CN116235645A - 发射蓝光的有机电致发光器件 - Google Patents

发射蓝光的有机电致发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN116235645A
CN116235645A CN202180064322.0A CN202180064322A CN116235645A CN 116235645 A CN116235645 A CN 116235645A CN 202180064322 A CN202180064322 A CN 202180064322A CN 116235645 A CN116235645 A CN 116235645A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dabna
optionally substituted
eet
formula
organic electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180064322.0A
Other languages
English (en)
Inventor
K·克利梅什
H·弗拉基
J·L·卡巴罗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN116235645A publication Critical patent/CN116235645A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C09K2211/1048—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1074—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing more than three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H10K2101/25—Delayed fluorescence emission using exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/60—Up-conversion, e.g. by triplet-triplet annihilation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Pyridine Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及包括发光层B的有机电致发光器件，发光层B包括TADF材料、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的蓝光的小FWHM发射体SB和主体材料HB以及可选的激发能量转移组分EET‑2。此外，本发明涉及一种通过借助于根据本发明的有机电致发光器件来产生蓝光的方法。

Description

发射蓝光的有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种包括发光层B的有机电致发光器件，发光层B包括TADF材料EB、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的蓝光的小半峰全宽(FWHM)发射体SB以及主体材料HB。另外，根据发明的有机电致发光器件包括与发光层B相邻的激子管理层，激子管理层包括三重态-三重态湮灭材料。此外，本发明涉及一种用于产生有机电致发光器件的方法，并且涉及一种用于借助于根据本发明的有机电致发光器件来产生蓝光的方法。
背景技术
包含一个或更多个基于有机物的发光层的有机电致发光器件(诸如以有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管为例)赢得了越来越多的重要性。具体地，OLED是用于电子产品(诸如以屏幕、显示器和照明装置为例)的有前途的器件。与基本上基于无机物的大多数电致发光器件相反，基于有机物的有机电致发光器件通常相当柔性并且可制造为特别薄的层。目前已经可获得的OLED类屏幕和显示器具有良好的效率和长寿命或者良好的色纯度和长寿命，但是没有组合全部三种性质(即，良好的效率、长寿命和良好的色纯度)。
OLED的色纯度或颜色点通常由CIEx和CIEy坐标提供，而用于下一代显示器的色域由所谓的BT-2020和DCPI3值提供。通常，为了实现这些色坐标，需要顶部发射器件以通过改变腔来调节色坐标。为了在以这些色域为目标的同时在顶部发射器件中实现高效率，需要底部发射器件中的窄发射光谱。
现有技术的磷光发射体表现出反映在磷光类OLED(PHOLED)的宽发射中的相当宽的发射且通常大于0.25eV的发射光谱的半峰全宽(FWHM)。底部发射器件中的PHOLED的宽发射光谱在以BT-2020和DCPI3色域为目标的同时导致针对顶部发射器件结构的外耦合效率的高损失。
另外，磷光材料通常基于例如铱的过渡金属，由于过渡金属通常的低丰度，过渡金属在OLED堆叠体内是相当昂贵的材料。因此，过渡金属类材料具有用于降低OLED成本的最大潜力。因此，OLED堆叠体内的过渡金属的含量的降低是用于OLED应用定价的关键性能指标。
最近，已经开发了显示相当窄的发射光谱的一些荧光或热激活延迟荧光(TADF)发射体，其表现出通常小于或等于0.25eV的发射光谱的FWHM，因此更适合于实现BT-2020和DCPI3色域。然而，这种荧光和TADF发射体通常由于在较高的亮度下降低的效率(即，OLED的滚降行为)而具有低效率以及由于例如激子-极化子湮灭或激子-激子湮灭而引起的低寿命。
这些缺点可以通过应用所谓的超方法在一定程度上克服。后者依赖于使用将能量转移到优选地显示如上所述的窄发射光谱的荧光发射体的能量泵。能量泵可以是例如显示反向系间窜越(RISC)的TADF材料或者显示有效系间窜越(ISC)的过渡金属配合物。然而，这些方法仍然没有提供结合全部上述期望特征(即：良好的效率、长寿命和良好的色纯度)的有机电致发光器件。
用于产生光的有机电致发光器件的中心元件通常是放置在阳极与阴极之间的至少一个发光层。当电压(和电流)被施加到有机电致发光器件时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入。空穴传输层通常位于发光层与阳极之间，并且电子传输层通常位于发光层与阴极之间。顺序地设置不同层。然后通过空穴和电子在发光层中的复合产生高能量的激子。这种激发态(例如，诸如S1的单重态和/或诸如T1的三重态)到基态(S0)的衰减期望地导致光的发射。
发明内容
令人惊讶的是，已经发现，包括包含TADF材料EB、发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的蓝光的小半峰全宽(FWHM)发射体SB和主体材料HB的发光层以及与发光层相邻的激子管理层EXL的有机电致发光器件提供了理想地适合于实现蓝色BT-2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
在此，TADF材料EB可以将激发能量转移到发射光的小半峰全宽(FWHM)发射体SB。
本发明涉及一种包括发光层B的有机电致发光器件，发光层B包括以下组分：
(i)TADF材料EB，具有最低激发单重态能级E(S1E)和最低激发三重态能级E(T1E)；
(ii)小半峰全宽(FWHM)发射体SB，具有最低激发单重态能级E(S1S)和最低激发三重态能级E(T1S)，其中，SB发射具有在440nm与480nm之间的发射最大值并且具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光；以及
(iii)主体材料HB，具有最低激发单重态能级E(S1H)和最低激发三重态能级E(T1H)；
其中，有机电致发光器件包括与发光层B相邻的激子管理层EXL，激子管理层EXL包括三重态-三重态湮灭(TTA)材料。
满足上述要求可以产生理想地适合于实现蓝色BT-2020和DCPI3色域的具有长寿命、高量子产率并且表现出窄发射的有机电致发光器件。
具体实施方式
将注意的是，在整个此上下文中，将参照根据本发明的有机电致发光器件的发光层B内的组分的激发态的能量、轨道、发射最大值之间的关系等。理解的是，包括两个特定组分的能量的关系将仅适用于包括这两个特定组分两者的发光层B。另外，关系适用于根据本发明的器件的事实不意指发明的全部器件必须包括在所述关系中所提及的全部组件。该一般说明适用于本发明的全部实施例。
器件架构
本领域技术人员将注意到的是，发光层B通常将被并入本发明的有机电致发光器件中。优选地，这种有机电致发光器件包括至少以下层：至少一个发光层B；至少一个阳极层A；以及至少一个阴极层C。
优选地，发光层B位于阳极层A与阴极层C之间。因此，一般设定优选地是A-B-C。这当然不排除存在一个或更多个可选地又一层。这些可以存在于A、B和/或C的每侧处。
优选地，阳极层A位于基底的表面上。基底可以由任何材料或材料的组合形成。最常见地，玻璃载片被用作基底。可选择地，可以使用薄金属层(例如，铜、金、银或铝膜)或者塑料膜或载片。这可以允许较高程度的柔性。两个电极中的至少一个应(基本上)透明以允许从电致发光器件(例如，OLED)发射光。通常，阳极层A主要由允许获得(基本上)透明膜的材料组成。优选地，阳极层A包括大量的透明导电氧化物(TCO)，或者甚至由透明导电氧化物(TCO)组成。
这种阳极层A可以示例性地包括氧化铟锡、氧化铝锌、氧化氟锡、氧化铟锌、PbO、SnO、氧化锆、氧化钼、氧化钒、氧化钨、石墨、掺杂的Si、掺杂的Ge、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯和/或掺杂的聚噻吩以及它们中的两种或更多种的混合物。
特别优选地，阳极层A(基本上)由氧化铟锡(ITO)(例如，(InO3)0.9(SnO2)0.1)组成。可以通过使用空穴注入层(HIL)来补偿由透明导电氧化物(TCO)引起的阳极层A的粗糙度。此外，因为准电荷载流子从TCO到空穴传输层(HTL)的传输被促进，所以HIL可以促进准电荷载流子(即，空穴)的注入。空穴注入层(HIL)可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸盐(PSS)、MoO2、V2O5、CuPC或CuI(具体地，PEDOT和PSS的混合物)。空穴注入层(HIL)也可以防止金属从阳极层A扩散到空穴传输层(HTL)中。HIL可以示例性地包括PEDOT:PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐)、PEDOT(聚(3,4-乙撑二氧噻吩))、mMTDATA(4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD(2,2',7,7'-四(n,n-二苯基氨基)-9,9'-螺二芴)、DNTPD(N1,N1'-(联苯-4,4'-二基)双(N1-苯基-N4,N4-二-间甲苯基苯-1,4-二胺))、NPB(N,N'-双(1-萘基)-N,N'-双-苯基(1,1'-联苯)-4,4'-二胺)、NPNPB(N,N'-二苯基-N,N'-二[4-(N,N-二苯基-氨基)苯基]联苯胺)、MeO-TPD(N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺)、HAT-CN(1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六甲腈)和/或螺-NPD(N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-9,9'-螺二芴-2,7-二胺)。
与阳极层A或空穴注入层(HIL)相邻，典型地定位有空穴传输层(HTL)。在此，可以使用任何空穴传输化合物。示例性地，诸如三芳胺和/或咔唑的富电子杂芳香族化合物可以用作空穴传输化合物。HTL可以降低阳极层A与发光层B(用作发射层(EML))之间的能量势垒。空穴传输层(HTL)也可以是电子阻挡层(EBL)。优选地，空穴传输化合物具有相当高的其三重态T1的能级。示例性地，空穴传输层(HTL)可以包括诸如三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、聚-TPD(聚(4-丁基苯基-二苯基-胺))、α-NPD(2,2'-二甲基-N,N'-二[(1-萘基)-N,N'-二苯基]-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、TAPC(4,4'-环己基-双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺])、2-TNATA(4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺)、螺-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN和/或Tris-Pcz(9,9'-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9'H-3,3'-联咔唑)的星形杂环。另外，HTL可以包括可以由有机空穴传输基质中的无机掺杂剂或有机掺杂剂组成的p掺杂层。诸如氧化钒、氧化钼或氧化钨的过渡金属氧化物可以示例性地用作无机掺杂剂。四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、五氟苯甲酸铜(Cu(I)pFBz)或过渡金属配合物可以示例性地用作有机掺杂剂。
电子阻挡层(EBL)可以示例性地包括mCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP(3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯)、9-[3-(二苯并呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯并噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-双(2-二苯并噻吩基)苯基]-9H-咔唑、Tris-Pcz、CzSi(9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑)和/或DCB(N,N'-二咔唑基-1,4-二甲基苯)。
上面已经描述了一个或更多个发光层B的组成。根据发明的一个或更多个发光层B中的任一个优选地具有不大于1mm(更优选地不大于0.1mm，甚至更优选地不大于10μm，甚至更优选地不大于1μm，特别优选地不大于0.1μm)的厚度。
在电子传输层(ETL)中，可以使用任何电子传输体。示例性地，可以使用诸如以苯并咪唑、吡啶、三唑、噁二唑(例如1,3,4-噁二唑)、氧化膦和砜为例的贫电子化合物。示例性地，电子传输体ETM(即，电子传输材料)也可以是诸如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)的星形杂环。ETM可以示例性地是NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-膦氧化物)、BPyTP2(2,7-二(2,2'-联吡啶-5-基)三亚苯基)、Sif87(二苯并[b,d]噻吩-2-基三苯基硅烷)、Sif88(二苯并[b,d]噻吩-2-基二苯基硅烷)、BmPyPhB(1,3-双[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)和/或BTB(4,4'-双[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1'-联苯)。可选地，电子传输层可以掺杂有诸如Liq(8-羟基喹啉锂)的材料。可选择地，第二电子传输层可以位于电子传输层与阴极层C之间。电子传输层(ETL)也可以阻挡空穴，或者引入空穴阻挡层(HBL)。
HBL可以例如包括HBM1：
Figure BDA0004134659910000051
BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉＝浴铜灵)、BAlq(双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝)、NBphen(2,9-双(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、TSPO1(二苯基-4-三苯基甲硅烷基苯基-膦氧化物)、T2T(2,4,6-三(联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T(2,4,6-三(三联苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST(2,4,6-三(9,9'-螺二芴-2-基)-1,3,5-三嗪)、DTST(2,4-二苯基-6-(3'-三苯基甲硅烷基苯基)-1,3,5-三嗪)、DTDBF(2,8-双(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)二苯并呋喃)和/或TCB/TCP(1,3,5-三(N-咔唑基)苯/1,3,5-三(咔唑-9-基)苯)。
与电子传输层(ETL)相邻，可以定位阴极层C。示例性地，阴极层C可以包括金属(例如，Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、Li、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金，或者可以由金属(例如，Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、Li、Ca、Ba、Mg、In、W或Pd)或金属合金组成。出于实际原因，阴极层C也可以由诸如Mg、Ca或Al的(基本上)不透明(非透明)的金属组成。可选择地或附加地，阴极层C也可以包括石墨和/或碳纳米管(CNT)。可选择地，阴极层C也可以由纳米级银线组成。
在优选实施例中，有机电致发光器件包括至少以下层：
A)阳极层A，包含选自于由氧化铟锡、氧化铟锌、PbO、SnO、石墨、掺杂的硅、掺杂的锗、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯、掺杂的聚噻吩以及它们中的两种或更多种的混合物组成的组中的至少一个组分；
EXL)如在此所描述的根据本发明的激子管理层EXL；
B)如在此所描述的根据本发明的发光层B；以及
C)阴极层C，包含选自于由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、In、W、Pd、Li、Ca、Ba、Mg以及它们中的两种或更多种的混合物或合金组成的组中的至少一个组分，
其中，发光层B位于阳极层A与阴极层C之间。
在优选实施例中，有机电致发光器件包括至少以下层：
A)阳极层A，包含选自于由氧化铟锡、氧化铟锌、PbO、SnO、石墨、掺杂的硅、掺杂的锗、掺杂的GaAs、掺杂的聚苯胺、掺杂的聚吡咯、掺杂的聚噻吩以及它们中的两种或更多种的混合物组成的组中的至少一个组分；
B)如在此所描述的根据本发明的发光层B；
EXL)如在此所描述的根据本发明的激子管理层EXL；以及
C)阴极层C，包含选自于由Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、In、W、Pd、Li、Ca、Ba、Mg以及它们中的两种或更多种的混合物或合金组成的组中的至少一个组分，
其中，发光层B位于阳极层A与阴极层C之间。
在优选实施例中，有机电致发光器件是包括以下层结构的OLED：
A)阳极层A，示例性地包括氧化铟锡(ITO)；
HTL)空穴传输层HTL；
EXL)如在此所描述的根据本发明的激子管理层EXL；
B)如在此所描述的根据本发明的发光层B；
ETL)电子传输层ETL；以及
C)阴极层C，示例性地包括Al、Ca和/或Mg。
优选地，在此层的顺序是A-HTL-EXL-B-ETL-C。
在一个实施例中，有机电致发光器件是包括以下层结构的OLED：
A)阳极层A，示例性地包括氧化铟锡(ITO)；
HTL)空穴传输层HTL；
B)如在此所描述的根据本发明的发光层B；
EXL)如在此所描述的根据本发明的激子管理层EXL；
ETL)电子传输层ETL；以及
C)阴极层，示例性地包括Al、Ca和/或Mg。
优选地，在此层的顺序是A-HTL-B-EXL-ETL-C。
在一个实施例中，激子管理层EXL具有小于15nm的厚度。
在优选实施例中，激子管理层EXL具有小于10nm的厚度。
在优选实施例中，激子管理层EXL具有等于或小于5nm的厚度。
在优选实施例中，激子管理层EXL具有小于5nm的厚度。
如本领域技术人员已知的，三重态-三重态湮灭(TTA)材料可以用作主体材料HB。TTA材料能够实现三重态-三重态湮灭。三重态-三重态湮灭可以优选地引起光子上转换。因此，两个、三个或甚至更多个光子可以促进从TTA材料HTTA的最低激发三重态T1TTA到最低激发单重态S1TTA的光子上转换。在优选实施例中，两个光子促进从T1TTA到S1TTA的光子上转换。因此，三重态-三重态湮灭可以是一个通过许多能量转移步骤的过程，可以将两个(或可选地大于两个)低频光子组合为一个更高频率的光子。
可选地，TTA材料可以包括吸收部分、敏化剂部分和发射部分(或湮灭剂部分)。在这种情况下，发射部分可以例如是多环芳香族部分(诸如苯、联苯、三联苯、苯并[9,10]菲、萘、蒽、非那烯、菲、芴、芘、
Figure BDA0004134659910000082
苝和甘菊环)。在优选实施例中，多环芳香族部分包括蒽部分或其衍生物。敏化剂部分和发射部分可以位于两种不同的化学化合物(即，单独的化学实体)中，或者可以是被一种化学化合物所包含的两个部分。
根据本发明，TTA材料的特征在于其从最低激发三重态(T1N)表现出三重态-三重态湮灭，导致三重态-三重态湮灭的第一激发单重态S1N具有高达T1N的能量的两倍的能量。
根据本发明，三重态-三重态湮灭(TTA)材料通过三重态-三重态湮没将能量从其第一激发三重态T1N转换为其第一激发单重态S1N。
在本发明的一个实施例中，TTA材料的特征在于其表现出来自T1N的三重态-三重态湮灭，导致S1N，其中，S1N具有是T1N的能量的1.01倍至2倍、1.1倍至1.9倍、1.2倍至1.5倍、1.4倍至1.6倍或1.5倍至2倍的能量。
如在此所使用的，术语“TTA材料”和“TTA化合物”可以互换地理解。
“TTA材料”通常可以在与蓝色荧光OLED相关的现有技术中找到，如由Kondakov所描述的(Philosophical Transactions of the Royal Society A:Mathematical,Physical and Engineering Sciences,2015,373:20140321)。这种蓝色荧光OLED采用诸如蒽衍生物的芳香烃作为EML中的主要组分(主体)。
在优选实施例中，TTA材料能够实现敏化三重态-三重态湮灭。可选地，TTA材料可以包括一种或更多种多环芳香族结构。在优选实施例中，TTA材料包括至少一种多环芳香族结构和至少一种另一芳香族残基。
在发明的优选实施例中，TTA材料HTTA是蒽衍生物。
在一个实施例中，TTA材料HTTA是下面的式TTA的蒽衍生物：
Figure BDA0004134659910000081
其中，
每个Ar彼此独立地选自于由以下组成的组：C6-C60芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；并且
每个A1彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C6-C60芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；C3-C57杂芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C1-C40(杂)烷基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基。
在一个实施例中，TTA材料HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，
每个Ar彼此独立地选自于由以下组成的组：C6-C20芳基，可选地取代有选自于由C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、卤素和C1-C10(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C3-C20杂芳基，可选地取代有选自于由C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、卤素和C1-C10(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；并且
每个A1彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C6-C20芳基，可选地取代有选自于由C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、卤素和C1-C10(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；C3-C20杂芳基，可选地取代有选自于由C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、卤素和C1-C10(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C1-C10(杂)烷基，可选地取代有选自于由C6-C20芳基、C3-C20杂芳基、卤素和C1-C10(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基。
在一个实施例中，HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，A1中的至少一个是氢。在一个实施例中，HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，A1中的至少两个是氢。在一个实施例中，HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，A1中的至少三个是氢。在一个实施例中，HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，A1中的全部均是氢。
在一个实施例中，HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，Ar中的一个是选自于由苯基、萘基、菲基(phenanthryl)、芘基、苯并[9,10]菲基、二苯并蒽基、芴基、苯并芴基、蒽基、菲基(phenanthrenyl)、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基组成的组中的残基，
上述基团均可以可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基。
在一个实施例中，HTTA是式TTA的蒽衍生物，其中，两个Ar是均彼此独立地选自于由苯基、萘基、菲基(phenanthryl)、芘基、苯并[9,10]菲基、二苯并蒽基、芴基、苯并芴基、蒽基、菲基(phenanthrenyl)、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基组成的组中的残基，
上述基团均可以可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基。
在一个实施例中，TTA材料HTTA是选自于以下的蒽衍生物：
Figure BDA0004134659910000111
Figure BDA0004134659910000121
Figure BDA0004134659910000131
Figure BDA0004134659910000141
Figure BDA0004134659910000151
Figure BDA0004134659910000161
Figure BDA0004134659910000171
Figure BDA0004134659910000181
Figure BDA0004134659910000191
Figure BDA0004134659910000201
Figure BDA0004134659910000211
Figure BDA0004134659910000221
Figure BDA0004134659910000231
Figure BDA0004134659910000241
Figure BDA0004134659910000251
Figure BDA0004134659910000261
Figure BDA0004134659910000271
Figure BDA0004134659910000281
Figure BDA0004134659910000291
Figure BDA0004134659910000301
Figure BDA0004134659910000311
Figure BDA0004134659910000321
