TWI220762B - Transparent electrode structure for plasma display panel - Google Patents

Description

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【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電聚平面顯示器（PDP)之電極社構，且 特別是有關於一種可降低功率消耗之透明電極結構。 【先前技術】

由於多媒體的迅速發展’使得使用者對週邊之 求愈來愈高。以往常用的陰極射線管或稱映 Ray 今標榜輕、溥、短、士的時代中，已漸不敷需纟。因此， 近年來有許多平面顯不器技術相繼被開發出來，如液晶 示器（Liquid Crystal Display，LCD)、電漿平面顯示器 (Plasma DispUy Panel，PDP) ’ 以及場發射顯示器（Fiei( Ennssion Display，FED),已漸漸成為未來顯 流。其中，以電漿平面顯示器（PDP)作為全彩顯^裝置受虽I 極大的注目。

在彩色PDP中，藉由氣體放電產生紫外線，激發螢光體發射 出γ見光而形成顯示效果。根據PDP的放電模式，彩色pDp 簡單可分為交流型（AC)以及直流型（DC)兩類。在交流型PDP 中，於電極上覆蓋有保護層，這使得交流型pDp具有較長的 使用壽命以及較高的顯示亮度。因此，在顯示效果、發光 效率以及使用壽命上，交流型PDP 一般優於直流SPDp。 通常在交流型PDP中會使用三電極結構，包含位於上基板之

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/、用電極掃描電極（X電極、Y電極）以及位於下基板之 4址電極一電極結構係為表面放電形式，並且藉由施加 電壓至位址電極來進行切換或是維持放電。第一圖繪示一 般PDP的上基板電極結構1〇〇，可分為共通電極 electrode )及掃瞄電極（scan electr〇de )，傳統上兩者 白包含較乍的輔助電極1〇1 ( Bus electr〇de )及較寬的透 明電極102/，$水平直條狀排列，並與下基板之組隔壁1〇3 成垂直關係，另外在兩個相鄰之放電區與非放電區之間進 行黑紋1 04處理，來提昇傳統電漿平面顯示器之亮度對比。 然而，由於傳統面板其透明電極的面積過大，產生較大的 電容，因此當PDP只有顯示低灰階時，雖然亮度很低，但維 持電壓（Vs)所消耗的功率（Pvs)卻相當大，因為過大的透明 電極面積，會使得維持電壓在上板電極間之充、放電過程 中，產生較大的功率消耗，影響面板效率。 【發明内容】 本發明的主要目的在提供一種透明電極結構，其具有較小 之透明電極面積，可有效降低面板電容，減少電力消粍。 本發明之另一目的在提供一種透明電極結構，其具有曲折 凸向放電中心之電極結構，且透明電極面積主要集中在放 電中心附近，即累積的壁電荷集中在放電中心附近，有利 於PDP面板的驅動。 本發明之又一目的在提供一種透明電極結構，其根據PDP放

1220762 五、發明說明（3) 電模態設計，可有效維持放電強度。 本發明提供一種透明電極結構，至少包括一主體與兩連接 區塊’其中該主體藉由此兩連接區塊與梳狀電極之支線相 接’並形成主體凸向於放電中心之結構，其中透明電極與 梳狀電極之主線間留有一鏤空區域。 由於本發明之透明電極係依放電模態，形成向放電中心處 凸起之拱起形狀，因此可以提高其放電效率。另一方面， 本發明之透明電極與梳狀電極之主線間留有一鏤空區域， 因此大幅降低透明電極之面積，有效降低面板電容。 【實施方式】 在不限制本發明之精神及應用範圍之下，以下即以一實施 例，介紹本發明之實施；熟悉此領域技藝者，在暸解本發 明之精神後’當可應用本發明之透明電極結構於各種不同 之電漿顯示器中。其中於每一放電區域中，每一透明電極 係依放電模態，形成向放電中心處凸起之拱起形狀，以提 高其放電效率。本發明之應用當不僅限於以下所述之較佳 實施例。 請參照第二圖繪示根據本發明之一較佳實施例之電漿平面 顯示器之透明電極結構之俯視示意圖。電極放電結構包括 一透明電極30以及一梳狀電極32，其中透明電極30。對於 二電極結構而言，在發光單元之相反兩側分別設置一對透 明電極30以及一對梳狀電極32。其中，梳狀電極32包含越

