JPH0476918A - ウェハ表面のエピタキシャル成長層のエッチング方法 - Google Patents
ウェハ表面のエピタキシャル成長層のエッチング方法Info
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- JPH0476918A JPH0476918A JP19032790A JP19032790A JPH0476918A JP H0476918 A JPH0476918 A JP H0476918A JP 19032790 A JP19032790 A JP 19032790A JP 19032790 A JP19032790 A JP 19032790A JP H0476918 A JPH0476918 A JP H0476918A
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は既存ウェハ表面に形成されたエピタキシャル成
長層の厚みを均一化するエツチング方法に関する。
長層の厚みを均一化するエツチング方法に関する。
（従来の技術）
従来、ＦＥＴ （電界効果トランジスタ）を製造するに
は、半導体基板メーカ等からウェハを購入し、この既存
のウェハ表面にソース電極、トレイン電極或いはゲート
を形成することでＦＥＴを製造している。
は、半導体基板メーカ等からウェハを購入し、この既存
のウェハ表面にソース電極、トレイン電極或いはゲート
を形成することでＦＥＴを製造している。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、ＦＥＴを製造する場合にはウェハのエピ
タキシャル成長層を能動層として用いるために、エピタ
キシャル成長層の膜厚分布かそのままＩ ｄｓｓ （チ
ャンネル飽和電流）を左右することになる。例えば、φ
２インチのＧａＡｓウェハの場合、エピタキシャル成長
層の膜厚分布は２％程度であるが、エピタキシャル成長
層の厚さか０゜４μｍの場合、膜厚分布は（最大膜厚−
最小膜厚）が８０Ａ程度になる。
タキシャル成長層を能動層として用いるために、エピタ
キシャル成長層の膜厚分布かそのままＩ ｄｓｓ （チ
ャンネル飽和電流）を左右することになる。例えば、φ
２インチのＧａＡｓウェハの場合、エピタキシャル成長
層の膜厚分布は２％程度であるが、エピタキシャル成長
層の厚さか０゜４μｍの場合、膜厚分布は（最大膜厚−
最小膜厚）が８０Ａ程度になる。
したかって、従来のように既存のウェハをそのまま用い
るのでは、この膜厚分布がそのままＦＥＴのチャンネル
層の分布になり、Ｉ ｄｓｓ分布は著しく悪くなる。例
えば第２図に示ずようにＩ ｄｓｓはウェハ中心で３０
ｍＡ程度であるが、ウェハエツジに近付くにつれて増大
し、エツジ付近では２００ｍＡ程度になっている。
るのでは、この膜厚分布がそのままＦＥＴのチャンネル
層の分布になり、Ｉ ｄｓｓ分布は著しく悪くなる。例
えば第２図に示ずようにＩ ｄｓｓはウェハ中心で３０
ｍＡ程度であるが、ウェハエツジに近付くにつれて増大
し、エツジ付近では２００ｍＡ程度になっている。
そして、ＦＥＴの用途に応じてそのＦＥＴに要求される
Ｉ ｄｓｓは範囲を制限されるため、Ｉ ｄｓｓのウェ
ハ面内での均一性か悪いと、単位ウェハ枚数から取れる
ＦＥＴ素子数が少なくなって歩留りが低下する。
Ｉ ｄｓｓは範囲を制限されるため、Ｉ ｄｓｓのウェ
ハ面内での均一性か悪いと、単位ウェハ枚数から取れる
ＦＥＴ素子数が少なくなって歩留りが低下する。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため本発明は、既存のウェハのエピ
タキシャル成長層の中心付近から外周へ向ってエツチン
グ液を吐出するノズルを移動しつつエツチング液を吐出
するようにした。
タキシャル成長層の中心付近から外周へ向ってエツチン
グ液を吐出するノズルを移動しつつエツチング液を吐出
するようにした。
（作用）
既存のウェハのエピタキシャル成長層の膜厚は外周寄り
になるほど厚くなるが、外周寄りになるほどエツチング
液に曝される時間が長くなり、結果としてエピタキシャ
ル成長層の膜厚か均一になる。
になるほど厚くなるが、外周寄りになるほどエツチング
液に曝される時間が長くなり、結果としてエピタキシャ
ル成長層の膜厚か均一になる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
第１図は本発明方法の実施に利用する装置の概念図であ
る。
る。
既存ウェハのエピタキシャル成長層の膜厚を均一にする
には、例えば既存ウェハの表面をエピタキシャル成長層
膜厚分布をなくすようにウェット・エツチングすること
で行える。このウェット・エツチングは、ウェハをその
面内の一点を中心として回転させながら、表面にエツチ
ング液を吐出し、このときウェハの回転中心をＩ ｄｓ
