TW411537B - Semiconductor package with CSP-BGA structure - Google Patents

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TW411537B
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TW087112600A
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Jian-Ping Huang
Shiau-Yu Luo
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Siliconware Precision Industries Co Ltd
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Description

411537 五、發明説明（1) 發明g诚： 本發明係W於一種半導體封装件，尤指一種得應用 CSP结構於具中央銲墊（Center Bond Pad)晶Η之半導骽封 装件。 背鲁說明： 傳統之引線式半導體装置1為如第U圔所示者•係在 一導線架（Lead FraBe)ll中預黏接雙面膠片110於導脚111 上以將晶片（Die)12黏附至該雙面膠片110上·該晶片12再 藉金線（Gold IHre)13可導電地埋接至Μ晶片12為中心向 外輻射延伸之導»111的内纗111a上，然後將該黏設有晶 片12之辱媒架11置於封裝模具中進行棋壓封装，使封裝睡 通14包覆住該晶片12、金線13及導酈111之内側部分，即 完成半導體裝置1之封裝。該半導臞裝置1在進行去渣/去 结及彎脚成形等作業後*便可裝設至霉子產品所用之印刷 (請先閲讀ί.面之注意事項再填寫本頁) 裝
*1T 出 伸 * 側 對 相 兩 4 IX 艚 膠 装 封 由 其 1Λ置 裝 0導 半。 種 上是 板惟 路 電 蟪 外 之 11 1 1 腳 導 之 間 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 置 装« 専 半 該 使 而 離 距 之 ， 間外 邊域 側匾 對影 相投 兩之 其14 於髖 大膠 係装 雄封 距之 之ί 域板 區路 翼電 裙刷 之印 成於 形設 影裝 投 1 所置 分趙 伸専 卜半 夕置 1« 11是 腳使 導舍 由遂 一 域 有區 成翼 形裙 再該 會 ， 據 佔 會 時 上 無 1 置 裝 導 半 之 鄰 相 兩 使 而 積 面 之 外 額 面 之 板 路 電 刷 印 勢 趨id 計 G 設 —' 之al -小U U、列 置短陣 装、格 發薄柵 導、球 半輕有 種品遂 ~J il 肚產， 用子思 使霣問 令符述 ,K 前 近小決 靠縮解 效法為 有無 法横 1 5640 本纸張尺度適用十國國家標卒（CNS) Λ4規格（210X297公釐） 411537 A7 ___B7_ 五、發明説明（2 ) (請先閲讀尤面之：^意事項再填寫本頁)
Array - BGA)式之半導體裝置問世•一般之BGA半導體装置 2係如第12圖所示者•通常包括在一基板21上黏接有一晶 片22·使該晶片22之上表面設有多数之銲墊23，以在該銲 垫23與敷設於該基板21之上表面211上之第一専電跡線（ Electrically Conductive Trace)212間連接金線 24(Wire Bonding) > 其第一導罨跡嬢212係經由開設於基板21上之 貫通孔（vias)213與敷設於基板21下表面214上之第二導霣 跡線215連接；在模壓封装該晶片22*金媒24及基板21上 表面211涵蓋該晶片22與金線24之區域後，則植接銲球（