Figure BDA0004134659910000331
Figure BDA0004134659910000341
Figure BDA0004134659910000351
Figure BDA0004134659910000361
Figure BDA0004134659910000371
在一个实施例中，激子管理层EXL包括TTA材料和附加发射体。
在优选实施例中，激子管理层EXL包括TTA材料和附加发射体，其中，相邻层EXL中的附加发射体是发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)且具有在440nm与480nm之间的发射最大值的光的小半峰全宽发射体SB。
此外，有机电致发光器件可以可选地包括一个或更多个保护层，所述一个或更多个保护层保护器件免受暴露于环境中的有害物质(包括示例性地湿气、蒸汽和/或气体)的损坏。
电致发光器件(例如，OLED)可以进一步可选地包括在电子传输层(ETL)D与阴极层C之间的保护层(其可以被指定为电子注入层(EIL))。该层可以包括氟化锂、氟化铯、银、Liq(8-羟基喹啉锂)、Li2O、BaF2、MgO和/或NaF。
除非另有说明，否则各种实施例的任何层(包括任何子层)可以通过任何合适的方法沉积。本发明的上下文中的包括至少一个发光层B(其可以由单个(子)层组成或可以包括大于一个子层)以及/或者其一个或更多个子层的层可以可选地借助于液体加工(也称为“膜加工”、“流体加工”、“溶液加工”或“溶剂加工”)来制备。这意指包括在相应的层中的组分以液体状态被施用到器件的一部分的表面。优选地，本发明的上下文中的包括至少一个发光层B以及/或者其一个或更多个子层的层可以借助于旋涂来制备。本领域技术人员公知的这个方法允许获得薄且(基本上)均匀的层和/或子层。
可选地，本发明的上下文中的包括至少一个发光层B以及/或者其一个或更多个子层的层可以通过基于液体加工的其它方法(诸如以浇铸(例如，滴铸)和辊压法为例)以及印刷法(例如，喷墨印刷、凹版印刷、刮涂)来制备。这可以可选地在惰性气氛中(例如，在氮气氛中)进行。
在另一优选实施例中，本发明的上下文中的包括至少一个发光层B以及/或者其一个或更多个子层的层可以通过本领域已知的任何其它方法制备，包括但不限于本领域技术人员公知的真空处理法(诸如以热(共)蒸发、有机气相沉积(OVPD)和通过有机气相喷射印刷(OVJP)的沉积为例)。
有机电致发光器件的感兴趣的目的之一可以是经由真空沉积产生有机电致发射器件。
因此，本发明的又一方面涉及一种用于产生有机电致发光器件的方法，该方法包括以下步骤：
(i)经由真空沉积蒸发发光层B；以及
(ii)经由真空沉积蒸发激子管理层EXL，
其中，步骤(i)和步骤(ii)在彼此之后进行，并且
步骤(i)和步骤(ii)的顺序可以颠倒。
在优选实施例中，生成有机电致发光器件，其中，经由真空沉积蒸发发光层B，随后经由真空沉积蒸发激子管理层EXL。将理解的是，在该实施例中，激子管理层EXL将优选地经由真空沉积沉积在发光层B上。换言之，激子管理层EXL优选地与发光层B直接接触。因此，其直接相邻。
在优选实施例中，生成有机电致发光器件，其中，经由真空沉积蒸发激子管理层EXL，随后经由真空沉积蒸发发光层B。将理解的是，在该实施例中，发光层B将优选地经由真空沉积沉积在激子管理层EXL上。换言之，激子管理层EXL优选地与发光层B直接接触。因此，其直接相邻。
当借助于液体加工来制备可选地包括其一个或更多个子层的层时，包括(子)层的组分(即，对于本发明的发光层B，一个或更多个TADF材料EB、可选地一个或更多个激发能量转移组分EET-2、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB)的溶液可以进一步包括挥发性有机溶剂。这种挥发性有机溶剂可以可选地是选自于由四氢呋喃、二噁烷、氯苯、二乙二醇二乙醚、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮、乙氧基乙醇、二甲苯、甲苯、苯甲醚、苯乙醚、乙腈、四氢噻吩、苄腈、吡啶、三氢呋喃、三芳基胺、环己酮、丙酮、碳酸亚丙酯、乙酸乙酯、苯和PGMEA(丙二醇单乙醚乙酸酯)组成的组中的一种。还可以使用两种或更多种溶剂的组合。在以液体状态施用之后，随后示例性地在环境条件下，在升高的温度(例如，约50℃或约60℃)下或在减小的压力下可以通过本领域的任何方式干燥和/或硬化该层。
有机电致发光器件作为整体也可以形成不大于5mm、不大于2mm、不大于1mm、不大于0.5mm、不大于0.25mm、不大于100μm或不大于10μm的厚度的薄层。
有机电致发光器件(例如，OLED)可以是小尺寸的(例如，具有不大于5mm2或甚至不大于1mm2的表面)、中等尺寸的(例如，具有0.5cm2至20cm2的范围内的表面)或大尺寸的(例如，具有大于20cm2的表面)。根据本发明的有机电致发光器件(例如，OLED)可以可选地作为大面积照明装置、作为发光壁纸、发光窗框或玻璃、发光标签、发光海报或柔性屏幕或显示器而用于产生画面。除了常见用途之外，有机电致发光器件(例如，OLED)也可以示例性地用作发光膜、“智能包装”标签或创新设计元件。此外，它们可用于细胞检测和检查(例如，作为生物标记)。
发光层(EML)B的组成
以下，当更详细地描述根据本发明的有机电致发光器件的发光层B的组成时，在一些情况下以百分比的形式参考某些材料的含量。将注意的是，除非针对特定实施例另有说明，否则全部百分比都是指重量百分比，其具有与重量百分比或重量％((重量/重量)，(w/w)，wt％)相同的含义。理解的是，当例如说明一个或更多个小FWHM发射体SB在特定组合物中的含量为示例性1％时，这将意指一个或更多个小FWHM发射体SB的总重量(即，全部SB分子组合的总重量)为1重量％，即，占相应的发光层B的总重量的1％。理解的是，每当通过以重量％计提供其组分的优选含量来指定发光层B的组成时，全部组分的总含量相加达100重量％(即，相应的发光层B的总重量)。
主体材料HB、TADF材料EB和小FWHM发射体SB可以以任何量和任何比例包括在根据本发明的有机电致发光器件中。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.0重量％至30重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至10重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.9重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至57.9重量％的一个或更多个溶剂；以及可选地
(vi)0重量％至57.8重量％的选自于由TADF材料、磷光材料、主体材料和小FWHM发射体组成的组中的材料(优选地均与组分(i)至组分(iv)不同)。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.0重量％至30重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至10重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.9重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至57.9重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.0重量％至30重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至10重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.9重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至30重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至10重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至57.8重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)12重量％至60重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至30重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至10重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至87.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)15重量％至50重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至15重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至5重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至84.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至54.8重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)15重量％至50重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至15重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至5重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)30重量％至84.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至50重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至10重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至3重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至39.8重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至50重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至10重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至3重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至3重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至5重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至3重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至39.8重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至5重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至3重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至7重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至3重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至3重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至39.8重量％的一个或更多个溶剂。
在优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件中，发光层B包括以下组分或由以下组分组成：
(i)20重量％至45重量％的TADF材料EB；和
(ii)0.1重量％至3重量％的激发能量转移组分EET-2；和
(iii)0.1重量％至3重量％的小FWHM发射体SB；和
(iv)40重量％至79.8重量％的主体材料HB；以及可选地
(v)0重量％至9重量％的一个或更多个溶剂。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于5重量％的激发能量转移组分EET-2(意指相应的发光层B中的EET-2的总含量等于或小于5重量％)。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于5重量％的激发能量转移组分EET-2(意指相应的发光层B中的EET-2的总含量等于或小于5重量％)。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于3重量％的激发能量转移组分EET-2(意指相应的发光层B中的EET-2的总含量等于或小于3重量％)。
在发明的一个实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于5重量％的小FWHM发射体SB(意指相应的发光层B中的SB的总含量等于或小于5重量％)。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于3重量％的小FWHM发射体SB(意指相应的发光层B中的SB的总含量等于或小于3重量％)。
在发明的一个实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量小于或等于1重量％的小FWHM发射体SB(意指相应的发光层B中的SB的总含量等于或小于1重量％)。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量15重量％至50重量％的TADF材料EB(意指相应的发光层B中的EB的总含量在15重量％至50重量％的范围内)。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量20重量％至50重量％的TADF材料EB(意指相应的发光层B中的EB的总含量在20重量％至50重量％的范围内)。
在发明的优选实施例中，发光层B包括相对于发光层B的总重量20重量％至45重量％的TADF材料EB(意指相应的发光层B中的EB的总含量在20重量％至45重量％的范围内)。
S1-T1能量关系
在本发明的上下文中：
(i)TADF材料EB具有具备能级E(S1E)的最低激发单重态S1E和具备能级E(T1E)的最低激发三重态T1E；并且
(ii)小半峰全宽(FWHM)发射体SB具有具备能级E(S1S)的最低激发单重态S1S和具备能级E(T1S)的最低激发三重态T1S；并且
(iii)主体材料HB具有具备能级E(S1H)的最低激发单重态S1H和具备能级E(T1H)的最低激发三重态T1H；并且
(iv)可选的激发能量转移组分EET-2具有具备能级E(S1EET-2)的最低激发单重态S1EET-2和具备能级E(T1EET-2)的最低激发三重态T1EET-2。
在发明的一个实施例中，由下面的式(7)至式(9)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
E(S1H) > E(S1E) (7)
E(S1H) > E(S1EET-2) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)。
因此，主体材料HB的最低激发单重态S1H优选地在能量上高于TADF材料EB的最低激发单重态S1E(式7)，并且在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发单重态S1EET-2(式8)，并且在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式9)。
在一个实施例中，上述由式(7)至式(9)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的一个实施例中，由下面的式(10)和式(11)表示的关系中的一个或两个适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(S1E) > E(S1S) (10)
E(S1EET-2) > E(S1S) (11)。
因此，TADF材料EB的最低激发单重态S1E可以优选地在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式10)和/或可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发单重态S1EET -2可以优选地在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式11)。
在一个实施例中，上述由式(10)和式(11)表示的关系中的一个或两个可以适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(7)至式(11)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(S1H) > E(S1E) (7)
E(S1H) > E(S1EET-2) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)
E(S1E) > E(S1S) (10)
E(S1EET-2) > E(S1S) (11)。
在一个实施例中，上述由式(7)至式(11)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(13)和式(14)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
E(T1H) > E(T1E) (13)
E(T1E) ≥ E(T1EET-2) (14)。
因此，主体材料HB的最低激发三重态T1H优选地在能量上高于TADF材料EB的最低激发三重态T1E(式13)。另外，TADF材料EB的最低激发三重态T1E优选地在能量上等于或在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2(式14)。
在一个实施例中，上述由式(13)和式(14)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(14)至式(16)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
E(T1E) ≥ E(T1EET-2) (14)
E(T1EET-2) > E(S1S) (15)
E(T1EET-2) > E(T1S) (16)。
因此，TADF材料EB的最低激发三重态T1E优选地在能量上等于或在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2(式14)；可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2优选地在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式15)；可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2优选地在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发三重态T1S(式16)。
在一个实施例中，上述由式(14)至式(16)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，适用由下面的式(7)至式(10)和下面的式(15)表示的关系：
E(S1H) > E(S1E) (7)
E(S1H) > E(S1EET-2) (8)
E(S1H) > E(S1S) (9)
E(S1E) > E(S1S) (10)
E(T1EET-2) > E(S1S) (15)。
在一个实施例中，上述由式(7)至式(10)和式(15)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的替代实施例中，由下面的式(17)和式(10)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
E(T1EET-2) > E(T1E) (17)
E(S1E) > E(S1S) (10)。
因此，可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2可以在能量上高于TADF材料EB的最低激发三重态T1E(式17)；并且TADF材料EB的最低激发单重态S1E可以在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式10)。
在替代实施例中，上述由式(17)和式(10)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，由下面的式(18)、式(15)、式(19)和式(20)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
E(T1H) > E(T1EET-2) (18)
E(T1EET-2) > E(S1S) (15)
E(T1H) > E(S1E) (19)
E(T1E) > E(T1EET-2) (20)。
因此，主体材料HB的最低激发三重态T1H优选地在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2(式18)；并且可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2优选地在能量上高于小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S(式15)；并且主体材料HB的最低激发三重态T1H优选地在能量上高于TADF材料EB的最低激发单重态S1E(式19)；并且TADF材料EB的最低激发三重态T1E优选地在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2(式20)。
在一个实施例中，上述由式(18)、式(15)、式(19)和式(20)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的一个实施例中，可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2在能量上等于或高于TADF材料EB的最低激发三重态T1E：
E(T1EET-2)≥E(T1E)，并且
可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2与小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S的能量差E(T1EET-2)–E(S1S)等于或小于0.3eV：
E(T1EET-2)–E(S1S)≤0.3eV。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB的最低激发三重态T1E在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2：
E(T1E)>E(T1EET-2)，并且
TADF材料EB的最低激发三重态T1E与小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S的能量差E(T1E)–E(S1S)等于或小于0.3eV：
E(T1E)–E(S1S)≤0.3eV。
在发明的优选实施例中，可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2在能量上等于或高于TADF材料EB的最低激发三重态T1E：
E(T1EET-2)≥E(T1E)，
并且可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2与小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S的能量差E(T1EET-2)–E(S1S)等于或小于0.2eV：
E(T1EET-2)–E(S1S)≤0.2eV。
在发明的优选实施例中，TADF材料EB的最低激发三重态T1E在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2：
E(T1E)>E(T1EET-2)，并且
TADF材料EB的最低激发三重态T1E与小FWHM发射体SB的最低激发单重态S1S的能量差E(T1E)–E(S1S)等于或小于0.2eV：
E(T1E)–E(S1S)≤0.2eV。
在发明的一个实施例中，可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2在能量上等于或高于TADF材料EB的最低激发三重态T1E：
E(T1EET-2)≥E(T1E)，并且
可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2与小FWHM发射体SB的最低激发三重态T1S的能量差E(T1EET-2)–E(T1S)等于或小于0.3eV：
E(T1EET-2)–E(T1S)≤0.3eV。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB的最低激发三重态T1E在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2：
E(T1E)>E(T1EET-2)，并且
可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2与小FWHM发射体SB的最低激发三重态T1S的能量差E(T1EET-2)–E(T1S)等于或小于0.3eV：
E(T1E)–E(T1S)≤0.3eV。
在发明的一个实施例中，可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2在能量上高于TADF材料EB的最低激发三重态T1E：
E(T1EET-2)>E(T1E)，并且
可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2与小FWHM发射体SB的最低激发三重态T1S的能量差E(T1EET-2)–E(T1S)等于或小于0.2eV：
E(T1EET-2)–E(T1S)≤0.2eV。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB的最低激发三重态T1E在能量上高于可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2：
E(T1E)>E(T1EET-2)，并且
可选的激发能量转移组分EET-2的最低激发三重态T1EET-2与小FWHM发射体SB的最低激发三重态T1S的能量差E(T1EET-2)–E(T1S)等于或小于0.2eV：
E(T1EET-2)–E(T1S)≤0.2eV。
HOMO、LUMO能量关系
在本发明的上下文中：
(i)TADF材料EB具有具备能量EHOMO(EB)的最高占据分子轨道HOMO(EB)和具备能量ELUMO(EB)的最低未占分子轨道LUMO(EB)；并且
(ii)小半峰全宽(FWHM)发射体SB具有具备能量EHOMO(SB)的最高占据分子轨道HOMO(SB)和具备能量ELUMO(SB)的最低未占分子轨道LUMO(SB)；并且
(iii)主体材料HB具有具备能量EHOMO(HB)的最高占据分子轨道HOMO(HB)和具备能量ELUMO(HB)的最低未占分子轨道LUMO(HB)；并且
(iv)可选的激发能量转移组分EET-2具有具备能量EHOMO(EET-2)的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)和具备能量ELUMO(EET-2)的最低未占分子轨道LUMO(EET-2)。
在优选实施例中，由下面的式(1)至式(3)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
ELUMO(EB) < ELUMO(HB) (1)
ELUMO(EB) < ELUMO(EET-2) (2)
ELUMO(EB) < ELUMO(SB) (3)。
在优选实施例中，由下面的式(4)至式(6)表示的关系适用于包括在同一发光层B中的材料：
EHOMO(EET-2) ≥ EHOMO(HB) (4)
EHOMO(EET-2) ≥ EHOMO(EB) (5)
EHOMO(EET-2) ≥ EHOMO(SB) (6)。