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過成列排列之發光單元之主線33，和從主線33垂直延伸出 之複數條支線3 4，支線3 4係對準底下的阻隔壁2 4。透明電 極30係採曲折狀設計，每一發光單元之放電中心係位於一 對透明電極30之間，因此本發明之透明電極3〇於接近放電 中心處具有最大之電極面積，其中本發明之透明電極係由 參閱第三圖所示為本發明透明電極結構之放大圖，包括一 透明電極30以及-梳狀電極32，@阻隔壁24用以隔離放電 發光中心。依本發明較佳實施例而言，於接近放電 之兩對透明電極30，係分別由三部分組成，包括一主體31 和兩連接區塊35和36，其中主體31之形狀依本較佳實施例 為一長方體，但其他之形狀如表面凸起之弓形亦可作為本 而在每-發光單元中，力對透明電極3〇之主體31彼此相對 且平行排列，並以發光單元之中心線為彼此對稱點，並藉 由兩連接區塊35和36與梳狀電極32之兩相鄰支線34連接，曰 其中兩連接區塊35和36分別與主體31之兩側相接。換句每 說，本發明之透明電極30與梳狀電極32之主線33間留^ ^ 鏤空區域，彼此並不連接，僅藉由連接區塊35和^與: 電極32之支線34相接，因此可大幅降低透明電極之:二 有效降低面板電容。 ’ 另一方面，主體31係位於兩支線34之中心處，且藉由*、 接區塊35和36與梳狀電極32之支線34相接，且透^電=連 形成後之外觀形狀係向放電中心處拱起，亦即，30 | 土體3 1是位 1220762 五、發明說明（5) 於透明電極之凸起處，兩主體31維持固定的距離，換句話 說，此兩對透明電極30於主體31處距離最為接近，且鄰近 於放電中心，因此可大幅提升放電效率，其中兩連接區塊 35和36係互相對稱於主體31。於每一發光單元中，主體31 之寬度？約為發光單元間距（(：6111)丨1：(^)42的2〇%至6〇%， 以發光單元間距394 βπι之結構為例，其主體31之寬度w的範 圍介於78 至240 ，而主體31厚度η佔此發光單元像素 間距（pixel pitch) 40之比例約為5%至3〇%，以像素間距 1182em之結構為例，其主體31厚度H的範圍介於6〇以瓜至 300 /Z m。 ^不脫離本發明之精神下，本發明之透明電極可應用於各 :同的PDP之上基板中。由於本發明之透明電極係依放 模匕、，形成向放電中心處凸起之拱起形狀，因此可 一方面，本發明之透明電極3。與梳狀= 之主線33間留有一鏤空區域，因此大幅 面積，有效降低面板電容。 -远月電極之 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其 ί i:明二任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神r 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準^月之保瘦範

mm 明 說 單 簡 &u 符 表 代 件 元 1220762 圖式簡單說明 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易 懂’下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下： 第一圖繪示傳統PDP的上基板之電極結構。 第一圖繪示根據本發明之一較佳實施例之電漿平面顯示器 之透明電極結構之俯視示意圖。 第二圖繪示根據本發明之一較佳實施例之透明電極結構之 放大圖。 31主體 3 2梳狀電極 33主線 34 支線 35和36連接區塊 40 像素間距（pixel pitch) 42發光單元間距（cell pitch) 1 0 0基板電極結構 1 0 1輔助電極 30和102透明電極 2 4和1 0 3阻隔壁 104黑紋

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Claims (1)

1220762 六、申請專利範圍 1. 一種電漿平面顯示器之透明電極結構，其中該電漿平面 顯不器至少具有複數個發光單元位於上下基板間，而一梳 狀電極具有一主線越過該些發光單元，和複數個支線從該 主線垂直延伸並且位於該些發光單元之間，該透明電極結 構至少包含： 複數個主體，每一該些主體位於對應之兩相鄰之該支線與 該主線間；以及 複數個連接區塊，分別位於該些主體之兩侧，其中每一該 ，^體可透過位於兩侧之兩連接區塊分別與對應之兩 相接。 2·如申請專利範圍第丨項之透明電極結 凸向發光單元之放電中心。 ，、T 一主體係 範圍第1項之透明電極結構，其中位於同-透 二電極、、、口構早70内之兩透明電極主體，其距離為固定不

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六、申請專利範圍 6·如申請專利範圍第1項之透明電極結構，其中該主體 長方體。 '' 7.如申請專利範圍第1項之透明電極結構，其中該主體之寬 度約為發光單元間距（cel 1 pitch )的20%至60%。 8·如申請專利範圍第、項之透明電極結構，其中該主體厚广 佔此發光單元像素間距（p i Xe 1 p i t ch )之比例約為5^ $ X 30%。 ·、、、〇 主 9. 一種 顯示器 狀電極 主線垂 構至少 複數個 線間； 複數個 些主體 相接並 電聚平面顯不裔之透明電極結構，其中該電^^平 至少具有複數個發光單元位於上下基板，而一= 具有一主線越過該些發光單元，和複數個支線從$ 直延伸並且位於該些發光單元之間，該透明電極= 包含： 、 主體，每一該些主體位於對應之兩相鄰支線與該主 以及 連接區塊，分別位於該些主體之兩側，其中每一該 可透過位於兩側之兩連接區塊分別與對廡之兩支線 使得每一該些主體凸向發光單元之放電;^心。 10.如申請專利範圍第9項之透明電極結體 與該些連接區塊之材料包括銦錫氧化物。

1220762 六、申請專利範圍 11.如申請專利範圍第9項之透明電極結構，其中該透明電 極結構與該梳狀電極之主線間留有一鏤空區域。 1 2.如申請專利範圍第9項之透明電極結構，其中該主體為 一長方體。 1 3.如申請專利範圍第9項之透明電極結構，其中該主體之 寬度約為發光單元間距（cell pitch )的20 %至60%。 14.如申請專利範圍第9項之透明電極結構，其中該主體厚 度佔此發光單元像素間距（pixel pi tch )之比例約為5%至 30% 〇

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