So丨der Ball)25至蟠接於第二導電跡線215终端之銲墊（ Contact Pad)216上*使晶片22得可導電地與該銲球25連 接且通常該銲球係以陣列之型式排列。 經濟部中央標準局員工消资合作社印-象 是種BGA半導髓装置2由於係以整届基板21之下表面 214供銲球25植接* Μ作為I/O之導®，較諸前述半導體裝 置1之導》所能利用的空間僅有封裝膠體之四周邊緣言， 具有較大之利用空間，原因是銲球25係植接於基板21之下 表面214，因而*在基板21之面稹同於前揭半専體裝置1之 封裝膠體14之投影面積時，不會有導腳外伸而產生”佔據 額外空間”之裙»匾域。是Μ，此種BGA半導趙装置2裝設 於印刷電路板上時，即可減少使用面積，亦可緬小印刷電 路板之尺寸·且在使用兩個Μ上之BGA半導體裝置2時*兩 者之間距便可嫌小*而得有效節省使用空間。 然而，是種BG Α半導鼉装置2之金線24係由晶片22之四 周向外輻射K伸接至基板21上表面211上之第一導電跡線 本紙張尺度適用中國國家標啤（CNS ) Λ4規格（2!Ox297公釐） 2 1 5 640 經濟部中央標準局貝工消资合作社印製 411537 at B7五、發明説明（3 ) 212*故在横壓封裝時，封裝膠體26之投影面積須足以涵 蹵金媒24由晶片22向外幅射伸延之區域，而使封装膠體 26之投影面積邐大於晶片22之投影面積*遂令該種BGA半 導裝置之成品尺寸無法進一步縮減，K符現今半導賭裝置 體積縮小化、功能增強化之需求。此外*是種BG A半導體 裝置2之基板21材料昂貴且由於須敷設導霣跡線及開設貫 通孔又難Μ製造•故成本顔高，且因其结構不同於前揭之 半導裝置1·是Μ，並不缠用傳统之封装製程，而需新購 設備，故亦會造成生產成本之增加。 為使BGA半専«裝置能進一步縮減髏積* 一種CSP( Chip Scaling Package)之BGA半導ffi装置遂®運而生。是 種CSP之BGA半専jg装置3大致係如第13圖所示之结嫌*其 特擞在於基板31之投影面樓略大於晶片32之投影面積*故 能使横ffi封装完成後之成品腥積大幅縮小。然而，是種 CSP之BGA半導匾裝置3須使用覆晶（Flip Chip)及錫球凸 塊（Solder Bunping)等先進製造技術·並採用BGA式之基 板，故成本甚高•而只適於高附加價值之高I/O之半導想 元件* g低I/O之半導體元件而言，使用CSP或BGA之结構 製成者，則有製程複雜、成本過高之問題。 為使低I/O之半導體裝置能Μ較低的成本生產出具BGA 结構者•遂有業界人士研發出Μ傳统之導線架為基材的 BGA结構如美國專利5,663,594所椹示者，係Μ傳统模壓方 式進行封裝且利用傳铳之銲線（VireBonding)技術而製成 之具BGA结構之半導髓裝置。參照第14圄，一種具BGA结構 --------¾---------訂------L·-’ — (請先閱讀V面之"意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用國家標华（CNS ) Λ4见格（210X297公釐） 3 1 5 640 4J15S7 at B7 五、發明説明（4 ) 之半導體裝置4係使一晶片42置於導烺架41之導腳412内端 上•藉不導霣膠與専鲫41 2之上表面黏著•並Μ金線4 3分 別銲接至該晶Η 42與導鯽41 2之内蝙上，Κ使晶片42與専 麻412可等霣池接埋；在封装樹腊横壓封裝成一包覆該専 腳412、晶片42及金線43之封裝膠體44時，在相對於各導 »412之下表面之部位係預留有孔洞*俾在封裝膠體44成 肜後*於各孔洞中植接猂球45，Μ使導鼷412可藉_球45 與印刷電路板上之印刷電路可導電地接觸。 