在优选实施例中，由上述式(1)至式(6)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于具有能量EHOMO(HB)的主体材料HB的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(SB)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)在能量上高于具有能量EHOMO(EB)的TADF材料EB的最高占据分子轨道HOMO(EB)：
EHOMO(SB)>EHOMO(EB)。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)在能量上高于具有能量EHOMO(EB)的TADF材料EB的最高占据分子轨道HOMO(EB)：
EHOMO(EET-2)>EHOMO(EB)。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)在能量上高于具有能量EHOMO(HB)的主体材料HB的最高占据分子轨道HOMO(HB)：
EHOMO(EET-2)>EHOMO(HB)。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)在能量上高于具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(EET-2)>EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB的最高占据分子轨道HOMO(EB)在能量上等于或在能量上低于小FWHM发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)：
EHOMO(EB)≤EHOMO(SB)。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)与具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的(能量)差小于0.3eV：
EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)<0.3eV。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)与具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的(能量)差小于0.2eV：
EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)<0.2eV。
在发明的一个实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)与具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的(能量)差大于0.0eV且小于0.8eV：
0.0eV<EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)<0.8eV。
在发明的优选实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)与具有能量EHOMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最高占据分子轨道HOMO(SB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)>0.2eV)或者甚至大于0.3eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(SB)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)与具有能量EHOMO(EB)的TADF材料EB的最高占据分子轨道HOMO(EB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(EB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(EB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(EB)>0.2eV)更优选地大于0.3eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(EB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(EB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(EB)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，具有能量EHOMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最高占据分子轨道HOMO(EET-2)与具有能量EHOMO(HB)的主体材料HB的最高占据分子轨道HOMO(HB)之间的能量差大于0eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(HB)>0eV)，优选地大于0.1eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(HB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(HB)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(HB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(HB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(EHOMO(EET-2)-EHOMO(HB)>0.5eV)。
在发明的一个实施例中，具有能量ELUMO(SB)的小半峰全宽(FWHM)发射体SB的最低未占分子轨道LUMO(SB)与具有能量ELUMO(EB)的TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)之间的能量差大于0.0eV且小于0.3eV：
0.0eV<ELUMO(SB)–ELUMO(EB)<0.3eV。
在发明的优选实施例中，具有能量ELUMO(SB)的小FWHM发射体SB的最低未占分子轨道LUMO(SB)与具有能量ELUMO(EB)的TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)之间的能量差大于0eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EB)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EB)>0.2eV)，特别优选地大于0.3eV(ELUMO(SB)–ELUMO(EB)>0.3eV)。
在发明的优选实施例中，具有能量ELUMO(EET-2)的可选的激发能量转移组分EET-2的最低未占分子轨道LUMO(EET-2)与具有能量ELUMO(EB)的TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)之间的能量差大于0eV(ELUMO(EET-2)–ELUMO(EB)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(EET-2)–ELUMO(EB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(EET-2)–ELUMO(EB)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(EET-2)–ELUMO(EB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(EET-2)–ELUMO(EB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(EET-2)–ELUMO(EB)>0.5eV)。
在发明的优选实施例中，具有能量ELUMO(HB)的至少一个(优选地每个)主体材料HB的最低未占分子轨道LUMO(HB)与具有能量ELUMO(EB)的TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)之间的能量差大于0eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EB)>0eV)，优选地大于0.1eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EB)>0.1eV)，更优选地大于0.2eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EB)>0.2eV)，更优选地大于0.3eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EB)>0.3eV)，甚至更优选地大于0.4eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EB)>0.4eV)，特别地大于0.5eV(ELUMO(HB)–ELUMO(EB)>0.5eV)。
发射最大值的关系
在发明的一个实施例中，由式(21)和式(22)表示的关系中的一个或两个适用于包括在发光层B中的材料：
|Eλmax(EET-2) - Eλmax(SB)| < 0.30eV (21)，
|Eλmax(EB) - Eλmax(SB)| < 0.30eV (22)，
这意指：在发光层B内，以电子伏特(eV)给出的可选的激发能量转移组分EET-2的发射最大值的能量Eλmax(EET-2)与以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.30eV(式21)；并且/或者：以电子伏特(eV)给出的TADF材料EB的发射最大值的能量Eλmax(EB)与以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.30eV(式22)。
在一个实施例中，上述由式(21)和式(22)表示的关系中的一个或两个适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，由式(23)和式(24)表示的关系中的一个或两个适用于包括在发光层B中的材料：
|Eλmax(EET-2) - Eλmax(SB)| < 0.20eV (23)，
|Eλmax(EB) - Eλmax(SB)| < 0.20eV (24)，
这意指：在发光层B内，以电子伏特(eV)给出的可选的激发能量转移组分EET-2的发射最大值的能量Eλmax(EET-2)与以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.20eV(式23)；并且/或者：以电子伏特(eV)给出的TADF材料EB的发射最大值的能量Eλmax(EB)与以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.20eV(式24)。
在一个实施例中，上述由式(23)和式(24)表示的关系中的一个或两个适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的甚至更优选的实施例中，由式(25)和式(26)表示的关系中的一个或两个适用于包括在发光层B中的材料：
|Eλmax(EET-2) - Eλmax(SB)| < 0.10eV (25)，
|Eλmax(EB) - Eλmax(SB)| < 0.10eV (26)，
这意指：在发光层B内，以电子伏特(eV)给出的可选的激发能量转移组分EET-2的发射最大值的能量Eλmax(EET-2)与以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.10eV(式25)；并且/或者：以电子伏特(eV)给出的TADF材料EB的发射最大值的能量Eλmax(EB)与以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)之间的能量差小于0.10eV(式26)。
在一个实施例中，上述由式(25)和式(26)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的一个实施例中，由式(27)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
Eλmax(EET-2) > Eλmax(SB) (27)，
这意指，在发光层B内，以电子伏特(eV)给出的可选的激发能量转移组分EET-2的发射最大值的能量Eλmax(EET-2)大于以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)。
在发明的一个实施例中，由式(28)表示的关系适用于包括在发光层B中的材料：
Eλmax(EB) > Eλmax(SB) (28)，
这意指，在发光层B内，以电子伏特(eV)给出的TADF材料EB的发射最大值的能量Eλmax(EB)大于以电子伏特(eV)给出的小FWHM发射体SB的发射最大值的能量Eλmax(SB)。
器件颜色和性能
本发明的又一实施例涉及一种在不同的颜色点处发射光的电致发光器件(例如，OLED)。根据本发明，电致发光器件(例如，OLED)发射具有窄发射带(小半峰全宽(FWHM))的光。在优选实施例中，根据发明的电致发光器件(例如，OLED)发射具有低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的FWHM的光。
在优选实施例中，电致发光器件(例如，OLED)在恒定电流密度J0＝15mA/cm2下表现出大于100小时(优选地大于200小时，更优选地大于300小时，甚至更优选地大于400小时，甚至还更优选地大于750小时，或者甚至大于1000小时)的LT95值。
本发明的又一实施例涉及一种在不同的颜色点处发射光的电致发光器件(例如，OLED)。根据本发明，电致发光器件(例如，OLED)发射具有窄发射带(小半峰全宽(FWHM))的光。在优选实施例中，根据发明的电致发光器件(例如，OLED)发射具有低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的FWHM的光。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在440nm与480nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在450nm与475nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，并且表现出在460nm与475nm之间的发射最大值。
本发明的又一实施例涉及一种电致发光器件(例如，OLED)，电致发光器件(例如，OLED)在1000cd/m2下表现出大于10％(更优选地大于13％，更优选地大于15％，甚至更优选地大于18％，或者甚至大于20％)的外量子效率，以及/或者表现出在440nm与480nm之间(优选地在450nm与475nm之间，更优选地在460nm与475nm之间)的发射最大值，以及/或者在500cd/m2下表现出大于100小时(优选地大于200小时，更优选地大于400小时，甚至更优选地大于750小时，或者甚至大于1000小时)的LT80值。
本发明的又一实施例涉及一种在不同的颜色点处发射光的电致发光器件(例如，OLED)。根据本发明，电致发光器件(例如，OLED)发射具有窄发射带(小半峰全宽(FWHM))的光。在优选实施例中，根据发明的电致发光器件(例如，OLED)发射具有低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的FWHM的光。
本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED发射具有接近CIEx(＝0.131)和CIEy(＝0.046)色坐标的CIEx和CIEy色坐标的光，该CIEx(＝0.131)和CIEy(＝0.046)色坐标作为如由ITU-R Recommendation BT.2020(Rec.2020)所定义的基色蓝色(CIEx＝0.131并且CIEy＝0.046)，并且因此该OLED适用于在超高清(UHD)显示器(例如，UHD-TV)中应用。在商业应用中，典型地使用顶部发射(顶电极是透明的)器件，而如在整个本申请中所使用的测试器件代表底部发射器件(底电极和基底是透明的)。当从底部发射器件改变为顶部发射器件时，蓝色器件的CIEy色坐标可以减小高达两倍，而CIEx保持几乎不变(Okinaka等人，Society for Information Display International Symposium Digest of TechnicalPapers,2015,46(1):312-313,DOI:10.1002/sdtp.10480)。因此，本发明的又一方面涉及一种OLED，该OLED的发射表现出在0.02与0.30之间(优选地在0.03与0.25之间，更优选地在0.05与0.20之间，或者甚至更优选地在0.08与0.18之间，或者甚至在0.10与0.15之间)的CIEx色坐标以及/或者在0.00与0.45之间(优选地在0.01与0.30之间，更优选地在0.02与0.20之间，或者甚至更优选地在0.03与0.15之间，或者甚至在0.04与0.10之间)的CIEy色坐标。
有机电致发光器件的感兴趣的目的中的一个可以是光的产生。因此，本发明还涉及一种用于产生期望波长范围的光的方法，所述方法包括提供根据本发明的任一项的有机电致发光器件的步骤。
因此，本发明的又一方面涉及一种用于产生期望波长范围的光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件。
本发明的又一方面涉及一种通过组装上述元件来制造有机电致发光器件的工艺。本发明还涉及一种用于产生蓝光的方法，具体地，涉及一种用于通过使用所述有机电致发光器件产生蓝光的方法。
发明的又一方面涉及一种有机电致发光器件，其中，下面的式(29)适用于包括在发光层B中的材料：
440 nm ≤ λmax(SB) ≤ 480 nm (29)，
其中，λmax(SB)是小FWHM发射体SB的发射最大值，并且以纳米(nm)给出。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件，
其中，所述方法用于产生440nm至480nm波长范围下的光。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件，
其中，所述方法用于产生450nm至475nm波长范围下的光。
发明的又一方面涉及一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据本发明的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件，
其中，所述方法用于产生460nm至475nm波长范围下的光。
本领域技术人员理解的是，取决于其结构，TADF材料EB(参见下文)和激发能量转移组分EET-2(参见下文)可以用作有机电致发光器件中的发射体。然而，优选地，在根据本发明的有机电致发光器件中，TADF材料EB和激发能量转移组分EET-2的主要功能不是发射光。在优选实施例中，在施加电压(和电流)时，根据发明的有机电致发光器件发射光，其中，该发射主要(即，在大于50％(优选地大于60％，更优选地大于70％，甚至更优选地大于80％，或者甚至大于90％)的程度上)归因于由小FWHM发射体SB发射的荧光。因此，根据本发明的有机电致发光器件优选地还显示由低于0.25eV(更优选地低于0.20eV，甚至更优选地低于0.15eV，或者甚至低于0.13eV)的主发射峰的小FWHM表示的窄发射。
在发明的优选实施例中，适用由下面的式(32)表示的关系：
Figure BDA0004134659910000561
其中，
FWHMD指根据本发明的有机电致发光器件的主发射峰的呈电子伏特(eV)的半峰全宽(FWHM)；并且
FWHMSB表示用在FWHM为FWHMD的有机电致发光器件的发光层(EML)中的一个或更多个主体材料HB中的一个或更多个小FWHM发射体SB的旋涂膜的光致发光光谱(荧光光谱，在室温(即，(近似)20℃)下测量)的呈电子伏特(eV)的FWHM。也就是说，用于确定FWHMSB的旋涂膜优选地以与有机电致发光器件的发光层B相同重量比包括相同的小FWHM发射体SB或多个小FWHM发射体SB。
例如，如果发光层B包括均具有1重量％的浓度的两个小FWHM发射体SB，则旋涂膜优选地还包括1重量％的两个小FWHM发射体SB中的每个。在该示例性情况下，旋涂膜的基质材料将占旋涂膜的98重量％。可以选择旋涂膜的所述基质材料以反映包括在有机电致发光器件的发光层B中的主体材料HB的重量比。在上述示例中，如果发光层B包括单个主体材料HB，则所述主体材料将优选地是旋涂膜的唯一基质材料。然而，如果在上述示例中，发光层B包括两个主体材料HB，一个具有60重量％的含量并且另一个具有20重量％的含量(即，呈3:1的比例)，则旋涂膜(包括1重量％的两个小FWHM发射体SB中的每个)的上述基质材料将优选地是如存在于EML中的两个主体材料HB的3:1混合物。
如果大于一个发光层B包含在根据本发明的有机电致发光器件中，则由上述式(32)表示的关系优选地适用于包括在器件中的全部发光层B。
在一个实施例中，对于根据本发明的有机电致发光器件的发光层B，上述比例FWHMD:FWHMSB等于或小于1.50、优选地1.40、甚至更优选地1.30、甚至还更优选地1.20或者甚至1.10。
应注意的是，对于用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的荧光发射体的选择，FWHM值可以如本文后面的子章节中所描述的(简言之：参见下文，优选地通过在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用浓度为1重量％至5重量％(具体地，2重量％)的相应的发射体的旋涂膜，或者通过溶液)来确定。也就是说，表1S中列出的示例性小FWHM发射体SB的FWHM值可以不被理解为式(32)和本发明的相关优选实施例的上下文中的FWHMSB值。
示例和权利要求进一步示出了发明。
(多个)主体材料HB
根据发明，包括在一个或更多个发光层B中的任一个中的一个或更多个主体材料HB中的任一个可以是表现出高空穴迁移率的p主体HP、表现出高电子迁移率的n主体HN或者表现出高空穴迁移率和高电子迁移率两者的双极主体材料HBP。
在本发明的上下文中，表现出高电子迁移率的n主体HN优选地具有等于或小于-2.50eV的LUMO能量ELUMO(HN)(ELUMO(HN)≤-2.50eV)，优选地，ELUMO(HN)≤-2.60eV，更优选地，ELUMO(HN)≤-2.65eV，甚至更优选地，ELUMO(HN)≤-2.70eV。LUMO是最低未占分子轨道。LUMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在本发明的上下文中，表现出高空穴迁移率的p主体HP优选地具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HP)(EHOMO(HP)≥-6.30eV)，优选地，EHOMO(HP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HP)≥-5.70eV，甚至更优选地，EHOMO(HP)≥-5.40eV。HOMO是最高占据分子轨道。HOMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在发明的优选实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件的每个发光层B中，至少一个(优选地每个)主体材料HB是p主体HP，p主体HP具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HP)(EHOMO(HP)≥-6.30eV)，优选地，EHOMO(HP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HP)≥-5.70eV，甚至更优选地，EHOMO(HP)≥-5.40eV。HOMO是最高占据分子轨道。
在发明的一个实施例中，在每个发光层B中，包括在发光层B中的至少一个(优选地每个)p主体HP具有小于-5.60eV的HOMO能量EHOMO(HP)。
在本发明的上下文中，表现出高电子迁移率的双极主体HBP优选地具有等于或小于-2.50eV的LUMO能量ELUMO(HBP)(ELUMO(HBP)≤-2.50eV)，优选地，ELUMO(HBP)≤-2.60eV，更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.65eV，甚至更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.70eV。LUMO是最低未占分子轨道。LUMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在本发明的上下文中，表现出高空穴迁移率的双极主体HBP优选地具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HBP)(EHOMO(HBP)≥-6.30eV)，优选地，EHOMO(HBP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.70eV，甚至还更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.40eV。HOMO是最高占据分子轨道。HOMO的能量如在本文后面的子章节中所描述的来确定。
在发明的一个实施例中，双极主体材料HBP(优选地每个双极主体材料HBP)满足以下要求两者：
(i)其具有等于或小于-2.50eV的LUMO能量ELUMO(HBP)(ELUMO(HBP)≤-2.50eV)，优选地，ELUMO(HBP)≤-2.60eV，更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.65eV，甚至更优选地，ELUMO(HBP)≤-2.70eV；并且
(ii)其具有等于或高于-6.30eV的HOMO能量EHOMO(HBP)(EHOMO(HBP)≥-6.30eV，优选地，EHOMO(HBP)≥-5.90eV，更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.70eV，甚至还更优选地，EHOMO(HBP)≥-5.40eV。
本领域技术人员知道哪些材料是用于诸如本发明的有机电致发光器件的有机电致发光器件中的合适的主体材料。见例如：Y.Tao,C.Yang,J.Quin,Chemical SocietyReviews 2011,40,2943,DOI:10.1039/C0CS00160K；K.S.Yook,J.Y.Lee,The ChemicalRecord 2015,16(1),159,DOI:10.1002/tcr.201500221；T.Chatterjee,K.-T.Wong,Advanced Optical Materials2018,7(1),1800565,DOI:10.1002/adom.201800565；Q.Wang,Q.-S.Tian,Y.-L.Zhang,X.Tang,L.-S.Liao,Journal of Materials Chemistry C2019,7,11329,DOI:10.1039/C9TC03092A。
此外，例如，US2006006365(A1)、US2006208221(A1)、US2005069729(A1)、EP1205527(A1)、US2009302752(A1)、US20090134784(A1)、US2009302742(A1)、US2010187977(A1)、US2012068170(A1)、US2012097899(A1)、US2006121308(A1)、US2006121308(A1)、US2009167166(A1)、US2007176147(A1)、US2015322091(A1)、US2011105778(A1)、US2011201778(A1)、US2011121274(A1)、US2009302742(A1)、US2010187977(A1)、US2010244009(A1)、US2009136779(A1)、EP2182040(A2)、US2012202997(A1)、US2019393424(A1)、US2019393425(A1)、US2020168819(A1)、US2020079762(A1)和US2012292576(A1)公开了可以用于根据本发明的有机电致发光器件中的主体材料。理解的是，这不暗指本发明限于包括在引用的参考文献中公开的主体材料的有机电致发光器件。还理解的是，现有技术中使用的任何主体材料也可以是本发明的上下文中的合适的主体材料HB。
