JP5778148B2 - 多環式炭水化物を含む電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、ナノダイヤモンドイドと機能性有機化合物とを含む組成物であって、種々の電子デバイスにおいて使用することができる組成物に関する。本発明は、更に、１または１以上の有機機能層を含む電子デバイス、特に、発光ダイオードに関し、ここにおいて、少なくとも１つの層は少なくとも１つのナノダイヤモンドイド化合物を含む。本発明のもう１つの実施形態は、ナノダイヤモンドイド化合物を含む配合物であって、当該配合物から、少なくとも１つのナノダイヤモンドイド化合物を含む薄層が形成される配合物に関する。

２０年来、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、ディスプレイにおけるそれらの潜在的効果および照明利用のために多大な注目を受けている。ＯＬＥＤは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して幾つかの魅力的な特徴を有する。それらは、ＬＣＤと比べて、例えば、高い色彩豊富性、軽重量、広い視野角、ハイコントラストおよび低い消費電力により特徴付けられる。

飛躍的な進歩が、蒸発性小分子に基づくＯＬＥＤおよび可溶性ポリマーに基づくＯＬＥＤの両者に関するＯＬＥＤ研究開発においてなされた。しかしながら、ＯＬＥＤは依然として短い寿命に悩まされている。更に、ＯＬＥＤの適用は、高い駆動電圧を必要とする。一般的な照明市場における発光ダイオード（ＬＥＤ）との首尾よい競争のために、ＯＬＥＤの電力効率を低減する必要がある。

両側面は互いに密接な関係がある。駆動電圧の低減は、常に電力効率の増大を導き、通常、改善された寿命をもたらす。また、ディスプレー適用のためには、設計を維持することが可能な限り低い駆動電圧と、可能な限り容易なバックプレーンの製造とを維持することが不可欠である。今までのところ、幾つかの方法が駆動電圧を低減することを約束している：
１）キューウック（Ｋｙｕｗｏｏｋ）らは、例えば、ＬｉＦなどのフッ化物と金属とを使用する組み合わせカソードを使用した（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００３，８３，２９４９−２９５１）。しかしながら、そのようなカソードの欠点は、それがユニバーサルなカソードではないことであり、即ち、それは選択された物質とのみ機能する。例えば、ＬｉＦ／ＡｌカソードおよびＢａ／Ａｌカソードは両者とも、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）のためには役に立たない。

２）ノバレッド（Ｎｏｖａｌｅｄ）社により開発されたピン構造を有するＯＬＥＤは、正孔輸送層（ＨＴＬ）若しくは電子輸送層（ＥＴＬ）の何れか、またはその両方が電気的にドープされる。総括がレオ（Ｌｅｏ）らにより提供されている（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７，１０７，１２３３−１２７１）。この技術を使用すると、駆動電圧は低減する。しかしながら、ドーパント、即ち、ｐ−およびｎ−ドーパントの両方が完全に反応性であり、酸素に対する感受性が強い。従って、大量生産において細部に亘り信頼性を保証することが難しい。

３）ヒーガー（Ｈｅｅｇｅｒ）らにより報告されるような発光電気化学セル（ＬＥＣ）は（Ｓｃｉｅｎｃｅ，１９９５，２６９，１０８６−１０８８）は、低電圧デバイスのための代替的なアプローチを提案するものであり、インサイチューｐｎ接合が電解液からの可動性イオンのドリフトを経て形成され、発光ポリマーと混合される。しかしながら、ｐｎ接合を形成するための時間がやや長く、ディスプレー適用のためにＬＥＣを使用することを妨げる。

従って、更に従来技術の欠点を克服するための代替的なアプローチを提供する必要がある。電気光学デバイスの電力効率は、適切な電極を提供することにより最適化される必要がある。加えて、電極は、費用効率性および信頼性のある製造プロセスの確立するために安定でなくてはならない。

従って、本発明の目的は、ＯＬＥＤおよび他の光電子デバイスの駆動電圧を低減するための代替的なアプローチを提供することであった。物質の安定性および製造プロセスの信頼性もまた、このアプローチおよび本発明の目的の重要な要素である。

近年、シュナイダー（Ｓｃｈｒｅｉｎｅｒ）らにより報告されたように、ナノダイヤモンドイドは注目を集めている（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００８，４７，１０２２−１０３６）。シュナイダーらに従うと、ナノダイヤモンドイドは、ナノダイヤモンド粉末とは対照的に高純度を有する正確に定義された化学構造を有する。著者は、ナノダイアモンド粉末を異性体の混合物または広範なサイズ分布を有する異なる化合物の混合物とさえ定義する。ナノダイヤモンドイドは、天然源（例えば、石油、天然ガスまたは堆積物）から単離されるかまたは化学合成されるかの何れであってよく、幾つかの興味深い特性を有する。例えば、それらは負電子親和性を有し、単色性の電子エミッタとなる官能性のテトラマンタンに関与するものである（Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００７，３１６，１４６０−１４６２）。ナノダイヤモンドイドは、薬理学的な適用のためにまたはポリマー化学の分野において、ガス濃縮物またはガソリンなどの石油製品のためのフィンガープリントとして適用することが提案されている。

クレイら（Ｃｌａｙ、Ｎａｎｏ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００９，９，５７−６１）およびドランモンド（Ｄｒｕｍｍｏｎｄ、Ｎａｔｕｒｅ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００７，２，４６２−４６３）は、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）のためにナノダイヤモンドイドの適用を提案した。またＦＥＤは、フラットパネルディスプレイ技術であるが、ＯＬＥＤとは対照的に、ＦＥＤは大領域の電子源を使用し、カラー画像を作るためにカラー発光体に衝突する前に真空を通過して移動する電子を提供する。

驚くべきことに、ＯＬＥＤなどの電気デバイスの駆動電圧が、ナノダイヤモンドイドの使用により低減できることが見出された。

従って、本発明は、少なくとも１つのダイヤモンドイドおよび少なくとも１つの有機機能性物質を含む組成物に関する。

用語、有機機能性物質は、その機能が有機溶媒の機能を超える少なくとも１つの有機化合物または有機金属化合物を含む何れかの物質に関する。機能性化合物は、好ましくは、例えば、発光および吸収化合物、磁気的に活性な化合物、バリアを通過する侵入を促進する化合物、安定化化合物、テンサイド（ｔｅｎｓｉｄｅ）および保存剤を含む光活性化合物から選択されてよい。

特に好ましい機能性化合物は、これらに制限するものではないが、導電体、半導体、染料、フルオレッセンス化合物、フォスフォレッセント化合物、光吸収化合物、光センシング化合物、光増感剤および他の光活性化合物が選択される。

有機機能性物質は、更に、溶媒、溶媒の混合物、または有機若しくは有機金属化合物の機能を補助若しくは可能にする他の有機若しくは無機成分を含んでもよい。

有機機能性物質は、小分子、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマー、それらの混成物または混合物の群から選択されてもよい。

ここにおいて使用されるとき、用語、小分子は、ポリマー、オリゴマー、デンドリマーまたは混成物ではない分子と定義される。特に、繰り返し構造は小分子においては存在しない。小分子の分子量は、典型的にオリゴマーまたはそれ以下の低い数の繰り返し単位を有するポリマーの範囲にある。

小分子の分子量は、好ましくは５０００ｇ／ｍｏｌ以下、特に好ましくは４０００ｇ／ｍｏｌ以下、および特に非常に好ましくは３０００ｇ／ｍｏｌ以下である。

本発明のポリマーは、好ましくは１０〜１００００、特に好ましくは２０〜５０００および特に非常に好ましくは５０〜２０００の繰り返し単位を有する。本発明に従うオリゴマーは、好ましくは２〜９の繰り返し単位を有する。ポリマーおよびオリゴマーの枝分れ指数は０（枝分れなしの線状のポリマー）〜１（完全に枝分れしたデンドリマー）である。ここで使用するとき、用語、デンドリマーは、Ｍ．フィッシャーらに従い定義される（Ｍ．Ｆｉｓｃｈｅｒ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９９，３８，８８５）。

本発明のポリマーの分子量Ｍ_Ｗは、好ましくは１００００〜２００００００ｇ／ｍｏｌの範囲、特に好ましくは１０００００〜１５０００００ｇ／ｍｏｌの範囲、特に非常に好ましくは２０００００〜１００００００ｇ／ｍｏｌの範囲である。Ｍ_ｗの測定は、当業者に公知の標準技術に従い、例えば、ポリスチレンを内部標準として用いるゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を使用することにより行われてよい。

混成物は、少なくとも１つのポリマー成分を含む混合物である。混成物のための好ましいマトリックス物質は、これらに制限されるものではないが、ＣＢＮ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾイルビフェニル）、カルバゾール（例えば、ＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７およびＤＥ１０２００７００２７１４に従う）、アザカルバゾール（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４およびＪＰ２００５／３４７１６０に従う）、ケトン（例えば、ＷＯ０４／０９３２０７に従う）、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、ＷＯ０５／００３２５３に従う）、オリゴフェニレン、芳香族アミン（例えば、ＵＳ２００５／００６９７２９に従う）、マトリックスのための双極性物質（例えば、ＷＯ０７／１３７７２５に従う）、シラン（例えば、ＷＯ０５／１１１１７２に従う）、９，９−ジアリールフルオレン誘導体（例えば、ＤＥ１０２００８０１７５９１に従う）およびアザボロールまたはボロニックエステル（ｂｏｒｏｎｉｃ ｅｓｔｅｒｓ）（例えば、ＷＯ０６／１１７０５２に従う）から選択される。

本発明の好ましい実施形態において、組成物は、水素終端または官能化された少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む。ナノダイヤモンドイド骨格の何れの変形も官能化であると認められる。好ましい官能化は、ナノダイヤモンドイド骨格の１または１以上の炭素原子の非炭素原子での置換または原子群での置換、ナノダイヤモンドイド骨格への二重結合の導入、および少なくとも１つの水素原子の置換である。

官能化は、ナノダイヤモンドイドの何れの位置で生じてもよく、好ましい位置は、ダイヤモンドイドの外面上の原子位置である。官能化のための好ましい位置は、例えば、ＷＯ２００７／１０１５３５、ＷＯ２００７／０６５４０９、ＷＯ２００６／１０３６２およびＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．，Ｉｎｔ．Ｅｄ（０８）、４７、１０２２−１０３６に提示される。アダマンタンの場合において、官能化のための好ましい位置は、１、３、５および／または７位である。ジアマンタンの場合において、好ましい位置は１、４、６および／または９位である。テトラマンタンの好ましい位置の１つは、例えば、６位である。

ナノダイヤモンドイドは、炭素骨格の１または１以上の位置において官能化されてよい。

また用語、官能化は、ナノダイヤモンドイドの非共有性の変化を含み、好ましくは疎水性相互作用、π相互作用およびファンデルワールス相互作用、これはまた常在性の双極子と誘導性の双極子の間の力、および即時誘導性の双極子と誘導性の双極子との間の力（ロンドン分散力）を含む相互作用によるナノダイヤモンドイドの非共有性の変化を含む。

また用語、官能化は、官能化ナノダイヤモンドイドと更なる原子的実体または分子的実体との間の非共有性の相互作用を含み、好ましくは水素結合、双極子−双極子相互作用、イオン性相互作用、分子複合体の形成、π相互作用、疎水性の相互作用およびファンデルワールス力による相互作用を含む。

ナノダイヤモンドイドは、好ましくは線状または枝分れしたアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、芳香族、環式、複素環式炭水化物（環式炭化水素）基、およびＷＯ２００７／１０１５３５において開示されたようなダイヤモンドイドの群からの炭化水素のホルムアミドにより官能化されてよい。

更に好ましく官能化されたナノダイヤモンドイドは、ＷＯ２００７／０６５４０９に従い製造されてよく、カルボキシル化誘導体、ニトロオキシレート化誘導体（−ＯＮＯ_２）および／またはメチル化誘導体を含む。

好ましい官能化ナノダイヤモンドイドは更に、ＷＯ２００６／１０３６２に記載され、例えば、−ＯＨ、−Ｏ⁻、−ＳＨ、−Ｓ⁻、置換されたチオール、−ＳＯＨ、−ＳＯ_３Ｈ、−ＮＯ、−ＮＯ_２、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＨ_２、置換されたアミン、−ＣＨＯ、−ＣＯＯＨ、エステル、−Ｏ（ＣＨＯ）、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＯＯＨ、不飽和脂肪酸、アリールおよびヘテロアリールからなる選択される基を含む。

−ＯＨ、−Ｏ⁻、−ＳＨ、−Ｓ⁻、置換されたチオール、−ＮＯ_２、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＨ_２、置換されたアミン、−ＣＨＯ、−ＣＯＯＨ、エステル、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＣＯＯＨ、不飽和脂肪酸、アリールおよびヘテロアリールでの官能化は特に好ましい。

−ＳＨ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨおよび−ＮＨ_２での官能化は特に非常に好ましい。

官能化されたナノダイヤモンドイドは、例えば、Ｗ．Ｌ．ヤングらにより考察されたような自己集合層として製造されてもよい（Ｗ．Ｌ．Ｙａｎｇ、Ｓｃｉｅｎｃｅ、２００７、３１６、１４６０−１４６２）。ナノダイヤモンドイドの官能化のための更なる例は、例えば、以下に見つけることができる（Ｇｅｒｚｏｎ Ｋｏｅｒｔ，Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．１９６７，１０，６０−６０６，ＥＰ０３９２０５９およびＤＥ１０２００６００９２７９）。

本発明の好ましい組成物は、これらに制限されるものではないが、アダマンタン（式１）、ジアマンタン（式２）、トリアマンタン（式３）、テトラマンタン（式４および５）、ペンタマンタン（式６および７）、シクロヘキサマンタン（式８）、デカマンタン（式９）、高次ダイアモンドイド（例えば、式１０〜５６）およびその異性体および 類似体から選択される少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む。

本発明の異性体は、立体配置異性、構造異性、縮退転移、鏡像異性、インアウト異性、立体異性または互変異性を含む何れの種類の異性を示してもよい。加えて、多形構造体もまた、異性体の種類に属すると看做される。多形構造体は、分子的実体の異なる結晶構造および非晶質構造、並びに水和物および溶媒和物を含む。

本発明の特に好ましい組成物は、これらに制限するものではないが、アダマンタン（式１）、ジアマンタン（式２）、トリアマンタン（式３）、テトラマンタン（式４および５）、ペンタマンタン（式６および７）、シクロヘキサマンタン（式８）およびデカマンタン（式９）から選択される少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む。

ナノダイヤモンドイドは、何れの位置において何れの基（Ｒ）_ｎにより官能化されてもよく、ここにおいてｎは好ましくは０、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０であり、特に好ましくはｎは０、１、２、３、４または５であり、特に非常に好ましくはｎは０または１である。

好ましい実施形態において、（Ｒ）_ｎで官能化されたナノダイヤモンドイドは式１〜５６を有する骨格を有する。

組成物は、１０〜９０ｗｔ％、好ましくは２０〜８０ｗｔ％、特に好ましくは２０〜５０ｗｔ％および特に非常に好ましくは２０〜４０ｗｔ％の濃度で少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む。