是種具BGA结構之半導》装置4雖得顧著地縮減鴉積， 並可利用傳统封装設備與製程，唯此结構僅缠用周进銲墊 (Peripheral Bond Pad)，對中央銲蛮（center Bond Pad) 之晶片，仍有製程上的困難，然而為使専》412能有效為 封裝膠體44包覆•位於該専腳412下表面與封裝膠® 44底 面間之厚度即不能太薄*否則便易在固化成形之製程中造 成封裝膠« 44之龜裂，故半導fi裝置無法薄化；同時*由 (請先閱讀背面之A意事項再填寫本頁) 於相 模 於 須 孔 之 通 封 * 壓洞 脚 専 供 可 設 留 中 程 製 裝 與 面 表 下 之 裝 封 注 横 在 故 小 甚 徑 直 之 洞 孔 該 且 時 界 & 旨 汴 fl 樹 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 膠 溢 成 形 部 底 之 润 孔 該 於 易 污 會 即 亦 象 現 面 表 下 的 2 11 4 腳 導 之 中 洞 孔 於 霣 外 該 至 染 時 球 植 致 専 而 製 令 as 上 面 表 τ. 的 2 ΊΧ 4 脚専， 至而 接故 銲 。 接佳 直不 法- 無 45品 球成 銲之 ， 成 先 後 成 為 而 此 如 率濟會 良予即 完 程 $ 裝 封 壓 横 在 均 者 前 巨 ， 仍 而故 然 ， , 加 業增 作的 球本 植成 行造 進製 再成 - 造 理並 處化 前雜 之複 洞程 孔製 洗使 濟 予 善 改 待 有 1 5 6 40 本紙沬尺度通用中围國家標準（CNS >A4規格（2丨0X 297公釐） 411537 A7 __B7 _ 五、發明説明（5 ) 基此*本發明之一目的即在提供一種能製程簡單且低 製造成本之具CSP之BGA结檐之半等體封装件。 --------^ ί (請先閲讀Γη面之逢意事項再填寫本頁) 本發明之另一目的在提供一棰能有效薄化厚度而符合 薄彤半専趙產品之需求的具CSP之BGA结構之半専體封裝件 0 本發明之再一目的在提供一種能以傳统之封裝設備及 製程製成且遘用於中央銲墊晶片之具CSP之BG A结構的半専 ®封装件。 本發明之又一目的在提供一種無須使用BGA式之基板 而可直接使用専線架為基材的具CSP之BGA結構之半導想封 装件。 依據本發明上揭目的提供之具CSP之BGA结構的半導體 封装件•係包括： 一具有中間纓空區之至少二俩上開設有多数圼柵格陣 列之孔洞之不導電基曆（Non-conductive Base Layer)， 該基層具有相對之第一表面與第二表面； 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 接著於該基靥之第二表面上之専線架之専脚，使該専 脚之内皤伸露該基靥之鏤空區中且均彼此分隔，該導酺具 有相對之上表面與下表面，並令各導躑上表面均對懕於基 層之孔洞； 、 一黏設於各導酈下表面上之晶片，該晶片具有頂面與 底面； 多數連接於晶片頂面與各導脚内纗上表面上之捍線· 以使該晶片與導鯽可導電地接連； 本纸乐尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐} 5 1 5 6 40 經濟部中央標準局貝工消費合作ii印製 411537 A7 __B7_五、發明説明（6 ) 包覆該晶片，銲媒及導腳未黏接著有基蘑之部分的封 裝膠體•使該基餍大致外兹出該封裝膠體；κ及 多數植接於該基層之孔洞中並外露出該孔洞之銲球· μ使該銲球可導電地連接至該導腳之上表面。 