JP4622433B2 - Compound, electron transport material and organic electroluminescence device - Google Patents

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JP4622433B2 JP2004291273A JP2004291273A JP4622433B2 JP 4622433 B2 JP4622433 B2 JP 4622433B2 JP 2004291273 A JP2004291273 A JP 2004291273A JP 2004291273 A JP2004291273 A JP 2004291273A JP 4622433 B2 JP4622433 B2 JP 4622433B2
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Description

本発明は新規な有機化合物に関するものであり、詳しくは電気的な酸化や還元を繰返し受けても安定な有機化合物とそれを用いた高効率かつ長寿命の有機EL素子に関するものである。   The present invention relates to a novel organic compound, and more particularly to an organic compound that is stable even when it is repeatedly subjected to electrical oxidation and reduction, and a high-efficiency and long-life organic EL device using the same.

従来、薄膜型の電界発光(EL)素子としては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZnS、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子は、
1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、
2)駆動電圧が高い(〜200V)、
3)フルカラー化が困難(特に青色)、
4)周辺駆動回路のコストが高い、
という問題点を有している。
Conventionally, as a thin film type electroluminescent (EL) element, there are ZnS, CaS, SrS, etc. which are inorganic material II-VI compound semiconductors, Mn which is an emission center, rare earth elements (Eu, Ce, Tb, Sm, etc.) ) Is generally used, but an EL element made from the above inorganic material is
1) AC drive is required (50-1000Hz),
2) High drive voltage (~ 200V),
3) Full color is difficult (especially blue),
4) The cost of the peripheral drive circuit is high.
Has the problem.

しかし、近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層とを設けた有機電界発光素子の開発(非特許文献1参照)により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたEL素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされている。また、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること(非特許文献2参照)で、発光効率の向上や発光波長の変換等も行われており、実用特性に近づいている。   However, in recent years, EL devices using organic thin films have been developed to improve the above problems. In particular, in order to improve luminous efficiency, the type of electrode is optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode, and a hole transporting layer made of aromatic diamine and a light emitting layer made of 8-hydroxyquinoline aluminum complex, As a result of the development of an organic electroluminescent device provided with (see Non-Patent Document 1), the luminous efficiency is greatly improved as compared with a conventional EL device using a single crystal such as anthracene. In addition, for example, by using 8-hydroxyquinoline aluminum complex as a host material and doping with a fluorescent dye for laser such as coumarin (see Non-Patent Document 2), the emission efficiency is improved and the emission wavelength is converted. It is approaching practical characteristics.

上記の様な低分子材料を用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)、ポリ[2-メトキシ-5-(2-エチルヘキシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ(3-アルキルチオフェン)等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われている。   In addition to the electroluminescent device using the low molecular weight material as described above, as a material of the light emitting layer, poly (p-phenylene vinylene), poly [2-methoxy-5- (2-ethylhexyloxy) -1,4 Development of electroluminescent devices using polymer materials such as -phenylenevinylene] and poly (3-alkylthiophene), and devices that combine low molecular light emitting materials and electron transfer materials with polymers such as polyvinylcarbazole. Has been done.

素子の発光効率を上げる試みとして、蛍光ではなく燐光を用いることも検討されている。燐光を用いる、即ち、三重項励起状態からの発光を利用すれば、従来の蛍光(一重項)を用いた素子と比べて、3倍程度の効率向上が期待される。この目的のためにクマリン誘導体やベンゾフェノン誘導体を発光層とすることが検討されたが(非特許文献3参照)、極めて低い輝度しか得られなかった。その後、三重項状態を利用する試みとして、ユーロピウム錯体を用いることが検討されてきたが、これも高効率の発光には至らなかった。   As an attempt to increase the luminous efficiency of the device, the use of phosphorescence instead of fluorescence has been studied. If phosphorescence is used, that is, light emission from a triplet excited state is used, an efficiency improvement of about three times is expected as compared with a conventional device using fluorescence (singlet). For this purpose, it has been studied to use a coumarin derivative or a benzophenone derivative as a light emitting layer (see Non-Patent Document 3), but only a very low luminance was obtained. Thereafter, the use of a europium complex has been studied as an attempt to utilize the triplet state, but this also did not lead to highly efficient light emission.

最近、以下に示す白金錯体(T−1)を用いることで、高効率の赤色発光が可能なことが報告された(非特許文献4参照)。その後、以下に示すイリジウム錯体(T−2)を発光層にドープすることで、さらに緑色発光で効率が大きく改善されている(非特許文献5参照)。   Recently, it has been reported that highly efficient red light emission is possible by using the platinum complex (T-1) shown below (see Non-Patent Document 4). Thereafter, by doping the light emitting layer with the following iridium complex (T-2), the efficiency is further greatly improved by green light emission (see Non-Patent Document 5).

Figure 0004622433
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有機電界発光素子をフラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには、素子の発光効率を改善すると同時に駆動時の安定性を十分に確保する必要がある。
しかしながら、前述の文献に記載の燐光分子(T−2)を用いた有機電界発光素子は、高効率発光ではあるが、駆動安定性が実用には不十分であり(非特許文献6)、高効率な表示素子の実現は困難な状況である。
In order to apply the organic electroluminescence device to a display device such as a flat panel display, it is necessary to improve the light emission efficiency of the device and at the same time to ensure sufficient stability during driving.
However, the organic electroluminescence device using the phosphorescent molecule (T-2) described in the above-mentioned document has high efficiency light emission but has insufficient driving stability for practical use (Non-Patent Document 6). It is difficult to realize an efficient display element.

これまでに開発された燐光分子を用いた有機電界発光素子の多くは、発光層のホストとして カルバゾリル基を含む材料を用いることを特徴としている。例えば、前記文献(非特許文献5)ではホスト材料として以下に示すビフェニル誘導体を用いている。   Many of the organic electroluminescence devices using phosphorescent molecules developed so far are characterized by using a material containing a carbazolyl group as a host of the light emitting layer. For example, the biphenyl derivative shown below is used as the host material in the above document (Non-patent Document 5).

Figure 0004622433
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しかしながら、正孔注入/輸送層にトリアリールアミン系化合物を、電子注入/輸送層にアルミニウム錯体を用いた素子では、正孔の移動度が電子の移動度を上回る傾向にあり、このような有機電界発光素子において、発光層のホスト材料に、通常のトリアリールアミン系化合物および/またはカルバゾール系化合物を用いると、どうしても電荷の再結合位置が陰極側に偏る傾向があり、バランスを取り辛くなる。   However, in a device using a triarylamine compound for the hole injection / transport layer and an aluminum complex for the electron injection / transport layer, the hole mobility tends to exceed the electron mobility. In an electroluminescent device, if a normal triarylamine compound and / or carbazole compound is used as the host material of the light emitting layer, the recombination position of charges tends to be biased toward the cathode side, making it difficult to balance.

新しい材料系としては、特許文献1および2において、蛍光発光素子用途あるいは電子写真感光体用の正孔輸送材料および/または発光層材料用途に下記化合物に代表されるピリジン系化合物が提案されている。   As new material systems, Patent Documents 1 and 2 propose pyridine-based compounds represented by the following compounds for use in fluorescent light-emitting devices or hole transport materials and / or light-emitting layer materials for electrophotographic photoreceptors. .

Figure 0004622433
Figure 0004622433

しかしながら、これらはピリジン環上の窒素原子と、アリールアミノ基(カルバゾール基を含む)上の窒素原子同士が共役可能な構造を有しているため、酸化還元電位差が比較的小さく、青色発光素子や燐光発光素子に適用するには性能的に不充分であると考えられる。
また、特許文献3には下記一般式で示される蛍光材料が提案されている。
However, since these have a structure in which the nitrogen atom on the pyridine ring and the nitrogen atom on the arylamino group (including the carbazole group) can be conjugated, the redox potential difference is relatively small, It is considered that the performance is insufficient for application to a phosphorescent light emitting device.
Patent Document 3 proposes a fluorescent material represented by the following general formula.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

しかし上記化合物は、主として青色発光を持つ蛍光色素として提案されているのみで、それ以外の、具体的な用途への適用方法などについては開示がない。
一方、青色発光素子や燐光素子においては、陰極側に偏りがちな再結合領域を発光層に集中させることによって、発光層中での励起子生成効率を向上させ、発光の高効率化・発光色の高純度化を実現するために、発光層と電子輸送層の間に正孔阻止層を設けることが検討されている。
However, the above compounds are only proposed as fluorescent dyes that mainly emit blue light, and there is no disclosure of other specific application methods.
On the other hand, in blue light-emitting elements and phosphorescent elements, the recombination region, which tends to be biased toward the cathode side, is concentrated in the light-emitting layer, thereby improving the exciton generation efficiency in the light-emitting layer and improving the light emission efficiency and light emission color. In order to achieve a high purity, it has been studied to provide a hole blocking layer between the light emitting layer and the electron transport layer.

発光層と陰極との間に設ける正孔阻止層としては、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する材料として、トリス(5,7-ジクロル-8-ヒドロキ
シキノリノ)アルミニウム (特許文献4参照)や、シラシクロペンタジエン(特許文献
5参照)などが提案されているが、これらを用いた有機電界発光素子の駆動安定性は十分ではなかった。
As a hole blocking layer provided between the light emitting layer and the cathode, tris (5,7-dichloro-8-hydroxyquinolino) aluminum (Patent Document 4) is used as a material having an ionization potential larger than that of the light emitting layer. And silacyclopentadiene (see Patent Document 5) have been proposed, but the driving stability of organic electroluminescence devices using these has not been sufficient.

この駆動劣化の要因としては、正孔阻止材料のガラス転移温度(Tg)が低い事に由来する熱劣化や、電子や正孔の注入により正孔阻止材料が還元・酸化劣化してしまう電気化学的要因などが指摘されている。
イリジウム錯体などの高効率燐光発光素子には、Balq(aluminum(III) bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolate)やSAlq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-quinolinato)triphenylsilanolate)などのアルミニウム錯体系正孔阻止材料が盛んに用いられ、一定の長寿命化に成功している(非特許文献7参照)。しかしながら、これらでは正孔阻止能が十分でないために素子発光効率が不十分であったり、正孔の一部が正孔阻止材料を通過して電子輸送層へ抜けてしまうことによって電子輸送材料の酸化劣化が起こったりする問題があった。
特開2000−186066号公報 特開2000−169448号公報 CS−262585号公報 特開平2−195683号公報 特開平9−87616号公報 Appl. Phys. Lett., 51巻, 913頁,1987年 J. Appl. Phys., 65巻, 3610頁,1989年 第51回応用物理学会連合講演会、28a-PB-7、1990年 Nature, 395巻,151頁,1998年 Appl. Phys. Lett., 75巻,4頁,1999年 Jpn. J.Appl. Phys., 38巻,L1502頁,1999年 Appl. Phys. Lett., 81巻,162頁,2002年
Causes of this drive deterioration include thermal deterioration due to the low glass transition temperature (Tg) of the hole blocking material, and electrochemistry in which the hole blocking material is reduced and oxidized due to injection of electrons and holes. Some factors have been pointed out.
High-efficiency phosphorescent devices such as iridium complexes include Balq (aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate) and SAlq (aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) triphenylsilanolate). ) And other aluminum complex-based hole blocking materials have been actively used to achieve a certain long life (see Non-Patent Document 7). However, since these devices do not have sufficient hole blocking ability, the device luminous efficiency is insufficient, or some of the holes pass through the hole blocking material and escape to the electron transporting layer. There was a problem that oxidation deterioration occurred.
JP 2000-186066 A JP 2000-169448 A CS-262585 Japanese Patent Laid-Open No. 2-195683 JP-A-9-87616 Appl. Phys. Lett., 51, 913, 1987 J. Appl. Phys., 65, 3610, 1989 The 51st Japan Society of Applied Physics, 28a-PB-7, 1990 Nature, 395, 151, 1998 Appl. Phys. Lett., 75, 4 pages, 1999 Jpn. J.Appl. Phys., 38, L1502, 1999 Appl. Phys. Lett., 81, 162, 2002

上述の理由から、発光層中での速やかな電荷の再結合とドーパントの高発光効率の実現、あるいは発光層を通過する正孔が電子輸送層へ抜けるのを阻止すること、および正孔阻止材料自体が電気的酸化還元耐久性を有していることが必要であり、高発光効率かつ安定な素子を作製するための材料および素子構造に対して、更なる改良検討が望まれていた。
本発明者は上記実状に鑑み、電子輸送性に優れ、優れた電気的酸化還元耐久性と広い酸化還元電位差を有する電荷輸送材料の提供、更には高効率かつ高い駆動安定性を有する有機電界発光素子を提供することを目的として鋭意検討した結果、特定の化合物を用いることで上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
For the reasons described above, rapid charge recombination in the light emitting layer and high emission efficiency of the dopant, or prevention of holes passing through the light emitting layer from escaping to the electron transport layer, and hole blocking material It is necessary for itself to have electrical oxidation-reduction durability, and further improvement studies have been desired for materials and device structures for producing devices with high luminous efficiency and stability.
In view of the above circumstances, the present inventor has provided an electron electrotransport property that is excellent in electron transport properties, has excellent electrical redox durability and a wide redox potential difference, and further has high efficiency and high driving stability. As a result of intensive studies aimed at providing an element, it was found that the above-mentioned problems can be solved by using a specific compound, and the present invention has been completed.

即ち本発明は下記一般式(I)で表わされることを特徴とする電子輸送材料、   That is, the present invention is an electron transport material represented by the following general formula (I):

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、環Aはピリジン環であり、RおよびRは任意の置換基である。RおよびRは、各々独立に水素原子または任意の置換基を表す。
環Aの数を表すnは1〜10の整数であり、Zは直接結合またはn価の連結基を表す。但し、n=1の場合、Zは環Aに結合する任意の置換基に相当する。またn≧2の場合、1分子中に含まれる複数のR〜Rは、各々同一であっても異なっていてもよい。
(In the formula, ring A is a pyridine ring, and R 1 and R 4 are optional substituents. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an optional substituent.
N representing the number of rings A is an integer of 1 to 10, and Z represents a direct bond or an n-valent linking group. However, when n = 1, Z corresponds to any substituent bonded to ring A. When n ≧ 2, the plurality of R 1 to R 4 contained in one molecule may be the same or different.

なお、RないしRおよびZは、ジアリールアミン骨格を含まない。)
およびこれを用いた有機電界発光素子に存する。また、本発明は、下記一般式(II)で表わされることを特徴とする化合物であって、該化合物が最安定化構造をとった際に、平面構造とならない化合物に存する。
R 1 to R 4 and Z do not include a diarylamine skeleton. )
And an organic electroluminescent device using the same. Further, the present invention resides in a compound represented by the following general formula (II), which does not have a planar structure when the compound has a most stabilized structure.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、環Bはピリジン環である。
5およびR8は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基である。
6およびR7は、各々独立に水素原子または任意の置換基を表す。
mは、環Bの数を表す2〜10の整数である。
1は、1分子中の複数の環Bを結合する、直接結合、または、m価の芳香族炭化水素基
或いは芳香族複素環基を表す。
1分子中に含まれる複数の環Bは、Z1を介して共役する。
1分子中に含まれる複数のR5〜R8は、各々同一であっても異なっていてもよい。
また、R5〜R8およびZ1は、ジアリールアミン骨格を含まない。)
一般式(II)で表される化合物は、分子構造として、実質的に単一平面構造を取りえない構造であるため、分子間でのπ−πスタッキング相互作用が抑制され、非晶質性、溶解性、昇華性に優れている。
(In the formula, ring B is a pyridine ring.
R 5 and R 8 are an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
m is an integer of 2 to 10 representing the number of rings B.
Z 1 represents a direct bond, an m-valent aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group that bonds a plurality of rings B in one molecule.
A plurality of rings B contained in one molecule are conjugated via Z 1 .
A plurality of R 5 to R 8 contained in one molecule may be the same or different.
R 5 to R 8 and Z 1 do not contain a diarylamine skeleton. )
Since the compound represented by the general formula (II) is a structure that cannot substantially take a single planar structure as a molecular structure, π-π stacking interaction between molecules is suppressed, and the amorphous structure , Excellent in solubility and sublimation.

また、ひいては分子の集合体である膜としたとき、溶液状態(分子同士が散らばっている状態)に比べ、吸収極大波長や蛍光発光極大波長が増大してしまう現象を抑制することができ、また、三重項励起準位が低下してしまう現象や電気酸化還元電位差が低下してしまう現象をも抑制することができるため、(光、電気、熱などの)大きなエネルギーを蓄積し、そして効率よく蓄積したエネルギーを(光、電気、熱などとして)放出することが可能となる。   In addition, when the film is an aggregate of molecules, it is possible to suppress the phenomenon that the absorption maximum wavelength and the fluorescence emission maximum wavelength increase compared to a solution state (a state in which molecules are scattered), Because it can suppress the phenomenon that the triplet excitation level is lowered and the phenomenon that the electric redox potential difference is lowered, it can store large energy (light, electricity, heat, etc.) and efficiently The stored energy can be released (as light, electricity, heat, etc.).

また、本発明は、下記一般式(III)で表わされる化合物に存する。   Moreover, this invention exists in the compound represented by the following general formula (III).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、環Dはピリジン環を表す。Ar11〜Ar13は芳香族基を表す。Ar11〜Ar13は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。環Dは、Ar11〜Ar13以外にも置換基を有していてもよい。Ar11〜Ar13は、置換基として芳香族炭化水素基を有していてもよい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。ただし、分子内には環D以外に、ピリジン環は存在しない。)
一般式(III)で表わされる化合物は、分子内にピリジン環が1つだけであり、かつ、
その2,4,6−位が芳香族基で置換されているため、安定した電子輸送性を有している上、極めて優れた正孔阻止性を有することにより、電子輸送性を損なわずに、優れた耐熱性や高い三重項励起基準をも実現可能になる。
(.Ar 11 ~Ar 13 .Ar 11 ~Ar 13 is representative of the aromatic group wherein ring D is representative of the pyridine ring, each may be the same or different. Ring D, Ar 11 ~ Ar 11 to Ar 13 may have an aromatic hydrocarbon group as a substituent, in addition to Ar 13. The aromatic hydrocarbon group has a substituent. (However, there is no pyridine ring other than ring D in the molecule.)
The compound represented by the general formula (III) has only one pyridine ring in the molecule, and
Since the 2,4,6-position is substituted with an aromatic group, it has a stable electron transport property and also has an excellent hole blocking property, without impairing the electron transport property. Excellent heat resistance and high triplet excitation standard can be realized.

本発明の電荷輸送材料は、高い電子輸送性と正孔阻止性を併せ持つため、様々な用途に有効である。また、このような化合物を、特に有機電界発光素子における発光層の陰極側界面に接して設けられる層に使用することにより、発光効率が高く、駆動寿命の長い素子を得ることができる。   Since the charge transport material of the present invention has both high electron transport properties and hole blocking properties, it is effective for various applications. Further, by using such a compound in a layer provided in contact with the cathode side interface of the light emitting layer in the organic electroluminescent device, it is possible to obtain a device having high luminous efficiency and a long driving life.

以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、これらの内容に特定はされない。
本発明の電子輸送材料は、下記一般式(I)で表わされることを特徴とする電子輸送材料である。
The description of the constituent requirements described below is an example (representative example) of the embodiment of the present invention, and the contents are not specified.
The electron transport material of the present invention is an electron transport material represented by the following general formula (I).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、環Aはピリジン環であり、RおよびRは任意の置換基である。RおよびRは、各々独立に水素原子または任意の置換基を表す。
環Aの数を表すnは1〜10の整数であり、Zは直接結合またはn価の連結基を表す。但し、n=1の場合、Zは環Aに結合する任意の置換基に相当する。またn≧2の場合、1分子中に含まれる複数のR〜Rは、各々同一であっても異なっていてもよい。なお、R〜RおよびZは、ジアリールアミン骨格を含まない。)
一般式(I)における環Aとは、2,4,6−位に(ジアリールアミン骨格を持たない)任意の置換基を有するピリジン環である。2,4,6−位に置換基を有するピリジン環を用いることによって電気的酸化還元耐久性に優れた電子輸送材料となるのである。
(In the formula, ring A is a pyridine ring, and R 1 and R 4 are optional substituents. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an optional substituent.
N representing the number of rings A is an integer of 1 to 10, and Z represents a direct bond or an n-valent linking group. However, when n = 1, Z corresponds to any substituent bonded to ring A. When n ≧ 2, the plurality of R 1 to R 4 contained in one molecule may be the same or different. R 1 to R 4 and Z do not include a diarylamine skeleton. )
The ring A in the general formula (I) is a pyridine ring having an arbitrary substituent (not having a diarylamine skeleton) at the 2,4,6-position. By using a pyridine ring having a substituent at the 2,4,6-position, it becomes an electron transport material having excellent electrical redox durability.

但し、3,5−位には水素原子または(ジアリールアミン骨格を含まない)任意の置換基が適用可能である。
本発明の電子輸送材料の重要な特性である正孔阻止性は、ジアリールアミン骨格を有していると、著しく損なわれてしまうので、該骨格を含んでいないのが好ましい。更に、ジアリールアミン骨格ほどではないが、強い正孔輸送性を有し、正孔阻止性を低下させてしまうとの理由から、アリールオキシド骨格やアリールスルフィド骨格をも含んでいない場合が、より好ましい。
However, a hydrogen atom or an arbitrary substituent (not including a diarylamine skeleton) is applicable to the 3,5-position.
The hole blocking property, which is an important characteristic of the electron transport material of the present invention, is remarkably impaired when it has a diarylamine skeleton. Therefore, it is preferable that the skeleton does not contain the skeleton. Furthermore, although not as much as the diarylamine skeleton, it is more preferable that it does not contain an aryloxide skeleton or an arylsulfide skeleton because it has a strong hole transport property and lowers the hole blocking property. .

本発明におけるジアリールアミン骨格とは、N原子上に置換基として任意の芳香環が少なくとも2つ置換されたアミン骨格を指し、例えばジフェニルアミン骨格、フェニルナフチル骨格、トリフェニルアミン骨格などが挙げられる。また、置換基同士が結合して環を成しているものも含み、例えばカルバゾール骨格、N−フェニルカルバゾール骨格、N−フェニルインドール骨格などが挙げられる(但し、二重結合によってN原子と置換基が結合している骨格を除く(例:アクリジン、フェナジンなど))。いずれも、極めて強い正孔輸送性を有する骨格の一つである。   The diarylamine skeleton in the present invention refers to an amine skeleton in which at least two arbitrary aromatic rings are substituted as substituents on the N atom, and examples thereof include a diphenylamine skeleton, a phenylnaphthyl skeleton, and a triphenylamine skeleton. Also included are those in which substituents are bonded to form a ring, and examples thereof include a carbazole skeleton, an N-phenylcarbazole skeleton, an N-phenylindole skeleton, etc. Excluding the skeleton to which is bound (eg acridine, phenazine, etc.). Each of them is one of skeletons having extremely strong hole transport properties.

本発明におけるアリールオキシド骨格とは、O原子上に置換基として芳香環が少なくとも1つ置換されたオキシド骨格を指し、例えばフェニルオキシド骨格、ジフェニルオキシド骨格等が挙げられる。また、置換基同士が結合して環を成しているものも含み、例えばベンゾフラン骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾ[1,4]ジオキシン骨格などが挙げられる。いずれも、強い正孔輸送性を有する骨格の一つである。   The aryloxide skeleton in the present invention refers to an oxide skeleton in which at least one aromatic ring is substituted as a substituent on the O atom, and examples thereof include a phenyloxide skeleton and a diphenyloxide skeleton. Also included are those in which substituents are bonded to form a ring, and examples thereof include a benzofuran skeleton, a dibenzofuran skeleton, and a dibenzo [1,4] dioxin skeleton. Each of them is one of skeletons having strong hole transport properties.