本発明の組成物は、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドに加えて、更に、少なくとも１つの有機機能性物質を含んでもよく、それはホスト物質、発光物質（ＥＭ）、正孔注入物質（ＨＩＭ）、正孔輸送物質（ＨＴＭ）、正孔阻止物質（ＨＢＭ）、電子注入物質（ＥＩＭ）、電子輸送物質（ＥＴＭ）、電子阻止物質（ＥＢＭ）、エキシトン阻止物質（ＥｘＢＭ）、光吸収物質、染料および金属錯体から選択される。

本発明の組成物は、１〜９０ｗｔ％、好ましくは２０〜８０ｗｔ％、特に好ましくは５０〜８０ｗｔ％および特に非常に好ましくは６０〜８０ｗｔ％のホスト物質、ポリマー性発光物質、ＨＩＭ、ＨＴＭ、ＨＢＭ、ＥＩＭ、ＥＴＭ、ＥＢＭ、ＥｘＢＭおよび光吸収物質を含む。

好ましい実施形態において、前記組成物は、２つの有機機能性物質を含み、第１の有機機能性物質は、低分子量の発光物質、染料、燐光エミッタとしての金属錯体から選択され、第２の有機機能性物質は、好ましくはホスト物質から選択される。前記第１の有機機能性物質は、０．１〜３０ｗｔ％、好ましくは１〜２５ｗｔ％、特に好ましくは２〜２０ｗｔ％および特に非常に好ましくは５〜１５ｗｔ％の濃度を有する。

有機機能性物質または有機半導体について、重要な特徴は、結合エネルギーであり、これは電子エネルギー準位の真空準位、特に最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）および最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）準位に関して測定される。これらの軌道準位は、例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）および紫外線光電子分光法（ＵＰＳ）などの光子放出により、または例えば、酸化還元についてのシクロボルタンメトリー（ＣＶ）などにより測定されてよい。当該分野においては、絶対エネルギー準位が使用される方法に依存すること、および例えば、同じ方法のための評価方法であってさえ、例えば、曲線状のＣＶにおける開始点とピーク点では異なる値をもたらすことが十分に理解される。従って、妥当な比較が、同じ測定方法の同じ評価方法によりなされるべきである。最近になって、量子化学計算、例えば、密度関数理論（ＤＦＴ）が、分子軌道、特に、被占分子軌道を計算するために確立された方法となっている。

一重項準位は、ＵＶ／ＶＩＳ分光法および／または蛍光分光法により測定されてよい。三重項準位は、低温でのフォトルミネッセンス分光法により測定されてよい。更にまた一重項および三重項準位は時間依存性ＤＦＴにより計算されてもよい。

また本発明の組成物は、少なくとも１つの発光物質を有機機能性物質として含む。

好ましい実施形態において、本発明の組成物は、電気放出物質が少なくとも１つのホスト物質および少なくとも１つのエミッタ物質を含み、ホスト物質が、アントラセン、ベンズアントラセン、ケトン、カルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする。

特に好ましい実施形態において、本発明の組成物は、発光物質が、少なくとも１つのホスト物質および少なくとも１つのエミッタ物質を含み、ホスト物質がアントラセン、ベンズアントラセン、ケトン、カルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、チオフェンおよびトリアジンから選択されることを特徴とする。

本発明のもう１つの好ましい実施形態において、発光物質は、少なくとも１つのホスト物質および少なくとも１つのエミッタ物質を含む。

本発明のもう１つの実施形態において、発光物質は、ホスト物質がアントラセン、ベンズアントラセン、ケトン、カルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、その異性体および誘導体から選択される。

また発光物質は、以下に記載される通りの金属錯体から選択されてもよい。

特に好ましいものは、２つのホスト物質を含む発光物質であり、特に非常に好ましくは発光物質は１つのホスト物質を含む。

特に好ましいものは２つのエミッタ物質を含む発光物質であり、特に非常に好ましくは発光物質は１つのエミッタ物質を含む。

用語、エミッタは、他の構成単位からのエネルギー移動によるエキシトンエネルギーの受け取りにおいて、または電気的または光学的の何れかでエキシトンを形成することにより、発光のために放射崩壊を被る物質または構成単位をいう。

ホスト物質は、一般的に、エミッタ物質に比べて最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）との間により大きなエネルギーギャップを有する。加えて、ホスト物質は、電子輸送物質または正孔輸送物質の何れかとして振る舞う。またホスト物質は、電子輸送特性および正孔輸送特性の両方を有してよい。

一重項遷移が主にＯＬＥＤにおけるフォトルミネッセンスに関与する場合、ホスト物質のフォトルミネッセンススペクトルとエミッタの吸収スペクトルとの間の最大限のオーバーラップが極めて望ましい。これがホスト物質からエミッタへのエネルギー移動を保証する。

この目的のために適切なホスト物質は、種々のクラスの物質からの物質である。好ましいホスト物質は、オリゴアリーレン（例えば、ＥＰ６７６４６１に従う２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレンまたはジナフチルアントラセン）、特に、縮合された芳香族基、例えば、フェナントレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレン、スピロフルオレン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、デカサイクレン、ルブレンなどを含むオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（例えば、ＥＰ６７６４６１に従う４，４’−ビス（２，２−ジフェニルエテニル）−１，１’−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）または４，４−ビス−２，２−ジフェニルビニル−１，１−スピロビフェニル（スピロ−ＤＰＶＢｉ）)、ポリポダル金属錯体（例えば、ＷＯ０４／０８１０１７に従う)、特に、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、例えば、アルミニウム（ＩＩＩ）トリス（８−ヒドロキシキノリン）（アルミニウムキノレート、Ａｌｑ_３）またはビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノリノラト)アルミニウム、またイミダゾールキレート（ＵＳ２００７／００９２７５３ Ａ１）およびキノリン−金属錯体を含み、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン−金属錯体、正孔伝導化合物（例えば、ＷＯ０４／０５８９１１に従う)、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドなど（例えば、ＷＯ０５／０８４０８１およびＷＯ０５／０８４０８２に従う）、アトロプ異性体（例えば、ＷＯ０６／０４８２６８に従う）、ボロン酸誘導体（例えば、ＷＯ０６／１１７０５２に従う）またはベンズアントラセン（例えば、ＤＥ１０２００７０２４８５０）から選択される。特に好ましいホスト物質は、オリゴアリーレンのクラスから選択され、それは、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセンおよび／またはピレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドを含む。特に非常に好ましいホスト物質は、オリゴアリーレンのクラスから選択され、アントラセン、ベンズアントラセンおよび／またはピレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体を含む。本発明の目的のために、オリゴアリーレンは、そこにおいて少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基が互いに結合している化合物を意味すると解されることが意図される。

好ましいホスト物質は、特に、式５７の化合物から選択される：
Ａｒ^４−（Ａｒ^５）_ｐ−Ａｒ^６ 式５７
ここにおいて、
Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６は、それぞれの存在において、同じまたは異なる５〜３０の芳香族環原子を有するアリールまたはヘテロアリールであり、それは１または１以上の基により置換されてもよく、
ｐは１、２または３であり、
Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６におけるπ電子の合計は、ｐ＝１の場合には少なくとも３０であり、ｐ＝２の場合には少なくとも３６であり、ｐ＝３の場合には少なくとも４２である。

式５７のホスト物質において、Ａｒ^５がアントラセンを表し、それは１または１以上のＲ^１基により置換されてよく、Ａｒ^４およびＡｒ^６が９および１０位で結合されていることが特に好ましい。特に非常に好ましくは、Ａｒ^４および／またはＡｒ^６基の少なくとも１つが１−または２−ナフチル、２−、３−または９−フェナントレニルまたは２−、３−、４−、５−、６−または７−ベンズアントラセニルから選択される縮合したアリール基であり、そのおのおのは１または１以上のＲ^１基により置換されてもよい。アントラセンに基づく化合物は、ＵＳ２００７／００９２７５３ Ａ１およびＵＳ２００７／０２５２５１７ Ａ１に記載され、例えば、２−（４−メチルフェニル）−９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン、９−（２−ナフチル）−１０−（１，１’−ビフェニル）アントラセンおよび９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセンおよび１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼンである。また好ましくは、２つのアントラセン単位を含む化合物（ＵＳ２００８／０１９３７９６ Ａ１）、例えば、１０，１０’−ビス［１，１’，４’，１’’］テルフェニル−２−イル−９，９’−ビスアントラセニルが挙げられる。

更に好ましい化合物は、アリールアミンの誘導体、スチリルアミン、フルオレッセイン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、シクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、オキサゾン、ピリジン、ピラジン、イミン、ベンゾチアゾール、ベンゾキサゾール、ベンズイミダゾール（ＵＳ２００７／００９２７５３ Ａ１）、例えば、２，２’，２’’−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］、アルダジン、スチルベン、スチリルアリーレン誘導体、例えば、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルエテニル）フェニル］アントラセンおよびジスチリルアリーレン誘導体（ＵＳ５１２１０２９）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ジケトピロロピロール、ポリメチン、メロシアニン、アクリドン、キナクリドン、桂皮酸エステルおよび蛍光染料である。

特に好ましくは、アリールアミンの誘導体およびスチリルアミン、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ビフェニル（ＴＮＢ）が挙げられる。

金属−オキシノイド錯体、例えば、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）またはＡｌｑ_３は共ホストとして使用されてよい。

マトリックスとしてオリゴアリーレンを含む好ましい化合物は、例えば、ＵＳ２００３／００２７０１６ Ａ１、ＵＳ７３２６３７１ Ｂ２、ＵＳ２００６／０４３８５８ Ａ、ＵＳ７３２６３７１ Ｂ２、ＵＳ２００３／００２７０１６ Ａ１、ＷＯ２００７／１１４３５８、ＷＯ２００８／１４５２３９、ＪＰ３１４８１７６ Ｂ２、ＥＰ１００９０４４、ＵＳ２００４／０１８３８３、ＷＯ２００５／０６１６５６ Ａ１、ＥＰ０６８１０１９Ｂ１、ＷＯ２００４／０１３０７３Ａ１、ＵＳ５０７７１４２、ＷＯ２００７／０６５６７８およびＵＳ２００７／０２０５４１２ Ａ１に開示されるような化合物である。特に好ましいオリゴアリーレンに基づく化合物は、式５８〜６４を有する化合物である。

更なる一重項ホスト物質は、スピロビフルオレンおよびその誘導体、例えば、ＥＰ０６７６４６１に開示されるようなスピロ−ＤＰＶＢｉおよびＵＳ６５６２４８５に開示されるようなインデノフルオレンから選択されてよい。

特に好ましい一重項ＯＬＥＤのためのモノマーホスト物質は、ベンズアントラセン、アントラセン、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレンおよびその異性体および誘導体から選択される。

三重項エミッタがＯＬＥＤ（燐光ＯＬＥＤ）におけるエレクトロルミネッセンスのために使用された場合には、ホスト物質が一重項ＯＬＥＤにおけるホスト物質とはある程度異なるという条件が満たされるべきである。燐光ＯＬＥＤにおけるホスト物質は、エミッタの三重項準位に比較して、エネルギーの高い三重項準位を有することが必要である。ホスト物質は、電子または正孔またはその両方の何れかを輸送できる。加えて、エミッタは、十分な一重項−三重項混合を促進するために、大きなスピン軌道結合定数を有しなければならない。これは金属錯体の使用により可能になる。

好ましいマトリックス物質は、Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル（ＣＢＰ）、カルバゾール誘導体（例えば、ＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７またはＤＥ１０２００７００２７１４に従う）、アゾカルバゾール（例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０に従う）、ケトン（例えば、ＷＯ０４／０９３２０７に従う）、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、ＷＯ０５／００３２５３に従う）、オリゴフェニレン、芳香族アミン（例えば、ＵＳ２００５／００６９７２９に従う）、双極性マトリックス物質（例えば、ＷＯ０７／１３７７２５に従う）、シラン（例えば、ＷＯ０５／１１１１７２に従う）、９，９−ジアリールフルオレン誘導体（例えば、ＤＥ１０２００８０１７５９１に従う）、アザボロールまたはホウ素酸エステル（例えば、ＷＯ０６／１１７０５２に従う）、トリアゾール誘導体、オキサゾールおよびオキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、フェニレンジアミン誘導体、三級芳香族アミン、スチリルアミン、アミノ置換カルコン誘導体、インドール、スチリルアントラセン誘導体、アリール置換アントラセン誘導体、例えば、２，３，５，６−テトラメチルフェニル−１，４−（ビスフタルイミド）（ＴＭＰＰ、ＵＳ２００７−０２５２５１７ Ａ１）、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、フルオレノン誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、ポルフィリン化合物、カルボジイミド誘導体、ジフェニルキノン誘導体、テトラ炭素環式化合物、例えば、ナフタレンペリレン、フタロシアニン誘導体、８ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体、例えば、Ａｌｑ_３などであり、また８ヒドロキシキノリン錯体は、トリアリールアミノフェノール配位子（ＵＳ２００７／０１３４５１４ Ａ１）、配位子としてフタロシアニン、ベンゾキサゾールまたはベンゾチアゾールを含む種々の金属錯体−ポリシラン化合物、電子伝導ポリマー、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、アニリンコポリマー、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを含んでもよい。

物質は、真性で使用されてもよく、またはドープされてもよく、例えば、真性４，４’−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾールビフェニル（＝９，９’−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイルビス−９Ｈ−カルバゾール）（ＣＢＰ）または４，４’−（ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニルでドープされた２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（＝バソクプロイン）（ＢＣＰ）であってもよい。

好ましいカルバゾール誘導体の例は、１，３−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾールベンゼン（＝９，９’−（１，３−フェニレン）ビス−９Ｈ−カルバゾール）（ｍＣＰ）、９，９’−（２，２’−ジメチル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル）ビス−９Ｈ−カルバゾール（ＣＤＢＰ）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール）ベンゼン（＝１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニルおよび式６５〜６９の化合物である。

好ましいＳｉテトラアリール化合物は、例えば、（ＵＳ２００４−０２０９１１５、ＵＳ２００４／０２０９１１６、ＵＳ２００７／００８７２１９ Ａ１、ＵＳ２００７／００８７２１９ Ａ１）式７０〜７５の化合物である。

特に好ましい燐光ドーパントのためのマトリックスは、式７６の化合物（ＥＰ６５２２７３ Ｂ１）である。

エミッタ化合物は、ホスト化合物に比べて小さいバンドギャップを有するようにしなければならない。一般に、小さいバンドギャップは、共役分子系のπ電子系を拡大することにより達成される。従って、エミッタ化合物は、ホスト分子よりも拡大した共役π電子系を有する傾向がある。多くの例は、例えば、ＪＰ２９１３１１６ＢおよびＷＯ２００１／０２１７２９ Ａ１に開示されるようなスチリルアミン誘導体、並びにＷＯ２００８／００６４４９およびＷＯ２００７／１４０８４７に開示されるようなインデノフルオレン誘導体を発表している。

好ましいドーパントは、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテルおよびアリールアミンのクラスから選択される。

モノスチリルアミンは、１つの置換または未置換のスチリル基および少なくとも１つの、好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。ジスチリルアミンは、２つの置換または未置換のスチリル基および少なくとも１つの、好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。トリスチリルアミンは、３つの置換または未置換のスチリル基および少なくとも１つの、好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。テトラスチリルアミンは、４つの置換または未置換のスチリル基および少なくとも１つの、好ましくは芳香族アミンを含む化合物を意味すると解される。スチリル基は、特に好ましくはスチルベンであり、これはまた更に置換されてもよい。対応するホスフィンおよびエーテルは、アミンに類似して定義される。本発明の目的のために、アリールアミンまたは芳香族アミンは、３つの置換または未置換の芳香族若しくは複素芳香族環系を含み、それは窒素に直接に結合している化合物を意味すると解される。少なくとも１つのこれらの芳香族または複素芳香族環系は、好ましくは縮合した環系であり、それは好ましくは少なくとも１４の芳香族環原子を有する。その好ましい例は、芳香族アントラセン−アミン、芳香族アントラセン−ジアミン、芳香族ピレン−アミン、芳香族ピレン−ジアミン、芳香族クリセン−アミンおよび芳香族クリセン−ジアミンである。芳香族アントラセン−アミンは、１つのジアリールアミノ基が直接にアントラセン基に対して、好ましくは９位において結合する化合物を意味すると解される。芳香族アントラセン−ジアミンは、２つのジアリールアミノが直接にアントラセン基に対して、好ましくは９および１０位において結合する化合物を意味すると解される。芳香族ピレン−アミン、ピレン−ジアミン、クリセン−アミンおよびクリセン−ジアミンは、それに類似して定義され、ピレンにおけるジアリールアミノ基は好ましくは１位または１，６位に結合する。

更に好ましいドーパントは、例えば、ＷＯ０６／１２２６３０に従うインデノフルオレン−アミンおよびインデノフルオレン−ジアミン、例えば、ＷＯ０８／００６４４９に従うベンゾインデノフルオレン−アミンおよびベンゾインデノフルオレン−ジアミン、並びに例えば、ＷＯ０７／１４０８４７に従うジベンゾインデノフルオレン−アミンおよびジベンゾインデノフルオレン−ジアミンから選択される。

スチリルアミンのクラスからのドーパントの例は、置換または未置換のトリスチルベン−アミンまたはＷＯ０６／０００３８８、ＷＯ０６／０５８７３７、ＷＯ０６／０００３８９、ＷＯ０７／０６５５４９およびＷＯ０７／１１５６１０に記載されるドーパントである。ジスチリルベンゼンおよびジスチリルビフェニル誘導体はＵＳ５１２１０２９に記載される。更に、スチリルアミンはＵＳ２００７／０１２２６５６ Ａ１に見られる。

特に好ましいスチリルアミンドーパントおよびトリアリールアミンドーパントは、式７７〜８２の化合物およびＵＳ７２５０５３２ Ｂ２、ＤＥ１０ ２００５ ０５８５５７ Ａ１、ＣＮ１５８３６９１ Ａ、ＪＰ０８０５３３９７ Ａ、ＵＳ６２５１５３１ Ｂ１およびＵＳ２００６／２１０８３０ Ａに開示されるような化合物である。

更に好ましいドーパントは、ＥＰ１９５７６０６ Ａ１およびＵＳ２００８／０１１３１０１ Ａ１に開示されるようなトリアリールアミンの群から選択される。

更に好ましいドーパントは、ナフタレンの誘導体、アントラセン、テトラセン、フルオレン、ペリフランテン、インデノペリレン、フェナントレン、ペリレン（ＵＳ２００７／０２５２５１７ Ａ１）、ピレン、クリセン、デカサイクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン、ルブレン、クマリン（ＵＳ４７６９２９２、ＵＳ６０２００７８、ＵＳ２００７／０２５２５１７ Ａ１）、ピラン、オキサゾン、ベンゾキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、ピラジン、桂皮酸エステル、ジケトピロロピロール、アクリドンおよびキナクリドン（ＵＳ２００７／０２５２５１７ Ａ１）から選択される。

アントラセン化合物の特に好ましいものは、９，１０−置換アントラセン、例えば、９，１０−ジフェニルアントラセンおよび９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセンが挙げられる。１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼンもまた好ましいドーパントである。
青色蛍光エミッタは、好ましくはポリ芳香族化合物、例えば、９，１０−ジ（２−ナフチルアントラセン）および他のアントラセン誘導体、テトラセンの誘導体、キサンテン、ペリレン、例えば、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、フェニレン、例えば、４，４’−（ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニルなど、フルオレン、アリールピレン（ＵＳ２００６／０２２２８８６）、アリーレンビニレン（ＵＳ５１２１０２９、ＵＳ５１３０６０３）、ルブレンの誘導体、クマリン、ローダミン、キナクリドン、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ）など、ジシアノンエチレンピラン、例えば、４（ジシアノエチレン）−６−（４−ジメチルアミノスチリル−２−メチル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）など、チオピラン、ポリメチン、ピリリウムおよびチアピリリウム塩、ペリフランテン、インデノペリレン、ビス（アジニル）イミン−ボロン化合物（ＵＳ２００７／００９２７５３ Ａ１）、ビス（アジニル）メテン化合物およびカルボスチリル化合物である。

更に好ましい青色蛍光エミッタはＣ．Ｈ．Ｃｈｅｎら、「Ｒｅｃｅｎｔ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌｓ」、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，（１９９７），１−４８および「Ｒｅｃｅｎｔ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｆ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ｄｅｖｉｃｅｓ」Ｍａｔ．Ｓｃｉ．およびＥｎｇ．Ｒ，３９（２００２），１４３−２２２に記載される。

ここで使用されるとき、用語、燐光は、１よりも大きいスピン多重度（２Ｓ＋１）を有する励起状態からの発光と定義され、ここにおいてＳはスピンである。励起状態は、例えば、五重項または三重項状態であってよく、好ましくは励起状態は三重項状態である。好ましい燐光分子は、イリジウムおよび白金を含む発光錯体である。

ここで使用されるときの定義に従うと、また発光ランタニド錯体を含む３および４族の元素を有する発光遷移金属錯体は燐光物質である。

燐光エミッタの例は、出願ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／０２７１４、ＷＯ０２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４およびＷＯ０５／０３３２４４により公開される。一般に、燐光ＯＬＥＤのための従来技術に従い使用されるような、および有機エレクトロルミネッセンスの分野の当業者に公知のような全ての燐光錯体が適切であり、当業者は進歩性に関係なく更なる燐光錯体を使用することが可能であろう。

三重項エミッタは金属錯体であってよく、好ましくは式Ｍ（Ｌ）_ｚを有し、ここにおいて、Ｍは金属原子、Ｌはおのおのの存在において互いに独立して有機配位子であり、それは１、２または２つ以上の位置によりＭと結合または協調し、ｚは１以上、好ましくは１、２、３、４、５または６の整数であり、ここにおいてこれらの基は１または１以上、好ましくは１、２または３つの位置により、好ましくは配位子Ｌによりポリマーに結合している。

Ｍは、特に遷移金属から選択される金属原子であり、好ましくはVIII族の遷移金属またはランタノイド系列若しくはアクチノイド系列から選択され、特に好ましくはＲｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｄ、ＡｇまたはＲｕから選択され、特に非常に好ましくはＯｓ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、ＰｄまたはＰｔから選択される。ＭはまたＺｎであってもよい。

好ましい配位子は、２フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２（２−チエニル）ピリジン誘導体、２（１−ナフチル）ピリジン誘導体または２フェニルキノリン誘導体である。これらの全ての化合物は、例えば、青色のためにフルオロ−またはトリフルオロメチル置換基により置換されてもよい。補助的な配位子は、好ましくはアセチルアセトネートまたはピクリン酸である。

特に、ＵＳ２００７／００８７２１９ Ａ１に開示されるような式８３のテトラデンテート配位子を有するＰｔまたはＰｄの錯体、ここにおいて、Ｒ^１〜Ｒ^１４およびＺ^１〜Ｚ^５は参考文献において定義される通りであり、拡大された環系を有するＰｔポルフィリン錯体（ＵＳ２００９／００６１６８１ Ａ１）およびＩｒ錯体が適切であり、例えば、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ、２３Ｈ−ポルフィリン−Ｐｔ（ＩＩ）、テトラフェニル−Ｐｔ（ＩＩ）−テトラベンゾポルフィリン（ＵＳ２００９／００６１６８１ Ａ１）、シス−ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｐｔ（ＩＩ）、シス−ビス（２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）Ｐｔ（ＩＩ）、シス−ビス（２−（２’−チエニル）キノリナト−Ｎ，Ｃ５’）Ｐｔ（ＩＩ）、（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｐｔ（ＩＩ）アセチルアセトネートまたはトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｉｒ（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３、緑色）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２）Ｉｒ（ＩＩＩ）アセチルアセトネート（Ｉｒ（ｐｐｙ）２アセチルアセトネート、緑色、ＵＳ２００１／００５３４６２ Ａ１、Ｂａｌｄｏ、Ｔｈｏｍｐｓｏｎら、Ｎａｔｕｒｅ、４０３、（２０００）、７５０−７５３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、ビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）ピコリネート（Ｆｉｒｐｉｃ、青色）、ビス（２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）Ｉｒ（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート、トリス（２−（ビフェニル−３−イル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、（ｐｐｚ）２Ｉｒ（５ｐｈｄｐｙｍ）（ＵＳ２００９／００６１６８１ Ａ１）、（４５ｏｏｐｐｚ）２Ｉｒ（５ｐｈｄｐｙｍ）（ＵＳ２００９／００６１６８１ Ａ１）、２フェニルピリジン−Ｉｒ錯体の誘導体、例えば、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−フェニルキノリル−Ｎ，Ｃ２’）アセチルアセトネート（ＰＱＩｒ）、トリス（２−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ）Ｉｒ（ＩＩＩ）（赤色）、ビス（２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３）Ｉｒアセチルアセトネート（［Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）］、赤色、Ａｄａｃｈｉら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８（２００１）、１６２２−１６２４）などが適切である。

また適切なものは、三価のランタニド系列、例えば、Ｔｂ^３＋およびＥｕ^３＋の錯体（Ｊ．Ｋｉｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６５（１９９４），２１２４，Ｋｉｄｏら、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．６５７，１９９０，ＵＳ２００７／０２５２５１７ Ａ１）またはマレオニトリルジチオレートを有するＰｔ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）の燐光錯体（Ｊｏｈｎｓｏｎら、ＪＡＣＳ、１０５，１９８３，１７９５）、Ｒｅ（Ｉ）トリカルボニルジイミン錯体（とりわけ、Ｗｒｉｇｈｔｏｎ，ＪＡＣＳ、９６，１９７４，９９８）、シアノ配位子およびビピリジルまたはフェナントロリン配位子を有するＯｓ（ＩＩ）錯体（Ｍａら、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ、９４，１９９８，２４５）またはホストを有さないＡｌｑ_３である。

更なるトリデンテート配位子を有する燐光エミッタは、ＵＳ６８２４８９５およびＵＳ７０２９７６６に記載される。赤色エミッタ燐光錯体は、ＵＳ６８３５４６９およびＵＳ６８３０８２８において言及される。

特に好ましい燐光ドーパントは、式８４を有する化合物、更に例えば、ＵＳ２００１／００５３４６２ Ａ１に開示されるような化合物である。

更なる誘導体が、ＵＳ７３７８１６２ Ｂ２、ＵＳ６８３５４６９ Ｂ２およびＪＰ２００３／２５３１４５ Ａに記載される。

また本発明の組成物のエミッタは、コポリマーであってもよく、それはまた発光ポリマー（ＬＥＰ）と称されてもよい。ＬＥＰは異なる機能を有してもよい。光を放出すること以外に、それは以下の骨子のように正孔または電子またはそれらの両方の何れかを輸送してもよい。

異なる構造は、とりわけＷＯ２００２／０７７０６０ Ａ１およびＤＥ１０３３７３４６ Ａ１に開示されるようなもの、および広範囲に列記されるものである。これらは、参照により本発明の一部分と看做される。構造単位は、例えば、以下のクラスが起源であってもよい：
グループ１：ポリマーの正孔注入および／または輸送特性を増大する単位；
グループ２：ポリマーの電子注入および／または輸送特性を増大する単位；
グループ３：グループ１およびグループ２からの個々の単位の組み合わせを有する単位；
グループ４：電子燐光が電子蛍光の変わりに得られる範囲となるように発光特性を修飾する単位；
グループ５：所謂、一重項状態から三重項状態に遷移を改善する単位；
グループ６：得られるポリマーの形態および／または発光色に影響する単位；
グループ７：骨格として典型的に使用され、電子輸送機能、正孔輸送機能またはその両方を有し得る単位。

本発明に従う好ましいポリマーは、少なくとも１つの構造要素が電荷担持特性を有するもの、即ち、グループ１および／または２からの単位を含むものである。

グループ１からの構造要素は、正孔輸送特性を有し、例えば、トリアリールアミン、ベンジジン、テトラアリール−パラ−フェニレンジアミン、トリアリールホスフィン、フェノチアジン、フェノキサジン、ジヒドロフェナジン、チアンスレン、ジベンゾ−パラ−ジオキシン、フェノキサチイン，カルバゾール、アズレン、チオフェン、ピロールおよびフラン誘導体および高いＨＯＭＯ（ＨＯＭＯ＝最高被占分子軌道）を有する更なるＯ−、Ｓ−またはＮ−含有複素環である。これらのアリールアミンおよび複素環は、ポリマーにおいて（真空準位に対して）好ましくは−５．８ｅＶよりも大きい、特に好ましくは−５．５ｅＶよりも大きいＨＯＭＯをもたらす。

グループ２からの構造要素は、電子輸送特性を有し、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリンおよびフェナジン誘導体、更にまたトリアリールボランおよび低いＬＵＭＯ（ＬＵＭＯ＝最低空分子軌道）を有する更なるＯ−、Ｓ−またはＮ−含有複素環である。ポリマーにおけるこれらの単位は、（真空準位に対して）−２．７ｅＶ未満、特に好ましくは−３．０ｅＶ未満のＬＵＭＯをもたらす。

本発明に従うポリマーは、グループ３からの単位を含むことが好ましく、そこにおいて正孔移動度および電子移動度を増大する構造（即ち、グループ１および２からの単位）が直接に互いに結合している。これらの単位の幾つかは、エミッタとして機能してもよく、発光色を緑色、黄色または赤色にシフトしてもよい。従って、それらの使用は、例えば、本来は青色発光ポリマーから他の発光色を生成するために適切である。

