JP5350063B2 - Sheet resistance measuring device and sheet resistance measuring method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、測定対象体のシート抵抗(面抵抗)を測定するシート抵抗測定装置およびシート抵抗測定方法に関するものである。 The present invention relates to a sheet resistance measuring device and a sheet resistance measuring method for measuring a sheet resistance (surface resistance) of a measurement object.
この種のシート抵抗測定装置(シート抵抗測定方法)を使用してシート抵抗を測定する装置として、特開平5−9719号公報に薄膜形成装置が開示されている。この薄膜形成装置は、スパッタリング法やCVD法などによって基板の表面に金属や合金の薄膜を形成する装置であって、形成した薄膜が所望の成膜条件を満たしているか否かを検査し、その後に形成する薄膜の成膜条件を検査結果に応じて調整する構成が採用されている。具体的には、この薄膜形成装置では、薄膜の形成が完了した基板をシート抵抗測定室に搬送し、四端子プローブを薄膜の表面に接触させた状態において四端子法によってシート抵抗を測定する。この際に、測定されたシート抵抗が基準範囲内のときには、基板上の薄膜が所望の成膜状態となっていると判別して成膜条件を維持する。一方、測定されたシート抵抗が基準範囲を外れているときには、基板上の薄膜が所望の成膜状態とはなっていないと判別して予め規定された手順に従って成膜条件を変更する。これにより、基板の表面に所望の成膜状態で合金等の薄膜が形成される。 As an apparatus for measuring sheet resistance using this type of sheet resistance measuring apparatus (sheet resistance measuring method), a thin film forming apparatus is disclosed in JP-A-5-9719. This thin film forming apparatus is an apparatus for forming a metal or alloy thin film on the surface of a substrate by sputtering or CVD, and inspects whether or not the formed thin film satisfies a desired film forming condition. A configuration is adopted in which the film forming conditions of the thin film to be formed are adjusted according to the inspection result. Specifically, in this thin film forming apparatus, a substrate on which thin film formation has been completed is transported to a sheet resistance measurement chamber, and sheet resistance is measured by a four terminal method in a state where a four terminal probe is in contact with the surface of the thin film. At this time, when the measured sheet resistance is within the reference range, it is determined that the thin film on the substrate is in a desired film formation state, and the film formation conditions are maintained. On the other hand, when the measured sheet resistance is out of the reference range, it is determined that the thin film on the substrate is not in a desired film formation state, and the film formation conditions are changed according to a predetermined procedure. Thereby, a thin film such as an alloy is formed on the surface of the substrate in a desired film formation state.
ところが、従来の薄膜形成装置には、以下の問題点が存在する。すなわち、従来の薄膜形成装置では、測定対象の薄膜に四端子プローブを接触させて測定した抵抗値をその薄膜のシート抵抗として取得して成膜条件を調整する構成が採用されている。この場合、上記公開公報に開示されているように、スパッタリングによって形成した合金の薄膜のシート抵抗は、成膜条件(ガス圧力や成膜時間)によっては、基板中央部における測定値と、基板外縁部側における測定値とが相違する状態となることがある。しかしながら、発明者は、仮に、その全域において抵抗値が均一となるように形成された薄膜であっても、四端子プローブを用いて薄膜のシート抵抗を測定する構成(四端子法によって薄膜のシート抵抗を測定する方法)においては、四端子プローブを接触させる基板上の位置によって電圧測定プローブ間を流れる電流値が相違し、これに起因して、測定位置毎に相違する抵抗値が測定されることがあるのを見出した。 However, the conventional thin film forming apparatus has the following problems. That is, the conventional thin film forming apparatus employs a configuration in which the film thickness is adjusted by obtaining a resistance value measured by bringing a four-terminal probe into contact with the thin film to be measured as the sheet resistance of the thin film. In this case, as disclosed in the above publication, the sheet resistance of the alloy thin film formed by sputtering depends on the measured value at the center of the substrate and the outer edge of the substrate depending on the film formation conditions (gas pressure and film formation time). The measured value on the part side may be different. However, even if the inventor is a thin film formed so that the resistance value is uniform in the entire region, the configuration in which the sheet resistance of the thin film is measured using a four-terminal probe (the thin-film sheet by the four-terminal method). In the method of measuring resistance), the current value flowing between the voltage measurement probes differs depending on the position on the substrate where the four-terminal probe is brought into contact, and due to this, the resistance value that differs at each measurement position is measured. I found something.
具体的には、一例として、薄膜における基板外縁部の近傍に四端子プローブを接触させたときには、薄膜における基板中央部に四端子プローブを接触させたときと比較して、測定用電流が流れる部位の面積が小さくなるため、基板中央部に四端子プローブを接触させたときよりも大きな抵抗値が測定される。このように、四端子法によってシート抵抗を測定する場合には、四端子プローブを接触させる位置によって測定値が相違するため、四端子プローブの接触位置に応じて測定値を補正する必要がある。このため、従来の薄膜形成装置に採用されているシート抵抗測定装置には、四端子プローブを接触させる位置毎に測定値を補正するための補正値を予め用意しておく必要があるばかりでなく、測定値を補正する煩雑な処理を実行することに起因して、測定対象体のシート抵抗を迅速に測定するのが困難であるという問題点が存在する。 Specifically, as an example, when the four-terminal probe is brought into contact with the vicinity of the outer edge of the substrate in the thin film, the portion where the measurement current flows is compared to when the four-terminal probe is brought into contact with the central portion of the substrate in the thin film. Therefore, a larger resistance value is measured than when the four-terminal probe is brought into contact with the center of the substrate. As described above, when the sheet resistance is measured by the four-terminal method, the measurement value is different depending on the position at which the four-terminal probe is brought into contact. Therefore, it is necessary to correct the measurement value according to the contact position of the four-terminal probe. For this reason, in the sheet resistance measuring apparatus employed in the conventional thin film forming apparatus, it is not only necessary to prepare in advance a correction value for correcting the measured value for each position where the four-terminal probe is brought into contact. There is a problem that it is difficult to quickly measure the sheet resistance of the measurement object due to executing complicated processing for correcting the measurement value.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、煩雑な補正処理を行うことなく、測定対象体のシート抵抗を正確に測定し得るシート抵抗測定装置およびシート抵抗測定方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and provides a sheet resistance measurement device and a sheet resistance measurement method that can accurately measure the sheet resistance of a measurement object without performing complicated correction processing. The main purpose.