本発明におけるアリールスルフィド骨格とは、S原子上に置換基として芳香環が少なくとも1つ置換されたスルフィド骨格を指し、例えばフェニルスルフィド骨格、ジフェニルスルフィド骨格等が挙げられる。また、置換基同士が結合して環を成しているものも含み、例えばベンゾチオフェン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、チアントレン骨格などが挙げられる。いすれも、強い正孔輸送性を有する骨格の一つである。
(R1〜R4
環A上の置換基である本発明記載のR〜Rおよび(環Aの数を表すnが1のときの)Zとは、(ジアリールアミン骨格を持たない)任意の基を適用可能であり、各々が同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を成していてもよい。
例としては、
ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、
置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1から8の直鎖または分岐のアルキル基であり、たとえばメチル、エチル、n-プロピル、2-プロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルケニル基(たとえば、炭素数1から8のアルケニル基であり、たとえばビニル、アリル、1-ブテニル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルキニル基(たとえば、炭素数1から8のアルキニル基で
あり、たとえばエチニル、プロパルギル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアラルキル基(たとえば、炭素数1から8のアラルキル基
であり、たとえばベンジル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアシル基(好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数
1〜8のアシル基であり、たとえばホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基(好ましくは置換基を有してもよ
い炭素数2〜13のアルコキシカルボニル基であり、たとえばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基(好ましくは置換基を有
してもよい炭素数2〜13のアリールオキシカルボニル基であり、たとえばアセ
トキシ基などが含まれる)、
カルボキシル基、
The aryl sulfide skeleton in the present invention refers to a sulfide skeleton in which at least one aromatic ring is substituted as a substituent on the S atom, and examples thereof include a phenyl sulfide skeleton and a diphenyl sulfide skeleton. Also included are those in which substituents are bonded to form a ring, and examples thereof include a benzothiophene skeleton, a dibenzothiophene skeleton, and a thianthrene skeleton. Any of them is one of skeletons having a strong hole transporting property.
(R 1 ~R 4)
Any group (not having a diarylamine skeleton) can be applied to R 1 to R 4 according to the present invention as a substituent on ring A and Z (when n representing the number of ring A is 1) Z And each may be the same or different, and may be bonded to each other to form a ring.
For example,
Halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom),
An alkyl group which may have a substituent (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, 2-propyl, n-butyl, isobutyl, tert -Butyl group, etc.)
An alkenyl group which may have a substituent (for example, an alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as vinyl, allyl, 1-butenyl group, etc.),
An alkynyl group which may have a substituent (for example, an alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as ethynyl, propargyl group, etc.),
An aralkyl group which may have a substituent (for example, an aralkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as a benzyl group);
An acyl group which may have a substituent (preferably an acyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, for example, formyl, acetyl, benzoyl group, etc.),
An alkoxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, including, for example, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl group, etc.),
An aryloxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an aryloxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, including, for example, an acetoxy group),
Carboxyl group,

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(Raは任意の置換基であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアル
キル基、アラルキル基、アリール基の何れかである。Rbは水素原子または任意の置換基
であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、アラルキル基、アリール基の何れかである。)、
(R a is an arbitrary substituent, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aralkyl group, or an aryl group which may have a substituent. R b is a hydrogen atom or an arbitrary group. A substituent, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aralkyl group, or an aryl group, which may have a substituent.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(Rc、Rdは水素原子または任意の置換基であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、アラルキル基、アリール基の何れかを表す)、
シアノ基、
置換基を有していてもよいシリル基(たとえばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいボリル基(たとえばジメシチルボリル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいホスフィノ基(たとえばジフェニルホスフィノ基などが含まれる)、
置換基を有していてもよい、炭素数6〜20の芳香族炭化水素環基(例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などが含まれる)
または置換基を有していてもよい、5または6員環の単環または2〜3縮合環から成る芳香族複素環基(例えばフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが含まれる)を表す)
などが挙げられる。
(R c and R d are a hydrogen atom or an arbitrary substituent, and preferably represent any one of an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aralkyl group, and an aryl group),
A cyano group,
A silyl group which may have a substituent (for example, a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, etc.),
An optionally substituted boryl group (for example, a dimesitylboryl group),
A phosphino group which may have a substituent (for example, a diphenylphosphino group and the like are included),
A C6-C20 aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring) , Triphenylene ring, fluoranthene ring, etc.)
Or an aromatic heterocyclic group consisting of a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-3 condensed ring which may have a substituent (eg, furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxalate ring, Diazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, and azulene ring))
Etc.

、Rおよび(環Aの数を表すnが1のときの)Zは、電気的酸化還元耐久性を向上させる観点および耐熱性を向上させる観点から、芳香環であるのが好ましく、その例を以下に示す。 R 1 , R 4 and Z (when n representing the number of rings A is 1) are preferably aromatic rings from the viewpoint of improving electrical redox durability and improving heat resistance, An example is shown below.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
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中でも、
R−1〜9,12,18,19,21,26,28,30,31,34,35,39,43が好ましく、
R−1〜6,12,43がより好ましく、
R−1〜6が更に好ましく、
R−1,4が最も好ましい。
Above all,
R-1 to 9, 12, 18, 19, 21, 26, 28, 30, 31, 34, 35, 39, 43 are preferred,
R-1 to 6, 12, 43 are more preferable,
R-1 to 6 are more preferable,
R-1,4 is most preferred.

一般式(I)におけるRおよびRは、該化合物を発光素子に適用する場合、分子振動を制限して発光効率を損なわないようにする観点から、好ましくは水素原子或いは炭化水素基であり、更に好ましくは水素原子、アルキル基またはアリール基であり、水素原子である場合がより好ましい。
(Z)
環Aの数を表すnが2以上であるとき、本発明に記載の連結基Zは、環A同士を繋ぐ直接結合、または(ジアリールアミン骨格を持たない)任意の連結基を適用可能である。
R 2 and R 3 in the general formula (I) are preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group from the viewpoint of restricting molecular vibration and not impairing luminous efficiency when the compound is applied to a light emitting device. More preferably, they are a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom.
(Z)
When n representing the number of rings A is 2 or more, the linking group Z according to the present invention is applicable to a direct bond that connects the rings A to each other or any linking group (having no diarylamine skeleton). .

好ましくは、
直接結合、
置換基を有していてもよいアルケン基(アルケン由来の2価の基)、
置換基を有していてもよいアルキン基(アルキン由来の2価の基)、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテンなど由来のn価の基が含まれる)
または置換基を有していてもよい芳香族複素環基(例えばフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環など由来のn価の基が含まれる)、
或いは、これらが2つ以上連結してなる基、
などが挙げられる。
Preferably,
Direct bond,
An alkene group (a divalent group derived from an alkene) which may have a substituent,
Alkyne group (divalent group derived from alkyne) which may have a substituent,
An aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, derived from benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene, etc. n-valent group is included)
Or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent (eg, furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine Ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc.)
Or a group formed by connecting two or more of these,
Etc.

電気的酸化還元耐久性の観点からは、1分子中に含まれる2以上の環Aが、連結基Zを介して互いに共役関係にある化合物が好ましい。このような化合物とするためには、環A間が、直接結合、   From the viewpoint of electrical redox durability, a compound in which two or more rings A contained in one molecule are conjugated with each other through a linking group Z is preferable. In order to obtain such a compound, a direct bond between ring A,

Figure 0004622433
Figure 0004622433

またはこれらを組み合わせてなる部分構造で連結されている場合が好ましい。(GないしGは各々独立に、水素原子または任意の置換基を表すか、あるいは、Zの例として前述した芳香族炭化水素環や芳香族複素環の一部を構成する。なお、同一のZ基中に含まれるGないしGは、各々、同一であっても異なっていてもよい。)
これらの中でも、環A間が
Or the case where it connects with the partial structure which combines these is preferable. (G 1 to G 3 each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent, or constitute a part of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring described above as an example of Z. G 1 to G 3 contained in the Z group may be the same or different.)
Among these, between ring A is

Figure 0004622433
Figure 0004622433

で表される構造で結合されている場合がより好ましく、さらにGおよびGが、Z基における芳香族炭化水素基の一部を構成する場合が、特に好ましい。
連結基Zとして、好ましい具体例を以下に示す。
Is more preferable, and it is particularly preferable that G 1 and G 2 constitute a part of the aromatic hydrocarbon group in the Z group.
Preferred examples of the linking group Z are shown below.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
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Figure 0004622433

Figure 0004622433
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Figure 0004622433
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Figure 0004622433
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Figure 0004622433
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中でも、酸化還元電位差を十分に広くする観点と繰返し電気酸化還元耐久性の観点から、
Z−1(直接結合),Z−2〜69,79,82,84,89,96,103,105,108,109,111〜114,117,118,121,124,167,170が好ましく、
Z−2,8,11〜13,15,17,19,20,22,23〜25,27〜30,34,37,44,47〜61,63〜69,89,105,109,114,124,167,170がより好ましく、
Z−2,8,12,13,15,17,19,20,22,23,25,27〜30,34,37,44,47〜50,63,64,66,67,89,109,114,124,167が更に好ましく、
Z−2,8,12,13,15,17,19,20,23,28〜30,34,66が最も好ましい。
Above all, from the viewpoint of sufficiently widening the redox potential difference and the repeated redox durability,
Z-1 (direct bond), Z-2 to 69, 79, 82, 84, 89, 96, 103, 105, 108, 109, 111 to 114, 117, 118, 121, 124, 167, 170 are preferred,
Z-2, 8, 11-13, 15, 17, 19, 20, 22, 23-25, 27-30, 34, 37, 44, 47-61, 63-69, 89, 105, 109, 114, 124, 167, 170 are more preferable,
Z-2, 8, 12, 13, 15, 17, 19, 20, 22, 23, 25, 27-30, 34, 37, 44, 47-50, 63, 64, 66, 67, 89, 109, 114, 124, 167 are more preferred,
Z-2, 8, 12, 13, 15, 17, 19, 20, 23, 28 to 30, 34, 66 are most preferable.

上記具体例の連結基Zは、(ジアリールアミン骨格、アリールオキシド骨格およびアリールスルフィド骨格を持たない)任意の置換基を有してもよく、
例としては、
ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、
置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1から8の直鎖または分岐
のアルキル基であり、たとえばメチル、エチル、n-プロピル、2-プロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルケニル基(たとえば、炭素数1から8のアルケニル基
であり、たとえばビニル、アリル、1-ブテニル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルキニル基(たとえば、炭素数1から8のアルキニル基
であり、たとえばエチニル、プロパルギル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアラルキル基(たとえば、炭素数1から8のアラルキル基
であり、たとえばベンジル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアシル基(好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数
1〜8のアシル基であり、たとえばホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが含
まれる)、
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基(好ましくは置換基を有してもよ
い炭素数2〜13のアルコキシカルボニル基であり、たとえばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基(好ましくは置換基を有してもよい炭素数2〜13のアリールオキシカルボニル基であり、たとえばアセトキシ基などが含まれる)、
カルボキシル基、
The linking group Z in the above specific example may have an arbitrary substituent (having no diarylamine skeleton, aryloxide skeleton and arylsulfide skeleton),
For example,
Halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom),
An alkyl group which may have a substituent (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, 2-propyl, n-butyl, isobutyl, tert -Butyl group, etc.)
An alkenyl group which may have a substituent (for example, an alkenyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as vinyl, allyl, 1-butenyl group, etc.),
An alkynyl group which may have a substituent (for example, an alkynyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as ethynyl, propargyl group, etc.),
An aralkyl group which may have a substituent (for example, an aralkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as a benzyl group);
An acyl group which may have a substituent (preferably an acyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, for example, formyl, acetyl, benzoyl group, etc.),
An alkoxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, including, for example, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl group, etc.),
An aryloxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an aryloxycarbonyl group having 2 to 13 carbon atoms which may have a substituent, including, for example, an acetoxy group),
Carboxyl group,

Figure 0004622433
Figure 0004622433

基(Raは任意の置換基であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8の
アルキル基、アラルキル基、アリール基の何れかである。Rbは水素原子または任意の置
換基であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、アラルキル基、アリール基の何れかである。)、
Group (R a is an arbitrary substituent, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aralkyl group or an aryl group which may have a substituent. R b is a hydrogen atom or an arbitrary group Which is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aralkyl group or an aryl group which may have a substituent.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

基(Rc、Rdは水素原子または任意の置換基であり、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、アラルキル基、アリール基の何れかを表す)、
シアノ基、
置換基を有していてもよいシリル基(たとえばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいボリル基(たとえばジメシチルボリル基などが含まれる)、
置換基を有していてもよいホスフィノ基(たとえばジフェニルホスフィノ基などが含まれる)、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基(例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などが含まれる)
または置換基を有していてもよい芳香族複素環基(例えばフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが含まれる)を表す)
などが挙げられ、分子振動を制限する観点から、より好ましくは水素原子、メチル基、フェナンチル基またはフェニル基であり、最も好ましくは水素原子である。
Group ( Rc , Rd is a hydrogen atom or an arbitrary substituent, and preferably represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aralkyl group or an aryl group, which may have a substituent),
A cyano group,
A silyl group which may have a substituent (for example, a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, etc.),
An optionally substituted boryl group (for example, a dimesitylboryl group),
A phosphino group which may have a substituent (for example, a diphenylphosphino group and the like are included),
An aromatic hydrocarbon ring group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc. Included)
Or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent (eg, furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine Ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring and the like))
From the viewpoint of limiting molecular vibration, a hydrogen atom, a methyl group, a phenanthyl group, or a phenyl group is more preferable, and a hydrogen atom is most preferable.

電気的な繰返し還元耐久性の観点からは、一般式(I)における連結基Zは、分子内において、環A同士を実質的に共役可能とする任意の連結基であることが好ましく、n個の環Aと結合可能な連結基であれば、任意のものを適用可能である。
本発明の電子輸送材料は、分子内の互いに実質的に共役可能なピリジン環を2つ以上有しているときに最も優れた還元耐久性を発揮可能であり、これによって優れた電子輸送性を発現する。このような観点からは、環Aの数を表すnは1以上の整数が好ましく、より好ましくは2以上である。他方、環Aが多すぎると、酸化に対する耐性が低下したり、塩基性が高くなりすぎ、空気中での安定性が低下して、精製操作の容易性が低下するおそれがある。このような観点からは、環Aの数を表すnは10以下が好ましく、5以下がより好ましく、3以下が更に好ましく、2以下が最も好ましい。一方、分子内で複数の環A同士が共役してしまうと、正孔受容性が現れてしまい、酸化劣化の確率が実用上、無視できなくなる恐れがあるため、本発明の有機化合物を正孔阻止用途に用いる場合、環Aの数を表すnは1であるか、nが2以上の場合、環A同士が非共役であるのが特に好ましい。
From the viewpoint of electrical repeated reduction durability, the linking group Z in the general formula (I) is preferably an arbitrary linking group capable of substantially conjugating the rings A to each other in the molecule. Any group can be used as long as it is a linking group capable of binding to the ring A.
The electron transport material of the present invention can exhibit the most excellent reduction durability when it has two or more pyridine rings that can be substantially conjugated to each other in the molecule, thereby providing excellent electron transport properties. To express. From such a viewpoint, n representing the number of the ring A is preferably an integer of 1 or more, more preferably 2 or more. On the other hand, when there are too many rings A, the tolerance with respect to oxidation will fall, or basicity will become high too much, stability in the air may fall, and the ease of refinement | purification operation may fall. From such a viewpoint, n representing the number of rings A is preferably 10 or less, more preferably 5 or less, still more preferably 3 or less, and most preferably 2 or less. On the other hand, when a plurality of rings A are conjugated in the molecule, hole acceptability appears, and the probability of oxidative degradation cannot be ignored in practice. When used for blocking applications, n representing the number of rings A is 1, or when n is 2 or more, it is particularly preferred that the rings A are non-conjugated.

本発明の電子輸送材料は、環Aであるピリジン環以外が炭化水素基のみである場合に、広い酸化還元電位差、酸化に対する耐性、還元に対する耐性、電子輸送性を全て高い次元で満足することができるため、とりわけ好ましい。
その観点からは、RおよびRは各々独立に、炭化水素基であるのが特に好ましく、芳香族炭化水素基であるのが最も好ましい。またRおよびRは、水素原子または炭化水素基であるのが特に好ましく、芳香族炭化水素基であるのが最も好ましい。Zは、直接結合または炭化水素基であるのが特に好ましく、芳香族炭化水素基であるのが最も好ましい。
The electron transport material according to the present invention can satisfy a wide range of redox potential difference, resistance to oxidation, resistance to reduction, and electron transport properties at a high level, except when the ring A is a hydrocarbon group other than the pyridine ring. This is particularly preferable because it can be performed.
From this point of view, R 1 and R 4 are each independently particularly preferably a hydrocarbon group, and most preferably an aromatic hydrocarbon group. R 2 and R 3 are particularly preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, and most preferably an aromatic hydrocarbon group. Z is particularly preferably a direct bond or a hydrocarbon group, and most preferably an aromatic hydrocarbon group.

本発明の電子輸送材料の分子量は、通常4000以下、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下であり、また通常200以上、好ましくは300以上、より好ましくは400以上である。分子量が上限値を越えると、精製操作の容易性の低下を招いた
り、昇華性が著しく低下して電界発光素子を制作する際に蒸着法を用いる場合において支障を来す可能性があり、分子量が下限値を下回ると、ガラス転移温度、融点、気化温度などが低下したり、結晶性が高くなり過ぎたりするため、耐久性が不十分となるおそれがある。
The molecular weight of the electron transport material of the present invention is usually 4000 or less, preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, and usually 200 or more, preferably 300 or more, more preferably 400 or more. If the molecular weight exceeds the upper limit value, the ease of purification may be reduced, or the sublimation property may be significantly reduced, which may hinder the use of vapor deposition when producing electroluminescent devices. If the value is lower than the lower limit, the glass transition temperature, melting point, vaporization temperature, etc. may decrease, or the crystallinity may become too high, so that the durability may be insufficient.

次に、本発明の電子輸送材料の、好ましい具体的な例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Next, although the preferable specific example of the electron transport material of this invention is shown below, this invention is not limited to these.

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本発明の電子輸送材料は、目的物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。例えば、
A) 原料としてZ−(CHO)nを用いた場合、
1)Angew. Chem. Int. Ed. Engl. (1962) 1, 626 や Synthesis (1976),1-24や J. Heterocyclic Chem. (1977) 14, 147 や Collect. Czech.Chem.Commun. 57 (1992) 2, 385-392 やCS−262585号公報などで開示されている、1当量のアルデヒドと0.5〜2当量のアセチリドとを、硫酸などの強酸存在下で酢酸(あるいはアルコール)溶媒中、室温で1〜10時間撹拌して、あるいは水酸化ナトリウムなどの強塩基存在下、アルコールおよび/または水溶媒中、加熱条件下で1〜10時間撹拌して、中間体(−CH=C
R−CO−)を得、これを酢酸溶媒中、加熱条件下、アシルピリジニウム塩と酢酸アンモニウムを作用させて合成する方法、
The electron transport material of the present invention can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target product and using a known method. For example,
A) When Z- (CHO) n is used as a raw material,
1) Angew. Chem. Int. Ed. Engl. (1962) 1 , 626 and Synthesis (1976), 1-24 and J. Heterocyclic Chem. (1977) 14 , 147 and Collect. Czech.Chem.Commun. 57 ( 1992) 2, 385-392 and CS-262585, etc., 1 equivalent of aldehyde and 0.5 to 2 equivalents of acetylide in acetic acid (or alcohol) solvent in the presence of a strong acid such as sulfuric acid. The mixture is stirred for 1 to 10 hours at room temperature, or in the presence of a strong base such as sodium hydroxide in an alcohol and / or water solvent under heating conditions for 1 to 10 hours to obtain an intermediate (-CH = C
R-CO-), which is synthesized by reacting an acylpyridinium salt and ammonium acetate in an acetic acid solvent under heating conditions,

Figure 0004622433
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2)Liebigs Ann. Chem. (1974), 1415-1422 や J. Org. Chem. 38,(2002)6, 830-832や
特開2000−186066号公報などで開示されている、ボロントリフルオリドや過塩素酸などの酸化剤存在下、加熱条件でトルエン溶媒中、アルデヒドとアセチリドとを反応させ、ピリリウム塩を生成し、それを水やアルコール溶媒中でアンモニアと反応させる方法、
2) Boron trifluoride and the like disclosed in Liebigs Ann. Chem. (1974), 1415-1422, J. Org. Chem. 38 , (2002) 6, 830-832, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-186066. A method in which an aldehyde and acetylide are reacted in a toluene solvent under heating conditions in the presence of an oxidizing agent such as perchloric acid to form a pyrylium salt, which is reacted with ammonia in water or an alcohol solvent;

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3)J. Am. Chem. Soc. (1952) 74, 200などに開示されている、酢酸(あるいはアルコール)溶媒中、加熱条件下、酢酸アンモニウムとアルデヒドとアセチリドから一段階で合成する方法、 3) J. Am. Chem. Soc. (1952) 74 , 200, etc. discloses a one-step synthesis method from ammonium acetate, aldehyde, and acetylide under heating conditions in an acetic acid (or alcohol) solvent,

Figure 0004622433
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4)Chem. Commun. (Cambridge) (2000) 22, 2199-2200などに開示されている、水酸化ナトリウムなどの強塩基存在下、無溶媒でアルデヒドと2当量のアセチリドを室温で、乳鉢を用いてすり混ぜて中間体(ジケトン)を生成した後、酢酸(あるいはアルコール)溶媒中、加熱条件下で酢酸アンモニウムを作用させて合成する方法、 4) Chem. Commun. (Cambridge) (2000) 22 , 2199-2200, etc. In the presence of a strong base such as sodium hydroxide, aldehyde and 2 equivalents of acetylide are used in a mortar in the absence of solvent at room temperature. A method in which an intermediate (diketone) is produced by rubbing and then synthesized by reacting ammonium acetate in an acetic acid (or alcohol) solvent under heating conditions,

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5)J. Org. Chem. (1988), 53, 5960 などに開示されている、アルデヒドとエチリデン
ビニルアミンから一段階で合成する方法、
5) A method of synthesizing in one step from aldehyde and ethylidene vinylamine, disclosed in J. Org. Chem. (1988), 53, 5960, etc.

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などが適用可能である。
B) 2,4,6−位の少なくとも一カ所に塩素や臭素やヨウ素などのハロゲン原子が置換されたピリジン環を原料に用いると、前記ハロゲン元素を任意の置換基に変換が可能である。
例えば、Org. Lett. 3 (2001) 26, 4263-4265 などに開示されている、パラジウム触媒存在下、加熱条件でジンクブロマイドやボロン酸を作用させることによって合成する方法が挙げられる。
Etc. are applicable.
B) When a pyridine ring in which a halogen atom such as chlorine, bromine or iodine is substituted in at least one of the 2,4,6-positions is used as a raw material, the halogen element can be converted into an arbitrary substituent.
For example, there is a method disclosed in Org. Lett. 3 (2001) 26, 4263-4265 and the like, by synthesizing zinc bromide or boronic acid under heating conditions in the presence of a palladium catalyst.

