JP4963248B2 - Aromatic amine compounds - Google Patents
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Description
本発明は、芳香族アミン化合物、および芳香族アミン化合物を用いた発光素子、発光装置、電子機器に関する。 The present invention relates to an aromatic amine compound, and a light-emitting element, a light-emitting device, and an electronic device using the aromatic amine compound.
近年、発光性の化合物を用いた発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。 In recent years, research and development of light-emitting elements using light-emitting compounds have been actively conducted. The basic structure of these light-emitting elements is such that a layer containing a light-emitting organic compound is sandwiched between a pair of electrodes. By applying a voltage to this element, electrons and holes are injected from the pair of electrodes to the layer containing a light-emitting organic compound, and current flows. Then, these carriers (electrons and holes) recombine, whereby the light-emitting organic compound forms an excited state, and emits light when the excited state returns to the ground state. Due to such a mechanism, such a light-emitting element is referred to as a current-excitation light-emitting element.
このような発光素子は、例えば0.1μm程度の有機薄膜で形成されるため、薄型軽量に作製できることが大きな利点である。また、キャリアが注入されてから発光に至るまでの時間は1μ秒程度あるいはそれ以下であるため、非常に応答速度が速いことも特長の一つである。これらの特性は、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。 Such a light-emitting element is formed of an organic thin film having a thickness of, for example, about 0.1 μm. In addition, since the time from the injection of the carrier to the light emission is about 1 μsec or less, one of the features is that the response speed is very fast. These characteristics are considered suitable for flat panel display elements.
また、これらの発光素子は膜状に形成されるため、大面積の素子を形成することにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やLEDに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。 In addition, since these light-emitting elements are formed in a film shape, planar light emission can be easily obtained by forming a large-area element. This is a feature that is difficult to obtain with a point light source typified by an incandescent bulb or LED, or a line light source typified by a fluorescent lamp, and therefore has a high utility value as a surface light source applicable to illumination or the like.
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、材料に依存した問題が多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。 With respect to such a light emitting element, there are many problems depending on the material in improving the element characteristics, and improvement of the element structure, material development, and the like have been performed in order to overcome these problems.
例えば、非特許文献1では、青色の発光材料を用いた発光素子について記載されている。 For example, Non-Patent Document 1 describes a light-emitting element using a blue light-emitting material.
非特許文献1に記載の発光素子では、発光層と接する層として、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)が用いられている。しかしながら、NPBは一重項励起エネルギーが低く、励起状態の発光材料からエネルギーが移動してしまう可能性がある。特に、短波長である青色を発光する発光材料の場合には、励起状態のエネルギー準位が高いため、NPBへエネルギーが移動してしまう可能性がより高い。NPBへエネルギーが移動してしまうと、発光素子の発光効率が低下してしまうという問題があった。 In the light-emitting element described in Non-Patent Document 1, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) is used as a layer in contact with the light-emitting layer. However, NPB has low singlet excitation energy, and there is a possibility that energy is transferred from a light emitting material in an excited state. In particular, in the case of a light-emitting material that emits blue light having a short wavelength, the energy level in the excited state is high, and thus there is a higher possibility that energy is transferred to NPB. When energy is transferred to the NPB, there is a problem that the light emission efficiency of the light emitting element is lowered.
よって、本発明は、新規芳香族アミン化合物を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a novel aromatic amine compound.
また、発光効率の高い発光素子および発光装置、電子機器を提供することを目的とする。 Another object is to provide a light-emitting element, a light-emitting device, and an electronic device with high light emission efficiency.
本発明の一は、一般式(1)で表される芳香族アミン化合物である。
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(1−1)〜一般式(1−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(1−1)〜一般式(1−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 has 6 to 25 carbon atoms. Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents any one of the substituents represented by the general formula (1-1) to the general formula (1-4). In the general formulas (1-1) to (1-4), R 11 and R 12 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 12 carbon atoms. Any one of the groups, R 13 to R 19 and R 21 to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
一般式(1)で表される芳香族アミン化合物のうち、一般式(3)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Of the aromatic amine compounds represented by the general formula (1), an aromatic amine compound represented by the general formula (3) is preferable.
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(3−1)〜一般式(3−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(3−1)〜一般式(3−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and Ar 1 represents 6 to 25 carbon atoms. In addition, α represents any one of the substituents represented by the general formula (3-1) to the general formula (3-4), and the general formula (3-1) to the general formula (3). -4), R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 13 to R 19 and R 21. to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
より好ましくは、一般式(5)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (5).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R3〜R7は、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、またはフェニル基のいずれかを表す。また、αは、一般式(5−1)〜一般式(5−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(5−1)〜一般式(5−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 3 to R 7 are each a hydrogen atom. Or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and α represents any substituent represented by the general formula (5-1) to the general formula (5-4). In formulas (5-1) to (5-4), R 11 and R 12 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. R 13 to R 19 and R 21 to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
さらに好ましくは、一般式(7)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (7).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。また、αは、一般式(7−1)〜一般式(7−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(7−1)〜一般式(7−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Α represents a general formula (7 -1) to any one of the substituents represented by the general formula (7-4), and in the general formula (7-1) to the general formula (7-4), R 11 and R 12 are each hydrogen. It represents either an atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 13 to R 19 and R 21 to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49. Each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
また、一般式(9)または一般式(10)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that it is an aromatic amine compound represented by General formula (9) or General formula (10).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 11 and R 12 are each represented by: It represents either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.)
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R30は、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基のいずれかを表す。) (Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 30 represents a hydrogen atom or a carbon atom. Represents any one of the alkyl groups of formulas 1-4)
また、本発明の一は、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物である。 Another aspect of the present invention is an aromatic amine compound represented by the general formula (2).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(2−1)〜一般式(2−2)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(2−1)〜一般式(2−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 has 6 to 25 carbon atoms. Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents any one of the substituents represented by the general formula (2-1) to the general formula (2-2). In general formulas (2-1) to (2-2), R 51 and R 52 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 12 carbon atoms. Any one of the groups, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
一般式(2)で表される芳香族アミン化合物のうち、一般式(4)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Of the aromatic amine compounds represented by the general formula (2), an aromatic amine compound represented by the general formula (4) is preferable.
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(4−1)〜一般式(4−2)のいずれかで表される置換基を表し、一般式(4−1)〜一般式(4−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and Ar 1 represents 6 to 25 carbon atoms. Further, α represents a substituent represented by any one of the general formula (4-1) to the general formula (4-2), and the general formula (4-1) to the general formula (4). -2), R 51 and R 52 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
より好ましくは、一般式(6)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (6).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R3〜R7は、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、またはフェニル基のいずれかを表す。また、αは、一般式(6−1)〜一般式(6−2)のいずれかで表される置換基を表し、一般式(6−1)〜一般式(6−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 3 to R 7 are each a hydrogen atom. Or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and α represents a substituent represented by any one of the general formula (6-1) to the general formula (6-2). In formulas (6-1) to (6-2), R 51 and R 52 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. R 53 to R 58 and R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
さらに好ましくは、一般式(8)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (8).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。また、αは、一般式(8−1)〜一般式(8−2)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(8−1)〜一般式(8−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Α represents a general formula (8 -1) to any one of the substituents represented by the general formula (8-2), and in the general formula (8-1) to the general formula (8-2), R 51 and R 52 are each hydrogen. It represents either an atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68 are respectively a hydrogen atom or 1 to C carbon atoms. 4 represents an alkyl group.)
また、一般式(11)または一般式(12)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that it is an aromatic amine compound represented by General formula (11) or General formula (12).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 51 and R 52 are respectively It represents either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.)
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.)
また、本発明の一は、一対の電極間に、上記の芳香族アミン化合物を有する発光素子である。 Another embodiment of the present invention is a light-emitting element having the above aromatic amine compound between a pair of electrodes.
また、本発明の一は、一対の電極間に、発光層と、上記の芳香族アミン化合物を含む層を有し、芳香族アミン化合物を含む層は、前記発光層と接することを特徴とする発光素子である。 Another feature of the present invention is that a light emitting layer and a layer containing the aromatic amine compound are provided between a pair of electrodes, and the layer containing the aromatic amine compound is in contact with the light emitting layer. It is a light emitting element.
また、本発明の一は、一対の電極間に、発光層と、上記の芳香族アミン化合物を有し、芳香族アミン化合物は、発光層に含まれていることを特徴とする発光素子である。 Another embodiment of the present invention is a light-emitting element including a light-emitting layer and the above-described aromatic amine compound between a pair of electrodes, and the aromatic amine compound is included in the light-emitting layer. .
上記構成において、発光層は、燐光を発光する燐光材料を含むことを特徴とする。特に、緑色の発光をする燐光材料を含む場合、より本発明の効果を得ることができる。 In the above structure, the light-emitting layer includes a phosphorescent material that emits phosphorescence. In particular, when a phosphorescent material that emits green light is included, the effect of the present invention can be further obtained.
また、上記構成において、発光層は、蛍光を発光する蛍光材料を含むことを特徴とする。特に、青色の発光をする蛍光材料を含む場合、より本発明の効果を得ることができる。 In the above structure, the light-emitting layer includes a fluorescent material that emits fluorescence. In particular, when a fluorescent material that emits blue light is included, the effects of the present invention can be further obtained.
また、本発明の発光装置は、上記の芳香族アミン化合物を含む発光素子と、発光素子の発光を制御する制御手段を有することを特徴とする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源(照明装置含む)を含む。また、パネルにコネクター、例えばFPC(Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。 In addition, a light-emitting device of the present invention includes a light-emitting element including the aromatic amine compound and a control unit that controls light emission of the light-emitting element. Note that a light-emitting device in this specification includes an image display device, a light-emitting device, or a light source (including a lighting device). In addition, a module in which a connector such as an FPC (Flexible Printed Circuit) or TAB (Tape Automated Bonding) tape or TCP (Tape Carrier Package) is attached to the panel, a TAB tape or a module having a printed wiring board at the end of TCP, Alternatively, a module in which an IC (integrated circuit) is directly mounted on a light emitting element by a COG (Chip On Glass) method is included in the light emitting device.
また、本発明の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。したがって、本発明の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。 An electronic device using the light-emitting element of the present invention for the display portion is also included in the category of the present invention. Therefore, an electronic device according to the present invention includes a display portion, and the display portion includes the above-described light emitting element and a control unit that controls light emission of the light emitting element.
本発明の芳香族アミン化合物は、バンドギャップが大きく、発光材料に接する層に用いることができる。また、発光材料を分散させるための材料として用いることができる。本発明の芳香族アミン化合物を発光材料に接するように設けることにより、発光材料の励起エネルギーの移動を防ぐことができ、発光効率を向上させることができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起されても、本発明の芳香族アミン化合物から発光材料にエネルギーが移動することができ、発光効率を向上させることができる。 The aromatic amine compound of the present invention has a large band gap and can be used for a layer in contact with a light emitting material. Moreover, it can use as a material for disperse | distributing a luminescent material. By providing the aromatic amine compound of the present invention so as to be in contact with the light emitting material, movement of excitation energy of the light emitting material can be prevented, and light emission efficiency can be improved. Further, even when the aromatic amine compound of the present invention is excited, energy can be transferred from the aromatic amine compound of the present invention to the light emitting material, and the luminous efficiency can be improved.
また、本発明の芳香族アミン化合物を発光素子、発光装置、電子機器に用いることにより、発光効率の高い発光素子、発光装置、電子機器を得ることができる。 In addition, by using the aromatic amine compound of the present invention for a light-emitting element, a light-emitting device, or an electronic device, a light-emitting element, a light-emitting device, or an electronic device with high light emission efficiency can be obtained.
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the description of the embodiments below.
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の芳香族アミン化合物について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, the aromatic amine compound of the present invention will be described.
本発明の芳香族アミン化合物は、一般式(1)で表される芳香族アミン化合物である。 The aromatic amine compound of the present invention is an aromatic amine compound represented by the general formula (1).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(1−1)〜一般式(1−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(1−1)〜一般式(1−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 has 6 to 25 carbon atoms. Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents any one of the substituents represented by the general formula (1-1) to the general formula (1-4). In the general formulas (1-1) to (1-4), R 11 and R 12 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 12 carbon atoms. Any one of the groups, R 13 to R 19 and R 21 to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
一般式(1)において、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。具体的には、構造式(13−1)〜構造式(13−12)に示す置換基が挙げられる。 In General Formula (1), R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, substituents represented by structural formulas (13-1) to (13-12) can be given.
一般式(1)において、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表す。具体的には、構造式(14−1)〜構造式(14−6)に示す置換基が挙げられる。 In general formula (1), A 1 represents an arylene group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, substituents represented by structural formulas (14-1) to (14-6) can be given.
一般式(1)において、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。具体的には、構造式(15−1)〜構造式(15−6)に示す置換基が挙げられる。 In the general formula (1), Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, substituents represented by structural formulas (15-1) to (15-6) can be given.
一般式(1)で表される芳香族アミン化合物のうち、一般式(3)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Of the aromatic amine compounds represented by the general formula (1), an aromatic amine compound represented by the general formula (3) is preferable.
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(3−1)〜一般式(3−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(3−1)〜一般式(3−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and Ar 1 represents 6 to 25 carbon atoms. In addition, α represents any one of the substituents represented by the general formula (3-1) to the general formula (3-4), and the general formula (3-1) to the general formula (3). -4), R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 13 to R 19 and R 21. to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
より好ましくは、一般式(5)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (5).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R3〜R7は、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、またはフェニル基のいずれかを表す。また、αは、一般式(5−1)〜一般式(5−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(5−1)〜一般式(5−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 3 to R 7 are each a hydrogen atom. Or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and α represents any substituent represented by the general formula (5-1) to the general formula (5-4). In formulas (5-1) to (5-4), R 11 and R 12 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. R 13 to R 19 and R 21 to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
さらに好ましくは、一般式(7)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (7).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。また、αは、一般式(7−1)〜一般式(7−4)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(7−1)〜一般式(7−4)において、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Α represents a general formula (7 -1) to any one of the substituents represented by the general formula (7-4), and in the general formula (7-1) to the general formula (7-4), R 11 and R 12 are each hydrogen. It represents either an atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 13 to R 19 and R 21 to R 29 and R 31 to R 39 and R 41 to R 49. Each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
また、一般式(9)または一般式(10)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that it is an aromatic amine compound represented by General formula (9) or General formula (10).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 11 and R 12 are each represented by: It represents either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.)
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R30は、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基のいずれかを表す。) (Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 30 represents a hydrogen atom or a carbon atom. Represents any one of the alkyl groups of formulas 1-4)
また、本発明の芳香族アミン化合物は、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物である。 Moreover, the aromatic amine compound of this invention is an aromatic amine compound represented by General formula (2).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(2−1)〜一般式(2−2)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(2−1)〜一般式(2−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 has 6 to 25 carbon atoms. Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents any one of the substituents represented by the general formula (2-1) to the general formula (2-2). In general formulas (2-1) to (2-2), R 51 and R 52 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 12 carbon atoms. Any one of the groups, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
一般式(2)において、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。具体的には、構造式(13−1)〜構造式(13−12)に示す置換基が挙げられる。 In General Formula (2), R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, substituents represented by structural formulas (13-1) to (13-12) can be given.
一般式(2)において、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表す。具体的には、構造式(14−1)〜構造式(14−6)に示す置換基が挙げられる。 In the general formula (2), A 1 represents an arylene group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, substituents represented by structural formulas (14-1) to (14-6) can be given.
一般式(2)において、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。具体的には、構造式(15−1)〜構造式(15−6)に示す置換基が挙げられる。 In General Formula (2), Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, substituents represented by structural formulas (15-1) to (15-6) can be given.
一般式(2)で表される芳香族アミン化合物のうち、一般式(4)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Of the aromatic amine compounds represented by the general formula (2), an aromatic amine compound represented by the general formula (4) is preferable.
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、αは、一般式(4−1)〜一般式(4−2)のいずれかで表される置換基を表し、一般式(4−1)〜一般式(4−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and Ar 1 represents 6 to 25 carbon atoms. Further, α represents a substituent represented by any one of the general formula (4-1) to the general formula (4-2), and the general formula (4-1) to the general formula (4). -2), R 51 and R 52 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
より好ましくは、一般式(6)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (6).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R3〜R7は、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、またはフェニル基のいずれかを表す。また、αは、一般式(6−1)〜一般式(6−2)のいずれかで表される置換基を表し、一般式(6−1)〜一般式(6−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 3 to R 7 are each a hydrogen atom. Or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a phenyl group, and α represents a substituent represented by any one of the general formula (6-1) to the general formula (6-2). In formulas (6-1) to (6-2), R 51 and R 52 are each a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms. R 53 to R 58 and R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
さらに好ましくは、一般式(8)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 More preferably, it is an aromatic amine compound represented by the general formula (8).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。また、αは、一般式(8−1)〜一般式(8−2)で表されるいずれかの置換基を表し、一般式(8−1)〜一般式(8−2)において、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) (Wherein, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Α represents a general formula (8 -1) to any one of the substituents represented by the general formula (8-2), and in the general formula (8-1) to the general formula (8-2), R 51 and R 52 are each hydrogen. It represents either an atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68 are respectively a hydrogen atom or 1 to C carbon atoms. 4 represents an alkyl group.)
また、一般式(11)または一般式(12)で表される芳香族アミン化合物であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that it is an aromatic amine compound represented by General formula (11) or General formula (12).
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表す。) (In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and R 51 and R 52 are respectively It represents either a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.)
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。) (In the formula, each of R 1 and R 2 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms.)
本発明の芳香族アミン化合物の具体例としては、構造式(21)〜(119)に示される芳香族アミン化合物を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of the aromatic amine compound of the present invention include aromatic amine compounds represented by structural formulas (21) to (119). However, the present invention is not limited to these.
一般式(1)で表される本発明の芳香族アミン化合物は、合成スキーム(A−1)および合成スキーム(B−1)〜合成スキーム(B−4)で表される合成方法によって合成することができる。 The aromatic amine compound of the present invention represented by the general formula (1) is synthesized by a synthesis method represented by a synthesis scheme (A-1) and a synthesis scheme (B-1) to a synthesis scheme (B-4). be able to.
まず、カルバゾールを骨格に含む化合物(化合物A)と芳香族化合物のジハロゲン化物とを金属触媒を用いたカップリング反応により反応させて、N−(ハロゲン化アリール)カルバゾールを骨格に含む化合物(化合物B)を合成した後、さらにパラジウムなどの金属触媒を用いてアリールアミンとのカップリング反応を行うことによって化合物Cを得る。合成スキーム(A−1)において、芳香族化合物のジハロゲン化物のハロゲン元素(X1、X2)は、ヨウ素又は臭素であることが好ましい。また、X1とX2とは、同じであっても異なっていてもよい。また、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表す。また、芳香族化合物は、炭素数6〜25の化合物であることが好ましい。また、アリールアミンは、炭素数6〜25のアリールアミンであることが好ましい。 First, a compound (compound B) containing N- (halogenated aryl) carbazole in a skeleton is prepared by reacting a compound (compound A) containing carbazole in the skeleton with a dihalide of an aromatic compound by a coupling reaction using a metal catalyst. ) And then a compound C is obtained by further conducting a coupling reaction with an arylamine using a metal catalyst such as palladium. In the synthesis scheme (A-1), the halogen element (X 1 , X 2 ) of the dihalide of the aromatic compound is preferably iodine or bromine. X 1 and X 2 may be the same or different. R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aromatic compound is preferably a compound having 6 to 25 carbon atoms. The arylamine is preferably an arylamine having 6 to 25 carbon atoms.
パラジウム触媒を用いたカップリング反応または銅を用いたウルマン反応により、化合物Cと、フルオレン誘導体のハロゲン化物またはビフェニル誘導体のハロゲン化物とを反応させ、本発明の芳香族アミン化合物を合成することができる。 The aromatic amine compound of the present invention can be synthesized by reacting compound C with a halide of a fluorene derivative or a halide of a biphenyl derivative by a coupling reaction using a palladium catalyst or an Ullmann reaction using copper. .
合成スキーム(B−1)〜合成スキーム(B−4)において、X1〜X4は、それぞれ、ハロゲン原子を表す。また、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、R11およびR12は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R13〜R19およびR21〜R29およびR31〜R39およびR41〜R49は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。 In Synthesis Scheme (B-1) to Synthesis Scheme (B-4), X 1 to X 4 each represent a halogen atom. R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 is arylene having 6 to 25 carbon atoms. Represents a group, and Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 11 and R 12 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 13 to R 19 and R 21 to R 29. R 31 to R 39 and R 41 to R 49 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
また、合成スキーム(B−1)〜合成スキーム(B−4)において、一般式(1−1a)で表される化合物は、上述した一般式(1)におけるαが一般式(1−1)である場合に対応し、一般式(1−2a)で表される化合物は、上述した一般式(1)におけるαが一般式(1−2)である場合に対応し、一般式(1−3a)で表される化合物は、上述した一般式(1)におけるαが一般式(1−3)である場合に対応し、一般式(1−4a)で表される化合物は、上述した一般式(1)におけるαが一般式(1−4)である場合に対応する。 In Synthesis Scheme (B-1) to Synthesis Scheme (B-4), in the compound represented by General Formula (1-1a), α in General Formula (1) described above is represented by General Formula (1-1). The compound represented by the general formula (1-2a) corresponds to the case where α in the general formula (1) is the general formula (1-2), and the general formula (1- The compound represented by 3a) corresponds to the case where α in the general formula (1) is the general formula (1-3), and the compound represented by the general formula (1-4a) This corresponds to the case where α in Formula (1) is General Formula (1-4).
合成スキーム(B−1)において、フルオレン誘導体のハロゲン化物と、化合物Cとをパラジウム触媒を用いてカップリング反応を行う、または、銅を用いたウルマン反応によりカップリングさせることで、一般式(1−1a)で表される化合物を合成することができる。フルオレン誘導体のハロゲン化物のハロゲン元素は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。 In the synthesis scheme (B-1), the halide of the fluorene derivative and the compound C are subjected to a coupling reaction using a palladium catalyst, or are coupled by an Ullmann reaction using copper, whereby the compound represented by the general formula (1) The compound represented by -1a) can be synthesized. The halogen element of the halide of the fluorene derivative is preferably iodine or bromine.
同様に、合成スキーム(B−2)〜合成スキーム(B−4)において、ビフェニル誘導体のハロゲン化物と、化合物Cとをパラジウム触媒を用いてカップリング反応を行う、または、銅を用いたウルマン反応によりカップリングさせることで、一般式(1−2a)〜一般式(1−4a)で表される化合物を合成することができる。ビフェニル誘導体のハロゲン化物のハロゲン元素は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。 Similarly, in the synthesis scheme (B-2) to the synthesis scheme (B-4), a biphenyl derivative halide and the compound C are subjected to a coupling reaction using a palladium catalyst, or an Ullmann reaction using copper. The compounds represented by the general formula (1-2a) to the general formula (1-4a) can be synthesized. The halogen element of the halide of the biphenyl derivative is preferably iodine or bromine.
また、一般式(2)で表される本発明の芳香族アミン化合物は、合成スキーム(B−5)〜合成スキーム(B−6)で表される合成方法によって合成することができる。 Moreover, the aromatic amine compound of this invention represented by General formula (2) is compoundable by the synthesis method represented by the synthesis scheme (B-5)-the synthesis scheme (B-6).
合成スキーム(B−5)〜合成スキーム(B−6)において、X5〜X8は、それぞれ、ハロゲン原子を表す。また、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、炭素数6〜25のアリーレン基を表し、Ar1は、炭素数6〜25のアリール基を表す。また、R51およびR52は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、R53〜R58およびR61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。 In Synthesis Scheme (B-5) to Synthesis Scheme (B-6), X 5 to X 8 each represent a halogen atom. R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 is arylene having 6 to 25 carbon atoms. Represents a group, and Ar 1 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 51 and R 52 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and R 53 to R 58 and R 61 to R 68. Each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
また、(B−5)〜合成スキーム(B−6)において、一般式(2−1a)で表される化合物は、上述した一般式(2)におけるαが一般式(2−1)である場合に対応し、一般式(2−2a)で表される化合物は、上述した一般式(2)におけるαが一般式(2−2)である場合に対応する。 In (B-5) to Synthesis scheme (B-6), in the compound represented by General Formula (2-1a), α in General Formula (2) described above is General Formula (2-1). Corresponding to the case, the compound represented by the general formula (2-2a) corresponds to the case where α in the general formula (2) is the general formula (2-2).
合成スキーム(B−5)において、フルオレン誘導体のハロゲン化物と、化合物Cとをパラジウム触媒を用いてカップリング反応を行う、または、銅を用いたウルマン反応によりカップリングさせることで、一般式(2−1a)で表される化合物を合成することができる。フルオレン誘導体のハロゲン化物のハロゲン元素は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。 In the synthesis scheme (B-5), a halide of a fluorene derivative and compound C are subjected to a coupling reaction using a palladium catalyst or by an Ullmann reaction using copper, whereby a compound represented by the general formula (2) The compound represented by -1a) can be synthesized. The halogen element of the halide of the fluorene derivative is preferably iodine or bromine.
同様に、合成スキーム(B−6)において、ビフェニル誘導体のハロゲン化物と、化合物Cとをパラジウム触媒を用いてカップリング反応を行う、または、銅を用いたウルマン反応によりカップリングさせることで、一般式(2−2a)で表される化合物を合成することができる。ビフェニル誘導体のハロゲン化物のハロゲン元素は、ヨウ素または臭素であることが好ましい。 Similarly, in the synthesis scheme (B-6), a halide of a biphenyl derivative and compound C are subjected to a coupling reaction using a palladium catalyst or coupled by an Ullmann reaction using copper. A compound represented by the formula (2-2a) can be synthesized. The halogen element of the halide of the biphenyl derivative is preferably iodine or bromine.
また、合成スキーム(B−5)〜(B−6)において、化合物Cをハロゲン化物に対して2等量反応させることにより、一般式(2)の本発明の芳香族アミン化合物を一段階の反応で得ることができる。 In addition, in the synthesis schemes (B-5) to (B-6), by reacting compound C with 2 equivalents of a halide, the aromatic amine compound of the present invention represented by the general formula (2) is converted into one step. It can be obtained by reaction.
上述した合成スキームにおいて、パラジウム触媒を用いたカップリング反応は、トリ(tert−ブチル)ホスフィン((tert−Bu)3P)を配位子として用いることができる。Pd触媒としては、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)(略称:Pd(dba)2)と(tert−Bu)3Pを混合することにより、(tert−Bu)3Pがビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)に配位した触媒を用いることができる。なお、パラジウム触媒を用いる場合の配位子として、(tert−Bu)3P以外の配位子を用いても構わない。例えば、(tert−Bu)3P以外にもDPPFを用いることができる。また、パラジウム触媒としては、Pd(dba)2、パラジウム ジアセテート(Pd(OAc)2)等を用いることができる。好ましくは、Pd(dba)2を用いると良い。反応温度は、室温から130℃が好ましい。より好ましくは、加熱温度を60℃から110℃とすることが好ましい。なお、dbaとはtrans,trans−dibenzylideneacetoneを示す。また、DPPFとは、1,1―ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセンを示す。溶媒としては、トルエンやキシレン等を用いることができる。塩基としてはtert−BuONa等のアルカリ金属アルコキシドや、炭酸カリウム(K2CO3)等の塩基を用いることができる。 In the above-described synthesis scheme, a coupling reaction using a palladium catalyst can use tri (tert-butyl) phosphine ((tert-Bu) 3 P) as a ligand. As the Pd catalyst, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) (abbreviation: Pd (dba) 2 ) and (tert-Bu) 3 P are mixed to form (tert-Bu) 3 P to bis (dibenzylidene). A catalyst coordinated to acetone) palladium (0) can be used. As a ligand in the case of using a palladium catalyst, it may be used (tert-Bu) except 3 P ligand. For example, DPPF can be used in addition to (tert-Bu) 3 P. As the palladium catalyst, Pd (dba) 2 , palladium diacetate (Pd (OAc) 2 ) or the like can be used. Preferably, Pd (dba) 2 is used. The reaction temperature is preferably from room temperature to 130 ° C. More preferably, the heating temperature is 60 to 110 ° C. In addition, dba shows trans, trans-dibenzylideneacetone. DPPF refers to 1,1-bis (diphenylphosphino) ferrocene. As the solvent, toluene, xylene, or the like can be used. As the base, an alkali metal alkoxide such as tert-BuONa, or a base such as potassium carbonate (K 2 CO 3 ) can be used.
