JP3036053B2 - Coating heat treatment equipment - Google Patents

Coating heat treatment equipment

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JP3036053B2
JP3036053B2 JP30007290A JP30007290A JP3036053B2 JP 3036053 B2 JP3036053 B2 JP 3036053B2 JP 30007290 A JP30007290 A JP 30007290A JP 30007290 A JP30007290 A JP 30007290A JP 3036053 B2 JP3036053 B2 JP 3036053B2
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wafer
coating
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unit
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に使用される塗布熱処理装置
に関し、特に熱処理部を改良した塗布熱処理装置に関す
る。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a coating heat treatment apparatus used in a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a coating heat treatment apparatus having an improved heat treatment section.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体ウェハー上の絶縁膜形成方法、とりわけ
他物質を被着させる方法には、CVD法,PVD法,塗布法の
2つがあり、そのうち塗布法は有機物を懸濁させたもの
を半導体ウェハー表面に塗布し、乾燥,熱処理させるこ
とにより絶縁膜を形成させる方法である。近年、塗布及
び熱処理を1台の装置にて行なう塗布熱処理装置が開発
された。
Conventionally, there are two methods of forming an insulating film on a semiconductor wafer, particularly, a method of depositing another substance, which is a CVD method, a PVD method, and a coating method. This is a method in which an insulating film is formed by applying a coating on a substrate, followed by drying and heat treatment. In recent years, a coating heat treatment apparatus that performs coating and heat treatment by one apparatus has been developed.

この従来の塗布熱処理装置について説明すると、第3
図の構成図に示すように、ローダー・アンローダー1
と、ウェハー搬送機2と、塗布機3と、ウェハー搬送機
4と、熱処理部6とから構成されている。
This conventional coating heat treatment apparatus will be described.
As shown in the diagram, the loader / unloader 1
, A wafer transfer device 2, a coating device 3, a wafer transfer device 4, and a heat treatment section 6.

次に、その動作を説明する。半導体ウェハー1aを収納
したカセット1bをローダー・アンローダー1のカセット
ステージ1c上に設置し、動作を開始させる。ウェハー搬
送機2のウェハーチャック2bがウェハーチャック機構部
2aの回転及び前後動作により、ローダー・アンローダー
1の半導体ウェハー1a間に入り、半導体ウェハー1aを吸
着し、塗布機3のウェハーチャック3dまで搬送する。塗
布機3に搬送した半導体ウェハー1aはウェハチャック3d
にて吸着され、スピンモーター3eにて高速に回転され
る。ディスペンスユニット3bは薬液タンク3a内の薬液を
吸上げ、薬液配管3cを通し、高速回転された半導体ウェ
ハー上に規定量滴下し塗布する。塗布後、半導体ウェハ
ーはウェハー搬送機4により熱処理部6のボート6cに搬
送される。
Next, the operation will be described. The cassette 1b containing the semiconductor wafer 1a is set on the cassette stage 1c of the loader / unloader 1, and the operation is started. The wafer chuck 2b of the wafer transfer device 2 is a wafer chuck mechanism
By the rotation of 2a and the back-and-forth operation, it enters between the semiconductor wafers 1a of the loader / unloader 1, sucks the semiconductor wafer 1a, and transports it to the wafer chuck 3d of the coating machine 3. The semiconductor wafer 1a transported to the coating machine 3 is a wafer chuck 3d
And rotated at high speed by the spin motor 3e. The dispensing unit 3b sucks up the chemical solution in the chemical solution tank 3a, and drops a prescribed amount of the chemical solution onto the semiconductor wafer rotated at a high speed through the chemical solution pipe 3c to apply it. After the application, the semiconductor wafer is transferred to the boat 6c of the heat treatment section 6 by the wafer transfer device 4.

