JPS59164771A - 塩素化アゼチジノン誘導体の製造方法 - Google Patents

塩素化アゼチジノン誘導体の製造方法

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JPS59164771A
JPS59164771A JP58040179A JP4017983A JPS59164771A JP S59164771 A JPS59164771 A JP S59164771A JP 58040179 A JP58040179 A JP 58040179A JP 4017983 A JP4017983 A JP 4017983A JP S59164771 A JPS59164771 A JP S59164771A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、塩素化アセチジノン誘導体の製造方法、更に
詳しくは一般式 〔式中R1はアリール基、アリールメチル基又はアリー
ルオ士ジメチル基を示す。′R2は水素原子又はカルポ
ジ酸保護基を示す。R3はC□〜C□。
のアル+ル基又は置換基を有しもしくは有しないアリー
ル基を示す。〕で表わされる塩素化アセチジノン誘導体
の新規製造法に関する。
本発明で製造される塩素化アセチジノン誘導体(1)は
、例えばTttrahtdron Lttt、、 23
.2187(1982)に記載の方法で3−り00メチ
ルtフア0スポリンに変換でき、tファロスボリン系抗
生剤合成の重要な中間体として有用である。
本発明の目的は、上記一般式(1)で表わされる塩素化
アセチジノン誘導体を簡便な操作で高純度且つ高収率で
製造し得る方法を提供することにある。
即ち本発明は一般式 〔式中B3−. B2及びR3は前記に同じ。〕で表わ
されるアセチジノン誘導体を溶媒中塩素化剤と反応させ
ることを特徴とする一般式 〔式中B1. B2及びR3は前記に同じ。〕で表わさ
れる塩素化アぜチジノン誘導体の製造方法に係る。
本発明の方法によれば、副生物の生成は殆んどないので
、簡便な操作で反応混合物から単離、精製することがで
きる。そのため純度がほぼ100%の一般式(1)で表
わされる塩素化アセチジノン誘導体を80%以上の好収
率で製造することができる。
本明細書において、R1の具体例としては、例えばフェ
ニル、トリル、ノー900フエニル、戸−プ〇七フェニ
ル、p−二ト0フェニル、戸−メト士ジフェニル、ベン
ジル1トリルメチル、+シリルメチル、ナフチルメチル
、j−メト士ジベンジル、p−ニトロベンジル1フエノ
+ジメチル)トリルオ士ジメチル、牛シリルオ士ジメチ
ル、p−クロ0フ工ノ士ジメチル、t−二ト0フェノ+
シメチル−フェニルクロロメチル、フェニルジクOOメ
チル等を挙げることができる。
R2のカルボン酸保護基としては、例えばメチル、エチ
ル、プ0じル、ブチル、ttrt  −づチル・2、2
.2−トリクDOエチル、2,2−ジグ00エチル、2
−り00エチル、2−プ〇七エチル、2−づ0ベニル、
3−フェニル−2−づ0ベニル、べ7− ル、O−二ト0ベシジル、σ9戸−ジニド0ベンジル、
p−メト士ジベンジル、3.4.5−トリメト士ジベン
ジル、3,5−ジブ〇七−4−メト士ジベンジル)ジフ
ェニルメチル、フェニル、p−メチルチオフェニル、t
−メト士ジフェニル等を挙げることができる。
R3の具体例としては、例えばC1〜C□。の直鎖ある
いは分校のアル+ル、フェニル、トリル、士シリル、p
−メト+ジフェニル1戸−二トロフェニル、θ−ニド0
フェニル、戸−ハロフェニル等を挙げることができる。
本発明において出発原料として用いられる一般式(II
)のアセチジノン誘導体は、既報の方法、例えば特開昭
50−129590号公報に記載されている方法に従い
容易に合成される。
本発明の目的化合物(1)は、上記一般式(II)のア
セチジノン誘導体を適当な溶媒中塩素化剤と反応さ8− せることにより製造される。本発明で使用される溶媒と
しては、例えば低級ハロゲン化炭化水素、芳香族炭化水
素、ジ低級アル牛ルエーテル蔦環状エーテル、低級ジア
ルコ士シエタン1低級カルボン酸エステル等が挙げられ
、これらの中から選ばれる一種類の単独溶媒又は2種以
上の混合溶媒として用いられる。特に好ましい溶媒とし