本発明の芳香族アミン化合物は、バンドギャップが大きいため、短波長の発光を示す発光材料のホスト材料として用いることができる。また、短波長の発光を示す発光材料と接する層に用いることができる。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a large band gap, it can be used as a host material for a light-emitting material that emits light of a short wavelength. Further, it can be used for a layer in contact with a light-emitting material which emits light with a short wavelength.
より具体的には、本発明の芳香族アミン化合物は、青色などの短波長の蛍光を示す蛍光材料に対してホスト材料として用いることが有効である。また、短波長の蛍光を示す蛍光材料が含まれる層に接する層に用いることが有効である。なぜならば、本発明の芳香族アミン化合物は三重項準位および一重項準位が高いため、励起された蛍光材料からの本発明の芳香族アミン化合物へのエネルギー移動が起こりにくい。よって、蛍光材料の励起エネルギーを効率よく発光として取り出すことができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合、励起された芳香族アミン化合物の三重項準位または一重項準位から蛍光材料へエネルギー移動することが可能であり、発光素子の発光効率を向上させることができる。なお、本発明の芳香族アミン化合物を、蛍光材料が含まれる層に接する層に用いる場合には、発光領域が本発明の芳香族アミン化合物を含む層と距離が近くなるようにするとより効果的である。また、より長波長の発光を示す蛍光材料であれば、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、同様の効果を得ることができる。 More specifically, it is effective to use the aromatic amine compound of the present invention as a host material for a fluorescent material exhibiting short wavelength fluorescence such as blue. Moreover, it is effective to use for the layer which touches the layer containing the fluorescent material which shows fluorescence of a short wavelength. This is because the aromatic amine compound of the present invention has a high triplet level and singlet level, and thus energy transfer from the excited fluorescent material to the aromatic amine compound of the present invention is unlikely to occur. Therefore, the excitation energy of the fluorescent material can be extracted efficiently as light emission. Further, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, it is possible to transfer energy from the triplet level or singlet level of the excited aromatic amine compound to the fluorescent material, and the light emission efficiency of the light emitting element Can be improved. When the aromatic amine compound of the present invention is used for a layer in contact with the layer containing the fluorescent material, it is more effective if the light emitting region is closer to the layer containing the aromatic amine compound of the present invention. It is. Moreover, if it is a fluorescent material which shows longer wavelength light emission, the same effect can be acquired by using the aromatic amine compound of this invention.
また、具体的には、本発明の芳香族アミン化合物は、緑色などの比較的短波長の燐光を示す燐光材料に対してホスト材料として用いることが有効である。また、比較的短波長の燐光を示す燐光材料が含まれる層に接する層に用いることが有効である。なぜならば、本発明の芳香族アミン化合物は三重項準位が高いため、励起された燐光材料からの本発明の芳香族アミン化合物へのエネルギー移動が起こりにくい。よって、燐光材料の励起エネルギーを効率よく発光として取り出すことができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合、励起された芳香族アミン化合物の三重項準位から燐光材料の三重項準位へエネルギー移動することが可能であり、発光素子の発光効率を向上させることができる。なお、本発明の芳香族アミン化合物を、燐光材料が含まれる層に接する層に用いる場合には、発光領域が本発明の芳香族アミン化合物を含む層と距離が近くなるようにするとより効果的である。また、より長波長の発光を示す燐光材料であれば、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、同様の効果を得ることができる。 Specifically, it is effective to use the aromatic amine compound of the present invention as a host material for a phosphorescent material exhibiting phosphorescence of a relatively short wavelength such as green. In addition, it is effective to use for a layer in contact with a layer containing a phosphorescent material exhibiting phosphorescence with a relatively short wavelength. This is because the aromatic amine compound of the present invention has a high triplet level, so that energy transfer from an excited phosphorescent material to the aromatic amine compound of the present invention hardly occurs. Therefore, the excitation energy of the phosphorescent material can be efficiently extracted as light emission. In addition, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, it is possible to transfer energy from the triplet level of the excited aromatic amine compound to the triplet level of the phosphorescent material, and the light emission efficiency of the light emitting element Can be improved. When the aromatic amine compound of the present invention is used for a layer in contact with the layer containing the phosphorescent material, it is more effective if the light emitting region is closer to the layer containing the aromatic amine compound of the present invention. It is. Moreover, if it is a phosphorescent material which shows light emission of a longer wavelength, the same effect can be acquired by using the aromatic amine compound of this invention.
特に、本発明の芳香族アミン化合物のうち、非対称構造である一般式(1)で表される芳香族アミン化合物は、よりバンドギャップが大きいため好ましい。また、三重項準位も高いため好ましい。 In particular, among the aromatic amine compounds of the present invention, the aromatic amine compound represented by the general formula (1) having an asymmetric structure is preferable because the band gap is larger. In addition, the triplet level is high, which is preferable.
また、本発明の芳香族アミン化合物は、正孔輸送性に優れている。よって、発光素子の正孔輸送層として用いることができ、良好な特性を有する発光素子を得ることができる。 Moreover, the aromatic amine compound of the present invention is excellent in hole transportability. Therefore, it can be used as a hole transport layer of a light-emitting element, and a light-emitting element having favorable characteristics can be obtained.
また、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物は耐熱性に優れている。よって、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物を用いることにより、耐熱性に優れたデバイスを得ることができる。 The aromatic amine compound represented by the general formula (2) is excellent in heat resistance. Therefore, a device having excellent heat resistance can be obtained by using the aromatic amine compound represented by the general formula (2).
(実施の形態2)
本発明の芳香族アミン化合物を用いた発光素子の一態様について図1(A)を用いて以下に説明する。
(Embodiment 2)
One mode of a light-emitting element using the aromatic amine compound of the present invention is described below with reference to FIG.
本発明の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。当該複数の層は、電極から離れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層を組み合わせて積層されたものである。 The light-emitting element of the present invention has a plurality of layers between a pair of electrodes. The plurality of layers have a high carrier injecting property and a high carrier transporting property so that a light emitting region is formed at a distance from the electrode, that is, a carrier is recombined at a position away from the electrode. It is a combination of layers of materials.
本形態において、発光素子は、第1の電極102と、第1の電極102の上に順に積層した第1の層103、第2の層104、第3の層105、第4の層106と、さらにその上に設けられた第2の電極107とから構成されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極107は陰極として機能するものとして以下説明をする。 In this embodiment, the light-emitting element includes a first electrode 102, a first layer 103, a second layer 104, a third layer 105, and a fourth layer 106 that are sequentially stacked over the first electrode 102. And a second electrode 107 provided thereon. Note that in this embodiment mode, the first electrode 102 functions as an anode and the second electrode 107 functions as a cathode.
基板101上は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子を作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。 The substrate 101 is used as a support for the light emitting element. As the substrate 101, for example, glass or plastic can be used. Note that other materials may be used as long as the light-emitting element functions as a support in the manufacturing process.
第1の電極102としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)は、酸化インジウムに対し1〜20wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1〜1wt%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン:TiN)等が挙げられる。 As the first electrode 102, a metal, an alloy, a conductive compound, a mixture thereof, or the like with a high work function (specifically, 4.0 eV or more) is preferably used. Specifically, for example, indium tin oxide (ITO), indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, indium zinc oxide (IZO), tungsten oxide, and oxide. Examples thereof include indium oxide containing zinc (IWZO). These conductive metal oxide films are usually formed by sputtering, but may be formed by applying a sol-gel method or the like. For example, indium oxide-zinc oxide (IZO) can be formed by a sputtering method using a target in which 1 to 20 wt% of zinc oxide is added to indium oxide. Indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide (IWZO) is formed by sputtering using a target containing 0.5 to 5 wt% tungsten oxide and 0.1 to 1 wt% zinc oxide with respect to indium oxide. can do. In addition, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium ( Pd), or a nitride of a metal material (for example, titanium nitride: TiN).
第1の層103は、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデン酸化物(MoOx)やバナジウム酸化物(VOx)、ルテニウム酸化物(RuOx)、タングステン酸化物(WOx)、マンガン酸化物(MnOx)等を用いることができる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)や銅フタロシアニン(CuPC)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても第1の層103を形成することができる。 The first layer 103 is a layer containing a substance having a high hole injection property. Molybdenum oxide (MoOx), vanadium oxide (VOx), ruthenium oxide (RuOx), tungsten oxide (WOx), manganese oxide (MnOx), or the like can be used. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (CuPC), or polymers such as poly (ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) (PEDOT / PSS) Also, the first layer 103 can be formed.
また、第1の層103として、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いることができる。特に、有機化合物と、有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含む複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。 For the first layer 103, a composite material formed by combining an organic compound and an inorganic compound can be used. In particular, in a composite material including an organic compound and an inorganic compound that exhibits an electron accepting property with respect to the organic compound, electrons are transferred between the organic compound and the inorganic compound, so that the carrier density increases. Excellent injection and hole transport properties.
また、第1の層103として有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いた場合、第1の電極102とオーム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず第1の電極を形成する材料を選ぶことができる。 In the case where a composite material formed by combining an organic compound and an inorganic compound is used as the first layer 103, the first electrode 102 can be in ohmic contact. The material for forming the electrode can be selected.
複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好ましい。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。 The inorganic compound used for the composite material is preferably a transition metal oxide. In addition, oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be given. Specifically, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferable because of their high electron accepting properties. Among these, molybdenum oxide is especially preferable because it is stable in the air, has a low hygroscopic property, and is easy to handle.
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。 As the organic compound used for the composite material, various compounds such as an aromatic amine compound, a carbazole derivative, an aromatic hydrocarbon, and a high molecular compound (such as an oligomer, a dendrimer, and a polymer) can be used. Note that the organic compound used for the composite material is preferably an organic compound having a high hole-transport property. Specifically, a substance having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher is preferable. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Below, the organic compound which can be used for a composite material is listed concretely.
例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’−ジ(p−トリル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等を挙げることができる。 For example, as an aromatic amine compound, N, N′-di (p-tolyl) -N, N′-diphenyl-p-phenylenediamine (abbreviation: DTDPPA), 4,4′-bis [N- (4- Diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DPAB), 4,4′-bis (N- {4- [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] phenyl} -N-phenyl Amino) biphenyl (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] benzene (abbreviation: DPA3B), and the like can be given.
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。 Specific examples of the carbazole derivative that can be used for the composite material include 3- [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3 , 6-Bis [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3- [N- (1-naphthyl) -N- (9- Phenylcarbazol-3-yl) amino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1) and the like.
また、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。 In addition, 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 1,3,5-tris [4- (N-carbazolyl) phenyl] benzene (abbreviation: TCPB), 9- [4- ( N-carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA), 1,4-bis [4- (N-carbazolyl) phenyl] -2,3,5,6-tetraphenylbenzene, and the like can be used. .
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。 Examples of aromatic hydrocarbons that can be used for the composite material include 2-tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 2-tert-butyl-9. , 10-di (1-naphthyl) anthracene, 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 2-tert-butyl-9,10-bis (4-phenylphenyl) anthracene ( Abbreviations: t-BuDBA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), 2-tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuAnth), 9,10-bis (4-methyl-1-naphthyl) anthracene (abbreviation: DMNA), 2-tert-butyl-9, 0-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (1 -Naphthyl) anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 9,9'-bianthryl, 10,10'-diphenyl-9,9'-bianthryl, 10 , 10′-bis (2-phenylphenyl) -9,9′-bianthryl, 10,10′-bis [(2,3,4,5,6-pentaphenyl) phenyl] -9,9′-bianthryl, Anthracene, tetracene, rubrene, perylene, 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene and the like can be mentioned. In addition, pentacene, coronene, and the like can also be used. Thus, it is more preferable to use an aromatic hydrocarbon having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or more and having 14 to 42 carbon atoms.
なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。 Note that the aromatic hydrocarbon that can be used for the composite material may have a vinyl skeleton. As the aromatic hydrocarbon having a vinyl group, for example, 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (abbreviation: DPVBi), 9,10-bis [4- (2,2- Diphenylvinyl) phenyl] anthracene (abbreviation: DPVPA) and the like.
また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。 Alternatively, a high molecular compound such as poly (N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK) or poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA) can be used.
第2の層104は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。実施の形態1で示した本発明の芳香族アミン化合物は正孔輸送性に優れているため、第2の層104に好適に用いることができる。本発明の芳香族アミン化合物を第2の層104に用いることにより、良好な特性の発光素子を得ることができる。 The second layer 104 is a layer that contains a substance having a high hole-transport property. Since the aromatic amine compound of the present invention described in Embodiment Mode 1 is excellent in hole transportability, it can be preferably used for the second layer 104. By using the aromatic amine compound of the present invention for the second layer 104, a light-emitting element with favorable characteristics can be obtained.
第3の層105は、発光性の物質を含む層である。発光性の物質については、特に制限させることなく各種のものが使用できる。例えば、蛍光を発光する蛍光材料としては、クマリン6やクマリン545Tなどのクマリン誘導体、N,N’−ジメチルキナクリドンやN、N’−ジフェニルキナクリドンなどのキナクリドン誘導体、N−フェニルアクリドンやN−メチルアクリドンなどのアクリドン誘導体、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPhA)、ルブレン、ペリフランテン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)などの縮合芳香族化合物、4−ジシアノメチレン−2−[p−(ジメチルアミノ)スチリル]−6−メチル−4H−ピランなどのピラン誘導体、4−(2,2−ジフェニルビニル)トリフェニルアミン、9−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−10−フェニルアントラセン(略称:YGAPA)などのアミン誘導体などが挙げられる。燐光を発光する燐光材料としては、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac)),ビス{2−(p−トリル)ピリジナト}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(tpy)2(acac))、ビス{2−(2’−ベンゾチエニル)ピリジナト}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))、ビス{2−(4、6−ジフルオロフェニル)ピリジナト}イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)などのイリジウム錯体、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン−白金錯体(pt(OEP))などの白金錯体、4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリントリス(2−テノイルトリフルオロアセトナト)ユーロピウム(III)などの希土類錯体などが挙げられる。 The third layer 105 is a layer containing a light-emitting substance. Various materials can be used for the light-emitting substance without any particular limitation. For example, fluorescent materials that emit fluorescence include coumarin derivatives such as coumarin 6 and coumarin 545T, quinacridone derivatives such as N, N′-dimethylquinacridone and N, N′-diphenylquinacridone, N-phenylacridone and N-methyl. Acridone derivatives such as acridone, 2-tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPhA), rubrene, perifuranthene, 2, Condensed aromatic compounds such as 5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene (abbreviation: TBP), 4-dicyanomethylene-2- [p- (dimethylamino) styryl] -6-methyl-4H-pyran, etc. Pyran derivatives of 4- (2,2-diphenylvinyl) triphenylamine, 9- 4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N- phenylamino} phenyl) -10-phenylanthracene (abbreviation: YGAPA), and the like amine derivatives such. As a phosphorescent material that emits phosphorescence, tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (ppy) 3 ), bis (2-phenylpyridinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation) : Ir (ppy) 2 (acac)), bis {2- (p-tolyl) pyridinato} iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (tpy) 2 (acac)), bis {2- (2'- Benzothienyl) pyridinato} iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (btp) 2 (acac)), bis {2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato} iridium (III) picolinate (abbreviation: FIrpic), etc. Iridium complex of 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H- Porphyrin - platinum complexes, such as platinum complex (pt (OEP)), 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline tris (2-thenoyl trifluoro acetonate) and rare earth complexes such as europium (III).
本発明は、第3の層105に含まれる発光性の物質が青色の蛍光を発光する材料であるときに効果的である。具体的には、上述したt−BuDNA、DPhA、TBP、YGAPAなどの青色を発光する蛍光材料を用いることが好ましい。 The present invention is effective when the light-emitting substance contained in the third layer 105 is a material that emits blue fluorescence. Specifically, it is preferable to use a fluorescent material that emits blue light, such as the above-described t-BuDNA, DPhA, TBP, and YGAPA.
また、本発明は、第3の層105に含まれる発光性の物質が緑色の燐光を発光する材料であるときに効果的である。具体的には、上述したIr(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(tpy)2(acac)などの緑色を発光する燐光材料、FIrpicなどの青緑色を発光する燐光材料を用いることが好ましい Further, the present invention is effective when the light-emitting substance contained in the third layer 105 is a material that emits green phosphorescence. Specifically, a phosphorescent material that emits green light such as Ir (ppy) 3 , Ir (ppy) 2 (acac), or Ir (tpy) 2 (acac) described above, or a phosphorescent material that emits blue-green light such as FIrpic. Preferably used
また、第3の層105は上述した発光性の物質を分散させて構成してもよい。発光性の物質を分散させるための材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりもLUMO準位が高く、HOMO準位が低い物質を用いることが好ましい。具体的には、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)、2−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール(略称:YGAO11)等を用いることができる。また、発光性の物質を分散させるための材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにNPB、あるいはAlq等をさらに添加してもよい。 The third layer 105 may be formed by dispersing the light-emitting substance described above. Various materials can be used for dispersing the light-emitting substance, and it is preferable to use a substance having a higher LUMO level and a lower HOMO level than the light-emitting substance. Specifically, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB), tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq), bis (2-methyl) -8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), 2-tert-butyl -9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9- [4- (N-carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA), 2- (4- {N -[4- (Carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: YGAO11) Or the like can be used. In addition, a plurality of materials for dispersing the light-emitting substance can be used. For example, a substance that suppresses crystallization, such as rubrene, may be further added to suppress crystallization. Further, NPB, Alq, or the like may be further added in order to more efficiently transfer energy to the light emitting substance.
第4の層106は、電子輸送性の高い物質を用いることができる。例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。 For the fourth layer 106, a substance having a high electron-transport property can be used. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq), and the like, a layer made of a metal complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton. In addition, bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzthiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ) 2 ) and other metal complexes having an oxazole-based or thiazole-based ligand can also be used. In addition to metal complexes, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5 -(P-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4- tert-Butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP), and the like can also be used. The substances mentioned here are mainly substances having an electron mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than the above substances, any substance that has a property of transporting more electrons than holes may be used for the electron-transport layer. Further, the electron-transport layer is not limited to a single layer, and two or more layers including the above substances may be stacked.
第2の電極107を形成する物質としては、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の1族または2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極107と第4の層106との間に、電子注入を促す機能を有する層を、当該第2の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、珪素を含むITO等様々な導電性材料を第2の電極107として用いることができる。 As a material for forming the second electrode 107, a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a low work function (specifically, 3.8 eV or less) can be used. Specific examples of such a cathode material include elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table of elements, that is, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), and magnesium (Mg), calcium (Ca), Examples thereof include alkaline earth metals such as strontium (Sr), alloys containing these (MgAg, AlLi), rare earth metals such as europium (Eu) and ytterbium (Yb), and alloys containing these. However, by providing a layer having a function of promoting electron injection between the second electrode 107 and the fourth layer 106 so as to be stacked with the second electrode, Al can be obtained regardless of the work function. Various conductive materials such as Ag, ITO, and ITO containing silicon can be used for the second electrode 107.
なお、電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極107からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。 As a layer having a function of promoting electron injection, an alkali metal or an alkaline earth metal such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF 2 ), or a compound thereof is used. Can be used. For example, a layer made of a substance having an electron transporting property containing an alkali metal or an alkaline earth metal or a compound thereof, for example, a layer containing magnesium (Mg) in Alq can be used. Note that by using an electron injection layer containing an alkali metal or an alkaline earth metal in a layer made of a substance having an electron transporting property, electron injection from the second electrode 107 is efficiently performed. More preferred.
また、第1の層103、第2の層104、第3の層105、第4の層106の形成方法は、蒸着法の他、例えばインクジェット法またはスピンコート法などの種々の方法を用いることができる。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。 Further, as a method for forming the first layer 103, the second layer 104, the third layer 105, and the fourth layer 106, various methods such as an ink jet method or a spin coat method are used in addition to a vapor deposition method. Can do. Moreover, you may form using the different film-forming method for each electrode or each layer.
以上のような構成を有する本発明の発光素子は、第1の電極102と第2の電極107との間に生じた電位差により電流が流れ、発光性の高い物質を含む層である第3の層105において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。つまり第3の層105に発光領域が形成されるような構成となっている。 The light-emitting element of the present invention having the above structure is a third layer that contains a highly light-emitting substance because a current flows due to a potential difference generated between the first electrode 102 and the second electrode 107. In the layer 105, holes and electrons recombine to emit light. That is, a light emitting region is formed in the third layer 105.
発光は、第1の電極102または第2の電極107のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極107のいずれか一方または両方は、透光性を有する物質で成る。第1の電極102のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図1(A)に示すように、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出される。また、第2の電極107のみが透光性を有する物質からなるものである場合、図1(B)に示すように、発光は第2の電極107を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極102および第2の電極107がいずれも透光性を有する物質からなるものである場合、図1(C)に示すように、発光は第1の電極102および第2の電極107を通って、基板側および基板と逆側の両方から取り出される。 Light emission is extracted outside through one or both of the first electrode 102 and the second electrode 107. Therefore, one or both of the first electrode 102 and the second electrode 107 is formed using a light-transmitting substance. In the case where only the first electrode 102 is formed using a light-transmitting substance, light emission is extracted from the substrate side through the first electrode 102 as illustrated in FIG. In the case where only the second electrode 107 is formed using a light-transmitting substance, light emission is extracted from the side opposite to the substrate through the second electrode 107 as illustrated in FIG. In the case where both the first electrode 102 and the second electrode 107 are made of a light-transmitting substance, light is emitted from the first electrode 102 and the second electrode 107 as shown in FIG. And is taken out from both the substrate side and the opposite side of the substrate.
なお第1の電極102と第2の電極107との間に設けられる層の構成は、上記のものには限定されない。発光領域と金属とが近接することによって生じる消光が抑制されるように、第1の電極102および第2の電極107から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であれば、上記以外のものでもよい。 Note that the structure of the layers provided between the first electrode 102 and the second electrode 107 is not limited to the above. A structure in which a light emitting region in which holes and electrons are recombined is provided in a portion away from the first electrode 102 and the second electrode 107 so that quenching caused by the proximity of the light emitting region and the metal is suppressed. Anything other than the above may be used.
つまり、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質、正孔ブロック材料等から成る層を、本発明の芳香族アミン化合物と自由に組み合わせて構成すればよい。 In other words, the layered structure of the layers is not particularly limited, and a substance having a high electron transporting property or a substance having a high hole transporting property, a substance having a high electron injecting property, a substance having a high hole injecting property, or a bipolar property (electron and hole) The layer made of a substance having a high transportability), a hole blocking material and the like may be freely combined with the aromatic amine compound of the present invention.
図2に示す発光素子は、陰極として機能する第1の電極302の上に電子輸送性の高い物質からなる第1の層303、発光性物質を含む第2の層304、正孔輸送性の高い物質からなる第3の層305、正孔注入性の高い物質からなる第4の層306、陽極として機能する第2の電極307とが順に積層された構成となっている。なお、301は基板である。 A light-emitting element shown in FIG. 2 includes a first layer 303 made of a substance having a high electron-transport property, a second layer 304 containing a light-emitting substance, a hole-transport property, and the first electrode 302 functioning as a cathode. A third layer 305 made of a high substance, a fourth layer 306 made of a substance having a high hole-injecting property, and a second electrode 307 functioning as an anode are sequentially stacked. Reference numeral 301 denotes a substrate.
本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブ型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。スタガ型のTFTでもよいし逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFTに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、TFT基板に形成される駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくはN型またはP型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。 In this embodiment mode, a light-emitting element is manufactured over a substrate made of glass, plastic, or the like. A passive light-emitting device can be manufactured by manufacturing a plurality of such light-emitting elements over one substrate. Alternatively, for example, a thin film transistor (TFT) may be formed over a substrate made of glass, plastic, or the like, and a light-emitting element may be formed over an electrode electrically connected to the TFT. Thus, an active matrix light-emitting device in which driving of the light-emitting element is controlled by the TFT can be manufactured. Note that the structure of the TFT is not particularly limited. A staggered TFT or an inverted staggered TFT may be used. Further, there is no particular limitation on the crystallinity of the semiconductor used for the TFT, and an amorphous semiconductor or a crystalline semiconductor may be used. Further, the driving circuit formed on the TFT substrate may be composed of N-type and P-type TFTs, or may be composed of only one of N-type and P-type.
本発明の芳香族アミン化合物は、バンドギャップが大きいため、発光素子に適用することにより、良好な特性を有する発光素子を得ることができる。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a large band gap, a light-emitting element having favorable characteristics can be obtained by application to the light-emitting element.
本発明の芳香族アミン化合物は、短波長の蛍光を示す蛍光材料が含まれる層に接する層に用いることが有効である。なぜならば、本発明の芳香族アミン化合物は三重項準位および一重項準位が高いため、励起された蛍光材料からの本発明の芳香族アミン化合物へのエネルギー移動が起こりにくい。よって、蛍光材料の励起エネルギーを効率よく発光として取り出すことができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合、励起された芳香族アミン化合物の三重項準位または一重項準位から蛍光材料へエネルギー移動することが可能であり、発光素子の発光効率を向上させることができる。なお、本発明の芳香族アミン化合物を、蛍光材料が含まれる層に接する層に用いる場合には、発光領域が本発明の芳香族アミン化合物を含む層と距離が近くなるようにするとより効果的である。また、より長波長の発光を示す蛍光材料であれば、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、同様の効果を得ることができる。 The aromatic amine compound of the present invention is effective for use in a layer in contact with a layer containing a fluorescent material exhibiting short wavelength fluorescence. This is because the aromatic amine compound of the present invention has a high triplet level and singlet level, and thus energy transfer from the excited fluorescent material to the aromatic amine compound of the present invention is unlikely to occur. Therefore, the excitation energy of the fluorescent material can be extracted efficiently as light emission. Further, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, it is possible to transfer energy from the triplet level or singlet level of the excited aromatic amine compound to the fluorescent material, and the light emission efficiency of the light emitting element Can be improved. When the aromatic amine compound of the present invention is used for a layer in contact with the layer containing the fluorescent material, it is more effective if the light emitting region is closer to the layer containing the aromatic amine compound of the present invention. It is. Moreover, if it is a fluorescent material which shows longer wavelength light emission, the same effect can be acquired by using the aromatic amine compound of this invention.
