NO124709B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO124709B NO124709B NO15846965A NO15846965A NO124709B NO 124709 B NO124709 B NO 124709B NO 15846965 A NO15846965 A NO 15846965A NO 15846965 A NO15846965 A NO 15846965A NO 124709 B NO124709 B NO 124709B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- condensation
- walls
- vapors
- chamber
- condensation chamber
- Prior art date
Links
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 44
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 44
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 206010039509 Scab Diseases 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- RHDUVDHGVHBHCL-UHFFFAOYSA-N niobium tantalum Chemical compound [Nb].[Ta] RHDUVDHGVHBHCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 FeCl3 Chemical class 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019804 NbCl5 Inorganic materials 0.000 description 1
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004537 TaCl5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004035 construction material Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011551 heat transfer agent Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229930014626 natural product Natural products 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I tantalum(v) chloride Chemical compound Cl[Ta](Cl)(Cl)(Cl)Cl OEIMLTQPLAGXMX-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
- C09B47/08—Preparation from other phthalocyanine compounds, e.g. cobaltphthalocyanineamine complex
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B67/00—Influencing the physical, e.g. the dyeing or printing properties of dyestuffs without chemical reactions, e.g. by treating with solvents grinding or grinding assistants, coating of pigments or dyes; Process features in the making of dyestuff preparations; Dyestuff preparations of a special physical nature, e.g. tablets, films
- C09B67/0025—Crystal modifications; Special X-ray patterns
- C09B67/0026—Crystal modifications; Special X-ray patterns of phthalocyanine pigments
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0535—Polyolefins; Polystyrenes; Waxes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0539—Halogenated polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0542—Polyvinylalcohol, polyallylalcohol; Derivatives thereof, e.g. polyvinylesters, polyvinylethers, polyvinylamines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0546—Polymers comprising at least one carboxyl radical, e.g. polyacrylic acid, polycrotonic acid, polymaleic acid; Derivatives thereof, e.g. their esters, salts, anhydrides, nitriles, amides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0532—Macromolecular bonding materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0553—Polymers derived from conjugated double bonds containing monomers, e.g. polybutadiene; Rubbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0567—Other polycondensates comprising oxygen atoms in the main chain; Phenol resins
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0575—Other polycondensates comprising nitrogen atoms with or without oxygen atoms in the main chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/087—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and being incorporated in an organic bonding material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
Description
Apparatur og fremgangsmåte til kondensering av kloreringsprodukter av niob-tantal-malmer.
Kondensasjon av klorider slik som FeCl3,
AlClg, TaCl5 og NbCl5 direkte til fast tilstand byr fremgangsmåteteknisk på en del vanskeligheter, idet det må unngås at klo-ridene avsetter seg krusteformig på veggene i kondensasjonsrommet. Kondensasjonen av oksykloridene av niob og tantal har vist seg særlig vanskelig. Disse forbindelser, som som bekjent oppstår i betraktelig mengde ved siden av de tilsvarende pentaklorider ved klorering av malmkull-blandinger med klorgass ved 600 til 1000° har bare dårlig krystallisasjonstendens og har en utpreget tilbøyelighet til dannelse av meget hårde belegg på flater, hvis temperatur er lavere enn damptemperaturen for kloreringsproduktene. Ved en krustedannelse kompliseres ikke bare fjernelsen av produktet, men fjernelsen av konden-sasjonsvarmen fra de faste klorider van-skeliggjøres også. Krustedannelsen kan endog føre til tilstopning av apparaturen og dermed ofte til uønsket avbrudd ved kontinuerlig fremstilling av kloreringsprodukter av niob- og tantalholdige malmer.
For å hindre krustedannelsen er det blitt
foreslått forskjellige midler, f. eks. mekanisk vibrering av veggene i kondensasjonskammeret ved hjelp av hamring, ban-king, vibrering ved hjelp av en vibrator. For å løsne dannede kruster ble det videre bygget inn mekaniske skrapeanordninger i kondensatoren. Alle disse forholdsregler medfører konstruktive komplikasjoner, idet det anvendes mekanisk bevegede deler.