在发明的优选实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括一个或更多个p主体HP。在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B仅包括单个主体材料HB，并且所述主体材料是p主体HP。
在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括一个或更多个n主体HN。在发明的另一实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B仅包括单个主体材料HB，并且所述主体材料是n主体HN。
在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B包括一个或更多个双极主体HBP。在发明的一个实施例中，根据发明的有机电致发光器件的每个发光层B仅包括单个主体材料HB，并且所述主体材料是双极主体HBP。
在发明的另一实施例中，根据发明的有机电致发光器件的至少一个发光层B包括至少两个不同的主体材料HB。在这种情况下，存在于相应的发光层B中的大于一个主体材料HB可以全部是p主体HP或全部是n主体HN，或者全部是双极主体HBP，但是也可以是它们的组合。
理解的是，如果根据发明的有机电致发光器件包括大于一个发光层B，则它们中的任一个可以独立于一个或更多个其它发光层B包括适用上述定义的一个主体材料HB或大于一个主体材料HB。还理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件中的不同发光层B不必全部包括相同的材料或者甚至以相同的浓度或比例包括相同的材料。
理解的是，如果根据发明的有机电致发光器件的发光层B由大于一个子层构成，则它们中的任一个可以独立于一个或更多个其它子层包括适用上述定义的一个主体材料HB或大于一个主体材料HB。还理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件中的发光层B的不同子层不必全部包括相同的材料或者甚至以相同的浓度或比例包括相同的材料。
如果包括在根据发明的有机电致发光器件的同一发光层B中，则至少一个p主体HP和至少一个n主体HN可以可选地形成激基复合物。本领域技术人员知道如何选择形成激基复合物的HP和HN对以及包括HP和HN的HOMO和/或LUMO能级要求的选择标准。也就是说，在可以期望激基复合物形成的情况下，p主体材料HP的最高占据分子轨道(HOMO)在能量上可以比n主体材料HN的HOMO高至少0.20eV，并且p主体材料HP的最低未占分子轨道(LUMO)在能量上可以比n主体材料HN的LUMO高至少0.20eV。
在发明的优选实施例中，至少一个主体材料HB(例如，HP、HN和/或HBP)是有机主体材料，在发明的上下文中，这意指它不包含任何过渡金属。在发明的优选实施例中，本发明的电致发光器件中的全部主体材料HB(HP、HN和/或HBP)是有机主体材料，在发明的上下文中，这意指它们不包含任何过渡金属。优选地，至少一个主体材料HB(更优选地，全部主体材料HB(HP、HN和/或HBP))主要由元素氢(H)、碳(C)和氮(N)组成，但是也可以例如包括氧(O)、硼(B)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的一个实施例中，每个主体材料HB是p主体HP。
在根据本发明的有机电致发光器件的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个主体材料HB是p主体HP。
在发明的优选实施例中，可选地包括在(由一个(子)层构成或包括大于一个子层的)作为整体的一个或更多个发光层B中的任一个中的p主体HP包括以下部分或由以下部分组成：
一个第一化学部分，包括根据式HP-I、式HP-II、式HP-III、式HP-IV、式HP-V、式HP-VI、式HP-VII、式HP-VIII、式HP-IX和式HP-X中的任一个的结构，或者由根据式HP-I、式HP-II、式HP-III、式HP-IV、式HP-V、式HP-VI、式HP-VII、式HP-VIII、式HP-IX和式HP-X中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004134659910000611
一个或更多个第二化学部分，均包括根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构，或者由根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004134659910000621
其中，存在于p主体材料HP中的一个或更多个第二化学部分中的每个经由在上面的式中由虚线表示的单键连接到第一化学部分；
其中，
Z1在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、C(RII)2、C＝C(RII)2、C＝O、C＝NRII、NRII、O、Si(RII)2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
RI在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位，或者选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；以及tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，至少一个RI是将第一化学部分连接到第二化学部分的单键的结合位；
RII在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，两个或更多个相邻的取代基RII可以可选地形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，使得由根据式HP-XI、式HP-XII、式HP-XIII、式HP-XIV、式HP-XV、式HP-XVI、式HP-XVII、式HP-XVIII和式HP-XIX中的任一个的结构以及可选地由相邻的取代基RII形成的附加环组成的稠合环体系总共包括8个至60个碳原子，优选地，12个至40个碳原子，更优选地，14个至32个碳原子。
在发明的甚至更优选的实施例中，Z1在每次出现时是直连键，并且相邻的取代基RII不结合以形成附加环体系。
在发明的甚至还更优选的实施例中，可选地包括在根据发明的有机电致发光器件中的p主体HP选自于由以下结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000631
Figure BDA0004134659910000641
Figure BDA0004134659910000651
在发明的优选实施例中，可选地包括在(由一个(子)层构成或包括大于一个子层的)作为整体的一个或更多个发光层B中的任一个中的n主体HN包括根据式HN-I、式HN-II和式HN-III中的任一个的结构，或者由根据式HN-I、式HN-II和式HN-III中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004134659910000661
其中，RIII和RIV在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CN；CF3；Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；以及由式HN-IV、式HN-V、式HN-VI、式HN-VII、式HN-VIII、式HN-IX、式HN-X、式HN-XI、式HN-XII、式HN-XIII和式HN-XIV中的任一个表示的结构：
Figure BDA0004134659910000662
其中，
虚线表示将根据式HN-IV、式HN-V、式HN-VI、式HN-VII、式HN-VIII、式HN-IX、式HN-X、式HN-XI、式HN-XII、式HN-XIII和式HN-XIV中的任一个的结构连接到根据式HN-I、式HN-II和式HN-III中的任一个的结构的单键的结合位；
X1是氧(O)、硫(S)或C(RV)2；
RV在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：Me；iPr；tBu；以及Ph；
其中，两个或更多个相邻的取代基RV可以可选地形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，使得由根据式HN-IV、式HN-V、式HN-VI、式HN-VII、式HN-VIII、式HN-IX、式HN-X、式HN-XI、式HN-XII、式HN-XIII和式HN-XIV中的任一个的结构以及可选地由相邻的取代基RV形成的附加环组成的稠合环体系总共包括8个至60个碳原子，优选地12个至40个碳原子，更优选地14个至32个碳原子；并且
其中，在式HN-I和式HN-II中，至少一个取代基RIII是CN。
在发明的甚至更优选的实施例中，可选地包括在根据发明的有机电致发光器件中的n主体HN选自于由以下结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000671
Figure BDA0004134659910000681
在发明的一个实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件的任何发光层B中的n主体HN不包含任何氧化膦基团，并且具体地，n主体HN不是双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)。
激发能量转移组分EET-2
对于发光层B，优选地选择TADF材料EB和可选的激发能量转移组分EET-2，使得它们能够将激发能量转移到包括在根据本发明的有机电致发光器件的同一发光层B中的小FWHM发射体SB。
为了实现这种能量转移，优选地，在TADF材料EB在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱(例如，荧光光谱)与EB应该向其转移能量的小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。因此，在优选实施例中，在发光层B内，在TADF材料EB在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。吸收光谱和发射光谱如在本文后面的子章节中所描述的记载。
在发明的优选实施例中，在发光层B内，可选的激发能量转移组分EET-2将激发能量转移到小FWHM发射体SB。
为了实现这种能量转移，优选地，在可选的激发能量转移组分EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱(例如，如果EET-2是TADF材料EB则为荧光光谱，并且如果EET-2是磷光材料PB则为磷光光谱，参见下文)与EET-2应该向其转移能量的小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。因此，在优选实施例中，在发光层B内，在可选的激发能量转移组分EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠。吸收光谱和发射光谱如在本文后面的子章节中所描述的记载。
在发明的甚至更优选的实施例中，在发光层B内，包括在发光层B中的TADF材料EB以及可选的激发能量转移组分EET-2将能量转移到小FWHM发射体SB。
在发明的优选实施例中，在发光层B内，满足以下两个条件两者：
(i)在TADF材料EB在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠；并且
(ii)在可选的激发能量转移组分EET-2在室温(即，(近似)20℃)下的发射光谱与小FWHM发射体SB在室温(即，(近似)20℃)下的吸收光谱之间存在光谱重叠；
其中，吸收光谱和发射光谱如在本文后面的子章节中所描述的记录。
在优选实施例中，在发光层B内，TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)具有小于-2.3eV的能量ELUMO(EB)：ELUMO(EB)<-2.3eV。
在优选实施例中，在发光层B内，TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)具有小于-2.6eV的能量ELUMO(EB)：ELUMO(EB)<-2.6eV。
在优选实施例中，在发光层B内，TADF材料EB的最高占据分子轨道HOMO(EB)具有高于-6.3eV的能量EHOMO(EB)：EHOMO(EB)>-6.3eV。
在优选实施例中，在发光层B内，满足以下两个条件：
(i)TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)具有小于-2.6eV的能量ELUMO(EB)：ELUMO(EB)<-2.6eV；并且
(ii)TADF材料EB的最高占据分子轨道HOMO(EB)具有高于-6.3eV的能量EHOMO(EB)：EHOMO(EB)>-6.3eV。
在发明的一个实施例中，在发光层B内，可选的激发能量转移组分EET-2满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于E(S1EET-2)与E(T1EET-2)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意指EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的(过渡)金属，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在优选实施例中，在发光层B内，TADF材料EB表现出小于0.4eV、优选地小于0.3eV、更优选地小于0.2eV、甚至更优选地小于0.1eV或者甚至小于0.05eV的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)与最低激发三重态能级E(T1E)之间的能量差。
在优选实施例中，在发光层B内，可选的激发能量转移组分EET-2包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意指EET-2是具有大于40的原子量的(过渡)金属，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在发明的优选实施例中，在每个发光层B内，满足以下两个条件两者：
(i)TADF材料EB表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或甚至小于0.05eV)的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)与最低激发三重态能级E(T1E)之间的能量差；并且
(ii)可选的激发能量转移组分EET-2包括具有大于40的标准原子量的至少一个(优选地恰好一个)过渡金属(意指相应的EET-2内的至少一个原子是具有大于40的原子量的(过渡)金属，其中，过渡金属可以处于任何氧化态)。
在发明的优选实施例中，在发光层B中，可选的激发能量转移组分EET-2满足以下两个条件中的至少一个(优选地恰好一个)：
(i)其表现出小于0.4eV(优选地小于0.3eV，更优选地小于0.2eV，甚至更优选地小于0.1eV，或者甚至小于0.05eV(见下文))的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1EET-2)与最低激发三重态能级E(T1EET-2)之间的能量差；并且/或者
(ii)其包括铱(Ir)、钯(Pd)或铂(Pt)(意指EET-2内的至少一个原子是铱(Ir)、钯(Pd)或铂(Pt)，其中，Ir、Pd和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
在优选实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B内，至少一个(优选地每个)可选的激发能量转移组分EET-2包括铱(Ir)或铂(Pt)(意指相应的EET-2内的至少一个原子是铱(Ir)或铂(Pt)，其中，Ir和Pt可以处于任何氧化态，参见下文)。
如先前所述，在本发明的上下文中，发光层B包括TADF材料EB和可选的激发能量转移组分EET-2，其中，这两种物质不相同(即，其不具有相同化学式)。这意指，在根据本发明的有机电致发光器件的每个发光层B内，TADF材料EB和激发能量转移组分EET-2可以例如彼此独立地选自于由TADF材料EB组成的组，但在任何情况下，它们的化学结构可以不相同。也就是说，在发光层B内，没有EB具有与EET-2相同的化学式(或结构)。
在特别优选的实施例中，可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的可选的激发能量转移组分EET-2是如在此所定义的磷光材料PB。
在特别优选的实施例中，可选地包括在根据本发明的有机电致发光器件中的可选的激发能量转移组分EET-2是可以具有如针对如在此所定义的TADF材料EB所定义的结构特征的TADF材料。
理解的是，如果激发能量转移组分被选择为TADF材料，则下文中针对TADF材料EB描述的任何优选的特征、性质和实施例也可以适用于可选的激发能量转移组分EET-2。
还理解的是，如果激发能量转移组分被选择为磷光材料PB，则下文中针对磷光材料PB描述的任何优选的特征、性质和实施例也可以适用于可选的激发能量转移组分EET-2。
(多个)TADF材料EB
如本领域技术人员已知的，来自例如有机发光二极管(OLED)中的发射体材料(即，发射掺杂剂)的光发射可以包括来自激发单重态(典型地最低激发单重态S1)的荧光和来自激发三重态(典型地最低激发三重态T1)的磷光。
在本发明的上下文中，荧光发射体能够在电子激发时(例如在有机电致发光器件中)在室温(即，(近似)20℃)下发射光，其中，发射激发态是单重态(典型地最低激发单重态S1)。当初始电子激发(例如通过电子空穴复合)提供发射体的激发单重态时，荧光发射体通常在纳秒的时间尺度上显示即时(即，直接)荧光。
在本发明的上下文中，延迟荧光材料是能够通过反向系间窜越(RISC，换言之：向上系间窜越或反向系间窜越)的方式从激发三重态(典型地从最低激发三重态T1)达到激发单重态(典型地最低激发单重态S1)并且还能够在从如此达到的激发单重态(典型地S1)返回到其电子基态时发射光的材料。在RISC之后从激发三重态(典型地T1)到发射激发单重态(典型地S1)观察到的荧光发射在时间尺度(典型地在微秒的范围内)上发生，该时间尺度慢于直接(即，即时)荧光发生的时间尺度(典型地在纳秒的范围内)，因此被称为延迟荧光(DF)。当通过热激活发生从激发三重态(典型地从T1)到激发单重态(典型地到S1)的RISC时，并且如果如此填充的激发单重态发射光(延迟荧光发射)，则该过程被称为热激活延迟荧光(TADF)。因此，如上所述，TADF材料是能够发射热激活延迟荧光(TADF)的材料。本领域技术人员已知，当荧光发射体的最低激发单重态能级E(S1)与最低激发三重态能级E(T1)之间的能量差ΔEST减小时，可以通过RISC的方式以高效率从最低激发三重态产生最低激发单重态的群。因此，TADF材料典型地将具有小的ΔEST值(参见下文)，这形成本领域技术人员的公知常识的一部分。
(热激活)延迟荧光的发生可以例如基于从时间分辨(即，瞬态)光致发光(PL)测量获得的衰减曲线来分析。来自TADF材料的PL发射分成来自通过初始激发产生的激发单重态(典型地S1)的发射分量和来自通过RISC的方式经由激发三重态(典型地T1)产生的激发单重态(典型地S1)的发射分量。在来自由初始激发形成的激发单重态(典型地S1)的发射与来自经由RISC从激发三重态(典型地T1)到达的激发单重态(典型地S1)的发射之间典型地存在显著的时间差。
TADF材料优选地满足关于全衰减动力学的以下两个条件：
(i)衰减动力学表现出两个时间区，一个典型地在纳秒(ns)范围内，另一个典型地在微秒(μs)范围内；以及
(ii)两个时间区中的发射光谱的形状一致；
其中，在第一衰减区中发射的部分光被视为即时荧光，并且在第二衰减区中发射的部分光被视为延迟荧光。可以使用相应的发射体(即，假定的TADF材料)在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中采用1重量％至10重量％(具体地，10重量％)的相应的发射体的旋涂膜来执行PL测量。
为了评价是否满足优选标准(i)(即，衰减动力学表现出两个时间区，一个典型地在纳秒(ns)范围内，另一个典型地在微秒(μs)范围内)，典型地可以使用TCSPC(时间相关单光子计数)(参见下文)，并且典型地可以如下所述分析全衰减动力学。可选择地，可以执行具有光谱分辨率的瞬态光致发光测量(参见下文)。
为了评价是否满足优选标准(ii)(即，两个时间区中的发射光谱的形状一致)，典型地可以执行具有光谱分辨率的瞬态光致发光测量(参见下文)。
对于这些测量的实验细节在本文后面的子章节中提供。
延迟荧光和即时荧光的比(n值)可以通过如本文后面的子章节中所示的相应的光致发光衰减在时间上的积分来计算。
在本发明的上下文中，TADF材料优选地表现出大于0.05(n>0.05)(更优选地大于0.15(n>0.15)、更优选地大于0.25(n>0.25)、更优选地大于0.35(n>0.35)、更优选地大于0.45(n>0.45)、更优选地大于0.55(n>0.55)、更优选地大于0.65(n>0.65)、更优选地大于0.75(n>0.75)、更优选地大于0.85(n>0.85)或者甚至大于0.95(n>0.95))的n值(延迟荧光与即时荧光的比)。
根据发明，热激活延迟荧光(TADF)材料EB的特征在于表现出小于0.4eV、优选地小于0.3eV、更优选地小于0.2eV、甚至更优选地小于0.1eV或甚至小于0.05eV的ΔEST值，ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)与最低激发三重态能级E(T1E)之间的能量差。因此，根据发明的TADF材料EB的ΔEST可以足够小，以允许在室温(RT，即，(近似)20℃)下最低激发单重态S1E从最低激发三重态T1E热再填充(thermal repopulation)(也称为向上系间窜越或反向系间窜越，RISC)。
优选地，在本发明的上下文中，TADF材料EB显示出即时荧光和延迟荧光(当经由热激活RISC从T1E状态达到发射S1E状态时)两者。
理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的小FWHM发射体SB还可以可选地具有小于0.4eV的ΔEST值，并且表现出热激活延迟荧光(TADF)。然而，对于发明的上下文中的任何小FWHM发射体SB，这仅是可选特征。
在发明的优选实施例中，在至少一个TADF材料EB的发射光谱与至少一个小FWHM发射体SB的吸收光谱之间(当在相当的条件下测量两个光谱时)存在光谱重叠。在这种情况下，TADF材料EB可以将能量转移到至少一个小FWHM发射体SB。
根据发明，TADF材料EB在380nm至470nm(优选地，400nm至470nm)的深蓝色波长范围内具有发射最大值，该发射最大值是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的优选实施例中，在本发明的上下文中，TADF材料EB的发射最大值(峰值发射)在比小FWHM发射体SB的发射最大值(峰值发射)短的波长处。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB是有机TADF材料，在发明的上下文中，这意指它不包含任何过渡金属。优选地，根据发明的每个TADF材料EB主要由元素氢(H)、碳(C)和氮(N)组成，但是例如还可以包括氧(O)、硼(B)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有等于或小于800g/mol的分子量。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB表现出等于或高于30％的光致发光量子产率(PLQY)，该光致发光量子产率(PLQY)是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的优选实施例中，TADF发射体EB表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，该光致发光量子产率(PLQY)是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，TADF发射体EB表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，该光致发光量子产率(PLQY)是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用10重量％的TADF材料EB的旋涂膜测量的。
在发明的一个实施例中，TADF材料EB：
(i)特征在于表现出小于0.4eV的ΔEST值，所述ΔEST值对应于最低激发单重态能级E(S1E)与最低激发三重态能级E(T1E)之间的能量差；并且
(ii)显示出大于30％的光致发光量子产率(PLQY)。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB的最低未占分子轨道LUMO(EB)的能量ELUMO(EB)小于-2.6eV。
将注意的是，尽管典型地能够发射荧光和(热激活)延迟荧光，但是包括在发明的有机电致发光器件中的TADF材料EB优选地主要用作“能量泵”而不是发射体材料。也就是说，包括在发光层B中的磷光材料PB优选地主要将激发能量转移到一个或更多个小FWHM发射体SB，小FWHM发射体SB依次用作(多个)主发射体材料。发光层B中的磷光材料PB的主要功能优选地不是发射光。但是，它可以在某种程度上发射光。
本领域技术人员知道如何设计根据发明的TADF材料(分子)EB和这种分子通常显示的结构特征。简言之，为了促进反向系间窜越(RISC)，通常减小ΔEST，在本发明的上下文中，如上所述，ΔEST小于0.4eV。这通常通过设计TADF材料EB来实现，使得HOMO和LUMO分别在(电子)供体和(电子)受体基团上大空间地分离。这些基团通常是大体积的或经由螺接连接，使得它们扭曲并且HOMO和LUMO的空间重叠减少。然而，使HOMO和LUMO的空间重叠最小化也导致TADF材料的光致发光量子产率(PLQY)降低，这是不利的。因此，在实践中，这两个效应都被考虑以实现ΔEST的减小以及高PLQY。
用于设计TADF材料的一种常见方法是将其上分布有HOMO的一个或更多个(电子)供体部分以及其上分布有LUMO的一个或更多个(电子)受体部分共价附着到同一桥，在此称为连接基团。TADF材料EB可以例如还包括结合到同一受体部分的两个或三个连接基团，并且附加的供体和受体部分可以结合到这两个或三个连接基团中的每个。
一个或更多个供体部分以及一个或更多个受体部分也可以(在不存在连接基团的情况下)彼此直接结合。
典型的供体部分是二苯基胺、咔唑、吖啶、吩噁嗪和相关结构的衍生物。
苯衍生物、联苯衍生物以及在某种程度上还有三联苯衍生物是常见的连接基团。
腈基是TADF材料中非常常见的受体部分，其已知示例包括：
(i)咔唑基二氰基苯化合物
诸如2CzPN(4,5-二(9H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈)、DCzIPN(4,6-二(9H-咔唑-9-基)间苯二甲腈)、4CzPN(3,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)邻苯二甲腈)、4CzIPN(2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)间苯二甲腈)、4CzTPN(2,4,5,6-四(9H-咔唑-9-基)对苯二甲腈)和它们的衍生物；
(ii)咔唑基氰基吡啶化合物
诸如4CzCNPy(2,3,5,6-四(9H-咔唑-9-基)-4-氰基吡啶)及其衍生物；
(iii)咔唑基氰基联苯化合物
诸如CNBPCz(4,4',5,5'-四(9H-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-2,2'-二甲腈)、CzBPCN(4,4',6,6'-四(9H-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-3,3'-二甲腈)、DDCzIPN(3,3',5,5'-四(9H-咔唑-9-基)-[1,1'-联苯]-2,2',6,6'-四甲腈)及其衍生物；
其中，在这些材料中，腈基中的一个或更多个可以被作为受体部分的氟(F)或三氟甲基(CF3)代替。
诸如三嗪衍生物、嘧啶衍生物、三唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、庚嗪衍生物、1,4-二氮杂苯并[9,10]菲衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并噁唑衍生物、喹喔啉衍生物和二氮杂芴衍生物的氮杂环也是用于构建TADF材料的公知的受体部分。包括例如三嗪受体的TADF材料的已知示例包括PIC-TRZ(7,7'-(6-([1,1'-联苯]-4-基)-1,3,5-三嗪-2,4-二基)双(5-苯基-5,7-二氢吲哚并[2,3-b]咔唑))、mBFCzTrz(5-(3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)-5H-苯并呋喃并[3,2-c]咔唑)和DCzTrz(9,9′-(5-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑))。