上述の塗布動作を1カセット分,枚葉で行ない、半導
体ウェハーはボート6c内に収納される。ボートステージ
6e上に設置されているボート6cはボートステージ昇降機
6fの上昇動作により、抵抗加熱ヒーター6aにより高温保
持した炉芯管6b内に挿入される。半導体ウェハー6dは高
温保持した炉芯管6b内にて熱処理される。熱処理後は挿
入時と逆に下降し、ウェハー搬送機4,ウェハー搬送機2
を経由し、塗布機3にて塗布されず、ローダー・アンロ
ーダー1のカセット1b内に枚葉にて戻され、塗布及び熱
処理動作は終了する。
The above-described coating operation is performed for one cassette for each sheet, and the semiconductor wafer is stored in the boat 6c. Boat stage
Boat 6c installed on 6e is a boat stage elevator
By the ascending operation of 6f, it is inserted into the furnace core tube 6b maintained at a high temperature by the resistance heater 6a. The semiconductor wafer 6d is heat-treated in the furnace core tube 6b maintained at a high temperature. After the heat treatment, it descends in the opposite direction of the insertion, and the wafer transporter 4 and the wafer transporter 2
, And is returned to the cassette 1b of the loader / unloader 1 in a sheet-by-sheet manner without being coated by the coating machine 3, and the coating and heat treatment operation is completed.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

この従来の塗布熱処理装置では、1カセット分の半導
体ウェハーの枚葉での塗布終了後、熱処理部ボートにて
1カセット分待機した後熱処理を行なうため、塗布中は
熱処理部が待機状態となり、また、熱処理中は塗布機部
が待機状態となり、処理時間が長くなる。
In this conventional coating heat treatment apparatus, after the application of one cassette of semiconductor wafers on a single wafer is completed, the heat treatment is performed after waiting for one cassette in the heat treatment unit boat. During the heat treatment, the coating unit is in a standby state, and the processing time is prolonged.

また、1カセット分、枚葉にて塗布された半導体ウェ
ハーがボートにて待機するため、1枚目の半導体ウェハ
ーの待機時間と1カセットの最終枚の半導体ウェハーの
待機時間が異なり、半導体ウェハー上の絶縁膜特性が異
なるという問題点があった。
In addition, since the semiconductor wafers applied in a single wafer for one cassette wait in the boat, the standby time of the first semiconductor wafer is different from the standby time of the last semiconductor wafer in the one cassette. However, there is a problem that the characteristics of the insulating film are different.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明の塗布熱処理装置は、半導体ウェハーに薬液を
塗布し、半導体ウェハーを垂直方向に積層して保持した
状態で熱処理する塗布熱処理装置において、薬液を塗布
した半導体ウェハーの熱処理前に過熱を行ない、熱処理
後に冷却を行なう加熱冷却部を熱処理部に接続して設
け、この加熱冷却部を経て塗布部と熱処理部との間で半
導体ウェハーを搬送する搬送機を設け、塗布熱処理工程
での半導体ウェハーを連続的に枚葉処理することを特徴
としている。
The coating heat treatment apparatus of the present invention is a coating heat treatment apparatus that applies a chemical solution to a semiconductor wafer and heat-treats the semiconductor wafer while vertically stacking and holding the semiconductor wafers. A heating / cooling unit for cooling after the heat treatment is connected to the heat treatment unit, and a transfer device for transferring the semiconductor wafer between the coating unit and the heat treatment unit via the heating / cooling unit is provided. It is characterized in that continuous sheet processing is performed.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の実施例1の構成断面図である。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a first embodiment of the present invention.

半導体ウェハー1aを収納したカセット1bをローダー・
アンローダー1のカセットステージ1c上に設置し、動作
を開始させる。ウェハー搬送機2のウェハーチャック2b
が、ウェハーチャック機構部の回転及び前後動作により
ローダー・アンローダー1の半導体ウェハー1a間に入
り、半導体ウェハー1aを吸着し、塗布機3のウェハーチ
ャック3dにて吸着され、スピンモーター3eにて高速に回
転される。
Load the cassette 1b containing the semiconductor wafer 1a into the loader
It is set on the cassette stage 1c of the unloader 1 and starts operation. Wafer chuck 2b of wafer transfer machine 2
Enters between the semiconductor wafers 1a of the loader / unloader 1 by the rotation and back and forth operation of the wafer chuck mechanism, adsorbs the semiconductor wafer 1a, is adsorbed by the wafer chuck 3d of the coating machine 3, and is high-speed by the spin motor 3e. Is rotated.