於本發明之另一實施例中•該封装膠體得於固化成形 後，使晶片之底面外露出封裝膠體而成裸晶之型式。 於本發明之又一實施例中，該導脚之外端部分係可外 荛出該封裝膠體·κ使至少南俚本發明之半導體封装件得 上下叠置，令位於上方之半専髓封装件之銲球得觸接至位 於下方之半導體封裝件之導®之外»部分，而令彼此可導 霉地相接。 本發明所稱之基層係為如聚亞醢胺樹脂製成之不導霣 膠片（Tape)或如環氧樹脂製成之不専電拒銲劑（Solder Mask) *故使用除片為基β時，僳以鈷貼之方式使膠Η與 導線架之専黼接著，而在使用担銲劑為基層時，則係以塗 佈之方式使拒銲覿與導線架之導鼸接著。 _式筋盟說明 第1圖係本發明第一實施例具CSP之BGA结構之半導體 封裝件剖面示意匾； 第2醒係本發明第一霣施例具CSP之,BGA结構之半導體 封裝件所使用之導線架的俯視圈； 第3國係本發明第一 S豳例具CSP之BGA结構之半導體 封裝件所使用之基片的俯視画； 第4Β係本發明第一實腌例具CSP之BGA结構之半専體 本紙乐尺度適用中國_家標率（〔:ns ) Λ4規格（2i〇x297公釐) 6 1—5 6 4 0 I J- . In . . i ϊ - xi衣 .i - 1-- - I - ' 1-- - I (請先閲请背面之注意事項再填寫本I ) 411537 A7 經濟部中夾標窣局員工消費合作社印31 __B7_五、發明説明（7 ) 封裝件使用之導線架與基片黏结後之俯視圖； 第5圖係本發明第一簧施例具CSP之BGA结構之半導體 封裝件將晶片黏設於已黏貼有基片之導線架上的剖面示意 國 * 第6_係第5圓之结構置於封裝横具中之剖面示意圈； 第7圏係第5謹之结構完成封装及植球並進行去邊之動 作示意圈； 第8·係本發明第二實施例具CSP之BGA结構之半導S 封装件的剖面示意圔； 第9圓係本發明第三實施例具CSP之BGA结構之半導膛 封裝件的剖面示意匾； 第10蘭本發明第三實施例具CSP之BGA结構之半導體封 裝件或三届上下叠置之剖面示意画； 第U画係習知引線式半導體裝置之剖面示意圖； 第12圈係習知BGA半導體裝置之剖面示意豳； 第13圖係習知CSP之BGA半導想装置之剖面示意園； Μ及 第14臛係習知之Μ導線架為基材之BGA结構之半導體 装置之剖面示意匾。 ， 本發明第一實施例之具CSP结構之半専體封裝件5，如 第1至3圓所示，係包括基片51(亦可使用担銲劑）·黏設於 基Η51上之多數導鬭52*黏接至該専脚52下表面524之晶 片53·可導霣地連接晶片53與導Η52内端部521上之金線 (請先閱讀.背面之注意事項再填寫本頁) 裝 。丁 •-β ^-丨 本纸張尺度適用中國國家標哗（（:NS ) ΛΊ現格（210Χ297公釐> 1 5640 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 A7__411537_b7__五、發明説明（8 ) 54·包覆該晶片53、金線54及導»52之封装應體55，K及 植接至該基片51上開設之多數圼柵格陣列之孔洞511中之 銲球5 6。 如第1及2圔所示，該由銅合金或鐵鎳合金製成之導脚 52係以其外通部522端連至一矩形裙片（Skirt Strip)523 上而成一導媒架（LeadFraBe)50;各該導脚52並具有下表 面5 2 4及上表面5 2 5。 如第1及3鼷所示，該基片51則為如聚亞醢胺樹腊之附 高溫高分子材料製成者*係於中間位置形成有一鏤空區 512，使各孔润511係呈檷格陣列的開設於該鏤空區512長 度方向之兩铟上，並具有第二表面513及第一表面514。 