上記目的を達成すべく請求項1記載のシート抵抗測定装置は、測定対象体の一面に規定された第1接点に接触させられる第1プローブと、前記一面に規定された第2接点に接触させられる第2プローブと、前記一面に規定された第3接点に接触させられる第3プローブと、前記第1プローブおよび前記第2プローブを介して前記第1接点および前記第2接点の間に測定用電流を供給した状態で当該第1プローブおよび前記第3プローブを介して当該第1接点および前記第3接点の間の電位を測定する測定処理部と、当該測定処理部の測定結果および前記測定用電流の電流値に基づいて前記測定対象体のシート抵抗を演算する演算処理部とを備えたシート抵抗測定装置であって、前記測定処理部が、前記第1接点を中心とする第1仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第1測定処理と、前記第1仮想円と同心で当該第1仮想円とは半径が相違する第2仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第2測定処理とを実行し、前記演算処理部が、前記第1測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第1仮想円上の電位を演算する第1演算処理と、前記第2測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第2仮想円上の電位を演算する第2演算処理とを実行すると共に、前記演算した2つの電位と前記電流値とに基づいて前記シート抵抗を演算する。なお、「測定された複数の電位に基づいて第1接点に対する第1仮想円上(または、第2仮想円上)の電位を演算する」との処理には、例えば、「複数の電位の平均値を第1接点に対する仮想円上の電位として演算する」との処理や、「複数の電位の平均値に対して所定の補正値を加算、減算、乗算または除算した値を第1接点に対する仮想円上の電位として演算する」との処理がこれに含まれる。
In order to achieve the above object, the sheet resistance measuring apparatus according to
また、請求項2記載のシート抵抗測定装置は、請求項1記載のシート抵抗測定装置において、前記測定処理部が、前記第1測定処理および前記第2測定処理時に所定の前記第3接点についての前記電位を測定する際に、当該第1接点を中心とする第3仮想円上に規定された複数箇所の前記第2接点のうちの当該所定の第3接点に最も近い当該第2接点と当該第1接点との間に前記測定用電流を供給する。
The sheet resistance measuring device according to
さらに、請求項3記載のシート抵抗測定装置は、請求項1または2記載のシート抵抗測定装置において、前記第1測定処理時における前記各第3接点が、前記第1仮想円上に等角度間隔で規定され、前記第2測定処理時における前記各第3接点が、前記第2仮想円上に等角度間隔で規定されている。
Furthermore, the sheet resistance measuring device according to
また、請求項4記載のシート抵抗測定装置は、請求項1から3のいずれかに記載のシート抵抗測定装置において、前記第1プローブおよび前記第2プローブが前記第1接点および前記第2接点にそれぞれ接触し、かつ複数の前記第3プローブが前記各第3接点にそれぞれ接触するように、当該各プローブが配設されたプローブ装置を備えている。
The sheet resistance measuring device according to
また、請求項5記載のシート抵抗測定方法は、測定対象体の一面に規定された第1接点に第1プローブを接触させ、当該一面に規定された第2接点に第2プローブを接触させ、当該一面に規定された第3接点に第3プローブを接触させると共に、前記第1プローブおよび前記第2プローブを介して前記第1接点および前記第2接点の間に測定用電流を供給した状態で当該第1プローブおよび前記第3プローブを介して当該第1接点および前記第3接点の間の電位を測定する測定処理を実行し、当該測定処理の測定結果および前記測定用電流の電流値に基づいて前記測定対象体のシート抵抗を演算する演算処理を実行するシート抵抗測定方法であって、前記測定処理として、前記第1接点を中心とする第1仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第1測定処理と、前記第1仮想円と同心で当該第1仮想円とは半径が相違する第2仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第2測定処理とを実行し、前記演算処理として、前記第1測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第1仮想円上の電位を演算する第1演算処理と、前記第2測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第2仮想円上の電位を演算する第2演算処理とを実行すると共に、前記演算した2つの電位と前記電流値とに基づいて前記シート抵抗を演算する。
Further, in the sheet resistance measuring method according to
請求項1記載のシート抵抗測定装置、および請求項5記載のシート抵抗測定方法では、第1接点を中心とする第1仮想円上に規定された3箇所以上の第3接点について第1接点との間の電位をそれぞれ測定する第1測定処理と、第1仮想円と同心で第1仮想円とは半径が相違する第2仮想円上に規定された3箇所以上の第3接点について第1接点との間の電位をそれぞれ測定する第2測定処理とを実行し、第1測定処理によって測定された複数の電位に基づいて第1接点に対する第1仮想円上の電位を演算する第1演算処理と、第2測定処理によって測定された複数の電位に基づいて第1接点に対する第2仮想円上の電位を演算する第2演算処理とを実行すると共に、演算した2つの電位と測定処理時に供給した測定用電流の電流値とに基づいて測定対象体のシート抵抗を演算する。
In the sheet resistance measuring device according to
したがって、請求項1記載のシート抵抗測定装置、および請求項5記載のシート抵抗測定方法によれば、第1接点に対して互いに相違する方向に位置する第1仮想円上の3箇所以上の第3接点において測定された電位に基づいて演算した値を第1接点に対する第1仮想円上の電位とし、第1接点に対して互いに相違する方向に位置する第2仮想円上の3箇所以上の第3接点において測定された電位に基づいて演算した値を第1接点に対する第2仮想円上の電位とすることで、測定対象体の形状に起因して、各第3接点から測定対象体の外縁までの各距離が同一でない場合であっても、これらの距離の相違に起因する測定用電流の流れ方の相違の影響を平均化できるため、第3接点毎に測定値を補正する煩雑な補正処理を実行することなく、測定対象体のシート抵抗を正確に測定する(演算する)ことができる。
Therefore, according to the sheet resistance measuring device according to
また、請求項2記載のシート抵抗測定装置によれば、第1測定処理および第2測定処理時に所定の第3接点についての電位を測定する際に、第1接点を中心とする第3仮想円上に規定された複数箇所の第2接点のうちの所定の第3接点に最も近い第2接点と第1接点との間に測定用電流を供給することにより、各第3接点毎に電位を測定する際に第1接点および第3接点に対する第2接点の位置関係が大きく相違する状態となる事態を回避することができるため、位置関係の相違に起因する測定値の相違の影響を十分に小さくすることができる結果、測定対象体のシート抵抗を一層正確に測定する(演算する)ことができる。 According to the sheet resistance measuring apparatus of the second aspect, the third virtual circle centered on the first contact is measured when measuring the potential of the predetermined third contact during the first measurement process and the second measurement process. By supplying a measurement current between the second contact closest to the predetermined third contact among the plurality of second contacts defined above, a potential is applied to each third contact. Since it is possible to avoid a situation in which the positional relationship of the second contact with respect to the first contact and the third contact is greatly different during measurement, the influence of the difference in the measured values due to the difference in the positional relationship is sufficiently affected. As a result, the sheet resistance of the measurement object can be measured (calculated) more accurately.