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C) その他、各種置換基の導入、連結基Zの形成において、必要に応じ、任意に公知の手法を適用することができる。
また、例えばZが直接結合の場合、
1)アルデヒドとしてパラホルムアルデヒド、アセチリドとして芳香族アシル化合物を用い、2,6−位に芳香環基(本発明では、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基を総称して「芳香環基」と呼ぶことがある。)を有するピリジンを合成し、これをN−ブロモスクシンイミドなどのハロゲン化剤を用いてピリジン環の4−位をハロゲン化してハロゲン体を得、そのハロゲン原子を−B(OH)基や−ZnCl基や−MgBr基に変換したものと、前記ハロゲン体とをカップリング反応させて合成する方法、
2)前記ハロゲン体を、n−ブチルリチウムなどでリチオ化後、N,N−ジメチルホルムアミドで処理することで、2,6−位に芳香環基を有し、4−位に−CHO基を有するピリジンを合成した後、アセチリドと反応させて第二のピリジン環を合成する方法、
3)前記B)の出発原料として挙げた2,6−ジクロロ−4−ヨードピリジンを塩基存在下、銅粉末などの銅触媒を用いて、150〜250℃で加熱撹拌することにより、2,6,2’,6’−テトラクロロ−[4,4’]ビピリジルを合成し、これを前記Bと同様に処理することで合成する方法
などが挙げられる。
C) In addition, in the introduction of various substituents and the formation of the linking group Z, known methods can be arbitrarily applied as necessary.
For example, when Z is a direct bond,
1) Paraformaldehyde is used as an aldehyde, and an aromatic acyl compound is used as an acetylide, and an aromatic ring group at the 2,6-position (in the present invention, an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group are collectively referred to as “aromatic ring group”). Pyridine), and halogenating the 4-position of the pyridine ring using a halogenating agent such as N-bromosuccinimide to obtain a halogen compound, and the halogen atom is converted to -B ( OH) 2 group, -ZnCl group or -MgBr group and the halogen compound and a method of synthesizing it by a coupling reaction,
2) The above halogen compound is lithiated with n-butyllithium or the like and then treated with N, N-dimethylformamide to have an aromatic ring group at the 2,6-position and a -CHO group at the 4-position. A method of synthesizing a pyridine ring having a second pyridine ring by reacting with acetylide,
3) By heating and stirring 2,6-dichloro-4-iodopyridine mentioned as the starting material of B) at 150 to 250 ° C. using a copper catalyst such as copper powder in the presence of a base, 2,6 , 2 ′, 6′-tetrachloro- [4,4 ′] bipyridyl, and a method of synthesizing it by treating in the same manner as in B above.

尚、合成する際に用いられるアルデヒド(Ra−CHO)は、通常入手可能な試薬を適宜利用可能であるが、必要があれば、
1) 例えばハロゲン化物(Ra−X)や活性水素原子を有する炭化水素化合物(Ra−
H)をブチルリチウムなどのアルキルリチウム、水素化ナトリウム、トリエチルアミン、tert−ブトキシカリウム、水酸化ナトリウムなどの強塩基(好ましくはブチルリチウムなどのアルキルリチウム)を作用させた後、N,N−ジメチルホルムアミドで処理する方法(Organic& Biomolecular Chemistry(2003) 1, 7, 1157-1170; Tetrahedron Lett. 42(2001) 37, 6589-6592)、
2)-CO2R基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)をリチウムアルミニウムハイドライド、水素化硼素ナトリウム等で還元して、アルコール化後、ピリジニウムクロロクロメート、二酸化マンガン、アイオドキシベンゾイックアシッド、パーオキソジスルフェート、2,3-ジクロロ-5,6-ジシアノ-1,4-ベンゾキノン等で酸化して-CHO化する方法(J.Med. Chem. (1990)33, 2408-2412; Angew. Chem., Int. Ed. 40 (2001) 23,
4395-4397; J. Am.Chem. Soc. (2002) 124, 10, 2245-58; J. Am. Chem. Soc.(1993)115,
9, 3 752-3759; J. Chem. Res., Synop. (2001) 7, 274-276; Synthesis(2001) 15,
2273-2276; Bull. Korean Chem. Soc. 20 (1999) 11, 1373-1374; Arzneim.-Forsch.47
(1997) 1, 13-18; J. Org. Chem. 63 (1998) 16, 5658-5661; J.Chem. Soc.Sec. C; Organic (1968) 6, 630-632)、
3)-CO2R基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)をリチウムトリス(ジアルキルアミノ)アルミニウムハイドライド、ソディウムトリス(ジアルキルアミノ)アルミニウムハイドライドなどで還元し、一段階で-CHO化する方法(Bull.Korean Chem. Soc., 13 (1992) 6, 670-676; Bull. Korean Chem. Soc., 12 (1991)1, 7-8; Org.
Prep. Proced. Int. 24 (1992) 3,335-337)、
4)-CO2R基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)を水素とパラジウム触媒の存在下、一段階で-CHO化する方法(Chem.Ber. (1959) 92, 2532-2542; WO 00/12457; Bull. Chem. Soc. Jpn. (2001) 74,1803-1815) 、
5)-CN基をリチウムトリス(ジアルキルアミノ)アルミニウムハイドライドなどで
還元し、一段階で-CHO化する方法(Bull. Korean Chem. Soc., 13 (1992)6,670-676;
6)Ar-CH3基(Arは芳香環基)にo-Iodylbenzoic acid, Dess-Martinperiodinane,Acetoxyiodosylbenzoic acidなどを作用させて、直接、Ar-CHO化する方法(J.Am. Chem. Soc.
(2002) 124, 10, 2245-58)、
7)Ar-CH3基(Arは芳香環基)をAr-CH2Br、Ar-CH2OAcOを経由してAr-CH2OHに変換後、ピリジニウムクロロクロメート、二酸化マンガン、アイオドキシベンゾイックアシッド等で酸化して-CHO化する方法(J.Org. Chem. (1993) 58,3582-3585)、
8)1-エチル-1-アリールアリルアルコールにVilsmeier試薬を作用させて、アリールカルボキシアルデヒドを合成する方法(IndianJournal of Chemistry (1988) 27B, 213-216
)、
9)1,4-Cyclohexadiene類にVilsmeier試薬を作用させて、アリールカルボキシアルデヒ
ドを合成する方法(Synthesis (1987), 197-199; Synthesis (1985), 779-781)
10)Ar-CH3基(Arは芳香環基)を臭素、N-ブロモ琥珀酸イミドなどを用いて臭素化してAr-CH2Brとした後、2-Nitropropanecarboanion試薬、Hexamethylenetetramine等を作用さ
せてAr-CHO化する方法(Collect.Czech. Chem. Commun. (1996) 61, 1464-1472; Chem. Eur. J. (1996) 2, 12,1585-1595; J. Chem. Research (S), (1999) 210-211)、
11)ポリメチニウム塩(ヘプタメチニウム塩など)からアリールアルデヒド(1,3,5-ト
リホルミルベンゼンなど)を得る方法(Collect. Czech. Chem. Commun. (1965)30, 53-60)、
12)トリホルミルメタンのself-condensationにより、1,3,5-トリホルミルベンゼンを得る方法(Collect.Czech. Chem. Commun. (1962) 27, 2464-2467)、
13)Ar-CHBr2基(Arは芳香環基)をジアルキルアミンを用いてAr-CHO化する方法(Bulletinde La Societe Chmique De France (1966) 9, 2966-2971)
などにより、容易に合成することが可能である。
In addition, although the aldehyde (Ra-CHO) used at the time of a synthesis | combination can use a normally available reagent suitably, if needed,
1) For example, a halide (Ra-X) or a hydrocarbon compound having an active hydrogen atom (Ra-
H) is reacted with an alkyl lithium such as butyl lithium, a strong base such as sodium hydride, triethylamine, tert-butoxy potassium or sodium hydroxide (preferably an alkyl lithium such as butyl lithium), and then N, N-dimethylformamide (Organic & Biomolecular Chemistry (2003) 1, 7, 1157-1170; Tetrahedron Lett. 42 (2001) 37, 6589-6592),
2) -CO 2 R group (R is hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) is reduced with lithium aluminum hydride, sodium borohydride, etc., and after alcoholation, pyridinium chlorochromate, dioxide Oxidation with manganese, iodoxybenzoic acid, peroxodisulfate, 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone, etc. to form -CHO (J. Med. Chem. ( 1990) 33, 2408-2412; Angew. Chem., Int. Ed. 40 (2001) 23,
4395-4397; J. Am. Chem. Soc. (2002) 124, 10, 2245-58; J. Am. Chem. Soc. (1993) 115,
9, 3 752-3759; J. Chem. Res., Synop. (2001) 7, 274-276; Synthesis (2001) 15,
2273-2276; Bull. Korean Chem. Soc. 20 (1999) 11, 1373-1374; Arzneim.-Forsch. 47
(1997) 1, 13-18; J. Org. Chem. 63 (1998) 16, 5658-5661; J. Chem. Soc. Sec. C; Organic (1968) 6, 630-632),
3) Reduce the -CO 2 R group (where R is a hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) with lithium tris (dialkylamino) aluminum hydride, sodium tris (dialkylamino) aluminum hydride, etc. -CHO method in stages (Bull. Korean Chem. Soc., 13 (1992) 6, 670-676; Bull. Korean Chem. Soc., 12 (1991) 1, 7-8; Org.
Prep. Proced. Int. 24 (1992) 3,335-337),
4) A method in which —CO 2 R group (where R is a hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) is made into —CHO in the presence of hydrogen and a palladium catalyst (Chem. Ber. (1959 ) 92, 2532-2542; WO 00/12457; Bull. Chem. Soc. Jpn. (2001) 74,1803-1815),
5) -CN group with lithium tris (dialkylamino) aluminum hydride, etc.
A method of reducing and converting to -CHO (Bull. Korean Chem. Soc., 13 (1992) 6,670-676;
6) Ar-CH 3 group (Ar is an aromatic ring group) by reacting o-Iodylbenzoic acid, Dess-Martinperiodinane, Acetoxyiodosylbenzoic acid, etc., directly into Ar-CHO (J. Am. Chem. Soc.
(2002) 124, 10, 2245-58),
7) Ar-CH 3 group (Ar is an aromatic ring group) converted to Ar-CH 2 OH via Ar-CH 2 Br and Ar-CH 2 OAcO, then pyridinium chlorochromate, manganese dioxide, iodoxiben Oxidation with zoic acid or the like to form -CHO (J. Org. Chem. (1993) 58,3582-3585),
8) Method of synthesizing aryl carboxaldehyde by reacting 1-ethyl-1-arylallyl alcohol with Vilsmeier reagent (Indian Journal of Chemistry (1988) 27B, 213-216
),
9) A method of synthesizing aryl carboxaldehyde by reacting 1,4-Cyclohexadiene with Vilsmeier reagent (Synthesis (1987), 197-199; Synthesis (1985), 779-781)
10) After bromination of Ar-CH 3 group (Ar is an aromatic ring group) using bromine, N-bromosuccinimide, etc. to make Ar-CH 2 Br, 2-Nitropropanecarboanion reagent, Hexamethylenetetramine, etc. are allowed to act on Ar-CHO method (Collect.Czech. Chem. Commun. (1996) 61, 1464-1472; Chem. Eur. J. (1996) 2, 12,1585-1595; J. Chem. Research (S), (1999) 210-211),
11) A method for obtaining an aryl aldehyde (such as 1,3,5-triformylbenzene) from a polymethium salt (such as heptamethinium salt) (Collect. Czech. Chem. Commun. (1965) 30, 53-60),
12) A method of obtaining 1,3,5-triformylbenzene by self-condensation of triformylmethane (Collect.Czech. Chem. Commun. (1962) 27, 2464-2467),
13) Ar-CHO using Ar-CHBr 2 groups (Ar is an aromatic ring group) using dialkylamine (Bulletinde La Societe Chmique De France (1966) 9, 2966-2971)
Etc. can be easily synthesized.

本発明の化合物を合成する際に用いられるケトン(Rt−CO−CH2−Rs)は、通
常入手可能な試薬を適宜利用可能であるが、必要があれば、
1)Rt-CO2R基(Rは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基)を各種アルキル化剤(アルキルリチウム、ジメチル硫酸、ジメチルスルホキシドなど)で処理することにより、Rt-CO-CH2Rs化する方法(J.Am. Chem. Soc. (1959), 81, 935-939; J. Am. Chem. Soc. (1961) 83, 4668-;Tetrahedron Lett. (1967) 1073-; J. Chem. Soc. (1960) 360-; J. Chem. Soc.,Perkin Trans. 1 (1977) 680; JP5-5062039)、
2)塩化アルミニウムなどのルイス酸触媒存在下、酸クロライドなどのアシル化剤を作用させて合成する方法(極めて一般的な、フリーデルクラフツ反応)
などにより、容易に合成することが可能である。
As the ketone (Rt—CO—CH 2 —Rs) used in the synthesis of the compound of the present invention, a commonly available reagent can be appropriately used.
1) By treating Rt-CO 2 R group (R is hydrogen atom, chlorine atom, alkyl group, aromatic ring group, amino group) with various alkylating agents (alkyl lithium, dimethyl sulfate, dimethyl sulfoxide, etc.), Rt -CO-CH 2 Rs (J. Am. Chem. Soc. (1959), 81, 935-939; J. Am. Chem. Soc. (1961) 83, 4668-; Tetrahedron Lett. (1967) 1073-; J. Chem. Soc. (1960) 360-; J. Chem. Soc., Perkin Trans. 1 (1977) 680; JP5-5062039),
2) Synthesis by reacting an acylating agent such as acid chloride in the presence of a Lewis acid catalyst such as aluminum chloride (very common Friedel-Crafts reaction)
Etc. can be easily synthesized.

また、反応生成物から、目的物を常法に従って、ろ過または抽出後、濃縮することにより溶媒から分離し、適宜、再結晶化、カラムクロマトグラフィー等の手法により、精製して本発明の化合物を得ることができる。
本発明の電子輸送材料を電界発光素子に適用する場合、
1)電子輸送層に適用する場合、本発明の電子輸送材料を単独で使用可能であり、本発明の性能を損なわない範囲で必要に応じて、更に微量の正孔輸送性材料を混合して使用することも可能である。
2)発光層のホスト材料として適用する場合、ドーパントに十分な正孔輸送性がある場合は、本発明の電子輸送材料を単独で可能であるが、本発明の性能を損なわない範囲で任意の正孔輸送性材料を併用するのが好ましい。
In addition, the target product is separated from the reaction product by filtration, extraction or concentration from the reaction product according to a conventional method, and the product of the present invention is purified by a method such as recrystallization or column chromatography as appropriate. Obtainable.
When applying the electron transport material of the present invention to an electroluminescent device,
1) When applied to an electron transport layer, the electron transport material of the present invention can be used alone, and if necessary, a trace amount of a hole transport material may be further mixed as long as the performance of the present invention is not impaired. It is also possible to use it.
2) When applied as a host material for the light-emitting layer, if the dopant has sufficient hole transportability, the electron transport material of the present invention can be used alone, but it is optional as long as the performance of the present invention is not impaired. It is preferable to use a hole transporting material in combination.

本発明の電子輸送材料を有機電界発光素子に適用した場合、発光層にドーパントとして燐光発光性色素である有機金属錯体を用いるときに、特に優れた発光効率と駆動寿命をもたらす。中でも、前記有機金属錯体が、2−アリールピリジン骨格を有する配位子と金属元素とが、炭素−金属シグマ結合および窒素−金属配位結合によって連結されているものであるときに、効果が顕著である。   When the electron transport material of the present invention is applied to an organic electroluminescent device, particularly excellent luminous efficiency and driving life are obtained when an organometallic complex that is a phosphorescent dye is used as a dopant in the light emitting layer. Among them, the effect is remarkable when the organometallic complex is one in which a ligand having a 2-arylpyridine skeleton and a metal element are linked by a carbon-metal sigma bond and a nitrogen-metal coordination bond. It is.

中心金属としては、生成する錯体の発光機構が少なくとも配位子軌道から金属原子軌道への電荷移動を伴うものを含んでいるものであるのが好ましい。
本発明の電子輸送材料を、2−アリールアミノピリジン骨格を有する配位子、2−アリールアミノピリジン骨格を有する配位子をもつドーパントと、同一の層(発光層)および/または該ドーパントを含む層に隣接した層(正孔阻止層および/または電子輸送層)に適用すると、前記電子輸送材料は、2−アリールピリジン骨格含有配位子との物理化学的な類似性、電気化学的な類似性、三重項励起準位の類似性などが効果を発揮して、ドーパント上での電荷の再結合効率向上、ホスト分子からドーパントへのエネルギー移動効率向上、発光層−正孔阻止層間での励起子失活確率低減などがもたらされるため好ましい。
As the central metal, it is preferable that the light emission mechanism of the complex to be generated contains at least a charge transfer from the ligand orbital to the metal atom orbital.
The electron transport material of the present invention includes a ligand having a 2-arylaminopyridine skeleton, a dopant having a ligand having a 2-arylaminopyridine skeleton, the same layer (light emitting layer) and / or the dopant. When applied to a layer adjacent to the layer (a hole blocking layer and / or an electron transport layer), the electron transport material has a physicochemical similarity and an electrochemical similarity with a ligand containing a 2-arylpyridine skeleton. , The similarity of triplet excitation levels, etc. exerts an effect, improving the recombination efficiency of charges on the dopant, improving the energy transfer efficiency from the host molecule to the dopant, excitation between the light emitting layer and the hole blocking layer This is preferable because it reduces the probability of child inactivation.

本発明における電子輸送材料は、高い電子輸送性と正孔阻止性を有するため、電子輸送材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。
また前記電子輸送材料を用いることにより、耐熱性に優れ、長期間安定に駆動(発光)する有機電界発光素子が得られるため、有機電界発光素子材料として好適である。
Since the electron transport material in the present invention has high electron transport properties and hole blocking properties, it is suitable as an electron transport material for an electrophotographic photosensitive member, an organic electroluminescent device, a photoelectric conversion device, an organic solar cell, an organic rectifying device, and the like. Can be used.
Further, by using the electron transporting material, an organic electroluminescent element that has excellent heat resistance and can be stably driven (emitted) for a long period of time can be obtained. Therefore, it is suitable as an organic electroluminescent element material.

次に、本発明の有機電界発光素子について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、陽極、発光層および陰極が順次積層されてなり、前記一般式(I)で表される本発明の電子輸送材料を含む層を有することを特徴とする。
特に、本発明の電子輸送材料の優れた電子輸送性を生かすため、該電子輸送材料を含む層は、発光層であるか、または発光層と陰極との間に設けられた電子輸送性の層である場合が好ましい。また、本発明の電子輸送材料の、優れた正孔阻止性を生かすには、該電子輸送材料を含む層を、発光層の陰極側界面に接して設けられる正孔阻止層とする場合がよ
り好ましい。
Next, the organic electroluminescent element of the present invention will be described.
The organic electroluminescent element of the present invention is characterized in that an anode, a light emitting layer, and a cathode are sequentially laminated, and has a layer containing the electron transport material of the present invention represented by the general formula (I).
In particular, in order to take advantage of the excellent electron transport property of the electron transport material of the present invention, the layer containing the electron transport material is a light emitting layer or an electron transporting layer provided between the light emitting layer and the cathode. Is preferred. In order to make use of the excellent hole blocking property of the electron transport material of the present invention, the layer containing the electron transport material may be a hole blocking layer provided in contact with the cathode side interface of the light emitting layer. preferable.

本発明の有機電界発光素子において、同一の層内に2種以上の本発明電子輸送材料が含有されていても良く、また、2以上の層に本発明電子輸送材料が含有されている場合、これらの層に含有される該電子輸送材料は同一のものであっても異なるものであってもよい。本発明の電子輸送材料は、素子中の発光層のホストまたは正孔阻止材料として用いることができるが、駆動寿命の観点から発光層のホストおよび正孔阻止層の両方に用いることがより好ましい。この場合、発光層のホストおよび正孔阻止層に使用する電子輸送材料は同一のものであってもよいし、異なっていてもよい。また、複数混合されていてもよい。   In the organic electroluminescent element of the present invention, two or more kinds of the electron transport material of the present invention may be contained in the same layer, and when the present invention electron transport material is contained in two or more layers, The electron transport materials contained in these layers may be the same or different. The electron transport material of the present invention can be used as a host or hole blocking material of the light emitting layer in the device, but is more preferably used for both the host and hole blocking layer of the light emitting layer from the viewpoint of driving life. In this case, the electron transport materials used for the host and hole blocking layer of the light emitting layer may be the same or different. A plurality of them may be mixed.

なお、本発明の有機電界発光素子において、陰極−発光層間に設けられる層を「電子輸送層」と称し、2つ以上の場合は陰極に接している層を「電子注入層」、それ以外の層を総称して「電子輸送層」と称す。また、陰極−発光層間に設けられた層のうち、発光層に接している層を、特に「正孔阻止層」と称する場合がある。
以下に、添付図面を参照して、本発明の電子輸送材料を正孔阻止層に含有する場合を例に、本発明の有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
In the organic electroluminescence device of the present invention, a layer provided between the cathode and the light emitting layer is referred to as an “electron transport layer”, and in the case of two or more layers, a layer in contact with the cathode is referred to as an “electron injection layer”, and other layers. The layers are collectively referred to as “electron transport layers”. Of the layers provided between the cathode and the light emitting layer, the layer in contact with the light emitting layer may be particularly referred to as a “hole blocking layer”.
Embodiments of the organic electroluminescent device of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings, taking as an example the case where the electron transport material of the present invention is contained in a hole blocking layer.

図1は本発明に用いられる一般的な有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は陽極、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、8は陰極を各々表わす。
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板またはフイルムが好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a structural example of a general organic electroluminescence device used in the present invention. 1 is a substrate, 2 is an anode, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, and 6 is a light emitting layer. A hole blocking layer, 8 represents a cathode.
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a plastic film, a sheet, or the like is used. In particular, a glass plate, a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone, or a film is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

基板1上には陽極2が設けられるが、陽極2は正孔輸送層4への正孔注入の役割を果たすものである。陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極2は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより形成されることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などで陽極2を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液中に分散させて、基板1上に塗布することにより形成することもできる。さらに、導電性高分子で陽極2を形成する場合には、電解重合により基板1上に直接重合薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   An anode 2 is provided on the substrate 1, and the anode 2 plays a role of hole injection into the hole transport layer 4. The anode 2 is usually made of metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, metal oxide such as oxide of indium and / or tin, metal halide such as copper iodide, carbon black, or poly It is composed of conductive polymers such as (3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline. In general, the anode 2 is often formed by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like. Further, when the anode 2 is formed of metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder, It can also be formed by dispersing and coating on the substrate 1. Further, when the anode 2 is formed of a conductive polymer, a polymerized thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or a conductive polymer can be applied to the substrate 1 (Appl). Phys. Lett., 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、所望により金属で形成して基板1を兼ねてもよい。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and if desired, it may be formed of metal to serve as the substrate 1.

図1に示す構成の素子において、陽極2の上には正孔輸送層4が設けられる。正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層5に接するために発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Tgとして85℃以上の値を有する材料が望ましい。   In the element having the configuration shown in FIG. 1, a hole transport layer 4 is provided on the anode 2. As conditions required for the material of the hole transport layer, it is necessary that the material has a high hole injection efficiency from the anode and can efficiently transport the injected holes. For this purpose, the ionization potential is small, the transparency to visible light is high, the hole mobility is high, the stability is high, and impurities that become traps are less likely to be generated during manufacturing and use. Required. Further, in order to contact the light emitting layer 5, it is required not to quench the light emitted from the light emitting layer or to form an exciplex with the light emitting layer to reduce the efficiency. In addition to the above general requirements, when the application for in-vehicle display is considered, the element is further required to have heat resistance. Therefore, a material having a Tg value of 85 ° C. or higher is desirable.

