.
Examples of fluorescent light-emitting materials that give blue light (blue fluorescent light-emitting materials) include naphthalene, perylene, pyrene, anthracene, coumarin, chrysene, p-bis(2-phenylethenyl)benzene, and derivatives thereof.
Examples of fluorescent materials that emit green light (green fluorescent materials) include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Al(C 9 H 6 NO) 3 .

黄色発光を与える蛍光発光材料(黄色蛍光発光材料)としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
赤色発光を与える蛍光発光材料(赤色蛍光発光材料)としては、例えば、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
Examples of fluorescent light-emitting materials that give yellow light emission (yellow fluorescent light-emitting materials) include rubrene and perimidon derivatives.
Examples of fluorescent materials that emit red light (red fluorescent materials) include DCM (4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, and azabenzothioxanthene.

また、燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)の第7~11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体等が挙げられる。周期表の第7~11族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。 Examples of phosphorescent materials include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the long-form periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, the term "periodic table" refers to the long-form periodic table). Preferred examples of metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold.

有機金属錯体の配位子としては、(ヘテロ)アリールピリジン配位子、(ヘテロ)アリールピラゾール配位子などの(ヘテロ)アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、(ヘテロ)アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。 As the ligand of the organometallic complex, a ligand in which a (hetero)aryl group is linked to pyridine, pyrazole, phenanthroline, etc., such as a (hetero)arylpyridine ligand or a (hetero)arylpyrazole ligand, is preferred, and a phenylpyridine ligand or a phenylpyrazole ligand is particularly preferred. Here, (hetero)aryl represents an aryl group or a heteroaryl group.

好ましい燐光発光材料として、具体的には、トリス(2-フェニルピリジン)イリジウム、トリス(2-フェニルピリジン)ルテニウム、トリス(2-フェニルピリジン)パラジウム、ビス(2-フェニルピリジン)白金、トリス(2-フェニルピリジン)オスミウム、トリス(2-フェニルピリジン)レニウム等のフェニルピリジン錯体及びオクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等のポルフィリン錯体等が挙げられる。 Specific examples of preferred phosphorescent materials include phenylpyridine complexes such as tris(2-phenylpyridine)iridium, tris(2-phenylpyridine)ruthenium, tris(2-phenylpyridine)palladium, bis(2-phenylpyridine)platinum, tris(2-phenylpyridine)osmium, and tris(2-phenylpyridine)rhenium, as well as porphyrin complexes such as octaethylplatinum porphyrin, octaphenylplatinum porphyrin, octaethylpalladium porphyrin, and octaphenylpalladium porphyrin.

高分子系の発光材料としては、ポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(4,4’-(N-(4-sec-ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(1,4-ベンゾ-2{2,1’-3}-トリアゾール)]などのポリフルオレン系材料、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]などのポリフェニレンビニレン系材料が挙げられる。 Polymer-based light-emitting materials include polyfluorene-based materials such as poly(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl), poly[(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl))diphenylamine)], and poly[(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(1,4-benzo-2{2,1'-3}-triazole)], and polyphenylenevinylene-based materials such as poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene].

(電荷輸送性材料)
電荷輸送性材料は、正電荷(正孔)又は負電荷(電子)輸送性を有する材料であり、本発明の効果を損なわない限り、特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。
電荷輸送性材料は、従来、有機電界発光素子の発光層5に用いられている化合物等を用いることができ、特に、発光層5のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
(Charge Transporting Material)
The charge transporting material is a material that has a positive charge (hole) or negative charge (electron) transporting property, and is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention, and any known material can be used.
As the charge transporting material, compounds conventionally used in the light emitting layer 5 of an organic electroluminescent device can be used, and in particular, compounds used as a host material in the light emitting layer 5 are preferred.

電荷輸送性材料としては、具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物等の正孔注入層3の正孔輸送性化合物として例示した化合物等が挙げられる他、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等の電子輸送性化合物等が挙げられる。 Specific examples of charge transport materials include aromatic amine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, oligothiophene compounds, polythiophene compounds, benzylphenyl compounds, compounds in which a tertiary amine is linked via a fluorene group, hydrazone compounds, silazane compounds, silanamine compounds, phosphamine compounds, and quinacridone compounds, which are listed as examples of hole transport compounds for the hole injection layer 3. In addition, examples of charge transport materials include electron transport compounds such as anthracene compounds, pyrene compounds, carbazole compounds, pyridine compounds, phenanthroline compounds, oxadiazole compounds, and silole compounds.

電荷輸送性材料としては、また、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4’’-トリス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物(J.Lumin.,72-74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物(Chem.Commun.,2175頁、1996年)、2,2’,7,7’-テトラキス-(ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物(Synth.Metals,91巻、209頁、1997年)、4,4’-N,N’-ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物等の正孔輸送層4の正孔輸送性化合物として例示した化合物等も好ましく用いることができる。また、この他、2-(4-ビフェニリル)-5-(p-ターシャルブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(tBu-PBD)、2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール(BND)などのオキサジアゾール系化合物、2,5-ビス(6’-(2’,2”-ビピリジル))-1,1-ジメチル-3,4-ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール系化合物、バソフェナントロリン(BPhen)、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(BCP、バソクプロイン)などのフェナントロリン系化合物等も挙げられる。 Other examples of charge transport materials include aromatic diamines containing two or more tertiary amines, such as 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl, in which two or more condensed aromatic rings are substituted with nitrogen atoms (JP Patent Publication 5-234681), aromatic amine compounds having a starburst structure, such as 4,4',4''-tris(1-naphthylphenylamino)triphenylamine (J. Lumin., Vol. 72-74, p. 985, 1997), and triphenylamine. Also preferably usable are the compounds exemplified as the hole transport compound for the hole transport layer 4, such as aromatic amine compounds consisting of a tetramer of diphenylamine (Chem. Commun., p. 2175, 1996), fluorene compounds such as 2,2',7,7'-tetrakis-(diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene (Synth. Metals, vol. 91, p. 209, 1997), and carbazole compounds such as 4,4'-N,N'-dicarbazolebiphenyl. Other examples include oxadiazole compounds such as 2-(4-biphenylyl)-5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (tBu-PBD) and 2,5-bis(1-naphthyl)-1,3,4-oxadiazole (BND), silole compounds such as 2,5-bis(6'-(2',2"-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilole (PyPySPyPy), and phenanthroline compounds such as bathophenanthroline (BPhen) and 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, bathocuproine).

(湿式成膜法による発光層5の形成)
発光層5の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよいが、成膜性に優れることから、湿式成膜法が好ましい。特に本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成することが好ましい。
湿式成膜法により発光層5を形成する場合は、通常、上述の正孔注入層3を湿式成膜法で形成する場合と同様にして、正孔注入層形成用組成物の代わりに、発光層5となる材料を可溶な溶剤(発光層用溶剤)と混合して調製した発光層形成用組成物を用いて形成させる。本発明においては、この発光層形成用組成物として、前述のイリジウム錯体化合物含有組成物である本発明の有機電界発光素子用組成物を用いることが好ましい。
(Formation of the light-emitting layer 5 by a wet film formation method)
The method for forming the light-emitting layer 5 may be a vacuum deposition method or a wet film-forming method, but the wet film-forming method is preferred because of its excellent film-forming properties. In particular, it is preferred to form the light-emitting layer 5 by the wet film-forming method using the composition for organic electroluminescent elements of the present invention.
When the light-emitting layer 5 is formed by a wet film-forming method, it is usually formed using a composition for forming a light-emitting layer prepared by mixing a material for the light-emitting layer 5 with a soluble solvent (solvent for the light-emitting layer) instead of the composition for forming a hole-injection layer, in the same manner as in the case of forming the hole-injection layer 3 described above by a wet film-forming method. In the present invention, it is preferable to use the composition for forming an organic electroluminescent element of the present invention, which is the above-mentioned iridium complex compound-containing composition, as the composition for forming the light-emitting layer.