該銲球56植接於各孔洞5U中時偽彤成一黏接至導腳 52上表面525上之根部561及一外露出該孔洞511润緣之球 部 56 2。 該具CSP之BGA结構之半導髖封装件5之製程•係先將 基片黏於導脚之上表面525上，並使各専脚52之内端部521 係伸霣該基片51之鏤空¥512中•且使各孔洞511均對應於 各導臟52之上表面525*即如第4_所示者，各導麻52之上 表面525為基片51所蓋覆區域均有栢對於該孔洞511之部分 經由孔润511露出至外界。在専脚52的下表面524上黏著一 習用接著雙面鏐著片57後*即可將晶片53黏接至該接著片 57上，而使晶片53得Μ専鼸52為支撐並黏固於等脚52上· 如第5圈所示。晶Η53與導»52内通部521黏著亦可以習知 之不導霣銀膠為之。 ^1^1 ^·ϋι -- -Id u_3_ --a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS )A4規格（2丨0X 297公釐） 8 1 5640 經濟部中央標準局負工消贽合作社印焚 411537 g五、發明説明（9 ) 接而，將金線54之一端連接至設於晶片53之頂面531 上之銲墊（未圖示），而另一竭則蟠接至導脚52位於內编部 521之上表面525上的缠當處，以使晶片53可専電地與専肠 52接連。完成後*如第6鼴所示，即可將之置於封裝模具 58中進行携颳。棋壓完成後•固化成型之封裝膠體55即包 覆住該晶片53、金媒54及専酈52未黏接有基片51之部分； 由於封裝膠S55不包覆住基片51設有孔洞511之部位*亦 ， 即於灌注封装樹胞時，横流並不流經孔洞511，因而模壓 完成至封裝膠髓55固化成形後•孔洞511中仍保持潔淨， 不致有為封装樹脂污染之問鼸；是以*在封裝膠想55固化 成形後•印可立即進行植球作業•如第7圖所示，將_球 56植人各該孔洞511中* K使導鼷52與諄球56可導電地連 接，並在進行去渣/去邊作業K將導》52輿裙片523分離， 即完成本發明之具CSP结構之半専體封装件5。此外*該半 導體封装件5之封裝謬《55的投影面積偽不大於晶片53面 積之1 . 2倍。 本發明之具CSP之BG A结構之半専體封裝件5製成後* 即可装設於印刷霄路板上並藉著銲球56可導電與印刷電路 板職结。作為I/O之銲球56係列設於該半導》封装件5之底 面上，故有BGA结構之功效•然卻又不同於習用BGA基板須 於上、下甬表面上敷設導霣跡線及貫通孔之方式*故使用 傳統之導酈架構、_嬢方式及模S製程即可•而使本發明 具CSP之BG A结構之半導暖封裝件5的製造成本甚低。同時 ，該Μ基片51與導»52黏接之方式·能免除封裝暖SI55對 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 裝 ,-- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） 9 1 5640 411537 A7 B7五、發明説明（10) 専脚52上表面525之盖覆，因而，使用厚度不大於200微米 (200um)且不會產生龜裂現象之砍性基片51，能使本發明 之具CSP之BGA結構之半導81封裝件5符合薄型半専體產品 之需求。再者*本發明於摸壓封裝之過程中，封裝樹脂之 棋流不舍流經基H51設有孔洞511之部位*故孔洞5U在横 颳作業完成後•不會受到封装樹脂的污染*也沒有溢滘之 規象*故不用如習知之具以導媒架為基材之BGA结構之半 導通裝置在横壓完成後須先對孔洞進行淸洗之前處理· Μ 去除封装樹脂之污染或溢膠之問謳•方得進行植球作業； 亦即·本發明在横颳完成後*便得直接進行植球作業•故 可簡化製程並降低製埴成本。 