このような正孔輸送材料としては、例えば、4,4′−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン(特開平5−234681号公報)、4,4′,4″−トリス(1−ナフチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物(J. Lumin., 72−74巻、985頁、1997年)、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物(Chem. Commun., 2175頁、1996年)、2,2′,7,7″−テトラキス−(ジフェニルアミノ)−9,9′−スピロビフルオレン等のスピロ化合物(Synth.
Metals, 91巻、209頁、1997年)等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、複数種混合して用いてもよい。
Examples of such a hole transport material include two or more tertiary amines represented by 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, and two or more Aromatics having a starburst structure such as aromatic diamines in which a condensed aromatic ring is substituted with a nitrogen atom (Japanese Patent Laid-Open No. 5-234681), 4,4 ', 4 "-tris (1-naphthylphenylamino) triphenylamine Group amine compounds (J. Lumin., 72-74, 985, 1997), aromatic amine compounds consisting of tetramers of triphenylamine (Chem. Commun., 2175, 1996), 2, 2 Spiro compounds such as', 7,7 "-tetrakis- (diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene (Synth.
Metals, 91, 209, 1997). These compounds may be used alone or in combination as necessary.

上記の化合物以外に、正孔輸送層4の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン(特開平7−53953号公報)、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン(Polym. Adv. Tech., 7巻、33頁、1996年)等の高分子材料が挙げられる。
正孔輸送層4は、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。
In addition to the above compounds, polyarylene ether sulfone (Polym. Adv. Tech.) Containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine (Japanese Patent Laid-Open No. 7-53953), and tetraphenylbenzidine as the material of the hole transport layer 4 is used. , 7, p. 33, 1996).
The hole transport layer 4 may be formed by a normal coating method such as a spray method, a printing method, a spin coating method, a dip coating method, or a die coating method, a wet film forming method such as various printing methods such as an ink jet method or a screen printing method, or a vacuum. It can be formed by a dry film formation method such as a vapor deposition method.

塗布法の場合は、正孔輸送材料を1種または2種以上を、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、適当な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極2上に塗布し、乾燥して正孔輸送層4を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量%以下が好ましい。   In the case of the coating method, one or more hole transport materials are added, and if necessary, additives such as binder resins and coating property improving agents that do not trap holes are added and dissolved in a suitable solvent. A solution is prepared, applied onto the anode 2 by a method such as spin coating, and dried to form the hole transport layer 4. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. When the binder resin is added in a large amount, the hole mobility is lowered.

真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極2が形成された基板1上に正孔輸送層4を形成させる。
正孔輸送層4の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
In the case of the vacuum evaporation method, the hole transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump, and then the crucible is heated, The hole transport material is evaporated and a hole transport layer 4 is formed on the substrate 1 on which the anode 2 is formed, which is placed facing the crucible.
The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less. In order to uniformly form such a thin film, a vacuum deposition method is generally used.

図1に示す素子において、正孔輸送層4の上には発光層5が設けられる。発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入されて正孔輸送層を移動する正孔と、陰極から注入されて正孔阻止層6を移動する電子との再結合により励起されて強い発光を示す発光性化合物より形成される。
発光層5に用いられる発光性化合物としては、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い発光(蛍光または燐光)量子収率を示し、正孔および/または電子を効率よく輸送するこ
とができる化合物であることが必要である。さらに電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
In the element shown in FIG. 1, a light emitting layer 5 is provided on the hole transport layer 4. The light emitting layer 5 is excited by recombination of holes injected from the anode and moving through the hole transport layer and electrons injected from the cathode and moved through the hole blocking layer 6 between the electrodes to which an electric field is applied. And formed from a luminescent compound that exhibits strong luminescence.
The light-emitting compound used for the light-emitting layer 5 has a stable thin film shape, exhibits high emission (fluorescence or phosphorescence) quantum yield in the solid state, and can efficiently transport holes and / or electrons. It must be a compound. Further, it is required to be a compound that is electrochemically and chemically stable and does not easily generate impurities as traps during production or use.

このような条件を満たし、蛍光を発する発光層を形成する材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体(特開平6−322362号公報)、ビススチリルベンゼン誘導体(特開平1−245087号公報、同2−222484号公報)、ビススチリルアリーレン誘導体(特開平2−247278号公報)、(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体(特開平8−315983号公報)、シロール誘導体、等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔輸送層上に積層される。また、前述の正孔輸送層材料のうち、発光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材料として用いることが出来る。   As a material that satisfies such conditions and forms a light emitting layer that emits fluorescence, a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), 10-hydroxybenzo [h] quinoline Metal complexes (JP-A-6-322362), bisstyrylbenzene derivatives (JP-A-1-245087, JP-A-2-222484), bisstyrylarylene derivatives (JP-A-2-247278), (2- Hydroxyphenyl) benzothiazole metal complexes (Japanese Patent Laid-Open No. 8-315983), silole derivatives, and the like. These light emitting layer materials are usually laminated on the hole transport layer by a vacuum deposition method. Of the hole transport layer materials described above, an aromatic amine compound having a light emitting property can also be used as the light emitting layer material.

なお、本発明の電子輸送材料は、この発光層材料として使用することも可能である。その場合には、正孔阻止層6または電子輸送層7に使用できる材料として前述した公知材料に代表される、その他の電子輸送性材料や正孔阻止材料の中から、本発明の前記一般式(I)で表される電子輸送材料よりも0.1eV以上大きなイオン化ポテンシャルを有する材料を選択して使用することが好ましい。   The electron transport material of the present invention can also be used as the light emitting layer material. In that case, the general formula of the present invention is selected from other electron transporting materials and hole blocking materials represented by the known materials described above as materials that can be used for the hole blocking layer 6 or the electron transport layer 7. It is preferable to select and use a material having an ionization potential greater by 0.1 eV or more than the electron transport material represented by (I).

更に本発明の有機電界発光素子において、前述の通り発光層と発光層の陰極側界面に接する層(例えば、正孔阻止層)の両方に、前記一般式(I)で表される電子輸送材料を使用しても良く、駆動寿命の観点からは特に好ましい。発光層にドーパントを含まない場合は、前記一般式(I)で表される電子輸送材料よりなる群から、イオン化ポテンシャルの差が0.1eV以上である電子輸送材料を選択し、発光層と正孔阻止層に各々使用すればよい。発光層にドーパントを含む場合は、ドーパントのイオン化ポテンシャルより0.1eV以上大きい電子輸送材料を前記一般式(I)で表される電子輸送材料群から選択し、発光層と正孔阻止層に各々使用すればよい。   Furthermore, in the organic electroluminescent device of the present invention, as described above, the electron transport material represented by the general formula (I) is provided on both the light emitting layer and the layer (for example, hole blocking layer) in contact with the cathode side interface of the light emitting layer. May be used, and is particularly preferable from the viewpoint of driving life. When the light emitting layer does not contain a dopant, an electron transport material having a difference in ionization potential of 0.1 eV or more is selected from the group consisting of the electron transport materials represented by the general formula (I), and What is necessary is just to use for a hole prevention layer, respectively. When the light emitting layer contains a dopant, an electron transport material larger than the ionization potential of the dopant by 0.1 eV or more is selected from the electron transport material group represented by the general formula (I), and the light emitting layer and the hole blocking layer are respectively Use it.

素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること(J. Appl. Phys., 65巻, 3610頁, 1989年)等が行われている。このドーピング手法は、発光層5にも適用でき、ドープ用材料としては、クマリン以外にも各種の蛍光色素が使用できる。
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
For the purpose of improving the light emission efficiency of the device and changing the emission color, for example, doping a fluorescent dye for laser such as coumarin with an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material (J. Appl. Phys., Volume 65). , 3610, 1989). This doping technique can also be applied to the light emitting layer 5, and various fluorescent dyes can be used as a doping material in addition to coumarin.
Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

上記のドープ用蛍光色素以外にも、ホスト材料に応じて、レーザー研究,8巻,694頁,803頁,958頁(1980年);同9巻,85頁(1981年)、に列挙されている蛍光色素などが発光層用のドープ材料として使用することができる。
ホスト材料に対して上記蛍光色素がドープされる量は、10-3重量%以上が好ましく、0.1重量%以上がより好ましい。また10重量%以下が好ましく、3重量%以下がより好ましい。下限値を下回ると、素子の発光効率向上に寄与できない場合があり、上限値を越えると濃度消光が起き、発光効率の低下に至る可能性がある。
Other than the above-mentioned fluorescent dyes for doping, depending on the host material, listed in Laser Research, 8, 694, 803, 958 (1980); 9, 9, 85 (1981). Fluorescent dyes and the like that can be used as a doping material for the light emitting layer.
The amount by which the fluorescent dye is doped with respect to the host material is preferably 10 −3 wt% or more, more preferably 0.1 wt% or more. Moreover, 10 weight% or less is preferable and 3 weight% or less is more preferable. If the lower limit is not reached, it may not be possible to contribute to improving the luminous efficiency of the device. If the upper limit is exceeded, concentration quenching may occur, leading to a reduction in luminous efficiency.

一方、燐光発光を示す発光層は、通常、燐光性ドーパントとホスト材料を含んで形成される。燐光性ドーパントとしては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられ、該金属錯体のT1(最低励起三重項準位)より高いT1を有す
る電荷輸送性有機化合物をホスト材料として使用することが好ましい。
周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における、該金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、および金が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(X)または一般式(VI)で表される化合物が挙げられる。
On the other hand, a light-emitting layer that emits phosphorescence is usually formed including a phosphorescent dopant and a host material. Examples of the phosphorescent dopant include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table, and charge transporting organic compounds having a T1 higher than the T1 (lowest excited triplet level) of the metal complex. It is preferable to use it as a host material.
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (X) or general formula (VI).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、Mは金属、kは該金属の価数を表す。LおよびL’は二座配位子を表す。jは0または1または2を表す。) (In the formula, M represents a metal, k represents a valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2.)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、Mは金属、Tは炭素または窒素を表わす。Tが窒素の場合はR14、R15は無く、Tが炭素の場合はR14、R15は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。 (In the formula, M 7 represents a metal, T represents carbon or nitrogen. When T is nitrogen, there is no R 14 or R 15 , and when T is carbon, R 14 or R 15 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or an alkyl. Group, aralkyl group, alkenyl group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group, alkoxy group, alkylamino group, aralkylamino group, haloalkyl group, hydroxyl group, aryloxy group, substituent Represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

12、R13は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、互いに連結して環を形成しても良い。)
一般式(X)中の二座配位子LおよびL’はそれぞれ以下の部分構造を有する配位子を示す。
R 12 and R 13 are hydrogen atom, halogen atom, alkyl group, aralkyl group, alkenyl group, cyano group, amino group, acyl group, alkoxycarbonyl group, carboxyl group, alkoxy group, alkylamino group, aralkylamino group, haloalkyl group , A hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and may be linked to each other to form a ring. )
In the general formula (X), the bidentate ligands L and L ′ each represent a ligand having the following partial structure.

Figure 0004622433
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(環A1および環A1’は各々独立に、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、置換基を有していてもよい。環A2および環A2’は含窒素芳香族複素環基を表わし、置換基を有していてもよい。R’、R’’およびR’’’はそれぞれハロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;メトキシ基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルアミノ基;ジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アシル基;ハロアルキル基またはシアノ基を表す。)
一般式(X)で表される化合物として、さらに好ましくは下記一般式(Va)、(Vb)および(Vc)で表される化合物が挙げられる。
(Ring A1 and Ring A1 ′ each independently represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, which may have a substituent. Ring A2 and Ring A2 ′ are nitrogen-containing aromatic heterocyclic groups. R ′, R ″, and R ′ ″ each represent a halogen atom; an alkyl group; an alkenyl group; an alkoxycarbonyl group; a methoxy group; an alkoxy group; an aryloxy group; (Amino group; diarylamino group; carbazolyl group; acyl group; haloalkyl group or cyano group)
More preferable examples of the compound represented by the general formula (X) include compounds represented by the following general formulas (Va), (Vb), and (Vc).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、Mは金属、kは該金属の価数を表す。環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わし、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。) (Wherein M 4 represents a metal, k represents a valence of the metal, ring A 1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and ring A 2 may have a substituent. Represents a good nitrogen-containing aromatic heterocyclic group.)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、Mは金属、kは該金属の価数を表す。環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。) (In the formula, M 5 represents a metal, k represents a valence of the metal, ring A 1 represents an aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group which may have a substituent, and ring A 2 represents a substituent. Represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、Mは金属、kは該金属の価数を表し、jは0または1または2を表す。環A1および環A1’は各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、環A2および環A2’は各々独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。)
一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物の環A1および環A1’として、好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、またはカルバゾリル基が挙げられる。
(In the formula, M 6 represents a metal, k represents a valence of the metal, and j represents 0, 1 or 2. Ring A1 and ring A1 ′ each independently represents an aromatic group which may have a substituent. An aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ each independently represent a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)
As the ring A1 and ring A1 ′ of the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb), (Vc), preferably a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a thienyl group, a furyl group, a benzothienyl Group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, or carbazolyl group.

環A2および環A2’として、好ましくは、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、またはフェナントリジル基が挙げられる。
一般式(Va)、(Vb)および(Vc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1〜6のアルキル基;ビニル基等の炭素数2〜6のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数2〜6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられ、これらは互いに連結して環を形成しても良い。
Ring A2 and ring A2 ′ are preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, or phenanthridyl group. Can be mentioned.
Examples of the substituent that the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb) and (Vc) may have include a halogen atom such as a fluorine atom; a C 1-6 carbon atom such as a methyl group and an ethyl group An alkyl group; an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a vinyl group; an alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group and an ethoxycarbonyl group; an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group; An aryloxy group such as a phenoxy group and a benzyloxy group; a dialkylamino group such as a dimethylamino group and a diethylamino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; A haloalkyl group; a cyano group, and the like, which may be linked to each other to form a ring.

なお、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基が結合、または環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基が結合して、一つの縮合環を形成してもよく、このような縮合環としては7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
環A1、環A1’、環A2および環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、またはカルバゾリル基が挙げられる。
In addition, the substituent which ring A1 and the substituent which ring A2 has may combine, or the substituent which ring A1 'and the substituent which ring A2' may combine may form one condensed ring, Examples of such a condensed ring include a 7,8-benzoquinoline group.
As the substituent for ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, or a carbazolyl group is more preferable. Can be mentioned.

式(Va)、(Vb)におけるM4ないしM5として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。式(VI)におけるMとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。 M4 to M5 in the formulas (Va) and (Vb) are preferably ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold. M 7 in the formula (VI) is preferably ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold, and particularly preferably a divalent metal such as platinum or palladium.

前記一般式(X)、(Va)、(Vb)および(Vc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるわけではない。   Specific examples of the organometallic complexes represented by the general formulas (X), (Va), (Vb) and (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

前記一般式(VI)で表わされる有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるわけではない。   Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (VI) are shown below, but are not limited to the following compounds.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

なお、前述したように、本発明の電子輸送材料との親和性に起因する効果の点からは、発光層中に含まれる有機金属錯体としては、環A1が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環で、環A2が置換基を有していてもよいピリジン環である(即ち、2−アリールピリジン骨格を有する)配位子L、および/または、環A1’が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環で、環A2’が置換基を有していてもよいピリジン環である(即ち、2−アリールピリジン骨格を有する)配位子L’、を有する一般式(X)で表される有機金属錯体が好ましい。   In addition, as mentioned above, from the point of the effect resulting from the affinity with the electron transport material of the present invention, ring A1 may have a substituent as the organometallic complex contained in the light emitting layer. Ligand L which is an aromatic hydrocarbon ring and ring A2 is an optionally substituted pyridine ring (that is, has a 2-arylpyridine skeleton), and / or ring A1 ′ has a substituent An aromatic hydrocarbon ring optionally having a ligand L ′ in which ring A2 ′ is a pyridine ring optionally having a substituent (that is, having a 2-arylpyridine skeleton) An organometallic complex represented by the formula (X) is preferable.

特に、
i)環A1が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環で、環A2が置換基を有していてもよいピリジン環である(即ち、2−アリールピリジン骨格を有する)、一般式(Va)で表される化合物、
ii)環A1が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環で、環A2が置換基を有していてもよいピリジン環である(即ち、2−アリールピリジン骨格を有する)、一般式(Vb)で表される化合物、
iii)環A1が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環で、環A2が置換基を有して
いてもよいピリジン環である(即ち、2−アリールピリジン骨格を有する)、および/または、環A1’が置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環で、環A2’が置換基を有
していてもよいピリジン環である(即ち、2−アリールピリジン骨格を有する)、一般式(Vc)で表される化合物
のいずれかである場合が、特に好ましい。
In particular,
i) Ring A1 is an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring, and ring A2 is an optionally substituted pyridine ring (ie, having a 2-arylpyridine skeleton). A compound represented by the formula (Va):
ii) Ring A1 is an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring, and Ring A2 is an optionally substituted pyridine ring (ie, having a 2-arylpyridine skeleton), A compound represented by the formula (Vb):
iii) Ring A1 is an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring, and Ring A2 is an optionally substituted pyridine ring (ie, having a 2-arylpyridine skeleton), and / Or ring A1 ′ is an optionally substituted aromatic hydrocarbon ring, and ring A2 ′ is an optionally substituted pyridine ring (that is, having a 2-arylpyridine skeleton) ) And any of the compounds represented by formula (Vc) are particularly preferred.

なお、上記環A2および/または環A2’が置換基を有していてもよいピリジン環であり、環A1および/または環A1’が前記一般式(I)におけるRおよび/またはRと同じ環構造である場合が、最も好ましい。
燐光発光を示す発光層に使用されるホスト材料としては、蛍光発光を示す発光層に使用されるホスト材料として前述した材料(前記一般式(I)で表わされる本発明の電子輸送材料を含む)の他に、4,4'−N,N'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体(WO 00/70655号公報)、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(USP 6,303,238号公報)、2,2',2’’−(1,3,5−ベンゼ
ントリル)トリス[1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール](Appl.Phys.Lett., 78
巻, 1622項, 2001)、ポリビニルカルバゾール(特開2001−257076号公報)等が挙げられる。
The ring A2 and / or the ring A2 ′ is a pyridine ring which may have a substituent, and the ring A1 and / or the ring A1 ′ is R 1 and / or R 4 in the general formula (I). Most preferred is the same ring structure.
The host material used for the light emitting layer exhibiting phosphorescence emission includes the materials described above as the host material used for the light emission layer exhibiting fluorescence emission (including the electron transport material of the present invention represented by the general formula (I)). In addition, carbazole derivatives such as 4,4′-N, N′-dicarbazole biphenyl (WO 00/70655), tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (USP 6,303,238), 2 , 2 ′, 2 ″-(1,3,5-benzenetolyl) tris [1-phenyl-1H-benzimidazole] (Appl. Phys. Lett., 78
Volume, 1622, 2001), polyvinylcarbazole (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-257076), and the like.

さらに本発明の有機電界発光素子における発光層は、ホスト材料および燐光性ドーパントと共に、前述の蛍光色素を含有していてもよい。
発光層中にドーパントとして含有される有機金属錯体の量は、0.1重量%以上が好ましく、また30重量%以下が好ましい。下限値を下回ると素子の発光効率向上に寄与できない場合があり、上限値を上回ると有機金属錯体同士が2量体を形成する等の理由で濃度消光が起き、発光効率の低下に至る可能性がある。
Furthermore, the light emitting layer in the organic electroluminescent element of the present invention may contain the above-described fluorescent dye together with the host material and the phosphorescent dopant.
The amount of the organometallic complex contained as a dopant in the light emitting layer is preferably 0.1% by weight or more, and more preferably 30% by weight or less. If the lower limit is not reached, it may not be possible to contribute to improving the luminous efficiency of the device. If the upper limit is exceeded, concentration quenching may occur due to the formation of a dimer between organometallic complexes, etc. There is.

燐光発光を示す発光層における燐光性ドーパントの量は、従来の蛍光(1重項)を用いた素子において、発光層に含有される蛍光性色素(ドーパント)の量より、若干多い方が好ましい傾向がある。また燐光性ドーパントと共に蛍光色素が発光層中に含有される場合、該蛍光色素の量は、0.05重量%以上が好ましく、0.1重量%以上がより好ましい。また10重量%以下が好ましく、3重量%以下がより好ましい。   The amount of the phosphorescent dopant in the light emitting layer exhibiting phosphorescence tends to be preferably slightly larger than the amount of the fluorescent dye (dopant) contained in the light emitting layer in a conventional device using fluorescence (singlet). There is. When the fluorescent dye is contained in the light emitting layer together with the phosphorescent dopant, the amount of the fluorescent dye is preferably 0.05% by weight or more, and more preferably 0.1% by weight or more. Moreover, 10 weight% or less is preferable and 3 weight% or less is more preferable.

発光層5の膜厚は、通常3nm以上、好ましくは5nm以上であり、また通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。
発光層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができる。上述の蛍光色素および/または燐光色素(燐光性ドーパント)を発光層のホスト材料にドープする方法を以下に説明する。
The thickness of the light emitting layer 5 is usually 3 nm or more, preferably 5 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
The light emitting layer can also be formed by the same method as the hole transport layer. A method for doping the above-described fluorescent dye and / or phosphorescent dye (phosphorescent dopant) into the host material of the light emitting layer will be described below.

塗布の場合は、前記発光層ホスト材料と、ドープ用色素、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スピンコート法などの方法により正孔輸送層4上に塗布し、乾燥して発光層5を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔/電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、50重量%以下が好ましい。   In the case of coating, the above light emitting layer host material, a doping dye, and if necessary, additives such as a binder resin that does not serve as an electron trap or a light quenching quencher, and a coating property improving agent such as a leveling agent are added and dissolved. The applied coating solution is prepared, applied onto the hole transport layer 4 by a method such as spin coating, and dried to form the light emitting layer 5. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. If the amount of the binder resin added is large, the hole / electron mobility is lowered.

真空蒸着法の場合には、前記ホスト材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、ドープする色素を別のるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで1.0×10-4Torr程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと向かい合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。 In the case of the vacuum deposition method, the host material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, the dye to be doped is put in another crucible, and the inside of the vacuum vessel is 1.0 × 10 −4 Torr with an appropriate vacuum pump. After evacuating to a degree, each crucible is heated and evaporated simultaneously to form a layer on the substrate placed opposite the crucible. As another method, a mixture of the above materials in a predetermined ratio may be evaporated using the same crucible.

上記各ドーパントが発光層中にドープされる場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層との
界面近傍にのみドープしたり、逆に、正孔阻止層界面近傍にドープしてもよい。
発光層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
When each said dopant is doped in a light emitting layer, although doped uniformly in the film thickness direction of a light emitting layer, there may exist concentration distribution in a film thickness direction. For example, it may be doped only in the vicinity of the interface with the hole transport layer, or conversely, it may be doped in the vicinity of the interface of the hole blocking layer.
The light emitting layer can also be formed by the same method as the hole transport layer, but usually a vacuum deposition method is used.

なお発光層5は、本発明の性能を損なわない範囲で上記以外の成分を含んでいてもよい。
図1に示す素子において、正孔阻止層6は発光層5の上に、発光層5の陰極側の界面に接するように積層される。
正孔阻止層は、正孔輸送層から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物より形成されることが好ましい。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いことが必要とされる。正孔阻止層6は正孔と電子を発光層内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。
In addition, the light emitting layer 5 may contain components other than the above in the range which does not impair the performance of this invention.
In the element shown in FIG. 1, the hole blocking layer 6 is laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the cathode side interface of the light emitting layer 5.
The hole blocking layer has a role of blocking the holes moving from the hole transport layer from reaching the cathode, and a compound that can efficiently transport the electrons injected from the cathode toward the light emitting layer. Preferably it is formed. The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer are required to have high electron mobility and low hole mobility. The hole blocking layer 6 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer and improving luminous efficiency.