Problemet kan løses på en grunnleg-gende måte ved at under kondensasjonen
av de dampformede kloreringsprodukter av niob- og tantalholdige malmer holdes ten-densen til krustedannelse på en minste-verdi ved at dampene med en minimal be-røring med veggene i kondensasjonsrommet avkjøles til fast tilstand.
Foreliggende oppfinnelse angår altså en fremgangsmåte til kondensering av materialer som inneholder kloreringsprodukter av niob og/eller tantal, idet man inn-fører kloreringsproduktene i det avkjølte kondensasjonskammer gjennom en opphetet tilledning som holdes over størk-ningstemperaturen for metallkloridet, således at kloriddampene med minimal be-røring med veggene i kondensasjonskammeret avkjøles til fast tilstand, hvilket er karakterisert ved at den oppvarmbare tilledning for kloriddampene springer så langt inn i det indre av kondensasjonskammeret at de damper som trer ut av munningen har tilstrekkelig stor avstand fra samtlige vegger i kammeret for at de kan størkne før de kommer i berøring med veggene. Kondensasjonskammeret vil være desto større jo større hastigheten og jo høyere temperaturen for de inntredende damper er. Hensiktsmessig anvender man et vertikalt kondensasjonskammer, f. eks. en sylinderformet kondensator, hvori kloriddampene ledes inn ovenfra.
En ekstra fjernelse av varme ved kon-veksjon fåes ved denne fremgangsmåte når kloriddampene er blandet med inerte gasser, slik som kullmonoksyd, kulldioksyd, fosgen eller kvelstoff. Her kan temperaturene og dimensjonene av tilledning og kammer dimensjoneres således at de inerte gasser etter utkondenseringen av metallkloridene kommer i berøring med kamme-rets kalde vegg, deretter blander seg med ennå ikke eller ennå ikke tilstrekkelig av-kjølte kloriddamper og således bevirker deres videre avkjøling til størkning. Dette tilfelle fåes særlig i den nedre del av kondensasjonskammer et. En slik blanding med inerte gasser fåes særlig ved den umiddel-bare klorering av niob- og/eller tantalmal-mer, hvorfor foreliggende fremgangsmåte er særlig fordelaktig til kondensasjon umiddelbart etter kloreringen. Fig. 1 viser et utførelseseksempel på et kondensasjonskammer for utførelsen av fremgangsmåten, og Fig. 2 viser en variant av fig. 1. Fig. 1 viser som utførelseseksempel et snitt gjennom et kondensasjonsrom som kan anvendes for utførelsen av foreliggende fremgangsmåte. Kloriddampene 10 som befinner seg på en temperatur som ligger over kondensasjonspunktet og som fortrinsvis er blandet med inerte gasser, slik som CO, C02 - N2, trer gjennom tilledningen 17 som er opphetet til temperaturen Tx inn til munningen 12 og som stikker ut fra lokket 14 inn i det indre av kammeret 16 inn i kondensasj onsrommet som dannes av kammeret. Fortrinsvis holdes temperaturen T, over størknings-temperaturen for kloriddampene. Opphet-ningen foregår f. eks. ved hjelp av en varmevikling 19. Veggene 18 i kondensasj onsrommet 16 holdes f. eks. ved hjelp av dobbeltkappen 20 ved hjelp av kjøling med luft eller eventuelt et flytende varmeover-føringsmiddel på en konstant temperatur T2, idet temperaturen T2 er lavere enn T,. Ved tilsvarende tilpasning av tverrsnittet og lengden for kammeret 16 samt temperaturen T1 og T2 til den gitte sammenset-ning og hastighet for kloriddampene lyk-kes det å bringe totalmengden av de subli-merbare klorider til krystallisasjon i det frie rom og dermed hindre en kondensasjon på veggene. Tilsvarende kan man i en apparatur av gitt dimensjon ved regu-lering av inntredelseshastigheten for kloriddampene likeledes hindre en kondensasjon på veggene i kondensasj onskammeret. De faste klorider avsetter seg i bunn-delen 22 av kammeret, mens den øvrige gass trer ut gjennom rørledningen 24. Mer fordelaktig kan tilledningen 17 i beholde-ren på sin utvendige flate være forsynt med en varmeisolasjon 21, for å hindre at den ved stråling oppheter kammerveggene. Kondensasjonen av de dampformede kloreringsprodukter i det frie rom i konden-
sasj onssonen kan videre sikres ved at det ifølge utførelseseksemplet som er vist på fig. 2 mellom veggene 18 i kondensasj onskammeret og dampene som trer inn fra munningen 12 innsjaltes en inert gass. Denne gass innføres ved hjelp av tilkop-lingene 30. Som inert gass kan det f. eks. anvendes kvelstoff, C02 eller reaksjonsgass som er befridd for kloreringsprodukter. I det sistnevnte tilfelle ledes avgassene som strømmer ut av utløpsledningen 24 etter utskilling av de faste klorider tilbake til åpningen 30 — som antydet ved hjelp av pilen 32. Den inerte, kalde gass kan til-føres kondensasj onsrommet langs veggene eller umiddelbart omgivende kloriddampene, f. eks. ved anvendelse av en konsen-trisk omkring damptilføringen anordnet og parallelt rettet tilledning.