ては、り00ホルム1ジクロルメタン1ジクOルエタン
、四塩化炭素、ベンゼン、り0ルベンゼン、ジエチルエ
ーテル、テトラしドロフランX、;オ牛サシ11.2−
ジメト牛シエタン、l、2−シェド牛シエタン、1.2
−ジプト牛シエタン、1.2− =、zベンジルオ十シ
エタン、l、2−ジアセト士シエタン、−f酸エチル、
酢酸エチル、エト牛ジエチルアセテートが挙げられ、こ
れらの中から選ばれる一種類の単独溶媒又は2種以上の
混合溶媒として用いられる。
本発明で用いられる塩素化剤としては、従来蓋t −B
 u OCJ 1HOCJ 1CJ a O等を挙げる
ことができる。分子状塩素は塩素ガスとして反応させる
こともでき、また不活性有機溶媒、例えば四塩化炭素、
ジクロルメタン、ジグ0ルエタン、り00ホルム等の低
級ハロゲン化炭化水素の溶液として反応させることもで
きる。HOClは不活性有機溶媒、例えばCktm、B
ar、、 88.883(1955)に記載されている
方法により製造されるジ低級アル牛ル工−テル溶液とし
て反応させるのがよい。Cl2Oはそのまま反応させて
もよいが、好ましくは不活性有機溶媒、例えば四塩化炭
素溶液として反応させる。これら塩素化剤の使用量とし
ては特に制限されず広い範囲内から適宜選択することが
できるが、通常化合物(II)に対して1〜7当量、好
ましくは1〜3当量使用するのがよい。
本発明は塩化水素トラップ剤の存在下反応を行なうこと
ができる。塩化水素トラップ剤としては、どのエポ牛シ
ト類が挙げられる。また塩化水素トラップ剤としてカリ
ウム、ナトリウム、リチウムなどアルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩、重炭酸塩又は分子ふゐい、ポリビニルじリ
ジンなどが挙げられ、これらは固体のママでも用いるこ
とができる。これらは化合物(It)に対して一般に1
−100当量用いられ、通常1〜30当量使用される。
塩素化剤として分子状塩素を用いる場合、疎水性有機溶
媒と水との混合物中反応を行なうことができる。用いる
疎水性有機溶媒としては例えば低級ハロゲン化炭化水素
、芳香族炭化水素、低級カルボニア酸エステル等が用い
られるが、通常クロロホルム、ジクロルメタン1ジクO
ルエタン、ベンゼン、り0ルベンゼン、酢酸エチルが用
いられる。
本発明において化合物(II)の使用有機溶媒に対する
濃度は、一般に0.1〜5 Q tn t%程度、通常
1〜3Qwt%とするのがよい。また本発明は、通常反
応温度−70〜70°Cの範囲で行なわれ、好反応終了
後は抽出、水洗等の通常の後処理の後、溶媒を留去する
ことにより化合物(1)を得ることができる。このよう
にして得られる化合物(1)は?”! f了純品で次の
反応、例えばtファロスポリンへの環化反応にそのまま
用いても差支えないが、さらに精製するためには再結晶
あるいはカラムクロマトクラフィーを行なうのがよい。
次に実施例をあげて本発明を具体的に説明する。
実施例 1 1 Co2CH2Fir 1 CO2CH2Ph 2−(3−フェノ牛シアtドアミドー今一ペンセンスル
ホニルチオ−2−アセチジノン−1−イル)−3−メチ
ル−3−づテン酸ベンジル2.0gをジクロルメタン1
0ttlにとかし、水5ゴを加える。これを水浴中冷却
しながらかきまぜ(5,9mma lの塩素カスの溶け
た塩化メチレン約10w1を30分間で滴下する。滴下
終了後有機層を分離し、水層をジグ0ルメタンで抽出す
る。有機層は1つにまとめテNaHCO3、Ha2S2
0. 、’ Ha(4t7)水溶液で洗浄、無水Mf5
04で乾燥した後溶媒を減圧下留夫する。このようにし
て得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトクラフィー
を行ない分離精製すると2−(3−フェノ牛シアtドア
三ドー4−フェニルスルホニルチオ−2−アセチジノン
−1−イV−3−り00メチル−3−ブテン醗ベンジル
1.87f(88%)を得る。得られた化合物の分析値
は最後に第9表にまとめて示す。
実施例 2 実施例!と同様の操作を、ジグ0ルメタンのかわシに以
下の有機溶媒を用いて行ない下記第1表に示す収率で2
−(3−フェノ士シアセトア三ドー4−フェニルスルホ
ニルチオ−2−アセチジノン−1−イル)−3−クロロ