本発明の素子において、この正孔阻止層には前記一般式(I)で表される本発明の電子輸送材料を用いることが好ましい。本発明の電子輸送材料は正孔阻止層中に、単独で用いてもよいし、複数種併用してもよい。更に、本発明の電子輸送材料の性能を損なわない範囲で、公知の正孔阻止機能を有する化合物を併用してもよい。
本発明で用いられる正孔阻止層のイオン化ポテンシャルは発光層のイオン化ポテンシャル(発光層がホスト材料とドーパントを含んでいる場合にはドーパントのイオン化ポテンシャル)より0.1eV以上大きいことが好ましい。(ホスト材料のイオン化ポテンシャルより0.1eV以上大きいことが、より好ましい。)イオン化ポテンシャルは物質のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義される。イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接定義されるか、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正しても求められる。後者の方法の場合、例えば飽和甘コウ電極(SCE)を基準電極として用いたとき、
イオン化ポテンシャル=酸化電位(vs.SCE)+4.3eV
で定義される。(“Molecular Semiconductors”,Springer−Verlag,1985年、98頁)。
In the element of the present invention, it is preferable to use the electron transport material of the present invention represented by the general formula (I) for the hole blocking layer. The electron transport material of the present invention may be used alone or in combination of two or more in the hole blocking layer. Furthermore, you may use together the compound which has a well-known hole-blocking function in the range which does not impair the performance of the electron transport material of this invention.
The ionization potential of the hole blocking layer used in the present invention is preferably at least 0.1 eV greater than the ionization potential of the light emitting layer (or the ionization potential of the dopant when the light emitting layer contains a host material and a dopant). (It is more preferable that the ionization potential is 0.1 eV or more larger than the ionization potential of the host material.) The ionization potential is defined by the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the substance to the vacuum level. Is done. The ionization potential can be defined directly by photoelectron spectroscopy or can be determined by correcting the electrochemically measured oxidation potential relative to the reference electrode. In the case of the latter method, for example, when a saturated sweet potato electrode (SCE) is used as a reference electrode,
Ionization potential = oxidation potential (vs. SCE) + 4.3 eV
Defined by ("Molecular Semiconductors", Springer-Verlag, 1985, page 98).

さらに、本発明で用いられる正孔阻止層の電子親和力(EA)は、発光層の電子親和力(発光層がホスト材料とドーパントを含んでいる場合にはホスト材料の電子親和力)と比較して同等以上であることが好ましい。電子親和力もイオン化ポテンシャルと同様に真空準位を基準として、真空準位にある電子が物質のLUMO(最低空分子軌道)レベルに落ちて安定化するエネルギーで定義される。電子親和力は、上述のイオン化ポテンシャルから光学的バンドギャップを差し引いて求められるか、電気化学的な還元電位から下記の式で同様に求められる。   Furthermore, the electron affinity (EA) of the hole blocking layer used in the present invention is equivalent to the electron affinity of the light emitting layer (when the light emitting layer contains a host material and a dopant, the electron affinity of the host material). The above is preferable. Similarly to the ionization potential, the electron affinity is defined by the energy at which the electrons in the vacuum level fall to the LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) level of the material and stabilize, with the vacuum level as a reference. The electron affinity can be obtained by subtracting the optical band gap from the above-mentioned ionization potential, or similarly obtained from the electrochemical reduction potential by the following formula.

電子親和力=還元電位(vs.SCE)+4.3eV
従って、本発明で用いられる正孔阻止層は、酸化電位と還元電位をもちいて、
(正孔阻止材料の酸化電位)−(発光材料の酸化電位)≧0.1V
(正孔阻止材料の還元電位)≧(発光材料の還元電位)
と表現することも出来る。
Electron affinity = reduction potential (vs. SCE) +4.3 eV
Therefore, the hole blocking layer used in the present invention uses an oxidation potential and a reduction potential,
(Oxidation potential of hole blocking material) − (oxidation potential of light emitting material) ≧ 0.1V
(Reduction potential of hole blocking material) ≧ (Reduction potential of light emitting material)
It can also be expressed.

さらに後述の電子輸送層を有する素子の場合には、正孔阻止層の電子親和力は電子輸送層の電子親和力と比較して同等以下であることが好ましい。
(電子輸送材料の還元電位)≧(正孔阻止材料の還元電位)≧(発光材料の還元電位)
正孔阻止層6の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上であり、また通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。正孔阻止層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
Further, in the case of an element having an electron transport layer described later, the electron affinity of the hole blocking layer is preferably equal to or less than that of the electron transport layer.
(Reduction potential of electron transport material) ≧ (Reduction potential of hole blocking material) ≧ (Reduction potential of light emitting material)
The thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and is usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less. The hole blocking layer can also be formed by the same method as the hole transporting layer, but usually a vacuum deposition method is used.

陰極8は、正孔阻止層6を介して発光層5に電子を注入する役割を果たす。陰極8として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。さらに、陰極と発光層または電子輸送層の界面にLiF、MgF、LiO等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl. Phys. Lett., 70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEE Trans. Electron. Devices,44巻,1245頁,1997年)。陰極8の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。 The cathode 8 serves to inject electrons into the light emitting layer 5 through the hole blocking layer 6. The material used for the cathode 8 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, such as tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy. Furthermore, inserting an ultra-thin insulating film (0.1-5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O at the interface between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer is also an effective method for improving the efficiency of the device. (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997). The film thickness of the cathode 8 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.

素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図2および図3に示すように、正孔阻止層6と陰極8の間に電子輸送層7が設けられていてもよい。電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく正孔阻止層6の方向に輸送することができる化合物より形成される。
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第 5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N′−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。
For the purpose of further improving the luminous efficiency of the device, an electron transport layer 7 may be provided between the hole blocking layer 6 and the cathode 8 as shown in FIGS. The electron transport layer 7 is formed of a compound that can efficiently transport electrons injected from the cathode between the electrodes to which an electric field is applied in the direction of the hole blocking layer 6.
Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N'-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.

また、上述のような電子輸送材料に、アルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特願2000−285656号、特願2000−285657号などに記載)ことにより、電子輸送性が向上するため好ましい。
電子輸送層7は、正孔輸送層4と同様にして塗布法あるいは真空蒸着法により正孔阻止層6上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
Further, the electron transport material is doped with an alkali metal (described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-270171, Japanese Patent Application No. 2000-285656, Japanese Patent Application No. 2000-285657, etc.), thereby improving the electron transport property. Therefore, it is preferable.
The electron transport layer 7 is formed by laminating on the hole blocking layer 6 by a coating method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole transport layer 4. Usually, a vacuum deposition method is used.

なお、本発明の電子輸送材料を、この電子輸送層7に使用しても良い。その場合、本発明の電子輸送材料のみを使用して電子輸送層7を形成しても良いし、前述した各種公知の材料と併用しても良い。
電子輸送層7に本発明の電子輸送材料を使用した場合、前述の発光層5や正孔阻止層6にも本発明の電子輸送材料を使用しても良いし、また電子輸送層7のみに本発明の電子輸送材料を使用し、正孔阻止層6には、それ以外の、公知の正孔阻止材料を使用しても良い。
The electron transport material of the present invention may be used for this electron transport layer 7. In that case, the electron transport layer 7 may be formed using only the electron transport material of the present invention, or may be used in combination with the various known materials described above.
When the electron transport material of the present invention is used for the electron transport layer 7, the electron transport material of the present invention may be used for the light emitting layer 5 and the hole blocking layer 6 described above, or only for the electron transport layer 7. The electron transport material of the present invention may be used, and other known hole blocking materials may be used for the hole blocking layer 6.

電子輸送層6の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。
電子輸送層7は、正孔輸送層4と同様にして塗布法あるいは真空蒸着法により正孔阻止層6上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
正孔注入の効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層4と陽極2との間に陽極バッファ層3を挿入することも行われている(
図3参照)。陽極バッファ層3を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上であることが好ましい。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
The thickness of the electron transport layer 6 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and is usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.
The electron transport layer 7 is formed by laminating on the hole blocking layer 6 by a coating method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole transport layer 4. Usually, a vacuum deposition method is used.
An anode buffer layer 3 is also inserted between the hole transport layer 4 and the anode 2 for the purpose of further improving the efficiency of hole injection and improving the adhesion of the entire organic layer to the anode. ing(
(See FIG. 3). By inserting the anode buffer layer 3, the driving voltage of the initial element is lowered, and at the same time, an increase in voltage when the element is continuously driven with a constant current is suppressed. As conditions required for the material used for the anode buffer layer, it is possible to form a uniform thin film with good contact with the anode and thermally stable, that is, the melting point and the glass transition temperature are high, and the melting point is 300 ° C. or higher. The glass transition temperature is preferably 100 ° C. or higher. Furthermore, the ionization potential is low, hole injection from the anode is easy, and the hole mobility is high.

この目的のために、陽極バッファ層3の材料として、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物(特開昭63-295695号公報)、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換
の芳香族ジアミン誘導体、p-(9-アントリル)-N,N'-ジ-p-トリルアニリン、ポリチエニレ
ンビニレンやポリ-p-フェニレンビニレン、ポリアニリン(Appl. Phys. Lett.,64巻、1245頁,1994年)、ポリチオフェン(OpticalMaterials,9巻、125頁、1998年)、スターバス
ト型芳香族トリアミン(特開平4-308688号公報)等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜(Synth.Met.,91巻、73頁、1997年)や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、
モリブデン酸化物等の金属酸化物(J.Phys. D, 29巻、2750頁、1996年)が報告されてい
る。
For this purpose, porphyrin derivatives, phthalocyanine compounds (JP-A 63-295695), hydrazone compounds, alkoxy-substituted aromatic diamine derivatives, p- (9-anthryl) have been used as materials for the anode buffer layer 3 so far. ) -N, N'-di-p-tolylaniline, polythienylene vinylene, poly-p-phenylene vinylene, polyaniline (Appl. Phys. Lett., 64, 1245, 1994), polythiophene (OpticalMaterials, 9 Vol. 125, 1998), organic compounds such as starbust aromatic triamine (JP-A-4-308688), sputtered carbon film (Synth. Met. 91, 73, 1997) , Vanadium oxide, ruthenium oxide,
Metal oxides such as molybdenum oxide (J. Phys. D, 29, 2750, 1996) have been reported.

また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層(特開平11−251067号公報、特開2000−159221号公報等に記載)や、芳香族アミノ基等を含有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層(特開平11−135262号公報、特開平11−283750号公報、特開2000−36390号公報、特開2000−150168号公報、特開平2001−223084号公報、およびWO97/33193号公報など)、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを含む層(特開平10−92584号公報)なども挙げられるが、これらに限定されるものではない。   In addition, a layer containing a hole injection / transporting low molecular organic compound and an electron accepting compound (described in JP-A-11-251067, JP-A-2000-159221, etc.), an aromatic amino group, etc. A layer obtained by doping the contained non-conjugated polymer compound with an electron-accepting compound as necessary (Japanese Patent Laid-Open Nos. 11-135262, 11-283750, 2000-36390, Examples include JP 2000-150168, JP-A 2001-223084, and WO 97/33193), or layers containing a conductive polymer such as polythiophene (JP-A 10-92584). It is not limited to.

上記陽極バッファ層材料としては、低分子・高分子いずれの化合物を用いることも可能である。
低分子化合物のうち、よく使用されるものとしては、ポルフィン化合物又はフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属を有していても良いし、無金属のものでも良い。これらの化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる:
ポルフィン
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンコバルト(II)
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン銅(II)
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン亜鉛(II)
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンバナジウム(IV)オキシド
5,10,15,20-テトラ(4-ピリジル)-21H,23H-ポルフィン
29H,31H-フタロシアニン
銅(II)フタロシアニン
亜鉛(II)フタロシアニン
チタンフタロシアニンオキシド
マグネシウムフタロシアニン
鉛フタロシアニン
銅(II)4,4'4'',4'''-テトラアザ-29H,31H-フタロシアニン
陽極バッファ層の場合も、正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法が用いられる。
As the anode buffer layer material, either a low molecular compound or a high molecular compound can be used.
Of the low molecular weight compounds, those often used include porphine compounds and phthalocyanine compounds. These compounds may have a central metal or may be metal-free. Preferred examples of these compounds include the following compounds:
Porphin
5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine
5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine cobalt (II)
5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine copper (II)
5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine zinc (II)
5,10,15,20-Tetraphenyl-21H, 23H-porphine vanadium (IV) oxide
5,10,15,20-Tetra (4-pyridyl) -21H, 23H-porphine
29H, 31H-phthalocyanine copper (II) phthalocyanine zinc (II) phthalocyanine titanium phthalocyanine oxide magnesium phthalocyanine lead phthalocyanine copper (II) 4,4'4 '', 4 '''-tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine anode buffer layer In this case, a thin film can be formed in the same manner as the hole transport layer, but in the case of an inorganic material, a sputtering method, an electron beam evaporation method, or a plasma CVD method is further used.

以上の様にして形成される陽極バッファ層3の膜厚は、低分子化合物を用いて形成され
る場合、下限は通常3nm、好ましくは10nm程度であり、上限は通常100nm、好ましくは50nm程度である。
高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、更に必要により正孔のトラップとならない、バインダー樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極2上に塗布し、乾燥することにより陽極バッファ層3を薄膜形成することができる。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は該層中の含有量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、陽極バッファ層3中の含有量で50重量%以下が好ましい。
When the anode buffer layer 3 formed as described above is formed using a low molecular weight compound, the lower limit is usually 3 nm, preferably about 10 nm, and the upper limit is usually 100 nm, preferably about 50 nm. is there.
When using a polymer compound, for example, the polymer compound or the electron-accepting compound, and if necessary, additives such as a binder resin and a coating agent such as a leveling agent that do not trap holes are added and dissolved. A coating solution is prepared, applied to the anode 2 by a normal coating method such as a spray method, a printing method, a spin coating method, a dip coating method, a die coating method, an ink jet method or the like, and dried to form the anode buffer layer 3. A thin film can be formed. Examples of the binder resin include polycarbonate, polyarylate, and polyester. Since the binder resin may reduce hole mobility when the content of the binder resin is large, it is desirable that the content of the binder resin in the anode buffer layer 3 is 50% by weight or less.

また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によって予め薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を、陽極2上に熱転写又は圧力転写することにより、薄膜形成することもできる。
以上のようにして、高分子化合物を用いて形成される陽極バッファ層3の、膜厚の下限は通常5nm、好ましくは10nm程度であり、上限は通常1000nm、好ましくは500nm程度である。
Alternatively, a thin film may be formed in advance on a medium such as a film, a support substrate, or a roll by the above-described thin film forming method, and the thin film on the medium is thermally or pressure transferred onto the anode 2. it can.
As described above, the lower limit of the film thickness of the anode buffer layer 3 formed using the polymer compound is usually 5 nm, preferably about 10 nm, and the upper limit is usually about 1000 nm, preferably about 500 nm.

本発明の有機電界発光素子は、図1とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極8、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2または図3に示した前記各層構成とは逆の順に積層することも可能である。また、図1〜3のいずれの層構成においても、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述以外の任意の層を有していてもよく、また上記複数の層の機能を併有する層を設けることにより、層構成を簡略化する等、適宜変形を加えることが可能である。   The organic electroluminescence device of the present invention has a structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, a cathode 8, a hole blocking layer 6, a light emitting layer 5, a hole transport layer 4 and an anode 2 can be laminated on a substrate in this order. As described above, it is also possible to provide the organic electroluminescence device of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, the layers can be stacked in the reverse order of the layer configuration shown in FIG. 2 or FIG. Moreover, in any layer structure of FIGS. 1-3, in the range which does not deviate from the meaning of this invention, it may have arbitrary layers other than the above-mentioned, and the layer which has the function of several said layers together By providing, it is possible to appropriately modify the layer structure, for example.

或いはまた、トップエミッション構造や陰極・陽極共に透明電極を用いて透過型とすることや、さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV2O5等を電荷発生層(CGL)と
して用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
Alternatively, a top emission structure, a transmissive type using a transparent electrode for both the cathode and the anode, and a structure in which the layer configuration shown in FIG. 1 is stacked in multiple layers (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) are used. It is also possible. In this case, instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers) V2O5 or the like is used as the charge generation layer (CGL) as a barrier between the steps. From the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
本発明の有機電界発光素子によれば、特定の骨格を有する電子輸送材料を含有させることにより、色純度の良好で駆動安定性においても大きく改善された素子が得られる。特に、これまで材料選択の難しさ故に正孔阻止層の形成が困難であった青色(蛍光)発光素子や燐光発光素子において、発光効率、発光色純度及び駆動安定性に優れた素子が得られることから、フルカラーあるいはマルチカラーのパネルへの応用において優れた性能を発揮できる。
The present invention can be applied to any of an organic electroluminescent element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.
According to the organic electroluminescent element of the present invention, by including an electron transport material having a specific skeleton, an element having good color purity and greatly improved driving stability can be obtained. In particular, in a blue (fluorescent) light-emitting element or phosphorescent light-emitting element in which formation of a hole blocking layer has been difficult due to difficulty in material selection, an element excellent in luminous efficiency, emission color purity, and driving stability can be obtained. Therefore, it can exhibit excellent performance in application to full-color or multi-color panels.

また、本発明の電子輸送材料のうち、下記一般式(II)で表わされる化合物であって、該化合物が最安定化構造をとった際に、平面構造とならない化合物は、上記本発明の電子輸送材料に使用される化合物の一例であるが、電子輸送材料用としてだけでなく、新規な化合物である。   Among the electron transport materials of the present invention, a compound represented by the following general formula (II), which does not have a planar structure when the compound has the most stabilized structure, is the electron of the present invention. Although it is an example of the compound used for a transport material, it is a novel compound as well as an electron transport material.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

式中、環Bはピリジン環である。
5およびR8は、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基である。
6およびR7は、各々独立に水素原子または任意の置換基を表す。
mは、環Bの数を表す2〜10の整数である。
1は、1分子中の複数の環Bを結合する、直接結合、または、m価の芳香族炭化水素基
或いは芳香族複素環基を表す。
1分子中に含まれる複数の環Bは、Z1を介して共役する。
1分子中に含まれる複数のR5〜R8は、各々同一であっても異なっていてもよい。
また、R5〜R8およびZ1は、ジアリールアミン骨格を含まない。
In the formula, ring B is a pyridine ring.
R 5 and R 8 are an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
m is an integer of 2 to 10 representing the number of rings B.
Z 1 represents a direct bond, an m-valent aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group that bonds a plurality of rings B in one molecule.
A plurality of rings B contained in one molecule are conjugated via Z 1 .
A plurality of R 5 to R 8 contained in one molecule may be the same or different.
R 5 to R 8 and Z 1 do not contain a diarylamine skeleton.

すなわち、一般式(II)で表される化合物は、分子構造として、実質的に単一平面構造を取らない構造であるため、分子間でのπ−πスタッキング相互作用が抑制され、
非晶質性、溶解性、昇華性に優れている。
また、ひいては分子の集合体である膜としたとき、溶液状態(分子同士が散らばっている状態)に比べ、吸収極大波長や蛍光発光極大波長が増大してしまう現象を抑制することができ、また、三重項励起準位が低下してしまう現象や電気酸化還元電位差が低下してしまう現象をも抑制することができるため、(光、電気、熱などの)大きなエネルギーを蓄積し、そして効率よく蓄積したエネルギーを(光、電気、熱などとして)放出することが可能となる。
That is, since the compound represented by the general formula (II) is a structure that does not substantially take a single planar structure as a molecular structure, π-π stacking interaction between molecules is suppressed,
Excellent in amorphousness, solubility and sublimation.
In addition, when the film is an aggregate of molecules, it is possible to suppress the phenomenon that the absorption maximum wavelength and the fluorescence emission maximum wavelength increase compared to a solution state (a state in which molecules are scattered), Because it can suppress the phenomenon that the triplet excitation level is lowered and the phenomenon that the electric redox potential difference is lowered, it can store large energy (light, electricity, heat, etc.) and efficiently The stored energy can be released (as light, electricity, heat, etc.).

上記一般式(II)で表される化合物の分子量は、通常4000以下、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下であり、また通常200以上、好ましくは300以上、より好ましくは400以上である。
分子量が上限値を越えると、昇華性が著しく低下して有機電界発光素子を制作する際に蒸着法を用いる場合において支障を来したり、あるいは有機溶媒などへの溶解性の低下や、合成工程で生じる不純物成分の増加に伴って、材料の高純度化(すなわち劣化原因物質の除去)が困難になる場合がある。また分子量が下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
The molecular weight of the compound represented by the general formula (II) is usually 4000 or less, preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, and usually 200 or more, preferably 300 or more, more preferably 400 or more.
If the molecular weight exceeds the upper limit, the sublimation property is significantly reduced, which may cause problems when using an evaporation method when producing an organic electroluminescent device, or the solubility in an organic solvent may be reduced, or the synthesis process. With the increase in impurity components generated in the process, it may be difficult to increase the purity of the material (that is, to remove the deterioration-causing substance). On the other hand, if the molecular weight is lower than the lower limit, the glass transition temperature, melting point, vaporization temperature and the like are lowered, so that the heat resistance may be significantly impaired.

上記一般式(II)で表される化合物の融点は、通常100℃以上、好ましくは120℃以上、通常600℃以下、好ましくは500℃以下である。上限を超えると、昇華性の低下や溶解性の低下を招く恐れがあり好ましくなく、下限を下回ると素子としての耐熱性を低下させる恐れがあり好ましくない。
上記一般式(II)で表される化合物のガラス転移点は、通常50℃以上、好ましくは60℃以上である。下限を下回ると、素子としての耐熱性を低下させる恐れがあり好まし
くない。
The melting point of the compound represented by the general formula (II) is usually 100 ° C. or higher, preferably 120 ° C. or higher, usually 600 ° C. or lower, preferably 500 ° C. or lower. Exceeding the upper limit is not preferable because it may cause a decrease in sublimation and solubility, and if it is less than the lower limit, the heat resistance of the device may be decreased.
The glass transition point of the compound represented by the general formula (II) is usually 50 ° C. or higher, preferably 60 ° C. or higher. Below the lower limit, the heat resistance of the device may be lowered, which is not preferable.

上記一般式(II)で表される化合物の酸化電位は、通常+1.3V以上、好ましくは+1.5以上、通常+2.5V以下、好ましくは+2.0V以下である。上限を超えると、素子としての駆動電圧上昇を招く恐れがあり好ましくなく、下限を下回ると正孔阻止性が低下し、発光効率が低下する恐れがあり好ましくない。
尚、電極酸化反応における可逆性は、特に要求されず、不可逆でも可逆でもよいが、正電荷を輸送する用途に適用する場合、本発明に記載の可逆性に関する基準をクリアしていることが望ましい。
The oxidation potential of the compound represented by the general formula (II) is usually +1.3 V or more, preferably +1.5 or more, usually +2.5 V or less, preferably +2.0 V or less. If the upper limit is exceeded, the drive voltage of the device may be increased, which is not preferable. If the lower limit is not reached, the hole blocking property is decreased, and the light emission efficiency may be decreased.
The reversibility in the electrode oxidation reaction is not particularly required and may be irreversible or reversible. However, when applied to a purpose of transporting positive charges, it is desirable that the reversibility criteria described in the present invention are cleared. .

上記一般式(II)で表される化合物の還元電位は、通常−1.6〜−2.6V、好ましくは−1.8〜−2.4Vである。上限を超えると、電子輸送性が低下するため好ましくなく、下限を下回ると発光材料(燐光色素)への電子の受け渡しに支障がでる恐れがあり好ましくない。
尚、電極還元反応における可逆性は、重要な要素であり、本発明に記載の可逆性に関する基準をクリアしていることが重要である。
The reduction potential of the compound represented by the general formula (II) is usually −1.6 to −2.6 V, preferably −1.8 to −2.4 V. Exceeding the upper limit is not preferable because the electron transport property is lowered, and if it is less than the lower limit, there is a possibility that the delivery of electrons to the light emitting material (phosphorescent dye) may be hindered.
The reversibility in the electrode reduction reaction is an important factor, and it is important that the reversibility criteria described in the present invention are cleared.