グループ４に従う構造単位は、室温でさえ高効率で三重項状態から発光できるもの、即ち、電子蛍光の代わりに電子燐光を示すことができるものであり、それは高い頻度でエネルギー効率の増大を引き起こす。この目的のために適切なものは、第一に、３６よりも大きな原子番号を有する重原子を含む化合物である。好ましくはｄ−またはｆ−遷移金属を含む化合物が挙げられ、それは上述の条件を満たす。特に好ましくは、８〜１０族からの元素（Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ）を含む構造単位に対応するものがここで挙げられる。ここで、本発明に従うポリマーのための適切な構造単位は、例えば、ＷＯ２００２／０６８４３５ Ａ１、ＤＥ１０１１６９６２ Ａ１、ＥＰ１２３９５２６ Ａ２およびＤＥ１０２３８９０３ Ａ１に記載される通りの様々な錯体が例えば挙げられる。対応するモノマーは、ＷＯ２００２／０６８４３５ Ａ１およびＤＥ１０３５０６０６ Ａ１に記載される。

グループ５からの構成要素は、一重項状態から三重項状態への遷移を改善するものであり、グループ４からの構成要素を支持体として使用され、これらの構造要素の燐光特性を改善するものである。この目的のために適切なものは、特に、ＤＥ１０３０４８１９ Ａ１およびＤＥ１０３２８６２７ Ａ１に記載されるようなカルバゾールおよび架橋カルバゾールダイマー単位である。またこの目的のために適切なものは、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、シラン誘導体およびＤＥ１０３４９０３３ Ａ１に記載されるような同様な化合物である。

グループ６からの構成要素は、ポリマーの形態および／または発光色に影響するものであり、上述されたもの以外に、上述の基に該当しない少なくとも１つの更なる芳香族または他の共役構造を有するものであり、即ち、電荷担持移動度においてほんの少しの効果のみを有し、有機金属錯体ではなく、一重項−三重項遷移において影響を有さないものである。このタイプの構造要素は、得られるポリマーの形態および／または発光色に影響を与えてよい。単位に依存して、従って、それらはエミッタとして使用されてもよい。好ましくは、６〜４０のＣ原子を有する芳香族構造またはトラン、スチルベンまたはビススチリルアレーレン誘導体がここにおいて挙げられ、それらのおのおのは１または１以上のＲ^１により置換されてもよい。特に好ましくは、１，４−フェニレン、１，４−ナフチレン、１，４−または９，１０−アンスリレン、１，６−、２，７−または４，９−ピレニレン、３，９−または３，１０−ペリレニレン、４，４’−ビフェニリレン、４，４’’−テルフェニリレン、４，４’−ビ−１，１’−ナフチリレン、４，４’−トラニレン、４，４’−スチルベニレンまたは４，４’’−ビススチリルアレーレン誘導体の組み込みがここで挙げられる。

グループ７からの構造要素は、６〜４０のＣ原子を有する芳香族構造を含む単位であり、それらは典型的にポリマー骨格として使用される。これらは、例えば、ＵＳ５９６２６３１、ＷＯ２００６／０５２４５７ Ａ２およびＷＯ２００６／１１８３４５Ａ１に開示されるような４，５−ジヒドロピレン誘導体、４，５，９，１０−テトラヒドロピレン誘導体、フルオレン誘導体、例えば、ＷＯ２００３／０２０７９０ Ａ１に開示されるような９，９’−スピロビフルオレン誘導体、例えば、ＷＯ２００５／１０４２６４ Ａ１に開示されるような９，１０−フェナントレン誘導体、例えば、ＷＯ２００５／０１４６８９ Ａ２に開示されるような９，１０−ジヒドロフェナントレン誘導体、例えば、ＷＯ２００４０４１９０１ Ａ１、ＷＯ２００４１１３４１２ Ａ２に開示されるような５，７−ジヒドロジベンゾオキセピン誘導体およびシス−およびトランス−インデノフルオレン誘導体、および例えば、ＷＯ２００６／０６３８５２ Ａ１に開示されるようなビナフチレン誘導体、並びに例えば、ＷＯ２００５／０５６６３３Ａ１、ＥＰ１３４４７８８Ａ１およびＷＯ２００７／０４３４９５Ａ１、ＷＯ２００５／０３３１７４ Ａ１、ＷＯ２００３／０９９９０１Ａ１およびＤＥ１０２００６００３７１０．３に開示されるような更なる単位である。

グループ７からの好ましい構造要素は式８５のものである：

ここにおいて、
Ａ、ＢおよびＢ’は、互いに独立しており、複数存在する場合、互いに独立して二価の基、好ましくは−ＣＲ^１Ｒ^２−、−ＮＲ^１−、−ＰＲ^１−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−ＣＳ−、−ＣＳｅ−、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ^１−、−Ｐ（＝Ｓ）Ｒ^１−および−ＳｉＲ^１Ｒ^２−から選択され、
Ｒ^１およびＲ^２は、互いに独立して同じまたは異なる基であり、Ｈ、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＣ、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０Ｒ^００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^０、−ＮＨ_２、−ＮＲ^０Ｒ^００、−ＳＨ、−ＳＲ^０、−ＳＯ_３Ｈ、−ＳＯ_２Ｒ^０、−ＯＨ、−ＮＯ_２、−ＣＦ_３、−ＳＦ_５、任意に置換されたシリル、または、任意に置換され、任意に１または１以上のヘテロ原子を有する１〜４０のＣ原子を有するカルビルまたはヒドロカルビルから選択され、並びに任意にＲ^１よびＲ^２はそれらが付着するフルオレン部分を有するスピロ基を形成し、
Ｘはハロゲンであり、
Ｒ^０およびＲ^００は、互いに独立してＨまたは任意に１または１以上のヘテロ原子を有する任意に置換されたカルビルまたはヒドロカルビル基であり、
それぞれｇは、独立して０または１であり、同じサブユニット中のそれぞれ対応するｈは、０または１以外であり、
ｍは１または１以上の整数であり、
Ａｒ^１およびＡｒ^２は、互いに独立してモノ−または多核のアリールまたはヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏｒａｒｙｌ）であり、それは任意に置換され、および任意にインデノフルオレン基の７，８位または８，９位に対して融合しており、
ａおよびｂは互いに独立して０または１である。

Ｒ^１およびＲ^２基がそれらが付着するフルオレン基を有するスピロ基を形成する場合、それは好ましくはスピロビフルオレンである。

式８５の基は、好ましくは次の下式８５ａ〜８５ｅから選択される：

ここにおいてＲ^１は、式８５において定義された通りであり、ｒは０、１、２、３または４であり、ＲはＲ^１の意味の１つを有する。

Ｒは、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＣＮ、−ＮＯ_２、−ＮＣＯ、−ＮＣＳ、−ＯＣＮ、−ＳＣＮ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^０Ｒ^００、−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ^０、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^０、−ＮＲ^０Ｒ^００であり、任意に置換されたシリル、４〜４０、好ましくは６〜２０のＣ原子を有するアリールまたはヘテロアリール、またはそれは１〜２０、好ましくは１〜１２のＣ原子を有する直鎖、枝分かれ鎖または環式アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ（ａｌｋｙｌｃａｒｂｏｎｌｙｏｘｙ）またはアルコキシカルボニルオキシ、ここにおいて、１または１以上のＨ原子は、任意にＦまたはＣｌにより置換され、ここにおいてＲ^０、Ｒ^００およびＸ^０は上記で定義された通りである。

式８５の好ましい基は、次の下式から選択される：

ここにおいて、
ＬはＨ、ハロゲンまたは任意のフッ素化された直鎖または枝分かれ鎖の１〜１２のＣ原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、好ましくはＨ、Ｆ、メチル、ｉ−プロピル、ｔ−ブチル、ｎ−ペントキシまたはトリフルオロメチルであり、
Ｌ’は、任意にフッ素化された直鎖または枝分かれ鎖の１〜２０のＣ原子を有するアルキルまたはアルコキシであり、好ましくはｎ−オクチルまたはｎ−オクチルオキシである。

好ましくは、本発明に従うポリマーが挙げられ、それは同時にグループ１〜７から選択される１または１以上の単位を含む。同様に、１つのグループからの１よりも多い構造単位が同時に存在することが好ましい。

好ましくは、本発明に従うポリマーが挙げられ、それはエミッタの構造単位に加えて、更に上述のグループからの少なくとも１つの構造単位を含む。少なくとも２つの構造単位は、上述のものの異なるクラスからのものであることが特に好ましい。

ポリマーにおいて存在する場合、異なるクラスのグループの割合は、好ましくは各場合において少なくとも５ｍｏｌ％、特に好ましくは各場合において少なくとも１０ｍｏｌ％である。特に、これらの構造単位の１つは、正孔伝導単位のグループから選択され、他のグループは発光単位であり、これらの２つの機能（正孔伝導および発光）は、同じ単位により得られてもよい。

しかしながら、発光単位の少ない部分、特に緑色および赤色発光単位は、例えば、白色発光コポリマーの合成のためにも好ましい。白色発光コポリマーを製造できる方法は、詳細にＤＥ１０３４３６０６ Ａ１に記載される。

適切な溶解度を保証するために、繰り返し単位当たりの置換基に、平均して少なくとも２の非芳香族のＣ原子が存在することが好ましい。好ましくは、ここで少なくとも４および特に好ましくは少なくとも８のＣ原子を与えられる。加えて、これらの個々のＣ原子は、ＯまたはＳにより置換されてよい。しかしながら、これは、繰り返し単位の、ある部分が何れの更なる非芳香族の置換基を有さないことを意味することも完全に可能である。

膜の形態を損傷することを回避するために、直鎖において１２よりも多くのＣ原子を有する長鎖置換基を有さないことが好ましく、特に好ましくは８のＣ原子よりも長い置換基を有さず、特に６のＣ原子よりも長い置換基を有さない。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、正孔注入物質（ＨＩＭ）であってもよい。ＨＩＭは、アノードから有機層またはアノードへの正孔（即ち、正電荷）の注入を促進することができる物質または単位をいう。典型的に、ＨＩＭは、アノードの仕事関数に匹敵する、またはそれよりも高いＨＯＭＯ準位、即ち、−５．３ｅＶまたは−５．３ｅＶよりも高いＨＯＭＯ準位を有する。

適切な化合物は、トリアゾール誘導体（ＵＳ３１１２１９７）、オキサゾール誘導体（ＵＳ３２５７２０３）、オキサジアゾール誘導体（ＵＳ３１８９４４７）、イミダゾール誘導体（ＪＰ昭和３７（＝１９６２）１６０９６）、イミダゾロン、イミダゾールチオン、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン誘導体（ＵＳ３６１５４０２）、ピラゾリンおよびピラゾロン誘導体（ＵＳ３１８０７２９およびＵＳ４２７８７４６）、フェニレンジアミン誘導体（ＵＳ３６１５４０４）、アリールアミン誘導体（ＵＳ３５６７４５０）、アミノ置換カルコン誘導体（ＵＳ３５２６５０１）、スチリルアントラセン誘導体（ＪＰ昭和５４（１９７９）１１０８３７）、ヒドラゾン誘導体（ＵＳ３７１７４６２）、アシルヒドラゾン、スチルベン誘導体（ＪＰ昭和６１（１９８６）２１０３６３）、シラザン誘導体（ＵＳ４９５０９５０）、ポリシラン化合物（ＪＰ平成２（１９９０）２０４９９６）、ＰＶＫおよび他の電気伝導性高分子、アニリン基コポリマー（ＪＰ平成２（１９９０）２８２２６３）、電気伝導性高分子チオフェンオリゴマー（ＪＰ平成１（１９８９）２１１３９９）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（スピンコーティングポリマー）、プラズマ堆積フルオロカーボンポリマー（ＵＳ６１２７００４、ＵＳ６２０８０７５、ＵＳ６２０８０７７）、ポルフィリン化合物（ＪＰ昭和６３（１９８８）２９５６９６５、ＵＳ４７２０４３２）、芳香族三級アミンおよびスチリルアミン（ＵＳ４１２７４１２）、ベンジジンタイプのトリフェニルアミン、スチリルアミンタイプのトリフェニルアミン、並びにジアミンタイプのトリフェニルアミンである。アリールアミンデンドリマーもまた使用されてよく（ＪＰ平成８（１９９６）１９３１９１）、例えば、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体またはブタジエン誘導体、およびキノリン誘導体、例えば、ジピラジノ［２，３ｆ：２’，３’ｈ］キノキサリンヘキサカルボニトリルなども適切である。

無機化合物、例えば、ｐ型Ｓｉおよびｐ型ＳｉＣなど、並びに無機酸化物、例えば、酸化バナジウム（ＶＯ_ｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_ｘ）または酸化ニッケル（ＮｉＯ_ｘ）もまた使用されてよい。

特に好ましくは、三級芳香族アミン（ＵＳ２００８／０１０２３１１ Ａ１）、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−トリル）ベンジジン（＝４，４’−ビス［Ｎ−３−メチルフェニル］−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）（ＵＳ５０６１５６９）、Ｎ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（ＴＰＤ２３２）および４，４’，４’’−トリス［３−メチルフェニル）フェニルアミノ］−トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）（ＪＰ平成４（１９９２）３０８６８８）またはフタロシアニン誘導体（例えば、Ｈ_２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ_２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ）が挙げられる。

特に好ましくは、式８６（ＴＰＤ２３２）、８７、８８および８９の次のトリアリールアミン化合物が挙げられ、またそれは置換されてもよく、ＵＳ７３９９５３７ Ｂ２、ＵＳ２００６／００６１２６５ Ａ１、ＥＰ１６６１８８８ Ｂ１およびＪＰ０８２９２５８６ Ａに開示されるような更なる化合物であってもよい。

正孔注入物質として適切な更なる化合物は、ＥＰ０８９１１２１ Ａ１およびＥＰ１０２９９０９ Ａ１に開示される。正孔注入層は、一般にＵＳ２００４／０１７４１１６に記載される。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、正孔輸送物質（ＨＴＭ）であってもよい。ＨＴＭは、正孔注入物質またはアノードから注入された正孔（即ち、正電荷）を輸送することができる物質または単位であることにより特徴付けられる。ＨＴＭは、通常、高いＨＯＭＯ、典型的に、−５．４ｅＶよりも高いＨＯＭＯを有する。多くの場合、ＨＩＭは、隣接層に依存してＨＴＭとしても機能できる。

正孔輸送物質は、アミン、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニン、ポルフィリン、その異性体および誘導体から選択される。