另一组TADF材料包括诸如二苯甲酮的二芳基酮或者诸如4-苯甲酰基吡啶、9,10-蒽醌、9H-呫吨-9-酮及其衍生物的(杂芳基)芳基酮作为受体部分，(通常为咔唑基取代基的)供体部分结合到受体部分。这种TADF材料的示例分别包括BPBCz(双(4-(9'-苯基-9H,9'H-[3,3'-二咔唑]-9-基)苯基)甲酮)、mDCBP((3,5-二(9H-咔唑-9-基)苯基)(吡啶-4-基)甲酮)、AQ-DTBu-Cz(2,6-双(4-(3,6-二叔丁基-9H-咔唑-9-基)苯基)蒽-9,10-二酮)和MCz-XT(3-(1,3,6,8-四甲基-9H-咔唑-9-基)-9H-呫吨-9-酮)。
亚砜(具体地，二苯基亚砜)通常也用作用于构建TADF材料的受体部分，并且已知的示例包括4-PC-DPS(9-苯基-3-(4-(苯基磺酰基)苯基)-9H-咔唑)、DitBu-DPS(9,9'-(磺酰基双(4,1-亚苯基))双(9H-咔唑))和TXO-PhCz(2-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-噻吨-9-酮10,10-二氧化物)。
示例性地，上述TADF材料中的全部组可以提供用于根据本发明的合适的TADF材料EB，假设特定材料满足上述基本要求，即，ΔEST值小于0.4eV。
本领域技术人员知道的是，不仅上述结构，而且更多的材料可以是本发明的上下文中的合适的TADF材料EB。本领域技术人员熟悉这种分子的设计原理，并且还知道如何设计具有一定发射颜色(例如，蓝色、绿色或红色发射)的这种分子。
见例如：H.Tanaka,K.Shizu,H.Nakanotani,C.Adachi,Chemistry of Materials2013,25(18),3766,DOI:10.1021/cm402428a；J.Li,T.Nakagawa,J.MacDonald,Q.Zhang,H.Nomura,H.Miyazaki,C.Adachi,Advanced Materials2013,25(24),3319,DOI:10.1002/adma.201300575；K.Nasu,T.Nakagawa,H.Nomura,C.-J.Lin,C.-H.Cheng,M.-R.Tseng,T.Yasudaad,C.Adachi,Chemical Communications 2013,49(88),10385,DOI:10.1039/c3cc44179b；Q.Zhang,B.Li1,S.Huang,H.Nomura,H.Tanaka,C.Adachi,Nature Photonics2014,8(4),326,DOI:10.1038/nphoton.2014.12；B.Wex,B.R.Kaafarani,Journal ofMaterials Chemistry C 2017,5,8622,DOI:10.1039/c7tc02156a；Y.Im,M.Kim,Y.J.Cho,J.-A.Seo,K.S.Yook,J.Y.Lee,Chemistry of Materials 2017,29(5),1946,DOI:10.1021/acs.chemmater.6b05324；T.-T.Bui,F.Goubard,M.Ibrahim-Ouali,D.Gigmes,F.Dumur,Beilstein Journal of Organic Chemistry 2018,14,282,DOI:10.3762/bjoc.14.18；X.Liang,Z.-L.Tu,Y.-X.Zheng,Chemistry–A European Journal 2019,25(22),5623,DOI:10.1002/chem.201805952。
此外，例如，US2015105564(A1)、US2015048338(A1)、US2015141642(A1)、US2014336379(A1)、US2014138670(A1)、US2012241732(A1)、EP3315581(A1)、EP3483156(A1)和US2018053901(A1)公开了可以用于根据本发明的有机电致发光器件中的TADF材料EB。理解的是，这不暗指本发明限于包括引用的参考文献中公开的TADF材料的有机电致发光器件。还理解的是，用在现有技术中的任何TADF材料也可以是本发明的上下文中的合适的TADF材料EB。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括彼此独立地选自于由CN、CF3和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组中的一个或更多个化学部分。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括彼此独立地选自于由CN和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组中的一个或更多个化学部分。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括一个或更多个可选地取代的1,3,5-三嗪基。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括彼此独立地选自于氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物(这些全部可以可选地被取代)中的一个或更多个化学部分，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF材料的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的优选实施例中，至少一个(优选地每个)TADF材料EB包括：
一个或更多个第一化学部分，彼此独立地选自于氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物(这些全部可以可选地被取代)，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF材料的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；以及
一个或更多个第二化学部分，彼此独立地选自于由CN、CF3和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组。
在发明的甚至更优选的实施例中，至少一个(优选地每个)TADF材料EB包括：
一个或更多个第一化学部分，彼此独立地选自于氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物(这些全部可以可选地被取代)，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF材料的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；以及
一个或更多个第二化学部分，彼此独立地选自于由CN和可选地取代的1,3,5-三嗪基组成的组。
在发明的甚至还更优选的实施例中，至少一个(优选地每个)TADF材料EB包括：
一个或更多个第一化学部分，彼此独立地选自于氨基、吲哚基、咔唑基及其衍生物(这些全部可以可选地被取代)，其中，这些基团可以经由氮(N)或经由碳(C)原子结合到相应的TADF材料的核结构，并且其中，结合到这些基团的取代基可以形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；以及
一个或更多个可选地取代的1,3,5-三嗪基。
本领域技术人员知道的是，表述“其衍生物”意指相应的母体结构可以可选地被取代，或者相应的母体结构内的任何原子可以被例如另一元素的原子代替。
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB包括：
一个或更多个第一化学部分，均包括根据式D-I的结构或由根据式D-I的结构组成：
Figure BDA0004134659910000791
和
可选地，一个或更多个第二化学部分，均彼此独立地选自于CN、CF3以及根据式A-I、式A-II、式A-III和式A-IV中的任一个的结构：
Figure BDA0004134659910000792
以及
一个第三化学部分，包括根据式L-I、式L-II、式L-III、式L-IV、式L-V、式L-VI、式L-VII和式L-VIII中的任一个的结构，或者由根据式L-I、式L-II、式L-III、式L-IV、式L-V、式L-VI、式L-VII和式L-VIII中的任一个的结构组成：
Figure BDA0004134659910000801
其中，
一个或更多个第一化学部分以及可选地一个或更多个第二化学部分经由单键共价结合到第三化学部分；
其中，在式D-I中：
#表示将根据式D-I的相应的第一化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位；
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝CR1R2、C＝O、C＝NR1、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；B(OR3)2；OSO2R3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R4)2；OR4；Si(R4)3；B(OR4)2；OSO2R4；CF3；CN；F；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；
其中，可选地，任一取代基Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
R4在每次出现时选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Ph或C1-C5烷基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
其中，在式A-I、式A-II、式A-III和式A-IV中：
虚线表示将根据式A-I、式A-II、式A-III或式A-IV的相应的第二化学部分连接到第三化学部分的单键；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；B(OR9)2；OSO2R9；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R10)2；OR10；Si(R10)3；B(OR10)2；OSO2R10；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；
R10在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Ph或C1-C5烷基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000841
Figure BDA0004134659910000851
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是式EWG-I中的至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
其中，在式L-I、式L-II、式L-III、式L-IV、式L-V、式L-VI、式L-VII和式L-VIII中：
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；F；Cl；Br；I；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；以及C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、C6-C18芳基、F、Cl、Br和I取代；
R12如R6所定义的。
在发明的优选实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝CR1R2、C＝O、C＝NR1、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R3C＝CR3、C≡C、Si(R3)2、Ge(R3)2、Sn(R3)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、P(＝O)(R3)、SO、SO2、NR3、O、S或CONR3取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R4)2；OR4；Si(R4)3；CF3；CN；F；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R4C＝CR4、C≡C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、P(＝O)(R4)、SO、SO2、NR4、O、S或CONR4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1、R2、R3和R4中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
R4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基或Ph取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R9C＝CR9、C≡C、Si(R9)2、Ge(R9)2、Sn(R9)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR9、P(＝O)(R9)、SO、SO2、NR9、O、S或CONR9取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R10)2；OR10；Si(R10)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R10，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R10C＝CR10、C≡C、Si(R10)2、Ge(R10)2、Sn(R10)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR10、P(＝O)(R10)、SO、SO2、NR10、O、S或CONR10取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；以及C3-C60杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；
R10在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基、Ph或CN取代；C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基或Ph取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000871
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构并且可选地取代有一个或更多个取代基R10的芳香环；其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；以及C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、C1-C5烷基和C6-C18芳基取代；
R12如R6所定义的；
其中，附着到第三化学部分的第一化学部分和第二化学部分的最大数量仅受第三化学部分上的可用结合位的数量(换言之：取代基R11的数量)限制(在上述条件下，每个TADF材料EB包括至少一个第一化学部分、至少一个第二化学部分和恰好一个第三化学部分)。
在发明的甚至更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝CR1R2、C＝O、C＝NR1、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R4)2；Si(R4)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R4；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1、R2和R3中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1、R2和R3中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族的碳环或杂环环体系；其中，可选地如此形成的环体系可以可选地取代有一个或更多个取代基R5；
R4和R5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R10)2；OR10；Si(R10)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R10；
R10在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CF3；CN；F；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph、CN、CF3或F取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000891
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地被氘取代；以及C6-C18芳基，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb、Rd、R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CF3；CN；F；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph、CN、CF3或F取代。
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000901
Figure BDA0004134659910000911
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；三嗪基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；嘧啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及吡啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个相邻的取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R9)2；OR9；Si(R9)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R9；
R9在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；CF3；CN；F；N(Ph)2；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph、CN、CF3或F取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000921
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R3)2；OR3；Si(R3)3；CF3；CN；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OR3；Si(R3)3；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；以及C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R3；并且
R3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；N(Ph)2；Si(Me)3；Si(Ph)3；CF3；CN；F；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000941
其中，RX如R6所定义的，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Si(Me)3；Si(Ph)3；CF3；CN；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Si(Me)3；Si(Ph)3；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000951
其中，RX如R6所定义的，但是也可以是CN或CF3，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的特别优选实施例中，
Z2在每次出现时彼此独立地选自于由直连键、CR1R2、C＝O、NR1、O、SiR1R2、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Ra、Rb和Rd在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R1和R2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
其中，可选地，取代基Ra、Rb、Rd、R1和R2中的任一个彼此独立地与选自于Ra、Rb、Rd、R1和R2中的一个或更多个取代基形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，由根据式D-I的结构和由相邻的取代基形成的附着环构建的可选地如此形成的稠合环体系总共包括13个至40个环原子，优选地，13个至30个环原子，更优选地，16个至30个环原子；
a是整数并且是0或1；
b是整数并且在每次出现时是0或1，其中，两个b总是相同的；
其中，当整数a是1时，两个整数b是0，并且当两个整数b是1时，整数a是0；
Q1在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)、CR6和CR7，且前提条件是在式A-I中，两个相邻的基团Q1不能都是氮(N)；其中，如果式A-I中的基团Q1都不是氮(N)，则基团Q1中的至少一个是CR7；
Q2在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR6，且前提条件是在式A-II和式A-III中，至少一个基团Q2是氮(N)并且两个相邻的基团Q2不能都是氮(N)；
R6和R8在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；以及咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu和Ph取代；
R7在每次出现时彼此独立地选自于由CN、CF3和根据式EWG-I的结构组成的组：
Figure BDA0004134659910000971
其中，RX如R6所定义的，但是也可以是CN或CF3，且前提条件是至少一个基团RX是CN或CF3；
其中，式A-IV中的两个相邻的基团R8可选地形成稠合到式A-IV的结构的芳香环，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括9个至18个环原子；
Q3在每次出现时彼此独立地选自于氮(N)和CR12，且前提条件是至少一个Q3是氮(N)；
R11在每次出现时彼此独立地是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位，或者彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，可选地取代有彼此独立地选自于由以下组成的组中的一个或更多个取代基：氘；Me；iPr；tBu；以及Ph；
R12如R6所定义的。
在发明的优选实施例中，a总是1并且b总是0。
在发明的优选实施例中，Z2在每次出现时是直连键。
在发明的优选实施例中，Ra在每次出现时是氢。
在发明的优选实施例中，Ra和Rd在每次出现时是氢。
在发明的优选实施例中，Q3在每次出现时是氮(N)。
在发明的一个实施例中，式EWG-I中的至少一个基团RX是CN。
在发明的优选实施例中，式EWG-I中的恰好一个基团RX是CN。
在发明的优选实施例中，式EWG-I中的恰好一个基团RX是CN，并且式EWG-I中没有基团RX是CF3。
在下面示出了根据本发明的第一化学部分的示例，这当然不暗指本发明限于这些示例：
Figure BDA0004134659910000981
Figure BDA0004134659910000991
Figure BDA0004134659910001001
其中，适用上述定义。
在下面示出了根据本发明的第二化学部分的示例，这当然不暗指本发明限于这些示例：
Figure BDA0004134659910001002
Figure BDA0004134659910001011
其中，适用上述定义。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有由式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-IV、式EB-V、式EB-VI、式EB-VII、式EB-VIII、式EB-IX、式EB-X和式EB-XI中的任一个表示的结构：
Figure BDA0004134659910001012
Figure BDA0004134659910001021
Figure BDA0004134659910001031
Figure BDA0004134659910001041
其中，
R13如R11所定义的，且前提条件是R13不能是将第一化学部分或第二化学部分连接到第三化学部分的单键的结合位；
RY选自于CN和CF3，或者RY包括根据式BN-I的结构或由根据式BN-I的结构组成：
Figure BDA0004134659910001042
所述式BN-I经由通过虚线表示的单键结合到式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-IV、式EB-V、式EB-VI、式EB-VII、式EB-VIII或式EB-IX的结构，并且其中，恰好一个RBN基团是CN，而其它两个RBN基团都是氢(H)；
并且其中，除此之外，适用上述定义。
在发明的优选实施例中，R13在每次出现时是氢。
在发明的一个实施例中，RY在每次出现时是CN。
在发明的一个实施例中，RY在每次出现时是CF3。
在发明的一个实施例中，RY在每次出现时是由式BN-I表示的结构。
在发明的优选实施例中，RY在每次出现时彼此独立地选自于CN和由式BN-I表示的结构。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有由式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-IV、式EB-V、式EB-VI、式EB-VII和式EB-X中的任一个表示的结构，其中，适用上述定义。
在发明的优选实施例中，每个TADF材料EB具有由式EB-I、式EB-II、式EB-III、式EB-V和式EB-X中的任一个表示的结构，其中，适用上述定义。
以下列出了用于根据发明的有机电致发光器件中的TADF材料EB的示例，然而，这不暗指仅所示的示例是本发明的上下文中的合适的TADF材料EB。
在下面示出了根据式EB-I的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001051
Figure BDA0004134659910001061
Figure BDA0004134659910001071
Figure BDA0004134659910001081
Figure BDA0004134659910001091
在下面示出了根据式EB-II的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001092
Figure BDA0004134659910001101
Figure BDA0004134659910001111
Figure BDA0004134659910001121
在下面示出了根据式EB-III的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001122
Figure BDA0004134659910001131