また、本発明の芳香族アミン化合物は、比較的短波長の燐光を示す燐光材料が含まれる層に接する層に用いることが有効である。なぜならば、本発明の芳香族アミン化合物は三重項準位が高いため、励起された燐光材料からの本発明の芳香族アミン化合物へのエネルギー移動が起こりにくい。よって、燐光材料の励起エネルギーを効率よく発光として取り出すことができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合、励起された芳香族アミン化合物の三重項準位から燐光材料の三重項準位へエネルギー移動することが可能であり、発光素子の発光効率を向上させることができる。なお、本発明の芳香族アミン化合物を、燐光材料が含まれる層に接する層に用いる場合には、発光領域が本発明の芳香族アミン化合物を含む層と距離が近くなるようにするとより効果的である。また、より長波長の発光を示す燐光材料であれば、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、同様の効果を得ることができる。 In addition, the aromatic amine compound of the present invention is effective for use in a layer in contact with a layer containing a phosphorescent material exhibiting a relatively short wavelength phosphorescence. This is because the aromatic amine compound of the present invention has a high triplet level, so that energy transfer from an excited phosphorescent material to the aromatic amine compound of the present invention hardly occurs. Therefore, the excitation energy of the phosphorescent material can be efficiently extracted as light emission. In addition, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, it is possible to transfer energy from the triplet level of the excited aromatic amine compound to the triplet level of the phosphorescent material, and the light emission efficiency of the light emitting element Can be improved. When the aromatic amine compound of the present invention is used for a layer in contact with the layer containing the phosphorescent material, it is more effective if the light emitting region is closer to the layer containing the aromatic amine compound of the present invention. It is. Moreover, if it is a phosphorescent material which shows light emission of a longer wavelength, the same effect can be acquired by using the aromatic amine compound of this invention.
特に、本発明の芳香族アミン化合物のうち、非対称構造である一般式(1)で表される芳香族アミン化合物は、よりバンドギャップが大きいため好ましい。また、三重項準位も高いため好ましい。 In particular, among the aromatic amine compounds of the present invention, the aromatic amine compound represented by the general formula (1) having an asymmetric structure is preferable because the band gap is larger. In addition, the triplet level is high, which is preferable.
また、本発明の発光素子は、発光効率が高いため、消費電力を低減することができる。 Further, since the light-emitting element of the present invention has high light emission efficiency, power consumption can be reduced.
また、本発明の芳香族アミン化合物は、正孔輸送性に優れている。よって、発光素子の正孔輸送層として用いることができ、良好な特性を有する発光素子を得ることができる。 Moreover, the aromatic amine compound of the present invention is excellent in hole transportability. Therefore, it can be used as a hole transport layer of a light-emitting element, and a light-emitting element having favorable characteristics can be obtained.
また、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物は耐熱性に優れている。よって、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物を用いることにより、耐熱性に優れたデバイスを得ることができる。 The aromatic amine compound represented by the general formula (2) is excellent in heat resistance. Therefore, a device having excellent heat resistance can be obtained by using the aromatic amine compound represented by the general formula (2).
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態2で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a light-emitting element having a structure different from that described in Embodiment 2 will be described.
本発明の芳香族アミン化合物はバンドギャップが大きく、三重項準位および一重項準位が高いため、発光性の材料を分散させるためのホストとして用いることができる。つまり、実施の形態2で示した第3の層105に用いることができる。本発明の芳香族アミン化合物に分散する発光性の物質としては、種々の蛍光材料、燐光材料を用いることができる。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a large band gap and a high triplet level and singlet level, it can be used as a host for dispersing a light-emitting material. That is, it can be used for the third layer 105 described in Embodiment Mode 2. As the luminescent substance dispersed in the aromatic amine compound of the present invention, various fluorescent materials and phosphorescent materials can be used.
本発明の芳香族アミン化合物を第3の層105に用いた場合、第2の層104を形成する物質としては、種々の材料を用いることができる。例えば、種々の芳香族アミン化合物を用いることができる。広く用いられている材料として、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、その誘導体である4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(以下、NPBと記す)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、第2の層104は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであってもよい。 In the case where the aromatic amine compound of the present invention is used for the third layer 105, various materials can be used as a substance for forming the second layer 104. For example, various aromatic amine compounds can be used. As a widely used material, 4,4′-bis [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl and its derivative 4,4′-bis [N- (1-naphthyl)- N-phenylamino] biphenyl (hereinafter referred to as NPB), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) triphenylamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N— And starburst aromatic amine compounds such as (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine. The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Note that the second layer 104 is not limited to a single layer, and may be a mixed layer of the above substances or a stack of two or more layers.
本発明の芳香族アミン化合物は、バンドギャップが大きいため、短波長の発光を示す発光材料のホスト材料として用いることができる。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a large band gap, it can be used as a host material for a light-emitting material that emits light of a short wavelength.
本発明の芳香族アミン化合物は、青色などの短波長の蛍光を示す蛍光材料に対してホスト材料として用いることが有効である。なぜならば、本発明の芳香族アミン化合物は三重項準位および一重項準位が高いため、励起された蛍光材料からの本発明の芳香族アミン化合物へのエネルギー移動が起こりにくい。よって、蛍光材料の励起エネルギーを効率よく発光として取り出すことができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合、励起された芳香族アミン化合物の三重項準位または一重項準位から蛍光材料へエネルギー移動することが可能であり、発光素子の発光効率を向上させることができる。また、より長波長の発光を示す蛍光材料であれば、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、同様の効果を得ることができる。 The aromatic amine compound of the present invention is effectively used as a host material for a fluorescent material exhibiting short wavelength fluorescence such as blue. This is because the aromatic amine compound of the present invention has a high triplet level and singlet level, and thus energy transfer from the excited fluorescent material to the aromatic amine compound of the present invention is unlikely to occur. Therefore, the excitation energy of the fluorescent material can be extracted efficiently as light emission. Further, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, it is possible to transfer energy from the triplet level or singlet level of the excited aromatic amine compound to the fluorescent material, and the light emission efficiency of the light emitting element Can be improved. Moreover, if it is a fluorescent material which shows longer wavelength light emission, the same effect can be acquired by using the aromatic amine compound of this invention.
また、本発明の芳香族アミン化合物は、緑色などの比較的短波長の燐光を示す燐光材料に対してホスト材料として用いることが有効である。なぜならば、本発明の芳香族アミン化合物は三重項準位が高いため、励起された燐光材料からの本発明の芳香族アミン化合物へのエネルギー移動が起こりにくい。よって、燐光材料の励起エネルギーを効率よく発光として取り出すことができる。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合、励起された芳香族アミン化合物の三重項準位から燐光材料の三重項準位へエネルギー移動することが可能であり、発光素子の発光効率を向上させることができる。また、より長波長の発光を示す燐光材料であれば、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、同様の効果を得ることができる。 In addition, the aromatic amine compound of the present invention is effectively used as a host material for phosphorescent materials that exhibit phosphorescence of a relatively short wavelength such as green. This is because the aromatic amine compound of the present invention has a high triplet level, so that energy transfer from an excited phosphorescent material to the aromatic amine compound of the present invention hardly occurs. Therefore, the excitation energy of the phosphorescent material can be efficiently extracted as light emission. In addition, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, it is possible to transfer energy from the triplet level of the excited aromatic amine compound to the triplet level of the phosphorescent material, and the light emission efficiency of the light emitting element Can be improved. Moreover, if it is a phosphorescent material which shows light emission of a longer wavelength, the same effect can be acquired by using the aromatic amine compound of this invention.
特に、本発明の芳香族アミン化合物のうち、非対称構造である一般式(1)で表される芳香族アミン化合物は、よりバンドギャップが大きいため好ましい。また、三重項準位も高いため好ましい。 In particular, among the aromatic amine compounds of the present invention, the aromatic amine compound represented by the general formula (1) having an asymmetric structure is preferable because the band gap is larger. In addition, the triplet level is high, which is preferable.
また、本発明の発光素子は、発光効率が高いため、消費電力を低減することができる。 Further, since the light-emitting element of the present invention has high light emission efficiency, power consumption can be reduced.
また、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物は耐熱性に優れている。よって、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物を用いることにより、耐熱性に優れたデバイスを得ることができる。 The aromatic amine compound represented by the general formula (2) is excellent in heat resistance. Therefore, a device having excellent heat resistance can be obtained by using the aromatic amine compound represented by the general formula (2).
(実施の形態4)
本実施の形態では、実施の形態2〜実施の形態3で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a light-emitting element having a structure different from the structures shown in Embodiments 2 to 3 will be described.
実施の形態2で示した第3の層105に本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、本発明の芳香族アミン化合物からの発光を得ることができる。本発明の芳香族アミン化合物は紫〜青色の発光を示すため、紫〜青色の発光を示す発光素子を得ることができる。 By using the aromatic amine compound of the present invention for the third layer 105 shown in Embodiment Mode 2, light emission from the aromatic amine compound of the present invention can be obtained. Since the aromatic amine compound of the present invention exhibits purple to blue light emission, a light emitting element exhibiting purple to blue light emission can be obtained.
第3の層105は、本発明の芳香族アミン化合物のみで構成してもよいし、本発明の芳香族アミン化合物を他の物質に分散させて構成してもよい。本発明の芳香族アミン化合物を分散させる物質としては、種々の材料を用いることができ、実施の形態2で述べた正孔輸送の高い物質や電子輸送性の高い物質の他、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)や、2,2’,2”−(1,3,5−ベンゼントリ−イル)−トリス[1−フェニル−1H−ベンゾイミダゾール](略称:TPBI)などが挙げられる。 The third layer 105 may be composed of only the aromatic amine compound of the present invention, or may be composed of the aromatic amine compound of the present invention dispersed in another substance. As the substance for dispersing the aromatic amine compound of the present invention, various materials can be used. In addition to the substance having a high hole transport and the substance having a high electron transport property described in Embodiment 2, 3- (4 -Biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 4,4'-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 2,2 ′, 2 ″-(1,3,5-benzenetri-yl) -tris [1-phenyl-1H-benzimidazole] (abbreviation: TPBI), and the like.
本発明の芳香族アミン化合物はガラス転移点が高いため、発光素子に用いることで、耐熱性に優れた発光素子を得ることができる。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a high glass transition point, a light-emitting element having excellent heat resistance can be obtained by using it in a light-emitting element.
また、本発明の芳香族アミン化合物は、酸化反応および引き続く還元反応を繰り返しても安定である。つまり、繰り返しの酸化反応に安定である。よって、本発明の芳香族アミン化合物を発光素子に用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。 Moreover, the aromatic amine compound of the present invention is stable even when the oxidation reaction and the subsequent reduction reaction are repeated. That is, it is stable to repeated oxidation reactions. Therefore, a long-life light-emitting element can be obtained by using the aromatic amine compound of the present invention for a light-emitting element.
なお、第3の層105以外は、実施の形態2〜実施の形態3に示した構成を適宜用いることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、実施の形態2〜実施の形態4で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。
Note that the structures described in Embodiments 2 to 3 can be used as appropriate, except for the third layer 105.
(Embodiment 5)
In this embodiment, a light-emitting element having a structure different from the structures shown in Embodiments 2 to 4 will be described.
本発明の芳香族アミン化合物は正孔注入性を有するため、実施の形態2で示した第1の層103に用いることができる。また、本発明の芳香族アミン化合物と無機化合物とを複合した複合材料を第1の層103に用いることができる。複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好ましい。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a hole injecting property, it can be used for the first layer 103 described in Embodiment Mode 2. In addition, a composite material in which the aromatic amine compound of the present invention and an inorganic compound are combined can be used for the first layer 103. The inorganic compound used for the composite material is preferably a transition metal oxide. In addition, oxides of metals belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table can be given. Specifically, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide are preferable because of their high electron accepting properties. Among these, molybdenum oxide is especially preferable because it is stable in the air, has a low hygroscopic property, and is easy to handle.
本発明の芳香族アミン化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また、第1の層103として本発明の芳香族アミン化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いた場合、第1の電極102とオーム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず第1の電極を形成する材料を選ぶことができる。 The composite material formed by combining the aromatic amine compound and the inorganic compound of the present invention transfers electrons between the organic compound and the inorganic compound, and increases the carrier density. Excellent transportability. In addition, when a composite material formed by combining the aromatic amine compound of the present invention and an inorganic compound is used as the first layer 103, it is possible to make ohmic contact with the first electrode 102, so that the work function is Regardless, the material for forming the first electrode can be selected.
本発明の芳香族アミン化合物を第1の層103に用いた場合、第2の層104を形成する物質としては、種々の材料を用いることができる。例えば、芳香族アミン(すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物を用いることができる。広く用いられている材料として、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、その誘導体である4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(以下、NPBと記す)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、主に10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、第2の層104は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであってもよい。 When the aromatic amine compound of the present invention is used for the first layer 103, various materials can be used as a substance for forming the second layer 104. For example, a compound of an aromatic amine (that is, a compound having a benzene ring-nitrogen bond) can be used. As a widely used material, 4,4′-bis [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl and its derivative 4,4′-bis [N- (1-naphthyl)- N-phenylamino] biphenyl (hereinafter referred to as NPB), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) triphenylamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N— And starburst aromatic amine compounds such as (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine. The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Note that the second layer 104 is not limited to a single layer, and may be a mixed layer of the above substances or a stack of two or more layers.
また、本発明の芳香族アミン化合物を、第1の層103および第2の層104として用いてもよい。 In addition, the aromatic amine compound of the present invention may be used as the first layer 103 and the second layer 104.
本発明の芳香族アミン化合物は、正孔注入性を有するため、発光素子の正孔注入層として用いることができる。 Since the aromatic amine compound of the present invention has a hole injection property, it can be used as a hole injection layer of a light emitting element.
また、本発明の芳香族アミン化合物はガラス転移点が高いため、発光素子に用いることで、耐熱性に優れた発光素子を得ることができる。 In addition, since the aromatic amine compound of the present invention has a high glass transition point, a light-emitting element having excellent heat resistance can be obtained by using it for a light-emitting element.
また、本発明の芳香族アミン化合物は、酸化反応および引き続く還元反応を繰り返しても安定である。つまり、繰り返しの酸化反応に安定である。よって、本発明の芳香族アミン化合物を発光素子に用いることにより、長寿命な発光素子を得ることができる。 Moreover, the aromatic amine compound of the present invention is stable even when the oxidation reaction and the subsequent reduction reaction are repeated. That is, it is stable to repeated oxidation reactions. Therefore, a long-life light-emitting element can be obtained by using the aromatic amine compound of the present invention for a light-emitting element.
なお、第1の層103以外は、実施の形態2〜実施の形態4に示した構成を適宜用いることができる。 Note that the structures described in Embodiments 2 to 4 can be used as appropriate, except for the first layer 103.
(実施の形態6)
本実施の形態は、本発明に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子(以下、積層型素子という)の態様について、図9を参照して説明する。この発光素子は、第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユニットとしては、実施の形態2で示した発光物質を含む層と同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態2で示した発光素子は、1つの発光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発光素子について説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment, a mode of a light-emitting element having a structure in which a plurality of light-emitting units according to the present invention is stacked (hereinafter referred to as a stacked element) will be described with reference to FIG. This light-emitting element is a light-emitting element having a plurality of light-emitting units between a first electrode and a second electrode. As the light-emitting unit, a structure similar to that of the layer containing a light-emitting substance described in Embodiment 2 can be used. That is, the light-emitting element described in Embodiment 2 is a light-emitting element having one light-emitting unit, and in this embodiment, a light-emitting element having a plurality of light-emitting units will be described.
図9において、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512が積層されている。第1の電極501と第2の電極502は実施の形態2と同様なものを適用することができる。また、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態2〜実施の形態5と同様なものを適用することができる。 In FIG. 9, a first light emitting unit 511 and a second light emitting unit 512 are stacked between a first electrode 501 and a second electrode 502. The first electrode 501 and the second electrode 502 can be the same as those in Embodiment 2. In addition, the first light-emitting unit 511 and the second light-emitting unit 512 may have the same configuration or different configurations, and the configurations are the same as those in Embodiments 2 to 5. Can do.
電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態2で示した有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10−6cm2/Vs以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合体は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。 The charge generation layer 513 includes a composite material of an organic compound and a metal oxide. This composite material of an organic compound and a metal oxide includes the organic compound described in Embodiment 2 and a metal oxide such as vanadium oxide, molybdenum oxide, or tungsten oxide. As the organic compound, various compounds such as an aromatic amine compound, a carbazole derivative, an aromatic hydrocarbon, and a high molecular compound (oligomer, dendrimer, polymer, etc.) can be used. As the organic compound, it is preferable to use a hole transporting organic compound having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or more. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Since a composite of an organic compound and a metal oxide is excellent in carrier injecting property and carrier transporting property, low voltage driving and low current driving can be realized.
なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合体と他の材料とを組み合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合体を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合体を含む層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。 Note that the charge generation layer 513 may be formed by combining a composite of an organic compound and a metal oxide with another material. For example, a layer including a composite of an organic compound and a metal oxide may be combined with a layer including one compound selected from electron donating substances and a compound having a high electron transporting property. Alternatively, a layer including a composite of an organic compound and a metal oxide may be combined with a transparent conductive film.
いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。 In any case, the charge generation layer 513 sandwiched between the first light-emitting unit 511 and the second light-emitting unit 512 is formed on one side when a voltage is applied to the first electrode 501 and the second electrode 502. Any device that injects electrons into the light emitting unit and injects holes into the other light emitting unit may be used.
本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低くい発光装置を実現することができる。 Although the light-emitting element having two light-emitting units has been described in this embodiment mode, the present invention can be similarly applied to a light-emitting element in which three or more light-emitting units are stacked. Like the light-emitting element according to the present embodiment, a plurality of light-emitting units are partitioned and arranged between a pair of electrodes by a charge generation layer, so that a long-life element in a high-luminance region can be obtained while maintaining a low current density. realizable. Further, when illumination is used as an application example, the voltage drop due to the resistance of the electrode material can be reduced, so that uniform light emission over a large area is possible. In addition, a light-emitting device that can be driven at a low voltage and has low power consumption can be realized.
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。 Note that this embodiment can be combined with any of the other embodiments as appropriate.
(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の芳香族アミン化合物を用いて作製された発光装置について説明する。
(Embodiment 7)
In this embodiment mode, a light-emitting device manufactured using the aromatic amine compound of the present invention will be described.
本実施の形態では、本発明の芳香族アミン化合物を用いて作製された発光装置について図3を用いて説明する。なお、図3(A)は、発光装置を示す上面図、図3(B)は図3(A)をA−A’およびB−B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示された601は駆動回路部(ソース側駆動回路)、602は画素部、603は駆動回路部(ゲート側駆動回路)を含んでいる。また、604は封止基板、605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。 In this embodiment mode, a light-emitting device manufactured using the aromatic amine compound of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A is a top view illustrating the light-emitting device, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along lines A-A ′ and B-B ′ in FIG. 3A. This light-emitting device controls light emission of the light-emitting element. Reference numeral 601 indicated by a dotted line includes a driver circuit portion (source side driver circuit), 602 a pixel portion, and 603 a driver circuit portion (gate side driver circuit). It is out. Reference numeral 604 denotes a sealing substrate, reference numeral 605 denotes a sealing material, and the inside surrounded by the sealing material 605 is a space 607.
なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。 Note that the routing wiring 608 is a wiring for transmitting a signal input to the source side driving circuit 601 and the gate side driving circuit 603, and a video signal, a clock signal, an FPC (flexible printed circuit) 609 serving as an external input terminal, Receives start signal, reset signal, etc. Although only the FPC is shown here, a printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC. The light-emitting device in this specification includes not only a light-emitting device body but also a state in which an FPC or a PWB is attached thereto.
次に、断面構造について図3(B)を用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と、画素部602中の一つの画素が示されている。 Next, a cross-sectional structure will be described with reference to FIG. A driver circuit portion and a pixel portion are formed over the element substrate 610. Here, a source-side driver circuit 601 that is a driver circuit portion and one pixel in the pixel portion 602 are illustrated.
なお、ソース側駆動回路601はnチャネル型TFT623とpチャネル型TFT624とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。 Note that the source side driver circuit 601 is a CMOS circuit in which an n-channel TFT 623 and a p-channel TFT 624 are combined. The drive circuit may be formed of various CMOS circuits, PMOS circuits, or NMOS circuits. In this embodiment mode, a driver integrated type in which a driver circuit is formed over a substrate is shown; however, this is not necessarily required, and the driver circuit can be formed outside the substrate.
また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのドレインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。なお、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。 The pixel portion 602 is formed by a plurality of pixels including a switching TFT 611, a current control TFT 612, and a first electrode 613 electrically connected to the drain thereof. Note that an insulator 614 is formed so as to cover an end portion of the first electrode 613. Here, a positive photosensitive acrylic resin film is used.
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。 In order to improve the coverage, a curved surface having a curvature is formed at the upper end or the lower end of the insulator 614. For example, when positive photosensitive acrylic is used as a material for the insulator 614, it is preferable that only the upper end portion of the insulator 614 has a curved surface with a curvature radius (0.2 μm to 3 μm). As the insulator 614, either a negative type that becomes insoluble in an etchant by light irradiation or a positive type that becomes soluble in an etchant by light irradiation can be used.
第1の電極613上には、発光物質を含む層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第1の電極613に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ITO膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。 Over the first electrode 613, a layer 616 containing a light-emitting substance and a second electrode 617 are formed. Here, as a material used for the first electrode 613 functioning as an anode, a material having a high work function is preferably used. For example, an ITO film or an indium tin oxide film containing silicon, an indium oxide film containing 2 to 20 wt% zinc oxide, a titanium nitride film, a chromium film, a tungsten film, a Zn film, a Pt film, or the like In addition, a stack of titanium nitride and a film containing aluminum as a main component, a three-layer structure including a titanium nitride film, a film containing aluminum as a main component, and a titanium nitride film can be used. Note that with a stacked structure, resistance as a wiring is low, good ohmic contact can be obtained, and a function as an anode can be obtained.
また、発光物質を含む層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。発光物質を含む層616は、実施の形態1で示した本発明の芳香族アミン化合物を含んでいる。また、発光物質を含む層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)であっても良い。 The layer 616 containing a light-emitting substance is formed by various methods such as an evaporation method using an evaporation mask, an inkjet method, and a spin coating method. The layer 616 containing a light-emitting substance contains the aromatic amine compound of the present invention described in Embodiment Mode 1. Further, as another material constituting the layer 616 containing a light-emitting substance, a low molecular compound or a high molecular compound (including an oligomer and a dendrimer) may be used.
さらに、発光物質を含む層616上に形成され、陰極として機能する第2の電極617に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料(Al、Mg、Li、Ca、またはこれらの合金や化合物MgAg、MgIn、AlLi、LiF、CaF2等)を用いることが好ましい。なお、発光物質を含む層616で生じた光が第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極617として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(ITO、2〜20wt%の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛(ZnO)等)との積層を用いるのが良い。 Further, as a material used for the second electrode 617 which is formed over the light-emitting substance-containing layer 616 and functions as a cathode, a material having a low work function (Al, Mg, Li, Ca, or an alloy or compound thereof such as MgAg, MgIn, AlLi, LiF, or is preferably used CaF 2, etc.). Note that in the case where light generated in the layer 616 containing a light-emitting substance passes through the second electrode 617, the second electrode 617 includes a thin metal film and a transparent conductive film (ITO, 2 to 20 wt. % Of indium oxide containing zinc oxide, indium tin oxide containing silicon, zinc oxide (ZnO), or the like is preferably used.
さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605で充填される場合もある。 Further, the sealing substrate 604 is bonded to the element substrate 610 with the sealant 605, whereby the light-emitting element 618 is provided in the space 607 surrounded by the element substrate 610, the sealing substrate 604, and the sealant 605. Yes. Note that the space 607 is filled with a filler, and may be filled with a sealant 605 in addition to an inert gas (such as nitrogen or argon).
なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。 Note that an epoxy-based resin is preferably used for the sealant 605. Moreover, it is desirable that these materials are materials that do not transmit moisture and oxygen as much as possible. In addition to a glass substrate or a quartz substrate, a plastic substrate made of FRP (Fiberglass-Reinforced Plastics), PVF (polyvinyl fluoride), polyester, acrylic, or the like can be used as a material used for the sealing substrate 604.
以上のようにして、本発明の芳香族アミン化合物を用いて作製された発光装置を得ることができる。 As described above, a light-emitting device manufactured using the aromatic amine compound of the present invention can be obtained.
本発明の発光装置は、実施の形態1で示した芳香族アミン化合物を用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、発光効率の高い発光装置を得ることができる。 Since the aromatic amine compound described in Embodiment Mode 1 is used for the light-emitting device of the present invention, a light-emitting device having favorable characteristics can be obtained. Specifically, a light-emitting device with high light emission efficiency can be obtained.
また、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物は耐熱性に優れている。よって、一般式(2)で表される芳香族アミン化合物を用いることにより、耐熱性に優れた発光装置を得ることができる。 The aromatic amine compound represented by the general formula (2) is excellent in heat resistance. Therefore, a light emitting device having excellent heat resistance can be obtained by using the aromatic amine compound represented by the general formula (2).
以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するアクティブ型の発光装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用の素子を特に設けずに発光素子を駆動させるパッシブ型の発光装置であってもよい。図4には本発明を適用して作製したパッシブ型の発光装置の斜視図を示す。図4において、基板951上には、電極952と電極956との間には発光物質を含む層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブ型の発光装置においても、発光効率の高い本発明の発光素子を含むことによって、発光効率の高い発光装置を得ることができる。また、耐熱性に優れた発光装置を得ることができる。また、発光効率が高いため、消費電力を低減することも可能である。 As described above, in this embodiment mode, an active light-emitting device that controls driving of a light-emitting element using a transistor has been described. In addition to this, a light-emitting element is driven without particularly providing a driving element such as a transistor. A passive light emitting device may be used. FIG. 4 is a perspective view of a passive light emitting device manufactured by applying the present invention. In FIG. 4, a layer 955 containing a light-emitting substance is provided between the electrode 952 and the electrode 956 over the substrate 951. An end portion of the electrode 952 is covered with an insulating layer 953. A partition layer 954 is provided over the insulating layer 953. The side wall of the partition wall layer 954 has an inclination such that the distance between one side wall and the other side wall becomes narrower as it approaches the substrate surface. That is, the cross section in the short side direction of the partition wall layer 954 has a trapezoidal shape, and the bottom side (the side facing the insulating layer 953 in the same direction as the surface direction of the insulating layer 953) is the top side (the surface of the insulating layer 953). The direction is the same as the direction and is shorter than the side not in contact with the insulating layer 953. In this manner, by providing the partition layer 954, defects in the light-emitting element due to static electricity or the like can be prevented. Further, even in a passive light emitting device, a light emitting device with high light emission efficiency can be obtained by including the light emitting element of the present invention with high light emission efficiency. In addition, a light emitting device having excellent heat resistance can be obtained. In addition, since the light emission efficiency is high, power consumption can be reduced.
(実施の形態8)
本実施の形態では、実施の形態7に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器について説明する。本発明の電子機器は、実施の形態1に示した本発明の芳香族アミン化合物を含み、耐熱性が高い表示部を有する。また、発光効率の高い表示部を有する。また、発光効率が高いため、消費電力を低減できるという効果もある。
(Embodiment 8)
In this embodiment mode, electronic devices of the present invention which include the light-emitting device described in Embodiment Mode 7 as a part thereof will be described. An electronic device of the present invention includes the aromatic amine compound of the present invention described in Embodiment Mode 1 and has a display portion with high heat resistance. In addition, the display portion has high emission efficiency. Further, since the luminous efficiency is high, there is an effect that power consumption can be reduced.
本発明の芳香族アミン化合物を用いて作製された発光素子を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図5に示す。 As an electronic device having a light-emitting element manufactured using the aromatic amine compound of the present invention, a camera such as a video camera or a digital camera, a goggle type display, a navigation system, a sound reproduction device (car audio, audio component, etc.), a computer , A game device, a portable information terminal (mobile computer, mobile phone, portable game machine, electronic book, etc.), and an image playback device (specifically, Digital Versatile Disc (DVD)) provided with a recording medium. , A device provided with a display device capable of displaying the image). Specific examples of these electronic devices are shown in FIGS.