如第8圖所示，係本發明之第二實施例。該第二霣施 例所示之具CSP之BGA结構之半導體封装件5’大致同於第一 實施例中所堪示者•惟在横壓完成後，固化成形之封裝膠 «55'並未Μ覆住晶片53’之底面532’·亦即，晶片53’之 底面532’係裸S出封裝膠》55·而直接與大氣接觸；此種 裸晶式之封装方法可提供製成之具CSP之BGA结構之半専Β 封裝件5’具有較佳之敗熱效果|因晶片53’於導霄後產生 之热1得以直接散逸至大氣中。 如第9圓所示者為本發明之第三實施例。該第三實施 例所示之具CSP之BGA结構之半導體封裝5”係大致同於第一 賁腌例所揭示者，其不同處在於本寘狍例之専腳52"之外 蠼下表面522 "並未為封装膠《855 "MS ·而汰外两出封裝 除體55”。此種结構可供兩個K上之半導賊裝置上下«置 本紙伕尺度诚用中闺囤家標't ( ('NS ) Λ视格（2ΙΟΌ7公犛) ~ ΓΤΤ7Τ 10 15640 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) —m^i ^^^^1 In ^ 1 一laJ^ilff ^^^^1 ^ip. 411537 Α7 Β7 i'f.4部中决榡卑扃只工消资合5r.iL印ΐί 五、發明説明（u) ，如第lOffl所示|具CSP之BGA結構之半導臢封裝件5A"、 5&”及5C”依序上下叠接•使位於中間之半専體封裝件5B” 底面上之銲球56B"得觸接至•半専封裝件5A"之外露出封 裝膝體的外端部522A”上，同理*半導髖封裝件5C”底面上 之銲球56” C得觸接至半導體封装件5B”之外兹出封裝膠體 的外嬙部522B"上，依此方式II置後，半導髖封裝件5A”、 5B”及5C”即得可専«地職结。此外，第三例之半導» 封装件5”亦可採用第三實施例中所揭示之裸晶型式者。 以上所述者·僅為用以例釋本發明之特點及效果，而 非用以限定本發明之可實施範圍，其他未脫離本發明所揭 示之精神與原理下所完成之等效改變或修飾，如鏤空區之 形狀得為矩形、檷®形或多角形等*均應包含於下述之専 利範圃内。 符狨銳明 1 引媒式半導《装置 2 BGA半導體装置 3 CSP之BGA半導if装置 4 習知具導線架為基材之BGA结構之半導體裝置 5 ' 5、5 " 5 A ”、5 B ”、5 C ” 具C S P之B G A結構之半導體封裝件 11 導線架 1 2 晶片 1 3 金腺 14 封裝膠» (請先閱讀肯面之注意事項再填艿本頁) 裝
rlT 本紙张尺度適川中國S家棉( rNS M4現格（2!〇Χ 公萆） 11 1 5 6 4 0 411537 A7 B7 五 '發明説明（12) 21 基 板 2 2 晶 片 23 m 墊 24 金 線 25 η 球 26 封 裝 膠 69 31 基 板 32 晶 片 41 導 媒 架 42 晶 片 43 金 媒 44 封 裝 膠 « 45 嬅 球 50 導 線 架 5 1 基 片 52 ^ 52 導臛 53 > 53 t 晶Μ 54 金 線 5 5' 55 ' 、55 封 裝 膠Η 56 ' 58 Β " 1 > 56 C" 捍 球 57 接 著 雙 面膠 Η 58 封 装 播 具 1 10 接 著 赞 面謬 Η 111 導腳 (請先閱讀背面之;i意事項再填艿本頁) ¾ 订 本紙乐尺度迖川中阁囤家標肀（（’NS ) Λ4規格（2丨0:<297公犛） 12 1 5 6 4 0 411537 A7 B7 五、發明説明（13) 111a 内端 111b 外端 21 1 上表面 212 第一導電跡線 213 貫通孔 214 下表面 215 第二専霣跡媒 216 銲墊 412 導腳 511 孔洞 512 鏤空區 514 第一表面 513 第二表面 521 内端部 522、 522"、 522A” 522B"外锄部 523 裙片 52 4 下表面 5 2 5 上表面 531 頂面 5 3 2 ’底面 561 根部 5 6 2 球部 (請先閱讀背面之注意事項再填巧本頁) 焚 訂 本紙沬尺度消州中闽因家標肀（（'MS ) Λ4坭格（；ΜΟχ Μ?公f ) 1 3 1 5640