溶剤としては、例えば、正孔注入層3の形成について挙げたエーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤の他、アルカン系溶剤、ハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤、脂肪族アルコール系溶剤、脂環族アルコール系溶剤、脂肪族ケトン系溶剤及び脂環族ケトン系溶剤などが挙げられる。用いる溶剤は、本発明に係るイリジウム錯体化合物含有組成物の溶剤としても例示したとおりであり、以下に溶剤の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。 Examples of the solvent include the ether-based solvents, ester-based solvents, aromatic hydrocarbon-based solvents, and amide-based solvents mentioned for forming the hole injection layer 3, as well as alkane-based solvents, halogenated aromatic hydrocarbon-based solvents, aliphatic alcohol-based solvents, alicyclic alcohol-based solvents, aliphatic ketone-based solvents, and alicyclic ketone-based solvents. The solvents used are as exemplified for the iridium complex compound-containing composition according to the present invention, and specific examples of the solvents are given below, but are not limited to these as long as they do not impair the effects of the present invention.

例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル系溶剤;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル系溶剤;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル系溶剤;トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、3-イソプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶剤;N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤;n-デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン系溶剤;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール系溶剤;シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール系溶剤;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン系溶剤;シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン系溶剤等が挙げられる。これらのうち、アルカン系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤が特に好ましい。 For example, aliphatic ether solvents such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); aromatic ether solvents such as 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, and diphenyl ether; aromatic ester solvents such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate; toluene, xylene, mesitylene, cyclohexylbenzene, tetralin, and 3-isopropyl biphenyl. Examples of suitable solvents include aromatic hydrocarbon solvents such as phenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, and methylnaphthalene; amide solvents such as N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide; alkane solvents such as n-decane, cyclohexane, ethylcyclohexane, decalin, and bicyclohexane; halogenated aromatic hydrocarbon solvents such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; aliphatic alcohol solvents such as butanol and hexanol; alicyclic alcohol solvents such as cyclohexanol and cyclooctanol; aliphatic ketone solvents such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; and alicyclic ketone solvents such as cyclohexanone, cyclooctanone, and fenchone. Among these, alkane solvents and aromatic hydrocarbon solvents are particularly preferred.

また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、用いる溶剤の沸点は、前述のとおり、通常80℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上、また、通常270℃以下、好ましくは250℃以下、より好ましくは沸点230℃以下である。 In order to obtain a more uniform film, it is preferable that the solvent evaporates at an appropriate rate from the liquid film immediately after film formation. For this reason, as described above, the boiling point of the solvent used is usually 80°C or higher, preferably 100°C or higher, more preferably 120°C or higher, and usually 270°C or lower, preferably 250°C or lower, more preferably a boiling point of 230°C or lower.

溶剤の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、発光層形成用組成物、即ち有機電界発光素子用組成物中の合計含有量は、低粘性なために成膜作業が行いやすい点で多い方が好ましく、また、一方、厚膜で成膜しやすい点で低い方が好ましい。
前述のとおり、溶剤の含有量は、有機電界発光素子用組成物において好ましくは1質量%以上、より好ましくは10質量%以上、特に好ましくは50質量%以上、また、好ましくは99.99質量%以下、より好ましくは99.9質量%以下、特に好ましくは99質量%以下である。
The amount of the solvent used may be any amount as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. However, the total content in the composition for forming an emitting layer, i.e., the composition for an organic electroluminescent device, is preferably high in terms of facilitating film formation due to low viscosity, while being low in terms of facilitating film formation in a thick film.
As described above, the content of the solvent in the composition for organic electroluminescent elements is preferably 1 mass % or more, more preferably 10 mass % or more, particularly preferably 50 mass % or more, and is preferably 99.99 mass % or less, more preferably 99.9 mass % or less, particularly preferably 99 mass % or less.

湿式成膜後の溶剤除去方法としては、加熱又は減圧を用いることができる。加熱方法において使用する加熱手段としては、膜全体に均等に熱を与えることから、クリーンオーブン、ホットプレートが好ましい。
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、乾燥時間を短くする点では温度が高いほうが好ましく、材料へのダメージが少ない点では低い方が好ましい。加温温度の上限は通常250℃以下であり、好ましくは200℃以下、さらに好ましくは150℃以下である。加温温度の下限は通常30℃以上であり、好ましくは50℃以上であり、さらに好ましくは80℃以上である。上記上限を超える温度は、通常用いられる電荷輸送材料又は燐光発光材料の耐熱性より高く、分解や結晶化する可能性があり好ましくない。上記下限未満では溶剤の除去に長時間を要するため、好ましくない。加熱工程における加熱時間は、発光層形成用組成物中の溶剤の沸点や蒸気圧、材料の耐熱性、および加熱条件によって適切に決定される。
The solvent can be removed after the wet film formation by heating or reducing pressure. In the heating method, a clean oven or a hot plate is preferable as a heating means for applying heat uniformly to the entire film.
The heating temperature in the heating step is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but a higher temperature is preferable in terms of shortening the drying time, and a lower temperature is preferable in terms of less damage to the material. The upper limit of the heating temperature is usually 250°C or less, preferably 200°C or less, and more preferably 150°C or less. The lower limit of the heating temperature is usually 30°C or more, preferably 50°C or more, and more preferably 80°C or more. A temperature exceeding the upper limit is higher than the heat resistance of the charge transport material or phosphorescent material that is usually used, and may cause decomposition or crystallization, which is not preferable. A temperature below the lower limit is not preferable because it takes a long time to remove the solvent. The heating time in the heating step is appropriately determined depending on the boiling point and vapor pressure of the solvent in the composition for forming the light-emitting layer, the heat resistance of the material, and the heating conditions.

(真空蒸着法による発光層5の形成)
真空蒸着法により発光層5を形成する場合には、通常、発光層5の構成材料(前述の発光材料、電荷輸送性化合物等)の1種類又は2種類以上を真空容器内に設置された坩堝に入れ(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々を別々の坩堝に入れ)、真空容器内を真空ポンプで1.0×10-4Pa程度まで排気した後、坩堝を加熱して(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々の坩堝を加熱して)、坩堝内の材料の蒸発量を制御しながら蒸発させ(2種類以上の材料を用いる場合は、通常各々独立に蒸発量を制御しながら蒸発させ)、坩堝に向き合って置かれた正孔注入層3又は正孔輸送層4の上に発光層5を形成させる。なお、2種類以上の材料を用いる場合は、それらの混合物を坩堝に入れ、加熱、蒸発させて発光層5を形成することもできる。
(Formation of the light-emitting layer 5 by vacuum deposition method)
When the light-emitting layer 5 is formed by the vacuum deposition method, one or more of the constituent materials of the light-emitting layer 5 (such as the above-mentioned light-emitting material and charge-transporting compound) are usually placed in a crucible installed in a vacuum vessel (when two or more materials are used, each is usually placed in a separate crucible), and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 1.0×10 −4 Pa with a vacuum pump, and then the crucible is heated (when two or more materials are used, each crucible is usually heated) to evaporate the materials in the crucible while controlling the amount of evaporation (when two or more materials are used, each is usually evaporated while controlling the amount of evaporation independently), and the light-emitting layer 5 is formed on the hole injection layer 3 or hole transport layer 4 placed opposite the crucible. When two or more materials are used, a mixture of those materials can also be placed in a crucible and heated and evaporated to form the light-emitting layer 5.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、9.0×10-6Torr(12.0×10-4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常0.1Å/秒以上、5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは10℃以上、50℃以下で行われる。 The degree of vacuum during deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is usually 0.1×10 −6 Torr (0.13×10 −4 Pa) or more and 9.0×10 −6 Torr (12.0×10 −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is usually 0.1 Å/sec or more and 5.0 Å/sec or less. The film formation temperature during deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is preferably 10° C. or more and 50° C. or less.