好ましくは、正孔輸送物質は、アミン、トリアリールアミン、チオフェン、カルバゾール、フタロシアニンおよびポルフィリンから選択される。

正孔輸送層のために適切な物質は、トリアゾール誘導体（ＵＳ３１１２１９７）、オキサゾール誘導体、（ＵＳ３２５７２０３）、オキサジアゾール誘導体（ＵＳ３１８９４４７）、イミダゾール誘導体（ＪＰ Ｂ ３７−１６０９６）、ピラゾリンおよびピラゾロン誘導体（ＵＳ３１８０７２９）、フェニレンジアミン誘導体（ＵＳ３６１５４０４）、アリールアミン誘導体（ＵＳ３５６７４５０）、アミノ置換カルコン誘導体（ＵＳ３５２６５０１）、スチリルアントラセン誘導体（ＪＰ Ａ ５６−４６２３４）、ポリ環式芳香族化合物（ＥＰ１００９０４１）、ポリアリールアルカン誘導体（ＵＳ３６１５４０２）、フルオレノン誘導体（ＪＰ Ａ ５４−１１０８３７）、ヒドラゾン誘導体（ＵＳ３７１７４６２）、スチルベン誘導体（ＪＰ Ａ ６１−２１０３６３）、シラザン誘導体（ＵＳ４９５０９５０）、ポリシラン（ＪＰ Ａ ２−２０４９９６）、アニリンコポリマー（ＪＰ Ａ ２−２８２２６３）、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン、ＰＶＫ、ポリピロール、ポリアニリンおよび更なるコポリマー、例えば、ポリスチレンスルホネートを有するポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）の水分散液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポルフィリン化合物（ＪＰ Ａ６３−２９５６９６５）、芳香族ジメチリデンタイプの化合物、カルバゾール化合物、例えば、ＣＤＢＰ、ＣＢＰ、ｍＣＰ、芳香族三級アミンおよびスチリルアミン化合物（ＵＳ４１２７４１２）、モノマートリアリールアミン（ＵＳ３１８０７３０）、１または１以上のビニル基および／または活性水素を含む少なくとも１つの官能基を含むトリアリールアミン（ＵＳ３５６７４５０およびＵＳ３６５８５２０）またはテトラアリールジアミン（２つの三級アミン単位はアリール基を介して結合してる）である。更にまた多くのトリアリールアミノ基が分子内に存在してもよい。

好ましくは、少なくとも２つの三級アミン単位を含む芳香族三級アミン（ＵＳ４７２０４３２およびＵＳ５０６１５６９）、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ、ＮＰＢまたはα−ＮＰＢ）（ＵＳ５０６１５６９）またはＭＴＤＡＴＡ（ＪＰ Ａ ４−３０８６８８）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）ジアミノビフェニレン（ＴＢＤＢ）、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−３−フェニルプロパン（ＴＡＰＰＰ）、１，４−ビス［２−［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］ビニル］ベンゼン（ＢＤＴＡＰＶＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＴＢ）、ＴＰＤ、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’’’−ジアミノ−１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クアテルフェニル、同様に、カルバゾール単位を含む三級アミン、例えば、４（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−Ｎ，Ｎ−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゼンアミン（ＴＣＴＡ）が挙げられる。好ましくは、同様にＵＳ２００７／００９２７５５ Ａ１に従うヘキサアザトリフェニレン化合物が挙げられる。

特に好ましくは、以下の式９０〜９４のトリアリールアミン化合物が挙げられ、またそれは置換されてもよく、ＥＰ１１６２１９３ Ｂ１、ＥＰ６５０９５５ Ｂ１、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ、１９９７、９１（１−３）、２０９、ＤＥ１９６４６１１９ Ａ１、ＷＯ２００６／１２２６３０ Ａ１、ＥＰ１８６００９７ Ａ１、ＥＰ１８３４９４５ Ａ１、ＪＰ０８０５３３９７ ＡおよびＵＳ６２５１５３１ Ｂ１に開示されるようであってもよい。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、正孔阻止物質（ＨＢＭ）であってもよい。ＨＢＭは、多層構造において正孔輸送物質に対して隣接してコーティングされた場合、それを通過して正孔が流出することを防ぐ物質または単位をいう。通常、それは隣接する正孔輸送層におけるＨＴＭのＨＯＭＯ準位と比較して低いＨＯＭＯを有する。

正孔阻止層は、燐光エミッタを含むデバイスにおいて高い頻度で発光層と電子輸送層との間に挿入される。

適切な正孔阻止物質は、金属錯体（ＵＳ２００３／００６８５２８）、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）−アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌＱ）である。Ｆａｃ−トリス（１−フェニルピラゾラト−Ｎ，Ｃ２）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｚ）_３）は同様にこの目的のために使用される（ＵＳ２００３／０１７５５５３ Ａ１）。フェナントロリン誘導体、例えば、ＢＣＰまたはフタルイミド、例えば、ＴＭＰＰが同様に使用される。

適切な正孔阻止物質は、ＷＯ００／７０６５５ Ａ２、ＷＯ０１／４１５１２およびＷＯ０１／９３６４２ Ａ１に記載される。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、電子注入物質（ＥＩＭ）であってもよい。電子注入物質は、カソードから有機層への電子（即ち、負電荷）の流入を促進できる物質または単位をいう。ＥＩＭは、通常、カソードの作業機能に匹敵する、またはそれよりも低いＬＵＭＯ準位を有する。典型的に、ＥＩＭは、−２．６ｅＶよりも低いＬＵＭＯを有する。

また、少なくとも１つの有機機能性物質が電子注入物質であることを特徴とし、それが、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、複素環式有機化合物、フルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン（アントラキノン ジメタン）、ジフェノキノン、アントロン、アントラキノンジエチレンジアミン、その異性体および誘導体から選択される少なくとも１つの有機化合物を含む組成物は、本発明の対象である。

また、少なくとも１つの有機機能性物質が電子注入物質であることを特徴とし、それが、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、複素環式有機化合物、フルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン（アントラキノン ジメタン）、ジフェノキノン、アントロンおよびアントラキノンジエチレンジアミンから選択される少なくとも１つの有機化合物を含む組成物は、本発明の対象である。

８ヒドロキシキノリンの金属錯体、例えば、Ａｌｑ_３およびＧａｑ_３が電子注入層のために使用されてもよい。カソードに対する接触面でのアルカリ金属またはアルカリ土類金属、例えば、Ｌｉ、Ｃｓ、ＣａまたはＭｇによるドーピングの還元は有利である。好ましくは、Ｃｓを含む組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂまたはＣｓ、ＮａとＫが挙げられる。

複素環式有機化合物、例えば、１，１０−フェナントロリン誘導体、ベンズイミダゾール、チオピランジオキシド、オキサゾール、トリアゾール、イミダゾールまたはオキサジアゾールは同様に適切である。適切な窒素を含む５員環の例は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾールおよびＵＳ２００８／０１０２３１１ Ａ１に開示される化合物である。

好ましいＥＩＭは、式９５〜９７を有する化合物から選択され、それは置換されていても、未置換であってもよい。

また有機化合物、例えば、フルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン（アントラキノンジメタン）、ジフェノキノン、アントロンおよびアントラキノンジエチレンジアミンが使用されてもよく、例えば、以下であってもよい。

電子注入層（ＥＩＬ）は、多くの場合、絶縁体および半導体から構成される。

好ましいアルカリ金属カルコゲニドは、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ、Ｋ_２Ｏ、Ｃｓ_２Ｏである。

好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドは、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅである。

好ましいアルカリ金属のハロゲン化物は、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌである。

好ましいアルカリ金属のハロゲン化物は、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２である。

同様に、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属（Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｙｂ）、希土類金属錯体、希土類金属化合物（好ましくは、ＹｂＦ_３、ＳｃＦ_３、ＴｂＦ_３）などを使用することが可能である。

ＥＩＬの構成は、例えば、ＵＳ５６０８２８７、ＵＳ５７７６６２２、ＵＳ５７７６６２３、ＵＳ６１３７２２３、ＵＳ６１４０７６３、ＵＳ６９１４２６９に記載される。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、電子輸送物質（ＥＴＭ）であってもよい。ＥＴＭは、ＥＩＭまたはカソードから注入された電子（即ち、負電荷）を輸送することができる物質または単位をいう。ＥＴＭは、通常、低いＬＵＭＯ、典型的に−２．７ｅＶよりも低いＬＵＭＯを有する。多くの場合、ＥＩＭは、隣接層に依存して、ＥＴＭと同様に十分に機能する。

少なくとも１つの有機機能性物質が電子輸送物質であり、それがイミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、アントラセン、ベンズアントラセン、ピレン、ペリレン、ベンズイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシド、フェナジン、フェナントロリン、トリアリールボラン、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする組成物はまた、本発明の対象である。

電子輸送層は、真性の物質からなってもよく、ドーパントを含んでもよい。Ａｌｑ_３（ＥＰ２７８７５７ Ｂ１）およびＬｉｑ（ＥＰ０５６９８２７ Ａ２）は真性層の例は、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）：Ｌｉ、１：１（ＵＳ２００３／０２３０９８９０）であり、ルブレン／ＬｉＦはドープされた層の例である。

電子輸送層のために適切な化合物は、８ヒドロキシキノリンの金属キレート（例えば、Ｌｉｑ、Ａｌｑ_３、Ｇａｑ_３、Ｍｇｑ_２、Ｚｎｑ_２、Ｉｎｑ_３、Ｚｒｑ_４）、Ｂａｌｑ、４アゾフェナントレン−５−オール／Ｂｅ錯体（ＵＳ５５２９８５３ Ａ；例えば、式１００）、ブタジエン誘導体（ＵＳ ４３５６４２９）、複素環式光学的光沢剤（ＵＳ４５３９５０７）、ベンザゾール、例えば、１，３，５−トリス（２−Ｎ−フェニルベンズイミダゾリル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）（ＵＳ５７６６７７９、式１０１）、１，３，５−トリアジン、ピレン、アントラセン、テトラセン、フルオレン、スピロビフルオレン、デンドリマー、テトラセン、例えば、ルブレン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体（ＪＰ２００３／１１５３８７、ＪＰ２００４／３１１１８４、ＪＰ２００１／２６７０８０、ＷＯ２００２／０４３４４９）、シラシル−シクロペンタジエン誘導体（ＥＰ１４８０２８０、ＥＰ１４７８０３２、ＥＰ１４６９５３３）、ピリジン誘導体（ＪＰ２００４／２００１６２ コダック）、フェナントロリン、例えば、ＢＣＰおよびＢｐｈｅｎ、ビフェニルまたは他の芳香族基を介して結合した多くのフェナントロリン（ＵＳ２００７／０２５２５１７ Ａ１）またはアントラセンに対して結合したフェナントロリン（ＵＳ２００７／０１２２６５６ Ａ１例えば、式１０２および１０３）、１，３，４−オキサジアゾール、例えば、式１０４、トリアゾール、例えば、式１０５、トリアリールボラン、例えば、Ｓｉを有するトリアリールボラン（例えば、式７３）、ベンズイミダゾール誘導体および他のＮ複素環式化合物（ＵＳ２００７／０２７３２７２ Ａ１参照）、シラシクロペンタジエン誘導体、ボラン誘導体、Ｇａオキシノイド錯体である。

好ましくは２，９，１０−置換アントラセン（１−または２−ナフチルおよび４−または３−ビフェニルを有する）または２つのアントラセン単位を有する分子が挙げられる（ＵＳ２００８／０１９３７９６ Ａ１）。

好ましくはアントラセン−ベンズイミダゾール誘導体、例えば、式１０６〜１０８の化合物、例えば、ＵＳ６８７８４６９ Ｂ２、ＵＳ２００６／１４７７４７ ＡおよびＥＰ１５５１２０６ Ａ１に開示されるものなどが同様に挙げられる。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、電子阻止物質（ＥＢＭ）であってもよい。ＥＢＭは、多層構造における電子伝達層に隣接してコーティングされた場合、それを通過して電子が流出することを防ぐ物質または単位をいう。通常、それは隣接する電子伝達層におけるＥＴＭのＬＵＭＯと比較して高いＬＵＭＯを有する。

遷移金属錯体、例えば、Ｉｒ（ｐｐｚ）_３（ＵＳ２００３／０１７５５５３）は電子阻止層のための物質として使用されてよい。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、エキシトン阻止物質（ＥｘＢＭ）であってもよい。ＥｘＢＭは、多層構造における発光層に隣接してコーティングされる場合、それを通過してエキシトンが拡散することを防ぐ物質または単位をいう。ＥｘＢＭは、発光層または他の隣接層に比較して高い三重項準位または一重項準位の何れかを有するべきである。

置換されたトリアリールアミン、例えば、ＭＴＤＡＴＡまたは４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）は、電子阻止層のための物質として使用されてよい。置換されたトリアリールアミンは、例えば、ＵＳ２００７／０１３４５１４ Ａ１に記載される。

Ｎ−置換カルバゾール化合物、例えば、ＴＣＴＡまたは複素環、例えば、ＢＣＰも適切である。

金属錯体、例えば、Ｉｒ（ｐｐｚ）_３またはＡｌｑ_３は同様にこの目的に使用されてよい。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、染料であってもよい。染料は、通常、光を吸収し、そのために有色に見える無機または有機物質として記載できる。

従って、本発明の組成物は、染料である少なくとも１つの有機機能性物質を含んでよく、それはペリレン、ルテニウム染料、フタロシアニン、アゾ染料、ペリレン−ジアミン、ポルフィリン、スクアライン、その異性体および誘導体から選択される。

好ましい染料は、ペリレン、ルテニウム染料、フタロシアニン、アゾ染料、ペリレン−ジアミン、ポルフィリンおよびスクアラインから選択される。

更なる染料は、アクリジン、アントラキノン、アリールメタン、ジアリールメタン、トリアリールメタン、アゾ系染料、シアニン、ジアゾニウム系染料、ニトロ系染料、ニトロソ系染料、キノン−イミン、アジン系染料、ユーロジン、サフラニン、インジュリン、インダミン、インドフェノール、オキサジン、オキサゾン、チアジン、チアゾール、キサンテン、フルオレン、ピロニン、フルオロンおよびローダミンから選択される。

また本発明の組成物の有機機能性物質は、何れの金属錯体であってもよい。

また少なくとも１つの有機機能性物質が金属錯体であり、ここにおいて、金属が遷移金属、希土類元素、ランタニドおよびアクチニドから選択されることを特徴とする組成物は、本発明の対象である。好ましくは、金属は、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、ＰｄまたはＡｇから選択され、本発明の対象である。

本発明の組成物は、電子および光電子デバイスにおいて使用されてよい。特に、組成物は、これらに限定するものではないが、発光、集光および光検出デバイスから選択される電子デバイスにおいて使用されてよい。従って、本発明は、ここで記載されるような、電子および光電子デバイスにおける組成物の使用に関する。

本発明に従う組成物または本発明の組成物を含む配合物は、更なる技術処理のために使用されてもよい。配合物は、本発明における骨子の通りの有機機能性物質と、溶媒として作用する少なくとも１つの更なる非機能性化合物との混合物と理解されてよい。溶媒は、処理工程において除去されてもよく、除去されなくともよい。

従って、本発明は、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドと少なくとも１つの溶媒とを含む配合物に関する。

ナノダイヤモンドイドは、上述のようなナノダイヤモンドイドの群から選択されてもよい。

また本発明に従う組成物と少なくとも１つの有機溶媒とを含む配合物は、本発明の対象である。

好ましくは、少なくとも１つの溶媒は、有機溶媒の群から選択され、特に好ましくは、溶媒は、ジクロロメタン、トリクロロメタン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、アニソール、モルホリン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、エチルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセタミド、ジメチルスルホキシド、テトラリン、デカリン、インダンおよびその混合物から選択される。

本発明に従うナノダイヤモンドイドまたは組成物の配合物中の濃度は、０．００１〜５０ｗｔ％、好ましくは０．０１〜２０ｗｔ％、特に好ましくは、０．１〜１０ｗｔ％および特に非常に好ましくは０．１〜５ｗｔ％である。また任意に、溶液は、レオロジー特性に適応する少なくとも１つの結合剤、ＷＯ２００５／０５５２４８ Ａ１のようなものを含む。