Figure BDA0004134659910001141
在下面示出了根据式EB-IV的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001151
在下面示出了根据式EB-V的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001161
在下面示出了根据式EB-VI的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001171
在下面示出了根据式EB-VII的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001181
在下面示出了根据式EB-VIII的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001191
在下面示出了根据式EB-IX的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001192
Figure BDA0004134659910001201
在下面示出了根据式EB-X的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001202
Figure BDA0004134659910001211
在下面示出了根据式EB-XI的TADF材料EB的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001212
TADF材料EB的合成可以经由本领域技术人员已知的标准反应和反应条件来完成。典型地，在第一步骤中，可以进行在下面示例性地示出的用于合成根据式EB-III、式EB-IV和式EB-V中的任一个的TADF材料EB的偶联反应(优选地，钯催化的偶联反应)：
Figure BDA0004134659910001213
E1可以是任何硼酸(RB＝H)或等同的硼酸酯(RB＝烷基或芳基)，具体地，两个RB可以形成环以得到例如硼酸频哪醇酯。使用E2作为第二反应物，其中，Hal指卤素且可以是I、Br或Cl，但是优选地是Br。这种钯催化的偶联反应的反应条件是本领域技术人员(例如，通过WO2017/005699)已知的，并且已知E1和E2的反应基团可以如下所示互换以优化反应产率：
Figure BDA0004134659910001221
在第二步骤中，TADF材料在亲核芳香族取代中经由氮杂环与芳基卤化物(优选地，芳基氟化物E3)的反应来获得。典型的条件包括在例如非质子极性溶剂(诸如二甲基亚砜(DMSO)或N,N-二甲基甲酰胺(DMF))中使用例如碱(诸如磷酸三钾或氢化钠)。
Figure BDA0004134659910001222
具体地，供体分子E4是3,6-取代的咔唑(例如，3,6-二甲基咔唑、3,6-二苯基咔唑、3,6-二叔丁基咔唑)、2,7-取代的咔唑(例如，2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二叔丁基咔唑)、1,8-取代的咔唑(例如，1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二叔丁基咔唑)、1-取代的咔唑(例如，1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-叔丁基咔唑)、2-取代的咔唑(例如，2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-叔丁基咔唑)或3-取代的咔唑(例如，3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-叔丁基咔唑)。
可选择地，卤素取代的咔唑(具体地，3-溴咔唑)可以用作E4。
在随后的反应中，可以在经由E4引入的一个或更多个卤素取代基的位置处(例如，经由与双(频哪醇合)二硼(CAS No.73183-34-3)的反应)示例性地引入硼酸酯官能团或硼酸官能团，以产生例如对应的咔唑基硼酸或咔唑基硼酸酯(诸如咔唑-3-基-硼酸酯或咔唑-3-基-硼酸)。随后，可以经由与对应的卤化反应物(例如，Ra-Hal，优选地Ra-Cl和Ra-Br)的偶联反应引入一个或更多个取代基Ra、Rb或Rd代替硼酸酯基团或硼酸基团。
可选择地，可以在经由D-H引入的一个或更多个卤素取代基的位置处经由与取代基Ra[Ra-B(OH)2]、Rb[Rb-B(OH)2]或Rd[Rd-B(OH)2]的硼酸或者对应的硼酸酯反应引入一个或更多个取代基Ra、Rb或Rd。
可以类似地获得其它TADF材料EB。TADF材料EB也可以通过适用于该目的的任何替代合成途径来获得。
替代的合成途径可以包括经由铜或钯催化的偶联将氮杂环引入到芳基卤化物或芳基拟卤化物，优选地，芳基溴化物、芳基碘化物、三氟甲磺酸芳基酯或甲苯磺酸芳基酯。
(多个)磷光材料PB
在本发明的上下文中，磷光材料PB利用由金属原子引起的分子内自旋-轨道相互作用(重原子效应)来获得来自三重态(即，激发三重态，典型地最低激发三重态T1)的光发射。也就是说，磷光材料PB能够在室温(即，(近似20℃)下发射磷光，其通常是通过相应的PB在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中采用浓度为10重量％的PB的旋涂膜测量的。
将注意的是，尽管根据定义能够发射磷光，但是可选地包括在发明的有机电致发光器件中作为可选的激发能量转移组分EET-2的磷光材料PB优选地主要用作“能量泵”而不是发射体材料。也就是说，包括在发光层B中的磷光材料PB优选地主要将激发能量转移到一个或更多个小FWHM发射体SB，该小FWHM发射体SB依次用作(多个)主发射体材料。发光层B中的磷光材料PB的主要功能优选地不是发射光。然而，其可以在某种程度上发射光。
通常，理解的是，在现有技术中用在有机电致发光器件中的全部磷光配合物也可以用在根据本发明的有机电致发光器件中。
本领域技术人员公知的是，用在有机电致发光器件中的磷光材料PB通常是Ir、Pd、Pt、Au、Os、Eu、Ru、Re、Ag和Cu的配合物，在本发明的上下文中，优选地是Ir、Pt和Pd的配合物，更优选地是Ir和Pt的配合物。本领域技术人员知道哪些材料适合作为有机电致发光器件中的磷光材料并且知道如何合成它们。此外，本领域技术人员熟悉用在有机电致发光器件中的磷光配合物的设计原理，并且知道如何借助于结构变化来调节配合物的发射。
见例如：C.-L.Ho,H.Li,W.-Y.Wong,Journal of OrganometallicChemistry2014,751,261,DOI:10.1016/j.jorganchem.2013.09.035；T.Fleetham,G.Li,J.Li,Advanced Science News 2017,29,1601861,DOI:10.1002/adma.201601861；A.R.B.M.Yusoff,A.J.Huckaba,M.K.Nazeeruddin,Topics in Current Chemistry(Z)2017,375:39,1,DOI:10.1007/s41061-017-0126-7；T.-Y.Li,J.Wuc,Z.-G.Wua,Y.-X.Zheng,J.-L.Zuo,Y.Pan,Coordination Chemistry Reviews 2018,374,55,DOI:10.1016/j.ccr.2018.06.014。
例如，US2020274081(A1)、US20010019782(A1)、US20020034656(A1)、US20030138657(A1)、US2005123791(A1)、US20060065890(A1)、US20060134462(A1)、US20070034863(A1)、US20070111026(A1)、US2007034863(A1)、US2007138437(A1)、US20080020237(A1)、US20080297033(A1)、US2008210930(A1)、US20090115322(A1)、US2009104472(A1)、US20100244004(A1)、US2010105902(A1)、US20110057559(A1)、US2011215710(A1)、US2012292601(A1)、US2013165653(A1)、US20140246656(A1)、US20030068526(A1)、US20050123788(A1)、US2005260449(A1)、US20060127696(A1)、US20060202194(A1)、US20070087321(A1)、US20070190359(A1)、US2007104979(A1)、US2007224450(A1)、US20080233410(A1)、US200805851(A1)、US20090039776(A1)、US20090179555(A1)、US20100090591(A1)、US20100295032(A1)、US20030072964(A1)、US20050244673(A1)、US20060008670(A1)、US20060134459(A1)、US20060251923(A1)、US20070103060(A1)、US20070231600(A1)、US2007104980(A1)、US2007278936(A1)、US20080261076(A1)、US2008161567(A1)、US20090108737(A1)、US2009085476(A1)、US20100148663(A1)、US2010102716(A1)、US2010270916(A1)、US20110204333(A1)、US2011285275(A1)、US2013033172(A1)、US2013334521(A1)、US2014103305(A1)、US2003068536(A1)、US2003085646(A1)、US2006228581(A1)、US2006197077(A1)、US2011114922(A1)、US2003054198(A1)和EP2730583(A1)公开了可以用作本发明的上下文中的磷光材料PB的磷光材料。理解的是，这不暗指本发明限于包括在所述参考文献中的一个中描述的磷光材料的有机电致发光器件。
如US2020274081(A1)中所述的，用在诸如本发明的有机电致发光器件的有机电致发光器件中的磷光配合物的示例包括在下面所示的配合物。此外，理解的是，本发明不限于这些示例。
Figure BDA0004134659910001251
Figure BDA0004134659910001261
Figure BDA0004134659910001271
Figure BDA0004134659910001281
Figure BDA0004134659910001291
Figure BDA0004134659910001301
Figure BDA0004134659910001311
Figure BDA0004134659910001321
Figure BDA0004134659910001331
Figure BDA0004134659910001341
如上所述，本领域技术人员将认识到的是，用在现有技术中的任何磷光配合物可以适合作为本发明的上下文中的磷光材料PB。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的每个磷光材料PB包括铱(Ir)。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的至少一个磷光材料PB(优选地，每个磷光材料PB)是包括铱(Ir)或铂(Pt)的有机金属配合物。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的至少一个磷光材料PB(优选地，每个磷光材料PB)是包括铱(Ir)的有机金属配合物。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的至少一个磷光材料PB(优选地，每个磷光材料PB)是包括铂(Pt)的有机金属配合物。
磷光材料PB的非限制性示例还包括由下面的式PB-I表示的化合物，
Figure BDA0004134659910001351
在式PB-I中，M选自于由Ir、Pt、Pd、Au、Eu、Ru、Re、Ag和Cu组成的组；
n是1至3的整数；并且
X2和Y1在每次出现时彼此独立地一起形成双齿单阴离子配体。
在发明的一个实施例中，包括在发光层B中的每个磷光材料PB包括根据式PB-I的结构或由根据式PB-I的结构组成，
Figure BDA0004134659910001352
其中，M选自于由Ir、Pt、Pd、Au、Eu、Ru、Re、Ag和Cu组成的组；
n是1至3的整数；并且
X2和Y1在每次出现时彼此独立地一起形成双齿单阴离子配体。
由式PB-I表示的化合物的示例包括由下面的式PB-II或式PB-III表示的化合物：
Figure BDA0004134659910001361
在式PB-II和式PB-III中，X'是碳(C)结合到M的芳香环，并且Y'是氮(N)配位到M以形成环的环。
X'和Y'结合，并且X'和Y'可以形成新的环。在式PB-III中，Z3是具有两个氧(O)的二齿配体。在式PB-II和式PB-III中，从高效率和长寿命的观点来看，M优选是Ir。
在式PB-II和式PB-III中，芳香环X′例如是C6-C30芳基，优选地C6-C16芳基，甚至更优选地C6-C12芳基，特别优选地C6-C10芳基，其中，X′在每次出现时可选地取代有一个或更多个取代基RE。
在式PB-II和式PB-III中，Y'例如是C2-C30杂芳基，优选地C2-C25杂芳基，更优选地C2-C20杂芳基，甚至更优选地C2-C15杂芳基，特别优选地C2-C10杂芳基，其中，Y′在每次出现时可选地取代有一个或更多个取代基RE。此外，Y′可以是例如可选地取代有一个或更多个取代基RE的C1-C5杂芳基。
在式PB-II和式PB-III中，具有两个氧(O)的二齿配体Z3例如是具有两个氧的C2-C30二齿配体、具有两个氧的C2-C25二齿配体、更优选地具有两个氧的C2-C20二齿配体、甚至更优选地具有两个氧的C2-C15二齿配体、特别优选地具有两个氧的C2-C10二齿配体，其中，Z3在每次出现时可选地取代有一个或更多个取代基RE。此外，Z3可以例如是可选地取代有一个或更多个取代基RE的具有两个氧的C2-C5二齿配体。
RE在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R5E)2；OR5E；SR5E；Si(R5E)3；CF3；CN；卤素；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5EC＝CR5E、C≡C、Si(R5E)2、Ge(R5E)2、Sn(R5E)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5E、P(＝O)(R5E)、SO、SO2、NR5E、O、S或CONR5E取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R5EC＝CR5E、C≡C、Si(R5E)2、Ge(R5E)2、Sn(R5E)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR5E、P(＝O)(R5E)、SO、SO2、NR5E、O、S或CONR5E取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R5E。
R5E在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(R6E)2；OR6E；SR6E；Si(R6E)3；CF3；CN；F；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基R6E，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被R6EC＝CR6E、C≡C、Si(R6E)2、Ge(R6E)2、Sn(R6E)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR6E、P(＝O)(R6E)、SO、SO2、NR6E、O、S或CONR6E取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R6E；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基R6E。
R6E在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)。
取代基RE、R5E或R6E彼此独立地可选地可以与一个或更多个取代基RE、R5E、R6E和/或与X'、Y'和Z3形成单环或多环的脂肪族、芳香族、杂芳香族的环体系。
由式PB-II表示的化合物的非限制性示例包括Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mppy)3、Ir(PPy)2(m-bppy)、BtpIr(acac)、Ir(btp)2(acac)、Ir(2-phq)3、Hex-Ir(phq)3、Ir(fbi)2(acac)、面式-三(2-(3-对二甲苯基)苯基)吡啶铱(III)、Eu(dbm)3(Phen)、Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Ir(Fiq)2(acac)、Ir(Flq)2(acac)、Ru(dtb-bpy)3·2(PF6)、Ir(2-phq)3、Ir(BT)2(acac)、Ir(DMP)3、Ir(Mpq)3、Ir(phq)2tpy、面式-Ir(ppy)2Pc、Ir(dp)PQ2、Ir(Dpm)(Piq)2、Hex-Ir(piq)2(acac)、Hex-Ir(piq)3、Ir(dmpq)3、Ir(dmpq)2(acac)、FPQIrpic等。
由式PB-II表示的化合物的其它非限制性示例包括由下面的式PB-II-1至式PB-II-11表示的化合物。在结构式中，“Me”表示甲基。
Figure BDA0004134659910001381
由式PB-III表示的化合物的其它非限制性示例包括由下面的式PB-III-1至式PB-III-6表示的化合物。在结构式中，“Me”表示甲基。
Figure BDA0004134659910001391
此外，可以使用US2003017361(A1)、US2004262576(A1)、WO2010027583(A1)、US2019245153(A1)、US2013119354(A1)和US2019233451(A1)中所描述的铱配合物。从磷光材料的高效率的观点出发，Ir(ppy)3和Hex-Ir(ppy)3通常被用于绿光发射。
激基复合物
已经说明了TADF材料能够通过反向系间窜越(RISC)的方式将激发三重态(优选地T1)转换为激发单重态(优选地S1)。已经还说明了这典型地需要小的ΔEST值，根据定义，对于TADF材料EB，该ΔEST值小于0.4eV。
如还说明的，这通常通过设计TADF材料EB来实现，使得HOMO和LUMO分别在(电子)供体和(电子)受体基团上在空间上大大地分离。然而，获得具有小ΔEST值的物质的另一策略是激基复合物的形成。如本领域技术人员已知的，激基复合物是在供体分子与受体分子之间形成的激发态电荷转移复合物(即，激发态供体-受体复合物)。本领域技术人员还理解的是，激基复合物中的HOMO(在供体分子上)与LUMO(在受体分子上)之间的空间分离通常导致它们具有相当小的ΔEST值，并且通常能够通过反向系间窜越(RISC)的方式将激发三重态(优选地T1)转换为激发单重态(优选地S1)。
实际上，如本领域技术人员已知的是，如上所述，TADF材料可以不仅仅是本身能够从激发三重态到激发单重态的RISC并随后发射TADF的材料。本领域技术人员已知的是，TADF材料实际上也可以是由两个材料形成的激基复合物，优选地由两个主体材料HB形成，更优选地由p主体材料HP和n主体材料HN形成(参见下文)，然而理解的是，主体材料HB(典型地HP和HN)本身可以是TADF材料。
本领域技术人员理解的是，包括在同一层中(具体地，在同一EML中)的任何材料以及在相邻层中并在这些相邻层之间的界面处紧密接近的材料可以一起形成激基复合物。本领域技术人员知道如何选择形成激基复合物的材料对(具体地，p主体HP和n主体HN对)以及所述材料对的两个成分的选择标准(包括HOMO和/或LUMO能级要求)。也就是说，在可以期望激基复合物形成的情况下，一个组分(例如，p主体材料HP)的最高占据分子轨道(HOMO)在能量上可以比另一组分(例如，n主体材料HN)的HOMO高至少0.20eV，并且一个组分(例如，p主体材料HP)的最低未占分子轨道(LUMO)在能量上可以比另一组分(例如，n主体材料HN)的LUMO高至少0.20eV。
属于本领域技术人员的公知常识的是，如果激基复合物存在于有机电致发光器件(具体地，OLED)的EML中，则激基复合物可以具有发射体材料的功能并且当向所述器件施加电压和电流时发射光。如从现有技术中还通常已知的，激基复合物也可以是非发射性的，并且如果包括在有机电致发光器件的EML中，则可以例如将激发能量转移到发射体材料。
下面列出了可以一起形成激基复合物的主体材料HB的非限制性示例，其中，供体分子(即，p主体HP)可以选自于下面的结构：
Figure BDA0004134659910001411
并且其中，受体分子(即，n主体HN)可以选自于下面的结构：
Figure BDA0004134659910001421
Figure BDA0004134659910001431
Figure BDA0004134659910001441
理解的是，在本发明的上下文中，激基复合物可以由包括在发光层B中的任何材料形成，例如，由不同激发能量转移组分(EB和/或EET-2)形成以及由激发能量转移组分(EB和/或EET-2)和小FWHM发射体SB形成或者由主体材料HB和激发能量转移组分EB或EET-2或小FWHM发射体SB形成。然而，优选地，它们由如上所述的不同主体材料HB形成。还理解的是，也可以形成激基复合物且激基复合物本身不用作激发能量转移组分。
(多个)小FWHM发射体SB
在本发明的上下文中，小半峰全宽(FWHM)发射体SB是具有发射光谱的任何发射体，所述发射光谱表现出小于或等于0.25eV(≤0.25eV)的FWHM，FWHM是通常通过在室温(即，(近似)20℃)下在聚(甲基丙烯酸甲酯)PMMA中采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体的旋涂膜测量的。可选择地，小FWHM发射体SB的发射光谱可以在室温(即，(近似)20℃)下在溶液(通常在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB)中测量。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB是具有发射光谱的任何发射体，所述发射光谱表现出≤0.24eV(更优选地≤0.23eV，甚至更优选地≤0.22eV、≤0.21eV或≤0.20eV)的FWHM，FWHM是通过在室温(即，(近似)20℃)下在PMMA中采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB的旋涂膜测量的。可选择地，小FWHM发射体SB的发射光谱可以在室温(即，(近似)20℃)下在溶液(通常在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB)中测量。在本发明的其它实施例中，每个小FWHM发射体SB表现出≤0.19eV、≤0.18eV、≤0.17eV、≤0.16eV、≤0.15eV、≤0.14eV、≤0.13eV、≤0.12eV或≤0.11eV的FWHM。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在440nm至480nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的一个实施例中，每个小FWHM发射体SB发射具有在440nm至480nm的波长范围内的发射最大值的光，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
理解的是，包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的TADF材料EB也可以可选地是具有表现出小于或等于0.25eV(≤0.25eV)的FWHM的发射光谱的发射体。可选地，包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的TADF材料EB也可以在上述波长范围(即：440nm至480nm)内表现出发射最大值。
在发明的一个实施例中，适用由下面的式(29)表示的关系：
440 nm ≤ λmax(SB) ≤ 480 nm (29)，
其中，λmax(SB)指在本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的发射最大值。
在一个实施例中，上述由式(29)表示的关系适用于包括在根据发明的有机电致发光器件的发光层B中的材料。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB是有机发射体，在发明的上下文中，这意指它不包含任何过渡金属。优选地，根据发明的小FWHM发射体SB主要由元素氢(H)、碳(C)、氮(N)和硼(B)组成，但是可以例如还包括氧(O)、硅(Si)、氟(F)和溴(Br)。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB是荧光发射体，在本发明的上下文中，这意指在电子激发时(例如，在根据发明的电致光电器件中)，发射体能够在室温下发射光，其中，发射激发态是单重态。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于60％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于80％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的特别优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于90％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温下在PMMA中(采用1重量％至5重量％(具体地，采用2重量％)的发射体SB)测量的。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于50％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的优选实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于60％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的甚至更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于70％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的甚至还更优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于80％的光致发光量子产率(PLQY)，其是在室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
在发明的特别优选的实施例中，小FWHM发射体SB表现出等于或高于90％的光致发光量子产率(PLQY)，其是室温(即，(近似)20℃)下在二氯甲烷或甲苯中采用0.001mg/mL至0.2mg/mL的发射体SB测量的。
本领域技术人员知道如何设计满足上述要求或优选特征的小FWHM发射体SB。
适合于提供发明的上下文中的小FWHM发射体SB的另一类分子是近距离电荷转移(NRCT)发射体。
在文献中描述了典型的NRCT发射体在时间分辨光致发光光谱中显示延迟分量并且表现出近范围HOMO-LUMO分离。见例如：T.Hatakeyama,K.Shiren,K.Nakajima,S.Nomura,S.Nakatsuka,K.Kinoshita,J.Ni,Y.Ono,and T.Ikuta,Advanced Materials 2016,28(14),2777,DOI:10.1002/adma.201505491。
典型的NRCT发射体在发射光谱中仅显示出一个发射带，其中，典型的荧光发射体由于振动进程而显示出几个不同的发射带。
本领域技术人员知道如何设计和合成可以适合作为本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的NRCT发射体。例如，EP3109253(A1)中公开的发射体可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB。