ここで、本発明で言う、化合物の最安定化構造とは、通常のMM2計算手法(例えば、M.J.Dudek, J.W.Ponder共著、「J. Comput. Chem.」(16, 791−816 (1995))参照))を用いて、本発明の有機化合物の最安定構造を導くことによって得られる構造を指す。
最安定化構造をとった際に、平面構造を取らないとは、実質的に、単一平面の構造を取らないことを意味する。例を挙げて説明するならば、分子を構成する任意の隣り合う2つの芳香環同士が、ビフェニル(図C)と同等程度の平面性を有するものは、平面構造をとっているという。更に詳しくは、最安定化構造において、分子を構成する任意の隣り合う2つの芳香環同士のなす面角が、厳密には30度以下、より厳密には20度以下、更に厳密には15度以下のものである。
Here, the most stabilized structure of the compound referred to in the present invention is an ordinary MM2 calculation method (for example, co-authored by MJ Dudek, JW Ponder, “J. Compute. Chem.” (16, 791). -816 (1995))))) refers to the structure obtained by deriving the most stable structure of the organic compound of the present invention.
When the most stable structure is taken, not taking a planar structure means substantially not taking a single planar structure. For example, when two adjacent aromatic rings constituting a molecule have a planarity equivalent to that of biphenyl (FIG. C), it is said that they have a planar structure. More specifically, in the most stabilized structure, the face angle formed by any two adjacent aromatic rings constituting the molecule is strictly 30 degrees or less, more strictly 20 degrees or less, and more strictly 15 degrees. It is as follows.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(R5、R8
一般式(II)中、R5およびR8は、任意の芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基を表す。該芳香族炭化水素基或いは該芳香族複素環基は、置換基を有していてもよい。
該芳香族炭化水素基或いは該芳香族複素環基としては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、5または6員環の単環または2〜5縮合環由来の1価の基が含まれる)
または置換基を有していてもよい芳香族複素環基(例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由
来の1価の基が含まれる)
などが挙げられる。
(R 5, R 8)
In the general formula (II), R 5 and R 8 represent any aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group. The aromatic hydrocarbon group or the aromatic heterocyclic group may have a substituent.
As the aromatic hydrocarbon group or the aromatic heterocyclic group, an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, A monovalent group derived from a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as a pyrene ring, a benzpyrene ring, a chrysene ring, a triphenylene ring, or a fluoranthene ring)
Or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent (for example, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, Pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring , Pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, etc. Group included)
Etc.

5及びR8としては、芳香族炭化水素基の方が好ましい。
5及びR8の分子量は、その置換基も含めて、それぞれ、好ましくは400以下、更に好ましくは250以下である。
これらが有しうる置換基としては、本発明化合物の性能を損なわない限り特に制限はないが、好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素基、またはアルキル置換芳香族炭化水素基を表す。各々の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基
などの、炭素数1〜6程度のアルキル基;フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基などの、炭素数6〜18程度の芳香族炭化水素基;トリル基、メシチル基、2,6−ジメチルフェニル基などの、総炭素数7〜30程度のアルキル置換芳香族炭化水素基、などが挙げられる。
R 5 and R 8 are preferably aromatic hydrocarbon groups.
The molecular weights of R 5 and R 8 including the substituents are each preferably 400 or less, more preferably 250 or less.
The substituent that these may have is not particularly limited as long as the performance of the compound of the present invention is not impaired, but preferably represents an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, or an alkyl-substituted aromatic hydrocarbon group. Specific examples thereof include alkyl groups having about 1 to 6 carbon atoms such as methyl, ethyl, isopropyl and tert-butyl groups; about 6 to 18 carbon atoms such as phenyl, naphthyl and fluorenyl groups. An alkyl-substituted aromatic hydrocarbon group having a total carbon number of about 7 to 30 such as a tolyl group, a mesityl group, and a 2,6-dimethylphenyl group.

5及びR8の具体例としては、上記(R1〜R4)に記載のR−1〜R−43が挙げられる。
中でも、電気的酸化還元耐久性及び耐熱性を向上させる基が好ましいことから、R−1〜9,12,18,19,21,26,28,30,31,34,35,39,43が好ましく、
R−1〜6,12,43がより好ましく、
R−1〜6が更に好ましく、
R−1が最も好ましい。
(R6、R7
6およびR7は、各々独立に水素原子または任意の置換基を表す。
例としては、上記(R1〜R4)に記載のものと同様である。
Specific examples of R 5 and R 8 include R- 1 to R-43 described in the above (R 1 to R 4 ).
Among them, since groups that improve electrical redox durability and heat resistance are preferable, R-1 to 9, 12, 18, 19, 21, 26, 28, 30, 31, 34, 35, 39, 43 are Preferably
R-1 to 6, 12, 43 are more preferable,
R-1 to 6 are more preferable,
R-1 is most preferred.
(R 6, R 7)
R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
Examples thereof are the same as those described in (R 1 to R 4 ) above.

6及びR7の分子量は、その置換基も含めて、それぞれ、好ましくは400以下、更に好ましくは250以下である。
6およびR7は、該化合物を発光素子に適用する場合、分子振動を制限して発光効率を損なわないようにする観点から、好ましくは水素原子、アルキル基またはアリール基であり、水素原子または炭素数1〜4のアルキル基である場合がより好ましい。
The molecular weights of R 6 and R 7 including the substituents are each preferably 400 or less, more preferably 250 or less.
R 6 and R 7 are preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group from the viewpoint of restricting molecular vibrations and not impairing luminous efficiency when the compound is applied to a light-emitting device. The case where it is a C1-C4 alkyl group is more preferable.

尚、R5〜R8は、それぞれ互いに連結して環を形成しても良い。
(Z1
1は、1分子中の複数の環Bを結合する、直接結合、または、m価の芳香族炭化水素
基或いは芳香族複素環基である連結基を表す。また、1分子中の環Bは、Z1を介して互
いに共役関係にある。
R 5 to R 8 may be connected to each other to form a ring.
(Z 1 )
Z 1 represents a direct bond, or a linking group which is an m-valent aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group, which bonds a plurality of rings B in one molecule. Further, the rings B in one molecule are conjugated with each other through Z 1 .

1が、m価の芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基である場合の例は以下の通りで
ある。
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環など由来のm価の基が含まれる)
置換基を有していてもよい芳香族複素環基(例えばフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環など由来のn価の基が含まれる)、
或いは、これらが2つ以上連結してなる基、 などが挙げられる。
Examples when Z 1 is an m-valent aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group are as follows.
An aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc. Of m-valent groups)
An aromatic heterocyclic group which may have a substituent (for example, furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring) , A quinoline ring, an isoquinoline ring, a sinoline ring, a quinoxaline ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, an azulene ring, etc.).
Alternatively, a group formed by linking two or more of these may be used.

尚、Z1としては芳香族炭化水素基であることが好ましい。
上記芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、本発明化合物の性能を損なわない限り特に制限はないが、好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素基、またはアルキル置換芳香族炭化水素基を表す。各々の具体例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基などの、炭素数1〜6程度のアルキル基;フ
ェニル基、ナフチル基、フルオレニル基などの、炭素数6〜18程度の芳香族炭化水素基;トリル基、メシチル基、2,6−ジメチルフェニル基などの、総炭素数7〜30程度のアルキル置換芳香族炭化水素基、などが挙げられる。
Z 1 is preferably an aromatic hydrocarbon group.
The substituent that the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group may have is not particularly limited as long as the performance of the compound of the present invention is not impaired, but preferably an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, Or represents an alkyl-substituted aromatic hydrocarbon group. Specific examples thereof include alkyl groups having about 1 to 6 carbon atoms such as methyl, ethyl, isopropyl and tert-butyl groups; about 6 to 18 carbon atoms such as phenyl, naphthyl and fluorenyl groups. An alkyl-substituted aromatic hydrocarbon group having a total carbon number of about 7 to 30 such as a tolyl group, a mesityl group, and a 2,6-dimethylphenyl group.

1の好ましい具体例としては、上記(Z)で例示の、Z−1〜Z−173のうちの、
直接結合、芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基である。中でも好ましい例も、上記(Z)と同じである(但し直接結合、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基でないものは除く)。
1の分子量は、その置換基も含めて、それぞれ、好ましくは400以下、更に好まし
くは250以下である。
As preferable specific examples of Z 1, of Z- 1 to Z-173 exemplified in the above (Z),
A direct bond, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. Among them, preferred examples are also the same as the above (Z) (except that they are not a direct bond, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group).
The molecular weight of Z 1 including the substituent is preferably 400 or less, more preferably 250 or less.

ここで、上記一般式(II)で表される化合物の好ましい分子構造について、説明する。好ましい例1)
一般式(II)で表される化合物は、少なくとも2つの環Bおよび連結基Z1が、化合物が
最安定化構造をとった際に同一平面上にあることが、優れた電気的酸化還元耐久性と優れた電荷輸送性を損なわない観点から好ましい。この際、1分子中に環Bが2つだけの時は、環B及び/またはZ1が有する置換基の少なくとも1つが、同一平面上になければよい
Here, a preferable molecular structure of the compound represented by the general formula (II) will be described. Preferred example 1)
The compound represented by the general formula (II) has at least two rings B and a linking group Z 1 that are on the same plane when the compound has the most stabilized structure. From the viewpoint of not impairing the properties and excellent charge transportability. In this case, when there are only two rings B in one molecule, at least one of the substituents of the ring B and / or Z 1 may not be on the same plane.

この様な環Bとしては、以下の様なものが挙げられる。   Examples of such ring B include the following.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

この際の、Z1としては、芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基であれば特に制限な
く適用可能である。具体的には、上記(Z)に例示の
Z−1(直接結合),Z−2,3,6,19,22,34,35,36,39,44,47,63,64,65,66,67,68,69,70,71,72,74,79,85,86,90,91,92,94,97,98,104,105,106,107,109,112,113,114,133,134,149,150,152,153,166が好ましく、
Z−1(直接結合),Z−2,3,6,19,22,34,35,36がより好ましく、
Z−2,19,22,34が更に好ましく、
Z−2が最も好ましい。
In this case, Z 1 is not particularly limited as long as it is an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group. Specifically, Z-1 (direct bond) exemplified in the above (Z), Z-2, 3, 6, 19, 22, 34, 35, 36, 39, 44, 47, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 74, 79, 85, 86, 90, 91, 92, 94, 97, 98, 104, 105, 106, 107, 109, 112, 113, 114, 133, 134, 149, 150, 152, 153, 166 are preferred,
Z-1 (direct bond), Z-2, 3, 6, 19, 22, 34, 35, 36 are more preferred,
Z-2, 19, 22, and 34 are more preferable,
Z-2 is most preferred.

1、R5及びR8は、上記一般式(II)と同義である。また、Z1、R5及びR8は、それぞれ芳香族炭化水素基であることが好ましい。
一般式(II)で表される化合物の具体例としては、
Z 1 , R 5 and R 8 have the same meaning as in the general formula (II). Z 1 , R 5 and R 8 are each preferably an aromatic hydrocarbon group.
Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

などが挙げられる。
好ましい例2)
一般式(II)で表される化合物は、化合物が最安定化構造をとった時に、任意の環Bが連結基Z1と、実質的に同一平面上にないことが、広い電気酸化還元電位差の観点、高い
三重項励起準位の観点からは望ましい。
Etc.
Preferred example 2)
The compound represented by the general formula (II) has a wide electric redox potential difference that when the compound has the most stabilized structure, the arbitrary ring B is not substantially on the same plane as the linking group Z 1. In view of the above, it is desirable from the viewpoint of a high triplet excitation level.

環Bとしては、   As ring B,

Figure 0004622433
Figure 0004622433

1及びR5〜R8は、上記一般式(II)と同義である。
この際のZ1としては、上記(Z)に例示の
Z−1(直接結合),Z−2〜48,63〜69,79,82,84,89,96,103,105,108,109,111〜114,117,118,121,124,167,170が好ましく、
Z−1(直接結合),Z−2,4〜13,15,17,19,20,22,23〜25,27〜31,34,37,38,40,44,47,48,89,105がより好ましく、
Z−2,4,5,7〜11,34,38,40が更に好ましく、
Z−2が最も好ましい。
Z < 1 > and R < 5 > -R < 8 > are synonymous with the said general formula (II).
In this case, as Z 1 , Z-1 (direct bond) exemplified in the above (Z), Z-2 to 48, 63 to 69, 79, 82, 84, 89, 96, 103, 105, 108, 109 , 111-114, 117, 118, 121, 124, 167, 170 are preferred,
Z-1 (direct bond), Z-2, 4-13, 15, 17, 19, 20, 22, 23-25, 27-31, 34, 37, 38, 40, 44, 47, 48, 89, 105 is more preferable,
Z-2, 4, 5, 7 to 11, 34, 38, 40 are more preferable,
Z-2 is most preferred.

一般式(II)で表される化合物の具体例としては、   Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

Figure 0004622433
Figure 0004622433

などが挙げられる。
尚、化合物が最安定化構造をとった時に、任意の環Bが連結基Z1と、同一平面上にな
いとは、上記、化合物が平面構造をとる際の例を逆にして考えればよい。
具体的には、分子を構成する任意の隣り合う2つの芳香環同士が、2−メチルビフェニル(図D)と同等程度の非平面性を有する場合は、同一平面上にないという。
Etc.
It should be noted that when the compound has the most stabilized structure, the arbitrary ring B is not on the same plane as the linking group Z 1. The above example when the compound has a planar structure can be considered in reverse. .
Specifically, when two adjacent aromatic rings constituting a molecule have non-planarity comparable to that of 2-methylbiphenyl (FIG. D), they are not on the same plane.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

更に詳しくは、最安定化構造において、分子を構成する任意の隣り合う2つの芳香環同
士のなす面角が、厳密には15度以上、より厳密には20度以上、更に厳密には30度以上のものである。
更には、分子内の少なくとも1つの芳香環(Ar1とする)に結合する任意の他の芳香
環(Ar2とする)と、Ar1の任意の置換基(Rrとする)とが、隣り合う置換位置に、置換されていることが望ましい。但し、Rrは、Ar1もしくは他の置換基と結合し、環を形成していてもよい。
More specifically, in the most stabilized structure, the face angle formed by any two adjacent aromatic rings constituting the molecule is strictly 15 degrees or more, more strictly 20 degrees or more, more strictly 30 degrees. That's all.
Furthermore, any other aromatic ring (referred to as Ar2) bonded to at least one aromatic ring (referred to as Ar1) in the molecule and an optional substituent (referred to as Rr) in Ar1 are adjacent to each other. It is desirable to be substituted. However, Rr may be bonded to Ar1 or another substituent to form a ring.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

このような例としては、以下の様なものが挙げられる。 Examples of such include the following.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

上記一般式(II)で表される化合物の分子量は、通常4000以下、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下であり、また通常200以上、好ましくは300以上、より好ましくは400以上である。分子量が上限値を越えると、昇華性が著しく低下して電界発光素子を制作する際に蒸着法を用いる場合において支障を来したり、あるいは有機溶媒などへの溶解性の低下や、合成工程で生じる不純物成分の増加に伴って、材料の高純度化(すなわち劣化原因物質の除去)が困難になる場合があり、また分子量が下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。   The molecular weight of the compound represented by the general formula (II) is usually 4000 or less, preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, and usually 200 or more, preferably 300 or more, more preferably 400 or more. If the molecular weight exceeds the upper limit, the sublimation property is significantly reduced, which may cause problems when using an evaporation method when producing an electroluminescent device, or the solubility in an organic solvent may be reduced, or in the synthesis process. As the amount of impurity components increases, it may be difficult to increase the purity of the material (that is, to remove the deterioration-causing substances). When the molecular weight is below the lower limit, the glass transition temperature, melting point, vaporization temperature, etc. Since it falls, there exists a possibility that heat resistance may be impaired remarkably.

上記一般式(II)で表される化合物の融点は、通常100℃以上、好ましくは120℃以上、通常500℃以下、好ましくは600℃以下である。
上記一般式(II)で表される化合物のガラス転移点は、通常50℃以上、好ましくは60℃以上である。
上記一般式(II)で表される化合物の酸化電位は、通常+1.3V以上、好ましくは+1.5V以上、通常+2.2V以下、好ましくは+2.0V以下である。
The melting point of the compound represented by the general formula (II) is usually 100 ° C. or higher, preferably 120 ° C. or higher, usually 500 ° C. or lower, preferably 600 ° C. or lower.
The glass transition point of the compound represented by the general formula (II) is usually 50 ° C. or higher, preferably 60 ° C. or higher.
The oxidation potential of the compound represented by the general formula (II) is usually +1.3 V or more, preferably +1.5 V or more, usually +2.2 V or less, preferably +2.0 V or less.

尚、電極酸化反応における可逆性は、特に要求されず、不可逆でも可逆でもよいが、正電荷を輸送する用途に適用する場合、本発明に記載の可逆性に関する基準をクリアしていることが望ましい。
上記一般式(II)で表される化合物の還元電位は、通常−1.6〜−2.6V、好ましくは−1.8〜−2.4Vである。
The reversibility in the electrode oxidation reaction is not particularly required and may be irreversible or reversible. However, when applied to a purpose of transporting positive charges, it is desirable that the reversibility criteria described in the present invention are cleared. .
The reduction potential of the compound represented by the general formula (II) is usually −1.6 to −2.6 V, preferably −1.8 to −2.4 V.

また、本発明の化合物は下記一般式(III)で表されることを特徴とする。   The compound of the present invention is represented by the following general formula (III).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、環Dはピリジン環を表す。Ar11〜Ar13は芳香族基を表す。Ar11〜Ar13は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。環Dは、Ar11〜Ar13以外にも置換基を有していてもよい。Ar11〜Ar13は、置換基として芳香族炭化水素基を有していてもよい。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。ただし、分子内には環D以外に、ピリジン環は存在しない。)
一般式(III)で表される化合物は、分子内にピリジン環が1つだけであり、かつ、そ
の2,4,6−位が芳香族炭化水素基で置換されているため、安定した電子輸送性を有している上、極めて優れた正孔阻止性を有し、かつ、分子内に縮合型の芳香族炭化水素基を併せ持つことにより、電子輸送性を損なわずに、優れた耐熱性や高い三重項励起準位をも実現可能になる。
(.Ar 11 ~Ar 13 .Ar 11 ~Ar 13 is representative of the aromatic group wherein ring D is representative of the pyridine ring, each may be the same or different. Ring D, Ar 11 ~ Ar 11 to Ar 13 may have an aromatic hydrocarbon group as a substituent, in addition to Ar 13. The aromatic hydrocarbon group has a substituent. (However, there is no pyridine ring other than ring D in the molecule.)
Since the compound represented by the general formula (III) has only one pyridine ring in the molecule, and its 2,4,6-position is substituted with an aromatic hydrocarbon group, In addition to having excellent transportability, it has excellent hole blocking properties, and has a condensed aromatic hydrocarbon group in the molecule, so it has excellent heat resistance without impairing electron transport properties. High triplet excitation levels can also be realized.

一般式(III)で表される化合物の分子量としては、好ましくは200以上、更に好まし
くは300以上、特に好ましくは400以上、好ましくは4000以下、更に好ましくは3000以下、特に好ましくは2000以下である。
一般式(III)で表される化合物は、正孔阻止性を低下させないためにも、分子内にアリ
ールアミノ基が存在しないことがより好ましい。
The molecular weight of the compound represented by the general formula (III) is preferably 200 or more, more preferably 300 or more, particularly preferably 400 or more, preferably 4000 or less, more preferably 3000 or less, particularly preferably 2000 or less. .
The compound represented by the general formula (III) preferably has no arylamino group in the molecule so as not to lower the hole blocking property.

Ar11〜Ar13は、芳香族基を表す。Ar11〜Ar13は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、Ar11〜Ar13が、高い三重項励起準位と優れた電気化学的耐性のためそれぞれフェニル基であることが好ましい。
Ar11〜Ar13のそれぞれの分子量としては、好ましくは10以上、更に好ましくは50以上、好ましくは400以下、更に好ましくは250以下である
芳香族基としては、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が挙げられるが、高い三重項励起準位と優れた電気化学的耐久性のため、芳香族炭化水素基が好ましい。
Ar 11 to Ar 13 represent an aromatic group. Ar 11 to Ar 13 may be the same as or different from each other. Preferably, Ar 11 to Ar 13 are each a phenyl group for high triplet excitation levels and excellent electrochemical resistance.
The molecular weight of each of Ar 11 to Ar 13 is preferably 10 or more, more preferably 50 or more, preferably 400 or less, more preferably 250 or less. The aromatic group includes an aromatic hydrocarbon group and an aromatic complex. Although a cyclic group is mentioned, an aromatic hydrocarbon group is preferable because of its high triplet excited level and excellent electrochemical durability.

芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環など由来の基が挙げられる。中でも高い三重項励起準位と優れた電気化学的耐久性のため、好ましくは、フェニル基である。
芳香族複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環など由来の基が挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group include groups derived from a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring and the like. Of these, a phenyl group is preferred because of its high triplet excited level and excellent electrochemical durability.
Aromatic heterocyclic groups include furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinoxaline And a group derived from a ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, an azulene ring, and the like.

Ar11〜Ar13は、置換基として、芳香族炭化水素基を有していてもよい。Ar11〜Ar13のそれぞれの置換基は同一であっても異なっていても良い。
Ar11〜Ar13の置換基としての芳香族炭化水素基は、上記Ar11〜Ar13が芳香族炭化水素基である場合の例示として挙げたものと同様である。
Ar 11 to Ar 13 may have an aromatic hydrocarbon group as a substituent. Each substituent of Ar 11 to Ar 13 may be the same or different.
Aromatic hydrocarbon group as the substituent of Ar 11 to Ar 13 are the same as those described above Ar 11 to Ar 13 are mentioned as examples of the case where the aromatic hydrocarbon group.

Ar11〜Ar13の置換基としての芳香族炭化水素基は、更に置換基を有していてもよい。好ましくは、分子量が300以下程度の置換基であって、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナンチル基、トリフェニレニル基、ターフェニリル基などが挙げられる。
環Dは、Ar11〜Ar13以外にも置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、フェニル基などが挙げられる。環DはAr11〜Ar13以外に置換基を有さないことが好ましい。
The aromatic hydrocarbon group as a substituent for Ar 11 to Ar 13 may further have a substituent. Preferably, it is a substituent having a molecular weight of about 300 or less, and examples thereof include a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a phenanthyl group, a triphenylenyl group, and a terphenylyl group.
Ring D may have a substituent other than Ar 11 to Ar 13 . Examples of the substituent include an alkyl group and a phenyl group. Ring D preferably has no substituent other than Ar 11 to Ar 13 .