さらに、請求項3記載のシート抵抗測定装置によれば、第1測定処理時における各第3接点を第1仮想円上に等角度間隔で規定すると共に、第2測定処理時における各第3接点を第2仮想円上に等角度間隔で規定したことにより、第1接点に対して各第3接点が一方向寄りに集中している状態と比較して、各第3接点と測定対象体の外縁部との間の距離が同一でないことに起因する測定値の相違の影響を十分に小さくすることができる。
Furthermore, according to the sheet resistance measuring apparatus according to
また、請求項4記載のシート抵抗測定装置によれば、第1プローブおよび第2プローブが第1接点および第2接点にそれぞれ接触し、かつ複数の第3プローブが各第3接点にそれぞれ接触するように各プローブが配設されたプローブ装置を備えたことにより、例えばフライングプローブを第1接点、第2接点および第3接点にそれぞれ接触させる構成および方法と比較して、各第3接点毎の電位の測定の都度、プローブの移動を不要にできる分だけ、一連の測定処理に要する時間を十分に短縮することができる。 According to the sheet resistance measuring apparatus of the fourth aspect, the first probe and the second probe are in contact with the first contact and the second contact, respectively, and the plurality of third probes are in contact with the third contacts. By providing the probe device in which each probe is arranged as described above, for example, compared with a configuration and a method in which the flying probe is brought into contact with the first contact, the second contact, and the third contact, for each third contact. Each time the potential is measured, the time required for a series of measurement processes can be shortened sufficiently to the extent that movement of the probe is unnecessary.
以下、本発明に係るシート抵抗測定装置、およびシート抵抗測定方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of a sheet resistance measuring device and a sheet resistance measuring method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に示すシート抵抗測定装置1は、一例として、シート状の測定対象体X(導電シート)のシート抵抗を測定可能に構成された測定装置であって、プローブユニット2、移動機構3、測定部4、制御部5および記憶部6と、測定対象体Xを保持する保持機構(図示せず)とを備えて構成されている。プローブユニット2は、プローブ装置の一例であって、図2に示すように、プローブP0,Pa1〜Pc1,Pa2〜Pc2,Pa3〜Pc3,Pa4〜Pc4(以下、これらを区別しないときには「プローブP」ともいう)がベース部10に植設されて構成されている。この場合、このプローブユニット2では、上記のプローブP0が第1プローブに相当し、プローブPa4〜Pc4の3本が第2プローブに相当し、プローブPa1〜Pc1,Pa2〜Pc2,Pa3〜Pc3の9本が第3プローブに相当する。
The sheet
また、このプローブユニット2では、上記のプローブP0を測定対象体Xの一面に規定された基準点(「第1接点」の一例:図示せず)に接触させた状態において、その基準点を中心とする仮想円(「第1仮想円」の一例)上に規定された3箇所の測定点(「3箇所以上の第3接点」の一例:図示せず)にプローブPa1〜Pc1をそれぞれ接触させることができるように、プローブP0を中心とする半径r1の仮想円Q1上にプローブPa1〜Pc1が等角度間隔で植設されている。さらに、このプローブユニット2では、上記の基準点を中心とする仮想円(「第2仮想円」の一例であり、かつ「第1仮想円」の他の一例)上に規定された3箇所の測定点(「3箇所以上の第3接点」の一例:図示せず)にプローブPa2〜Pc2をそれぞれ接触させることができるように、プローブP0を中心とし、かつ半径r1よりも長い(「半径r1とは相違する」との状態の一例)半径r2の仮想円Q2上にプローブPa2〜Pc2が等角度間隔で植設されている。また、このプローブユニット2では、上記の基準点を中心とする仮想円(「第2仮想円」の他の一例)上に規定された3箇所の測定点(「3箇所以上の第3接点」の一例:図示せず)にプローブPa3〜Pc3をそれぞれ接触させることができるように、プローブP0を中心とし、かつ半径r1,r2よりも長い(「半径r1,r2とは相違する」との状態の一例)半径r3の仮想円Q3上にプローブPa3〜Pc3が等角度間隔で植設されている。
In the
さらに、このプローブユニット2では、上記のプローブP0を接触させた基準点を中心とする仮想円(「第3仮想円」の一例)上に規定された3箇所の電流流出点(「第2接点」の一例:以下、「流出点」ともいう:図示せず)にプローブPa4〜Pc4をそれぞれ接触させることができるように、プローブP0を中心とし、かつ半径r1〜r3よりも長い(「半径r1〜r3とは相違する」との状態の一例)半径r4の仮想円Q4上にプローブPa4〜Pc4が等角度間隔で植設されている。この場合、このプローブユニット2では、プローブPa1〜Pa4が矢印Aの向きで一直線状に配列され、プローブPb1〜Pb4が矢印Bの向きで一直線状に配列され、かつプローブPc1〜Pc4が矢印Cの向きで一直線状に配列されている。なお、上記の各プローブPは、一例として、伸縮型のピン状プローブで構成されているが、各プローブPの伸縮機構に関する図示および説明を省略する。
Further, in this
移動機構3は、制御部5の制御に従ってプローブユニット2を測定対象体X上の任意のX−Y−Z方向に移動させることにより、図3に示す測定ポイントX1〜X8にプローブユニット2の各プローブPを順次接触させる。なお、このシート抵抗測定装置1では、一例として、図示しない保持機構によって所定の測定位置に保持された測定対象体Xに対して移動機構3によってプローブユニット2を移動させて測定ポイントX1〜X8に各プローブPを接触させる構成を採用しているが、所定位置に固定したプローブユニット2に対して測定対象体Xを移動させて測定ポイントX1〜X8に各プローブPを接触させる構成や、プローブユニット2および測定対象体Xの双方を移動させて測定ポイントX1〜X8に各プローブPを接触させる構成を採用することもできる。