<正孔阻止層6>
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層される層である。
正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。
<Hole Blocking Layer 6>
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8 described later. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.
The hole blocking layer 6 has a role of preventing holes migrating from the anode 2 from reaching the cathode 9, and a role of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. Required physical properties of the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility and low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1).

このような条件を満たす正孔阻止層6の材料としては、例えば、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2-メチル-8-キノラト)アルミニウム-μ-オキソ-ビス-(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11-242996号公報)、3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニル-5(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7-41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10-79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005/022962号に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。 Examples of materials for the hole blocking layer 6 that satisfy these conditions include mixed ligand complexes such as bis(2-methyl-8-quinolinolato)(phenolato)aluminum and bis(2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsilanolate)aluminum, metal complexes such as bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum-μ-oxo-bis-(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum binuclear metal complex, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives (JP Patent Publication No. 11-242996), triazole derivatives such as 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (JP Patent Publication No. 7-41759), and phenanthroline derivatives such as bathocuproine (JP Patent Publication No. 10-79297). Furthermore, compounds having at least one pyridine ring substituted at the 2-, 4-, and 6-positions, as described in International Publication No. 2005/022962, are also preferred as materials for the hole blocking layer 6.

正孔阻止層6の形成方法に制限はなく、前述の発光層5の形成方法と同様にして形成することができる。
正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上であり、また、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
There is no limitation on the method for forming the hole blocking layer 6, and it can be formed in the same manner as the above-mentioned method for forming the light emitting layer 5.
The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention, but is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

<電子輸送層7>
電子輸送層7は素子の電流効率をさらに向上させることを目的として、発光層5又は正孔阻止層6と電子注入層8との間に設けられる。
電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極9又は電子注入層8からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
<Electron transport layer 7>
The electron transport layer 7 is provided between the light emitting layer 5 or the hole blocking layer 6 and the electron injection layer 8 for the purpose of further improving the current efficiency of the element.
The electron transport layer 7 is made of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied, toward the light emitting layer 5. The electron transporting compound used in the electron transport layer 7 is required to have a high efficiency of electron injection from the cathode 9 or the electron injection layer 8, and to have high electron mobility so as to efficiently transport the injected electrons.

このような条件を満たす電子輸送性化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-ヒドロキシフラボン金属錯体、5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459号公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N’-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。 Examples of electron transport compounds that satisfy these conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (JP Patent Publication 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo[h]quinoline, oxadiazole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Patent Publication 5,645,948), quinoxaline compounds (JP Patent Publication 6-207169), phenanthroline derivatives (JP Patent Publication 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N,N'-dicyanoanthraquinone diimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, and n-type zinc selenide.

電子輸送層7の膜厚は、通常1nm以上、好ましくは5nm以上であり、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。
電子輸送層7は、発光層5と同様にして湿式成膜法、あるいは真空蒸着法により発光層5又は正孔阻止層6上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
The thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.
The electron transport layer 7 is formed by laminating it on the light emitting layer 5 or the hole blocking layer 6 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 5. Usually, the vacuum deposition method is used.

<電子注入層8>
電子注入層8は、陰極9から注入された電子を効率よく、電子輸送層7又は発光層5へ注入する役割を果たす。
電子注入を効率よく行うには、電子注入層8を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。
<Electron injection layer 8>
The electron injection layer 8 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 9 into the electron transport layer 7 or the light emitting layer 5 .
In order to efficiently inject electrons, a metal having a low work function is preferable as the material for forming the electron injection layer 8. Examples of such a metal include alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium.

電子注入層8の膜厚は、0.1~5nmが好ましい。
また、陰極9と電子輸送層7との界面に電子注入層8として、LiF、MgF、LiO、CsCO等の極薄絶縁膜(膜厚0.1~5nm程度)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10-74586号公報;IEEE Trans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。
The thickness of the electron injection layer 8 is preferably 0.1 to 5 nm.
In addition, inserting an extremely thin insulating film (thickness: about 0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, or Cs 2 CO 3 as an electron injection layer 8 at the interface between the cathode 9 and the electron transport layer 7 is also an effective method for improving the efficiency of the element (Appl. Phys. Lett., Vol. 70, p. 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. Electron. Devices, Vol. 44, p. 1245, 1997; SID 04 Digest, p. 154).

さらに、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10-270171号公報、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。
電子注入層8は、発光層5と同様にして湿式成膜法あるいは真空蒸着法により、発光層5あるいはその上の正孔阻止層6又は電子輸送層7上に積層することにより形成される。
湿式成膜法の場合の詳細は、前述の発光層5の場合と同様である。
Furthermore, organic electron transporting materials, typified by nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline, are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium, rubidium, etc. (described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-100478, JP-A-2002-100482, etc.), which improves electron injection and transport properties and enables excellent film quality to be achieved at the same time, which is preferable. In this case, the film thickness is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
The electron injection layer 8 is formed by laminating it on the light emitting layer 5 or the hole blocking layer 6 or the electron transport layer 7 thereon by a wet film formation method or a vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 5 .
The details of the wet film formation method are the same as those of the light-emitting layer 5 described above.

<陰極9>
陰極9は、発光層5側の層(電子注入層8又は発光層5など)に電子を注入する役割を果たす。陰極9の材料としては、前記の陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なう上では、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、例えば、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム-リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。
<Cathode 9>
The cathode 9 plays a role in injecting electrons into a layer (such as the electron injection layer 8 or the light emitting layer 5) on the light emitting layer 5 side. The material of the cathode 9 can be the same as that of the anode 2, but in order to efficiently inject electrons, it is preferable to use a metal with a low work function, such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof. Specific examples include low work function alloy electrodes such as a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, or an aluminum-lithium alloy.

素子の安定性の点では、陰極9の上に、仕事関数が高く、大気に対して安定な金属層を積層して、低仕事関数の金属からなる陰極9を保護することが好ましい。積層する金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。
陰極の膜厚は通常、陽極2と同様である。
From the viewpoint of element stability, it is preferable to protect the cathode 9 made of a metal having a low work function by laminating a metal layer having a high work function and stable against the atmosphere on the cathode 9. Examples of the metal to be laminated include aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum, and the like.
The thickness of the cathode is usually the same as that of the anode 2 .

<その他の構成層>
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明したが、本発明の有機電界発光素子における陽極2及び陰極9と発光層5との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層5以外の任意の層を省略してもよい。
<Other constituent layers>
The above has mainly been described with reference to the element having the layer structure shown in FIG. 1 . However, in the organic electroluminescent element of the present invention, any layer may be present between the anode 2 and the cathode 9 and the light-emitting layer 5 in addition to the layers described above, as long as the performance is not impaired. Furthermore, any layer other than the light-emitting layer 5 may be omitted.

例えば、正孔阻止層6と同様の目的で、正孔輸送層4と発光層5の間に電子阻止層を設けることも効果的である。電子阻止層は、発光層5から移動してくる電子が正孔輸送層4に到達することを阻止することで、発光層5内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層5内に閉じこめる役割と、正孔輸送層4から注入された正孔を効率よく発光層5の方向に輸送する役割がある。 For example, it is also effective to provide an electron blocking layer between the hole transport layer 4 and the light emitting layer 5 for the same purpose as the hole blocking layer 6. The electron blocking layer prevents electrons moving from the light emitting layer 5 from reaching the hole transport layer 4, thereby increasing the probability of recombination with holes in the light emitting layer 5 and trapping the generated excitons within the light emitting layer 5, and efficiently transporting holes injected from the hole transport layer 4 in the direction of the light emitting layer 5.