ｓ分布の中心点位置とし、エツチング液の吐出点を回転
中心から外周方向へ所定速度で移動させることによって
、エピタキシャル成長層膜厚を均一にできる。
には、例えば既存ウェハの表面をエピタキシャル成長層
膜厚分布をなくすようにウェット・エツチングすること
で行える。このウェット・エツチングは、ウェハをその
面内の一点を中心として回転させながら、表面にエツチ
ング液を吐出し、このときウェハの回転中心をＩ ｄｓ
ｓ分布の中心点位置とし、エツチング液の吐出点を回転
中心から外周方向へ所定速度で移動させることによって
、エピタキシャル成長層膜厚を均一にできる。
これを第１図を参照して具体的に説明すると、ウェハ１
のエピタキシャル成長層膜厚分布の中心位置を推定し、
この位置を真空ポンプ等につなかるスピンナ装置の軸２
の中心と一致させ、次いでウェハ１を軸２の上端に載せ
、軸２の上端に開口する吸引孔を介して吸着する。
のエピタキシャル成長層膜厚分布の中心位置を推定し、
この位置を真空ポンプ等につなかるスピンナ装置の軸２
の中心と一致させ、次いでウェハ１を軸２の上端に載せ
、軸２の上端に開口する吸引孔を介して吸着する。
そして、ウェハ１を例えば５０００ ｒｐｍ／ｍｉｎで
高速回転させ、マイコン等にて駆動制御される純粋吐出
装置３のノズル３ａから純水（或いは濃度を非常に下げ
たエツチング液）をウェハ１の回転中心付近に吐出して
、ウェハ１表面のエツチング液に対する濡れ特性を向上
させる。尚、濃度を非常に下げたエツチング液を用いる
場合には、一定時間吐出した後、純水に切換える。
高速回転させ、マイコン等にて駆動制御される純粋吐出
装置３のノズル３ａから純水（或いは濃度を非常に下げ
たエツチング液）をウェハ１の回転中心付近に吐出して
、ウェハ１表面のエツチング液に対する濡れ特性を向上
させる。尚、濃度を非常に下げたエツチング液を用いる
場合には、一定時間吐出した後、純水に切換える。
その後、マイコン等にて駆動制御されるエツチング液吐
出装置４のノズル４ａからエツチング液をウェハ１の回
転中心付近に吐出し、予め実験等により求めた条件に基
づき、エツチング液の吐出点をウェハ１の外周方向に移
動させる。このとき、純水吐出装置３による回転中心へ
の純水の吐出は継続する。
出装置４のノズル４ａからエツチング液をウェハ１の回
転中心付近に吐出し、予め実験等により求めた条件に基
づき、エツチング液の吐出点をウェハ１の外周方向に移
動させる。このとき、純水吐出装置３による回転中心へ
の純水の吐出は継続する。
そして、エツチング液の吐出点がウェハ１の外周に達し
たときにエツチング液吐出装置４からのエツチング液の
吐出を停止し、その後所定時間純水吐出装置３による回
転中心への純水の吐出を継続した後純水の吐出も停止し
、更にウェハ１の回転はしばらく継続して水切りを行っ
た後回転を停止する。
たときにエツチング液吐出装置４からのエツチング液の
吐出を停止し、その後所定時間純水吐出装置３による回
転中心への純水の吐出を継続した後純水の吐出も停止し
、更にウェハ１の回転はしばらく継続して水切りを行っ
た後回転を停止する。
このようにすることによって、ウェハ１の回転中心（エ
ピタキシャル成長層膜厚分布の中心）から外周に向うに
つれてエツチング液に曝される時間か長くなってより深
くエツチングされるため、回転中心を中心としてエピタ
キシャル成長層の膜厚分布か均一化する。
ピタキシャル成長層膜厚分布の中心）から外周に向うに
つれてエツチング液に曝される時間か長くなってより深
くエツチングされるため、回転中心を中心としてエピタ
キシャル成長層の膜厚分布か均一化する。
このようなエピタキシャル成長層膜厚の均一化処理を施
した後、ＦＥＴを製造する。
した後、ＦＥＴを製造する。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、既存のウェハのエ
ピタキシャル成長層の膜厚を均質化できるので、このウ
ェハからＦＥＴを製造すれば、単位ウェハー枚数当たり
から取れるＦＥＴの丁ｄｓｓ分布が狭くなり、特定範囲
のＩ ｄｓｓを有するＦＥＴか必要な場合の歩留りが向
上する。
ピタキシャル成長層の膜厚を均質化できるので、このウ
ェハからＦＥＴを製造すれば、単位ウェハー枚数当たり
から取れるＦＥＴの丁ｄｓｓ分布が狭くなり、特定範囲
のＩ ｄｓｓを有するＦＥＴか必要な場合の歩留りが向
上する。
第１図は本発明方法の実施に用いる装置の概念図、第２
図は既存ウェハをそのまま用いてＦＥＴヲ製造した場合
のＩ ｄｓｓの分布を示す説明図である。 １・・・ウェハ、２・・・スピンナの軸、３・・、純水
吐出装置、３ａ・・・純水吐出ノズル、４・・・エツチ
ング液吐出装置、４ａ・・・エツチング液吐出ノズル。 特 許 出 願 人 日本ビクター株式会社代 理 人
弁理士 下 １）容一部間 弁理士 小 山