The moving
測定部4は、制御部5と相俟って測定処理部を構成し、制御部5の制御に従い、後述するように、上記のプローブP0の接触位置とプローブPa4〜Pc4の接触位置との間に直流電流(測定用電流の一例)を供給すると共に、プローブP0の接触位置に対するプローブPa1〜Pc1,Pa2〜Pc2,Pa3〜Pc3の接触位置の電位(「第1接点および第3接点の間の電位」の一例)をそれぞれ測定する測定処理を実行する。なお、測定部4による測定処理については、後に詳細に説明する。制御部5は、シート抵抗測定装置1を総括的に制御する。具体的には、制御部5は、測定処理部の一部として機能して、移動機構3を制御してプローブユニット2を上記の測定ポイントX1〜X8に順次接触させると共に、測定部4を制御して測定処理を実行させる。また、制御部5は、演算処理部として機能して測定部4による測定処理の測定結果と測定処理時に測定部4から供給された直流電流の電流値とに基づいて測定対象体Xのシート抵抗を演算する演算処理を実行する。なお、制御部5による演算処理については、後に詳細に説明する。記憶部6は、制御部5の動作プログラムを記憶する。
The
次に、シート抵抗測定装置1による測定対象体Xのシート抵抗測定方法について、添付図面を参照して説明する。
Next, the sheet resistance measuring method of the measuring object X by the sheet
まず、シート抵抗の測定面(一面)を上向きにして測定対象体Xを保持機構に保持させた後に、図示しない操作部を操作して測定処理を開始させる。これに応じて、制御部5が移動機構3を制御してプローブユニット2の各プローブPを測定対象体Xの例えば測定ポイントX1に接触させる。次いで、制御部5は、測定部4を制御して基準点に対する各測定点の電位の測定を開始させる。この際に、測定部4は、一例として、まず、プローブP0,Pa4を図示しない直流電源に接続してプローブP0の接触位置(基準点:電流供給点)からプローブPa4の接触位置(流出点)に向かう向きで直流電流を供給させる。また、測定部4は、プローブP0,Pa1を介してプローブPa1の接触位置(測定点)の基準点に対する電位(プローブP0の接触位置およびプローブPa1の接触位置の間の電圧)を測定する。さらに、測定部4は、測定した電位についての測定値データDvを制御部5に出力する。
First, after the measurement surface (one surface) of the sheet resistance faces upward and the measurement object X is held by the holding mechanism, the measurement unit is started by operating an operation unit (not shown). In response to this, the
これに応じて、制御部5は、測定部4から出力された測定値データDvを記憶部6に記憶させる。なお、以下の説明において、制御部5が測定部4から出力された測定値データDvを記憶部6に記憶させる処理についての説明を省略する。一方、プローブPa1の接触位置(測定点)についての測定値データDvの出力が完了した時点において、測定部4は、プローブP0,Pa2を介してプローブPa2の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。また、プローブPa2の接触位置(測定点)についての測定値データDvの出力が完了した時点において、測定部4は、プローブP0,Pa3を介してプローブPa3の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。
In response to this, the
次いで、測定部4は、プローブPa4に代えてプローブPb4を図示しない直流電源に接続してプローブP0の接触位置(基準点:電流供給点)からプローブPb4の接触位置(流出点)に向かう向きで直流電流を供給させる。この場合、プローブP0,Pa4間に直流電流を供給した状態において以下に説明する各測定点の電位を測定したとき(各測定点に最も近い流出点ではない流出点を利用したとき)には、各測定点に対する基準点および流出点の位置関係が上記のプローブPa1〜Pa3の接触位置を測定点とする測定処理時とは相違することとなる。したがって、このシート抵抗測定装置1では、上記したように、プローブPa1〜Pa3の接触位置を測定点とする電位の測定時には、プローブPa4〜Pc4の各接触位置(複数の流出点)のうちからプローブPa1〜Pa3の接触位置に最も近いプローブPa4の接触位置を流出点とし、以下に説明するように、プローブPb1〜Pb3の接触位置を測定点とする電位の測定時には、プローブPb1〜Pb3の接触位置に最も近いプローブPb4の接触位置を流出点とし、プローブPc1〜Pc3の接触位置を測定点とする電位の測定時には、プローブPc1〜Pc3の接触位置に最も近いプローブPc4の接触位置を流出点とする。
Next, the
続いて、測定部4は、プローブP0,Pb1を介してプローブPb1の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。また、プローブPb1の接触位置(測定点)についての測定値データDvの出力が完了した時点において、測定部4は、プローブP0,Pb2を介してプローブPb2の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。さらに、プローブPb2の接触位置(測定点)についての測定値データDvの出力が完了した時点において、測定部4は、プローブP0,Pb3を介してプローブPb3の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。
Subsequently, the
次いで、測定部4は、プローブPb4に代えてプローブPc4を図示しない直流電源に接続してプローブP0の接触位置(基準点:電流供給点)からプローブPc4の接触位置(流出点)に向かう向きで直流電流を供給させる。続いて、測定部4は、プローブP0,Pc1を介してプローブPc1の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。また、プローブPc1の接触位置(測定点)についての測定値データDvの出力が完了した時点において、測定部4は、プローブP0,Pc2を介してプローブPc2の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。さらに、プローブPc2の接触位置(測定点)についての測定値データDvの出力が完了した時点において、測定部4は、プローブP0,Pc3を介してプローブPc3の接触位置(測定点)の基準点に対する電位を測定し、その測定値データDvを制御部5に出力する。