ディスペンスユニット3bは薬液タンク内3aの薬液を吸
い上げ、薬液配管3aを通し、高速回転された半導体ウェ
ハー上に規定量滴下し塗布させる。塗布後、ウェハー搬
送機4により加熱冷却部5のウェハーステージ5b上に搬
送される。半導体ウェハーが塗布機3より搬送されるま
では、加熱冷却部5のランプ加熱ヒーター5aは消灯し、
加熱を行なわないが、熱処理部6の炉芯管6b内は抵抗加
熱ヒーター6aにより高温に保持している。
The dispensing unit 3b sucks up the chemical solution in the chemical solution tank 3a, and drops a prescribed amount of the solution onto the semiconductor wafer rotated at high speed through the chemical solution pipe 3a to apply the solution. After the coating, the wafer is transferred onto the wafer stage 5b of the heating / cooling unit 5 by the wafer transfer device 4. Until the semiconductor wafer is transferred from the coating machine 3, the lamp heater 5a of the heating and cooling unit 5 is turned off,
Although heating is not performed, the inside of the furnace core tube 6b of the heat treatment section 6 is maintained at a high temperature by a resistance heater 6a.

半導体ウェハーが加熱冷却部5のウェハーステージ5b
に搬送後、ランプ加熱ヒーター5aを点灯し、炉芯管6b内
の温度まで加熱昇温させる。昇温後、ウェハーチャック
4b上の半導体ウェハーは、ウェハーチャック機構部4aの
動作によりボート6cに挿入される。1枚目の半導体ウェ
ハーが塗布機3からウェハー搬送機4により加熱冷却部
5に搬送される時、2枚目の半導体ウェハーはローダー
・アンローダー1から塗布機3にウェハー搬送機2によ
り搬送される。
The semiconductor wafer is a wafer stage 5b of the heating / cooling unit 5.
Then, the lamp heater 5a is turned on, and the temperature is raised to the temperature in the furnace core tube 6b. After heating, wafer chuck
The semiconductor wafer on 4b is inserted into the boat 6c by the operation of the wafer chuck mechanism 4a. When the first semiconductor wafer is transferred from the coater 3 to the heating / cooling unit 5 by the wafer transfer unit 4, the second semiconductor wafer is transferred from the loader / unloader 1 to the coater 3 by the wafer transfer unit 2. You.

上述の如く、半導体ウェハーは順次搬送,塗布,搬
送,加熱され、ボートステージ昇降機6fの上下動作によ
りボート6cの空きスロットに挿入される。設定熱処理時
間終了後、ボート6c上の半導体ウェハー6dはウェハーチ
ャック4bに載せられ、ウェハーチャック機構部4aの動作
により点灯するランプ加熱ヒーター5aによって炉芯管6b
内と同じ温度に保持したウェハーステージ5bに搬送され
る。そこでランピング加熱ヒーター5aを消灯させ冷却さ
せる。
As described above, the semiconductor wafer is sequentially conveyed, coated, conveyed, and heated, and inserted into the empty slot of the boat 6c by the vertical movement of the boat stage elevator 6f. After the set heat treatment time, the semiconductor wafer 6d on the boat 6c is placed on the wafer chuck 4b, and the furnace core tube 6b is turned on by the lamp heater 5a which is turned on by the operation of the wafer chuck mechanism 4a.
The wafer is transferred to the wafer stage 5b maintained at the same temperature. Then, the ramping heater 5a is turned off and cooled.

冷却後はウェハー搬送機4,ウェハー搬送機2を経由
し、塗布機3にて塗布されることなくローダー・アンロ
ーダー1のカセット1b内の枚葉に戻る。上述のように、
塗布された半導体ウェハーはすぐ加熱され、炉芯管内に
順次搬送され、熱処理時間の経過した半導体ウェハーは
順次冷却され、ローダー・アンローダー1のカセット1b
に収納される。
After cooling, the wafer is returned to the sheet in the cassette 1b of the loader / unloader 1 without being coated by the coating machine 3 via the wafer transfer machine 4 and the wafer transfer machine 2. As mentioned above,
The coated semiconductor wafers are immediately heated and sequentially transported into the furnace core tube, and the semiconductor wafers after the heat treatment time are sequentially cooled, and the cassette 1b of the loader / unloader 1 is loaded.
Is stored in.