Claims (1)

  1. 申請專利範圍修正本 (89年5月25日） 1. 一種具CSP結構之半導體封裝件，係包括： 一具有鏤空區並於該鏤空區之至少二側上開設有 多數呈柵狀陣列孔洞之基層，使該基層具有相對之第 一表面與第二表面； 多數接著至該基層之第二表面上之等腳，使該導 腳之内端伸露於該基層之鏤空區中且均彼此分隔，該導 腳具有相對之上表面與下表面，並令各導腳之上表面均 對應於該基層之孔洞； 片 晶 該 使 片 晶 之 上 面 表 下 端 .， 内面 腳底 導與 各面 於頂 設之 黏對 1 相 有 具 之 上 面 表 上 端 内連 腳接 導地 各電 與専 面可 頂腳 Η 導 晶 與 該片 於 晶 接該 連使 數 Μ 多 -線 銲 及位 分部 郜之 之洞 層孔 基有 有設 著開 接層 未基 腳該 導使 及 ， 線體 銲膠 、 裝 Η 封 晶的 該區 覆空 包鏤 層 基 經濟部中央標準局員工福利委貝會印製 球 銲 之 洞 孔 該 出 露 外 並 中 洞 及孔 Μ層 ; 基 體該 膠於 裝接 封植 該數 出多 露 外 基 該 ο I 面中 表其 上 * 之件 腳裝。 専封者 該體成 至導製 接半料 埋之材 地項溫 電 1 高 導第耐 可圍之 球範電 _ 利専 該專不 使請W 以申係 , 如 層 2 層 基 該 中 其 件 裝 封 體 導 半 之 。 項者 2 成 第製 圍脂 範樹 利胺 專醢 請亞 申聚 如係 3 層 基 該 中 其 件 裝 封 體 導 半 之 項 1 第 圍 範 利 專 請 ¢ 如 本紙張尺度適用中a國家標準（CNS )A4規格C 210 X 297公金) 1 1 5 6 40
    申請專利範圍修正本 (89年5月25日） 1. 一種具CSP結構之半導體封裝件，係包括： 一具有鏤空區並於該鏤空區之至少二側上開設有 多數呈柵狀陣列孔洞之基層，使該基層具有相對之第 一表面與第二表面； 多數接著至該基層之第二表面上之等腳，使該導 腳之内端伸露於該基層之鏤空區中且均彼此分隔，該導 腳具有相對之上表面與下表面，並令各導腳之上表面均 對應於該基層之孔洞； 片 晶 該 使 片 晶 之 上 面 表 下 端 .， 内面 腳底 導與 各面 於頂 設之 黏對 1 相 有 具 之 上 面 表 上 端 内連 腳接 導地 各電 與専 面可 頂腳 Η 導 晶 與 該片 於 晶 接該 連使 數 Μ 多 -線 銲 及位 分部 郜之 之洞 層孔 基有 有設 著開 接層 未基 腳該 導使 及 ， 線體 銲膠 、 裝 Η 封 晶的 該區 覆空 包鏤 層 基 經濟部中央標準局員工福利委貝會印製 球 銲 之 洞 孔 該 出 露 外 並 中 洞 及孔 Μ層 ; 基 體該 膠於 裝接 封植 該數 出多 露 外 基 該 ο I 面中 表其 上 * 之件 腳裝。 専封者 該體成 至導製 接半料 埋之材 地項溫 電 1 高 導第耐 可圍之 球範電 _ 利専 該專不 使請W 以申係 , 如 層 2 層 基 該 中 其 件 裝 封 體 導 半 之 。 項者 2 成 第製 圍脂 範樹 利胺 專醢 請亞 申聚 如係 3 層 基 該 中 其 件 裝 封 體 導 半 之 項 1 第 圍 範 利 專 請 ¢ 如 本紙張尺度適用中a國家標準（CNS )A4規格C 210 X 297公金) 1 1 5 6 40