図5(A)は本発明に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ装置において、表示部9103は、実施の形態2〜6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高いという特徴を有している。また、耐熱性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9103も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、テレビ装置において、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るテレビ装置は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、それにより住環境に適合した製品を提供することができる。 FIG. 5A illustrates a television device according to the present invention, which includes a housing 9101, a supporting base 9102, a display portion 9103, a speaker portion 9104, a video input terminal 9105, and the like. In this television device, the display portion 9103 is formed by arranging light-emitting elements similar to those described in Embodiment Modes 2 to 6 in a matrix. The light-emitting element has a feature of high luminous efficiency. Moreover, it has the characteristic that heat resistance is high. Since the display portion 9103 including the light-emitting elements has similar features, this television set has little deterioration in image quality and low power consumption. With such a feature, the deterioration compensation function circuit and the power supply circuit can be significantly reduced or reduced in the television device; therefore, the housing 9101 and the support base 9102 can be reduced in size and weight. In the television device according to the present invention, low power consumption, high image quality, and reduction in size and weight are achieved, so that a product suitable for a living environment can be provided.
図5(B)は本発明に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態2〜6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高いという特徴を有している。また、耐熱性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るコンピュータは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。 FIG. 5B illustrates a computer according to the present invention, which includes a main body 9201, a housing 9202, a display portion 9203, a keyboard 9204, an external connection port 9205, a pointing device 9206, and the like. In this computer, the display portion 9203 includes light-emitting elements similar to those described in Embodiment Modes 2 to 6, arranged in a matrix. The light-emitting element has a feature of high luminous efficiency. Moreover, it has the characteristic that heat resistance is high. The display portion 9203 which includes the light-emitting elements has similar features. Therefore, in this computer, image quality is hardly deteriorated and low power consumption is achieved. With such a feature, deterioration compensation functional circuits and power supply circuits can be significantly reduced or reduced in the computer, so that the main body 9201 and the housing 9202 can be reduced in size and weight. In the computer according to the present invention, low power consumption, high image quality, and reduction in size and weight are achieved; therefore, a product suitable for the environment can be provided.
図5(C)は本発明に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、実施の形態2〜6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高いという特徴を有している。また、耐熱性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯電話は画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係る携帯電話は、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。 FIG. 5C illustrates a cellular phone according to the present invention, which includes a main body 9401, a housing 9402, a display portion 9403, an audio input portion 9404, an audio output portion 9405, operation keys 9406, an external connection port 9407, an antenna 9408, and the like. . In this cellular phone, the display portion 9403 is formed by arranging light-emitting elements similar to those described in Embodiment Modes 2 to 6 in a matrix. The light-emitting element has a feature of high luminous efficiency. Moreover, it has the characteristic that heat resistance is high. Since the display portion 9403 including the light-emitting elements has similar features, the cellular phone has little deterioration in image quality and low power consumption. With such a feature, the deterioration compensation functional circuit and the power supply circuit can be significantly reduced or reduced in the mobile phone, so that the main body 9401 and the housing 9402 can be reduced in size and weight. Since the cellular phone according to the present invention has low power consumption, high image quality, and reduced size and weight, a product suitable for carrying can be provided.
図5(D)は本発明の係るカメラであり、本体9501、表示部9502、筐体9503、外部接続ポート9504、リモコン受信部9505、受像部9506、バッテリー9507、音声入力部9508、操作キー9509、接眼部9510等を含む。このカメラにおいて、表示部9502は、実施の形態2〜6で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高いという特徴を有している。また、耐熱性が高いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9502も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化が少なく、低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにおいて、劣化補償機能回路や電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9501の小型軽量化を図ることが可能である。本発明に係るカメラは、低消費電力、高画質及び小型軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。 FIG. 5D illustrates a camera according to the present invention, which includes a main body 9501, a display portion 9502, a housing 9503, an external connection port 9504, a remote control receiving portion 9505, an image receiving portion 9506, a battery 9507, an audio input portion 9508, and operation keys 9509. , An eyepiece 9510 and the like. In this camera, the display portion 9502 includes light-emitting elements similar to those described in Embodiment Modes 2 to 6, arranged in a matrix. The light-emitting element has a feature of high luminous efficiency. Moreover, it has the characteristic that heat resistance is high. Since the display portion 9502 including the light-emitting elements has similar features, this camera has little deterioration in image quality and low power consumption. With such a feature, the deterioration compensation function circuit and the power supply circuit can be significantly reduced or reduced in the camera, so that the main body 9501 can be reduced in size and weight. Since the camera according to the present invention has low power consumption, high image quality, and small size and light weight, a product suitable for carrying can be provided.
以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、発光効率が高く、耐熱性の高い表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。 As described above, the applicable range of the light-emitting device of the present invention is so wide that the light-emitting device can be applied to electronic devices in various fields. By using the aromatic amine compound of the present invention, an electronic device having a display portion with high light emission efficiency and high heat resistance can be provided.
また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を照明装置として用いる一態様を、図6を用いて説明する。 The light-emitting device of the present invention can also be used as a lighting device. One mode in which the light-emitting element of the present invention is used as a lighting device will be described with reference to FIGS.
図6は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図6に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バックライト903は、本発明の発光装置が用いられおり、端子906により、電流が供給されている。 FIG. 6 illustrates an example of a liquid crystal display device using the light-emitting device of the present invention as a backlight. The liquid crystal display device illustrated in FIG. 6 includes a housing 901, a liquid crystal layer 902, a backlight 903, and a housing 904, and the liquid crystal layer 902 is connected to a driver IC 905. The backlight 903 uses the light-emitting device of the present invention, and a current is supplied from a terminal 906.
本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、発光効率の高いバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明の発光装置は耐熱性に優れているため、本発明の発光装置を用いた液晶表示装置も耐熱性に優れている。 By using the light emitting device of the present invention as a backlight of a liquid crystal display device, a backlight having high luminous efficiency can be obtained. Further, the light-emitting device of the present invention is a surface-emitting illumination device and can have a large area, so that the backlight can have a large area and a liquid crystal display device can have a large area. Further, since the light-emitting device of the present invention is thin and has low power consumption, the display device can be thinned and the power consumption can be reduced. In addition, since the light emitting device of the present invention is excellent in heat resistance, a liquid crystal display device using the light emitting device of the present invention is also excellent in heat resistance.
図7は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図7に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2002として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は、高輝度の発光が可能であるため、細かい作業をする場合など、手元を明るく照らすことが可能である。 FIG. 7 illustrates an example in which the light-emitting device to which the present invention is applied is used as a table lamp which is a lighting device. A table lamp illustrated in FIG. 7 includes a housing 2001 and a light source 2002, and the light-emitting device of the present invention is used as the light source 2002. Since the light-emitting device of the present invention can emit light with high luminance, the hand can be brightly illuminated when performing fine work.
図8は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた例である。本発明の発光装置は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の発光装置は、薄型で低消費電力であるため、薄型化、低消費電力化の照明装置として用いることが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた部屋に、図5(A)で説明したような、本発明に係るテレビ装置3002を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力であるので、電気料金を心配せずに、明るい部屋で迫力のある映像を鑑賞することができる。 FIG. 8 illustrates an example in which the light-emitting device to which the present invention is applied is used as an indoor lighting device 3001. Since the light-emitting device of the present invention can have a large area, it can be used as a large-area lighting device. In addition, since the light-emitting device of the present invention is thin and has low power consumption, it can be used as a lighting device with low thickness and low power consumption. In this manner, in the room where the light-emitting device to which the present invention is applied is used as an indoor lighting device 3001, the television set 3002 according to the present invention as described with reference to FIG. Can be appreciated. In such a case, since both devices have low power consumption, powerful images can be viewed in a bright room without worrying about electricity charges.
本実施例では、構造式(21)で表されるN−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル−9,9−ジメチルフルオレニル−2−アミン(略称:YGAF)の合成方法について説明する。 In this example, N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenyl-9,9-dimethylfluorenyl-2-amine (abbreviation: YGAF) represented by the structural formula (21) The synthesis method will be described.
[ステップ1]
9−[4−(N−フェニルアミノ)フェニル]カルバゾール(略称:YGA)の合成方法について説明する。
[Step 1]
A method for synthesizing 9- [4- (N-phenylamino) phenyl] carbazole (abbreviation: YGA) will be described.
(i)N−(4−ブロモフェニル)カルバゾールの合成
N−(4−ブロモフェニル)カルバゾールの合成スキーム(C−1)を以下に示す。
(I) Synthesis of N- (4-bromophenyl) carbazole A synthesis scheme (C-1) of N- (4-bromophenyl) carbazole is shown below.
まず、N−(4−ブロモフェニル)カルバゾールの合成方法について説明する。300mLの三口フラスコに、1,4−ジブロモベンゼンを56.3g(0.24mol)、カルバゾールを31.3g(0.18mol)、よう化銅を4.6g(0.024mol)、炭酸カリウムを66.3g(0.48mol)、18−クラウン−6−エーテルを2.1g(0.008mol)入れ、窒素置換し、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(略称:DMPU)を8mL加え、180℃で6時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷ましてから、吸引ろ過により沈殿物を除去し、ろ液を希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥した。乾燥後、反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して、得られた油状物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=9:1)により精製して得られた固体を、クロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物であるN−(4−ブロモフェニル)カルバゾールの淡褐色プレート状結晶を20.7g、収率35%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物がN−(4−ブロモフェニル)カルバゾールであることを確認した。 First, a method for synthesizing N- (4-bromophenyl) carbazole will be described. In a 300 mL three-necked flask, 56.3 g (0.24 mol) of 1,4-dibromobenzene, 31.3 g (0.18 mol) of carbazole, 4.6 g (0.024 mol) of copper iodide, 66 of potassium carbonate .3 g (0.48 mol), 2.1 g (0.008 mol) of 18-crown-6-ether was added, and the atmosphere was replaced with nitrogen, and 1,3-dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -Pyrimidinone (abbreviation: DMPU) 8mL was added and it stirred at 180 degreeC for 6 hours. The reaction mixture was cooled to room temperature, the precipitate was removed by suction filtration, and the filtrate was washed with diluted hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine in that order, and dried over magnesium sulfate. After drying, the reaction mixture is naturally filtered, the filtrate is concentrated, and the resulting oily substance is purified by silica gel column chromatography (hexane: ethyl acetate = 9: 1) to give a solid obtained by chloroform, hexane. As a result, 20.7 g of a light brown plate-like crystal of the target product N- (4-bromophenyl) carbazole was obtained in a yield of 35%. This compound was confirmed to be N- (4-bromophenyl) carbazole by nuclear magnetic resonance (NMR).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,CDCl3):δ=8.14(d,J=7.8Hz,2H),δ=7.73(d,J=8.7Hz,2H),δ=7.46(d,J=8.4Hz,2H),δ=7.42−7.26(m,6H)。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 8.14 (d, J = 7.8 Hz, 2H), δ = 7.73 (d, J = 8.7 Hz, 2H), δ = 7.46 ( d, J = 8.4 Hz, 2H), δ = 7.42-7.26 (m, 6H).
(ii)9−[4−(N−フェニルアミノ)フェニル]カルバゾール(略称:YGA)の合成
YGAの合成スキーム(C−2)を以下に示す。
(Ii) Synthesis of 9- [4- (N-phenylamino) phenyl] carbazole (abbreviation: YGA) A synthesis scheme (C-2) of YGA is shown below.
200mLの三口フラスコに、上記(i)で得たN−(4−ブロモフェニル)カルバゾールを5.4g(17.0mmol)、アニリンを1.8mL(20.0mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を100mg(0.17mmol)、ナトリウム tert−ブトキシドを3.9g(40mmol)入れ、窒素置換し、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)を0.1mL、トルエンを50mL加えて、80℃、6時間撹拌した。反応混合物を、フロリジールおよびセライトおよびアルミナを通してろ過し、ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=9:1)により精製したところ目的物である9−[4−(N−フェニルアミノ)フェニル]カルバゾール(略称:YGA)を4.1g、収率73%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が9−[4−(N−フェニルアミノ)フェニル]カルバゾール(略称:YGA)であることを確認した。 In a 200 mL three-necked flask, 5.4 g (17.0 mmol) of N- (4-bromophenyl) carbazole obtained in (i) above, 1.8 mL (20.0 mmol) of aniline, bis (dibenzylideneacetone) palladium 100 mg (0.17 mmol) of (0) and 3.9 g (40 mmol) of sodium tert-butoxide were added, and the atmosphere was replaced with nitrogen, and 0.1 mL of tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) and 50 mL of toluene were added. And stirred at 80 ° C. for 6 hours. The reaction mixture was filtered through Florisil, celite, and alumina, and the filtrate was washed with water and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The reaction mixture was naturally filtered, and the oil obtained by concentrating the filtrate was purified by silica gel column chromatography (hexane: ethyl acetate = 9: 1) to obtain the desired product, 9- [4- (N-phenyl). Amino) phenyl] carbazole (abbreviation: YGA) (4.1 g, yield 73%) was obtained. This compound was confirmed to be 9- [4- (N-phenylamino) phenyl] carbazole (abbreviation: YGA) by nuclear magnetic resonance (NMR).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,DMSO−d6):δ=8.47(s,1H),δ=8.22(d,J=7.8Hz,2H),δ=7.44−7.16(m,14H),δ=6.92−6.87(m,1H)。また、1H NMRチャートを図10(A)、(B)に示す。なお、図10(B)は、図10(A)における6.7ppm〜8.6ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ): δ = 8.47 (s, 1H), δ = 8.22 (d, J = 7.8 Hz, 2H), δ = 7.44-7.16 ( m, 14H), [delta] = 6.92-6.87 (m, 1H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 10B is a chart in which the range of 6.7 ppm to 8.6 ppm in FIG.
[ステップ2]
構造式(21)で表されるN−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル−9,9−ジメチルフルオレニル−2−アミン(略称:YGAF)の合成方法について説明する。合成スキームを(D−1)に示す。
[Step 2]
A method for synthesizing N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenyl-9,9-dimethylfluorenyl-2-amine (abbreviation: YGAF) represented by the structural formula (21) is described. To do. The synthesis scheme is shown in (D-1).
2−ブロモ−9,9−ジメチルフルオレン2.9g(10mmol)、4−(カルバゾール−9−イル)ジフェニルアミン3.34g(10mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)115mg(0.2mmol)tert−ブトキシナトリウム3.0g(31.2mmol)を300mL三口フラスコへ入れ窒素置換し、トルエン100mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.2mLを加え、80℃で5時間撹拌した。反応後、反応溶液を、セライトおよびフロリジールおよびアルミナを通してろ過し、ろ液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出した。抽出溶液と有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄してから硫酸マグネシウムにより乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して得られた個体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=7:3)により精製したところ目的物の白色固体を、3.6g収率64%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(21)で表されるN−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル−9,9−ジメチルフルオレニル−2−アミン(略称:YGAF)であることを確認した。 2-Bromo-9,9-dimethylfluorene 2.9 g (10 mmol), 4- (carbazol-9-yl) diphenylamine 3.34 g (10 mmol), bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) 115 mg (0.2 mmol) Put 300 g (31.2 mmol) of tert-butoxy sodium into a 300 mL three-necked flask and purge with nitrogen, add 100 mL of toluene and 0.2 mL of tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution), and stir at 80 ° C. for 5 hours. did. After the reaction, the reaction solution was filtered through Celite, Florisil, and alumina, the filtrate was washed with water, and the aqueous layer was extracted with toluene. The extracted solution and the organic layer were combined, washed with saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The solid obtained by naturally filtering the reaction mixture and concentrating the filtrate was purified by silica gel column chromatography (hexane: toluene = 7: 3). As a result, 3.6 g of the desired white solid was obtained in a yield of 64%. I got it. N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenyl-9,9-dimethylfluorenyl-2 represented by the structural formula (21) by nuclear magnetic resonance (NMR). -It confirmed that it was an amine (abbreviation: YGAF).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,DMSO−d6):δ=1.40(s、6H)、7.09−7.53(m、20H)、7.75−7.77(m、1H)、7.81(d、J=8.4Hz,1H)、8.23(d、J=7.5Hz,2H)。また、1H NMRチャートを図11(A)、(B)に示す。なお、図11(B)は、図11(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ): δ = 1.40 (s, 6H), 7.09-7.53 (m, 20H), 7.75-7.77 (m, 1H), 7 .81 (d, J = 8.4 Hz, 1H), 8.23 (d, J = 7.5 Hz, 2H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 11B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
得られたYGAF635mgを、アルゴンガスを20.0mL/minで流しながら、200Pa、230℃、12時間昇華精製を行ったところ、YGAFの淡黄色固体485mgが得られ、回収率は76%であった。 When 635 mg of the obtained YGAF was purified by sublimation at 200 Pa, 230 ° C. for 12 hours while flowing argon gas at 20.0 mL / min, 485 mg of a pale yellow solid of YGAF was obtained, and the recovery rate was 76%. .
なお、YGAFの分解温度(Td)を示差熱熱重量同時測定装置(セイコー電子株式会社製、TG/DTA320型)により測定したところ、313℃であった。 In addition, it was 313 degreeC when the decomposition temperature (Td) of YGAF was measured with the differential thermothermal weight simultaneous measuring apparatus (The Seiko Electronics Co., Ltd. make, TG / DTA320 type | mold).
また、示差走査熱量測定装置(DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1)を用いてガラス転移点を測定した。まず、サンプルを40℃/minで300℃まで加熱した後、40℃/minで室温まで冷却した。その後10℃/minで300℃まで昇温し、10
℃/minで室温まで冷却することにより、図12のDSCチャートを得た。図12において、X軸に温度、Y軸に熱流が示されている。Y軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、YGAFのガラス転移点(Tg)は91℃であることがわかった。
Moreover, the glass transition point was measured using the differential scanning calorimeter (DSC, the Perkin Elmer company make, Pyris1). First, the sample was heated to 300 ° C. at 40 ° C./min, and then cooled to room temperature at 40 ° C./min. Thereafter, the temperature was raised to 300 ° C. at 10 ° C./min,
The DSC chart of FIG. 12 was obtained by cooling to room temperature at a temperature of ° C / min. In FIG. 12, the X axis shows temperature and the Y axis shows heat flow. On the Y axis, the upward direction indicates endotherm. From this chart, it was found that the glass transition point (Tg) of YGAF was 91 ° C.
また、YGAFのトルエン溶液の吸収スペクトルを図13に示す。また、YGAFの薄膜の吸収スペクトルを図14に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図13および図14に示した。図13および図14において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では326〜362nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では343nm付近に吸収が見られた。また、YGAFのトルエン溶液(励起波長340nm)の発光スペクトルを図15に示す。また、YGAFの薄膜(励起波長343nm)の発光スペクトルを図16に示す。図15および図16において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では384nm(励起波長340nm)、薄膜の場合で396nm(励起波長343nm)であった。 Moreover, the absorption spectrum of the toluene solution of YGAF is shown in FIG. Further, FIG. 14 shows an absorption spectrum of a thin film of YGAF. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. Samples were prepared by depositing the solution in a quartz cell and depositing the thin film on a quartz substrate. The absorption spectra obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz are shown in FIGS. 13 and 14, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed near 326 to 362 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed near 343 nm. Further, FIG. 15 shows an emission spectrum of a YGAF toluene solution (excitation wavelength: 340 nm). Further, FIG. 16 shows an emission spectrum of a YGAF thin film (excitation wavelength: 343 nm). 15 and 16, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). The maximum emission wavelength was 384 nm (excitation wavelength 340 nm) in the case of the toluene solution, and 396 nm (excitation wavelength 343 nm) in the case of the thin film.
また、YGAFの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.39eVであった。さらに、図14のYGAFの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.25eVであった。したがって、LUMO準位は−2.14eVである。 The HOMO level of YGAF in the thin film state was −5.39 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (AC-2, manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the YGAF thin film in FIG. 14, the absorption edge was obtained from Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.25 eV. Therefore, the LUMO level is −2.14 eV.
また、YGAFの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。 Moreover, the oxidation reaction characteristic of YGAF was measured. The oxidation reaction characteristics were examined by cyclic voltammetry (CV) measurement. For the measurement, an electrochemical analyzer (manufactured by BAS Co., Ltd., model number: ALS model 600A) was used.
CV測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド(DMF)((株)アルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。 As a solution in CV measurement, dehydrated dimethylformamide (DMF) (manufactured by Aldrich, 99.8%, catalog number: 22705-6) was used as a solvent, and tetra-n-butylammonium perchlorate (supporting electrolyte) ( n-Bu 4 NClO 4 ) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., catalog number: T0836) is dissolved to a concentration of 100 mmol / L, and the measurement target is further dissolved to a concentration of 1 mmol / L. did. In addition, as a working electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., PTE platinum electrode), and as an auxiliary electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Inc., Pt counter electrode for VC-3 ( 5 cm)), and Ag / Ag + electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., RE5 non-aqueous solvent system reference electrode) was used as a reference electrode. The measurement was performed at room temperature.
YGAFの酸化反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−0.12Vから0.8Vまで変化させた後、0.8Vから−0.12Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに設定した。 The oxidation reaction characteristics of YGAF were examined as follows. A scan in which the potential of the working electrode with respect to the reference electrode was changed from −0.12 V to 0.8 V and then changed from 0.8 V to −0.12 V was taken as one cycle, and 100 cycles were measured. The scan speed for CV measurement was set to 0.1 V / s.
YGAFの酸化反応特性について調べた結果を図17に示す。図17において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位(V)を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値(μA)を表す。 The results of examining the oxidation reaction characteristics of YGAF are shown in FIG. In FIG. 17, the horizontal axis represents the potential (V) of the working electrode with respect to the reference electrode, and the vertical axis represents the current value (μA) flowing between the working electrode and the auxiliary electrode.
図17から、0.62V付近(vs.Ag/Ag+電極)に酸化を示す電流が観測された。また、100サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応においてはCV曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明の芳香族アミン化合物は酸化反応および引き続く還元反応(すなわち酸化の繰り返し)に対して極めて安定であることが分かった。 From FIG. 17, a current indicating oxidation was observed around 0.62 V (vs. Ag / Ag + electrode). In addition, in spite of repeating 100 cycles of scanning, the oxidation reaction shows almost no change in the peak position or peak intensity of the CV curve. From this, it was found that the aromatic amine compound of the present invention is extremely stable with respect to oxidation reaction and subsequent reduction reaction (that is, repeated oxidation).
また、YGAFの基底状態における最適分子構造を、密度汎関数法(DFT)のB3LYP/6−311(d,p)により計算した。DFTは、電子相関を考慮しないハートリー・フォック(HF)法に比較して計算精度が良く、同レベルの計算精度である摂動法(MP)法よりも計算コストが小さいため、本計算で採用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ(HPC)(SGI社製、Altix3700 DX)を用いて行った。 Moreover, the optimal molecular structure in the ground state of YGAF was calculated by B3LYP / 6-311 (d, p) of density functional theory (DFT). DFT is used in this calculation because it has better calculation accuracy than the Hartree-Fock (HF) method, which does not take into account electronic correlation, and the calculation cost is lower than the perturbation method (MP) method, which is the same level of calculation accuracy. did. The calculation was performed using a high performance computer (HPC) (manufactured by SGI, Altix 3700 DX).
また、DFTで構造最適化した分子構造において時間依存密度汎関数法(TDDFT)のB3LYP/6−311(d,p)を適用することにより、YGAFの三重項励起エネルギー(エネルギーギャップ)を算出したところ、三重項励起エネルギーは2.70eVと算出された。よって、計算結果から本発明の芳香族アミン化合物は、高い三重項励起エネルギーを有することがわかった。 In addition, the triplet excitation energy (energy gap) of YGAF was calculated by applying B3LYP / 6-311 (d, p) of time-dependent density functional theory (TDDFT) in the molecular structure optimized by DFT. However, the triplet excitation energy was calculated to be 2.70 eV. Therefore, it was found from the calculation results that the aromatic amine compound of the present invention has high triplet excitation energy.
本実施例では、構造式(52)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−4’−フェニルトリフェニルアミン(略称:YGA1BP)の合成方法について説明する。合成スキームを(D−2)に示す。 In this example, a method for synthesizing 4- (carbazol-9-yl) phenyl-4'-phenyltriphenylamine (abbreviation: YGA1BP) represented by the structural formula (52) will be described. The synthesis scheme is shown in (D-2).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz、DMSO−d6):δ=7.12−7.47(m、18H)、7.53(d、J=8.7Hz、2H)、7.68−7.64(m、4H)、8.23(d、J=7.8Hz、2H)。また、1H NMRチャートを図18(A)、(B)に示す。なお、図18(B)は、図18(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ): δ = 7.12-7.47 (m, 18H), 7.53 (d, J = 8.7 Hz, 2H), 7.68-7.64 ( m, 4H), 8.23 (d, J = 7.8 Hz, 2H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 18B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
得られたYGA1BP694mgを、アルゴンガスを20.0mL/minで流しながら、200Pa、280℃、5時間昇華精製を行ったところ、YGA1BPの無色固体544mgが得られ、回収率は78%であった。 When 694 mg of the obtained YGA1BP was purified by sublimation at 200 Pa, 280 ° C. for 5 hours while flowing argon gas at 20.0 mL / min, 544 mg of YGA1BP colorless solid was obtained, and the recovery rate was 78%.
また、YGA1BPの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を、高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、DTA2410SA)を用いて行った。常圧下で、10℃/minの昇温速度で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、398℃であった。 Further, thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA) of YGA1BP was performed using a high vacuum differential type differential thermal balance (DTA 2410SA, manufactured by Bruker AXS Co., Ltd.). When measured at a rate of temperature increase of 10 ° C./min under normal pressure, the temperature at which the weight becomes 95% or less of the weight at the start of measurement was 398 ° C. from the relationship between the weight and temperature (thermogravimetry). It was.
また、YGA1BPのトルエン溶液の吸収スペクトルを図19に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図19に示した。図19において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では324nm付近に吸収が見られた。また、YGA1BPのトルエン溶液(励起波長340nm)の発光スペクトルを図20に示す。図20において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では387nm(励起波長340nm)であった。 Further, FIG. 19 shows an absorption spectrum of a toluene solution of YGA1BP. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. The solution was put in a quartz cell, and an absorption spectrum obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz is shown in FIG. In FIG. 19, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed at around 324 nm. Further, FIG. 20 shows an emission spectrum of a YGA1BP toluene solution (excitation wavelength: 340 nm). In FIG. 20, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, the maximum emission wavelength was 387 nm (excitation wavelength: 340 nm).
また、YGA1BPの基底状態における最適分子構造を、密度汎関数法(DFT)のB3LYP/6−311(d,p)により計算した。DFTは、電子相関を考慮しないハートリー・フォック(HF)法に比較して計算精度が良く、同レベルの計算精度である摂動法(MP)法よりも計算コストが小さいため、本計算で採用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ(HPC)(SGI社製、Altix3700 DX)を用いて行った。 Moreover, the optimal molecular structure in the ground state of YGA1BP was calculated by B3LYP / 6-311 (d, p) of density functional theory (DFT). DFT is used in this calculation because it has better calculation accuracy than the Hartree-Fock (HF) method, which does not take into account electronic correlation, and the calculation cost is lower than the perturbation method (MP) method, which is the same level of calculation accuracy. did. The calculation was performed using a high performance computer (HPC) (manufactured by SGI, Altix 3700 DX).