Next, the
これにより、測定対象体Xの測定ポイントX1にプローブユニット2を接触した状態において9箇所の測定点(プローブPa1〜Pc1,Pa2〜Pc2,Pa3〜Pc3の各接触位置)の基準点(プローブP0の接触位置)に対する電位が測定されて、その測定値データDvが記憶部6にそれぞれ記憶される。この後、制御部5は、移動機構3を制御してプローブユニット2を測定ポイントX1から離間させて測定ポイントX2に接触させ、上記の測定ポイントX1における一連の測定処理と同様にして、各測定点についての電位を測定させる。また、制御部5は、測定ポイントX2についての測定処理が完了した後に、測定ポイントX1,X2と同様にして測定ポイントX3〜X8についても各測定点についての電位を測定させる。これにより、測定対象体Xの各測定ポイントX1〜X8についての一連の測定処理が完了する。
Thereby, in a state where the
一方、上記の測定処理が完了した際に、制御部5は、各測定ポイントX1〜X8毎に第1演算処理および第2の演算処理を実行し、一例として、基準点からの距離が等しい各測定点において測定された電位の平均値をそれぞれ演算する。この場合、前述したように、プローブPa1〜Pc1は、プローブP0を中心として等角度間隔で配設されている。したがって、プローブPa1〜Pc1の接触位置(3箇所の測定点)は、プローブP0の接触位置(基準点)を中心として等角度間隔で相互に離間している。このため、測定対象体Xの形状に起因して、各プローブPa1〜Pc1の接触位置(測定点)から測定対象体Xの外縁までの各距離が同一でない(不均一な)場合であっても、プローブPa1〜Pc1の接触位置において測定された電位の平均値を演算することで、基準点および測定点間の直流電流の流れ方の相違による影響を十分に小さくすることが可能となる。同様にして、プローブPa2〜Pc2,Pa3〜Pc3の接触位置において測定された電位の平均化することで、上記のような影響を十分に小さくすることが可能となる。したがって、制御部5は、記憶部6に記憶されている動作プログラムに従い、記憶部6に記憶させた測定値データDvの平均値を演算する。
On the other hand, when the above measurement process is completed, the
具体的には、制御部5は、プローブPa1〜Pc1の各接触位置(基準点からの距離が互いに等しい各測定点)の電位の平均値を演算し、プローブP0の接触位置(基準点:以下、「基準点Px0」ともいう)を中心とする半径r1の仮想円(仮想円Q1に対応する円:以下「仮想円Qx1」ともいう)上の電位として記憶部6に記憶させる(「測定された複数の電位に基づいて仮想円上の電位を演算する」との処理の一例であって、この例では、各電位の平均値を仮想円上の電位として演算する)。同様にして、制御部5は、プローブPa2〜Pc2の各接触位置(基準点からの距離が互いに等しい各測定点)の電位の平均値を演算し、プローブP0の接触位置(基準点Px0)を中心とする半径r2の仮想円(仮想円Q2に対応する円:以下、「仮想円Qx2」ともいう)上の電位として記憶部6に記憶させる。さらに、制御部5は、プローブPa3〜Pc3の各接触位置(基準点からの距離が互いに等しい各測定点)の電位の平均値を演算し、プローブP0の接触位置(基準点Px0)を中心とする半径r3の仮想円(仮想円Q3に対応する円:以下、「仮想円Qx3」ともいう)上の電位として記憶部6に記憶させる。
Specifically, the
次いで、制御部5は、上記の演算結果(各仮想円Qx1〜Qx3上の電位)と、電位の測定処理時に測定部4から供給した直流電流の電流値と、基準点Px0から各仮想円Qx1〜Qx3までの距離(この例では、半径r1〜r3)とに基づいて、測定対象体Xにおける各測定ポイントX1〜X8毎のシート抵抗をそれぞれ測定(演算)する。この際に、測定部4から供給した直流電流の電流値を「I」とし、基準点Px0に対する仮想円Qx1上の電位を「v1」とし、基準点Px0に対する仮想円Qx2上の電位を「v2」とすると、仮想円Qx1,Qx2の間の合成抵抗「R0」は、次の式で表される。
この場合、測定対象体Xのような導体の抵抗「f(r)」は、その体積抵抗率を「ρ」とし、電流が流れる距離を「dr」とし、電流が流れる部位の断面積を「S」とすると、次の式で表される。
さらに、電流が流れる部位の厚みを「t」とすると、上記の抵抗「f(r)」は、次の式で表される。
ここで、導体のシート抵抗(面抵抗)「Rs」は、体積抵抗率を「ρ」を電流が流れる部位の厚み「t」で除した値であるため、
となる。
In this case, the resistance “f (r)” of the conductor such as the measurement object X has a volume resistivity of “ρ”, a current flowing distance of “dr”, and a cross-sectional area of the current flowing portion of “r”. S ”is expressed by the following equation.
Furthermore, when the thickness of the portion where current flows is “t”, the resistance “f (r)” is expressed by the following equation.
Here, the sheet resistance (surface resistance) “Rs” of the conductor is a value obtained by dividing the volume resistivity by “ρ” by the thickness “t” of the portion through which the current flows.
It becomes.
このため、測定対象体Xにおける仮想円Qx1,Qx2の間の合成抵抗「R0」は、
であり、測定対象体Xのシート抵抗「Rs」は、
との式に基づいて演算できるのが理解できる。
Therefore, the combined resistance “R0” between the virtual circles Qx1 and Qx2 in the measurement object X is
The sheet resistance “Rs” of the measurement object X is
It can be understood that the calculation can be performed based on the following formula.