一般式(III)で表される化合物のうち、一般式(III−1)で表される化合物は、環Dお
よびE1〜E3が略同一平面上に成りうるため、とりわけ電気的な酸化還元に対する耐久性と、耐熱性に優れているため好ましい。
Among the compounds represented by the general formula (III), the compound represented by the general formula (III-1) is particularly electrically oxidized because the rings D and E 1 to E 3 can be substantially on the same plane. This is preferable because it is excellent in durability against reduction and heat resistance.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(式中、Ar21〜Ar29は水素原子または芳香族炭化水素基を表す。Ar21〜Ar29は、
それぞれ同一であっても異なっていてもよい。また、Ar21〜Ar29は、互いに結合し、縮合型の芳香族炭化水素基を形成してもよい。環Dは、環E1〜E3以外にも置換基を有していてもよい。また、環E1〜E3は、Ar21〜Ar29以外にも置換基を有していてもよい。)
Ar21〜Ar29は、水素原子または芳香族炭化水素基を表す。Ar21〜Ar29は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。好ましくは、Ar22、Ar25およびAr28が水素原子で、Ar21、Ar23、Ar24、Ar26、Ar27およびAr29のうち少なくとも1つが芳香族炭化水素基であることである。より好ましくは、Ar21、Ar23、Ar24、Ar26、Ar27およびAr29のうち少なくとも2つ以上が芳香族炭化水素基であることである。
(Wherein, .Ar 21 ~Ar 29 Ar 21 ~Ar 29 is representing a hydrogen atom or an aromatic hydrocarbon group,
Each may be the same or different. Ar 21 to Ar 29 may be bonded to each other to form a condensed aromatic hydrocarbon group. Ring D may have a substituent other than rings E 1 to E 3 . Rings E 1 to E 3 may have a substituent other than Ar 21 to Ar 29 . )
Ar 21 to Ar 29 represent a hydrogen atom or an aromatic hydrocarbon group. Ar 21 to Ar 29 may be the same or different from each other. Preferably, Ar 22 , Ar 25 and Ar 28 are hydrogen atoms, and at least one of Ar 21 , Ar 23 , Ar 24 , Ar 26 , Ar 27 and Ar 29 is an aromatic hydrocarbon group. More preferably, at least two or more of Ar 21 , Ar 23 , Ar 24 , Ar 26 , Ar 27 and Ar 29 are aromatic hydrocarbon groups.

Ar21〜Ar29のそれぞれの分子量としては、好ましくは50以上、更に好ましくは70以上、好ましくは500以下、更に好ましくは300以下である
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環など由来の基が挙げられる。中でも耐熱性向上、高い三重項励起準位および優れた電気化学的耐久性のため、好ましくは、フェニル基及びフェナンチル基である。
The molecular weight of each of Ar 21 to Ar 29 is preferably 50 or more, more preferably 70 or more, preferably 500 or less, more preferably 300 or less. Examples of the aromatic hydrocarbon group include benzene ring, naphthalene ring, and anthracene. And groups derived from a ring, a phenanthrene ring, a perylene ring, a tetracene ring, a pyrene ring, a benzpyrene ring, a chrysene ring, a triphenylene ring, a fluoranthene ring, and the like. Among them, a phenyl group and a phenanthyl group are preferable because of improved heat resistance, high triplet excited level, and excellent electrochemical durability.

Ar21〜Ar29は、それぞれ互いに結合し、環E1〜E3と縮合型の芳香族炭化水素基を形成しても良い。この縮合型の芳香族炭化水素基としては、ナフチル基、フェナルチル基、トリフェニレニル基、アントリル基が挙げられる。中でも高い三重項励起準位のため、好ましくはフェナンチル基、トリフェニレニル基である。 Ar 21 to Ar 29 may be bonded to each other to form a condensed aromatic hydrocarbon group with the rings E 1 to E 3 . Examples of the condensed aromatic hydrocarbon group include a naphthyl group, a phenethyl group, a triphenylenyl group, and an anthryl group. Among them, a phenanthyl group and a triphenylenyl group are preferable because of a high triplet excitation level.

Ar21〜Ar29は更に置換基を有していてもよい。好ましくは、分子量が300以下程度の置換基であって、例えばアルキル基、フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基などが挙げられる。
環E1〜E3は、それぞれAr21〜Ar29以外にも置換基を有していてもよい。該置換基としては、アルキル基、フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基などである。環Dは環E1〜E3以外に置換基を有さないことが好ましく、環E1〜E3はAr21〜Ar29以外に置換基を有さないことが好ましい。この理由としては、環Dおよび環E1〜E3の全てがほぼ同一平面上に存在する構造をとる時、最も優れた電気的酸化還元安定性を発現するためである。
Ar 21 to Ar 29 may further have a substituent. Preferably, it is a substituent having a molecular weight of about 300 or less, and examples thereof include an alkyl group, a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.
Each of the rings E 1 to E 3 may have a substituent other than Ar 21 to Ar 29 . Examples of the substituent include an alkyl group, a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group. Ring D preferably has no substituent other than rings E 1 to E 3 , and rings E 1 to E 3 preferably have no substituent other than Ar 21 to Ar 29 . The reason for this is that when the ring D and the rings E 1 to E 3 all have substantially the same plane, the most excellent electrical redox stability is exhibited.

一般式(II)及び(III)で表される化合物は、前記本発明の電子輸送材料の合成法として
記載された方法等により合成することができる。
本発明の化合物は、本質的に優れた酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子の電子輸送材料として好適であるが、有機電界発光素子に限らず、電子写真感光体に利用することも有用である。
The compounds represented by the general formulas (II) and (III) can be synthesized by the method described as the method for synthesizing the electron transport material of the present invention.
The compound of the present invention is suitable as an electron transport material for an organic electroluminescent device because it has an essentially excellent redox stability, but is not limited to an organic electroluminescent device, but can be used for an electrophotographic photoreceptor. Is also useful.

更に、本発明の化合物は、上記本発明の電子輸送材料が有する高い性能に加えて、非晶質性、溶解性、耐熱性、耐久性に優れている。従って、電子輸送材料用としてだけでなく、発光材料用、太陽電池材料用、バッテリー材料(電解液、電極、分離膜、安定剤など)用、医療用、塗料材料用、コーティング材料用、有機半導体材料用、トイレタリー材料用、帯電防止材料用、熱電素子材料用などにおいても有用である。   Furthermore, the compound of the present invention is excellent in amorphousness, solubility, heat resistance and durability in addition to the high performance of the electron transport material of the present invention. Therefore, not only for electron transport materials, but also for luminescent materials, solar cell materials, battery materials (electrolytes, electrodes, separation membranes, stabilizers, etc.), medical, coating materials, coating materials, organic semiconductors It is also useful for materials, toiletries, antistatic materials, thermoelectric element materials, and the like.

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
(実施例1)
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.
Example 1

Figure 0004622433
Figure 0004622433

テレフタルアルデヒド(2.0g)、アセトフェノン(7.2g)、酢酸アンモニウム(30g)、酢酸(75ml)を加熱環流下、80分間攪拌した。得られた溶液から塩化メチレンで抽出し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物1(0.4g)を得た。DEI−MS(m/z 536(M+))及び1H−NMRより、目的物1で
あることを確認した。
Terephthalaldehyde (2.0 g), acetophenone (7.2 g), ammonium acetate (30 g), and acetic acid (75 ml) were stirred for 80 minutes under heating reflux. The obtained solution was extracted with methylene chloride and purified by silica gel column chromatography to obtain the target product 1 (0.4 g). It was confirmed to be the target product 1 by DEI-MS (m / z 536 (M +)) and 1 H-NMR.

1H-NMR(270MHz, CDCl3), 8.26-8.21(m, 8H), 7.96(s, 4H),7.92(s,4H), 7.58-7.44(m,
12H)
TG−DTA測定の結果、この化合物の融点は290℃、気化温度は458℃、ガラス転移温度は100℃であった。
(実施例2)
1 H-NMR (270 MHz, CDCl3), 8.26-8.21 (m, 8H), 7.96 (s, 4H), 7.92 (s, 4H), 7.58-7.44 (m,
12H)
As a result of TG-DTA measurement, the melting point of this compound was 290 ° C., the vaporization temperature was 458 ° C., and the glass transition temperature was 100 ° C.
(Example 2)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

テレフタルアルデヒド(3.9g)、アセトフェノン(10.6g)、濃硫酸(9.4ml)、酢酸(84ml)を大気中、室温で、5.5時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(100ml)、メタノール(30ml)を加え、析出した沈殿を濾過、水とメタノールで洗浄した。更にメタノール(150ml)中で懸濁洗浄後、減圧乾燥し、目的物2(9.9g)を得た。   While stirring terephthalaldehyde (3.9 g), acetophenone (10.6 g), concentrated sulfuric acid (9.4 ml) and acetic acid (84 ml) in the atmosphere at room temperature for 5.5 hours, with stirring Water (100 ml) and methanol (30 ml) were added, and the deposited precipitate was filtered and washed with water and methanol. Further, the suspension was washed in methanol (150 ml) and dried under reduced pressure to obtain the intended product 2 (9.9 g).

目的物2(6.9g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(17.1g)、酢酸アンモニウム(78.6g)、酢酸(230ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(230ml)を、加熱環流下、9時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(80ml)、メタノール(20ml)を加え、析出した沈殿物を濾過、メタノール(3×50ml)で洗浄後、クロロホルム−トルエン−エタノールからの再結晶で精製し、目的物1(6.8g)を得た。   The desired product 2 (6.9 g), 1-phenacylpyridinium bromide (17.1 g), ammonium acetate (78.6 g), acetic acid (230 ml), N, N-dimethylformamide (230 ml) were heated under reflux. Water (80 ml) and methanol (20 ml) were added to the resulting solution with stirring for a period of time, and the deposited precipitate was filtered, washed with methanol (3 × 50 ml), and then reconstituted from chloroform-toluene-ethanol. Purification by crystals gave the target product 1 (6.8 g).

DEI−MS測定の結果、実施例1と同様に、得られたものが目的物1であることが確認された。
(実施例3)
As a result of DEI-MS measurement, it was confirmed that the obtained product was the target product 1 as in Example 1.
(Example 3)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

イソフタルアルデヒド(2.7g)、アセトフェノン(9.6g)、酢酸(57ml)の混合物に、大気中、室温で濃硫酸(8.0ml)を加え、室温で6時間撹拌した。得られた溶液にメタノール(50ml)を加えて撹拌した後、沈殿を濾過、メタノール洗浄し、目的物3(2.6g)を得た。   Concentrated sulfuric acid (8.0 ml) was added to a mixture of isophthalaldehyde (2.7 g), acetophenone (9.6 g) and acetic acid (57 ml) in the atmosphere at room temperature, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. Methanol (50 ml) was added to the resulting solution and stirred, and then the precipitate was filtered and washed with methanol to obtain the desired product 3 (2.6 g).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

窒素気流中、目的物3(2.6g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(6.3g)、酢酸アンモニウム(29g)、酢酸(130ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(130ml)を加熱還流下、8.5時間撹拌し、得られた溶液に水(80ml)、メタノール(80ml)を加えて撹拌した。析出した沈殿を濾過、メタノール洗浄した後、トルエン−エタノールからの再結晶にて精製し、目的物4(1.7g)を得た。EI−MS(m/z=536(M+))及び1H−NMRから目的物4であることを確認した。 In a nitrogen stream, the target compound 3 (2.6 g), 1-phenacylpyridinium bromide (6.3 g), ammonium acetate (29 g), acetic acid (130 ml), N, N-dimethylformamide (130 ml) were heated under reflux. The mixture was stirred for 8.5 hours, and water (80 ml) and methanol (80 ml) were added to the resulting solution and stirred. The deposited precipitate was filtered, washed with methanol, and then purified by recrystallization from toluene-ethanol to obtain the desired product 4 (1.7 g). It was confirmed to be the target product 4 from EI-MS (m / z = 536 (M +)) and 1 H-NMR.

1H-NMR(270MHz, CDCl3), 8.25-8.21(m, 8H), 8.06(t, 1H),7.96(s,4H), 7.87-7.83(dd,
2H), 7.73-7.68(dd, 1H), 7.56-7.43(m, 12H)
この化合物の融点は205℃、気化温度は414℃、ガラス転移温度は79℃であった。
(実施例4)
1 H-NMR (270 MHz, CDCl3), 8.25-8.21 (m, 8H), 8.06 (t, 1H), 7.96 (s, 4H), 7.87-7.83 (dd,
2H), 7.73-7.68 (dd, 1H), 7.56-7.43 (m, 12H)
The melting point of this compound was 205 ° C., the vaporization temperature was 414 ° C., and the glass transition temperature was 79 ° C.
Example 4

Figure 0004622433
Figure 0004622433

9−アントラセンカルボキシアルデヒド(4.1g)、アセトフェノン(4.8g)、酢酸アンモニウム(20g)、酢酸(50ml)を加熱環流下、5.2時間攪拌した。得
られた溶液からトルエンで抽出し、水洗後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物5(0.40g)を得た。DEI−MS(m/z 407(M+))及び1H-NMRより、目的物5であることを確認した。
9-anthracenecarboxaldehyde (4.1 g), acetophenone (4.8 g), ammonium acetate (20 g), and acetic acid (50 ml) were stirred for 5.2 hours while heating under reflux. The obtained solution was extracted with toluene, washed with water, and purified by silica gel column chromatography to obtain the intended product 5 (0.40 g). From DEI-MS (m / z 407 (M +)) and 1 H-NMR, it was confirmed to be the target product 5.

1H-NMR(270MHz, CDCl3), 8.58(s, 1H), 8.27-8.22(m, 4H),8.11-8.08(d,2H), 7.84(s,
2H), 7.76-7.73(d, 2H), 7.56-7.36(m, 10H)
TG−DTA測定の結果、このものの融点は220℃、気化温度は382℃であった。(実施例5)
1 H-NMR (270 MHz, CDCl3), 8.58 (s, 1H), 8.27-8.22 (m, 4H), 8.11-8.08 (d, 2H), 7.84 (s,
2H), 7.76-7.73 (d, 2H), 7.56-7.36 (m, 10H)
As a result of TG-DTA measurement, this product had a melting point of 220 ° C. and a vaporization temperature of 382 ° C. (Example 5)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

イソフタルアルデヒド(2.7g)、α−テトラロン(8.8g)、酢酸(57ml)の混合物に、大気中、室温で濃硫酸(6.4ml)を加え、室温で6.5時間撹拌した。得られた溶液に水(100ml)、エタノール(100ml)を加えて撹拌した後、沈殿を濾過、エタノール洗浄し、目的物6(6.5g)を得た。   To a mixture of isophthalaldehyde (2.7 g), α-tetralone (8.8 g) and acetic acid (57 ml) was added concentrated sulfuric acid (6.4 ml) at room temperature in the atmosphere, and the mixture was stirred at room temperature for 6.5 hours. Water (100 ml) and ethanol (100 ml) were added to the resulting solution and stirred, and then the precipitate was filtered and washed with ethanol to obtain the desired product 6 (6.5 g).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

窒素気流中、目的物6(6.5g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(14g)、酢酸アンモニウム(65g)、酢酸(240ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(240ml)を加熱還流下、18時間撹拌し、得られた溶液を放冷して析出した沈殿を濾過、エタノール洗浄した後、加熱下でのエタノール中、懸濁洗浄、更に、トルエン−ピリジン−エタノールからの再結晶にて精製し、目的物7(2.0g)を得た。EI−MS(m/z=588(M+))及び1H-NMRから目的物7であることを確認した。 In a nitrogen stream, target product 6 (6.5 g), 1-phenacylpyridinium bromide (14 g), ammonium acetate (65 g), acetic acid (240 ml), N, N-dimethylformamide (240 ml) were heated under reflux for 18 hours. The resulting solution was allowed to cool and the deposited precipitate was filtered, washed with ethanol, washed with suspension in ethanol under heating, and further purified by recrystallization from toluene-pyridine-ethanol, The target product 7 (2.0 g) was obtained. It was confirmed to be the target product 7 from EI-MS (m / z = 588 (M +)) and 1 H-NMR.

1H-NMR(270MHz, CDCl3), 8.60-8.57(dd, 2H), 8.21-8.18(td,4H),7.66(s, 2H), 7.64-7.61(d, H), 7.53-7.32(m, 13H), 7.27-7.16(m, 2H),3.05-2.89(m,8H)
(実施例6)
1 H-NMR (270 MHz, CDCl3), 8.60-8.57 (dd, 2H), 8.21-8.18 (td, 4H), 7.66 (s, 2H), 7.64-7.61 (d, H), 7.53-7.32 (m, 13H), 7.27-7.16 (m, 2H), 3.05-2.89 (m, 8H)
(Example 6)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

テレフタルアルデヒド(4.0g)、α−テトラロン(13g)、濃硫酸(9.6ml
)、酢酸(86ml)を大気中、室温で、5.3時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(50ml)、メタノール(100ml)を加え、析出した沈殿を濾過、メタノールで洗浄した。更にメタノール(120ml)中で懸濁洗浄後、減圧乾燥し、目的物8(11g)を得た。
Terephthalaldehyde (4.0 g), α-tetralone (13 g), concentrated sulfuric acid (9.6 ml)
), Acetic acid (86 ml) in the atmosphere at room temperature for 5.3 hours, water (50 ml) and methanol (100 ml) were added with stirring, and the deposited precipitate was filtered and washed with methanol did. Further, the suspension was washed in methanol (120 ml) and dried under reduced pressure to obtain the desired product 8 (11 g).

目的物8(3.9g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(8.3g)、酢酸アンモニウム(39g)、酢酸(140ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(140ml)を、加熱環流下、9.3時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(150ml)、メタノール(100ml)を加え、析出した沈殿物を濾過、メタノール(3×50ml)で洗浄後、クロロホルム−メタノール中で加熱還流下、懸濁洗浄し、更にトルエン−ピリジン−エタノールからの再沈殿で精製し、目的物9(1.1g)を得た。EI−MS(m/z=588(M+))および1H-NMRから目的物9であることを確認した。 The desired product 8 (3.9 g), 1-phenacylpyridinium bromide (8.3 g), ammonium acetate (39 g), acetic acid (140 ml), N, N-dimethylformamide (140 ml) were heated to 9.3 under reflux. Water (150 ml) and methanol (100 ml) were added with stirring to the resulting solution, and the deposited precipitate was filtered, washed with methanol (3 × 50 ml), and then heated under reflux in chloroform-methanol. The suspension was washed, and further purified by reprecipitation from toluene-pyridine-ethanol to obtain the intended product 9 (1.1 g). It was confirmed to be the target product 9 by EI-MS (m / z = 588 (M +)) and 1 H-NMR.

1H-NMR(270MHz, CDCl3), 8.62-8.57(d, 4H), 8.23-8.20(d,4H),7.68(s, 2H), 7.56-7.16(m, 14H), 3.07-2.90(m, 8H)
(実施例7)
1 H-NMR (270 MHz, CDCl3), 8.62-8.57 (d, 4H), 8.23-8.20 (d, 4H), 7.68 (s, 2H), 7.56-7.16 (m, 14H), 3.07-2.90 (m, 8H)
(Example 7)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

テレフタルアルデヒド(1.3g)、2−アセチルナフトン(3.4g)、濃硫酸(3.2ml)、酢酸(29ml)を大気中、室温で、7時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(30ml)、エタノール(100ml)を加え、析出した沈殿を濾過、メタノールで洗浄した。更に加熱下、エタノール溶媒中、及びクロロホルム−トルエン溶媒中で懸濁洗浄後、減圧乾燥し、目的物10(2.7g)を得た。   To a solution obtained by stirring terephthalaldehyde (1.3 g), 2-acetylnaphthone (3.4 g), concentrated sulfuric acid (3.2 ml), and acetic acid (29 ml) at room temperature in the atmosphere for 7 hours, stirring While adding water (30 ml) and ethanol (100 ml), the deposited precipitate was filtered and washed with methanol. Further, under heating, suspended and washed in an ethanol solvent and a chloroform-toluene solvent, and dried under reduced pressure, the target product 10 (2.7 g) was obtained.

目的物10(2.7g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(5.2g)、酢酸アンモニウム(24g)、酢酸(100ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(100ml)を、加熱環流下、8時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(30ml)、エタノール(120ml)を加え、析出した沈殿物を濾過、エタノールで洗浄後、トルエン−ピリジンからの再結晶で精製し、目的物11(2.0g)を得た。DEI−MS(m/z=636(M+))および1H-NMRから目的物11であることを確認した。 The target product 10 (2.7 g), 1-phenacylpyridinium bromide (5.2 g), ammonium acetate (24 g), acetic acid (100 ml), N, N-dimethylformamide (100 ml) were stirred with heating under reflux for 8 hours. Water (30 ml) and ethanol (120 ml) were added to the resulting solution with stirring, and the deposited precipitate was filtered, washed with ethanol, purified by recrystallization from toluene-pyridine, and the target compound 11 ( 2.0 g) was obtained. It was confirmed to be the target compound 11 from DEI-MS (m / z = 636 (M +)) and 1 H-NMR.

1H-NMR(270MHz, CDCl3), 8.71(br s, 2H), 8.43-8.40(dd, 2H),8.30-8.27(td,4H), 8.13-8.12(d, 2H), 8.03-7.99(m, 10H), 7.94-7.90(m, 2H),7.60-7.47(m,10H)
(実施例8)
1 H-NMR (270 MHz, CDCl3), 8.71 (br s, 2H), 8.43-8.40 (dd, 2H), 8.30-8.27 (td, 4H), 8.13-8.12 (d, 2H), 8.03-7.99 (m , 10H), 7.94-7.90 (m, 2H), 7.60-7.47 (m, 10H)
(Example 8)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

イソフタルアルデヒド(4.0g)、1−アセトナフトン(15.3g)、濃硫酸(9.6ml)、酢酸(86ml)を大気中、室温で、6時間攪拌して得られた溶液に、攪拌しながら水(100ml)、メタノール(50ml)を加え、析出した油状物をトルエンを加えて溶解し、抽出後、トルエン層を炭酸水素ナトリウム水溶液、塩化ナトリウム水溶液、水で洗浄した。トルエン層を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製後、油状の目的物12(13g)を得た。   While stirring, a solution obtained by stirring isophthalaldehyde (4.0 g), 1-acetonaphthone (15.3 g), concentrated sulfuric acid (9.6 ml) and acetic acid (86 ml) in the atmosphere at room temperature for 6 hours was stirred. Water (100 ml) and methanol (50 ml) were added, and the precipitated oil was dissolved by adding toluene. After extraction, the toluene layer was washed with an aqueous sodium hydrogen carbonate solution, an aqueous sodium chloride solution and water. The toluene layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain the oily target product 12 (13 g).

目的物12(5.0g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(9.5g)、酢酸アンモニウム(43.9g)、酢酸(110ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(110ml)を、加熱環流下、8時間攪拌して得られた溶液を、水(250ml)に注ぎ、析出した沈殿物を濾過、メタノール(300ml)で洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物13(1.75g)を得た。   The desired product 12 (5.0 g), 1-phenacylpyridinium bromide (9.5 g), ammonium acetate (43.9 g), acetic acid (110 ml), N, N-dimethylformamide (110 ml) were heated under reflux. The solution obtained by stirring for a period of time was poured into water (250 ml), and the deposited precipitate was filtered, washed with methanol (300 ml), and then purified by silica gel column chromatography to obtain the desired product 13 (1.75 g). Obtained.

DEI−MS(m/z=636(M+))から目的物13であることを確認した。
このものの気化温度は486℃、Tgは106℃であった。
(実施例9)
From DEI-MS (m / z = 636 (M +)), it was confirmed to be the target product 13.
The vaporization temperature of this product was 486 ° C. and Tg was 106 ° C.
Example 9

Figure 0004622433
Figure 0004622433

ベンズアルデヒド(1.1g)、α−テトラロン(2.9g)、酢酸アンモニウム(10g)、酢酸(25ml)を加熱環流下、1.8時間攪拌した。得られた溶液に水(30ml)、メタノール(30ml)を加え、析出した固形分をろ別、メタノール洗後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物14(0.74g)を得た。DEI−MS(m/z 359(M+))より、目的物14であることを確認した。   Benzaldehyde (1.1 g), α-tetralone (2.9 g), ammonium acetate (10 g), and acetic acid (25 ml) were stirred for 1.8 hours under heating reflux. Water (30 ml) and methanol (30 ml) were added to the resulting solution, and the precipitated solid was separated by filtration, washed with methanol, and purified by silica gel column chromatography to obtain the desired product 14 (0.74 g). From DEI-MS (m / z 359 (M +)), it was confirmed to be the target product 14.