また、DFTで構造最適化した分子構造において時間依存密度汎関数法(TDDFT)のB3LYP/6−311(d,p)を適用することにより、YGA1BPの三重項励起エネルギー(エネルギーギャップ)を算出したところ、三重項励起エネルギーは2.87eVと算出された。よって、計算結果から本発明の芳香族アミン化合物は、高い三重項励起エネルギーを有することがわかった。 In addition, the triplet excitation energy (energy gap) of YGA1BP was calculated by applying B3LYP / 6-311 (d, p) of time-dependent density functional theory (TDDFT) in the molecular structure optimized by DFT. However, the triplet excitation energy was calculated to be 2.87 eV. Therefore, it was found from the calculation results that the aromatic amine compound of the present invention has high triplet excitation energy.
本実施例では、構造式(71)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニル−9,9−ジメチルフルオレン−2,7−ジアミン(略称:YGA2F)の合成方法について説明する。合成スキームを(D−3)に示す。 In this example, N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-diphenyl-9,9-dimethylfluorene-2,7 represented by the structural formula (71) -The synthesis | combining method of diamine (abbreviation: YGA2F) is demonstrated. The synthesis scheme is shown in (D-3).
2、7−ジヨード−9,9−ジメチルフルオレン1.7g(3.8mmol)、4−(カルバゾール−9−イル)ジフェニルアミン2.5g(7.6mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)44mg(0.2mmol)、tert−ブトキシナトリウム2.0g(20mmol)を300mL三口フラスコへ入れ窒素置換し、トルエン30mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.1mLを加え、80℃で12時間撹拌した。反応後、反応溶液を、セライトおよびフロリジールおよびアルミナを通してろ過し、ろ液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出した。抽出溶液と有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄してから有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。反応混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して得られた個体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=6:4)により精製した。得られた化合物をトルエン、ヘキサンにより再結晶したところ目的物の淡黄色粉末状固体を2.9g収率89%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(71)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニル−9,9−ジメチルフルオレン−2,7−ジアミン(略称:YGA2F)であることを確認した。 2,7-diiodo-9,9-dimethylfluorene 1.7 g (3.8 mmol), 4- (carbazol-9-yl) diphenylamine 2.5 g (7.6 mmol), bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) 44 mg (0.2 mmol) and tert-butoxy sodium 2.0 g (20 mmol) were placed in a 300 mL three-necked flask and purged with nitrogen. Toluene 30 mL and tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) 0.1 mL were added, Stir at 12 ° C. for 12 hours. After the reaction, the reaction solution was filtered through Celite, Florisil, and alumina, the filtrate was washed with water, and the aqueous layer was extracted with toluene. The extracted solution and the organic layer were combined and washed with saturated brine, and then the organic layer was dried over magnesium sulfate. The reaction mixture was naturally filtered, and the solid obtained by concentrating the filtrate was purified by silica gel column chromatography (hexane: toluene = 6: 4). The obtained compound was recrystallized from toluene and hexane to obtain 2.9 g of the objective light yellow powdered solid in 89% yield. N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-diphenyl-9,9 represented by the structural formula (71) by nuclear magnetic resonance (NMR). -It was confirmed that it was dimethylfluorene-2,7-diamine (abbreviation: YGA2F).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,DMSO−d6):δ=1.37(s、6H)、7.06−7.51(m、34H)、7.76(d、J=8.4Hz,2H)、8.22(d、J=7.8Hz,4H)。また、1H NMRチャートを図21(A)、(B)に示す。なお、図21(B)は、図21(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ): δ = 1.37 (s, 6H), 7.06-7.51 (m, 34H), 7.76 (d, J = 8.4 Hz, 2H) 8.22 (d, J = 7.8 Hz, 4H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 21B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
得られたYGA2F670mgを、アルゴンガスを3.0mL/minで流しながら、200Pa、420℃の条件で15時間昇華精製を行ったところ、YGA2Fの淡黄色固体511gが得られ、回収率は76%であった。 When 670 mg of the obtained YGA2F was purified by sublimation under conditions of 200 Pa and 420 ° C. while flowing argon gas at 3.0 mL / min for 15 hours, 511 g of a light yellow solid of YGA2F was obtained, and the recovery rate was 76%. there were.
なお、YGA2Fの分解温度(Td)を示差熱熱重量同時測定装置(セイコー電子株式会社製、TG/DTA320型)により測定したところ、500℃以上であり、YGA2Fは高いTdを示すことが分かった。 In addition, when the decomposition temperature (Td) of YGA2F was measured with a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement device (Seiko Electronics Co., Ltd., TG / DTA320 type), it was found to be 500 ° C. or higher, and YGA2F showed high Td. .
また、示差走査熱量測定装置(DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1)を用いてガラス転移点を測定した。まず、サンプルを40℃/minで400℃まで加熱した後、40℃/minで室温まで冷却した。その後10℃/minで400℃まで昇温し、10℃/minで室温まで冷却することにより、図22のDSCチャートを得た。図22において、X軸に温度、Y軸に熱流が示されている。Y軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、YGA2Fのガラス転移点(Tg)は150℃であることがわかった。よって、本発明の芳香族アミン化合物は耐熱性に優れていることがわかった。 Moreover, the glass transition point was measured using the differential scanning calorimeter (DSC, the Perkin Elmer company make, Pyris1). First, the sample was heated to 400 ° C. at 40 ° C./min, and then cooled to room temperature at 40 ° C./min. Thereafter, the temperature was raised to 400 ° C. at 10 ° C./min and cooled to room temperature at 10 ° C./min to obtain the DSC chart of FIG. In FIG. 22, temperature is shown on the X axis and heat flow is shown on the Y axis. On the Y axis, the upward direction indicates endotherm. From this chart, it was found that the glass transition point (Tg) of YGA2F was 150 ° C. Therefore, it turned out that the aromatic amine compound of this invention is excellent in heat resistance.
また、YGA2Fのトルエン溶液の吸収スペクトルを図23に示す。また、YGA2Fの薄膜の吸収スペクトルを図24に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図23および図24に示した。図23および図24において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では327nmおよび377nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では383nm付近に吸収が見られた。また、YGA2Fのトルエン溶液(励起波長340nm)の発光スペクトルを図25に示す。また、YGA2Fの薄膜(励起波長383nm)の発光スペクトルを図26に示す。図25および図26において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では400nmおよび422nm(励起波長340nm)、薄膜の場合で410nmおよび430nmおよび537nm(励起波長383nm)に発光スペクトルのピークが観察された。 Moreover, the absorption spectrum of the toluene solution of YGA2F is shown in FIG. Moreover, the absorption spectrum of the thin film of YGA2F is shown in FIG. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. Samples were prepared by depositing the solution in a quartz cell and depositing the thin film on a quartz substrate. The absorption spectra obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz are shown in FIGS. 23 and 24, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed near 327 nm and 377 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed near 383 nm. An emission spectrum of a YGA2F toluene solution (excitation wavelength: 340 nm) is shown in FIG. In addition, an emission spectrum of a thin film of YGA2F (excitation wavelength: 383 nm) is shown in FIG. 25 and 26, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, peaks of emission spectrum were observed at 400 nm and 422 nm (excitation wavelength: 340 nm), and in the case of the thin film, peaks at 410 nm, 430 nm, and 537 nm (excitation wavelength: 383 nm).
また、YGA2Fの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.27eVであった。さらに、図24のYGA2Fの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.05eVであった。したがって、LUMO準位は−2.22eVである。 The HOMO level of YGA2F in the thin film state was −5.27 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the YGA2F thin film in FIG. 24, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.05 eV. Therefore, the LUMO level is −2.22 eV.
また、YGA2Fの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。 Moreover, the oxidation reaction characteristic of YGA2F was measured. The oxidation reaction characteristics were examined by cyclic voltammetry (CV) measurement. For the measurement, an electrochemical analyzer (manufactured by BAS Co., Ltd., model number: ALS model 600A) was used.
CV測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド(DMF)((株)アルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。 As a solution in CV measurement, dehydrated dimethylformamide (DMF) (manufactured by Aldrich, 99.8%, catalog number: 22705-6) was used as a solvent, and tetra-n-butylammonium perchlorate (supporting electrolyte) ( n-Bu 4 NClO 4 ) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., catalog number: T0836) is dissolved to a concentration of 100 mmol / L, and the measurement target is further dissolved to a concentration of 1 mmol / L. did. In addition, as a working electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., PTE platinum electrode), and as an auxiliary electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Inc., Pt counter electrode for VC-3 ( 5 cm)), and Ag / Ag + electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., RE5 non-aqueous solvent system reference electrode) was used as a reference electrode. The measurement was performed at room temperature.
YGA2Fの酸化反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−0.31Vから1.0Vまで変化させた後、1.0Vから−0.31Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに設定した。 The oxidation reaction characteristics of YGA2F were examined as follows. A scan in which the potential of the working electrode with respect to the reference electrode was changed from −0.31 V to 1.0 V and then changed from 1.0 V to −0.31 V was taken as one cycle, and 100 cycles were measured. The scan speed for CV measurement was set to 0.1 V / s.
YGA2Fの酸化反応特性について調べた結果を図27に示す。図27において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位(V)を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値(μA)を表す。 The result of examining the oxidation reaction characteristic of YGA2F is shown in FIG. In FIG. 27, the horizontal axis represents the potential (V) of the working electrode with respect to the reference electrode, and the vertical axis represents the current value (μA) flowing between the working electrode and the auxiliary electrode.
図27から、0.40V付近(vs.Ag/Ag+電極)に酸化を示す電流が観測された。また、100サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応においてはCV曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明の芳香族アミン化合物は酸化反応および引き続く還元反応(すなわち酸化の繰り返し)に対して極めて安定であることが分かった。 From FIG. 27, a current indicating oxidation was observed around 0.40 V (vs. Ag / Ag + electrode). In addition, in spite of repeating 100 cycles of scanning, the oxidation reaction shows almost no change in the peak position or peak intensity of the CV curve. From this, it was found that the aromatic amine compound of the present invention is extremely stable with respect to oxidation reaction and subsequent reduction reaction (that is, repeated oxidation).
本実施例では、構造式(102)で表されるN,N’−ビス(4−(カルバゾール−9−イル)フェニル)−N,N’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:YGABP)の合成方法について説明する。合成スキームを(D−4)に示す。 In this example, N, N′-bis (4- (carbazol-9-yl) phenyl) -N, N′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine represented by the structural formula (102) (abbreviation: The synthesis method of (YGABP) will be described. The synthesis scheme is shown in (D-4).
4,4’−ジヨード−1,1’−ビフェニル2.0g(5.0mmol)、4−(カルバゾール−9−イル)ジフェニルアミン3.3g (10.0mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)65mg(0.1mmol)、tert−ブトキシナトリウム2.0g(21.0mmol)を200mL三口フラスコへ入れ、窒素置換をしてからトルエン50mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.1mLを加えて80℃で6時間攪拌した。反応溶液を室温までさましてから、セライトおよびフロリジールおよびアルミナを通してろ過し、ろ液を水、飽和食塩水により洗浄した。混合物を自然ろ過して、硫酸マグネシウムを除去し、ろ液を濃縮して得られた白色個体を、クロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末状固体を1.8g収率45%で得た。この化合物が構造式(102)で表されるN,N’−ビス(4−(カルバゾール−9−イル)フェニル)−N,N’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:YGABP)であることを確認した。 4,4′-diiodo-1,1′-biphenyl 2.0 g (5.0 mmol), 4- (carbazol-9-yl) diphenylamine 3.3 g (10.0 mmol), bis (dibenzylideneacetone) palladium (0 ) 65 mg (0.1 mmol) and 2.0 g (21.0 mmol) of tert-butoxy sodium were placed in a 200 mL three-necked flask and purged with nitrogen, followed by 50 mL of toluene, tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) 0 0.1 mL was added and stirred at 80 ° C. for 6 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through celite, Florisil and alumina, and the filtrate was washed with water and saturated brine. The mixture was naturally filtered to remove magnesium sulfate, and the white solid obtained by concentrating the filtrate was recrystallized from chloroform and hexane. As a result, 1.8 g of the target white powdery solid was obtained with a yield of 45%. Got in. This compound is represented by the structural formula (102) by N, N′-bis (4- (carbazol-9-yl) phenyl) -N, N′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine (abbreviation: YGABP). It was confirmed that.
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,DMSO−d6):δ=7.12−7.17(m、2H)、7.20−7.30(m、16H)、7.38−7.47(m、12H)、7.52(d、J=8.7Hz,4H)、7.67(d、J=9.0Hz,4H)、8.22(d、J=7.8Hz,4H)。また、1H NMRチャートを図28(A)、(B)に示す。なお、図28(B)は、図28(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, DMSO-d 6 ): δ = 7.12-7.17 (m, 2H), 7.20-7.30 (m, 16H), 7.38-7.47 (m, 12H), 7.52 (d, J = 8.7 Hz, 4H), 7.67 (d, J = 9.0 Hz, 4H), 8.22 (d, J = 7.8 Hz, 4H). 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 28B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
得られたYGABP1.8gを、アルゴンガスを3.0mL/minで流しながら7.8Pa、300℃の条件で15時間昇華精製を行ったところ、YGABPの淡黄色固体1.6gが得られ、回収率は89%であった。 When 1.8 g of the obtained YGABP was purified by sublimation under conditions of 7.8 Pa and 300 ° C. while flowing argon gas at 3.0 mL / min for 15 hours, 1.6 g of YGABP pale yellow solid was obtained and recovered. The rate was 89%.
また、YGABPの分解温度(Td)を示差熱熱重量同時測定装置(セイコー電子株式会社製、TG/DTA320型)により測定したところ、500℃以上であり、YGABPは高いTdを示すことが分かった。 Moreover, when the decomposition temperature (Td) of YGABP was measured with a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (Seiko Denshi Co., Ltd., TG / DTA320 type), it was found to be 500 ° C. or higher, and YGABP showed high Td. .
また、示差走査熱量測定装置(DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1)を用いてガラス転移点を測定した。まず、サンプルを40℃/minで350℃まで加熱した後、40℃/minで室温まで冷却した。その後10℃/minで350℃まで昇温し、10℃/minで室温まで冷却することにより、図29のDSCチャートを得た。図29において、X軸に温度、Y軸に熱流が示されている。Y軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、YGABPのガラス転移点(Tg)は144℃であることがわかった。よって、本発明の芳香族アミン化合物は耐熱性に優れていることがわかった。 Moreover, the glass transition point was measured using the differential scanning calorimeter (DSC, the Perkin Elmer company make, Pyris1). First, the sample was heated to 350 ° C. at 40 ° C./min, and then cooled to room temperature at 40 ° C./min. Thereafter, the temperature was raised to 350 ° C. at 10 ° C./min and cooled to room temperature at 10 ° C./min, whereby the DSC chart of FIG. 29 was obtained. In FIG. 29, the temperature is shown on the X axis and the heat flow is shown on the Y axis. On the Y axis, the upward direction indicates endotherm. From this chart, it was found that the glass transition point (Tg) of YGABP was 144 ° C. Therefore, it turned out that the aromatic amine compound of this invention is excellent in heat resistance.
また、YGABPのトルエン溶液の吸収スペクトルを図30に示す。また、YGABPの薄膜の吸収スペクトルを図31に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図30および図31に示した。図30および図31において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では328nmおよび346nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では349nm付近に吸収が見られた。また、YGABPのトルエン溶液(励起波長350nm)の発光スペクトルを図32に示す。また、YGABPの薄膜(励起波長350nm)の発光スペクトルを図33に示す。図32および図33において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。最大発光波長はトルエン溶液の場合では400nm(励起波長350nm)、薄膜の場合で410nm(励起波長350nm)であった。 Further, FIG. 30 shows an absorption spectrum of a toluene solution of YGABP. Further, FIG. 31 shows an absorption spectrum of a thin film of YGABP. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. Samples were prepared by depositing the solution in a quartz cell and depositing the thin film on a quartz substrate. The absorption spectra obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz are shown in FIG. 30 and FIG. 30 and 31, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed near 328 nm and 346 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed near 349 nm. An emission spectrum of a YGABP toluene solution (excitation wavelength: 350 nm) is shown in FIG. Further, FIG. 33 shows an emission spectrum of a YGABP thin film (excitation wavelength: 350 nm). 32 and 33, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). The maximum emission wavelength was 400 nm (excitation wavelength 350 nm) in the case of the toluene solution, and 410 nm (excitation wavelength 350 nm) in the case of the thin film.
また、YGABPの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.41eVであった。さらに、図31のYGABPの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.13eVであった。したがって、LUMO準位は−2.28eVである。 The HOMO level of YGABP in a thin film state was −5.41 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the YGABP thin film in FIG. 31, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.13 eV. Therefore, the LUMO level is −2.28 eV.
また、YGABPの酸化反応特性を測定した。酸化反応特性は、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定によって調べた。なお測定には、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、型番:ALSモデル600A)を用いた。 Moreover, the oxidation reaction characteristic of YGABP was measured. The oxidation reaction characteristics were examined by cyclic voltammetry (CV) measurement. For the measurement, an electrochemical analyzer (manufactured by BAS Co., Ltd., model number: ALS model 600A) was used.
CV測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド(DMF)((株)アルドリッチ製、99.8%、カタログ番号;22705−6)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−Bu4NClO4)((株)東京化成製、カタログ番号;T0836)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、参照電極としてはAg/Ag+電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)をそれぞれ用いた。なお、測定は室温で行った。 As a solution in CV measurement, dehydrated dimethylformamide (DMF) (manufactured by Aldrich, 99.8%, catalog number: 22705-6) was used as a solvent, and tetra-n-butylammonium perchlorate (supporting electrolyte) ( n-Bu 4 NClO 4 ) (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd., catalog number: T0836) is dissolved to a concentration of 100 mmol / L, and the measurement target is further dissolved to a concentration of 1 mmol / L. did. In addition, as a working electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., PTE platinum electrode), and as an auxiliary electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Inc., Pt counter electrode for VC-3 ( 5 cm)), and Ag / Ag + electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., RE5 non-aqueous solvent system reference electrode) was used as a reference electrode. The measurement was performed at room temperature.
YGABPの酸化反応特性については次のようにして調べた。基準電極に対する作用電極の電位を−0.2Vから1.0Vまで変化させた後、1.0Vから−0.2Vまで変化させる走査を1サイクルとし、100サイクル測定した。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに設定した。 The oxidation reaction characteristics of YGABP were examined as follows. A scan in which the potential of the working electrode with respect to the reference electrode was changed from −0.2 V to 1.0 V and then changed from 1.0 V to −0.2 V was set to one cycle, and 100 cycles were measured. The scan speed for CV measurement was set to 0.1 V / s.
YGABPの酸化反応特性について調べた結果を図34に示す。図34において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位(V)を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値(μA)を表す。 The results of examining the oxidation reaction characteristics of YGABP are shown in FIG. In FIG. 34, the horizontal axis represents the potential (V) of the working electrode with respect to the reference electrode, and the vertical axis represents the current value (μA) flowing between the working electrode and the auxiliary electrode.
図34から、0.66V付近(vs.Ag/Ag+電極)に酸化を示す電流が観測された。また、100サイクルもの走査を繰り返しているにもかかわらず、酸化反応においてはCV曲線のピーク位置やピーク強度にほとんど変化が見られない。このことから、本発明の芳香族アミン化合物は酸化反応および引き続く還元反応(すなわち酸化の繰り返し)に対して極めて安定であることが分かった。 From FIG. 34, a current indicating oxidation was observed around 0.66 V (vs. Ag / Ag + electrode). In addition, in spite of repeating 100 cycles of scanning, the oxidation reaction shows almost no change in the peak position or peak intensity of the CV curve. From this, it was found that the aromatic amine compound of the present invention is extremely stable with respect to oxidation reaction and subsequent reduction reaction (that is, repeated oxidation).
本実施例では、本発明の発光素子について、図35を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。 In this example, a light-emitting element of the present invention will be described with reference to FIG. The chemical formula of the material used in this example is shown below.
(発光素子1)
まず、ガラス基板2101上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2102を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
(Light emitting element 1)
First, indium tin oxide containing silicon oxide was formed over a glass substrate 2101 by a sputtering method, so that a first electrode 2102 was formed. The film thickness was 110 nm and the electrode area was 2 mm × 2 mm.
次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極2102上に、NPBと酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層2103を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)との比率は、重量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。 Next, the substrate on which the first electrode is formed is fixed to a substrate holder provided in the vacuum evaporation apparatus so that the surface on which the first electrode is formed is downward, and the pressure is reduced to about 10 −4 Pa. After that, NPB and molybdenum oxide (VI) were co-evaporated on the first electrode 2102 to form a layer 2103 including a composite material formed by combining an organic compound and an inorganic compound. The film thickness was 50 nm, and the weight ratio of NPB and molybdenum oxide (VI) was adjusted to 4: 1 (= NPB: molybdenum oxide). Note that the co-evaporation method is an evaporation method in which evaporation is performed simultaneously from a plurality of evaporation sources in one processing chamber.
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層2103上に構造式(21)で表されるN−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル−9,9−ジメチルフルオレニル−2−アミン(略称:YGAF)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2104を形成した。 Next, N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenyl-9 represented by the structural formula (21) is formed on the layer 2103 containing the composite material by an evaporation method using resistance heating. 9-dimethylfluorenyl-2-amine (abbreviation: YGAF) was formed to a thickness of 10 nm, whereby a hole-transport layer 2104 was formed.
さらに、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)と9−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−10−フェニルアントラセン(略称:YGAPA)とを共蒸着することにより、正孔輸送層2104上に30nmの膜厚の発光層2105を形成した。ここで、CzPAとYGAPAとの重量比は、1:0.04(=CzPA:YGAPA)となるように調節した。 Further, 9- [4- (N-carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA) and 9- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino } Phenyl) -10-phenylanthracene (abbreviation: YGAPA) was co-evaporated to form a light-emitting layer 2105 having a thickness of 30 nm on the hole-transport layer 2104. Here, the weight ratio of CzPA to YGAPA was adjusted to be 1: 0.04 (= CzPA: YGAPA).
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層2105上にトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)を10nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層2106を形成した。 Then, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq) was formed to a thickness of 10 nm over the light-emitting layer 2105 by an evaporation method using resistance heating, so that an electron-transport layer 2106 was formed.
さらに、電子輸送層2106上に、Alqとリチウムを共蒸着することにより、20nmの膜厚で電子注入層2107を形成した。ここで、Alqとリチウムとの重量比は、1:0.01(=Alq:リチウム)となるように調節した。 Further, an electron injection layer 2107 having a thickness of 20 nm was formed on the electron transport layer 2106 by co-evaporation of Alq and lithium. Here, the weight ratio of Alq to lithium was adjusted to be 1: 0.01 (= Alq: lithium).
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層2107上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2108を形成することで、発光素子1を作製した。 Finally, a light-emitting element 1 was manufactured by forming a second electrode 2108 by depositing aluminum on the electron injection layer 2107 so as to have a thickness of 200 nm by using a resistance heating vapor deposition method. .
(発光素子2)
正孔輸送層2104として、構造式(71)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニル−9,9−ジメチルフルオレン−2,7−ジアミン(略称:YGA2F)を10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子1と同様に形成した。
(Light emitting element 2)
As the hole-transport layer 2104, N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-diphenyl-9,9-dimethylfluorene-2 represented by the structural formula (71) , 7-diamine (abbreviation: YGA2F) was formed to a thickness of 10 nm. Except for the hole transport layer, the light-emitting element 1 was formed.
(発光素子3)
正孔輸送層2104として、構造式(102)で表されるN,N’−ビス(4−(カルバゾール−9−イル)フェニル)−N,N’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:YGABP)を10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子1と同様に形成した。
(Light emitting element 3)
As the hole-transporting layer 2104, N, N′-bis (4- (carbazol-9-yl) phenyl) -N, N′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine represented by the structural formula (102) ( (Abbreviation: YGABP) was formed to a thickness of 10 nm. Except for the hole transport layer, the light-emitting element 1 was formed.
(比較発光素子4)
正孔輸送層2104として、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子1と同様に形成した。
(Comparative light emitting element 4)
As the hole transport layer 2104, NPB was formed to a thickness of 10 nm. Except for the hole transport layer, the light-emitting element 1 was formed.
発光素子1〜発光素子3および比較発光素子4の電流密度―輝度特性を図36に示す。また、電圧―輝度特性を図37に示す。また、輝度―電流効率特性を図38に示す。図38からわかるように、本発明の芳香族アミン化合物を用いた発光素子は、高い電流効率を示している。また、図37から、本発明の発光素子は、ある輝度を得るために必要な電圧を低減することができる。つまり、駆動電圧を低減することができる。よって、発光素子の消費電力を低減することができる。 FIG. 36 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting elements 1 to 3 and the comparative light-emitting element 4. In addition, FIG. 37 shows voltage-luminance characteristics. In addition, FIG. 38 shows luminance-current efficiency characteristics. As can be seen from FIG. 38, the light-emitting element using the aromatic amine compound of the present invention exhibits high current efficiency. In addition, from FIG. 37, the light-emitting element of the present invention can reduce a voltage necessary for obtaining a certain luminance. That is, the drive voltage can be reduced. Thus, power consumption of the light emitting element can be reduced.
このように、本発明の芳香族アミン化合物と正孔輸送層として用いることにより、良好な特性の発光素子を得ることができる。 Thus, by using the aromatic amine compound of the present invention and the hole transport layer, a light-emitting element having favorable characteristics can be obtained.
本実施例では、本発明の発光素子について、図35を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。 In this example, a light-emitting element of the present invention will be described with reference to FIG. The chemical formula of the material used in this example is shown below.
(発光素子5)
まず、ガラス基板2101上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2102を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
(Light emitting element 5)
First, indium tin oxide containing silicon oxide was formed over a glass substrate 2101 by a sputtering method, so that a first electrode 2102 was formed. The film thickness was 110 nm and the electrode area was 2 mm × 2 mm.
次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極2102上に、NPBと酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層2103を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)との比率は、重量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。 Next, the substrate on which the first electrode is formed is fixed to a substrate holder provided in the vacuum evaporation apparatus so that the surface on which the first electrode is formed is downward, and the pressure is reduced to about 10 −4 Pa. After that, NPB and molybdenum oxide (VI) were co-evaporated on the first electrode 2102 to form a layer 2103 including a composite material formed by combining an organic compound and an inorganic compound. The film thickness was 50 nm, and the weight ratio of NPB and molybdenum oxide (VI) was adjusted to 4: 1 (= NPB: molybdenum oxide). Note that the co-evaporation method is an evaporation method in which evaporation is performed simultaneously from a plurality of evaporation sources in one processing chamber.
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層2103上に構造式(21)で表されるN−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニル−9,9−ジメチルフルオレニル−2−アミン(略称:YGAF)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2104を形成した。 Next, N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenyl-9 represented by the structural formula (21) is formed on the layer 2103 containing the composite material by an evaporation method using resistance heating. 9-dimethylfluorenyl-2-amine (abbreviation: YGAF) was formed to a thickness of 10 nm, whereby a hole-transport layer 2104 was formed.
さらに、2−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール(略称:YGAO11)とビス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))とを共蒸着することにより、正孔輸送層2104上に30nmの膜厚の発光層2105を形成した。ここで、YGAO11とIr(ppy)2(acac)との重量比は、1:0.05(=YGAO11:Ir(ppy)2(acac))となるように調節した。 Furthermore, 2- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: YGAO11) and A light emitting layer having a thickness of 30 nm is formed on the hole transport layer 2104 by co-evaporation of bis (2-phenylpyridinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (ppy) 2 (acac)). 2105 was formed. Here, the weight ratio between YGAO11 and Ir (ppy) 2 (acac) is 1: 0.05: was adjusted to (= YGAO11 Ir (ppy) 2 (acac)).