メチル−3−ブテン実施例 3 実施例1と同様にして以下の化合物を得た。結果を第2
表にまとめて示す。
第  2  表 実施例 4 2−(3−フェノ士シアtドア三ドー4−ペンセンスル
ホニルチオ−2−アセチジノシーl−子をベンゼン−ジ
オ十サン(1:2)10g/にとかし、NaHcO33
fを加えて室温でかきまぜる。これに塩素2.1 mm
al  をとかした四塩化炭素1.5mを3分間で滴下
し、2時間かきまぜる。これを酢酸エチルを用いて抽出
し、実施例1と同様の後処理を行ない2−(3−フェノ
+ジアセトアミドー4−ベンセンスルホニルチオ−2−
アセチジノシー1−イル)−3−り00メチル−3−ブ
テン酸ベンジル1.04 1 (98%)を得る。
実施例 5 実施例4と同様の操作を以下の有機溶媒を用いて行ない
、第3表に示す収率で2−(3−フェノ牛シアtドアミ
ドー4−フェニルスルホニルチオ−2−アゼチジノン−
1−イル)−3−20ロメチル−3−ブテン酸ベニJジ
ルを得た。
第  3  表 実施例 6 実施例4と同様にして以下の化合物を得た。結果を第4
表に示す。
C0OR’         COOR2第  4  
表 実施例 7 2−(3−フェノ牛シアセトア三ドー4−ベンゼンスル
ホニルチオ−2−アセチジノン−1−イル)−3−メチ
ル−ブテン酸ベンジル1.Ofをジオ士すyloIId
にとかし、7V ts HCOs  31を加えて室温
でかきまぜる。これに1.5当量の塩素ガスをふき込み
、2時間かきまぜる。実施例4と同様の後処理を行ない
2−(3−フェノ+シアtドアミドー4−ベシt!ジス
ルホニルチオ−2−アゼチジノン−1−イル)−3−り
ooメチル−3−プテン酸ベンジル1.0f(95%)
を得る。
実施例 8 2−(3−フェノ牛シアtドアミドー4−ベシゼンスル
ホニルチオ−2−アセチジノン−1−イル)−3−メチ
ル−3−ブテン酸べ′:Jジル200■をエト士ジエチ
ルアセテート5 wrlに溶解し、水浴で冷却しながら
かきまぜる。これに濃度0.285MのCl2Oの四塩
化炭素溶液1.21  mlを10分間で滴下する。続
いて反応溶液に水を加え酢酸エチルで抽出し、無水Mf
SO4で乾燥、減圧下、溶媒を留去する。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトタラフィーを行ない分離精
製すると2−(3−フェノ+シアセトア三ド−4−べ一
/ぜジスルホニルチオ−2−アセチジノン−1−イル)
−3−り00メチル−3−ブテン酸ベンジル202q(
95%)を得る。
実施例 9 2−(3−フェノ十゛シアtドア三ドー4−ベシせジス
ルホニルチオ−2−アセチジノシー1−イル)−3−メ
チル−3−ブテン酸ベンジル2gをエト士ジエチルアセ
テート12tttlにとかし、NaHCO36Fを加え
、室温でかきまぜる。これに濃度0.235 MのCl
2Oの四塩化炭素溶液12.1g7を1時間かけて滴下
する。続いて反応溶液に水を加え酢酸エチルで抽出し、
無水MfSO4で乾燥、減圧下溶媒を留去する。得られ
た残渣をシリカゲルカラムク0マドクラフイーを行ない
分離精製すると2−(3−フェノ+シアセトア三ドー4
−ベンゼンスルホニルチオ−2−アぜデジノン−l−イ
ル)−3−りDロメチル−3−ブテン酸ベンジル2.0
fI(94%)を得る。
実施例1O 実施例9と同様の操作を以下の有機溶媒を用いて行ない
、第5表に示す収率で2−(3−フェノ士シアtドア三
ドー4−ベンセ、スルホニルチオ−2−アセチジノン−
1−イル)−3−クロロメチル−3−ブテン酸ベンジル
を得た。
第  5  表 実施例11 実施例9と同様にして以下の化合物を得た。結果を第6
表に示す。
0                   0第  6
  表 実施例12 2〜(3−フェノ+ジアセトアミドー4−ペシぜジスル
ホニルチオ−2−アセチジノン−1−イル)−3−メチ
ル−3−ブテン酸ベンジル200qをシェド士シエタン
4.3mlに溶かし、水浴で冷却しながらかきまぜる。
これに濃度0.3MのHO(4のジエチルエーテル溶液
1.73m/を3分間で滴下する。続いて反応溶液に水
を加え酢酸エチルで抽出し、無水xgso、で乾燥、減
圧下溶媒を留去する。
得られた残渣をシリカゲルカラムク0マドクラフイーを
行ない分離精製すると2−(3−フェノ士シアtドアミ