適切な混合およびエイジングの後、配合物は、以下の１つのカテゴリーに割り当てられる：完全溶液、境界溶液または不溶性。等高線は溶解性と不溶性を区分する溶解性パラメータ水素結合限界の輪郭を描く。水溶性領域内の範囲に含まれる「完全」溶媒は、例えば、「Ｃｒｏｗｌｅｙ，Ｊ．Ｄ．，Ｔｅａｇｕｅ，Ｇ．Ｓ．Ｊｒ ａｎｄ Ｌｏｗｅ，Ｊ．Ｗ．Ｊｒ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐａｉｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，３８，Ｎｏ４９６，２９６（１９６６）」に公開されるような文献値から選択できる。また溶媒混合は、「Ｓｏｌｖｅｎｔｓ，Ｗ．Ｈ．Ｅｌｌｉｓ，Ｆｅｄｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｏｃｉｅｔｉｅｓ ｆｏｒ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｐ９−１０，１９８６」における記載のように使用されてよく、また分類できる。そのような手順は、「非」溶媒の混成物をもたらしてよく、それは本発明のナノダイヤモンドイドと更なる機能性化合物との両方を溶解するであろうが、混成物中に少なくとも１つの真の溶媒を有することが望ましい。

本発明のもう一つの態様は、電子または光電子デバイスの製造のための本発明に従う組成物または配合物の使用に関する。

本発明に従う組成物および配合物は、上述したようにそれらが特定の電子特性を有すること、例えば、伝導体または半導体などの電子特性を有することを特徴とし、そのために、何れかの種類の電子デバイスにおいて使用されてよい。好ましくは、本発明に従う組成物および配合物は光電子デバイスにおいて使用されてよく、好ましくは、紫外部、可視部または赤外部のスペクトルにおける、電磁放射の吸収および放出は、重要な役割、例えば、発光デバイス、光センサーまたは集光デバイス（例えば、太陽電池）などの役割を果たす。単に、用語「電子デバイス」がここにおいて使用されるとき、電子および／または光電子デバイスを意味する。

本発明の電子デバイスは、電極間で減圧が生じないことを特徴とする。代わりに、無機または有機物質の薄層が配置される。

本発明に従う組成物および配合物は電子および光電子デバイスを作るために使用されてよい。

従って、本発明は、少なくとも１つの有機層および少なくとも２つの電極を有する電子デバイスであって、少なくとも１つの有機層が少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含むことを特徴とする電子デバイスに関する。

使用されるナノダイヤモンドイドは、上述と同様である。ナノダイヤモンドイドは上述のように水素終端または官能化されてよい。従って、ナノダイヤモンドイドが水素終端または官能化されていることを特徴とする電子デバイスも本発明の対象である。

好ましい実施形態において、本発明は、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン、ペンタマンタン、シクロヘキサマンタン、デカマンタン、高級ダイヤモンドイド、およびその異性体および誘導体から選択されることを特徴とする電子デバイスに関する。

また層は、少なくとも１つの水素終端または機能化されたナノダイヤモンドイドからなってもよい。従って、少なくとも１つの有機層が少なくともナノダイヤモンドイドからなることを特徴とする電子デバイスもまた、本発明の対象である。本発明のもう一つの実施形態は、これらの層の少なくとも１つが単一層である。このタイプの１よりも多くの単一層が電子または光電子デバイスにおいて存在してもよい。単一層は、上記で明確にされたような少なくとも１つの有機機能性物質を更に含んでもよい。

また本発明の電子デバイスは、上記のような少なくとも１つの組成物または配合物を含んでもよい。従って、本発明のもう一つの対象は、本発明に従う電子デバイスであって、少なくとも１つの有機層が上記のような少なくとも１つの組成物を含むことを特徴とする電子デバイスである。

電子デバイスは、ナノダイヤモンドイドを含む異なる層を含んでもよい。本発明に従うと、デバイスは、１または１以上のナノダイヤモンドイドを含む組成物を含む１または１以上の有機層と、加えてナノダイヤモンドイドの単一層を含む１または１以上の層を含んでもよい。更に、また本発明に従うデバイスは、上述の通りの少なくとも１つのナノダイヤモンドイドと更なる有機機能性物質との組成物を含む少なくとも１の層のみ、または少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む少なくとも１つの層のみの何れかを含んでもよく、それは一層を形成してもよい。

単一層の特徴および製造は、Ｓｃｉｅｎｃｅ ２００７，３１６，１４６０−１４６２に記載される。

好ましくは、電子デバイスは２つ、３つ、４つ、５つまたは６つの電極を有する。

もう一つの好ましい実施形態において、本発明は、２つの電極を含む電子デバイスに関し、ここにおいて、第１の電極はアノードであり、第２の電極はカソードである。

アノードのために好ましい物質は、これらに限定するものではないが、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、スズ酸化物（ＳｎＯ）、ＺｎＯ、ＩｎＯ、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡｌＺｎＯ）および他の金属酸化物、例えば、亜鉛酸化物でドープされたＡｌ−およびＩｎ−亜鉛酸化物、マグネシウムインジウム酸化物およびニッケルタングステン酸化物から選択される金属酸化物である。金属窒化物、例えば、ガリウム窒化物および金属セレン化物、例えば、亜鉛セレン化物および金属硫化物、例えば、亜鉛硫化物も使用されてよい。更に、アノードのために使用できる物質は、電気伝導性のポリマー、例えば、ポリチオフェンおよびポリピロールである。

アノードは、透明、不透明または反射性であってよい。またアノードは中間状態を選択されてもよく、例えば、部分的に反射性であり、且つ部分的に透明であるその両方であってもよい。

アノードが部分的に透明ではない、または部分的にのみ透明である場合、更なる導電性物質が使用されてもよい。不透明または部分的に透明なアノードのための好ましい物質は、これらに限定するものではないが、Ａｕ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃ、Ａｌ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｗおよびその混合物から選択される。また導電性物質は、上述のような更なる導電性物質、例えば、Ｉｎ−Ｃｕと混合されてもよい。

アノードは、好ましくは透明であり、アノードのために特に好ましい物質はＩＴＯである。ボトム発光デバイスの場合において、ガラスまたはプラスチックはＩＴＯで好ましくコーティングされる。トップ発光デバイスの場合において、アノードは好ましくは反射性物質である。更なる物質がアノードのために使用されてよく、それは当業者に公知である。

基板およびアノードのフレキシブル且つ透明な組み合わせは、例えば、ＵＳ５８４４３６３ Ｂ２およびＵＳ６６０２５４０ Ｂ２に記載される。

カソードは、透明、不透明または反射性であってよい。カソードは、低い仕事関数を有する金属または合金から選択される。好ましくは、４．０ｅＶ未満の仕事関するを有する金属、合金または導電性化合物若しくは物質が使用される。特に好ましいカソードは、これらに制限するものではないが、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｓ、Ａｇ、２または２以上の元素の混合物、例えば、Ｍｇ／ＡｌまたはＡｌ／ＬｉまたはＡｌ／Ｓｃ／ＬｉまたはＭｇ／Ａｇを含む合金、または金属酸化物、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯから選択される。

薄い誘電性層を形成するために使用されるカソードのために更に好ましい物質は、ＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯまたはＮａＦと混合された金属から選択される。典型的な組み合わせはＬｉＦ／Ａｌである。

トップにＩＴＯ層を有するＭｇ／Ａｌカソードは、ＵＳ５７０３４３６、ＵＳ５７０７７４５、ＵＳ６５４８９５６ Ｂ２、ＵＳ６５７６１３４ Ｂ２に記載される。Ａｎ Ｍｇ／Ａｇ 合金はＵＳ４８８５２２１に記載される。

基板は、リジッドであっても、フレキシブルであってもよい。それは、透明、半透明、不透明または反射性であってもよい。使用される物質は、ガラス、プラスチック、セラミックまたは金属ホイルであってよく、プラスチックおよび金属ホイルは、フレキシブル基板のために好ましく使用される。しかしながら、半導体材料、例えば、シリコーンウエハまたはプリント基板（ＰＣＢ）材料が、コンダクタトラックの産生を簡素化するために使用されてもよい。また他の基板が使用されてもよい。

使用されるガラスは、例えば、ソーダ石灰ガラス、ＢａまたはＳｒ含有ガラス、鉛ガラス、ケイ酸アルミニウムガラス、ホウケイ酸ガラス、Ｂａホウケイ酸ガラスまたは石英であってよい。

プラスチック板は、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ビニル塩化物樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポシキ樹脂、フェノール性樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテル硫化物樹脂またはポリスルホン樹脂からなってよい。

透明膜のために、例えば、ポリエチレン、エチレン−ビニルアセテートコポリマー、エチレン−ビニルアルコールコポリマー、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ＰＶＣ、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、テトラフルオロエチレン−ペルフルオロアルキルビニルエーテルコポリマー、ポリビニルフルオリド、テトラフルオロエチレン−エチレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオリド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミドまたはポリエーテルイミドで作られたものが使用される。

基板は、疎水性層と共に提供される。基板は好ましくは透明である。

ここで言及されたもの以外の他の材料もまた使用されてよい。適切な材料は当業者に公知である。

また、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、エキシトン阻止層、電子輸送層、電子注入層および光吸収層から選択される少なくとも１つの機能性層に混合されていることを特徴とするエレクトロニックも本発明の対象である。

光吸収層は、上記で明確にされたような少なくとも１つの染料を含む。

また本発明は、電子デバイスであり、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが少なくとも１つの電子注入層に混合されていることを特徴とする電子デバイスに関する。ＥＩＭとして適切な何れの物質も使用されてよく、好ましいＥＩＭは上述される。

少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む有機層が、少なくとも１つの電極に隣接することを特徴とする電子デバイスは、本発明の好ましい実施形態である。

本発明の更なる好ましい実施形態において、電子デバイスは、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む有機層がカソードに隣接することを特徴とする。

好ましいカソードは、Ａｕ、ＡｇおよびＩＴＯを含む。

また、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む有機層が、芳香族および複素芳香族系から選択される少なくとも１つの更なる有機化合物を含むことを特徴とする電子デバイスも本発明の対象である。

少なくとも１つの更なる有機化合物は、上述されたようなホスト物質、ＥＩＭ、ＥＴＭ、ＥＢＭ、ＨＩＭ、ＨＴＭ、ＨＢＭ、光吸収物質、ＥｘＢＭ、染料および金属錯体の群から選択される。

何れの芳香族および複素芳香族系が使用されてもよく、好ましくは、それは上述の化合物から選択される。

本発明の電子デバイスは、光の放出、収集および検知のために使用されてもよい。そのために、本発明はまた、デバイスが、光放出、光変換、集光または光センシングし、太陽電池、光ダイオードおよびセンサーの群から選択されることを特徴とする電子デバイスに関する。

好ましくは、電子デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）、有機発光電気化学セル、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、無線ＩＣ（ＲＦＩＤ）タグ、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタ、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止膜、伝導性基板またはパターン、光伝導体、電子写真素子、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機スピンデバイスおよび有機プラズモン放出デバイス（ＯＰＥＤ）から選択される。

有機プラズモン放出デバイス（ＯＰＥＤ）は好ましくは、Ｋｏｌｌｅｒらにより、Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ２００８，２，６８４−６８７に報告されているようなデバイスと言える。少なくとも１のアノードおよびカソードが発光層からの表面プラズモンと結合できなくてはならないことを除いて、ＯＰＥＤは、ＯＬＥＤと同様である。ＯＰＥＤは、本発明に従う１つのナノダイヤモンドイドまたは組成物を含むことが好ましい。

電子写真素子は、基板、電極および電極上方の電荷輸送層、並びに電極と電荷輸送層との間の任意の電荷発生層を含む。そこにおいて使用されるデバイスの詳細および変形および材料は、文献（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｐｈｏｔｏｒｅｃｅｐｔｏｒｓ ｆｏｒ Ｘｅｒｏｇｒａｐｈｙ，Ｍａｒｃｅｌｌ Ｄｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．，Ｅｄ．ｂｙ Ｐａｕｌ Ｍ．Ｂｏｒｓｅｎｂｅｒｇｅｒ ＆ Ｄ．Ｓ．Ｗｅｉｓｓ（１９９８））で言及される。そのようなデバイスは、上述および後述するような１つのナノダイヤモンドイドまたは混合物を含むことが好ましく、電荷輸送層に含むことが特に好ましい。

好ましい有機スピンデバイスは、スピンバルブデバイスであり、それはＺ．Ｈ．ＸｉｏｎｇらによりＮａｔｕｒｅ、２００４、Ｖｏｌ４２７、８２１に報告されるようなものであり、２つの強磁性電極と、２つの強磁性電極の間の有機層とを含み、ここにおいて、少なくとも１つの有機層は本発明に従う化合物を含み、強磁性電極は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ若しくはその合金、またはＲｅＭｎＯ_３若しくはＣｒＯ_２から構成され、ここにおいてＲｅは希土類元素である。

有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）は、２つの電極と、その間にある電解質および蛍光種の混合物または混成物とを含み、それはＰｅｉおよびＨｅｅｇｅｒにより、Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９５、２６９、１０８６−１０８８において最初に報告されている通りである。本発明に従うナノダイヤモンドイドまたは組成物はそのようなデバイスにおいて使用されることが望ましい。

色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）は、電極／色素増感ＴｉＯ_２多孔性薄膜／電解質／対極を含み、それはＯ’ＲｅｇａｎおよびＧｒａｔｚｅｌによりＮａｔｕｒｅ、１９９１、３５３、７３７−７４０において最初に報告された通りである。液体電解質は、固体正孔輸送層により置き換えられてもよく、それはＮａｔｕｒｅ、１９９８、３９５、５８３−５８５において報告されている通りである。

特に好ましくは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であることを特徴とする本発明に従う電子デバイスである。

ＯＬＥＤにおいて見るとき、層の典型的な並びは、例えば：
− 任意の第１の基板、
− アノード層、
− 任意の正孔注入層（ＨＩＬ）、
− 任意の正孔輸送層（ＨＴＬ）および／または電子阻止層（ＥＢＬ）、
− 任意の活性層、それは電気的または光学的な励起において、エキシトンを生ずる、
− 任意の電子輸送層（ＥＴＬ）および／または正孔阻止層（ＨＢＬ）、
− 任意の電子注入層（ＥＩＬ）、
− 少なくとも１つのナノダイヤモンドイドと任意の少なくとも１つの有機機能性物質とを含む任意の層、
− カソード層、
− 任意の第２の基板、
である。

挙げられた層構造の並びは、代表的なものである。他の並びも可能である。上述のデバイスにおける活性層に依存して、異なる光電子デバイスが得られるだろう。第１の好ましい実施形態において、活性層は、アノードとカソードとの間に電圧を適用することにより電気的励起においてエキシトンを生じ、更に、エキシトンの放射崩壊において光を放出する。一般に、これは発光デバイスと呼ばれる。もう一つの好ましい実施形態において、活性層は、光を吸収することによりエキシトンを生じ、更に、エキシトンの解離により自由電荷担体を生じる。一般に、これは光起電性または太陽電池と呼ばれる。