此外，例如，US2014058099(A1)、US2009295275(A1)、US2012319052(A1)、EP2182040(A2)、US2018069182(A1)、US2019393419(A1)、US2020006671(A1)、US2020098991(A1)、US2020176684(A1)、US2020161552(A1)、US2020227639(A1)、US2020185635(A1)、EP3686206(A1)、WO2020217229(A1)、WO2020208051(A1)和US2020328351(A1)公开了可以适合作为用于根据本发明的小FWHM发射体SB的发射体材料。
可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的一组发射体是包括根据下面的式DABNA-I的结构或由根据下面的式DABNA-I的结构组成的含硼(B)发射体：
Figure BDA0004134659910001471
其中，
环A′、环B′和环C′中的每个彼此独立地表示均包括5个至24个环原子的芳香环或杂芳香环，其中，在杂芳香环的情况下，1个至3个环原子是彼此独立地选自于N、O、S和Se的杂原子；其中，
芳香环或杂芳香环A′、环B′和环C′中的每个中的一个或更多个氢原子可选地并且彼此独立地被取代基RDABNA-1取代，取代基RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；B(ORDABNA-2)2；OSO2RDABNA-2；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、C≡C、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-2C＝CRDABNA-2、Si(RDABNA-2)2、Ge(RDABNA-2)2、Sn(RDABNA-2)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-2、P(＝O)(RDABNA-2)、SO、SO2、NRDABNA-2、O、S或CONRDABNA-2取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；B(ORDABNA-6)2；OSO2RDABNA-6；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A′、环B′或环C′的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A'、环B'或环C'以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子；
Ya和Yb彼此独立地选自于直连(单)键、NRDABNA-3、O、S、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2、BRDABNA-3和Se；
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-4)2；ORDABNA-4；SRDABNA-4；Si(RDABNA-4)3；B(ORDABNA-4)2；OSO2RDABNA-4；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、C≡C、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-4C＝CRDABNA-4、Si(RDABNA-4)2、Ge(RDABNA-4)2、Sn(RDABNA-4)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-4、P(＝O)(RDABNA-4)、SO、SO2、NRDABNA-4、O、S或CONRDABNA-4取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-5)2；ORDABNA-5；SRDABNA-5；Si(RDABNA-5)3；B(ORDABNA-5)2；OSO2RDABNA-5；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、C≡C、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-5C＝CRDABNA-5、Si(RDABNA-5)2、Ge(RDABNA-5)2、Sn(RDABNA-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-5、P(＝O)(RDABNA-5)、SO、SO2、NRDABNA-5、O、S或CONRDABNA-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；C3-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
RDABNA-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；B(ORDABNA-6)2；OSO2RDABNA-6；CF3；CN；卤素(F、Cl、Br、I)；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、C≡C、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C2-C5炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RDABNA-6C＝CRDABNA-6、Si(RDABNA-6)2、Ge(RDABNA-6)2、Sn(RDABNA-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRDABNA-6、P(＝O)(RDABNA-6)、SO、SO2、NRDABNA-6、O、S或CONRDABNA-6取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及脂肪族环胺，包括4个至18个碳原子和1个至3个氮原子；
其中，选自于RDABNA-3、RDABNA-4和RDABNA-5中的两个或更多个相邻的取代基可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的环体系总共包括8个至30个环原子；
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(C1-C5烷基)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，在Ya和Yb中的一个或者Ya和Yb两者是NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3的情况下，一个或两个取代基RDABNA-3可以可选地并且彼此独立地经由直连(单)键或者经由在每种情况下独立地选自于NRDABNA-1、O、S、C(RDABNA-1)2、Si(RDABNA-1)2、BRDABNA-1和Se的连接原子或原子基团结合到相邻的环A'和环B'(针对Ya＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)或者环A'和环C'(针对Yb＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)中的一个或两个；
并且其中，可选地，两个或更多个式DABNA-I的结构(优选地，两个式DABNA-I的结构)彼此共轭(优选地，通过共享至少一个键(更优选地，恰好一个键)彼此稠合)；
其中，可选地，两个或更多个式DABNA-I的结构(优选地，两个式DABNA-I的结构)存在于发射体中并且共享至少一个(优选地，恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式DABNA-I的两个结构的一部分)，至少一个(优选地，恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式DABNA-I的环A'、环B′和环C′中的任一个，但是也可以是选自于RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任何芳香族或杂芳香族取代基(具体地，RDABNA-3)，或者由如上所述的两个或更多个相邻的取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环可以构成共享环的两个或更多个式DABNA-I的结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式DABNA-I的两个结构的环C'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式DABNA-I的一个结构的环B'和另一结构的环C')；并且
其中，可选地，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的至少一个被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任一个的至少一个氢原子被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个包括根据式DABNA-I的结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个小FWHM发射体SB包括根据式DABNA-I的结构。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个由根据式DABNA-I的结构组成。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，每个小FWHM发射体SB由根据式DABNA-I的结构组成。
在发明的优选实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，环A'、环B'和环C'全部是均具有6个环原子的芳香环(即，它们全部是苯环)。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb彼此独立地选自于NRDABNA-3、O、S、C(RDABNA-3)2和Si(RDABNA-3)2。
在发明的优选实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb彼此独立地选自于NRDABNA-3、O和S。
在发明的甚至更优选的实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb彼此独立地选自于NRDABNA-3和O。
在发明的特别优选的实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb两者是NRDABNA-3。
在发明的特别优选的实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，Ya和Yb相同并且两者是NRDABNA-3。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C1-C5烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C1-C5硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A'、环B'或环C'的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A'、环B'或环C'以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；Si(RDABNA-2)3；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-6)2；ORDABNA-6；SRDABNA-6；Si(RDABNA-6)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；
其中，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的两个或更多个相邻的取代基可选地形成稠合到相邻的环A'、环B'或环C'的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A'、环B'或环C'以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-2)2；ORDABNA-2；SRDABNA-2；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-2；
RDABNA-2在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；CN；Me；iPr；tBu；Si(Me)3；Ph，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-6；
其中，两个或更多个相邻的RDABNA-1形成稠合到相邻的环A'、环B'或环C'的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A'、环B'或环C'以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；Me；iPr；tBu；Si(Me)3；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，两个或更多个相邻的取代基RDABNA-1可选地形成稠合到相邻的环A'、环B'或环C'的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A'、环B'或环C'以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-1在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；Me；iPr；tBu；Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；咔唑基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；三嗪基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代；嘧啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代；以及吡啶基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代；
其中，两个或更多个相邻的取代基RDABNA-1可选地形成稠合到相邻的环A'、环B'或环C'的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系(即，相应的环A'、环B'或环C'以及可选地稠合到其的(多个)附加环)总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，选自于RDABNA-1和RDABNA-2中的相邻的取代基不形成稠合到相邻的环A'、环B'或环C'的单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C4烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RDABNA-5)2；ORDABNA-5；SRDABNA-5；Si(C1-C5烷基)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-5；
RDABNA-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；Si(Me)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3、RDABNA-4和RDABNA-5中的两个或更多个相邻的取代基可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系，其中，可选地如此形成的稠合环体系总共包括8个至30个环原子。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C4烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh；Si(Me)3；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3和RDABNA-4中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C4烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；以及C3-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RDABNA-4；
RDABNA-4在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘取代；C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；以及C3-C17杂芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3和RDABNA-4中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及C6-C18芳基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-3在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、Me、iPr、tBu、Ph或CN取代；
其中，选自于RDABNA-3中的两个或更多个相邻的取代基彼此不形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(C1-C5烷基)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、C1-C5烷基、SiMe3、SiPh3或C6-C18芳基取代基取代；N(C6-C18芳基)2；N(C3-C17杂芳基)2；以及N(C3-C17杂芳基)(C6-C18芳基)。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；OPh(Ph＝苯基)；SPh；CF3；CN；F；Si(Me)3；Si(Ph)3；C1-C5烷基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Ph、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、Me、iPr、tBu、SiMe3、SiPh3或Ph取代；以及C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、CF3、F、Me、iPr、tBu、SiMe3、SiPh3或Ph取代。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(Ph)2；CN；F；Me；iPr；tBu；Ph，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、Me、iPr、tBu或Ph取代；以及C3-C17杂芳基，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、CN、Me、iPr、tBu或Ph取代。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，
RDABNA-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；Me；iPr；tBu；以及Ph，其中，可选地一个或更多个氢原子独立地被氘、Me、iPr、tBu或Ph取代。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，当Ya和/或Yb是NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3时，一个或两个取代基RDABNA-3不结合到相邻的环A'和环B'(针对Ya＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)或者环A'和环C'(针对Yb＝NRDABNA-3、C(RDABNA-3)2、Si(RDABNA-3)2或BRDABNA-3)中的一个或两个。
在一个实施例中，本发明的上下文中的小FWHM发射体SB还可以可选地是上述式DABNA-I的多聚体(例如，二聚体)，这意指它们的结构包括大于一个子单元，所述大于一个子单元中的每个具有根据式DABNA-I的结构。在这种情况下，本领域技术人员将理解的是，根据式DABNA-I的两个或更多个子单元可以例如共轭(优选地彼此稠合)(即，共享至少一个键，其中，附着到形成所述键的原子的相应的取代基可以不再存在)。两个或更多个子单元还可以共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环。这意指，例如，小FWHM发射体SB可以包括均具有式DABNA-I的结构的两个或更多个子单元，其中，这两个子单元共享一个芳香环或杂芳香环(即，相应的环是两个子单元的一部分)。因此，因为所共享的环仅存在一次，所以相应的多聚体(例如，二聚体)发射体SB可以不包含根据式DABNA-I的两个完整的子单元。然而，本领域技术人员将理解的是，在此，这种发射体仍然被认为是式DABNA-I的多聚体(例如，如果包括具有式DABNA-I的结构的两个子单元，则是二聚体)。这同样适用于共享大于一个环的多聚体。优选地，多聚体是包括均具有式DABNA-I的结构的两个子单元的二聚体。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB是如上所述的式DABNA-I的二聚体，这意指发射体包括均具有根据式DABNA-I的结构的两个子单元。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)，或者由两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)组成，
其中，这些子单元共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式DABNA-I的两个结构的一部分)，并且其中，(多个)所共享的环可以是式DABNA-I的环A'、环B'和环C'中的任一个，但是也可以是选自于RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任何芳香族或杂芳香族取代基(具体地，RDABNA-3)，或者由如上所述的两个或更多个相邻的取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环可以构成共享环的式DABNA-I的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式DABNA-I的两个结构的环C'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式DABNA-I的一个结构的环B'和另一结构的环C')。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)，或者由两个或更多个(优选地恰好两个)根据式DABNA-I的结构(即，子单元)组成，
其中，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的至少一个被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，RDABNA-1、RDABNA-2、RDABNA-3、RDABNA-4、RDABNA-5和RDABNA-6中的任一个的至少一个氢原子被连接到式DABNA-I的又一化学实体的键代替。
在下面列出了可以用作根据本发明的小FWHM发射体SB的包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成的发射体的非限制性示例。
Figure BDA0004134659910001621
Figure BDA0004134659910001631
Figure BDA0004134659910001641
Figure BDA0004134659910001651
Figure BDA0004134659910001661
Figure BDA0004134659910001671
Figure BDA0004134659910001681
Figure BDA0004134659910001691
Figure BDA0004134659910001701
Figure BDA0004134659910001711
Figure BDA0004134659910001721
Figure BDA0004134659910001731
Figure BDA0004134659910001741
Figure BDA0004134659910001751
Figure BDA0004134659910001761
可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的一组发射体是包括根据下面的式BNE-1的结构或者由根据下面的式BNE-1的结构组成的发射体：
Figure BDA0004134659910001762
其中，
c和d两者是整数并且彼此独立地选自于0和1；
e和f两者是整数并且选自于0和1，其中，e和f(总是)相同的(即，两者是0或两者是1)；
g和h两者是整数并且选自于0和1，其中，g和h(总是)相同的(即，两者是0或两者是1)；
如果d是0，则e和f两者是1，如果d是1，则e和f两者是0；
如果c是0，则g和h两者是1，如果c是1，则g和h两者是0；
V1选自于氮(N)和CRBNE-V；
V2选自于氮(N)和CRBNE-I；
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、C＝CRBNE-3RBNE-4、C＝O、C＝NRBNE-3、NRBNE-3、O、SiRBNE -3RBNE-4、S、S(O)和S(O)2组成的组；
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、C＝CRBNE-3′RBNE-4′、C＝O、C＝NRBNE-3′、NRBNE-3′、O、SiRBNE-3′RBNE-4′、S、S(O)和S(O)2组成的组；
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE -5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE -5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE -5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE -5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE -5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-6)2；ORBNE-6；Si(RBNE-6)3；B(ORBNE-6)2；B(RBNE-6)2；OSO2RBNE-6；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE -6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE -6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE -6、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；
RBNE-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3、Ph或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式BNE-1的两个结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c'中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环，其中，所共享的环可以构成共享环的式BNE-1的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的两个结构的环c'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的一个结构的环b和另一结构的环c')；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，在发光层B中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构。