ドー4−ペンセシスルホニルチオ−2−アゼチジノン−
1−イル)−3−りnoメチル−3−ブテン酸ベンジ・
ル1914(90%)を得る。
実施例13 実施例12と同様の操作を以下の有機溶媒上用いて行な
い、第7表に示す収率で2−(3−フェノ+シアセトア
三ドー4−ベシセンスルホニルチオ−2−アゼチジノン
−1−イル)−3−り0ロメチル−3−ブテン酸ベンジ
ルを得た。
第  7  表 実施例14 2−(3−フェノ+シアセトア三ドー4−ベシセンスル
ホニル−2−アセチジノン−1−イル)−3−メチル−
3−ブテン酸ベンジル2001!filをベンセン6 
mlに溶かし、室温でかきまぜながらt−BuOC45
1μlを加え、1時間かきまぜながら反応させる。反応
溶液に水を加えて実施例12と同様の後処理を行ない2
−(3−フェノ牛シアセトア三ドー4−ペンセンスルホ
ニルチオ−2−アゼチジノン−1−イル)−3−りoo
メチル−3−ブテン酸ベンジルJ9.2 q(90%)
を得る。
実施例15 実施例14と同様の操作を以下の有機溶媒を用いて行な
い、第8表に示す収率で2−(3−フェノ牛ジアセトア
ミドー4−ベンt!ンスルホニルチオ−2−アセチジノ
、:/−1−イル)−3−り00メチル−3−ブテン酸
ベンジルを得た。
第  8  表

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 素原子又はカルポジ酸保護基を示す。R3はC1〜C1
    ゜のアル士ル基又は置換基を有しもしくは有しないアリ
    ール基を示す。〕 で表わされるアゼチジノン誘導体を溶媒中塩素化剤と反
    応させることを特徴とする一般式〔式中 B1. R2
    及びR3は前記に同じ。〕で表わされる塩素化アセチジ
    ノン誘導体の製造方法。 ■ 溶媒が低級へ〇ゲシ化炭化水素、芳香族炭化水素、
    ジ低級アル+ルエーテル、環状エーテル1低級ジアルコ
    牛シエタン及び低級カルポジ酸エステルからなる群から
    選ばれる一種類の単独溶媒又は2種以上の混合物である
    特許請求の範凹第1項に記載の方法。 ■ 溶媒がり00ホルム、ジグ0ルメタンージク0ルエ
    タン、四塩化炭素、ベンゼン、り0ルベンゼン、ジメチ
    ルエーテル、ジエチルエーテル、テトラしドロフラン、
    ジオ十サン、112−、、/メト十シエタン、L 2−
     ”iエト牛シエタン、1,2−ジプト士シエタン、1
    ,2−ジベンジルオ十シエタン、1,2−シアtト士シ
    エタン、−fWエチル、西ト酸エチル及びエト牛シエチ
    ルア℃テートからなる群から選ばれる一種類の単独溶媒
    又はこれら2種以上の混合物である特許請求の範囲第1
    項に記載の方法。 ■ 塩素化剤が分子状塩素、t −BuOC4、HOC
    I!及びCl2Oからなる群から選ばれる少くとも1種
    である特許請求の範囲第1項〜第3項に記載の方法。 ■ 分子状塩素を不活性有機溶媒の溶液として使用する
    特許請求の範囲第1項に記載の方法。 ■ 不活性有機溶媒が低級ハロゲン化炭化水素である特
    許請求の範囲第5項に記載の方法。 ■ HOClを不活性有機溶媒の溶液として使用する特
    許請求の範囲第1項に記載の方法。 ■ 不活性有機溶媒かり低級アル+ルエーテルである特
    許請求の範囲第7項に記載の方法。 3− ■ Cl2Oを不活性有機溶媒の溶液として使用する特
    許請求の範囲第1項に記載の方法。 σΦ 不活性有機溶媒が四塩化炭素である特許請求の範
    囲第9項に記載の方法。 ■ 使用する塩素化剤が分子状塩素であシ、使用する溶
    媒が疎水性有機溶媒と水との混合物であシ、二層系で反
    応を行なう特許請求の範囲第1項に記載の方法。 @ 疎水性有機溶媒がり00ホルム、ジグ0ルメタン、
    ジクロルエタン、ベンセン、りOルベンゼン及び酢酸エ
    チルからなる群から選ばれる少なくとも1種である特許
    請求の範囲第11項に記載の方法。 [相] 塩化水素トラップ剤の存在下に反応を行なう特
    許請求の範囲第1項〜第12項に記載の方法。
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