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層2105上にビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)を10nmの膜厚となるように成膜し、電子輸送層2106を形成した。 Thereafter, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (abbreviation: BAlq) is formed to a thickness of 10 nm over the light-emitting layer 2105 by a resistance heating vapor deposition method. Then, an electron transport layer 2106 was formed.
さらに、電子輸送層2106上に、Alqとリチウムを共蒸着することにより、20nmの膜厚で電子注入層2107を形成した。ここで、Alqとリチウムとの重量比は、1:0.01(=Alq:リチウム)となるように調節した。 Further, an electron injection layer 2107 having a thickness of 20 nm was formed on the electron transport layer 2106 by co-evaporation of Alq and lithium. Here, the weight ratio of Alq to lithium was adjusted to be 1: 0.01 (= Alq: lithium).
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層2107上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2108を形成することで、発光素子5を作製した。 Finally, a light emitting element 5 was manufactured by forming a second electrode 2108 by depositing aluminum on the electron injection layer 2107 so as to have a thickness of 200 nm using a resistance heating vapor deposition method. .
(比較発光素子6)
正孔輸送層2104として、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子5と同様に形成した。
(Comparative light emitting element 6)
As the hole transport layer 2104, NPB was formed to a thickness of 10 nm. The layers other than the hole transport layer were formed in the same manner as the light emitting element 5.
発光素子5および比較発光素子6の電流密度―輝度特性を図39に示す。また、電圧―輝度特性を図40に示す。また、輝度―電流効率特性を図41に示す。図41からわかるように、本発明の芳香族アミン化合物を用いた発光素子は、高い電流効率を示している。また、図40から、本発明の発光素子は、比較発光素子6とほぼ同じ駆動電圧を示すことがわかる。 39 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting element 5 and the comparative light-emitting element 6. In FIG. Further, FIG. 40 shows voltage-luminance characteristics. In addition, FIG. 41 shows luminance-current efficiency characteristics. As can be seen from FIG. 41, the light-emitting element using the aromatic amine compound of the present invention exhibits high current efficiency. In addition, it can be seen from FIG. 40 that the light-emitting element of the present invention exhibits substantially the same drive voltage as that of the comparative light-emitting element 6.
また、本発明の芳香族アミン化合物であるYGAFおよびYGA1BP、比較発光素子6で用いたNPBの三重項励起エネルギー(エネルギーギャップ)を算出した。計算方法としては、基底状態における最適分子構造を、密度汎関数法(DFT)のB3LYP/6−311(d,p)により計算した。DFTは、電子相関を考慮しないハートリー・フォック(HF)法に比較して計算精度が良く、同レベルの計算精度である摂動法(MP)法よりも計算コストが小さいため、本計算で採用した。計算は、ハイパフォーマンスコンピュータ(HPC)(SGI社製、Altix3700 DX)を用いて行った。その後、DFTで構造最適化した分子構造において時間依存密度汎関数法(TDDFT)のB3LYP/6−311(d,p)を適用することにより、これらの化合物の三重項励起エネルギー(エネルギーギャップ)を算出した。また、三重項励起エネルギー(エネルギーギャップ)から、対応する波長を計算した。その結果を表1および図42に示す。 Further, the triplet excitation energy (energy gap) of YGAF and YGA1BP, which are the aromatic amine compounds of the present invention, and NPB used in the comparative light-emitting element 6 was calculated. As a calculation method, the optimal molecular structure in the ground state was calculated by B3LYP / 6-311 (d, p) of density functional theory (DFT). DFT is used in this calculation because it has better calculation accuracy than the Hartree-Fock (HF) method, which does not take into account electronic correlation, and the calculation cost is lower than the perturbation method (MP) method, which is the same level of calculation accuracy. did. The calculation was performed using a high performance computer (HPC) (manufactured by SGI, Altix 3700 DX). Subsequently, the triplet excitation energy (energy gap) of these compounds is obtained by applying the time-dependent density functional theory (TDDFT) B3LYP / 6-311 (d, p) in the molecular structure optimized by DFT. Calculated. The corresponding wavelength was calculated from the triplet excitation energy (energy gap). The results are shown in Table 1 and FIG.
表1および図42からわかるように、本発明の芳香族アミン化合物であるYGAFおよびYGA1BPは、比較発光素子6で用いたNPBよりも高い三重項励起エネルギーを有することがわかる。特に、YGA1BPは、高い三重項励起エネルギーを有することがわかる。また、本発明の芳香族アミン化合物の三重項励起エネルギーに対応する波長は、450nm前後であり、青色に対応する。また、比較発光素子6で用いたNPBの三重項励起エネルギーに対応する波長は500nmであり、緑色に対応する。そのため、緑色の燐光材料に接する層にNPBを用いた場合、緑色の燐光材料が励起されても、NPBにエネルギー移動してしまう可能性がある。そのため、燐光材料からの発光が起こらず、発光効率が低下してしまう。それに対して、本発明の芳香族アミン化合物を緑色の燐光を発光する燐光材料に接する層に用いた場合は、励起された緑色の燐光材料から本発明の芳香族アミン化合物にエネルギー移動は生じない。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合には、緑色の燐光材料にエネルギー移動することが可能である。そのため、高い発光効率を実現することができる。 As can be seen from Table 1 and FIG. 42, it can be seen that YGAF and YGA1BP, which are aromatic amine compounds of the present invention, have higher triplet excitation energy than NPB used in comparative light-emitting element 6. In particular, it can be seen that YGA1BP has a high triplet excitation energy. The wavelength corresponding to the triplet excitation energy of the aromatic amine compound of the present invention is around 450 nm, which corresponds to blue. The wavelength corresponding to the triplet excitation energy of NPB used in comparative light-emitting element 6 is 500 nm, which corresponds to green. Therefore, when NPB is used for the layer in contact with the green phosphorescent material, there is a possibility that energy is transferred to the NPB even when the green phosphorescent material is excited. Therefore, light emission from the phosphorescent material does not occur and the light emission efficiency is lowered. On the other hand, when the aromatic amine compound of the present invention is used in a layer in contact with a phosphorescent material that emits green phosphorescence, energy transfer does not occur from the excited green phosphorescent material to the aromatic amine compound of the present invention. . In addition, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, energy can be transferred to the green phosphorescent material. Therefore, high luminous efficiency can be realized.
また、一重項励起エネルギーは三重項励起エネルギーよりも高い。そのため、燐光材料に限らず、蛍光材料についても同様な効果を有する。具体的には、本発明の芳香族アミン化合物の三重項励起エネルギーに対応する波長は青色に対応するため、一重項励起エネルギーに対応する波長は青色よりも短波長となる。よって、青色の蛍光材料に接する層に芳香族アミン化合物を用いた場合、励起された青色の蛍光材料から本発明の芳香族アミン化合物にエネルギー移動は生じない。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合には、蛍光材料にエネルギー移動することが可能である。そのため、高い発光効率を実現することができる。 The singlet excitation energy is higher than the triplet excitation energy. For this reason, not only phosphorescent materials but also fluorescent materials have the same effect. Specifically, since the wavelength corresponding to the triplet excitation energy of the aromatic amine compound of the present invention corresponds to blue, the wavelength corresponding to the singlet excitation energy is shorter than blue. Therefore, when an aromatic amine compound is used for the layer in contact with the blue fluorescent material, energy transfer does not occur from the excited blue fluorescent material to the aromatic amine compound of the present invention. In addition, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, energy can be transferred to the fluorescent material. Therefore, high luminous efficiency can be realized.
このように、本発明の芳香族アミン化合物と正孔輸送層として用いることにより、良好な特性の発光素子を得ることができる。 Thus, by using the aromatic amine compound of the present invention and the hole transport layer, a light-emitting element having favorable characteristics can be obtained.
本実施例では、構造式(69)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−3’−フェニルトリフェニルアミン(略称:mYGA1BP)の合成方法について説明する。mYGA1BPの合成スキームを(J−1)に示す。 In this example, a method for synthesizing 4- (carbazol-9-yl) phenyl-3'-phenyltriphenylamine (abbreviation: mYGA1BP) represented by Structural Formula (69) will be described. A synthesis scheme of mYGA1BP is shown in (J-1).
4−(N−カルバゾリル)ジフェニルアミン1.9g(5.8mmol)、ナトリウム tert−ブトキシド2.0g(21mmol)を200mL三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へトルエン30mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.1mL、3−ブロモビフェニル1.4g(5.8mmol)を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)33mg(0.06mmol)を加えた。この混合物を、80℃で5時間攪拌した。反応後、反応混合物をフロリジールおよびセライトおよびアルミナを通して吸引濾過し、ろ液を濃縮して白色固体を得た。この固体をジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末状固体2.1g、収率98%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(69)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−3’−フェニルトリフェニルアミン(略称:mYGA1BP)であることを確認した。 4- (N-carbazolyl) diphenylamine (1.9 g, 5.8 mmol) and sodium tert-butoxide (2.0 g, 21 mmol) were placed in a 200 mL three-necked flask, and the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen. To this mixture, 30 mL of toluene, 0.1 mL of tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution), and 1.4 g (5.8 mmol) of 3-bromobiphenyl were added. The mixture was deaerated while being stirred under reduced pressure. After deaeration, 33 mg (0.06 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) was added. The mixture was stirred at 80 ° C. for 5 hours. After the reaction, the reaction mixture was suction filtered through Florisil, Celite, and alumina, and the filtrate was concentrated to obtain a white solid. When this solid was recrystallized with dichloromethane and hexane, 2.1 g of the objective white powdery solid was obtained in a yield of 98%. It was confirmed by nuclear magnetic resonance (NMR) that this compound was 4- (carbazol-9-yl) phenyl-3′-phenyltriphenylamine (abbreviation: mYGA1BP) represented by the structural formula (69). .
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,CDCl3):δ=7.07−7.12(m、1H)、7.17−7.20(m、1H)、7.27−7.47(m、20H)、7.53−7.56(m、2H)、8.14(d、J=7.8Hz,2H) 。また、1H NMRチャートを図46(A)、(B)に示す。なお、図46(B)は、図46(A)における6.5ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 7.07-7.12 (m, 1H), 7.17-7.20 (m, 1H), 7.27-7.47 (m, 20H) 7.53-7.56 (m, 2H), 8.14 (d, J = 7.8 Hz, 2H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 46B is a chart in which the range of 6.5 ppm to 8.5 ppm in FIG.
得られたmYGA1BP1.9gを、圧力5.9Pa、アルゴン流量3.0mL/min、加熱温度225℃で15時間昇華精製したところ、目的物の白色(無色)針状結晶1.7gを得て、回収率90%であった。 When 1.9 g of the obtained mYGA1BP was purified by sublimation at a pressure of 5.9 Pa, an argon flow rate of 3.0 mL / min, and a heating temperature of 225 ° C. for 15 hours, 1.7 g of white (colorless) needle-like crystals of the target product was obtained. The recovery rate was 90%.
mYGA1BPの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、DTA2410SA)を用いた。10Paの減圧下で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、224℃であった。また、常圧で測定したところ、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、391℃であった。なお、昇温速度はいずれの測定においても10℃/minとした。 Thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA) of mYGA1BP was performed. A high vacuum differential type differential thermal balance (Bruker AXS Co., Ltd., DTA2410SA) was used for the measurement. When measured under a reduced pressure of 10 Pa, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of the measurement was 224 ° C. from the relationship between weight and temperature (thermogravimetry). Further, when measured at normal pressure, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of measurement was 391 ° C. The rate of temperature increase was 10 ° C./min in all measurements.
また、mYGA1BPのトルエン溶液の吸収スペクトルを図47に示す。また、mYGA1BPの薄膜の吸収スペクトルを図48に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図47および図48に示した。図47および図48において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では294nmおよび313nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では317nm付近に吸収が見られた。また、mYGA1BPのトルエン溶液(励起波長350nm)の発光スペクトルを図49に示す。また、mYGA1BPの薄膜(励起波長317nm)の発光スペクトルを図50に示す。図49および図50において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では392nm(励起波長350nm)、薄膜の場合で402nm(励起波長317nm)に発光スペクトルのピークが観察された。 In addition, FIG. 47 shows an absorption spectrum of a toluene solution of mYGA1BP. In addition, FIG. 48 shows an absorption spectrum of the thin film of mYGA1BP. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. Samples were prepared by depositing the solution in a quartz cell and depositing the thin film on a quartz substrate. The absorption spectra obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz are shown in FIGS. 47 and 48, respectively. 47 and 48, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed near 294 nm and 313 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed near 317 nm. In addition, FIG. 49 shows an emission spectrum of a toluene solution of mYGA1BP (excitation wavelength: 350 nm). Further, FIG. 50 shows an emission spectrum of the thin film (excitation wavelength: 317 nm) of mYGA1BP. 49 and 50, the horizontal axis represents wavelength (nm), and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, a peak of the emission spectrum was observed at 392 nm (excitation wavelength: 350 nm) and in the case of the thin film: 402 nm (excitation wavelength: 317 nm).
また、mYGA1BPの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.57eVであった。さらに、図48のmYGA1BPの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.45eVであった。したがって、LUMO準位は−2.12eVである。 The HOMO level of mYGA1BP in the thin film state was −5.57 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (AC-2, manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the thin film of mYGA1BP in FIG. 48, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.45 eV. Therefore, the LUMO level is −2.12 eV.
本実施例では、構造式(70)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−2’−フェニルトリフェニルアミン(略称:oYGA1BP)の合成方法について説明する。合成スキームを(K−1)に示す。 In this example, a method for synthesizing 4- (carbazol-9-yl) phenyl-2'-phenyltriphenylamine (abbreviation: oYGA1BP) represented by Structural Formula (70) will be described. The synthesis scheme is shown in (K-1).
4−(N−カルバゾリル)ジフェニルアミン1.9g(5.8mmol)、ナトリウム tert−ブトキシド2.0g(21mmol)を200mL三口フラスコへ入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物へトルエン30mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.1mL、2−ブロモビフェニル1.4g(5.8mmol)を加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気し、脱気後、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)33mg(0.06mmol)を加えた。この混合物を、80℃で5時間攪拌した。反応後、反応混合物をフロリジールおよびセライトおよびアルミナを通して吸引濾過し、ろ液を濃縮して白色固体を得た。この固体をジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶したところ、目的物の白色粉末状固体2.3g、収率82%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(70)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−2’−フェニルトリフェニルアミン(略称:oYGA1BP)であることを確認した。 4- (N-carbazolyl) diphenylamine (1.9 g, 5.8 mmol) and sodium tert-butoxide (2.0 g, 21 mmol) were placed in a 200 mL three-necked flask, and the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen. To this mixture were added 30 mL of toluene, 0.1 mL of tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution), and 1.4 g (5.8 mmol) of 2-bromobiphenyl. The mixture was deaerated while being stirred under reduced pressure. After deaeration, 33 mg (0.06 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) was added. The mixture was stirred at 80 ° C. for 5 hours. After the reaction, the reaction mixture was suction filtered through Florisil, Celite, and alumina, and the filtrate was concentrated to obtain a white solid. When this solid was recrystallized from dichloromethane and hexane, 2.3 g of the target white powdery solid was obtained in a yield of 82%. It was confirmed by nuclear magnetic resonance (NMR) that this compound was 4- (carbazol-9-yl) phenyl-2′-phenyltriphenylamine (abbreviation: oYGA1BP) represented by the structural formula (70). .
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz,CDCl3):δ=6.91−6.96(m、3H)、7.06−7.09(m、2H)、7.12(d、8.7Hz、2H)、7.18−7.44(m、17H)、8.10−8.13(m、2H)。また、1H NMRチャートを図51(A)、(B)に示す。なお、図51(B)は、図51(A)における6.5ppm〜8.5ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 6.91-6.96 (m, 3H), 7.06-7.09 (m, 2H), 7.12 (d, 8.7 Hz, 2H) 7.18-7.44 (m, 17H), 8.10-8.13 (m, 2H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 51B is a chart in which the range of 6.5 ppm to 8.5 ppm in FIG.
得られたoYGA1BP2.0gを、圧力5.9Pa、アルゴン流量3.0mL/min、加熱温度210℃で15時間昇華精製したところ、目的物の白色(無色)針状結晶1.9gを得て、回収率87%であった。 When 2.0 g of the obtained oYGA1BP was purified by sublimation at a pressure of 5.9 Pa, an argon flow rate of 3.0 mL / min, and a heating temperature of 210 ° C. for 15 hours, 1.9 g of white (colorless) needle-like crystals of the target product was obtained. The recovery rate was 87%.
oYGA1BPの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、DTA2410SA)を用いた。10Paの減圧下で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、208℃であった。また、常圧で測定したところ、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、370℃であった。なお、昇温速度はいずれの測定においても10℃/minとした。 Thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA) of oYGA1BP was performed. A high vacuum differential type differential thermal balance (Bruker AXS Co., Ltd., DTA2410SA) was used for the measurement. When measured under a reduced pressure of 10 Pa, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of the measurement was 208 ° C. from the relationship between the weight and temperature (thermogravimetry). Further, when measured at normal pressure, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of the measurement was 370 ° C. The rate of temperature increase was 10 ° C./min in all measurements.
また、oYGA1BPのトルエン溶液の吸収スペクトルを図52に示す。また、oYGA1BPの薄膜の吸収スペクトルを図53に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図52および図53に示した。図52および図53において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では294nmおよび311nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では317nm付近に吸収が見られた。また、oYGA1BPのトルエン溶液(励起波長350nm)の発光スペクトルを図54に示す。また、oYGA1BPの薄膜(励起波長317nm)の発光スペクトルを図55に示す。図54および図55において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では404nm(励起波長350nm)、薄膜の場合で407nm(励起波長317nm)に発光スペクトルのピークが観察された。 In addition, FIG. 52 shows an absorption spectrum of a toluene solution of oYGA1BP. In addition, FIG. 53 shows an absorption spectrum of the thin film of oYGA1BP. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. The solution was put in a quartz cell, and the thin film was deposited on a quartz substrate to prepare a sample. The absorption spectra obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz are shown in FIG. 52 and FIG. 52 and 53, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed near 294 nm and 311 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed near 317 nm. In addition, FIG. 54 shows an emission spectrum of a toluene solution (excitation wavelength: 350 nm) of oYGA1BP. Further, FIG. 55 shows an emission spectrum of the thin film (excitation wavelength: 317 nm) of oYGA1BP. 54 and 55, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, the peak of the emission spectrum was observed at 404 nm (excitation wavelength: 350 nm), and in the case of the thin film, the peak was 407 nm (excitation wavelength: 317 nm).
また、oYGA1BPの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.56eVであった。さらに、図53のoYGA1BPの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.46eVであった。したがって、LUMO準位は−2.10eVである。 The HOMO level of oYGA1BP in the thin film state was −5.56 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the oYGA1BP thin film in FIG. 53, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.46 eV. Therefore, the LUMO level is −2.10 eV.
本実施例では、構造式(107)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジ(1−ナフチル)ビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:YGNBP)の合成方法について説明する。 In this example, N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-di (1-naphthyl) biphenyl-4,4 ′ represented by Structural Formula (107) A method for synthesizing diamine (abbreviation: YGNBP) will be described.
[ステップ1]
N,N’−ジ(1−ナフチル)ベンジジンの合成方法について説明する。N,N`−ジ(1−ナフチル)ベンジジンの合成スキーム(L−1)を以下に示す。
[Step 1]
A method for synthesizing N, N′-di (1-naphthyl) benzidine will be described. A synthesis scheme (L-1) of N, N`-di (1-naphthyl) benzidine is shown below.
500mL三口フラスコに4,4’−ジヨードビフェニルを20g(50mmol)、1−ナフチルアミンを14g(100mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)580mg(1mmol)、ナトリウム tert−ブトキシドを12g(12mmol)加え、脱水トルエン100mLを加えて3分間三口フラスコ内を減圧して気泡が出なくなるまで脱気をおこなった。この混合物へ、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)6.0mL(3.0mmol)を加えて窒素雰囲気下にて100℃で加熱撹拌を行った。3時間後加熱を止め、この反応懸濁液に温トルエンと酢酸エチルの混合溶液約700mLを加えて、この懸濁液をフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通して濾過を行った。得られた濾液を水で洗浄し、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。この懸濁液をろ過し、得られた濾液を濃縮し、濃縮液にヘキサンを加えた後、超音波を照射して再結晶を行った。生じた固体を濾取し、乾燥させた。白色粉末の目的物13gを収率57%で得た。シリカゲル薄層クロマトグラフィー(TLC)でのRf値(展開溶媒はヘキサン:酢酸エチル=2:1)は、目的物は0.53、1−ナフチルアミンは0.36だった。 In a 500 mL three-necked flask, 20 g (50 mmol) of 4,4′-diiodobiphenyl, 14 g (100 mmol) of 1-naphthylamine, 580 mg (1 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), 12 g (12 mmol) of sodium tert-butoxide In addition, 100 mL of dehydrated toluene was added, and the inside of the three-necked flask was decompressed for 3 minutes, and deaeration was performed until no bubbles were generated. To this mixture was added 6.0 mL (3.0 mmol) of tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution), and the mixture was heated and stirred at 100 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 3 hours, heating was stopped, about 700 mL of a mixed solution of warm toluene and ethyl acetate was added to the reaction suspension, and the suspension was filtered through Florisil, alumina, and Celite. The obtained filtrate was washed with water, and magnesium sulfate was added to the organic layer for drying. This suspension was filtered, and the resulting filtrate was concentrated. After adding hexane to the concentrated solution, recrystallization was performed by irradiating with ultrasonic waves. The resulting solid was collected by filtration and dried. The target product (13 g) as a white powder was obtained in a yield of 57%. The Rf value (developing solvent: hexane: ethyl acetate = 2: 1) in silica gel thin layer chromatography (TLC) was 0.53 for the target product and 0.36 for 1-naphthylamine.
[ステップ2]
N,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジ(1−ナフチル)ビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:YGNBP)の合成方法について説明する。YGNBPの合成スキーム(L−2)を以下に示す。
[Step 2]
A method for synthesizing N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-di (1-naphthyl) biphenyl-4,4′-diamine (abbreviation: YGNBP) will be described. A synthesis scheme (L-2) of YGNBP is shown below.
100mL三口フラスコに4−ブロモフェニルカルバゾールを3.5g(11mmol)、N,N`−ジ(1−ナフチル)ベンジジンを2.2g(5.0mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)30mg(0.1mmol)、ナトリウム tert−ブトキシドを1.5g(15mmol)加え、脱水キシレン20mLを加えて3分間三口フラスコ内を減圧して気泡が出なくなるまで脱気をおこなった。トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.6mL(0.3mmol)を加えて窒素雰囲気下にて130℃加熱撹拌を行った。4時間後加熱を止め、この反応懸濁液にトルエン約200mLを加えてフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通して濾過を行った。得られた濾液を水で洗浄し、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。この懸濁液をさらにフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通してろ過し、得られた濾液を濃縮し、濃縮液にアセトンとヘキサンを加えた後、超音波を照射して再結晶を行った。生じた固体を濾取し、乾燥させたところ、淡黄色粉末の目的物2.0gを収率43%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(107)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジ(1−ナフチル)ビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:YGNBP)であることを確認した。 In a 100 mL three-necked flask, 3.5 g (11 mmol) of 4-bromophenylcarbazole, 2.2 g (5.0 mmol) of N, N`-di (1-naphthyl) benzidine, 30 mg of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) (0.1 mmol), 1.5 g (15 mmol) of sodium tert-butoxide was added, 20 mL of dehydrated xylene was added, and the inside of the three-necked flask was depressurized for 3 minutes to perform deaeration until no bubbles appeared. Tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) 0.6 mL (0.3 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 130 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 4 hours, heating was stopped, and about 200 mL of toluene was added to the reaction suspension, followed by filtration through Florisil, alumina, and celite. The obtained filtrate was washed with water, and magnesium sulfate was added to the organic layer for drying. This suspension was further filtered through Florisil, alumina, and celite, and the obtained filtrate was concentrated. Acetone and hexane were added to the concentrate, and then recrystallization was performed by irradiating ultrasonic waves. The resulting solid was collected by filtration and dried to obtain 2.0 g of the desired product as a pale yellow powder in a yield of 43%. N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N, N′-di (1-naphthyl) represented by the structural formula (107) by nuclear magnetic resonance (NMR). ) Biphenyl-4,4′-diamine (abbreviation: YGNBP) was confirmed.
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=7.19−7.58(m, 36H), 7.84(d, J=7.8, 2H), 7.93(d, J=7.8, 2H), 8.05(d, J=8.1, 2H), 8.12(d, J=7.2, 4H)。また、1H NMRチャートを図56(A)、(B)に示す。なお、図56(B)は、図56(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 7.19-7.58 (m, 36H), 7.84 (d, J = 7.8, 2H), 7.93 (d, J = 7.8, 2H), 8.05 (d, J = 8.1, 2H), 8.12 (d, J = 7.2, 4H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. 56 (A) and 56 (B). Note that FIG. 56B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
また、この化合物の13C NMRデータを以下に示す。13C NMR(75.5MHz、CDCl3):δ(ppm)=109.82, 119.65, 120.23, 122.06, 122.47, 123.15, 124.10, 125.78, 126.34, 126.45, 126.69, 126.99, 127.36, 127.47, 127.86, 128.55, 130.69, 131.26, 134.41, 135.40, 141.12, 143.02, 146.85, 147.53。また、13C NMRチャートを図57(A)、(B)に示す。なお、図57(B)は、図57(A)における100ppm〜160ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 In addition, 13 C NMR data of this compound is shown below. 13 C NMR (75.5 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 109.82, 119.65, 120.23, 122.06, 122.47, 123.15, 124.10, 125.78, 126 .34, 126.45, 126.69, 126.99, 127.36, 127.47, 127.86, 128.55, 130.69, 131.26, 134.41, 135.40, 141.12 , 143.02, 146.85, 147.53. In addition, 13 C NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 57B is a chart in which the range of 100 ppm to 160 ppm in FIG.
YGNBPの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、DTA2410SA)を用いた。10Paの減圧下で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、390℃であった。また、常圧で測定したところ、500℃において、測定開始時における重量に対し99%の重量を示し、優れた耐熱性を示した。なお、昇温速度はいずれの測定においても10℃/minとした。 Thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA) of YGNBP was performed. A high vacuum differential type differential thermal balance (Bruker AXS Co., Ltd., DTA2410SA) was used for the measurement. When measured under a reduced pressure of 10 Pa, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of the measurement was 390 ° C. from the relationship between weight and temperature (thermogravimetry). Further, when measured at normal pressure, it showed a weight of 99% with respect to the weight at the start of measurement at 500 ° C., and showed excellent heat resistance. The rate of temperature increase was 10 ° C./min in all measurements.
また、示差走査熱量測定装置(DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1)を用いてYGNBPのガラス転移点を測定した。10℃/minで500℃まで昇温することにより、図72のDSCチャートを得た。図72において、X軸に温度、Y軸に熱流が示されている。Y軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、YGNBPのガラス転移点(Tg)は171℃であり、高いガラス転移点を示すことがわかった。 Further, the glass transition point of YGNBP was measured using a differential scanning calorimeter (DSC, manufactured by Perkin Elmer, Pyris 1). The DSC chart of FIG. 72 was obtained by raising the temperature to 500 ° C. at 10 ° C./min. In FIG. 72, temperature is shown on the X-axis and heat flow is shown on the Y-axis. On the Y axis, the upward direction indicates endotherm. From this chart, it was found that the glass transition point (Tg) of YGNBP was 171 ° C., indicating a high glass transition point.