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMOとLUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。
また、発光層5を湿式成膜法で形成する場合、電子阻止層も湿式成膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。
このため、電子阻止層も湿式成膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層に用いられる材料としては、F8-TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(国際公開第2004/084260号)等が挙げられる。
The properties required for the electron blocking layer include high hole transporting ability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1).
When the light-emitting layer 5 is formed by a wet film-forming method, it is preferable to also form the electron blocking layer by a wet film-forming method, since this makes it easier to manufacture the element.
For this reason, it is preferable that the electron blocking layer also has compatibility with wet film formation, and examples of materials used for such electron blocking layers include copolymers of dioctylfluorene and triphenylamine, such as F8-TFB (WO 2004/084260).

なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極9、電子注入層8、電子輸送層7、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。
さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV等を電荷発生層として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
It is also possible to have a structure opposite to that shown in FIG. 1 , that is, to laminate the cathode 9, the electron injection layer 8, the electron transport layer 7, the hole blocking layer 6, the light-emitting layer 5, the hole transport layer 4, the hole injection layer 3, and the anode 2 in this order on the substrate 1, and it is also possible to provide the organic electroluminescent device of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent.
Furthermore, it is possible to form a structure in which the layer configuration shown in Fig. 1 is stacked in multiple stages (a structure in which multiple light-emitting units are stacked). In this case, it is preferable from the viewpoints of luminous efficiency and driving voltage to use, for example, V2O5 or the like as a charge generating layer instead of the interface layer between stages (between light-emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers are used), since the barrier between the stages is reduced.
The present invention can be applied to any organic electroluminescent device, whether it is a single device, a device having a structure in which the devices are arranged in an array, or a structure in which the anodes and cathodes are arranged in an XY matrix.

〔表示装置及び照明装置〕
上述のような本発明の有機電界発光素子を用いて表示装置及び照明装置とすることができる。本発明の有機電界発光素子を用いた表示装置及び照明装置の形式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発刊、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、表示装置および照明装置を形成することができる。
[Display device and lighting device]
The organic electroluminescent device of the present invention as described above can be used to manufacture a display device and a lighting device. The type and structure of the display device and lighting device using the organic electroluminescent device of the present invention are not particularly limited, and they can be assembled according to a conventional method using the organic electroluminescent device of the present invention.
For example, a display device and a lighting device can be formed by a method such as that described in "Organic EL Display" (Ohmsha, published on August 20, 2004, by Tokito Shizuo, Adachi Chihaya, and Murata Hideyuki).

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。 The present invention will be explained in more detail below with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be modified as desired without departing from the gist of the invention.

なお、以下の合成例において、反応はすべて窒素気流下で実施した。反応で用いる溶媒や溶液は、窒素バブリングなどの適切な方法で脱気したものを使用した。 In the following synthesis examples, all reactions were carried out under a nitrogen stream. Solvents and solutions used in the reactions were degassed using an appropriate method such as nitrogen bubbling.

[イリジウム錯体化合物の合成]
<合成例1:化合物(D-1)の合成>
[Synthesis of Iridium Complex Compounds]
Synthesis Example 1: Synthesis of compound (D-1)

Figure 2024125195000021
Figure 2024125195000021

1Lナスフラスコに、2-ブロモ-7-ヨードフルオレン(46.30g)、3-(6-フェニル-n-ヘキシル)フェニルボロン酸(35.50g)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(5.40g)、2M-リン酸三カリウム水溶液(150mL)、トルエン(300mL)およびエタノール(100mL)を入れ、3時間還流撹拌した。室温まで冷却した後、水相を除去し、溶媒を減圧除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=15/85~2/8)で精製したところ、2-ブロモ-7-{3-(6-フェニル-n-ヘキシル)}フェニルフルオレンを白色固体として51.34g得た。 2-Bromo-7-iodofluorene (46.30 g), 3-(6-phenyl-n-hexyl)phenylboronic acid (35.50 g), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (5.40 g), 2M tripotassium phosphate aqueous solution (150 mL), toluene (300 mL) and ethanol (100 mL) were placed in a 1 L eggplant flask and stirred under reflux for 3 hours. After cooling to room temperature, the aqueous phase was removed and the solvent was removed under reduced pressure. The residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 15/85 to 2/8), yielding 51.34 g of 2-bromo-7-{3-(6-phenyl-n-hexyl)}phenylfluorene as a white solid.

Figure 2024125195000022
Figure 2024125195000022

500mLナスフラスコに、2-ブロモ-7-{3-(6-フェニル-n-ヘキシル)}フェニルフルオレン(23.70g)とテトラヒドロフラン(200mL)を入れ、この溶液にtert-ブトキシカリウム(16.65g)を少しずつ加えた。溶液は濃い橙色に変化した。これを氷水浴に浸した後、ヨウ化メチル(9.2mL)を8分間かけてシリンジ滴下したところ、反応液は黄土色スラリーへと変化した。2時間撹拌後、水(70mL)を加えた後、減圧濃縮し、得られた残渣を水(80mL)、1N-塩酸(10mL)、飽和食塩水(50mL)およびジクロロメタン(400mL)で分液抽出し、油相を硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過後減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=1/9~4/6)で精製したところ、2-ブロモ-9,9-ジメチル-7-{3-(6-フェニル-n-ヘキシル)}フェニルフルオレンを淡黄色油状物として22.50g得た。 2-Bromo-7-{3-(6-phenyl-n-hexyl)}phenylfluorene (23.70 g) and tetrahydrofuran (200 mL) were placed in a 500 mL eggplant flask, and potassium tert-butoxide (16.65 g) was added to the solution little by little. The solution turned deep orange. After immersing the flask in an ice-water bath, methyl iodide (9.2 mL) was added dropwise over 8 minutes using a syringe, and the reaction solution turned into an ochre-colored slurry. After stirring for 2 hours, water (70 mL) was added and the mixture was concentrated under reduced pressure. The resulting residue was extracted with water (80 mL), 1N hydrochloric acid (10 mL), saturated saline (50 mL), and dichloromethane (400 mL), and the oil phase was dried over sodium sulfate, filtered, and then concentrated under reduced pressure. The resulting residue was purified by silica gel chromatography (dichloromethane/hexane = 1/9 to 4/6), yielding 22.50 g of 2-bromo-9,9-dimethyl-7-{3-(6-phenyl-n-hexyl)}phenylfluorene as a pale yellow oil.

Figure 2024125195000023
Figure 2024125195000023

500mLナスフラスコに、2-ブロモ-7-{3-(6-フェニル-n-ヘキシル)}フェニルフルオレン(22.50g)、ビスピナコラト二ホウ素(12.33g)、酢酸カリウム(13.05g)、[Pd(dppf)Cl]CHCl (1.08g)およびジメチルスルホキシド(350mL)を入れ、90℃のオイルバス中で4時間撹拌した。室温へ冷却後、水(0.3L)およびジクロロメタン(0.2Lで2回、0.1Lで1回)を加え分液抽出した。合一した油相を硫酸マグネシウムで乾燥後ろ過し、ろ液から溶媒を減圧除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/ヘキサン=5/95~1/1)で精製したところ、中間体1(23.45g)を淡黄色油状物として得た。 2-Bromo-7-{3-(6-phenyl-n-hexyl)}phenylfluorene (22.50 g), bispinacolatodiboron (12.33 g), potassium acetate (13.05 g), [Pd(dppf) 2 Cl 2 ]CH 2 Cl 2 (1.08 g) and dimethyl sulfoxide (350 mL) were placed in a 500 mL recovery flask and stirred in an oil bath at 90° C. for 4 hours. After cooling to room temperature, water (0.3 L) and dichloromethane (0.2 L twice and 0.1 L once) were added for liquid separation and extraction. The combined oil phase was dried over magnesium sulfate and then filtered. The solvent was removed from the filtrate under reduced pressure to obtain a residue, which was purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate/hexane = 5/95 to 1/1) to obtain intermediate 1 (23.45 g) as a pale yellow oil.