Ved hjelp av passende valg av temperatur og mengden av den ekstra tilsatte inerte gass kan en betraktelig mengde av kondensasj onsvarmen føres vekk, således at kloreringsproduktet, som på grunn av den omgivende kalde gasskappe ikke kan nå veggene, faller ut fast i det frie rom henholdsvis i skillegassen.
For samme formål kan man også mellom veggene på kondensasj onsrommet og de inntredende varme kloreringsgasser i stedet for en inert skillegass tilsette flytende forbindelser, som ikke reagerer med metallkloridene, særlig flytende klorider, f. eks. siliciumtetraklorid, titantetraklorid eller tetraklorkullstoff, fortrinsvis i finfor-delt form og i slike mengder at alle flytende tilsatte klorider fordamper og forblir i dampfase mens de faste klorider utskil-les. I dette tilfelle ville man f. eks. an-vende forstøvningsdyser ved utløpet for stussene 30.
Kondensasj onskammeret kan være fremstilt av nikkel, stål, forniklet eller emaljert stål. I tilfelle veggene i kammeret holdes under ca. 100 °C kommer også alu-minium i betraktning som konstruksjons-materiale for kondensasj onskammeret.
Ifølge foreliggende fremgangsmåte kan det i apparaturen ifølge oppfinnelsen kon-denseres de forskjelligste kloreringsprodukter som går direkte over i fast tilstand under vidtgående unngåelse av krustedannelse. Som utgangsstoffer kommer særlig de klorider som kan fåes ved klorering av niob- og/eller tantalholdige malmer, frem-for alt slike kloridblandinger i betraktning, som ved siden av pentaklorider også inneholder tantal- og fortrinsvis nioboksyklo-rid. Man kommer til slike blandinger ifølge i og for seg kjente fremgangsmåter, f. eks. ved klorering av en blanding av oksydet av niob og tantal med klorgass og et reduk-sjonsmiddel slik som kull ved 400 til 1000° i en sjakt- eller rørovn. Herved kan det benyttes de vanligvis i teknikken foreliggende blandinger med et innhold av oksyder av niob og tantal eller også naturpro-duktene som for det meste inneholder de to elementer i form av deres oksyder, slik som f. eks. malmer som eventuelt er etter-behandlet for anrikning, som f. eks. nio-bitt, tantalitt, pyroklor osv.
I det følgende eksempel betyr deler, såfremt intet annet angis, vektsdeler, pro-senter vektsprosenter. Temperaturene er angitt i Celsiusgrader.
Eksempel 1: Under anvendelse av en til 700°C for-varmet ovn med et innvendig tverrsnitt på 60 mm ble briketter av 80 deler kolumbitt-malm og 20 deler sot klorert i en kontinuerlig klorstrøm. Temperaturen i klo-reringsovnen ble under omsetningen holdt på ca. 750 °C og de varme kloreringsprodukter ble med en hastighet på 40 cm pr. se-kund ledet gjennom en elektrisk på 450°C holdt tilledning med en diameter på 15 mm ovenfra inn i et sylinderformet, vertikalt kondensasj onsrom med en indre diameter på 120 mm og en høyde på 250 mm. Munningen på tilledningen som ble holdt på 450° ved hjelp av motstandsopphetning (på fig. 1 betegnet med E) befant seg 50 mm under lokket som lukket kondensasj onsrommet. Veggene i kondensasj onsrommet ble utvendig fra ved hjelp av en luftstrøm holdt på romtemperatur.