ここで使用されるとき、用語、中間層は、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）中の正孔注入層（または緩衝層）と発光層との間の層と定義され、それは電子阻止層であり、例えば、ＷＯ２００４／０８４２６０ Ａ２に開示される通りである。

図１は、本発明に従う小分子に基づくＯＬＥＤのための好ましいデバイス構造を示し、ここで層１はナノダイヤモンドイドからなる薄膜であり、好ましくは２０ｎｍ未満、特に好ましくは１０ｎｍ未満の厚さを有し、特に非常に好ましくはナノダイヤモンドイドの単一層である。カソード電極は、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＩＴＯ、特に好ましくはＡｌおよびＡｕ、またはそれらの組み合わせから選択されてよい。 図２は、カソード／ＬＥＰ／中間層／ＨＩＬ／アノードを含むポリマーに基づくＯＬＥＤのための最先端のデバイス構造を示す。 図３は、本発明に従うポリマーに基づくＯＬＥＤのための好ましいデバイス構造を示し、ここで層２はナノダイヤモンドイド、例えばテトラマンタンからなる薄膜である。層２の厚さは、好ましくは２０ｎｍ未満、特に好ましくは１０ｎｍ未満であり、特に非常に好ましくはナノダイヤモンドイドの単一層である。カソードは、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＩＴＯ、好ましくはＡｌおよびＡｕ、またはそれらの組み合わせから選択されてよい。 図４は、本発明に従うＯＬＥＤのための好ましいデバイス構造を示し、ここで層６はナノダイヤモンドイドおよび発光有機物質を含み、それは、小分子またはポリマーまたはその組合せの何れかである。カソードは、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｕ、ＡｇおよびＩＴＯ、好ましくはＡｌおよびＡｕ、またはそれらの組合せから選択されてよい。 図５は、本発明に従う小分子（ａ）およびポリマー（ｂ）に基づくＯＬＥＤのための好ましい新しいデバイス構造を示し、ここで層３はナノダイヤモンドイド、好ましくはテトラマンタンおよび特に好ましくはアノード上でアンカーとして役立つ基で官能化されたテトラマンタンを含む薄膜である。層３の厚さは、好ましくは２０ｎｍ未満、特に好ましくは１０ｎｍ未満である。特に非常に好ましい層３は、ナノダイヤモンドイドを含む単一層である。アノードは、Ａｕ、Ａｇ、ＰｔおよびＩＴＯ、特に好ましくはＡｇ、ＡｕおよびＩＴＯ、またはそれらの組合せから選択されてよい。 図６は、小分子（ａ）およびポリマー（ｂ）に基づくＯＬＥＤのための好ましい新しいデバイス構造を示し、ここで層５はＡｕの薄膜であり、好ましくは５ｎｍ未満、特に好ましくは２ｎｍ未満の厚さを有する。層４は、ナノダイヤモンドイド、好ましくはテトラマンタンおよび特に好ましくはＡｕ表面上でアンカーとして役立つ基で官能化されたテトラマンタンを含む薄膜である。これは例えば、ナノダイヤモンドイドの骨格への、好ましくはテトラマンタンへのチオール基の導入によって達成されてもよい。特に非常に好ましくは、層４は、ナノダイヤモンドイドの単一層である。アノードは、透明金属酸化物、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ₂、または導電炭素ナノチューブおよび／またはグラフェンに基づく組成物から選択されてもよい。

多種多様な更なるデバイス構造が可能であり、当業者は、独創性を伴わずに本発明の開示に基づいてデバイス構造を明示できる。

本発明はまた本発明に従う配合物および／または組成物を使用する電子デバイスの製造のための方法に関する。

現代のマイクロエレクトロニクスにおける小構造またはパターンを生成し、生産コストおよび電力消費を低減することが望ましい。本発明の層のパターニングは例えばフォトリソグラフィー、電子ビームリソグラフィー、ナノ−インプリントリソグラフィー（例えば、サイエンス１９９９、２８３、６６１−６６３に報告される通り）または「ディップペン」ナノリソグラフィー（例えば、サイエンス１９９９、２８３、６６１−６６３に報告されている通り）によって実行されてよい。

電子または光電子デバイスにおける薄層としての使用のために、本発明のナノダイアモンドナイド、組成物および配合物は、何れかの適切な方法により堆積されてよい。ＯＬＥＤのようなデバイスにとって、液体コーティングは真空堆積技術に比べてより好ましい。溶液堆積のための方法は好ましい。

従って、本発明はまた電子デバイスを製造する方法に関し、デバイスの少なくとも１つの層が溶液によりコーティングされることを特徴とする。

好ましくは、電子デバイスを製造する方法は印刷方式である。

本発明の好ましい印刷方式は、スピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、ドクターブレード印刷から選択され、特に好ましくはインクジェット印刷である。

本発明の更に好ましい印刷方式は、浸漬コーティング、活版印刷、ローラー捺染、リバースローラー捺染、オフセットリソグラフィー印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、ブラシコーティングまたはパッド印刷、およびスロット−ダイコーティングである。

インクジェット印刷またはマイクロディスペンスによって適用されるために、本発明のナノダイヤモンドイドまたはその組成物若しくは配合物は、まず最初に適切な溶媒に溶解されるべきである。溶媒は、上述で規定された必要条件を満たさなければならず、かつ選択された印刷ヘッドにおいて何れの有害作用を有するべきではない。加えて、印刷ヘッドの内部での溶液が完全に乾燥しきることにより引き起こされる操作性の問題を防ぐために、溶媒は、１００℃よりも高い、好ましくは１４０℃よりも高い、特に好ましくは１５０℃よりも高い沸点を有するべきである。前述した溶媒を除けば、適切な溶媒は、置換および未置換キシレン誘導体、ジ−Ｃ_１−２−アルキルホルムアミド、置換および未置換アニソールおよび他のフェノール−エーテル誘導体、置換複素環、例えば、置換ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピロリジン、置換および未置換Ｎ,Ｎ−ジ−Ｃ_１−２−アルキルアニリンおよび他のフッ素化または塩素化芳香族を含む。

本発明に従うナノダイヤモンドイド、組成物または配合物をインクジェット印刷により堆積するための好ましい溶媒は、ベンゼン誘導体を含み、それは１つまたはそれ１以上の置換基により置換されたベンゼン環を有し、ここで１つまたは１以上の置換基中の炭素原子の総数は少なくとも３つである。例えば、ベンゼン誘導体は少なくともプロピレン基または少なくとも３つのメチル基で置換されてもよい。そのような溶媒は、形成されるべきインクジェット流体がポリマーと共に溶媒を含むことを可能にし、それはスプレー中のノズルの目詰まりと成分の分離とを低減または防ぐ。溶媒は、これに限定するものではないが、ドデシルベンゼン、１−メチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、テルピネオールリモネン、イソズレン、テルピノレン、シメン、ジエチルベンゼンから選択される少なくとも１つの溶媒を含む。溶媒または２または２以上の溶媒の組み合わせは、１００℃よりも高い、好ましくは１４０℃よりも高い沸点を有する。またそのような溶媒は堆積された層中の膜構成を促進し、かつ層中の不具合を減少する。

インクジェット流体は、溶媒、結合剤およびナノダイヤモンドイドの組成物であり、ここでまたナノダイヤモンドイドは本発明に従う組成物および配合物に従って使用されてよく、インクジェット流体は、好ましくは２０℃で１〜１００ｍＰａ・ｓ、特に好ましくは１〜５０ｍＰａ・ｓ、特に非常に好ましくは１〜３０ｍＰａ・ｓの粘度を有する。

本発明のナノダイヤモンドイドまたは組成物または配合物は、少なくとも１つの更なる成分をさらに含んでよい。この更なる成分は、界面活性化合物、潤滑剤、湿潤剤、分散剤、疎水性化剤、接着剤、流動改質剤、脱泡剤、脱気装置、希釈剤、それは反応性または非反応性であってよく、補助剤、着色剤、染料または顔料、増感剤、安定剤または阻害物質から好ましくは選択される。

また特に、ナノダイヤモンドイド、ナノダイヤモンドイドを含む組成物、または組成物の他の化合物が適切な溶解度を有さない、または所望の溶媒に溶解しない場合には、本発明の組成物は気相から堆積されてもよい。

従って、本発明はまた、電子デバイスの製造のための方法であって、少なくとも１つの機能性層が気相蒸堆積、および熱真空相堆積により堆積されることを特徴とする方法に関する。

堆積のための異なる技術が、本発明に従うデバイスを完成するために適用されてもよい。使用される技術は例えば堆積されるべき物質に依存する。従って、１つの層の気相堆積の後に、例えばスピンコーティングによる別の層の堆積が続いてもよい。

気相堆積法は、熱真空蒸着、有機蒸発噴射印刷（ＯＶＪＰ）（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（０８），９２，０５３３０１／１−０５３３０１／３）、および当業者に知られる何れか他の標準技術から選択されてよい。

本発明の前述の実施形態のために変形がなされることは可能であり、同時にそれが本発明の範囲内に依然として収まることは十分に理解されるだろう。本明細書において開示された各々の特徴は、他に言及がない限り、同じ、均等または同様の目的を果たす代替的な特徴により置き換えられてもよい。従って、他に言及がない限り、開示された各々の特徴は、一般的な一連の均等または同様の特徴の単に１つの例である。

本明細書に開示された全ての特徴は、何れかの組み合わせにおいて、組み合わされてもよいが、そのような特徴および／または工程の少なくとも幾つかが、互いに排他的な組み合わせを除く。特に、本発明の好ましい特徴は、本発明の全ての態様に対して適用され、何れかの組み合わせにおいて使用されてもよい。同様に、不必要な組み合わせにおいて記載される特徴は（組み合わせにおいてではなく）独立して使用されてよい。

上述において記載された、とりわけ好ましい実施形態の多くの特徴は、それら独自の権利において特許性を有し、本発明の実施形態の一部分としてのみのものではないことは十分に理解されるだろう。独立した保護が、現在請求されている何れかの発明に加えて、またはそれに代えて要求されてもよい。

ここに開示されるような教示は、短く纏められてもよく、開示された他の例と組み合わされてもよい。

本発明の他の特徴は、以下の典型的な実施形態の記載の過程において明らかになり、それは本発明を説明するために挙げられたものであり、それに制限するべきことを意図するものではない。

実施例
例１−ポリマー性物質
次のポリマーはスズキカップリングを使用することによって合成される。反応は、当業者に周知の合成方法に従って実行されてよい。方法は、例えばＷＯ２００３／０４８２２５に記述される。

中間層として用いられるポリマーＩＬ１は、示される通りのモル％で次のモノマーを含むコポリマーである。

結果として得られるポリマーの分子量は、２０００００から３０００００ｇ／モルに分布する。

発光ポリマー（ＬＥＰ）として用いられるポリマーＬＥＰ１は、示される通りのモル％で次のモノマーを含むコポリマーである。

結果として得られるポリマーの分子量は、３０００００から４０００００ｇ／モルに分布する。

例２−ナノダイヤモンドイド
次のナノダイヤモンドイド；テトラマンタンおよびテトラマンタン−６Ｓを本発明で用いる。

テトラマンタン−６Ｓの合成は当業者に周知の合成方法に従って行う。合成経路は、例えばＯｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００６、Ｖｏｌ．８，Ｎｏ．９， １７６７−１７７０に報告されている。

例３：配合物１
ＬＥＰ１およびテトラマンタンを含む配合物１は、次のような当業者に周知の方法に従って製造される：
１）８０ｍｇのＬＥＰ１および２０ｍｇのテトラマンタンを１０ｍｌのトルエンに溶解する；
２）清澄な溶液が得られるまで配合物を撹拌する；
３）Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｍｉｌｌｅｘ ＬＳ、疎水性のＰＴＦＥ ５．０μｍを使用して溶液を濾過する。

配合物１は、コーティングによりＬＥまたはＥＴＬを含む発光層を構築するために使用されてよい。適用される手順は、当業者に周知の標準技術である。

例４−組成物１
ＬＥＰ１およびテトラマンタンを含む固体粉末組成物１は、配合物１の溶媒を蒸発することによって得られる。結果として得られる固体粉末は、更なる配合物を製造するために使用されてもよい。適用される手順は、当業者に周知の標準技術である。

例５：配合物２
ＬＥＰ１およびテトラマンタン−６Ｓを含む配合物２は、次のような当業者に周知の方法に従って製造される：
１）８０ｍｇのＬＥＰ１および２０ｍｇのテトラマンタン−６Ｓを１０ｍｌのトルエンに溶解する；
２）清澄な溶液が得られるまで配合物を撹拌する；
３）Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｍｉｌｌｅｘ ＬＳ、疎水性のＰＴＦＥ ５．０μｍを使用して溶液を濾過する。

配合物２は、コーティングによりＬＥＰまたはＥＴＬを含む発光層を構築するために使用されてよい。適用される手順は、当業者に周知の標準技術である。

例６−組成物２
ＬＥＰ１およびテトラマンタン−６Ｓを含む固体粉末組成物２は、配合物２の溶媒を蒸発することによって得られる。結果として得られる固体粉末は、更なる配合物を製造するために使用される。適用される手順は、当業者に周知の標準技術である。

例７：配合物３
ＬＥＰ１およびテトラマンタン−６Ｓを含む配合物３は、次のような当業者に周知の方法に従って製造される：
１）４０ｍｇのＩＬ１および１０ｍｇのテトラマンタン−６Ｓを１０ｍｌのトルエンに溶解する；
２）清澄な溶液が得られるまで配合物を撹拌する；
３）Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ Ｍｉｌｌｅｘ ＬＳ、疎水性のＰＴＦＥ ５．０μｍを使用して溶液を濾過する。

配合物３は、コーティングにより中間層を構築するために使用されてよい。適用される手順は、当業者に周知の標準技術である。

例８−組成物３
ＩＬ１およびテトラマンタン−６Ｓを含む固体粉末組成物３は、配合物３の溶媒を蒸発することにより得られる。結果として得られる固体粉末は、更なる配合物を製造するために使用される。適用される手順は、当業者に周知の標準技術である。

例９：ＰＬＥＤ１コントロールデバイス
図２に示される通りのＰＬＥＤ１は、当業者に周知の標準技術を使用する次の手順に従って製造される：
１）ＰＥＤＯＴ（Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ ＡＩ ４０８３）をスピンコーティングによってＩＴＯコーティングガラス基板上に８０ｎｍの厚さで堆積し、次に１８０℃で１０分間加熱する；
２）２０ｎｍのＩＬ１をグローブボックス内で０．５ｗｔ％の濃度を有するトルエン溶液からスピンコーティングによって堆積する；
３）ＩＬ１層をグローブボックス内で１８０℃で１時間加熱する；
４）０．５〜１ｗｔ％の濃度でトルエン中にＬＥＰ１を含む配合物をスピンコーティングすることによってＬＥＰ層を堆積し、６５ｎｍの厚さを有する層を得る；
５）デバイスを１８０℃で１０分間加熱する；
６）Ｂａ／Ａｌカソードを３ｎｍ／１５０ｎｍの厚さで発光層上に蒸着により堆積する；
７）デバイスを封入する。