Figure 2024125195000024
Figure 2024125195000024

1Lナスフラスコに、中間体1(7.91g)、4-クロロチエノ[3,2-c]-ピリジン(PharmaBlock社製、2.64g)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.33g)、2M-リン酸三カリウム水溶液(18mL)、トルエン/エタノール=2/1(53mL)を入れ、6時間還流撹拌した。室温まで冷却した後、水相を除去し、溶媒を減圧除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=6/4~1/0)で精製したところ、配位子1を淡黄色油状物として7.39g得た。 Intermediate 1 (7.91 g), 4-chlorothieno[3,2-c]-pyridine (PharmaBlock, 2.64 g), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (0.33 g), 2M aqueous tripotassium phosphate solution (18 mL), and toluene/ethanol = 2/1 (53 mL) were placed in a 1 L recovery flask and stirred under reflux for 6 hours. After cooling to room temperature, the aqueous phase was removed, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a residue, which was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 6/4 to 1/0) to obtain 7.39 g of Ligand 1 as a pale yellow oil.

Figure 2024125195000025
Figure 2024125195000025

側管付きジムロートを備えた200mLナスフラスコに、配位子1(4.20g)、塩化イリジウム(III)n水和物(フルヤ金属社製、1.29g)、水(6.5mL)および2-エトキシエタノール(42mL)を入れ、125℃のオイルバスに浸し、溶媒を蒸留除去しながらオイルバスの温度を150℃まで徐々に昇温しながら7時間撹拌した。一度室温まで冷却した後、2-エトキシエタノール(20mL)を入れ、オイルバスの温度を155℃として8時間撹拌した。途中3時間後、4時間後および6時間後に2-エトキシエタノールをそれぞれ20mL、20mL、30mL加えた。ここまでに留出した液量は121mLであった。室温へ冷却後、溶媒を減圧除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン)で精製したところ、橙色固体として二核錯体1を3.27g得た。 Ligand 1 (4.20 g), iridium (III) chloride n-hydrate (Furuya Metals, 1.29 g), water (6.5 mL), and 2-ethoxyethanol (42 mL) were placed in a 200 mL eggplant flask equipped with a Dimroth tube and immersed in a 125°C oil bath. The temperature of the oil bath was gradually raised to 150°C while the solvent was distilled off and stirred for 7 hours. After cooling to room temperature, 2-ethoxyethanol (20 mL) was added, and the temperature of the oil bath was increased to 155°C and stirred for 8 hours. 2-ethoxyethanol was added in amounts of 20 mL, 20 mL, and 30 mL after 3 hours, 4 hours, and 6 hours, respectively. The amount of liquid distilled up to this point was 121 mL. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure and the resulting residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane), yielding 3.27 g of dinuclear complex 1 as an orange solid.

Figure 2024125195000026
Figure 2024125195000026

100mLナスフラスコに、二核錯体1(3.88g)、配位子1(2.87g)、ジグリム(25mL)を入れ、150℃のオイルバスで撹拌し溶解させた後、トリフルオロメタンスルホン酸銀(I)(0.67g)を入れ、4.5時間撹拌した。冷却後、溶媒を減圧除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=1/1)で精製したところ、赤橙色固体として化合物(D-1)を1.98g得た。 Dinuclear complex 1 (3.88 g), ligand 1 (2.87 g), and diglyme (25 mL) were placed in a 100 mL recovery flask and dissolved by stirring in an oil bath at 150°C. Silver trifluoromethanesulfonate (I) (0.67 g) was then added and stirred for 4.5 hours. After cooling, the solvent was removed under reduced pressure and the resulting residue was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1), yielding 1.98 g of compound (D-1) as a reddish-orange solid.

Figure 2024125195000027
Figure 2024125195000027

200mLナスフラスコに、中間体2(10.77g)、4-クロロチエノ[3,2-c]-ピリジン(PharmaBlock社製、4.38g)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.87g)、リン酸三カリウム(11.00g)、トルエン/エタノール=2/1(75mL)および水(20mL)を入れ、8時間還流撹拌した。室温まで冷却した後、水相を除去し、溶媒を減圧除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=1/1~7/3)で精製したところ、配位子2を淡黄色油状物として10.1g得た。
なお、中間体2は国際公開第2021/161974号に記載の方法で合成した。
In a 200 mL recovery flask, intermediate 2 (10.77 g), 4-chlorothieno[3,2-c]-pyridine (PharmaBlock, 4.38 g), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (0.87 g), tripotassium phosphate (11.00 g), toluene/ethanol=2/1 (75 mL) and water (20 mL) were placed and refluxed with stirring for 8 hours. After cooling to room temperature, the aqueous phase was removed, and the solvent was removed under reduced pressure to obtain a residue, which was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane=1/1 to 7/3) to obtain 10.1 g of ligand 2 as a pale yellow oil.
Intermediate 2 was synthesized by the method described in International Publication No. 2021/161974.

Figure 2024125195000028
Figure 2024125195000028

側管付きジムロートを備えた200mLナスフラスコに、配位子2(5.43g)、塩化イリジウム(III)n水和物(フルヤ金属社製、1.78g)、水(8.1mL)および2-エトキシエタノール(60mL)を入れ、100℃に予熱したアルミブロックヒーターにセットして、攪拌しながら145℃に昇温した。その2時間後、溶媒を蒸留除去しながら温度を150℃に上げ、さらに6時間撹拌した。室温へ冷却後、溶媒を減圧除去して得られた残渣をそのまま次の反応に供した。 Ligand 2 (5.43 g), iridium (III) chloride n-hydrate (Furuya Metals, 1.78 g), water (8.1 mL), and 2-ethoxyethanol (60 mL) were placed in a 200 mL recovery flask equipped with a Dimroth tube and placed in an aluminum block heater preheated to 100°C, and the temperature was raised to 145°C while stirring. After 2 hours, the temperature was raised to 150°C while distilling off the solvent, and the mixture was stirred for a further 6 hours. After cooling to room temperature, the solvent was removed under reduced pressure, and the resulting residue was used directly in the next reaction.

Figure 2024125195000029
Figure 2024125195000029

500mLナスフラスコに、前反応で得られた残渣全部をジクロロメタン(100mL)に溶解し、炭酸ナトリウム(4.34g)、アセチルアセトン(2.62g)を入れ、4時間還流攪拌した。室温まで冷却後ろ過し、ろ液を減圧下溶媒除去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=1/1)で精製したところ、acac錯体2を3.64g得た。 In a 500 mL recovery flask, all of the residue obtained in the previous reaction was dissolved in dichloromethane (100 mL), sodium carbonate (4.34 g) and acetylacetone (2.62 g) were added, and the mixture was refluxed and stirred for 4 hours. After cooling to room temperature, the mixture was filtered, and the filtrate was purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 1/1) to obtain 3.64 g of acac complex 2.

Figure 2024125195000030
Figure 2024125195000030

100mLナスフラスコに、acac錯体2(3.64g)、配位子2(3.58g)、シクロヘキシルベンゼン(3mL)を入れ、アルミブロックヒーターにセットし、250℃へ昇温し攪拌した。1時間20分後、トリフルオロメタンスルホン酸銀(I)(0.64g)を投入し引き続き3.5時間攪拌した。室温へ冷却後、ジクロロメタン(50mL)に溶解させた液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロロメタン/ヘキサン=4/6)および逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー(オクタデシルシリル修飾シリカゲル、アセトニトリル/テトラヒドロフラン=58/42)で精製したところ、化合物(D-2)を赤色固体として0.54g得た。 Acac complex 2 (3.64 g), ligand 2 (3.58 g), and cyclohexylbenzene (3 mL) were placed in a 100 mL recovery flask, which was then placed on an aluminum block heater and heated to 250°C while stirring. After 1 hour and 20 minutes, silver(I) trifluoromethanesulfonate (0.64 g) was added and the mixture was stirred for another 3.5 hours. After cooling to room temperature, the mixture was dissolved in dichloromethane (50 mL) and purified by silica gel column chromatography (dichloromethane/hexane = 4/6) and reverse phase silica gel column chromatography (octadecylsilyl-modified silica gel, acetonitrile/tetrahydrofuran = 58/42), yielding 0.54 g of compound (D-2) as a red solid.