Det krystalliserte produkt var av fin-pulveraktig beskaffenhet, løst og fritt-strømmende. Det inntrådte ikke noen krustedannelse på veggene. Små støvavset-ninger gle ned av veggene så snart de hadde nådd en nevneverdig mengde.
Eksempel 2:
Ved et videre eksempel ble det fremstilt en strøm av kloreringsprodukter, som inneholdt 30—40 vol.-% metallkloriddam-per og ble ledet inn med en hastighet på 30 l/min. og en temperatur på 300° i kondensasj onsrommet. Tilf ørselsledningen rakk til 70 cm under lokket i det indre av kondensatoren og hadde et tverrsnitt på 30 mm. Den sylindriske kondensator hadde et tverrsnitt på 20 cm og en lengde på 350 cm. Kloriddampstrømmens hastighet utgjorde ved utløpet fra tilledningen i kondensatoren 0,7 m/sek. Veggene i kondensa
toren ble holdt på romtemperatur ved hjelp av en luftstrøm.
Det erholdte produkt var løst og fritt-strømmende. Ved et kontrollforsøk ble inn-munningstemperaturen øket, og det dannet seg da belegg på lokket av kondensatoren. Ble derimot den sylindriske konden-satordel forkortet med samme størrelse for innmunningshastigheten, dannet det seg i avgassledningen på grunn av den ufull-stendige kondensasjon i kondensatoren hårde kloridansamlinger.
Eksempel 3:
Fra kloreringsinnretningen ble det fremstilt en kloreringsblanding, som var sammensatt av kloriddamper og reaksjons-gasser omtrent i forholdet 2:3. Denne ble med en temperatur på 300° og en mengde på ca. 200 l/min. innført i kondensatoren. Kondensatoren hadde sylindrisk form med en konisk innsnevret bunndel (ifølge teg-ningene) og hadde et tverrsnitt på 800 mm og en lengde for den sylindriske del på 1300 mm. Innføringsledningen stakk 200 mm inn i det indre av kondensasj onsrommet fra lokket og hadde ved munningen et tverrsnitt på 200 mm. Den ble ved opp-hetning holdt på temperaturen for de inn-førte damper (ca 300°C). Innmunningshastigheten utgjorde 0,1 m/sek. For av-kjølingsformål hadde kondensatoren en dobbeltkappe, hvori det fremkaltes en tvungen luftstrømning.
Det erholdte produkt var fint til grov-krystallinsk med en variasjon for innmun-ningstemperaturen innen grensene 250— 350°.
Det er innlysende at den ovenfor be-skrevne apparatur kan modifiseres til vil-kårlige dimensjoner. Avgjørende for den tilstrebede virkning er utelukkende at damphastigheten, avstanden mellom inn-munningen av de varme kloriddamper og den nærmest liggende vegg, dampenes temperatur og temperaturen for veggene i kondensasj onsrommet holdes i et slikt forhold at kloriddampene blir faste i det frie rom før de treffer veggene.
Claims (5)
1. Fremgangsmåte til kondensering av materialer som inneholder kloreringsprodukter av niob og/eller tantal, ved at man innfører kloreringsproduktene i det avkjølte kondensasjonskammer gjennom en opphetet tilledning som holdes over størk-ningstemperaturen for metallkloridene, således at kloriddampene avkjøles til fast til-
stand med høyst minimal berøring av veggene i kondensasj onsrommet, karakterisert ved at den oppvarmbare tilledning for kloriddampene springer så langt frem i det indre av kondensasj onskammeret at de damper som trer ut av munningen har en tilstrekkelig stor avstand fra alle kamme-rets vegger til at de størkner før de kommer i berøring med veggene.