例１０：ＰＬＥＤ２デバイス
図３に示される通りのＰＬＥＤ２は、当業者に周知の標準技術を使用する次の手順に従って製造される。

１）〜４）例９で記述される通りの手順；
５）０．５％の濃度のペンタン中のテトラマンタン−６Ｓの溶液からスピンコーティングによりＥＩＬを堆積する。層の厚さは１０ｎｍである；
６）デバイスを１８０℃で１０分間加熱する；
７）Ｂａ／Ａｌ（３ｎｍ／１５０ｎｍ）カソードをＥＩＬ上に蒸着により堆積する；
８）デバイスを封入する。

例１１：ＰＬＥＤ３デバイス
テトラメンタンを含む図４に示される通りのＰＬＥＤ３を当業者に周知の標準方法を使用する次の手順に従って製造する。

１）〜３）例９で記述される通りの手順；
４）配合物１をスピンコーティングにより堆積する。層の厚さは６５ｎｍである；
５）〜７）例９で記述される通りの手順。

例１２：ＰＬＥＤ４デバイス
テトラメンタン−６Ｓを含む図４に示される通りのＰＬＥＤ４は、当業者に周知の標準方法を使用する次の手順に従って製造される：
１）〜３）例９で記述される通りの手順；
４）配合物２をスピンコーティングによって堆積する。層の厚さは６５ｎｍである；
５）〜７）例９で記述される通りの手順。

例１３：ＰＬＥＤ５デバイス
テトラメンタン−６ＳおよびＡｕカソードを含む図６（ｂ）に示される通りのＰＬＥＤ５は当業者に周知の標準方法を使用する次の手順に従って製造される。

１）３−５ｎｍのＡｕを真空熱蒸着によってＩＴＯコーティングガラス基板上に堆積する；
２）Ａｕ上のテトラマンタン−６Ｓの自己集合単一層（ＳＡＭ）を、ＡｕコーティングＩＴＯガラス基板を１ｗｔ％の濃度のエタノール／トルエン（１：１）中のテトラマンタン−６Ｓの溶液に２日間浸漬することによって完成する。次に基板をトルエンおよびエタノールで洗浄する。溶媒を加熱によって除去する（Ｓｃｉｅｎｃｅ ２００７，３１６，１４６０−１４６２）；
３）０．５〜１ｗｔ％の濃度でトルエン中にＬＥＰ１を含む配合物をスピンコーティングすることによりＬＥＰ層を堆積する。層の厚さは６５ｎｍである；
４）ＮＰＢ（２０ｎｍ）を真空熱蒸着によってＬＥＰ層上にＨＩＬとして堆積する；
５）カソードをＡｕ／Ａｌ（３ｎｍ／１５０ｎｍ）を発光層上に蒸着によって堆積する；
６）デバイスを封入する。

例１４：ＰＬＥＤ６コントロールデバイス２
ＰＬＥＤ６は、ＰＬＥＤ５のためのコントロールデバイスとして製造される。ＰＬＥＤ６は、ＰＬＥＤ５と殆ど同じデバイス構造を有する（図６（ｂ）参照）。ＰＬＥＤ５に対し、ＰＬＥＤ６はテトラマンタン−６Ｓを含むＳＡＭを有さない。

ＰＬＥＤ６は例１３に概説されるような手順に従って製造されるが、工程２は行わない。

例１５：ＰＬＥＤ１〜６における測定
デバイスＰＬＥＤ１〜６を当業者に周知の標準方法を使用する種々の物理特性について調査する。記録される特性は：電圧−電流ルミネッセンス（ＶＩＬ）特性、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトル、カラーコーディネイト（ＣＩＥ）、効率および駆動電圧である。

対照としてＰＬＥＤ１を用いる比較を表１に纏め、ここにおいてＵｏｎはターンオン電圧を表し、Ｕ（１００）は１００ニトでの電圧であり、かつＵ（１０００）は１０００ニトでの電圧である。外部量子効率は、ＥＱＥとして略記される.

表１のデータは、ＯＬＥＤ内のナノダイヤモンドイドの組み込みがＯＬＥＤの性能を有意に改善することを示す。最良の性能は、ＥＩＬ（ＰＬＥＤ２）としてテトラマンタン−６Ｓを用い、引き続いてテトラマンタン−６Ｓ（ＰＬＥＤ４）を含む混合ＬＥＰ層によって達成される。テトラマンタンおよびＰＬＥＤ１の混合物を含むＯＬＥＤは、コントロールデバイスＰＬＥＤ１に匹敵するか、または僅かに良好な性能を与える。

ＰＬＥＤ５は、従来の構造に比べて有益な特性を有する新しいデバイス構造を示す。表２は、ＰＬＥＤ５とＰＬＥＤ６との間の比較を示し、ＳＡＭを除いて非常に類似したデバイス構造を有する。ＰＬＥＤ６は、正孔単独デバイスのように作用する。光を放出せず、１つはエレクトロルミネッセンススペクトルを得られない。これに対し、カソードとしてＡｕ／ＳＡＭを有するＰＬＥＤ５は良好な性能を伴い作用する。

例１６：ＳＭＯＬＥＤデバイス１および２
次に、小分子（ＳＭＯＬＥＤ）に基づく更なるＯＬＥＤを製造し、比較する。

ここで使用される機能性小分子物質を次の通り列記する：ＨＴＭ１はＨＴＬに、ＥＴＭ１はＥＴＬに用いられ、ＥＭＬは両ＳＭＯＬＥＤのために体積比が９５：５のホスト１とエミッタ１との混合物からなる。エミッタ１の合成は、ＷＯ２００８／００６４４９Ａ１に開示される。

ＳＭＯＬＥＤの製造は、ＷＯ２００４／０５８９１１またはＷＯ２００８／００６４４９に記述されるような手順に従って行われる。ＰＥＤＯＴ層を除いて、他の全ての有機層を真空熱蒸着によって堆積する。ＳＭＯＬＥＤを次の通りに製造する：
ＳＭＯＬＥＤ１は、図５ａに示される通りの本発明の好ましいデバイス構造に従うＯＬＥＤであるが、ＨＩＬは省略される。ＳＭＯＬＥＤ１の層構造は、ＩＴＯ／Ａｕ（３ｎｍ）／ＳＡＭ／ＥＴＭ１（２０ｎｍ）／ホスト１：５％エミッタ１（３０ｎｍ）／ＨＴＭ１（６０ｎｍ）／Ａｕ（１５０ｎｍ）であり、ここにおいてＳＡＭはテトラマンテン−６Ｓの自己集合単一層である。積層ＩＴＯ／Ａｕ（３ｎｍ）／ＳＡＭ／はカソードとして用いられ、例１３のＰＬＥＤ５のために概説されるものと同じ手順に従って製造される。

ＳＭＯＬＥＤ２は、ＳＭＯＬＥＤ１と同じ構造を有するが、ＡｕおよびＥＴＬを含む層の間にＳＡＭがない。ＳＭＯＬＥＤ２の構造は、ＩＴＯ／Ａｕ（３ｎｍ）／ＥＴＭ１（２０ｎｍ）／ホスト１：５％エミッタ１（３０ｎｍ）／ＨＴＭ１（６０ｎｍ）／Ａｕ（１５０ｎｍ）である。

ＳＭＯＬＥＤ１およびＳＭＯＬＥＤ２を分析し、それらの性能特徴を表３に纏める。ＰＬＥＰ６と同様に、ＳＭＯＬＥＤ１は電子がＩＴＯ／Ａｕから注入できないので、光を放出しない。

ＳＭＯＬＥＤ１の性能はＳＭＯＬＥＤ２に比べて有意に改良される。

以下に、本願発明の態様を付記する。
１． 少なくとも１つのナノダイヤモンドイドと少なくとも１つの有機機能性物質とを含む組成物。
２． １に記載の組成物であって、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが水素終端または官能化されていることを特徴とする組成物。
３． １または２に記載の組成物であって、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン、ペンタマンタン、シクロヘキサマンタン、デカマンタン、高級ダイアモンドイド、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする組成物。
４． １〜３の１または１以上に記載の組成物であって、少なくとも１つの有機機能性物質が、ホスト物質、発光物質（ＥＭ）、正孔注入物質（ＨＩＭ）、正孔輸送物質（ＨＴＭ）、正孔阻止物質（ＨＢＭ）、電子注入物質（ＥＩＭ）、電子輸送物質（ＥＴＭ）、電子阻止物質（ＥＢＭ）、エキシトン阻止物質（ＥｘＢＭ）、光吸収物質、染料および金属錯体から選択されることを特徴とする組成物。
５． １〜４の１または１以上に記載の組成物であって、少なくとも１つの有機機能性物質が発光物質であることを特徴とする組成物。
６． ５に記載の組成物であって、発光物質が、少なくとも１つのホスト物質と少なくとも１つのエミッタ物質とを含み、ホスト物質が、アントラセン、ベンズアントラセン、ケトン、カルバゾール、トリアリールアミン、インデノフルオレン、フルオレン、スピロビフルオレン、フェナントレン、ジヒドロフェナントレン、チオフェン、トリアジン、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする組成物。
７． １〜６の１または１以上に記載の組成物であって、少なくとも１つの有機機能性物質が電子注入物質であり、それが、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、複素環式有機化合物、フルオレノン、フルオレニリデンメタン、ペリレンテトラカルボン酸、アントラキノンジメタン、ジフェノキノン、アントロンおよびアントラキノンジエチレンジアミン、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする組成物。
８． １〜７の１または１以上に記載の組成物であって、少なくとも１つの有機機能性物質が電子輸送物質であり、それが、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、オキサジアゾール、キノリン、キノキサリン、アントラセン、ベンズアントラセン、ピレン、ペリレン、ベンズイミダゾール、トリアジン、ケトン、ホスフィンオキシド、フェナジン、フェナントロリン、トリアリールボラン、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする組成物
９． １〜８の１または１以上に記載の組成物であって、少なくとも１つの有機機能性物質が染料であり、それが、ペリレン、ルテニウム染料、フタロシアニン、アゾ染料、ペリレン−ジアミン、ポルフィリン、スクアライン、その異性体およびその誘導体から選択されることを特徴とする組成物。
１０． １〜９の１または１以上に記載の組成物であって、少なくとも１つの有機機能性物質が金属錯体であり、当該金属が、遷移金属、希土類元素、ランタニドおよびアクチニドから選択され、好ましくは前記金属がＩｒ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｈ、ＰｄおよびＡｇから選択されることを特徴とする組成物。
１１． １〜１０の１または１以上に記載の組成物と少なくとも１つの有機溶媒とを含む配合物。
１２． 電子デバイスまたは光電子デバイスを製造するための１〜１０の１または１以上に記載の組成物または１１に記載の配合物の使用。
１３． 少なくとも１つの有機層と少なくとも２つの電極とを含む電子デバイスであって、少なくとも１つの有機層が、少なくとも１つの水素終端または官能化されたナノダイヤモンドイドを含むことを特徴とする電子デバイス。
１４． １３に記載の電気デバイスであって、少なくとも１つの有機層が、少なくとも１つの水素終端または官能化されたナノダイヤモンドイド、好ましくは官能化されたナノダイヤモンドイドからなることを特徴とする電気デバイス。
１５． １４に記載の電子デバイスであって、少なくとも１つの当該層が単一層であることを特徴とする電子デバイス。
１６． １３〜１５の１または１以上に記載の電子デバイスであって、少なくとも１つの有機層が１〜１０の１または１以上に記載の少なくとも１つの組成物を含むことを特徴とする電子デバイス。
１７． １３〜１６の１または１以上に記載の電子デバイスであって、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが少なくとも１つの電子注入層に混合されていることを特徴とする電子デバイス。
１８． １３〜１７の１または１以上に記載の電子デバイスであって、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドを含む有機層が、少なくとも１つの電極に隣接する、好ましくはＡｕ、ＡｇおよびＩＴＯを含むカソードに好ましくは隣接することを特徴とする電子デバイス。
１９． １３〜１８の１または１以上に記載の電子デバイスであって、デバイスが、有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）、有機発光電気化学セル、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、無線ＩＣ（ＲＦＩＤ）タグ、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタ、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止膜、導電性基板またはパターン、光導電体、電子写真素子、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機スピンデバイスおよび有機プラズモン放出デバイス（ＯＰＥＤｓ）から選択され、好ましくは有機発光ダイオードから選択される光放出デバイス、光変換デバイス、集光デバイスまたは光センサーデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
２０． １１に記載の配合物または１〜１０の１または１以上に記載の組成物を使用することによる１３〜１９の何れか１項に記載の電子デバイスを製造する方法。
２１． ２０に記載の方法であって、デバイスの少なくとも１つの層が溶液からコーティングされていることを特徴とする方法。
２２． ２０または２１に記載の方法であって、使用される方法が、印刷方法であり、好ましくは印刷方式が、スピンコーティング、インクジェット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、ローラー捺染、リバースローラー捺染、ウェブ印刷およびパッド印刷から選択されることを特徴とする方法。
２３． ２０〜２２の１または１以上に記載の方法であって、少なくとも１つの機能層が気相堆積および熱真空相堆積によって堆積されることを特徴とする方法。

Claims (9)

1. 少なくとも１つの有機層と少なくとも２つの電極とを含む電子デバイスであって、電子デバイスが、少なくとも１つの水素終端または官能化されたナノダイヤモンドイドを含む電子注入層を含むことを特徴とする電子デバイス。
2. 請求項１に記載の電気デバイスであって、電子注入層が、少なくとも１つの水素終端または官能化されたナノダイヤモンドイドからなることを特徴とする電気デバイス。
3. 請求項１または２に記載の電気デバイスであって、電子注入層が、官能化されたナノダイヤモンドイドからなることを特徴とする電気デバイス。
4. 請求項２または３に記載の電子デバイスであって、電子注入層が単一層であることを特徴とする電子デバイス。
5. 請求項１に記載の電子デバイスであって、少なくとも１つのナノダイヤモンドイドが、アダマンタン、ジアマンタン、トリアマンタン、テトラマンタン、ペンタマンタン、シクロヘキサマンタン、デカマンタン、高級ダイアモンドイド、その異性体および誘導体から選択されることを特徴とする電子デバイス。
6. 請求項１〜５の何れか１項１に記載の電子デバイスであって、電子注入層が、少なくとも１つのカソードに隣接することを特徴とする電子デバイス。
7. 請求項６に記載の電子デバイスであって、カソードがＡｕ、ＡｇおよびＩＴＯを含むことを特徴とする電子デバイス。
8. 請求項１〜７の何れか１項に記載の電子デバイスであって、デバイスが、有機発光ダイオード、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）、有機発光電気化学セル、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、光検出器、センサー、電荷注入層、ショットキーダイオード、光導電体、電子写真素子、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）および有機スピンデバイスから選択される光放出デバイス、光変換デバイス、集光デバイスまたは光センサーデバイスであることを特徴とする電子デバイス。
9. 請求項１〜８の何れか１項に記載の電子デバイスであって、デバイスが、有機発光ダイオードであることを特徴とする電子デバイス。

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