    本紙張尺度適用中a國家標準（CNS )A4規格（210X 297公漦) 2 1 5 6 40
    本紙張尺度適用中a國家標準（CNS )A4規格（210X 297公漦) 2 1 5 6 40 411537 H3
    經濟部中央標準局員工福利委員會印製 .V舉V表面與第二表面； 多數接著至該基層之第二表面上之専腳，使該専 脚之內端伸II於該基層之鏤空區中且均彼此分隔，該 専腳具有相對之上表面與下表面•並令各導腳之上表 面均對應於該基層上之孔洞； 一黏設於各導腳内端下表面上之晶片，使該晶片 具有相對之頂面與底面； 多数連接於該晶Η頂面與各導腳內端上表面上之 銲線·Κ使該晶片與導脚可導電地接連； 包覆該晶片、捍線、導脚未接著有基片層部分及 基層鏤空區的封裝膠體，使該基層開設有孔洞之部位 以及該導腳外端部之下表面分別外兹出該封裝膠體； 及 Μ 球 有 銲 設 之 。 ： 開 洞 面括上 孔 表包側 該下係二 出之 ，少 露腳件至 外導裝之 並 該封區 中 至體空 洞接導鏤 孔 連半該 層地 之於 基 電構並 該導结區 於可GA空 接球_Β鏤 之 植銲 Ρ 有 數該CS具 多 使具一 -is 知 種 之 導該表 片 對 該 ，上 晶 相 使隔之 該 有 ，分腳 使 具 腳此導 _ 層 導彼各 片 基 之均令 晶 該 上且並 之 使 面 中 * 上 * 表區面 面 層 二空表，，表 基 第鏤下洞下 之 之之 與孔端 洞；層層面之内 孔 面基基 表上腳 之 表該該上層導 列 二至於 之基各 陣 第著露 對該於 吠與接伸相於設 柵面數端有應粘 圼表多 内具對 一 數一 之脚均 多第 腳導面 面 底 與 面 頂 之 對 相 有 具 本紙張尺度適用中國國家標準（CN S) A4規格（210 X 297公金) 1 5640 411537 H3
    經濟部中央標準局員工福利委員會印製 .V舉V表面與第二表面； 多數接著至該基層之第二表面上之専腳，使該専 脚之內端伸II於該基層之鏤空區中且均彼此分隔，該 専腳具有相對之上表面與下表面•並令各導腳之上表 面均對應於該基層上之孔洞； 一黏設於各導腳内端下表面上之晶片，使該晶片 具有相對之頂面與底面； 多数連接於該晶Η頂面與各導腳內端上表面上之 銲線·Κ使該晶片與導脚可導電地接連； 包覆該晶片、捍線、導脚未接著有基片層部分及 基層鏤空區的封裝膠體，使該基層開設有孔洞之部位 以及該導腳外端部之下表面分別外兹出該封裝膠體； 及 Μ 球 有 銲 設 之 。 ： 開 洞 面括上 孔 表包側 該下係二 出之 ，少 露腳件至 外導裝之 並 該封區 中 至體空 洞接導鏤 孔 連半該 層地 之於 基 電構並 該導结區 於可GA空 接球_Β鏤 之 植銲 Ρ 有 數該CS具 多 使具一 -is 知 種 之 導該表 片 對 該 ，上 晶 相 使隔之 該 有 ，分腳 使 具 腳此導 _ 層 導彼各 片 基 之均令 晶 該 上且並 之 使 面 中 * 上 * 表區面 面 層 二空表，，表 基 第鏤下洞下 之 之之 與孔端 洞；層層面之内 孔 面基基 表上腳 之 表該該上層導 列 二至於 之基各 陣 第著露 對該於 吠與接伸相於設 柵面數端有應粘 圼表多 内具對 一 數一 之脚均 多第 腳導面 面 底 與 面 頂 之 對 相 有 具 本紙張尺度適用中國國家標準（CN S) A4規格（210 X 297公金) 1 5640
    本紙張尺度適用中a a家標準（CNS )A4規格（210 χ 297公董) 4 1 5 6 4 0
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