[実施例1]
有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物(ITO)の透明導電膜を50nmの厚さに堆積したもの(三容真空工業株式会社製、スパッタ成膜品)を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。このようにITOをパターン形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
[Example 1]
An organic electroluminescent device was prepared in the following manner.
A transparent conductive film of indium tin oxide (ITO) was deposited on a glass substrate to a thickness of 50 nm (a sputter-formed film made by Sanyo Vacuum Industrial Co., Ltd.) and patterned into 2 mm-wide stripes using normal photolithography and hydrochloric acid etching to form an anode. The substrate on which the ITO pattern was thus formed was ultrasonically cleaned with a surfactant aqueous solution, washed with ultrapure water, ultrasonically cleaned with ultrapure water, and washed with ultrapure water, in that order, then dried with compressed air, and finally washed with ultraviolet ozone.

正孔注入層形成用組成物として、下記式(P-1)で表される繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物3.0質量%と、下記式(HI-1)で表される電子受容性化合物0.6質量%とを、安息香酸エチルに溶解させた組成物を調製した。
この溶液を、大気中で上記基板上にスピンコートし、大気中ホットプレートにより240℃で、30分で乾燥させ、膜厚40nmの均一な薄膜を形成し、正孔注入層とした。
As a composition for forming a hole injection layer, a composition was prepared by dissolving 3.0 mass % of a hole transporting polymer compound having a repeating structure represented by the following formula (P-1) and 0.6 mass % of an electron accepting compound represented by the following formula (HI-1) in ethyl benzoate.
This solution was spin-coated on the substrate in the atmosphere and dried for 30 minutes at 240° C. on a hot plate in the atmosphere to form a uniform thin film with a thickness of 40 nm, which was used as a hole injection layer.

Figure 2024125195000031
Figure 2024125195000031

次に、下記式(HT-1)で表される構造を有する電荷輸送性高分子化合物100質量部を、メシチレンに溶解させ、2.0質量%の溶液を調製した。
この溶液を、上記正孔注入層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートにより230℃で、30分間乾燥させ、膜厚40nmの均一な薄膜を形成し、正孔輸送層とした。
Next, 100 parts by mass of a charge transporting polymer compound having a structure represented by the following formula (HT-1) was dissolved in mesitylene to prepare a 2.0% by mass solution.
This solution was spin-coated in a nitrogen glove box onto the substrate on which the hole injection layer had been formed, and dried for 30 minutes at 230° C. on a hot plate in the nitrogen glove box to form a uniform thin film with a thickness of 40 nm, which was used as a hole transport layer.

Figure 2024125195000032
Figure 2024125195000032

引続き、発光層の材料として、下記式(H-1)で表される化合物を50質量部、下記式(H-2)で表される化合物を50質量部、下記式(RD-1)で表される赤色発光ドーパントとなる化合物を15質量部、および、アシストドーパントとなる下記化合物(D-1)を15質量部秤量し、シクロヘキシルベンゼンに溶解させ6.5質量%の溶液を発光層形成用組成物として調製した。 Next, as materials for the light-emitting layer, 50 parts by mass of a compound represented by the following formula (H-1), 50 parts by mass of a compound represented by the following formula (H-2), 15 parts by mass of a compound serving as a red light-emitting dopant represented by the following formula (RD-1), and 15 parts by mass of the following compound (D-1) serving as an assist dopant were weighed out and dissolved in cyclohexylbenzene to prepare a 6.5% by mass solution as a composition for forming the light-emitting layer.

Figure 2024125195000033
Figure 2024125195000033

Figure 2024125195000034
Figure 2024125195000034

この発光層形成用組成物を、上記正孔輸送層を塗布成膜した基板上に窒素グローブボックス中でスピンコートし、窒素グローブボックス中のホットプレートにより120℃で20分間乾燥させ、膜厚60nmの均一な薄膜を形成し、発光層とした。なお、式(RD-1)で表される化合物は波長626nm、合成例1で合成した化合物(D-1)は波長597nmを、各々最大発光波長とするドーパントである。 This composition for forming the light-emitting layer was spin-coated in a nitrogen glove box onto the substrate on which the hole transport layer had been coated, and then dried for 20 minutes at 120°C on a hot plate in the nitrogen glove box to form a uniform thin film with a thickness of 60 nm, which served as the light-emitting layer. The compound represented by formula (RD-1) is a dopant with a maximum emission wavelength of 626 nm, and the compound (D-1) synthesized in Synthesis Example 1 is a dopant with a maximum emission wavelength of 597 nm.

発光層までを成膜した基板を真空蒸着装置に設置し、装置内を2×10-4Pa以下になるまで排気した。
次に、下記式(HB-1)で表される化合物および8-ヒドロキシキノリノラトリチウムを2:3の膜厚比となるように、発光層上に真空蒸着法にて1Å/秒の速度で共蒸着し、膜厚30nmの正孔阻止層を形成した。
The substrate on which the light-emitting layer had been formed was placed in a vacuum deposition apparatus, and the inside of the apparatus was evacuated until the pressure became 2×10 −4 Pa or less.
Next, a compound represented by the following formula (HB-1) and 8-hydroxyquinolinolatolithium were co-deposited on the light-emitting layer at a rate of 1 Å/sec by vacuum deposition so as to have a thickness ratio of 2:3, thereby forming a hole-blocking layer having a thickness of 30 nm.

Figure 2024125195000035
Figure 2024125195000035

続いて、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極のITOストライプとは直交するように基板に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置した。そして、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度1~8.6Å/秒で膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極を形成した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
得られた有機電界発光素子に電圧を印可すると、式(RD-1)で表される化合物由来の赤色発光が観測された。
Next, a 2 mm wide striped shadow mask was attached to the substrate as a mask for cathode deposition so as to be perpendicular to the ITO stripes of the anode, and the mask was placed in another vacuum deposition apparatus. Aluminum was heated in a molybdenum boat to form an aluminum layer with a thickness of 80 nm at a deposition rate of 1 to 8.6 Å/sec, forming a cathode.
In this manner, an organic electroluminescent device having a light-emitting area measuring 2 mm×2 mm was obtained.
When a voltage was applied to the obtained organic electroluminescent device, red light emission originating from the compound represented by formula (RD-1) was observed.

[比較例1]
化合物(D-1)に代えて下記式(CD-1)で表される化合物を用い、発光層形成用組成物の組成を、各式で表される化合物の質量比で、(H-1):(H-2):(CD-1):(RD-1)=50:50:15:15としたこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
なお、下記式(CD-1)で表される化合物は波長584nmを最大発光波長とするドーパントである。
[Comparative Example 1]
An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 1, except that a compound represented by the following formula (CD-1) was used instead of compound (D-1), and the composition for forming an emitting layer was such that the mass ratio of the compounds represented by each formula was (H-1):(H-2):(CD-1):(RD-1)=50:50:15:15.
The compound represented by the following formula (CD-1) is a dopant having a maximum emission wavelength of 584 nm.

Figure 2024125195000036
Figure 2024125195000036

[比較例2]
化合物(D-1)に代えて下記式(CD-2)で表される化合物を用い、発光層形成用組成物の組成を、各式で表される化合物の質量比で、(H-1):(H-2):(CD-2):(RD-1)=50:50:15:15としたこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
なお、下記式(CD-2)で表される化合物は波長589nmを最大発光波長とするドーパントである。
[Comparative Example 2]
An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 1, except that a compound represented by the following formula (CD-2) was used instead of the compound (D-1), and the composition for forming an emitting layer was such that the mass ratio of the compounds represented by each formula was (H-1):(H-2):(CD-2):(RD-1)=50:50:15:15.
The compound represented by the following formula (CD-2) is a dopant having a maximum emission wavelength of 589 nm.