第2図は本発明の実施例2の構成断面図である。ロー
ダー7とアンローダー10を、また、熱処理部6の前後に
加熱部8及び冷却部9を構成し、ローダー7から順次半
導体ウェハーは塗布,加熱,熱処理,冷却され、アンロ
ーダー10へ搬送され、連続的に処理される。実施例2
は、加熱部8と冷却部9及びローダー7とアンローダー
10が分離しているため、半導体ウェハーが戻る搬送工程
がなくなり、より連続な塗布及び熱処理を可能としてい
る。
FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a second embodiment of the present invention. A loader 7 and an unloader 10, and a heating unit 8 and a cooling unit 9 before and after the heat treatment unit 6, the semiconductor wafers are sequentially coated, heated, heat treated, cooled from the loader 7, and conveyed to the unloader 10, Processed continuously. Example 2
Are the heating unit 8 and the cooling unit 9 and the loader 7 and the unloader
Since the semiconductor wafers 10 are separated from each other, there is no need for a transporting step for returning the semiconductor wafer, thereby enabling more continuous coating and heat treatment.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は、枚葉による塗布及び熱
処理までの搬送を可能としたので、1カセット分の処理
時間を非常に短かくする効果を有する。また、塗布直後
熱処理を行なうため、1カセット内での半導体ウェハー
の途中の待機をなくし均等に塗布及び熱処理を行なう効
果を有する。
As described above, the present invention has the effect of extremely shortening the processing time for one cassette, since the transfer up to the application and the heat treatment by the single wafer is made possible. In addition, since the heat treatment is performed immediately after the application, there is an effect that the coating and the heat treatment can be performed evenly without waiting in the middle of the semiconductor wafer in one cassette.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例1の構成断面図、第2図は本発
明の実施例2の構成断面図、第3図は従来の構成断面図
である。 1……ローダー・アンローダー、1a……半導体ウェハ
ー、1b……カセット、1c……カセットステージ、2……
ウェハー搬送機、2a……ウェハーチャック機構部、2b…
…ウェハーチャック、3……塗布機、3a……薬液タン
ク、3b……ディスペンスユニット、3c……薬液配管、3d
……ウェハーチャック、3e……スピンモーター、4……
ウェハー搬送機、4a……ウェハーチャック機構部、4b…
…ウェハーチャック、5……加熱冷却部、5a……ランプ
加熱ヒーター、5b……ウェハーステージ、6……熱処理
部、6a……抵抗加熱ヒーター、6b……炉芯管、6c……ボ
ート、6d……半導体ウェハー、6e……ボートステージ、
6f……ボートステージ昇降機、7……ローダー、8……
加熱部、9……冷却部、10……アンローダー。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a second embodiment of the present invention, and FIG. 1. Loader / Unloader, 1a Semiconductor wafer, 1b Cassette, 1c Cassette stage, 2
Wafer transfer machine, 2a …… Wafer chuck mechanism, 2b…
... Wafer chuck, 3 ... Coating machine, 3a ... Chemical tank, 3b ... Dispense unit, 3c ... Chemical piping, 3d
…… Wafer chuck, 3e …… Spin motor, 4 ……
Wafer transfer machine, 4a …… Wafer chuck mechanism, 4b…
... Wafer chuck, 5 ... Heating / cooling unit, 5a ... Lamp heater, 5b ... Wafer stage, 6 ... Heat treatment unit, 6a ... Resistance heater, 6b ... Core tube, 6c ... Boat, 6d …… Semiconductor wafer, 6e …… Boat stage,
6f ... Boat stage elevator, 7 ... Loader, 8 ...
Heating section, 9: cooling section, 10: unloader.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/312 H01L 21/316 H01L 21/318 H01L 21/31 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/312 H01L 21/316 H01L 21/318 H01L 21/31

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】半導体ウェハーに薬液を塗布し、半導体ウ
ェハーを垂直方向に積層して保持した状態で熱処理する
塗布熱処理装置において、薬液を塗布した半導体ウェハ
ーの熱処理前に過熱を行ない、熱処理後に冷却を行なう
加熱冷却部を熱処理部に接続して設け、この加熱冷却部
を経て塗布部と熱処理部との間で半導体ウェハーを搬送
する搬送機を設け、塗布熱処理工程での半導体ウェハー
を連続的に枚葉処理することを特徴とする塗布熱処理装
置。
1. A coating heat treatment apparatus for applying a chemical solution to a semiconductor wafer and heat-treating the semiconductor wafer while vertically stacking and holding the semiconductor wafers, wherein the semiconductor wafer coated with the chemical solution is overheated before the heat treatment and cooled after the heat treatment. A heating / cooling unit is connected to the heat treatment unit, and a transfer device is provided for transferring the semiconductor wafer between the coating unit and the heat treatment unit via the heating / cooling unit. A coating heat treatment apparatus that performs single-wafer processing.
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