2. Kondensasjonskammer ifølge påstand 1, karakterisert ved at tilledningen springer frem i kondensasj onsrommet inn-til % av kondensasj onsrommets høyde.
3. Fremgangsmåte ifølge påstand 1 og 2, karakterisert ved at det separat inn-ledes en kald, inert gass mellom veggene for kondensasj onskammeret og de inntredende damper.
4. Fremgangsmåte ifølge påstand 3, karakterisert ved at det som inert gass anvendes avkjølt, kloridfri reaksjonsgass.
5. Fremgangsmåte ifølge påstand 3, karakterisert ved at det som inert gass anvendes kulldioksydgass.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US37519164A | 1964-06-15 | 1964-06-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO124709B true NO124709B (no) | 1972-05-23 |
Family
ID=23479871
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO15846965A NO124709B (no) | 1964-06-15 | 1965-06-14 | |
NO243971A NO131174C (no) | 1964-06-15 | 1971-06-28 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO243971A NO131174C (no) | 1964-06-15 | 1971-06-28 |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS494338B1 (no) |
AT (2) | AT297883B (no) |
BE (1) | BE664883A (no) |
CA (1) | CA950251A (no) |
CH (1) | CH479094A (no) |
CY (1) | CY496A (no) |
DE (2) | DE1497205C3 (no) |
ES (1) | ES313979A1 (no) |
FR (1) | FR1447277A (no) |
GB (2) | GB1116554A (no) |
IL (2) | IL23342A (no) |
LU (1) | LU48728A1 (no) |
MY (1) | MY6900153A (no) |
NL (1) | NL153339B (no) |
NO (2) | NO124709B (no) |
SE (2) | SE316682B (no) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3573904A (en) * | 1967-01-09 | 1971-04-06 | Xerox Corp | Combination of electrography and manifold imaging |
JPS5364040A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-08 | Hitachi Ltd | Photosensitive plate for xerography |
GB1599430A (en) * | 1977-06-27 | 1981-09-30 | Konishiroku Photo Ind | Photoconductive composition for use in the preparation of an electrophotographic material |
JPS58166355A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | フタロシアニン系光導電体素子組成物およびこれを用いた電子写真感光体 |
JPS58182639A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Hitachi Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS59232348A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-27 | Mita Ind Co Ltd | 積層感光体及びその製造法 |
JPS6050539A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
DE3417951A1 (de) * | 1984-05-15 | 1985-11-21 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial |
US4975350A (en) * | 1986-10-20 | 1990-12-04 | Konica Corporation | Photoreceptor having a metal-free phthalocyanine charge generating layer |
EP0458651B1 (en) * | 1990-05-25 | 1994-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photosensitive materials comprising organic photoconductive substances in a binder polymer having aromatic rings, OH groups and bromine joined at the aromatic ring or rings |
DE4234922A1 (de) * | 1992-10-16 | 1994-04-21 | Basf Ag | Metallfreies Phthalocyanin der gamma-Modifikation |
KR100837130B1 (ko) * | 2004-03-04 | 2008-06-12 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 프탈로시아닌 조성물, 및 그 조성물을 이용하는 광전도성 재료, 전자사진 감광체, 전자사진 감광체 카트리지 및 화상 형성 장치 |
-
1965
- 1965-03-29 JP JP1786765A patent/JPS494338B1/ja active Pending
- 1965-04-12 IL IL2334265A patent/IL23342A/xx unknown
- 1965-04-12 IL IL3306365A patent/IL33063A/xx unknown
- 1965-04-30 CA CA929,519,A patent/CA950251A/en not_active Expired
- 1965-05-31 LU LU48728D patent/LU48728A1/xx unknown
- 1965-06-02 SE SE723565A patent/SE316682B/xx unknown
- 1965-06-03 BE BE664883D patent/BE664883A/xx unknown
- 1965-06-03 CH CH779565A patent/CH479094A/fr not_active IP Right Cessation