また、YGNBPのトルエン溶液の吸収スペクトルおよびYGNBPの薄膜の吸収スペクトルを図58に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図58に示した。図58において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では345nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では349nm付近に吸収が見られた。また、YGNBPのトルエン溶液(励起波長350nm)の発光スペクトルおよびYGNBPの薄膜(励起波長349nm)の発光スペクトルを図59に示す。図59において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では435nm(励起波長350nm)、薄膜の場合で526nm(励起波長349nm)に発光スペクトルのピークが観察された。 Further, FIG. 58 shows an absorption spectrum of a toluene solution of YGNBP and an absorption spectrum of a thin film of YGNBP. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. The solution was put in a quartz cell, and the thin film was deposited on a quartz substrate to prepare a sample. The absorption spectrum obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz is shown in FIG. 58, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed at around 345 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed at around 349 nm. In addition, FIG. 59 shows an emission spectrum of a toluene solution of YGNBP (excitation wavelength: 350 nm) and an emission spectrum of a thin film of YGNBP (excitation wavelength: 349 nm). In FIG. 59, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, a peak of the emission spectrum was observed at 435 nm (excitation wavelength: 350 nm) and in the case of the thin film, at 526 nm (excitation wavelength: 349 nm).
また、YGNBPの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.34eVであった。さらに、図58のYGNBPの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.19eVであった。したがって、LUMO準位は−2.15eVである。 The HOMO level of YGNBP in a thin film state was −5.34 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2). Further, using the data of the absorption spectrum of the YGNBP thin film in FIG. 58, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.19 eV. Therefore, the LUMO level is −2.15 eV.
本実施例では、構造式(115)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)−1−ナフチル]−N,N’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:CNABP)の合成方法について説明する。 In this example, N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) -1-naphthyl] -N, N′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine represented by the structural formula (115) is used. A method for synthesizing (abbreviation: CNABP) will be described.
[ステップ1]
9−(4−ブロモ−1−ナフチル)カルバゾールの合成方法について説明する。9−(4−ブロモ−1−ナフチル)カルバゾールの合成スキーム(M−1)を以下に示す。
[Step 1]
A method for synthesizing 9- (4-bromo-1-naphthyl) carbazole will be described. A synthesis scheme (M-1) of 9- (4-bromo-1-naphthyl) carbazole is shown below.
300mLの三口フラスコに、1,4−ジブロモナフタレンを14g(50mmol)、カルバゾールを6.7g(40mmol)、よう化銅(I)を1.9g(10mmol)、18−クラウン−6−エーテルを1.3g(5.0mmol)、炭酸カリウムを10g(72mmol)、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン(略称:DMPU)を8mL加え、窒素雰囲気下170℃で約30時間加熱撹拌した。この反応懸濁液を室温まで冷ましてから、温トルエン300mLを加えた後セライトを通してろ過を行った。得られたろ液を水、希塩酸、水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過し、得られたろ液を濃縮した。濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィー(トルエン:ヘキサン=1:1)にて分取し、白色粉末の目的物を7.5g収率50%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が9−(4−ブロモ−1−ナフチル)カルバゾールであることを確認した。 In a 300 mL three-necked flask, 14 g (50 mmol) of 1,4-dibromonaphthalene, 6.7 g (40 mmol) of carbazole, 1.9 g (10 mmol) of copper (I) iodide, 1 of 18-crown-6-ether 3 g (5.0 mmol), 10 g of potassium carbonate (72 mmol), 8 mL of 1,3-dimethyl-3,4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone (abbreviation: DMPU) were added, and nitrogen atmosphere was added. The mixture was heated and stirred at 170 ° C. for about 30 hours. The reaction suspension was cooled to room temperature, and 300 mL of warm toluene was added, followed by filtration through celite. The obtained filtrate was washed with water, dilute hydrochloric acid, water, aqueous sodium hydrogen carbonate solution and water in this order, and dried over magnesium sulfate added to the organic layer. This suspension was filtered through Florisil and Celite, and the obtained filtrate was concentrated. The concentrated solution was fractionated by silica gel chromatography (toluene: hexane = 1: 1) to obtain 7.5 g of the desired product as a white powder in a yield of 50%. This compound was confirmed to be 9- (4-bromo-1-naphthyl) carbazole by nuclear magnetic resonance (NMR).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=6.93−6.96(m, 2H), 7.25−7.33(m,6H), 7.45(d, J=7.8, 1H), 7.60(t, J=6.9, 1H), 7.94(d, J=7.8, 1H), 8.16−8.19(m, 2H), 8.38(d, J=8.7, 1H)。また、1H NMRチャートを図60(A)、(B)に示す。なお、図60(B)は、図60(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 6.93-6.96 (m, 2H), 7.25-7.33 (m, 6H), 7.45 (d, J = 7 .8, 1H), 7.60 (t, J = 6.9, 1H), 7.94 (d, J = 7.8, 1H), 8.16-8.19 (m, 2H), 8 .38 (d, J = 8.7, 1H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 60B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
[ステップ2]
N,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)−1−ナフチル]−N,N’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:CNABP)の合成方法について説明する。CNABPの合成スキーム(M−2)を以下に示す。
[Step 2]
A method for synthesizing N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) -1-naphthyl] -N, N′-diphenylbiphenyl-4,4′-diamine (abbreviation: CNABP) will be described. A synthesis scheme (M-2) of CNABP is shown below.
100mL三口フラスコに9−(4−ブロモ−1−ナフチル)カルバゾールを3.4g(9mmol)、N,N`−ジフェニルベンジジンを1.4g(4mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)60mg(0.1mmol)、ナトリウム tert−ブトキシドを1.5g(15mmol)加え、脱水キシレン20mLを加えて3分間三口フラスコ内を減圧して気泡が出なくなるまで脱気をおこなった。トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.6mL(0.3mmol)を加えて窒素雰囲気下にて120℃加熱撹拌を行った。4時間後加熱を止め、この反応懸濁液にトルエン約200mLを加えてフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通して濾過を行った。得られた濾液を水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。この懸濁液をさらにフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通してろ過し、得られた濾液を濃縮し、アセトンとヘキサンを加えた後、超音波を照射して再結晶を行った。生じた固体を濾取し、乾燥させた。淡黄色の粉末の目的物2.7gを収率73%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(115)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)−1−ナフチル]−N,N’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:CNABP)であることを確認した。 In a 100 mL three-necked flask, 3.4 g (9 mmol) of 9- (4-bromo-1-naphthyl) carbazole, 1.4 g (4 mmol) of N, N`-diphenylbenzidine, 60 mg of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) (0.1 mmol), 1.5 g (15 mmol) of sodium tert-butoxide was added, 20 mL of dehydrated xylene was added, and the inside of the three-necked flask was depressurized for 3 minutes to perform deaeration until no bubbles appeared. Tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) 0.6 mL (0.3 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 120 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 4 hours, heating was stopped, and about 200 mL of toluene was added to the reaction suspension, followed by filtration through Florisil, alumina, and celite. The obtained filtrate was washed with water and dried by adding magnesium sulfate. The suspension was further filtered through Florisil, alumina, and celite. The obtained filtrate was concentrated, acetone and hexane were added, and recrystallization was performed by irradiation with ultrasonic waves. The resulting solid was collected by filtration and dried. The target product (2.7 g) as a pale yellow powder was obtained in a yield of 73%. N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) -1-naphthyl] -N, N′-diphenylbiphenyl represented by the structural formula (115) by nuclear magnetic resonance (NMR). It was confirmed that it was −4,4′-diamine (abbreviation: CNABP).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=7.03(t, J=7.2, 2H), 7.09(d, J=7.8, 4H), 7.15−7.19(m,8H), 7.25−7.43(m, 18H), 7.48−7.53(m, 6H), 7.63(d, J=7.8, 2H), 8.12(d, J=8.4, 2H), 8.22(d, J=6.9, 4H)。また、1H NMRチャートを図61(A)、(B)に示す。なお、図61(B)は、図61(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 7.03 (t, J = 7.2, 2H), 7.09 (d, J = 7.8, 4H), 7.15-7 .19 (m, 8H), 7.25-7.43 (m, 18H), 7.48-7.53 (m, 6H), 7.63 (d, J = 7.8, 2H), 8 .12 (d, J = 8.4, 2H), 8.22 (d, J = 6.9, 4H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 61B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
CNABPの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、DTA2410SA)を用いた。10Paの減圧下で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、380℃であった。また、常圧で測定したところ、500℃において、測定開始時における重量に対し94%の重量を示し、優れた耐熱性を示した。なお、昇温速度はいずれの測定においても10℃/minとした。 CNABP thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA) was performed. A high vacuum differential type differential thermal balance (Bruker AXS Co., Ltd., DTA2410SA) was used for the measurement. When measured under a reduced pressure of 10 Pa, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of measurement was 380 ° C. from the relationship between weight and temperature (thermogravimetry). When measured at normal pressure, it showed a weight of 94% with respect to the weight at the start of measurement at 500 ° C., indicating excellent heat resistance. The rate of temperature increase was 10 ° C./min in all measurements.
また、示差走査熱量測定装置(DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1)を用いてCNABPのガラス転移点を測定した。10℃/minで500℃まで昇温することにより、図73のDSCチャートを得た。図73において、X軸に温度、Y軸に熱流が示されている。Y軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、CNABPのガラス転移点(Tg)は183℃であり、高いガラス転移点を示すことがわかった。 Further, the glass transition point of CNABP was measured using a differential scanning calorimeter (DSC, manufactured by Perkin Elmer, Pyris 1). The DSC chart of FIG. 73 was obtained by heating up to 500 ° C. at 10 ° C./min. In FIG. 73, temperature is shown on the X axis and heat flow is shown on the Y axis. On the Y axis, the upward direction indicates endotherm. From this chart, it was found that the glass transition point (Tg) of CNABP was 183 ° C., indicating a high glass transition point.
また、CNABPのトルエン溶液の吸収スペクトルおよびCNABPの薄膜の吸収スペクトルを図62に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図62に示した。図62において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では338nmおよび380nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では340nmおよび383nm付近に吸収が見られた。また、CNABPのトルエン溶液(励起波長340nm)の発光スペクトルおよびCNABPの薄膜(励起波長383nm)の発光スペクトルを図63に示す。図63において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では455nm(励起波長340nm)、薄膜の場合で499nmおよび522nm(励起波長383nm)に発光スペクトルのピークが観察された。 Further, FIG. 62 shows an absorption spectrum of a CNABP toluene solution and an absorption spectrum of a CNABP thin film. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. The solution was put in a quartz cell, and the thin film was deposited on a quartz substrate to prepare a sample. The absorption spectrum obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz was shown in FIG. In FIG. 62, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed near 338 nm and 380 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed near 340 nm and 383 nm. Further, FIG. 63 shows an emission spectrum of a CNABP toluene solution (excitation wavelength: 340 nm) and an emission spectrum of a CNABP thin film (excitation wavelength: 383 nm). In FIG. 63, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, peaks of the emission spectrum were observed at 455 nm (excitation wavelength: 340 nm), and in the case of the thin film, at 499 nm and 522 nm (excitation wavelength: 383 nm).
また、CNABPの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.43eVであった。さらに、図62のCNABPの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは2.90eVであった。したがって、LUMO準位は−2.53eVである。 The HOMO level of CNABP in the thin film state was −5.43 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the CNABP thin film in FIG. 62, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 2.90 eV. Therefore, the LUMO level is −2.53 eV.
本実施例では、構造式(120)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)−1−ナフチル]−N,N’−ジ−1−ナフチルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:CNNBP)の合成方法について説明する。CNNBPの合成スキーム(N−1)を以下に示す。 In this example, N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) -1-naphthyl] -N, N′-di-1-naphthylbiphenyl-4, represented by the structural formula (120), A method for synthesizing 4′-diamine (abbreviation: CNNBP) will be described. A synthesis scheme (N-1) of CNNBP is shown below.
100mL三口フラスコに9−(4−ブロモ−1−ナフチル)カルバゾールを3.4g(9mmol)、N,N`−ジ(1−ナフチル)ベンジジンを1.8g(4mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)60mg(0.1mmol)、ナトリウム tert−ブトキシドを1.5g(15mmol)加え、脱水キシレン20mLを加えて3分間三口フラスコ内を減圧して気泡が出なくなるまで脱気をおこなった。トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)0.6mL(0.3mmol)を加えて窒素雰囲気下にて130℃加熱撹拌を行った。4時間後加熱を止め、この反応懸濁液にトルエン約200mLを加えてフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通して濾過を行った。得られた濾液を水で洗浄し、有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。この懸濁液をさらにフロリジールおよびアルミナおよびセライトを通してろ過し、得られた濾液を濃縮し、アセトンとヘキサンを加えた後、超音波を照射して再結晶を行った。生じた固体を濾取し、乾燥させたところ、淡黄色粉末の目的物0.8gを収率20%で得た。核磁気共鳴法(NMR)によって、この化合物が構造式(120)で表されるN,N’−ビス[4−(カルバゾール−9−イル)−1−ナフチル]−N,N’−ジ−1−ナフチルビフェニル−4,4’−ジアミン(略称:CNNBP)であることを確認した。 In a 100 mL three-necked flask, 3.4 g (9 mmol) of 9- (4-bromo-1-naphthyl) carbazole, 1.8 g (4 mmol) of N, N`-di (1-naphthyl) benzidine, bis (dibenzylideneacetone) Palladium (0) 60 mg (0.1 mmol) and sodium tert-butoxide 1.5 g (15 mmol) were added, dehydrated xylene 20 mL was added, and the inside of the three-necked flask was depressurized for 3 minutes until no bubbles were generated. Tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) 0.6 mL (0.3 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 130 ° C. in a nitrogen atmosphere. After 4 hours, heating was stopped, and about 200 mL of toluene was added to the reaction suspension, followed by filtration through Florisil, alumina, and celite. The obtained filtrate was washed with water, and magnesium sulfate was added to the organic layer for drying. The suspension was further filtered through Florisil, alumina, and celite. The obtained filtrate was concentrated, acetone and hexane were added, and recrystallization was performed by irradiation with ultrasonic waves. The resulting solid was collected by filtration and dried to obtain 0.8 g of the desired product as a pale yellow powder in a yield of 20%. N, N′-bis [4- (carbazol-9-yl) -1-naphthyl] -N, N′-di- represented by the structural formula (120) by nuclear magnetic resonance (NMR). It was confirmed that it was 1-naphthylbiphenyl-4,4′-diamine (abbreviation: CNNBP).
この化合物の1H NMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz、CDCl3):δ(ppm)=6.88(d, J=8.1, 4H), 7.05(d, J=7.8, 4H), 7.26−7.53(m, 30H), 7.76(d, J=7.8, 2H), 7.92(d, J=8.4, 2H), 8.14(d, J=7.8, 2H), 8.19−8.23(m, 6H)。また、1H NMRチャートを図64(A)、(B)に示す。なお、図64(B)は、図64(A)における6.0ppm〜9.0ppmの範囲を拡大して表したチャートである。 1 H NMR data of this compound is shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ (ppm) = 6.88 (d, J = 8.1, 4H), 7.05 (d, J = 7.8, 4H), 7.26-7 .53 (m, 30H), 7.76 (d, J = 7.8, 2H), 7.92 (d, J = 8.4, 2H), 8.14 (d, J = 7.8, 2H), 8.19-8.23 (m, 6H). In addition, 1 H NMR charts are shown in FIGS. Note that FIG. 64B is a chart in which the range of 6.0 ppm to 9.0 ppm in FIG.
CNNBPの熱重量測定−示差熱分析(TG−DTA:Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis)を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤(ブルカー・エイエックスエス株式会社製、DTA2410SA)を用いた。10Paの減圧下で測定したところ、重量と温度の関係(熱重量測定)から、測定開始時における重量に対し95%以下の重量になる温度は、400℃であった。また、常圧で測定したところ、500℃において、測定開始時における重量に対し98%の重量を示し、優れた耐熱性を示した。なお、昇温速度はいずれの測定においても10℃/minとした。 CNNBP was subjected to thermogravimetry-differential thermal analysis (TG-DTA). A high vacuum differential type differential thermal balance (Bruker AXS Co., Ltd., DTA2410SA) was used for the measurement. When measured under a reduced pressure of 10 Pa, the temperature at which the weight became 95% or less with respect to the weight at the start of measurement was 400 ° C. from the relationship between weight and temperature (thermogravimetry). When measured at normal pressure, it showed a weight of 98% with respect to the weight at the start of measurement at 500 ° C., indicating excellent heat resistance. The rate of temperature increase was 10 ° C./min in all measurements.
また、示差走査熱量測定装置(DSC、パーキンエルマー社製、Pyris1)を用いてCNNBPのガラス転移点を測定した。10℃/minで500℃まで昇温することにより、図74のDSCチャートを得た。図74において、X軸に温度、Y軸に熱流が示されている。Y軸においては、上向きが吸熱を示している。このチャートから、CNNBPのガラス転移点(Tg)は213℃であり、高いガラス転移点を示すことがわかった。 Moreover, the glass transition point of CNNNBP was measured using a differential scanning calorimeter (DSC, manufactured by PerkinElmer, Inc., Pyris 1). The DSC chart of FIG. 74 was obtained by heating up to 500 ° C. at 10 ° C./min. In FIG. 74, temperature is shown on the X axis and heat flow is shown on the Y axis. On the Y axis, the upward direction indicates endotherm. From this chart, it was found that the glass transition point (Tg) of CNNBP was 213 ° C., indicating a high glass transition point.
また、CNNBPのトルエン溶液の吸収スペクトルおよびCNNBPの薄膜の吸収スペクトルを図65に示す。測定には紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製し、それぞれ石英の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを図65に示した。図65において横軸は波長(nm)、縦軸は吸収強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では370nm付近に吸収が見られ、薄膜の場合では374nm付近に吸収が見られた。また、CNNBPのトルエン溶液(励起波長370nm)の発光スペクトルおよびCNNBPの薄膜(励起波長374nm)の発光スペクトルを図66に示す。図66において横軸は波長(nm)、縦軸は発光強度(任意単位)を表す。トルエン溶液の場合では450nm(励起波長370nm)、薄膜の場合で545nm(励起波長374nm)に発光スペクトルのピークが観察された。 In addition, FIG. 65 shows an absorption spectrum of a CNNNBP toluene solution and an absorption spectrum of a CNNNBP thin film. An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used for the measurement. The solution was put in a quartz cell, and the thin film was deposited on a quartz substrate to prepare a sample. The absorption spectrum obtained by subtracting the absorption spectrum of quartz is shown in FIG. In FIG. 65, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents absorption intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, absorption was observed at around 370 nm, and in the case of the thin film, absorption was observed at around 374 nm. Further, FIG. 66 shows an emission spectrum of a CNNNBP toluene solution (excitation wavelength: 370 nm) and an emission spectrum of a CNNNBP thin film (excitation wavelength: 374 nm). In FIG. 66, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents emission intensity (arbitrary unit). In the case of the toluene solution, the peak of the emission spectrum was observed at 450 nm (excitation wavelength: 370 nm), and in the case of the thin film, the peak was 545 nm (excitation wavelength: 374 nm).
また、CNNBPの薄膜状態におけるHOMO準位を大気中の光電子分光法(理研計器社製、AC−2)で測定した結果、−5.45eVであった。さらに、図65のCNNBPの薄膜の吸収スペクトルのデータを用い、Taucプロットから吸収端を求め、その吸収端を光学的エネルギーギャップとして見積もったところ、そのエネルギーギャップは3.00eVであった。したがって、LUMO準位は−2.45eVである。 The HOMO level of CNNBP in the thin film state was −5.45 eV as a result of measurement by atmospheric photoelectron spectroscopy (manufactured by Riken Keiki Co., Ltd., AC-2). Furthermore, using the data of the absorption spectrum of the CNNBP thin film in FIG. 65, the absorption edge was obtained from the Tauc plot, and the absorption edge was estimated as the optical energy gap. The energy gap was 3.00 eV. Therefore, the LUMO level is -2.45 eV.
本実施例では、本発明の発光素子について、図67を用いて説明する。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。 In this example, a light-emitting element of the present invention will be described with reference to FIG. The chemical formula of the material used in this example is shown below.
(発光素子7)
まず、ガラス基板2201上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2202を形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
(Light emitting element 7)
First, indium tin oxide containing silicon oxide was formed over a glass substrate 2201 by a sputtering method, so that a first electrode 2202 was formed. The film thickness was 110 nm and the electrode area was 2 mm × 2 mm.
次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度まで減圧した後、第1の電極2202上に、NPBと酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む層2203を形成した。その膜厚は50nmとし、NPBと酸化モリブデン(VI)との比率は、重量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。 Next, the substrate on which the first electrode is formed is fixed to a substrate holder provided in the vacuum evaporation apparatus so that the surface on which the first electrode is formed is downward, and the pressure is reduced to about 10 −4 Pa. After that, NPB and molybdenum oxide (VI) were co-evaporated on the first electrode 2202, so that a layer 2203 including a composite material formed by combining an organic compound and an inorganic compound was formed. The film thickness was 50 nm, and the weight ratio of NPB and molybdenum oxide (VI) was adjusted to 4: 1 (= NPB: molybdenum oxide). Note that the co-evaporation method is an evaporation method in which evaporation is performed simultaneously from a plurality of evaporation sources in one processing chamber.
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む層2203上に構造式(52)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−4’−フェニルトリフェニルアミン(略称:YGA1BP)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2204を形成した。 Next, 4- (carbazol-9-yl) phenyl-4′-phenyltriphenylamine represented by the structural formula (52) (abbreviation: abbreviation :) is formed over the layer 2203 containing the composite material by an evaporation method using resistance heating. YGA1BP) was formed to a thickness of 10 nm, whereby a hole transport layer 2204 was formed.
さらに、9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)とN,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S)とを共蒸着することにより、正孔輸送層2204上に30nmの膜厚の発光層2205を形成した。ここで、CzPAとYGA2Sとの重量比は、1:0.04(=CzPA:YGA2S)となるように調節した。 Further, 9- [4- (N-carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA) and N, N′-bis [4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] -N, N ′ A light-emitting layer 2205 having a thickness of 30 nm was formed on the hole-transport layer 2204 by co-evaporation with -diphenylstilbene-4,4′-diamine (abbreviation: YGA2S). Here, the weight ratio of CzPA to YGA2S was adjusted to be 1: 0.04 (= CzPA: YGA2S).
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層2205上にAlqを20nmの膜厚となるように成膜し、第1の電子輸送層2206aを形成した。 Thereafter, Alq was deposited to a thickness of 20 nm on the light-emitting layer 2205 using a resistance heating vapor deposition method to form a first electron-transport layer 2206a.
さらに、抵抗加熱による蒸着法を用い、第1の電子輸送層2206a上にバソフェナントロリン(略称:BPhen)を10nmの膜厚となるように成膜し、第2の電子輸送層2206bを形成した。 Further, using a vapor deposition method using resistance heating, bathophenanthroline (abbreviation: BPhen) was formed to a thickness of 10 nm over the first electron-transport layer 2206a, whereby a second electron-transport layer 2206b was formed.
さらに、抵抗加熱による蒸着法を用い、第2の電子輸送層2206b上に、フッ化リチウムを蒸着することにより、1nmの膜厚で電子注入層2207を形成した。 Further, an electron injection layer 2207 having a thickness of 1 nm was formed by vapor deposition of lithium fluoride on the second electron transport layer 2206b by using a resistance heating vapor deposition method.
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層2207上にアルミニウムを200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2208を形成することで、発光素子7を作製した。 Finally, a light-emitting element 7 was manufactured by forming a second electrode 2208 by depositing aluminum on the electron injection layer 2207 so as to have a thickness of 200 nm using a resistance heating vapor deposition method. .
(発光素子8)
正孔輸送層2204として、構造式(70)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−2’−フェニルトリフェニルアミン(略称:oYGA1BP)を10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子7と同様に形成した。
(Light emitting element 8)
As the hole-transport layer 2204, 4- (carbazol-9-yl) phenyl-2′-phenyltriphenylamine (abbreviation: oYGA1BP) represented by the structural formula (70) is formed to a thickness of 10 nm. did. The layers other than the hole transport layer were formed in the same manner as the light-emitting element 7.
(発光素子9)
正孔輸送層2204として、構造式(69)で表される4−(カルバゾール−9−イル)フェニル−3’−フェニルトリフェニルアミン(略称:mYGA1BP)を10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子7と同様に形成した。
(Light emitting element 9)
As the hole-transport layer 2204, 4- (carbazol-9-yl) phenyl-3′-phenyltriphenylamine (abbreviation: mYGA1BP) represented by the structural formula (69) is formed to a thickness of 10 nm. did. The layers other than the hole transport layer were formed in the same manner as the light-emitting element 7.
(比較発光素子10)
正孔輸送層2204として、NPBを10nmの膜厚となるように成膜した。正孔輸送層以外は、発光素子7と同様に形成した。
(Comparative light emitting element 10)
As the hole transport layer 2204, NPB was formed to a thickness of 10 nm. The layers other than the hole transport layer were formed in the same manner as the light-emitting element 7.
発光素子7〜発光素子9および比較発光素子10の電流密度―輝度特性を図68に示す。また、電圧―輝度特性を図69に示す。また、輝度―電流効率特性を図70に示す。また、1mAの電流を流したときの発光スペクトルを図71に示す。 68 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting elements 7 to 9 and the comparative light-emitting element 10. In FIG. In addition, FIG. 69 shows voltage-luminance characteristics. In addition, FIG. 70 shows luminance-current efficiency characteristics. In addition, FIG. 71 shows an emission spectrum when a current of 1 mA is passed.
図69からわかるように、本発明の芳香族アミン化合物を用いた発光素子は、比較発光素子10と同様な色度座標であるにもかかわらず、高い電流効率を示している。また、図68から、本発明の発光素子は、比較発光素子10とほぼ同じ駆動電圧を示すことがわかる。よって、本発明の芳香族アミン化合物を用いることにより、パワー効率が高く、消費電力の小さい発光素子を得ることができる。 As can be seen from FIG. 69, the light-emitting element using the aromatic amine compound of the present invention exhibits high current efficiency despite the chromaticity coordinates similar to those of the comparative light-emitting element 10. In addition, FIG. 68 shows that the light-emitting element of the present invention exhibits substantially the same drive voltage as that of the comparative light-emitting element 10. Therefore, by using the aromatic amine compound of the present invention, a light-emitting element with high power efficiency and low power consumption can be obtained.
具体的には、比較発光素子10は、輝度930cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.16、y=0.17)であり、青色の発光を示した。また、輝度930cd/m2のときの電流効率は3.9cd/Aであった。また、輝度930cd/m2のときの電圧は4.8V、電流密度は24mA/cm2、パワー効率は2.6lm/Wであった。 Specifically, the comparative light-emitting element 10 has CIE chromaticity coordinates (x = 0.16, y = 0.17) at a luminance of 930 cd / m 2 , and emitted blue light. The current efficiency at a luminance of 930 cd / m 2 was 3.9 cd / A. In addition, when the luminance was 930 cd / m 2 , the voltage was 4.8 V, the current density was 24 mA / cm 2 , and the power efficiency was 2.6 lm / W.
一方、発光素子7は、輝度1090cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.16、y=0.17)であり、青色の発光を示した。また、輝度1090cd/m2のときの電流効率は7.2cd/Aであり、高い効率を示した。また、輝度1090cd/m2のときの電圧は4.6V、電流密度は15mA/cm2、パワー効率は4.9lm/Wであり、高いパワー効率を示した。 On the other hand, the CIE chromaticity coordinates of the light-emitting element 7 at a luminance of 1090 cd / m 2 were (x = 0.16, y = 0.17), and emitted blue light. In addition, the current efficiency at a luminance of 1090 cd / m 2 was 7.2 cd / A, indicating high efficiency. In addition, when the luminance was 1090 cd / m 2 , the voltage was 4.6 V, the current density was 15 mA / cm 2 , and the power efficiency was 4.9 lm / W, which showed high power efficiency.