TG−DTA測定の結果、このものの融点は180℃、気化温度は345℃であった。(実施例10)   As a result of TG-DTA measurement, this product had a melting point of 180 ° C. and a vaporization temperature of 345 ° C. (Example 10)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

テレフタルアルデヒド(3.35g)、2'−ブロモアセトフェノン(14.9g)、
酢酸(71ml)、ニトロベンゼン(20ml)の混合物に、空気中、室温で濃硫酸(12ml)を加え、30℃で7時間撹拌した。得られた溶液に水(50ml)、メタノール(150ml)を加えて撹拌した後、沈殿を濾過、エタノール洗浄およびメタノール(300ml)中での懸濁洗浄で精製し、目的物15(7.95g)を得た。
Terephthalaldehyde (3.35 g), 2′-bromoacetophenone (14.9 g),
Concentrated sulfuric acid (12 ml) was added to a mixture of acetic acid (71 ml) and nitrobenzene (20 ml) in air at room temperature, and the mixture was stirred at 30 ° C. for 7 hours. Water (50 ml) and methanol (150 ml) were added to the obtained solution and stirred, and then the precipitate was filtered, purified by ethanol washing and suspension washing in methanol (300 ml), and the target product 15 (7.95 g). Got.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

窒素気流中、目的物15(7.95g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(13.4g)、酢酸アンモニウム(61.8g)、酢酸(180ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(150ml)、ニトロベンゼン(70ml)を加熱還流下、7時間撹拌し、得られた溶液に水(100ml)、エタノール(100ml)を加えて撹拌した。析出した沈殿を濾過、エタノール洗浄した後、エタノール(400ml)中での懸濁洗浄で精製し、目的物16(7.69g)を得た。   In a nitrogen stream, the target compound 15 (7.95 g), 1-phenacylpyridinium bromide (13.4 g), ammonium acetate (61.8 g), acetic acid (180 ml), N, N-dimethylformamide (150 ml), nitrobenzene ( 70 ml) was stirred for 7 hours under reflux with heating, and water (100 ml) and ethanol (100 ml) were added to the resulting solution and stirred. The deposited precipitate was filtered and washed with ethanol, and then purified by suspension washing in ethanol (400 ml) to obtain the desired product 16 (7.69 g).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

窒素気流中、目的物16(7.69g)、フェニルボロン酸(4.05g)、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(1.02g)、燐酸三カリウム(9.4g)、トルエン(300ml)、イオン交換水(22ml)の混合物を、加熱還流下、7時間攪拌した後、水(150ml)で洗った後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、濾過した。ろ液を濃縮後、アセトン(20ml)−メタノール(100ml)からの再沈殿およびシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物17(2.88g)を得た。D
EI−MS(m/z=688(M+))から目的物17であることを確認した。このもの
の融点は232℃、気化温度は483℃、ガラス転移温度は106℃であった。
(実施例11)
In a nitrogen stream, the target product 16 (7.69 g), phenylboronic acid (4.05 g), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (1.02 g), tripotassium phosphate (9.4 g), toluene (300 ml), A mixture of ion-exchanged water (22 ml) was stirred with heating under reflux for 7 hours, washed with water (150 ml), dried over anhydrous magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated and purified by reprecipitation from acetone (20 ml) -methanol (100 ml) and silica gel column chromatography to obtain the target product 17 (2.88 g). D
From EI-MS (m / z = 688 (M +)), it was confirmed to be the target compound 17. This had a melting point of 232 ° C., a vaporization temperature of 483 ° C., and a glass transition temperature of 106 ° C.
(Example 11)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

空気中、3,5−ジブロモベンズアルデヒド(2.64g)、アセトフェノン(1.44g)、酢酸(22ml)に撹拌しながら濃硫酸(1.6ml)を加えた後、30℃で、8時間攪拌した。得られた溶液に水(30ml)、メタノール(30ml)を加え、析出した固形分をろ別、メタノール−水混合溶媒で洗浄後、メタノール懸濁洗浄して精製し、目的物18(1.66g)を得た。   Concentrated sulfuric acid (1.6 ml) was added with stirring to 3,5-dibromobenzaldehyde (2.64 g), acetophenone (1.44 g) and acetic acid (22 ml) in air, and then stirred at 30 ° C. for 8 hours. . Water (30 ml) and methanol (30 ml) were added to the resulting solution, and the precipitated solid was separated by filtration, washed with a methanol-water mixed solvent, purified by suspension in methanol, and purified by the target product 18 (1.66 g). )

空気中、目的物18(1.66g)、1−フェナシルピリジニウムブロマイド(1.51g)、酢酸アンモニウム(8.72g)、酢酸(78ml)、N,N−ジメチルホルムアミド(78ml)を加熱還流下、5時間撹拌し、得られた溶液に水(80ml)、エタノール(60ml)を加えて撹拌した。析出した沈殿を濾過、エタノール洗浄して精製し、目的物19(1.36g)を得た。   The target product 18 (1.66 g), 1-phenacylpyridinium bromide (1.51 g), ammonium acetate (8.72 g), acetic acid (78 ml), N, N-dimethylformamide (78 ml) were heated and refluxed in the air. The mixture was stirred for 5 hours, and water (80 ml) and ethanol (60 ml) were added to the resulting solution and stirred. The deposited precipitate was filtered, washed with ethanol and purified to obtain the intended product 19 (1.36 g).

窒素気流中、目的物19(0.75g)、9−フェナントレンボロン酸(1.44g)、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0.15g)、リン酸三カリウム(2.06g)、トルエン(100ml)、水(4.9ml)、エタノール(3ml)を、加熱還流下、9.2時間撹拌した後、トルエン層を分液、濃縮後、GPCにて精製し
、目的物20(0.71g)を得た。DEI−MS(m/z=659(M+))から目的物20であることを確認した。このもののガラス転移温度は141℃、沸点は571℃であった。
(実施例12)
目的物1および17の薄膜(膜厚50nm)を真空蒸着法によりガラス基板上に作成した。得られた薄膜は透明なアモルファス膜であった。得られた薄膜の最大吸光波長で励起したときの蛍光発光スペクトルを図4に示した。この結果から、一般式(II)で示される本発明の化合物は、薄膜状態での分子間相互作用が抑制されていることが明確である。(実施例13)
図3に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
In a nitrogen stream, the target product 19 (0.75 g), 9-phenanthreneboronic acid (1.44 g), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0.15 g), tripotassium phosphate (2.06 g), toluene ( 100 ml), water (4.9 ml) and ethanol (3 ml) were stirred with heating under reflux for 9.2 hours, and then the toluene layer was separated and concentrated, and purified by GPC to obtain the target product 20 (0.71 g). ) From DEI-MS (m / z = 659 (M + )), it was confirmed to be the target product 20. This had a glass transition temperature of 141 ° C. and a boiling point of 571 ° C.
(Example 12)
Thin films (thickness 50 nm) of the objects 1 and 17 were formed on a glass substrate by vacuum deposition. The obtained thin film was a transparent amorphous film. The fluorescence emission spectrum when excited at the maximum absorption wavelength of the obtained thin film is shown in FIG. From this result, it is clear that the intermolecular interaction in the thin film state is suppressed in the compound of the present invention represented by the general formula (II). (Example 13)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 3 was produced by the following method.

ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜2を150nm堆積した
もの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成し
たITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film 2 deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance: 15Ω) is formed into a 2 mm wide stripe using ordinary photolithography and hydrochloric acid etching. An anode was formed by patterning. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

陽極バッファ層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物(PB−1)   As a material for the anode buffer layer 3, a non-conjugated polymer compound (PB-1) having an aromatic amino group having the structural formula shown below

Figure 0004622433
Figure 0004622433

重量平均分子量 :29400
数平均分子量 :12600
を電子受容性化合物(A−1)
Weight average molecular weight: 29400
Number average molecular weight: 12600
An electron-accepting compound (A-1)

Figure 0004622433
Figure 0004622433

と共に以下の条件でスピンコートした。
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 2[wt%]
PB−1:A−1 10:1
スピナ回転数 1500[rpm]
スピナ回転時間 30[秒]
乾燥条件 100℃1時間
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
次に陽極バッファー層を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気
を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が1.1x10-6Torr(約1.5x10-4Pa)以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示すアリールアミン化合物(H−1)
In addition, spin coating was performed under the following conditions.
Solvent Ethyl benzoate Coating solution concentration 2 [wt%]
PB-1: A-1 10: 1
Spinner speed 1500 [rpm]
Spinner rotation time 30 [seconds]
Drying conditions 100 ° C. for 1 hour A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.
Next, the substrate on which the anode buffer layer was formed was placed in a vacuum evaporation apparatus. After roughly exhausting the apparatus with an oil rotary pump, the apparatus was exhausted with an oil diffusion pump until the degree of vacuum in the apparatus was 1.1 × 10 −6 Torr (about 1.5 × 10 −4 Pa) or less. Arylamine compound (H-1) shown below, placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus

Figure 0004622433
Figure 0004622433

をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、318〜334℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度1.1x10-6Torr(約1.4x10-4Pa)、蒸着速度は0.15nm/秒で膜厚60nmの正孔輸送層4を得た。
引続き、発光層5の主成分(ホスト材料)として下記に示すカルバゾール誘導体(E−1)を、副成分(ドーパント)として有機イリジウム錯体(D−1)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
Vapor deposition was performed by heating with a tantalum wire heater around the crucible. The temperature of the crucible at this time was controlled in the range of 318 to 334 ° C. The degree of vacuum during deposition was 1.1 × 10 −6 Torr (about 1.4 × 10 −4 Pa), the deposition rate was 0.15 nm / sec, and a hole transport layer 4 having a thickness of 60 nm was obtained.
Subsequently, a carbazole derivative (E-1) shown below as a main component (host material) of the light-emitting layer 5 and an organic iridium complex (D-1) as a subcomponent (dopant) were placed in separate ceramic crucibles, and binary Film formation was performed by the co-evaporation method.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

化合物(E−1)のるつぼ温度は 184〜196℃、蒸着速度は 0.11nm/秒に、化合物(D
−1)のるつぼ温度は 245〜 246℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで化合物(D−1)が6重量%含有された発光層5を正孔輸送層4の上に積層した。蒸着時の真空度は1.0x10-6Torr(約1.3x10-4Pa)であった。
さらに、正孔阻止層6として実施例3で合成された目的物4(HB−1)
The crucible temperature of the compound (E-1) is 184 to 196 ° C., the deposition rate is 0.11 nm / second, and the compound (D
The crucible temperature of -1) was controlled to 245 to 246 ° C., and the light emitting layer 5 containing 30% of the film thickness and containing 6% by weight of the compound (D-1) was laminated on the hole transport layer 4. The degree of vacuum during vapor deposition was 1.0 × 10 −6 Torr (about 1.3 × 10 −4 Pa).
Furthermore, the object 4 (HB-1) synthesized in Example 3 as the hole blocking layer 6

Figure 0004622433
Figure 0004622433

をるつぼ温度を 190〜196℃として、蒸着速度0.13nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は0.7x10-6Torr(約0.9x10-4Pa)であった。
正孔阻止層6の上に、電子輸送層7として下記に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体(ET−1)
The crucible temperature was 190 to 196 ° C., and the film was laminated with a film thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.13 nm / second. The degree of vacuum during the deposition was 0.7 × 10 −6 Torr (about 0.9 × 10 −4 Pa).
An aluminum 8-hydroxyquinoline complex (ET-1) shown below as an electron transport layer 7 on the hole blocking layer 6

Figure 0004622433
Figure 0004622433

を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は250〜262℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は0.7x10-6Torr(約0.9x10-4Pa)、蒸
着速度は0.21nm/秒で膜厚は35nmとした。
上記の正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
Was deposited in the same manner. At this time, the crucible temperature of the aluminum 8-hydroxyquinoline complex is controlled in the range of 250 to 262 ° C., the vacuum during deposition is 0.7 × 10 −6 Torr (about 0.9 × 10 −4 Pa), and the deposition rate is 0.21 nm / The film thickness was 35 nm in seconds.
The substrate temperature when vacuum-depositing the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer was maintained at room temperature.

ここで、電子輸送層6までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2
のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.7x10-6Torr(約2.0x10-4Pa)以下になるまで排気した。陰極8として、先ず、フッ化リチウム(LiF)をモリブデンボートを用いて、蒸
着速度0.01nm/秒、真空度3.0x10-6Torr(約4.0x10-4Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層
7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.48nm/秒、真空度8.5x10-6Torr(約1.1x10-3Pa)で膜厚80nmのアルミニウム層を形
成して陰極8を完成させた。以上の2層型陰極8の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
Here, the element on which the electron transport layer 6 has been deposited is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as the cathode deposition mask.
In close contact with the ITO stripe, the device is placed in a separate vacuum deposition apparatus, and the degree of vacuum in the apparatus is 2.7x10 -6 Torr (about 2.0x10 -4 Pa) in the same manner as the organic layer. Exhaust until below. As the cathode 8, first, lithium fluoride (LiF) is deposited at a deposition rate of 0.01 nm / second, a degree of vacuum of 3.0 × 10 −6 Torr (about 4.0 × 10 −4 Pa) and a thickness of 0.5 nm using a molybdenum boat. A film was formed on the transport layer 7. Next, aluminum is similarly heated by a molybdenum boat to form an aluminum layer having a film thickness of 80 nm at a deposition rate of 0.48 nm / second and a degree of vacuum of 8.5 × 10 −6 Torr (about 1.1 × 10 −3 Pa). Completed. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layer cathode 8 was kept at room temperature.

以上の様にして、2mmx2mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−1に示す。表−1において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、発光効率・輝度/電流・電圧は輝度100cd/m2での値を各々示す。素子の発
光スペクトルの極大波長は510nmであり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同
定された。色度はCIE(x,y)=(0.29,0.62)であった。
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. In Table 1, the maximum light emission luminance is a value at a current density of 0.25 A / cm 2 , and the light emission efficiency, luminance / current, and voltage are values at a luminance of 100 cd / m 2 , respectively. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 510 nm, which was identified as that from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.29,0.62).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(実施例14)
正孔阻止層の目的物4(HB−1)の代わりに実施例2で合成された目的物1(HB−2)を用いた他は実施例13と同様にして素子を作製した。この素子の発光特性を表−1に示す。素子の発光スペクトルの極大波長は512nm、色度はCIE(x,y)=(0.28,0.63)であり
、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。
(Example 14)
A device was fabricated in the same manner as in Example 13 except that the target 1 (HB-2) synthesized in Example 2 was used instead of the target 4 (HB-1) in the hole blocking layer. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.28,0.63), which was identified as that from the organic iridium complex (D-2).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(実施例15)
正孔阻止層の目的物4(HB−1)の代わりに実施例10で合成された目的物17を用いた他は実施例13と同様にして素子を作製した。この素子の発光特性を表−1に示す。素子の発光スペクトルの極大波長は510nm、色度はCIE(x,y)=(0.28,0.61)であり、有機イ
リジウム錯体(D−2)からのものと同定された。
(実施例16)
正孔阻止層の目的物4(HB−1)の代わりに実施例11で合成された目的物20(HB−4)を用いた他は実施例13と同様にして素子を作製した。この素子の発光特性を表−1に示す。素子の発光スペクトルの極大波長は512nm、色度はCIE(x,y)=(0.29,0.61)で
あり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。
(Example 15)
A device was fabricated in the same manner as in Example 13 except that the target 17 synthesized in Example 10 was used instead of the target 4 (HB-1) in the hole blocking layer. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 510 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.28,0.61), which was identified as that from the organic iridium complex (D-2).
(Example 16)
A device was fabricated in the same manner as in Example 13 except that the target 20 (HB-4) synthesized in Example 11 was used instead of the target 4 (HB-1) in the hole blocking layer. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 512 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.29, 0.61), which was identified as that from the organic iridium complex (D-1).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(比較例1)
正孔阻止層の目的物4(HB−1)の代わりに下記に示す混合配位子錯体(HB−3)を用いた他は実施例13と同様にして素子を作製した。この素子の発光特性を表−1に示す。素子の発光スペクトルの極大波長は510nm、色度はCIE(x,y)=(0.29,0.62)であり、有
機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。実施例13〜16と比較して、発光効率が低かった。
(Comparative Example 1)
A device was fabricated in the same manner as in Example 13 except that the mixed ligand complex (HB-3) shown below was used instead of the target 4 (HB-1) of the hole blocking layer. The light emission characteristics of this element are shown in Table-1. The maximum wavelength of the emission spectrum of the device was 510 nm, and the chromaticity was CIE (x, y) = (0.29,0.62), which was identified as that from the organic iridium complex (D-2). Luminous efficiency was low compared with Examples 13-16.

Figure 0004622433
Figure 0004622433

(実施例17)駆動寿命試験
実施例13及び実施例16で作製した素子を、下記条件の下、駆動寿命試験を行った。
温度 室温
初期輝度1000cd/m2
駆動方式 直流駆動(DC駆動)
素子の駆動特性を表−2に示す。L/L0は2850時間後の輝度/初期輝度およびΔVは電圧上昇値(=電圧−初期駆動電圧)である。
Example 17 Drive Life Test A drive life test was performed on the devices manufactured in Example 13 and Example 16 under the following conditions.
Temperature room temperature
Initial brightness 1000cd / m2
Drive system DC drive (DC drive)
Table 2 shows the drive characteristics of the element. L / L0 is the luminance / initial luminance after 2850 hours, and ΔV is a voltage increase value (= voltage−initial driving voltage).

Figure 0004622433
Figure 0004622433

有機電界発光素子の一例を示した模式断面図である。It is the schematic cross section which showed an example of the organic electroluminescent element. 有機電界発光素子の別の例を示した模式断面図である。It is the schematic cross section which showed another example of the organic electroluminescent element. 有機電界発光素子の別の例を示した模式断面図である。It is the schematic cross section which showed another example of the organic electroluminescent element. 目的物1および目的物17の薄膜の最大吸光波長で励起したときの蛍光発光スペクトルである(実施例12)。It is a fluorescence emission spectrum when it excites with the maximum absorption wavelength of the thin film of the target object 1 and the target object 17 (Example 12).

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 陽極
3 陽極バッファ層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Anode buffer layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Cathode

Claims (13)

下記一般式(I)で表わされることを特徴とする電子輸送材料。
Figure 0004622433
上記一般(I)中、環Aはピリジン環であり、
およびRは任意の置換基である。RおよびRは、各々独立に水素原子または任意の置換基を表す。
環Aの数を表すnは〜10の整数であり、Zは直接結合又はn価の連結基を表す。尚、1分子中に含まれる複数のR〜Rは、各々同一であっても異なっていてもよい。
但し、〜RおよびZは、ジアリールアミン骨格を含まない。
又、ビピリジル構造を有する化合物を除く。
An electron transport material represented by the following general formula (I):
Figure 0004622433
(In the above general formula (I) , ring A is a pyridine ring,
R 1 and R 4 are optional substituents. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
N representing the number of rings A is an integer of 2 to 10, and Z represents a direct bond or an n-valent linking group . A plurality of R 1 to R 4 contained in one molecule may be the same or different.
However, R 1 to R 4 and Z do not include a diarylamine skeleton.
Also, compounds having a bipyridyl structure are excluded. )
一般式(I)におけるRおよびRが、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項1に記載の電子輸送材料。 2. The electron transport material according to claim 1, wherein R 1 and R 4 in the general formula (I) are each independently an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. 一般式(I)におけるRおよびRが、各々独立に、置換基を有していてもよい炭化水素基であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子輸送材料。 The electron transport material according to claim 1 or 2, wherein R 2 and R 3 in the general formula (I) are each independently a hydrocarbon group which may have a substituent. 基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有し、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子輸送材料を含む層を有することを特徴とする有機電界発光素子。 On a substrate, comprising an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the two electrodes, characterized in that it includes a layer containing an electron transporting material according to any one of claims 1 to 3 organic Electroluminescent device. 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子輸送材料を含む層が、有機発光層であることを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 4, wherein the layer containing the electron transport material according to any one of claims 1 to 3 is an organic light emitting layer. 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子輸送材料を含む層を有機発光層と陰極との間に有することを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光素子。 5. The organic electroluminescent device according to claim 4, further comprising a layer containing the electron transport material according to any one of claims 1 to 3 between the organic light emitting layer and the cathode. 有機発光層と陰極との間に有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子輸送材料を含む層が、有機発光層の陰極側界面に接する層であることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光素子。 Claim a layer containing an electron transporting material according to any one of claims 1 to 3 having between the organic light-emitting layer and the cathode, characterized in that it is a layer in contact with the cathode side interface of the organic light-emitting layer 6. The organic electroluminescent element according to 6. 更に、有機発光層に、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の電子輸送材料を含むことを特徴とする請求項6又は7に記載の有機電界発光素子。 Further, the organic light-emitting layer, the organic electroluminescent device according to claim 6 or 7, characterized in that it comprises an electron transport material according to any one of claims 1 to 3. 有機発光層が、Ir、Pt、Au又はPdを中心金属とする有機金属錯体を含有することを特徴とする請求項4乃至8のいずれか1項に記載の有機電界発光素子。 The organic light-emitting layer, Ir, Pt, organic electroluminescent device according to any one of claims 4 to 8, characterized in that it contains an organic metal complex, of which central metal is Au or Pd. 該有機金属錯体が、置換基を有していてもよい2−アリールピリジン骨格を有する配位子を有することを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 9, wherein the organometallic complex has a ligand having a 2-arylpyridine skeleton which may have a substituent. 下記一般式(II)で表わされる化合物であって、該化合物が最安定化構造をとった際に、平面構造とならないことを特徴とする化合物。
Figure 0004622433
上記一般(II)中、環Bはピリジン環である。
およびRは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基である。
およびRは、各々独立に水素原子又は任意の置換基を表す。
mは、環Bの数を表す2〜10の整数である。
は、1分子中の複数の環Bを結合する、直接結合、又はm価の芳香族炭化水素基或いは芳香族複素環基を表す。
1分子中に含まれる複数の環Bは、Zを介して共役する。
1分子中に含まれる複数のR〜Rは、各々同一であっても異なっていてもよい。
但し、〜RおよびZは、ジアリールアミン骨格を含まない。
又、ビピリジル構造を有する化合物を除く。
A compound represented by the following formula (II), the compound in which the compound when taking the most stable structures, characterized in that not a planar structure.
Figure 0004622433
(In the above general formula (II) , ring B is a pyridine ring.
R 5 and R 8 are an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
R 6 and R 7 each independently represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.
m is an integer of 2 to 10 representing the number of rings B.
Z 1 represents a direct bond, an m-valent aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group that bonds a plurality of rings B in one molecule.
A plurality of rings B contained in one molecule are conjugated via Z 1 .
A plurality of R 5 to R 8 contained in one molecule may be the same or different.
However, R 5 to R 8 and Z 1 do not include a diarylamine skeleton.
Also, compounds having a bipyridyl structure are excluded. )
一般式(II)において、R、RおよびZが、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であることを特徴とする請求項11に記載の化合物。 The compound according to claim 11, wherein in the general formula (II), R 5 , R 8 and Z 1 are each independently an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. 一般式(II)で表わされる化合物が、最安定化構造を取った際に、少なくとも2つの環BおよびZが同一平面上にあることを特徴とする請求項11又は12に記載の化合物。 Compound represented by the general formula (II) is, when taking the most stable structures A compound according to claim 11 or 12, characterized in that at least two rings B and Z 1 are coplanar.
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