Figure 2024125195000037
Figure 2024125195000037

[素子の評価]
得られた実施例1および比較例1の有機電界発光素子について、輝度1000cd/mで発光させたときの電流発光効率(cd/A)及び外部量子効率EQE(%)を測定した。比較例1の電流発光効率を1としたときの、実施例1の電流発光効率の比を算出し、相対発光効率として下記表1に記した。また、実施例1のEQEから比較例1のEQEを差し引いたΔEQE=EQE(実施例1)-EQE(比較例1)の値を下記表1に併せて記した。
表1の結果に表すとおり、本発明のイリジウム錯体化合物である化合物(D-1)をアシストドーパントとして発光層材料に使用した有機電界発光素子(実施例1)は、式(CD-1、CD-2)で表される化合物を使用した有機電界発光素子(比較例1~2)と比較して、電流発光効率の高い素子であることが判った。
[Element Evaluation]
The obtained organic electroluminescent devices of Example 1 and Comparative Example 1 were measured for current luminous efficiency (cd/A) and external quantum efficiency EQE (%) when emitting light at a luminance of 1000 cd/ m2 . The ratio of the current luminous efficiency of Example 1 to the current luminous efficiency of Comparative Example 1, which was set to 1, was calculated and shown in Table 1 below as relative luminous efficiency. In addition, the value of ΔEQE=EQE (Example 1)-EQE (Comparative Example 1), which is obtained by subtracting the EQE of Comparative Example 1 from the EQE of Example 1, is also shown in Table 1 below.
As shown in the results in Table 1, the organic electroluminescent device (Example 1) in which the compound (D-1), which is an iridium complex compound of the present invention, is used as an assist dopant in the light-emitting layer material was found to have a higher current luminous efficiency than the organic electroluminescent devices (Comparative Examples 1 and 2) in which the compounds represented by the formulas (CD-1, CD-2) were used.

Figure 2024125195000038
Figure 2024125195000038

[実施例2]
式(RD-1)で表される化合物に代えて下記式(RD-2)で表される化合物を用い、発光層形成用組成物の組成を、各式で表される化合物の質量比で、(H-1):(H-2):(D-1):(RD-2)=50:50:30:2としたこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
なお、下記式(RD-2)で表される化合物は波長619nmを最大発光波長とするドーパントである。
[Example 2]
An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 1, except that a compound represented by the following formula (RD-2) was used instead of the compound represented by formula (RD-1), and the composition for forming an emitting layer was such that the mass ratio of the compounds represented by each formula was (H-1):(H-2):(D-1):(RD-2)=50:50:30:2.
The compound represented by the following formula (RD-2) is a dopant having a maximum emission wavelength of 619 nm.

Figure 2024125195000039
Figure 2024125195000039

[比較例3]
式(D-1)で表される化合物に代えて式(CD-2)で表される化合物を用い、発光層形成用組成物の組成を各式で表される化合物の質量比で、(H-1):(H-2):(CD-2):(RD-2)=50:50:30:2としたこと以外は、実施例1と同様にして有機電界発光素子を作製した。
[Comparative Example 3]
An organic electroluminescent device was produced in the same manner as in Example 1, except that the compound represented by formula (CD-2) was used instead of the compound represented by formula (D-1), and the composition for forming an emitting layer was such that the mass ratio of the compounds represented by each formula was (H-1):(H-2):(CD-2):(RD-2)=50:50:30:2.

[素子の評価]
得られた実施例2、および比較例3の有機電界発光素子について、60mA/cmの電流密度で有機電界発光素子を駆動させ、相対発光輝度が90%となる時間LT90を測定し、比較例3のLT90を100とした場合の相対寿命を記した。結果を下記表2に記す。
表2の結果に表すとおり、本発明のイリジウム錯体化合物である化合物(D-1)をアシストドーパントとして発光層材料に使用した有機電界発光素子(実施例2)は、式(CD-2)で表される化合物を使用した有機電界発光素子(比較例3)と比較して、駆動寿命が大きく向上していることがわかる。
[Element Evaluation]
For the obtained organic electroluminescent devices of Example 2 and Comparative Example 3, the organic electroluminescent devices were driven at a current density of 60 mA/ cm2 , and the time LT90 at which the relative luminance reached 90% was measured, and the relative lifetime was recorded when the LT90 of Comparative Example 3 was taken as 100. The results are shown in Table 2 below.
As shown in the results in Table 2, the organic electroluminescent device (Example 2) in which the compound (D-1), which is an iridium complex compound of the present invention, is used as an assist dopant in the light-emitting layer material has a significantly improved driving life compared to the organic electroluminescent device (Comparative Example 3) in which the compound represented by formula (CD-2) is used.

Figure 2024125195000040
Figure 2024125195000040

[溶液のPL量子収率測定]
発光効率として、PL量子収率(PLQY)を測定した。PL量子収率は、材料に吸収された光(エネルギー)に対してどの程度の効率で発光が得られるかを示す指標であり、下記手順にて測定した。
イリジウム錯体化合物を、室温下で、トルエン(富士フイルム和光純薬社製、分光分析用)に溶解し、1×10-5mol/Lの溶液を調製した。この溶液をテフロン(登録商標)コック付きの石英セルに入れ、窒素バブリングを20分以上行った後、室温で下記装置にてPLQYを測定した。このとき同時に得られた燐光スペクトル強度の最大値を示す波長を、最大発光波長とした。
装置:浜松ホトニクス社製 有機EL量子収率測定装置C9920-02
光源:モノクロ光源L9799-01
検出器:マルチチャンネル検出器PMA-11
励起光:380nm
[Measurement of PL quantum yield of solution]
As the luminous efficiency, the PL quantum yield (PLQY) was measured. The PL quantum yield is an index showing the efficiency with which light emission can be obtained from the light (energy) absorbed by a material, and was measured by the following procedure.
The iridium complex compound was dissolved in toluene (Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd., for spectroscopic analysis) at room temperature to prepare a 1×10 −5 mol/L solution. This solution was placed in a quartz cell equipped with a Teflon (registered trademark) cock, and nitrogen bubbling was performed for 20 minutes or more. PLQY was then measured at room temperature using the following device. The wavelength showing the maximum value of the phosphorescence spectrum intensity obtained at this time was taken as the maximum emission wavelength.
Apparatus: Hamamatsu Photonics Organic EL Quantum Yield Measurement Apparatus C9920-02
Light source: Monochrome light source L9799-01
Detector: Multichannel detector PMA-11
Excitation light: 380 nm

イリジウム錯体化合物として、上記化合物(D-1)、上記化合物(D-2)、上記化合物(CD-1)、上記化合物(CD-2)、化合物(CD-3)および上記acac錯体2を用いた。化合物(CD-3)は下式で表される化合物であり、国際公開第2023/136252号に記載の式(D-6)で表される化合物と同一である。 As the iridium complex compounds, the above compounds (D-1), (D-2), (CD-1), (CD-2), (CD-3) and acac complex 2 were used. Compound (CD-3) is a compound represented by the following formula, and is the same as the compound represented by formula (D-6) described in WO 2023/136252.