また、発光素子8は、輝度930cd/m2のときのCIE色度座標は(x=0.16、y=0.17)であり青色の発光を示した。また、輝度930cd/m2のときの電流効率は7.6cd/Aであり、高い効率を示した。また、輝度930cd/m2のときの電圧は4.6V、電流密度は12mA/cm2、パワー効率は5.2lm/Wであり、高いパワー効率を示した。 The light-emitting element 8 exhibited blue light emission with CIE chromaticity coordinates (x = 0.16, y = 0.17) at a luminance of 930 cd / m 2 . The current efficiency at a luminance of 930 cd / m 2 was 7.6 cd / A, indicating high efficiency. In addition, when the luminance was 930 cd / m 2 , the voltage was 4.6 V, the current density was 12 mA / cm 2 , and the power efficiency was 5.2 lm / W, which showed high power efficiency.
また、発光素子9は、青色の発光を示した。また、輝度930cd/m2のときの電流効率は7.4cd/Aであり、高い効率を示した。また、輝度930cd/m2のときの電圧は4.8V、電流密度は13mA/cm2、パワー効率は4.8lm/Wであり、高いパワー効率を示した。 The light emitting element 9 emitted blue light. In addition, the current efficiency at a luminance of 930 cd / m 2 was 7.4 cd / A, indicating high efficiency. In addition, when the luminance was 930 cd / m 2 , the voltage was 4.8 V, the current density was 13 mA / cm 2 , and the power efficiency was 4.8 lm / W, which showed high power efficiency.
また、上述したように、本発明の芳香族アミン化合物であるYGA1BPは、比較発光素子10で用いたNPBよりも高い三重項励起エネルギーを有する。特に、YGA1BPは、非対称構造である高い三重項励起エネルギーを有する。また、本発明の芳香族アミン化合物の三重項励起エネルギーに対応する波長は、450nm前後であり、青色に対応する。また、比較発光素子10で用いたNPBの三重項励起エネルギーに対応する波長は500nmであり、緑色に対応する。また、一重項励起エネルギーは三重項励起エネルギーよりも高い。つまり、本発明の芳香族アミン化合物の三重項励起エネルギーに対応する波長は青色に対応するため、一重項励起エネルギーに対応する波長は青色よりも短波長となる。よって、青色の蛍光材料に接する層に芳香族アミン化合物を用いた場合、励起された青色の蛍光材料から本発明の芳香族アミン化合物にエネルギー移動は生じない。また、本発明の芳香族アミン化合物が励起された場合には、蛍光材料にエネルギー移動することが可能である。そのため、高い発光効率を実現することができる。 Further, as described above, YGA1BP, which is the aromatic amine compound of the present invention, has higher triplet excitation energy than NPB used in comparative light-emitting element 10. In particular, YGA1BP has a high triplet excitation energy that is an asymmetric structure. The wavelength corresponding to the triplet excitation energy of the aromatic amine compound of the present invention is around 450 nm, which corresponds to blue. The wavelength corresponding to the triplet excitation energy of NPB used in the comparative light-emitting element 10 is 500 nm, which corresponds to green. The singlet excitation energy is higher than the triplet excitation energy. That is, since the wavelength corresponding to the triplet excitation energy of the aromatic amine compound of the present invention corresponds to blue, the wavelength corresponding to the singlet excitation energy is shorter than blue. Therefore, when an aromatic amine compound is used for the layer in contact with the blue fluorescent material, energy transfer does not occur from the excited blue fluorescent material to the aromatic amine compound of the present invention. In addition, when the aromatic amine compound of the present invention is excited, energy can be transferred to the fluorescent material. Therefore, high luminous efficiency can be realized.
このように、本発明の芳香族アミン化合物を正孔輸送層として用いることにより、良好な特性の発光素子を得ることができる。 As described above, by using the aromatic amine compound of the present invention as the hole transport layer, a light-emitting element having favorable characteristics can be obtained.
本実施例では、他の実施例で用いた材料について説明する。 In this example, materials used in other examples will be described.
≪YGAO11の合成例≫
以下では、構造式(201)で表される2−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール(略称:YGAO11)の合成方法について説明する。
≪Synthesis example of YGAO11≫
Hereinafter, 2- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -5-phenyl-1,3,4 represented by Structural Formula (201) A method for synthesizing oxadiazole (abbreviation: YGAO11) will be described.
[ステップ1]
2−(4−ブロモフェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール(略称:O11Br)の合成について説明する。本ステップ1では、以下のような手順(i)〜(iii)に従って、O11Brを合成した。
[Step 1]
The synthesis of 2- (4-bromophenyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: O11Br) will be described. In Step 1, O11Br was synthesized according to the following procedures (i) to (iii).
(i)4−ブロモベンゾヒドラジドの合成
まず、メチル−4−ブロモベンゾエート3.0g(13.9mmol)を100mL三口フラスコに入れ、エタノール10mLを加えて撹拌した後、ヒドラジン一水和物4.0mLを加え,78℃で5時間加熱撹拌した。得られた固体を水で洗浄し、吸引ろ過により回収し、目的物である4−ブロモベンゾヒドラジドの白色固体を2.0g得た(収率67%)。
(I) Synthesis of 4-bromobenzohydrazide First, 3.0 g (13.9 mmol) of methyl-4-bromobenzoate was placed in a 100 mL three-necked flask, 10 mL of ethanol was added and stirred, and then 4.0 mL of hydrazine monohydrate. And heated and stirred at 78 ° C. for 5 hours. The obtained solid was washed with water and collected by suction filtration to obtain 2.0 g of a white solid of 4-bromobenzohydrazide as a target product (yield 67%).
(ii)1−ベンゾイル−2−(4−ブロモベンゾイル)ヒドラジンの合成
次に、上記(i)で得た4−ブロモベンゾヒドラジド2.0g(13.9mmol)を300mL三口フラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン(略称:NMP)7mLを加えて撹拌した後、N−メチル−2−ピロリドン2.5mLとベンゾイルクロライド2.5mL(21.5mmol)の混合物を50mL滴下ロートにより滴下し、80℃で3時間撹拌した。得られた固体を水、炭酸ナトリウム水溶液の順に洗浄し、吸引ろ過により回収した。アセトンで再結晶を行ったところ、目的物である1−ベンゾイル−2−(4−ブロモベンゾイル)ヒドラジンの白色固体を3.6g得た(収率80%)。
(Ii) Synthesis of 1-benzoyl-2- (4-bromobenzoyl) hydrazine Next, 2.0 g (13.9 mmol) of 4-bromobenzohydrazide obtained in (i) above was placed in a 300 mL three-necked flask, and N- After adding 7 mL of methyl-2-pyrrolidone (abbreviation: NMP) and stirring, a mixture of 2.5 mL of N-methyl-2-pyrrolidone and 2.5 mL (21.5 mmol) of benzoyl chloride was added dropwise with a 50 mL dropping funnel, Stir at 0 ° C. for 3 hours. The obtained solid was washed with water and an aqueous sodium carbonate solution in this order, and collected by suction filtration. When recrystallization was performed with acetone, 3.6 g of a white solid of 1-benzoyl-2- (4-bromobenzoyl) hydrazine as a target product was obtained (yield 80%).
(iii)O11Brの合成
さらに、上記(ii)で示した方法により得られた1−ベンゾイル−2−(4−ブロモベンゾイル)ヒドラジン15g(47mmol)を200mL三口フラスコに入れ、塩化ホスホリル100mLを加え、5時間100℃で加熱撹拌した。反応後、塩化ホスホリルを完全に留去して得られた固体を水、炭酸ナトリウム水溶液の順に洗浄し、吸引ろ過により回収した。メタノールで再結晶を行ったところ、本ステップ1の目的物であるO11Brの白色固体を13g得た(収率89%)。以上で述べた本ステップ1の合成スキームを下記スキーム(E−1)に示す。
(Iii) Synthesis of O11Br Further, 15 g (47 mmol) of 1-benzoyl-2- (4-bromobenzoyl) hydrazine obtained by the method shown in (ii) above was placed in a 200 mL three-necked flask, and 100 mL of phosphoryl chloride was added, The mixture was heated and stirred at 100 ° C. for 5 hours. After the reaction, phosphoryl chloride was completely distilled off, and the resulting solid was washed with water and an aqueous sodium carbonate solution in this order, and collected by suction filtration. When recrystallization was performed with methanol, 13 g of a white solid of O11Br, which was the target product of Step 1, was obtained (yield 89%). The synthesis scheme of Step 1 described above is shown in the following scheme (E-1).
[ステップ2]
<2−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール(略称:YGAO11)の合成>
ステップ1で得たO11Br3.0g(10.0mmol)、実施例1のステップ1で得たYGA3.4g(10.0mmol)、ナトリウム tert−ブトキシド1.9g(19.9mmol)を100mL三口フラスコに入れて窒素置換し、トルエン45mL、トリ(tert−ブチル)ホスフィンの10%ヘキサン溶液0.3mL、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.3g(0.6mmol)を加え、120℃で5時間加熱攪拌した。反応後、セライトを通してろ過し、ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥した。乾燥後、溶液をろ過し、ろ液を濃縮した。得られた固体をトルエンに溶解し、シリカカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。カラム精製はまずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=1:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。クロロホルムとヘキサンで再結晶をしたところ、本合成例の目的物であるYGAO11の淡黄色固体が4.7g得られた(収率85%)。以上で述べた本ステップ3の合成スキームを下記スキーム(E−2)に示す。
[Step 2]
Synthesis of <2- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -5-phenyl-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: YGAO11) >
O11Br (3.0 g, 10.0 mmol) obtained in Step 1, YGA (3.4 g, 10.0 mmol) obtained in Step 1 of Example 1 and sodium tert-butoxide (1.9 g, 19.9 mmol) were placed in a 100 mL three-necked flask. Then, 45 mL of toluene, 0.3 mL of a 10% hexane solution of tri (tert-butyl) phosphine, and 0.3 g (0.6 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) were added, and the mixture was stirred at 120 ° C. for 5 hours. Stir with heating. After the reaction, the mixture was filtered through celite, and the filtrate was washed with water and dried over magnesium sulfate. After drying, the solution was filtered and the filtrate was concentrated. The obtained solid was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. Column purification was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 1: 1 as a developing solvent. When recrystallization was performed with chloroform and hexane, 4.7 g of a light yellow solid of YGAO11, which was the target product of this synthesis example, was obtained (yield 85%). The synthesis scheme of Step 3 described above is shown in the following scheme (E-2).
なお、得られたYGAO11の核磁気共鳴分光法(1H NMR)による分析結果を下記に示す。また、1H NMRチャートを図43(a)に、その拡大図を図43(b)に示す。 Incidentally, it shows the analysis result by the obtained YGAO11 nuclear magnetic resonance spectroscopy (1 H NMR) below. A 1 H NMR chart is shown in FIG. 43 (a), and an enlarged view thereof is shown in FIG. 43 (b).
1H NMR(300MHz, CDCl3):δ=7.14−7.53(m,19H),δ=8.03(d,J=8.7,2H),δ=8.11−8.15(m,4H)。 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 7.14-7.53 (m, 19H), δ = 8.03 (d, J = 8.7, 2H), δ = 8.11-8. 15 (m, 4H).
≪YGAPAの合成例≫
以下では、構造式(202)で表される9−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−10−フェニルアントラセン(略称:YGAPA)の合成方法について説明する。
≪YGAPA synthesis example≫
Hereinafter, 9- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -10-phenylanthracene (abbreviation: YGAPA) represented by Structural Formula (202) The synthesis method will be described.
[ステップ1]
9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセン(略称:PA)の合成方法について説明する。
(i)9−フェニルアントラセンの合成
9−フェニルアントラセンの合成スキーム(F−1)を以下に示す。
[Step 1]
A method for synthesizing 9-phenyl-10- (4-bromophenyl) anthracene (abbreviation: PA) will be described.
(I) Synthesis of 9-phenylanthracene A synthesis scheme (F-1) of 9-phenylanthracene is shown below.
9−ブロモアントラセンを5.4g(21.1mmol)、フェニルボロン酸を2.6g(21.1mmol)、酢酸パラジウム(Pd(OAc)2)を60mg(0.21mmol)、炭酸カリウム(K2CO3)水溶液(2mol/L)を10mL(20mmol)、トリ(o−トリル)ホスフィン(P(o−tolyl)3)を263mg(0.84mmol)、1,2−ジメトキシエタン(略称:DME)を20mL混合し、80℃、9時間撹拌した。反応後、析出した固体を吸引ろ過で回収してから、トルエンに溶かしフロリジールおよびセライトおよびアルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、ろ液を濃縮したところ目的物である9−フェニルアントラセンの淡褐色固体を21.5g収率85%で得た。 5.4 g (21.1 mmol) of 9-bromoanthracene, 2.6 g (21.1 mmol) of phenylboronic acid, 60 mg (0.21 mmol) of palladium acetate (Pd (OAc) 2 ), potassium carbonate (K 2 CO 3 ) 10 mL (20 mmol) of aqueous solution (2 mol / L), 263 mg (0.84 mmol) of tri (o-tolyl) phosphine (P (o-tolyl) 3 ), 1,2-dimethoxyethane (abbreviation: DME) 20 mL was mixed and stirred at 80 ° C. for 9 hours. After the reaction, the precipitated solid was collected by suction filtration, dissolved in toluene, and filtered through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. After natural filtration, the filtrate was concentrated to obtain 21.5 g of a light brown solid of 9-phenylanthracene, which was the target product, in a yield of 85%.
(ii) 10−ブロモ−9−フェニルアントラセンの合成
10−ブロモ−9−フェニルアントラセンの合成スキーム(F−2)を以下に示す。
(Ii) Synthesis of 10-bromo-9-phenylanthracene A synthesis scheme (F-2) of 10-bromo-9-phenylanthracene is shown below.
9−フェニルアントラセン6.0g(23.7mmol)を四塩化炭素80mLに溶かし、その反応溶液へ、滴下ロートにより、臭素3.80g(21.1mmol)を四塩化炭素10mLに溶かした溶液を滴下した。滴下終了後室温で1時間攪拌した。反応後チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて反応をストップさせた。有機層を水酸化ナトリウム(NaOH)水溶液、飽和食塩水で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、濃縮しトルエンに溶かしフロリジールおよびセライトおよびアルミナを通してろ過を行なった。ろ液を濃縮し、ジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶を行なったところ、目的物である10−ブロモ−9−フェニルアントラセンの淡黄色固体を7.0g、収率89%で得た。 6.0 g (23.7 mmol) of 9-phenylanthracene was dissolved in 80 mL of carbon tetrachloride, and a solution of 3.80 g (21.1 mmol) of bromine in 10 mL of carbon tetrachloride was added dropwise to the reaction solution using a dropping funnel. . After completion of dropping, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After the reaction, an aqueous sodium thiosulfate solution was added to stop the reaction. The organic layer was washed with aqueous sodium hydroxide (NaOH) solution and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. After natural filtration, the solution was concentrated, dissolved in toluene, and filtered through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was concentrated and recrystallized with dichloromethane and hexane to obtain 7.0 g (yield 89%) of 10-bromo-9-phenylanthracene as a target product.
(iii)9−ヨード−10−フェニルアントラセンの合成
9−ヨード−10−フェニルアントラセンの合成スキーム(F−3)を以下に示す。
(Iii) Synthesis of 9-iodo-10-phenylanthracene A synthesis scheme (F-3) of 9-iodo-10-phenylanthracene is shown below.
9−ブロモ−10−フェニルアントラセン3.33g(10mmol)をテトラヒドロフラン(略称:THF)80mLに溶かし、−78℃にしてから、その反応溶液へ滴下ロートより、n−BuLi(1.6mol/L)7.5mL(12.0mmol)を滴下し1時間攪拌した。ヨウ素5g(20.0mmol)をTHF20mLに溶かした溶液を滴下し−78℃でさらに2時間攪拌した。反応後チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて反応をストップした。有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し硫酸マグネシウムで乾燥した。自然濾過後ろ液を濃縮し、エタノールにより再結晶したところ目的物である9−ヨード−10−フェニルアントラセンの淡黄色固体を3.1g、収率83%で得た。 After dissolving 3.33 g (10 mmol) of 9-bromo-10-phenylanthracene in 80 mL of tetrahydrofuran (abbreviation: THF) and setting to −78 ° C., n-BuLi (1.6 mol / L) was added to the reaction solution from the dropping funnel. 7.5 mL (12.0 mmol) was added dropwise and stirred for 1 hour. A solution prepared by dissolving 5 g (20.0 mmol) of iodine in 20 mL of THF was added dropwise, and the mixture was further stirred at −78 ° C. for 2 hours. After the reaction, an aqueous sodium thiosulfate solution was added to stop the reaction. The organic layer was washed with aqueous sodium thiosulfate solution and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The solution after natural filtration was concentrated and recrystallized with ethanol to obtain 3.1 g of a target substance, 9-iodo-10-phenylanthracene, which was a pale yellow solid in a yield of 83%.
(iv)9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセン(略称:PA)の合成
9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセン(略称:PA)の合成スキーム(F−4)を以下に示す。
(Iv) Synthesis of 9-phenyl-10- (4-bromophenyl) anthracene (abbreviation: PA) Synthesis scheme (F-4) of 9-phenyl-10- (4-bromophenyl) anthracene (abbreviation: PA) It is shown below.
9−ヨード−10−フェニルアントラセンを1.0g(2.63mmol)、p−ブロモフェニルボロン酸を542mg(2.70mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(Pd(PPh3)4)を46mg(0.03mmol)、2mol/Lの炭酸カルシウム(K2CO3)水溶液を3mL(6mmol)、トルエンを10mL採取して混合し、80℃、9時間撹拌した。反応後、トルエンを加えてからフロリジールおよびセライトおよびアルミナを通してろ過をした。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過後、ろ液を濃縮し、クロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ目的物である9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセンの淡褐色固体を562mg、収率45%で得た。 1.0-g (2.63 mmol) of 9-iodo-10-phenylanthracene, 542 mg (2.70 mmol) of p-bromophenylboronic acid, tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (Pd (PPh 3 ) 4 ) 46 mg (0.03 mmol), 3 mL (6 mmol) of 2 mol / L calcium carbonate (K 2 CO 3 ) aqueous solution and 10 mL of toluene were collected and mixed, and stirred at 80 ° C. for 9 hours. After the reaction, toluene was added, followed by filtration through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water and saturated brine, and dried over magnesium sulfate. After natural filtration, the filtrate was concentrated and recrystallized with chloroform and hexane to obtain 562 mg of a light brown solid of 9-phenyl-10- (4-bromophenyl) anthracene, which was the target product, in a yield of 45%.
[ステップ2]
9−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−10−フェニルアントラセン(略称:YGAPA)の合成方法について説明する。YGAPAの合成スキーム(F−5)を以下に示す。
[Step 2]
A method for synthesizing 9- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -10-phenylanthracene (abbreviation: YGAPA) will be described. A synthesis scheme (F-5) of YGAPA is shown below.
9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセンを409mg(1.0mmol)、実施例1のステップ1で得たYGAを339mg(1.0mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を6mg(0.01mmol)、ナトリウム tert−ブトキシドを500mg(5.2mmol)、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)を0.1mL、トルエンを10mLを加えて混合し、80℃で4時間攪拌した。反応後、反応溶液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出し、有機層と併せて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過、濃縮し得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=7:3)により精製し、ジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶したところ目的物であるYGAPAの黄色粉末状固体を534mg収率81%で得た。この化合物を核磁気共鳴法(NMR)によって測定したところ、9−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−10−フェニルアントラセン(略称:YGAPA)であることが確認できた。YGAPAの1H NMRを図44(A)、(B)に示す。 409 mg (1.0 mmol) of 9-phenyl-10- (4-bromophenyl) anthracene, 339 mg (1.0 mmol) of YGA obtained in Step 1 of Example 1, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) 6 mg (0.01 mmol), sodium tert-butoxide 500 mg (5.2 mmol), tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) 0.1 mL, toluene 10 mL were added and mixed. Stir for hours. After the reaction, the reaction solution was washed with water, the aqueous layer was extracted with toluene, combined with the organic layer, washed with saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The oily product obtained by natural filtration and concentration was purified by silica gel column chromatography (hexane: toluene = 7: 3), and recrystallized from dichloromethane and hexane. As a result, 534 mg yield of YGAPA, a yellow powdered solid, was obtained. Obtained at 81%. When this compound was measured by a nuclear magnetic resonance method (NMR), 9- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) -10-phenylanthracene (abbreviation) : YGAPA). 1 H NMR of YGAPA is shown in FIGS. 44 (A) and (B).
≪CzPAの合成例≫
以下では、構造式(203)で表される9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)の合成方法について説明する。
≪CzPA synthesis example≫
Hereinafter, a method for synthesizing 9- [4- (N-carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA) represented by the structural formula (203) will be described.
9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)の合成スキーム(H−1)を以下に示す。 A synthesis scheme (H-1) of 9- [4- (N-carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA) is shown below.
9−フェニル−10−(4−ブロモフェニル)アントラセンを1.3g(3.2mmol)、カルバゾールを578mg(3.5mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)を50mg(0.10mmol)、tert−ブトキシナトリウムを1.0g(10mmol)、トリ(tert−ブチル)ホスフィン(10wt%ヘキサン溶液)を0.1mL、トルエンを30mLを加えて混合し、110℃で10時間加熱還流した。反応後、反応溶液を水で洗浄し、水層をトルエンで抽出し、有機層と併せて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。自然ろ過し、ろ液を濃縮し得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:トルエン=7:3)により精製し、ジクロロメタン、ヘキサンにより再結晶したところ目的物の9−[4−(N−カルバゾリル)]フェニル−10−フェニルアントラセン(略称:CzPA)を1.5g、収率93%で得た。 1.3-g (3.2 mmol) of 9-phenyl-10- (4-bromophenyl) anthracene, 578 mg (3.5 mmol) of carbazole, 50 mg (0.10 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), 1.0 g (10 mmol) of tert-butoxy sodium, 0.1 mL of tri (tert-butyl) phosphine (10 wt% hexane solution) and 30 mL of toluene were added and mixed, and the mixture was heated to reflux at 110 ° C. for 10 hours. After the reaction, the reaction solution was washed with water, the aqueous layer was extracted with toluene, combined with the organic layer, washed with saturated brine, and dried over magnesium sulfate. The oily substance obtained by natural filtration and concentration of the filtrate was purified by silica gel column chromatography (hexane: toluene = 7: 3) and recrystallized from dichloromethane and hexane to obtain the desired product 9- [4- (N -Carbazolyl)] phenyl-10-phenylanthracene (abbreviation: CzPA) was obtained in 1.5 g in a yield of 93%.
得られたCzPAのNMRデータを以下に示す。1H NMR(300MHz、CDCl3):δ=8.22(d、J=7.8Hz、2H),7.86−7.82(m、3H)、7.61−7.36(m、20H)。また、1H NMRのチャートを図45に示す。 The NMR data of the obtained CzPA are shown below. 1 H NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 8.22 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.86-7.82 (m, 3H), 7.61-7.36 (m, 20H). In addition, FIG. 45 shows a 1 H NMR chart.
なお、得られたCzPA5.50gを270℃、アルゴン気流下(流速3.0mL/min)、圧力6.7Paの条件下で20時間昇華精製を行ったところ、3.98gを回収し回収率は72%であった。 The obtained CzPA 5.50 g was purified by sublimation for 20 hours under the conditions of 270 ° C., argon stream (flow rate 3.0 mL / min) and pressure 6.7 Pa. 3.98 g was recovered and the recovery rate was 72%.
101 基板
102 第1の電極
103 第1の層
104 第2の層
105 第3の層
106 第4の層
107 第2の電極
302 第1の電極
303 第1の層
304 第2の層
305 第3の層
306 第4の層
307 第2の電極
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 ソース側駆動回路
602 画素部
603 ゲート側駆動回路
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 発光物質を含む層
617 第2の電極
618 発光素子
623 nチャネル型TFT
624 pチャネル型TFT
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 発光物質を含む層
956 電極
2001 筐体
2002 光源
2101 ガラス基板
2102 第1の電極
2103 複合材料を含む層
2104 正孔輸送層
2105 発光層
2106 電子輸送層
2107 電子注入層
2108 第2の電極
2201 ガラス基板
2202 第1の電極
2203 複合材料を含む層
2204 正孔輸送層
2205 発光層
2206a 第1の電子輸送層
2206b 第2の電子輸送層
2207 電子注入層
2208 第2の電極
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ
9501 本体
9502 表示部
9503 筐体
9504 外部接続ポート
9505 リモコン受信部
9506 受像部
9507 バッテリー
9508 音声入力部
9509 操作キー
9510 接眼部
101 Substrate 102 1st electrode 103 1st layer 104 2nd layer 105 3rd layer 106 4th layer 107 2nd electrode 302 1st electrode 303 1st layer 304 2nd layer 305 3rd Layer 306 fourth layer 307 second electrode 501 first electrode 502 second electrode 511 first light emitting unit 512 second light emitting unit 513 charge generation layer 601 source side driving circuit 602 pixel portion 603 gate side driving Circuit 604 Sealing substrate 605 Sealing material 607 Space 608 Wiring 609 FPC (flexible printed circuit)
610 Element substrate 611 TFT for switching
612 Current control TFT
613 First electrode 614 Insulator 616 Layer containing light emitting substance 617 Second electrode 618 Light emitting element 623 n-channel TFT
624 p-channel TFT
901 Case 902 Liquid crystal layer 903 Backlight 904 Case 905 Driver IC
906 Terminal 951 Substrate 952 Electrode 953 Insulating layer 954 Partition layer 955 Layer containing light emitting material 956 Electrode 2001 Housing 2002 Light source 2101 Glass substrate 2102 First electrode 2103 Layer containing composite material 2104 Hole transport layer 2105 Light emitting layer 2106 Electron transport Layer 2107 Electron injection layer 2108 Second electrode 2201 Glass substrate 2202 First electrode 2203 Layer 2304 containing a composite material Hole transport layer 2205 Light emitting layer 2206a First electron transport layer 2206b Second electron transport layer 2207 Electron injection layer 2208 Second electrode 3001 Lighting device 3002 Television device 9101 Housing 9102 Support base 9103 Display unit 9104 Speaker unit 9105 Video input terminal 9201 Main body 9202 Housing 9203 Display unit 9204 Keyboard 9205 External connection port 9206 Input device 9401 main body 9402 housing 9403 display unit 9404 audio input unit 9405 audio output unit 9406 operation key 9407 external connection port 9408 antenna 9501 main body 9502 display unit 9503 case 9504 external connection port 9505 remote control receiving unit 9506 image receiving unit 9507 battery 9508 Voice input unit 9509 Operation key 9510 Eyepiece unit
Claims (3)
(式中、R1およびR2は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜25のアリール基のいずれかを表し、A1は、構造式(14−2)で表される置換基を表し、Ar1は、構造式(15−1)で表される置換基を表す。また、αは、一般式(2−2)で表される置換基を表し、一般式(2−2)において、R61〜R68は、それぞれ、水素原子、または炭素数1〜4のアルキル基を表す。) An aromatic amine compound represented by the general formula (2).
(Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and A 1 represents a structural formula (14- 2), Ar 1 represents a substituent represented by the structural formula (15-1) , and α represents a substituent represented by the general formula (2-2). In the general formula (2-2), R 61 to R 68 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
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