- 1965-06-04 DE DE1965R0040803 patent/DE1497205C3/de not_active Expired
- 1965-06-04 DE DE19651794329 patent/DE1794329B2/de active Granted
- 1965-06-08 ES ES0313979A patent/ES313979A1/es not_active Expired
- 1965-06-08 FR FR19943A patent/FR1447277A/fr not_active Expired
- 1965-06-10 AT AT568569A patent/AT297883B/de active
- 1965-06-10 AT AT526065A patent/AT293165B/de not_active IP Right Cessation
- 1965-06-14 NO NO15846965A patent/NO124709B/no unknown
- 1965-06-15 GB GB259368A patent/GB1116554A/en not_active Expired
- 1965-06-15 NL NL6507664A patent/NL153339B/xx not_active IP Right Cessation
- 1965-06-15 GB GB2243165A patent/GB1116553A/en not_active Expired
-
1969
- 1969-05-24 CY CY49669A patent/CY496A/xx unknown
- 1969-08-12 SE SE11202/69A patent/SE339730B/xx unknown
- 1969-12-30 MY MY6900153A patent/MY6900153A/xx unknown
-
1971
- 1971-06-28 NO NO243971A patent/NO131174C/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL153339B (nl) | 1977-05-16 |
DE1497205A1 (de) | 1969-04-30 |
JPS494338B1 (no) | 1974-01-31 |
GB1116553A (en) | 1968-06-06 |
BE664883A (no) | 1965-12-03 |
NL6507664A (no) | 1965-12-16 |
MY6900153A (en) | 1969-12-31 |
CY496A (en) | 1969-05-24 |
DE1794329C3 (no) | 1975-02-06 |
LU48728A1 (no) | 1965-12-01 |
CA950251A (en) | 1974-07-02 |
AT293165B (de) | 1971-09-27 |
DE1497205B2 (de) | 1978-08-03 |
FR1447277A (fr) | 1966-07-29 |
NO131174B (no) | 1975-01-06 |
DE1794329A1 (de) | 1971-12-30 |
DE1794329B2 (de) | 1974-05-30 |
DE1497205C3 (de) | 1979-04-12 |
ES313979A1 (es) | 1966-03-01 |
NO131174C (no) | 1975-04-16 |
IL23342A (en) | 1970-06-17 |
GB1116554A (en) | 1968-06-06 |
IL33063A (en) | 1970-06-17 |
AT297883B (de) | 1972-04-10 |
SE339730B (no) | 1971-10-18 |
SE316682B (no) | 1969-10-27 |
CH479094A (fr) | 1969-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO124709B (no) | ||
US4356029A (en) | Titanium product collection in a plasma reactor | |
KR20110040962A (ko) | 아연 분진의 제조 방법 | |
NO148226B (no) | Fremgangsmaate og apparat til utvinning av mg og ca | |
US4141963A (en) | Thermal decomposition of metal nitrates | |
US2997385A (en) | Method of producing refractory metal | |
ZA200705597B (en) | Metal vapour condensation and liquid metal withdrawal | |
US2668424A (en) | Process for cooling vaporous materials | |
US2782118A (en) | Production of refractory metals | |
NO151503B (no) | Fremgangsmaate ved kalsinering av partikkelformig petroleumkoks | |
US3148035A (en) | Apparatus for the continuous production of silicon chloroform and/or silicon tetrachloride | |
US2999733A (en) | Chlorination processes | |
NO115801B (no) | ||
US460985A (en) | Curt netto | |
US2368319A (en) | Condensation of chromic chloride | |
DK172381B1 (da) | Fremgangsmåde til kondensation af aluminiumchlorid | |
US2889221A (en) | Method of producing titanium | |
US3201101A (en) | Apparatus for the purification of metals | |
US2162619A (en) | Metallurgical process | |
US2762702A (en) | Process of distilling metals with halide vapors | |
CH346527A (de) | Verfahren und Kondensationskammer zum Kondensieren von direkt in den festen Zustand übergehenden Metallchloriden | |
US3085873A (en) | Method for collecting and separating the refractory metal component from the reaction products in the production of the refractory metals titanium, zirconium, vanadium, hafnium, silicon, thorium, chromium, or columbium | |
US2029921A (en) | Apparatus for producing substantially pure magnesium | |
US2842425A (en) | Use of slag for agglomeration of rutile for shaft furnace chlorination | |
US1762716A (en) | Process of preparing zing dust and apparatus therefor |