したがって、制御部5は、上記の[数6]の式に対応して生成された動作プログラムに従い、仮想円Qx1,Qx2上の電位、および基準点Px0から仮想円Qx1,Qx2までの距離(半径r1,r2)に基づいて測定対象体Xのシート抵抗を演算する(仮想円Qx1を第1仮想円とし、仮想円Qx2を第2仮想円としたシート抵抗測定方法の例)。また、制御部5は、仮想円Qx1,Qx3の電位、および基準点Px0から仮想円Qx1,Qx3までの距離(半径r1,r3)に基づいて測定対象体Xのシート抵抗を演算する(仮想円Qx1を第1仮想円とし、仮想円Qx3を第2仮想円としたシート抵抗測定方法の例)。さらに、制御部5は、仮想円Qx2,Qx3上の電位、および基準点Px0から仮想円Qx2,Qx3までの距離(半径r2,r3)に基づいて測定対象体Xのシート抵抗を演算する(仮想円Qx2を第1仮想円とし、仮想円Qx3を第2仮想円としたシート抵抗測定方法の例)。次いで、制御部5は、3つの演算処理によって得られた演算結果の平均値を測定ポイントX1のシート抵抗として演算する。また、制御部5は、測定ポイントX2〜X8についても、上記の測定ポイントX1についての一連の演算処理と同様の手順でシート抵抗をそれぞれ演算する。これにより、測定対象体Xのシート抵抗を測定する一連の処理が完了する。
Therefore, the
このように、このシート抵抗測定装置1、およびシート抵抗測定装置1によるシート抵抗測定方法では、基準点(第1接点:この例では、プローブP0の接触位置)を中心とする第1仮想円(プローブユニット2における仮想円Q1に対応する円)上に規定された3箇所以上の測定点(第3接点:一例として、プローブPa1〜Pc1の各接触位置)について基準点に対する電位(基準点との間の電位)をそれぞれ測定する第1測定処理と、上記の第1仮想円と同心で第1仮想円とは半径が相違する第2仮想円(プローブユニット2における仮想円Q2に対応する円)上に規定された3箇所以上の測定点(第3接点:一例として、プローブPa2〜Pc2の各接触位置)について基準点に対する電位(基準点との間の電位)をそれぞれ測定する第2測定処理とを実行し、第1測定処理によって測定された複数の電位に基づいて基準点に対する第1仮想円上の電位を演算する第1演算処理と、第2測定処理によって測定された複数の電位に基づいて基準点に対する第2仮想円上の電位を演算する第2演算処理とを実行すると共に、演算した2つの電位と測定処理時に供給した直流電流の電流値とに基づいて測定対象体Xのシート抵抗を演算する。
Thus, in the sheet
したがって、このシート抵抗測定装置1、およびシート抵抗測定装置1によるシート抵抗測定方法によれば、基準点に対して互いに相違する方向に位置する第1仮想円上の3箇所の測定点において測定された電位に基づいて演算した値(この例では、各電位の平均値)を基準点に対する第1仮想円上の電位とし、基準点に対して互いに相違する方向に位置する第2仮想円上の3箇所の測定点において測定された電位に基づいて演算した値(この例では、各電位の平均値)を基準点に対する第2仮想円上の電位とすることで、測定対象体Xの形状に起因して、各測定点から測定対象体Xの外縁までの各距離が同一でない場合であっても、これらの距離の相違に起因する直流電流の流れ方の相違の影響を平均化できるため、測定点毎に測定値を補正する煩雑な補正処理を実行することなく、測定対象体Xのシート抵抗を正確に測定する(演算する)ことができる。
Therefore, according to the sheet
また、このシート抵抗測定装置1、およびシート抵抗測定装置1によるシート抵抗測定方法によれば、上記の第1測定処理および第2測定処理時に所定の測定点についての電位を測定する際に、基準点を中心とする第3仮想円(この例では、プローブユニット2における仮想円Q4に対応する円)上に規定された複数箇所の流出点(この例では、プローブPa4〜Pc4の各接触位置)のうちの所定の測定点に最も近い流出点と基準点との間に直流電流を供給することにより、各測定点毎に電位を測定する際に基準点および測定点に対する流出点の位置関係が大きく相違する状態となる事態を回避することができるため、位置関係の相違に起因する測定値の相違の影響を十分に小さくすることができる結果、測定対象体Xのシート抵抗を一層正確に測定する(演算する)ことができる。
Further, according to the sheet
さらに、このシート抵抗測定装置1、およびシート抵抗測定装置1によるシート抵抗測定方法によれば、上記の第1測定処理時における各測定点を第1仮想円上に等角度間隔で規定すると共に、第2測定処理時における各測定点を第2仮想円上に等角度間隔で規定したことにより、基準点に対して各測定点が一方向寄りに集中している状態と比較して、各仮想円上の3箇所の測定点(各第3接点)と測定対象体Xの外縁部との間の距離が同一でないことに起因する測定値の相違の影響を十分に小さくすることができる。
Furthermore, according to the sheet
また、このシート抵抗測定装置1、およびシート抵抗測定装置1によるシート抵抗測定方法によれば、プローブP0およびプローブPa4〜Pc4が上記の基準点および流出点にそれぞれ接触し、かつプローブPa1〜Pc1,Pa2〜Pc2,Pa3〜Pc3が各測定点にそれぞれ接触するように各プローブPが配設されたプローブユニット2を備えたことにより、例えばフライングプローブを基準点、流出点および測定点にそれぞれ接触させる構成および方法と比較して、各測定点毎の電位の測定の都度、プローブの移動を不要にできる分だけ、一連の測定処理に要する時間を十分に短縮することができる。
Further, according to the sheet
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、基準点(第1接点)を中心とする仮想円上に規定された3箇所の測定点(第3接点)に接触可能に配設したプローブPa1〜Pc1,プローブPa2〜Pc2,プローブPa3〜Pc3を有するプローブユニット2を備えたシート抵抗測定装置1、およびそのシート抵抗測定方法について説明したが、仮想円上に規定された4箇所以上の測定点(第3接点)に接触可能に複数のプローブを配設することができる。