有 トウエバ ２ スピンナの軸 ３ 、純水吐出装置 ３ａ・・・純水吐出ノズル ４ エツチング液吐出装置 ４ａ・・・エツチング液吐出ノズル 第１ 第２図
図は既存ウェハをそのまま用いてＦＥＴヲ製造した場合
のＩ ｄｓｓの分布を示す説明図である。 １・・・ウェハ、２・・・スピンナの軸、３・・、純水
吐出装置、３ａ・・・純水吐出ノズル、４・・・エツチ
ング液吐出装置、４ａ・・・エツチング液吐出ノズル。 特 許 出 願 人 日本ビクター株式会社代 理 人
弁理士 下 １）容一部間 弁理士 小 山
有 トウエバ ２ スピンナの軸 ３ 、純水吐出装置 ３ａ・・・純水吐出ノズル ４ エツチング液吐出装置 ４ａ・・・エツチング液吐出ノズル 第１ 第２図
Claims (2)
- （１）ウェハ表面に形成したエピタキシャル成長層の分
布中心とスピンナによる回転中心とを一致せしめて回転
させ、この回転するウェハの回転中心付近から外周へ向
ってノズルを移動しつつエッチング液を吐出するように
したことを特徴とするウェハ表面のエピタキシャル成長
層のエッチング方法。 - （２）前記回転するウェハの回転中心付近には純水を吐
出しつつエッチングを行なうようにしたことを特徴とす
る請求項（１）に記載のウェハ表面のエピタキシャル成
長層のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19032790A JPH0476918A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | ウェハ表面のエピタキシャル成長層のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19032790A JPH0476918A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | ウェハ表面のエピタキシャル成長層のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476918A true JPH0476918A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16256341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19032790A Pending JPH0476918A (ja) | 1990-07-18 | 1990-07-18 | ウェハ表面のエピタキシャル成長層のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19850838A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-23 | Mosel Vitelic Inc | Verfahren zum Verbessern der Ätzgleichförmigkeit während eines Naßätzens |
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| JP2009071267A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1990
- 1990-07-18 JP JP19032790A patent/JPH0476918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271109B2 (en) | 1994-09-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying apparatus and method |
| DE19850838A1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-23 | Mosel Vitelic Inc | Verfahren zum Verbessern der Ätzgleichförmigkeit während eines Naßätzens |
| DE19850838C2 (de) * | 1998-09-09 | 2002-10-24 | Mosel Vitelic Inc | Verfahren zum Verbessern der Ätzgleichförmigkeit während eines Naßätzens und Naßätzverfahren |
| JP2009071267A (ja) * | 2007-08-21 | 2009-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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