Figure 2024125195000041
Figure 2024125195000041

Figure 2024125195000042
Figure 2024125195000042

化合物(D-1)と類似構造の化合物(CD-1)及び(CD-2)を比較すると、PLQY値はほぼ同等でありながら、発光極大波長は化合物(D-1)の方がより長波長を示した。化合物(D-2)と化合物(CD-3)の比較においても同様の傾向があった。
化合物(D-1)及び(D-2)は赤色発光材料のアシストドーパントとしてより好ましいと考えられる。acac錯体2は、対応するトリス錯体(化合物(D-2))と比較して発光極大波長は少し長波長であるが、PLQY値が著しく低い結果であった。アシストドーパントのPLQY値が大きいほどエネルギー移動(蛍光共鳴エネルギー移動)の速度が大きくなることが知られており、この速度が大きいほど結果として素子の発光効率は向上する。したがって化合物(D-2)はacac錯体2よりもアシストドーパントとして好ましい特性を有すると考えられる。
When compound (D-1) is compared with compounds (CD-1) and (CD-2) having a similar structure, the PLQY values are almost the same, but the maximum emission wavelength of compound (D-1) is longer. A similar tendency was observed when compound (D-2) is compared with compound (CD-3).
Compounds (D-1) and (D-2) are considered to be more preferable as an assist dopant for red light-emitting materials. Although the acac complex 2 has a slightly longer emission maximum wavelength than the corresponding tris complex (compound (D-2)), the PLQY value was significantly lower. It is known that the larger the PLQY value of the assist dopant, the faster the rate of energy transfer (fluorescence resonance energy transfer), and the higher this rate, the more improved the luminous efficiency of the element will be. Therefore, compound (D-2) is considered to have more preferable properties as an assist dopant than acac complex 2.

本発明のイリジウム錯体化合物は、有機EL素子に用いられる材料、特に赤色有機EL素子におけるアシストドーパントとして好適に利用可能である。さらに、黄緑~橙色発光有機EL素子の発光材料としても好適に利用可能である。 The iridium complex compound of the present invention can be suitably used as a material for organic EL devices, particularly as an assist dopant in red organic EL devices. It can also be suitably used as a light-emitting material for yellow-green to orange-emitting organic EL devices.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 有機電界発光素子
REFERENCE SIGNS LIST 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light-emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode 10 Organic electroluminescent device

Claims (8)

下記式(1)で表されるイリジウム錯体化合物。
Figure 2024125195000043
[上記式(1)において、Irはイリジウム原子を表す。
~R10は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
11およびR12は、各々独立に、炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基、炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基及び炭素数5以上60以下の芳香族複素環基、炭素数5以上60以下のアラルキル基または炭素数5以上60以下のヘテロアラルキル基である。これらの置換基はさらに置換基を有していても良い。
2つの隣接するR~RおよびR11とR12はそれぞれ水素原子を失いつつ互いに結合して環を形成してもよい。]
An iridium complex compound represented by the following formula (1):
Figure 2024125195000043
In the above formula (1), Ir represents an iridium atom.
R 1 to R 10 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.
R11 and R12 each independently represent a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms, an aromatic heterocyclic group having from 5 to 60 carbon atoms, an aralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms, or a heteroaralkyl group having from 5 to 60 carbon atoms. These substituents may further have a substituent.
Any two adjacent R 2 to R 5 and any two adjacent R 11 and R 12 may be bonded to each other while losing a hydrogen atom to form a ring.
置換基R、R、R、RおよびR10が水素原子である、請求項1記載のイリジウム錯体化合物。 2. The iridium complex compound according to claim 1, wherein the substituents R1 , R2 , R6 , R7 and R10 are hydrogen atoms. 置換基R11が炭素数1以上30以下の、直鎖、分岐もしくは環状アルキル基である、請求項1または2に記載のイリジウム錯体化合物。 3. The iridium complex compound according to claim 1, wherein the substituent R 11 is a linear, branched or cyclic alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms. 置換基RおよびRのいずれか一つが水素原子である、請求項1または2に記載のイリジウム錯体化合物。 The iridium complex compound according to claim 1 or 2, wherein any one of the substituents R3 and R4 is a hydrogen atom. 置換基Rが水素原子、炭素数1以上30以下の、直鎖もしくは分岐アルキル基または炭素数5以上60以下の芳香族炭化水素基である、請求項1または2に記載のイリジウム錯体化合物。 3. The iridium complex compound according to claim 1, wherein the substituent R 8 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having from 1 to 30 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having from 5 to 60 carbon atoms. 発光層に、請求項1または2に記載のイリジウム錯体化合物と、最大発光波長が600nm以上である赤色発光材料とが含まれる、有機電界発光素子。 An organic electroluminescent device in which the light-emitting layer contains the iridium complex compound according to claim 1 or 2 and a red light-emitting material having a maximum light-emitting wavelength of 600 nm or more. 前記赤色発光材料が式(201)で表されるイリジウム錯体化合物である、請求項6に記載の有機電界発光素子。
Figure 2024125195000044
[上記式(201)中、Mは、周期表第7~11族から選ばれる金属を表す。
環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
201、R202は、各々独立に、上記式(202)で表される構造であり、“*”は環A1又は環A2と結合することを表す。R201、R202は同じであっても異なっていてもよく、R201、R202がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar201は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造を表す。Ar201が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar202は、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい2価の脂肪族炭化水素構造を表す。Ar202が複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
Ar203は、置換基を有していてもよい1価の芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい1価の芳香族複素環構造を表す。Ar203がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
環A1に結合する置換基同士、環A2に結合する置換基同士、又は環A1に結合する置換基と環A2に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
201-L200-B202は、アニオン性の2座配位子を表す。B201及びB202は、各々独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。L200は、単結合、又は、B201及びB202とともに2座配位子を構成する原子団を表す。B201-L200-B202が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
i1、i2は、各々独立に、0以上12以下の整数を表す。
i3は、Ar202に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
jは、Ar201に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
k1、k2は、各々独立に、環A1、環A2に置換可能な数を上限とする0以上の整数である。
mは1~3の整数である。]
The organic electroluminescent device according to claim 6, wherein the red light emitting material is an iridium complex compound represented by formula (201):
Figure 2024125195000044
[In the above formula (201), M represents a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
R 201 and R 202 are each independently a structure represented by the above formula (202), and "*" represents bonding to ring A1 or ring A2. R 201 and R 202 may be the same or different, and when a plurality of R 201 and R 202 are present, they may be the same or different.
Ar 201 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent. When a plurality of Ar 201 are present, they may be the same or different.
Ar 202 represents a divalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, a divalent aromatic heterocyclic structure which may have a substituent, or a divalent aliphatic hydrocarbon structure which may have a substituent. When a plurality of Ar 202 are present, they may be the same or different.
Ar 203 represents a monovalent aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, or a monovalent aromatic heterocyclic ring structure which may have a substituent. When there are a plurality of Ar 203 , they may be the same or different.
The substituents bonded to ring A1 may be bonded to each other, the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other, or the substituents bonded to ring A1 and the substituents bonded to ring A2 may be bonded to each other to form a ring.
B 201 -L 200 -B 202 represents an anionic bidentate ligand. B 201 and B 202 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, and these atoms may be atoms constituting a ring. L 200 represents a single bond, or an atomic group constituting a bidentate ligand together with B 201 and B 202. When a plurality of B 201 -L 200 -B 202 are present, they may be the same or different.
i1 and i2 each independently represent an integer of 0 to 12.
i3 is an integer of 0 or more, the upper limit of which is the number that can be substituted for Ar 202 .
j is an integer of 0 or more, the upper limit of which is the number that can be substituted on Ar 201 .
k1 and k2 each independently represent an integer of 0 or more, which is the upper limit of the number that can be substituted on ring A1 and ring A2.
m is an integer from 1 to 3.
請求項1または2に記載のイリジウム錯体化合物と、最大発光波長が600nm以上である赤色発光材料と、有機溶剤とを含む、塗布型有機電界発光素子の発光層形成用インク。 An ink for forming a light-emitting layer of a coating-type organic electroluminescent device, comprising the iridium complex compound according to claim 1 or 2, a red light-emitting material having a maximum light-emitting wavelength of 600 nm or more, and an organic solvent.
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