In addition, this invention is not limited to said structure and method. For example, probes Pa1 to Pc1, probes Pa2 to Pc2, and probes Pa3 arranged to be able to contact three measurement points (third contacts) defined on a virtual circle centered on a reference point (first contact). Although the sheet
具体的には、図4に示すプローブユニット2aは、一例として、プローブPa1〜Pa7,Pb1〜Pb7・・Pg1〜Pg7(以下、区別しないときには「プローブP」ともいう)の49本のプローブPが7×7のマトリクス状に配設されて構成されている。なお、このプローブユニット2a、およびプローブユニット2aを備えたシート抵抗測定装置1において上記のプローブユニット2およびシート抵抗測定装置1と同一の機能を有する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。このプローブユニット2aでは、一例として、その中心部に配設されたプローブPd4を測定対象体Xの一面に規定された基準点(「第1接点」の他の一例:図示せず)に接触させた状態において、その基準点を中心とする仮想円(同図に示す仮想円Q1〜Q4に対応する円:以下、「仮想円Qx1〜Qx4」ともいう)上に規定された4箇所の測定点(「3箇所以上の測定点」の他の一例:図示せず)に各プローブPをそれぞれ接触させることができるように構成されている。
Specifically, the
より具体的には、このプローブユニット2aでは、例えば仮想円Qx1を第1仮想円とする測定処理時には、プローブPd4を中心とする半径r1の仮想円Q1上に位置するプローブPd3,Pc4,Pd5,Pe4の4本のプローブPの接触位置をそれぞれ測定点(第3接点)とし、かつ、プローブPd4を中心とする半径r5の仮想円Q5上に位置するプローブPd1,Pa4,Pd7,Pg4の接触位置のうちの各測定点に最も近い位置を流出点(第2接点)として一連の処理を実行可能に構成されている。また、例えば仮想円Qx2を第2仮想円(または、第1仮想円)とする測定処理時には、プローブPd4を中心とする半径r2の仮想円Q2上に位置するプローブPc3,Pc5,Pe5,Pe3の4本のプローブPの接触位置をそれぞれ測定点(第3接点)とし、かつ、プローブPd4を中心とする半径r6の仮想円Q6上に位置するプローブPa1,Pa7,Pg7,Pg1の接触位置のうちの各測定点に最も近い位置を流出点(第2接点)として一連の処理を実行可能に構成されている。
More specifically, in the
さらに、例えば仮想円Qx3を第1仮想円(または、第2仮想円)とする測定処理時には、プローブPd4を中心とする半径r3の仮想円Q3上に位置するプローブPd2,Pb4,Pd6,Pf4の4本のプローブPの接触位置をそれぞれ測定点(第3接点)とし、かつ、プローブPd4を中心とする半径r5の仮想円Q5上に位置するプローブPd1,Pa4,Pd7,Pg4の接触位置のうちの各測定点に最も近い位置を流出点(第2接点)として一連の処理を実行可能に構成されている。また、例えば仮想円Qx4を第2仮想円とする測定処理時には、プローブPd4を中心とする半径r4の仮想円Q4上に位置するプローブPb2,Pb6,Pf6,Pf2の4本のプローブPの接触位置をそれぞれ測定点(第3接点)とし、かつ、プローブPd4を中心とする半径r6の仮想円Q6上に位置するプローブPa1,Pa7,Pg7,Pg1の接触位置のうちの各測定点に最も近い位置を流出点(第2接点)として一連の処理を実行可能に構成されている。 Further, for example, during the measurement process in which the virtual circle Qx3 is the first virtual circle (or the second virtual circle), the probes Pd2, Pb4, Pd6, Pf4 positioned on the virtual circle Q3 having the radius r3 centered on the probe Pd4 are used. Of the contact positions of the probes Pd1, Pa4, Pd7, and Pg4 located on the virtual circle Q5 having the radius r5 centered on the probe Pd4, the contact positions of the four probes P are the measurement points (third contact points), respectively. A series of processes can be executed with the position closest to each measurement point as an outflow point (second contact point). Further, for example, in the measurement process in which the virtual circle Qx4 is the second virtual circle, the contact positions of the four probes P, which are the probes Pb2, Pb6, Pf6, and Pf2, located on the virtual circle Q4 with the radius r4 centered on the probe Pd4. Are the measurement points (third contact points), and the position closest to each measurement point among the contact positions of the probes Pa1, Pa7, Pg7, Pg1 located on the virtual circle Q6 with the radius r6 centered on the probe Pd4 Is configured to be able to execute a series of processes with the outflow point (second contact point).
この場合、上記したように、このプローブユニット2aでは、各プローブPがマトリクス状に配設されている。したがって、プローブPd3,Pc4,Pd5,Pe4の各接触位置(各測定点)は、プローブPd4の接触位置(基準点)に対して等角度間隔で位置することとなり、プローブPc3,Pc5,Pe5,Pe3の各接触位置(各測定点)は、プローブPd4の接触位置(基準点)に対して等角度間隔で位置することとなり、プローブPd2,Pb4,Pd6,Pf4の各接触位置(各測定点)は、プローブPd4の接触位置(基準点)に対して等角度間隔で位置することとなり、プローブPb2,Pb6,Pf6,Pf2の各接触位置(各測定点)は、プローブPd4の接触位置(基準点)に対して等角度間隔で位置することとなる。したがって、このプローブユニット2aを用いたシート抵抗測定方法によれば、上記のプローブユニット2を用いたシート抵抗測定方法と同様の効果を奏することができる。
In this case, as described above, in the
さらに、第1仮想円上の3箇所の第3接点および第2仮想円上の3箇所の第3接点に各プローブPをそれぞれ接触させる構成のプローブユニット2や、第1仮想円上の4箇所の第3接点および第2仮想円上の4箇所の第3接点に各プローブPをそれぞれ接触させる構成のプローブユニット2aを用いて各第3接点の電位を測定する例について説明したが、第1仮想円上の第3接点(測定点)の数と、第2仮想円上の第3接点(測定点)の数を互いに相違する数に規定して各第3接点の電位を測定する構成および方法を採用することもできる。また、複数の流出点にそれぞれ接触させる複数のプローブPと、各測定点にそれぞれ接触させる複数のプローブPとを有するプローブユニット2,2aを備えたシート抵抗測定装置1、およびそのシート抵抗測定方法について説明したが、基準点(第1接点)に接触させるプローブ、流出点(第2接点)に接触させるプローブ、および測定点(第3接点)に接触させるプローブの少なくとも3本のフライングプローブを用いてシート抵抗を測定する構成および方法を採用することもできる。この場合、流出点に接触させるプローブ、および測定点に接触させるプローブを複数本とすることにより、シート抵抗の測定処理に要する時間を十分に短縮することができる。
Furthermore, the
また、上記のプローブユニット2,2aを用いたシート抵抗測定方法において、電流供給点および電流流出点を入れ替えて、上記の例示における流出点から基準点に向かって直流電流を供給しつつ、各測定点毎の電位を測定することもできる。さらに、上記のプローブユニット2,2aを用いたシート抵抗測定方法では、基準点(第1接点)に対する測定点(第3接点)の向きと、基準点(第1接点)に対する流出点(第2接点)の向きとを一致させている(基準点、測定点および流出点が一直線上に位置するように規定している)が、基準点および測定点に対する流出点の位置は、この例に限定されない。また、複数の流出点を規定すると共に各測定点毎の電位の測定に際して最も近い流出点を利用する例について説明したが、複数の流出点を規定する場合において、各測定点に対して最も近い流出点以外の流出点を利用することもできるし、例えば測定対象体X上に規定した1箇所の流出点を共通的に利用することもできる。さらに、測定用電流として直流電流を供給する例について説明したが、直流電流に代えて交流電流を測定用電流として供給して各電位を測定する構成および方法を採用することもできる。加えて、上記のシート抵抗測定方法に従って測定したシート抵抗の値に測定対象体Xの厚みを乗じて測定対象体Xの体積抵抗率を求める体積抵抗率測定装置および体積抵抗率測定方法に本願発明の上記の各構成および方法を採用することもできる。
Further, in the sheet resistance measurement method using the
1 シート抵抗測定装置
2,2a プローブユニット
3 移動機構
4 測定部
5 制御部
6 記憶部
P0,Pa1〜Pa7,Pb1〜Pb7,Pc1〜Pc7,Pd1〜Pd7,Pe1〜Pe7,Pf1〜Pf7,Pg1〜Pg7 プローブ
Px0 基準点
Q1〜Q6,Qx1〜Qx3 仮想円
r1〜r6 半径
X 測定対象体
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記測定処理部は、前記第1接点を中心とする第1仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第1測定処理と、前記第1仮想円と同心で当該第1仮想円とは半径が相違する第2仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第2測定処理とを実行し、
前記演算処理部は、前記第1測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第1仮想円上の電位を演算する第1演算処理と、前記第2測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第2仮想円上の電位を演算する第2演算処理とを実行すると共に、前記演算した2つの電位と前記電流値とに基づいて前記シート抵抗を演算するシート抵抗測定装置。 A first probe brought into contact with a first contact defined on one surface of the measurement object, a second probe brought into contact with a second contact defined on the one surface, and a third contact defined on the one surface A third probe to be measured, and a current for measurement is supplied between the first contact and the second contact via the first probe and the second probe, and the first probe and the third probe And measuring the sheet resistance of the measurement object based on the measurement result of the measurement processing unit and the current value of the current for measurement, and measuring the potential between the first contact and the third contact A sheet resistance measuring device including an arithmetic processing unit,
The measurement processing unit includes a first measurement process for measuring the potential at three or more third contacts defined on a first virtual circle centered on the first contact, and the first virtual circle, Performing a second measurement process for measuring the potential at each of the three or more third contacts defined on a second virtual circle that is concentric and has a radius different from that of the first virtual circle,
The calculation processing unit includes a first calculation process for calculating a potential on the first virtual circle with respect to the first contact based on the plurality of potentials measured by the first measurement process, and a second measurement process. And a second calculation process for calculating a potential on the second virtual circle with respect to the first contact based on the plurality of measured potentials, and based on the two calculated potentials and the current value. A sheet resistance measuring device for calculating the sheet resistance.
前記測定処理として、前記第1接点を中心とする第1仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第1測定処理と、前記第1仮想円と同心で当該第1仮想円とは半径が相違する第2仮想円上に規定された3箇所以上の前記第3接点について前記電位をそれぞれ測定する第2測定処理とを実行し、前記演算処理として、前記第1測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第1仮想円上の電位を演算する第1演算処理と、前記第2測定処理によって測定された複数の前記電位に基づいて前記第1接点に対する前記第2仮想円上の電位を演算する第2演算処理とを実行すると共に、前記演算した2つの電位と前記電流値とに基づいて前記シート抵抗を演算するシート抵抗測定方法。 The first probe is brought into contact with the first contact defined on one surface of the measurement object, the second probe is brought into contact with the second contact defined on the one surface, and the third probe is contacted with the third contact defined on the one surface. And the measurement current is supplied between the first contact and the second contact via the first probe and the second probe, and the measurement probe is connected via the first probe and the third probe. Arithmetic process for measuring a potential between the first contact and the third contact and calculating a sheet resistance of the measurement object based on a measurement result of the measurement process and a current value of the measurement current A sheet resistance measuring method for performing
As the measurement process, a first measurement process for measuring the potential at each of three or more third contacts defined on a first virtual circle centered on the first contact, and a concentricity with the first virtual circle And the second measurement process for measuring the potential at each of the three or more third contacts defined on the second virtual circle having a radius different from that of the first virtual circle, and as the calculation process, A first calculation process for calculating a potential on the first virtual circle with respect to the first contact based on the plurality of potentials measured by the first measurement process, and a plurality of the plurality of measurements measured by the second measurement process And a second calculation process for calculating a potential on the second virtual circle with respect to the first contact based on the potential, and calculating the sheet resistance based on the two calculated potentials and the current value. Sheet Anti-measurement method.
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