在发明的一个实施例中，一个小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1是CRBNE-V，并且V2是CRBNE-I。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1和V2两者是氮(N)。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1是氮(N)，并且V2是CRBNE-I。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，V1是CRBNE-V，并且V2是氮(N)。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c和d两者是0。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c是0，并且d是1。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c是1，并且d是0。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，c和d两者是1。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、C＝O、NRBNE-3、O、S和SiRBNE-3RBNE-4组成的组；并且
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、C＝O、NRBNE-3′、O、S和SiRBNE-3′RBNE-4′组成的组。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、NRBNE-3、O、S和SiRBNE-3RBNE-4组成的组；并且
Y2选自于由直连键、CRBNE-3′RBNE-4′、NRBNE-3′、O、S和SiRBNE-3′RBNE-4′组成的组。
在发明的一个实施例中，其中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，一个或更多个小FWHM发射体SB中的至少一个(优选地每个)包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3选自于由直连键、CRBNE-3RBNE-4、NRBNE-3、O、S和SiRBNE-3RBNE-4组成的组；并且
Y2是直连键。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3是直连键或NRBNE-3；并且
Y2是直连键。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
X3是NRBNE-3；并且
Y2是直连键。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE -5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE -5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(ORBNE-5)2；B(RBNE-5)2；OSO2RBNE-5；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE -5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE -5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE -5、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-6)2；ORBNE-6；Si(RBNE-6)3；B(ORBNE-6)2；B(RBNE-6)2；OSO2RBNE-6；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C40烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE -6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C1-C40硫代烷氧基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE -6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40烯基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE-6、C≡C、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C2-C40炔基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-6C＝CRBNE -6、Si(RBNE-6)2、Ge(RBNE-6)2、Sn(RBNE-6)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-6、P(＝O)(RBNE-6)、SO、SO2、NRBNE-6、O、S或CONRBNE-6取代；C6-C60芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；以及C2-C57杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-6；
RBNE-6在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3、Ph或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式BNE-1的两个结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c'中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的式BNE-1的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的两个结构的环c'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的一个结构的环b和另一结构的环c')；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE -5)2；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C18烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C30芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C29杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C18烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C30芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C29杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE-5)2；CF3；CN；F；Cl；Br；I；C1-C18烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5，并且其中，一个或更多个不相邻的CH2基团可选地被RBNE-5C＝CRBNE-5、C≡C、Si(RBNE-5)2、Ge(RBNE-5)2、Sn(RBNE-5)2、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRBNE-5、P(＝O)(RBNE-5)、SO、SO2、NRBNE-5、O、S或CONRBNE-5取代；C6-C30芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C29杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5硫代烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5烯基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C2-C5炔基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式BNE-1的两个结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c'中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的式BNE-1的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的两个结构的环c'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的一个结构的环b和另一结构的环c')；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE -5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE-5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C1-C5烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式BNE-1的两个结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c'中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的式BNE-1的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的两个结构的环c'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的一个结构的环b和另一结构的环c')；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，
RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V均彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE -5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-d、RBNE-d′和RBNE-e彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-a；
RBNE-a在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；N(RBNE-5)2；ORBNE-5；Si(RBNE-5)3；B(RBNE-5)2；CF3；CN；F；C1-C5烷基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；以及C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个取代基RBNE-5；
RBNE-5在每次出现时彼此独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；OPh；CF3；CN；F；C1-C5烷基，其中，一个或更多个氢原子可选地彼此独立地被氘、CN、CF3或F取代；C6-C18芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；C2-C17杂芳基，可选地取代有一个或更多个C1-C5烷基取代基；N(C6-C18芳基)2；N(C2-C17杂芳基)2；以及N(C2-C17杂芳基)(C6-C18芳基)；
其中，RBNE-III和RBNE-e可选地结合以形成直连单键；并且
其中，取代基RBNE-a、RBNE-d、RBNE-d′、RBNE-e、RBNE-3′、RBNE-4′和RBNE-5中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，取代基RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV和RBNE-V中的两个或更多个可选地彼此形成单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)；
其中，可选地两个或更多个(优选地两个)式BNE-1的结构存在于发射体中并且共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环可以是式BNE-1的两个结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c'中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的式BNE-1的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的两个结构的环c'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的一个结构的环b和另一结构的环c')；并且
其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE -4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，RBNE-III和RBNE-e结合以形成直连单键。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成，RBNE-III和RBNE-e不结合以形成直连单键。
在一个实施例中，适合作为本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的荧光发射体也可以可选地是上述式BNE-1的多聚体(例如，二聚体)，这意指它们的结构包括大于一个子单元，所述大于一个子单元中的每个具有根据式BNE-1的结构。在这种情况下，本领域技术人员将理解的是，根据式BNE-1的两个或更多个子单元可以例如彼此共轭(优选地，彼此稠合)(即，共享至少一个键，其中，附着到形成所述键的原子的相应的取代基可以不再存在)。两个或更多个子单元还可以共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环。这意指，例如，小FWHM发射体SB可以包括均具有式BNE-1的结构的两个或更多个子单元，其中，这两个子单元共享一个芳香环或杂芳香环(即，相应的环是两个子单元的一部分)。因此，因为所共享的环仅存在一次，所以相应的多聚体(例如，二聚体)发射体SB可以不包含根据式BNE-1的两个完整的子单元。然而，本领域技术人员将理解的是，在此，这种发射体仍然被认为是式BNE-1的多聚体(例如，如果包括具有式BNE-1的结构的两个子单元，则是二聚体)。这同样适用于共享大于一个环的多聚体。优选地，多聚体是包括均具有式BNE-1的结构的两个子单元的二聚体。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB是如上所述的式BNE-1的二聚体，这意指发射体包括均具有根据式BNE-1的结构的两个子单元。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB是如上所述的式BNE-1的二聚体，这意指发射体包括均具有根据式BNE-1的结构(即，子单元)的两个子单元，
其中，这两个子单元彼此共轭(优选地，通过共享至少一个(更优选地恰好一个)键彼此稠合)。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB是如上所述的式BNE-1的二聚体，这意指发射体包括均具有根据式BNE-1的结构(即，子单元)的两个子单元，
其中，这两个子单元共享至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环(即，所述环是式BNE-1的两个结构的一部分)，所述至少一个(优选地恰好一个)芳香环或杂芳香环优选地是式BNE-1的环a、环b和环c'中的任一个，但是也可以是选自于RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE -2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-5、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任何芳香族或杂芳香族取代基，或者由如上所述的两个或更多个取代基形成的任何芳香环或杂芳香环；其中，所共享的环可以构成共享环的式BNE-1的两个或更多个结构的相同或不同部分(即，所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的两个结构的环c'，或者所共享的环可以例如是可选地包括在发射体中的式BNE-1的一个结构的环b和另一结构的环c')。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB是如上所述的式BNE-1的二聚体，这意指发射体包括均具有根据式BNE-1的结构(即，子单元)的两个子单元，
其中，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE-5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的至少一个被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替，并且/或者其中，可选地，RBNE-1、RBNE-2、RBNE-1′、RBNE-2′、RBNE-3、RBNE-4、RBNE -5、RBNE-3′、RBNE-4′、RBNE-6、RBNE-I、RBNE-II、RBNE-III、RBNE-IV、RBNE-V、RBNE-a、RBNE-e、RBNE-d和RBNE-d′中的任一个的至少一个氢原子被连接到式BNE-1的又一化学实体的键代替。
在下面示出了可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体的包括根据上述式BNE-1的结构或由根据上述式BNE-1的结构组成的荧光发射体的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910001941
Figure BDA0004134659910001951
Figure BDA0004134659910001961
Figure BDA0004134659910001971
Figure BDA0004134659910001981
Figure BDA0004134659910001991
Figure BDA0004134659910002001
Figure BDA0004134659910002011
Figure BDA0004134659910002021
Figure BDA0004134659910002031
Figure BDA0004134659910002041
Figure BDA0004134659910002051
Figure BDA0004134659910002061
Figure BDA0004134659910002071
Figure BDA0004134659910002081
Figure BDA0004134659910002091
Figure BDA0004134659910002101
Figure BDA0004134659910002111
Figure BDA0004134659910002121
Figure BDA0004134659910002131
Figure BDA0004134659910002141
Figure BDA0004134659910002151
Figure BDA0004134659910002161
Figure BDA0004134659910002171
Figure BDA0004134659910002181
Figure BDA0004134659910002191
Figure BDA0004134659910002201
Figure BDA0004134659910002211
Figure BDA0004134659910002221
Figure BDA0004134659910002231
Figure BDA0004134659910002241
Figure BDA0004134659910002251
Figure BDA0004134659910002261
Figure BDA0004134659910002271
Figure BDA0004134659910002281
Figure BDA0004134659910002291
Figure BDA0004134659910002301
Figure BDA0004134659910002311
Figure BDA0004134659910002321
Figure BDA0004134659910002331
Figure BDA0004134659910002341
Figure BDA0004134659910002351
Figure BDA0004134659910002361
Figure BDA0004134659910002371
Figure BDA0004134659910002381
Figure BDA0004134659910002391
Figure BDA0004134659910002401
Figure BDA0004134659910002411
Figure BDA0004134659910002421
Figure BDA0004134659910002431
Figure BDA0004134659910002441
Figure BDA0004134659910002451
Figure BDA0004134659910002461
Figure BDA0004134659910002471
Figure BDA0004134659910002481
Figure BDA0004134659910002491
Figure BDA0004134659910002501
Figure BDA0004134659910002511
Figure BDA0004134659910002521
Figure BDA0004134659910002531
Figure BDA0004134659910002541
Figure BDA0004134659910002551
Figure BDA0004134659910002561
Figure BDA0004134659910002571
Figure BDA0004134659910002581
Figure BDA0004134659910002591
Figure BDA0004134659910002601
Figure BDA0004134659910002611
Figure BDA0004134659910002621
Figure BDA0004134659910002631
Figure BDA0004134659910002641
包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成的小FWHM发射体SB的合成可以经由本领域技术人员已知的标准反应和反应条件来完成。
通常，合成包括过渡金属催化的交叉偶联反应和硼化反应，全部这些是本领域技术人员已知的。
例如，WO2020135953(A1)教导了如何合成包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成的小FWHM发射体SB。此外，US2018047912(A1)教导了如何合成包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成(具体地，c和d是0)的小FWHM发射体SB。
理解的是，US2018047912(A1)和WO2020135953(A1)中公开的发射体也可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB。
在发明的一个实施例中，在至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB包括根据式DABNA-I或式BNE-1的结构或者由根据式DABNA-I或式BNE-1的结构组成。本领域技术人员理解的是，这意指：如果大于一个的小FWHM发射体SB存在于发光层B中，则它们可以全部包括根据式DABNA-I的结构或全部由根据式DABNA-I的结构组成，或者全部包括根据式BNE-1的结构或全部由根据式BNE-1的结构组成，或者它们中的一些可以包括根据式DABNA-I的结构或由根据式DABNA-I的结构组成，而它们中的另一些可以包括根据式BNE-1的结构或由根据式BNE-1的结构组成。
设计荧光发射体的一种方法依赖于使用荧光多环芳香族或杂芳香族核结构。在本发明的上下文中，后者是包括大于一个芳香环或杂芳香环(优选地，大于两个这种环)的任何结构，所述大于一个芳香环或杂芳香环甚至更优选地经由大于一个直连键或连接原子彼此稠合或连接。换言之，荧光核结构包括至少一个(优选地仅一个)刚性共轭π体系。
本领域技术人员例如通过US2017077418(A1)知道如何选择用于荧光发射体的核结构。在下面列出荧光发射体的常见核结构的示例，其中，这不暗指只有这些核可以提供适合于根据本发明的用途的小FWHM发射体SB：
Figure BDA0004134659910002651
Figure BDA0004134659910002661
Figure BDA0004134659910002671
在此上下文中，术语荧光核结构表示包括核的任何分子可以潜在地用作荧光发射体。本领域技术人员知道的是，这种荧光发射体的核结构可以可选地被取代，并且这些取代基在这方面是合适的，例如，通过以下文献：US2017077418(A1),M.Zhu.C.Yang,ChemicalSociety Reviews 2013,42,4963,DOI:10.1039/c3cs35440g；S.Kima,B.Kimb,J.Leea,H.Shina,Y.-Il Parkb,J.Park,Materials Science and Engineering R:Reports 2016,99,1,DOI:10.1016/j.mser.2015.11.001；K.R.J.Thomas,N.Kapoor,M.N.K.P.Bolisetty,J.-H.Jou,Y.-L.Chen,Y.-C.Jou,The Journal of Organic Chemistry 2012,77(8),3921,DOI:10.1021/jo300285v；M.Vanga,R.A.Lalancette,F.
Figure BDA0004134659910002672
Chemistry–AEuropeanJournal 2019,25(43),10133,DOI:10.1002/chem.201901231。
用于根据本发明的小FWHM发射体SB可以通过上述荧光核结构(例如，通过将空间要求的取代基附着到核)获得，所述空间要求的取代基阻碍荧光核与有机电致发光器件的相应的层中的相邻的分子之间的接触。
在本发明的上下文中，当随后定义的屏蔽参数等于或低于也在本文后面的子章节中定义的一定限度时，化合物(例如，荧光发射体)被认为是空间屏蔽的。
优选的是，用于空间屏蔽的荧光发射体的取代基不仅是大体积的(即，空间要求的)，而且是电子惰性的，在本发明的上下文中，这意指这些取代基不包括如本文后面的子章节中所定义的活泼原子。理解的是，这不暗指仅电子惰性(换言之：非活泼)取代基可以附着到荧光核结构(诸如上面所示的荧光核结构)。活泼取代基也可以附着到核结构，并且可以被有意引入以调节荧光核结构的光物理性质。在这种情况下，优选的是，经由一个或更多个取代基引入的活泼原子再次被电子惰性(即：非活泼)取代基屏蔽。
基于上述信息和来自现有技术的公知常识，本领域技术人员理解如何选择用于荧光核结构的取代基，所述取代基可以诱导荧光核结构的空间屏蔽并且如上所述是电子惰性的。具体地，US2017077418(A1)公开了适合作为电子惰性(换言之：非活泼)屏蔽取代基的取代基。这种取代基的示例包括具有3个至40个碳原子(优选地，3个至20个碳原子，更优选地，具有4个至10个碳原子)的直链、支链或环烷基，其中，一个或更多个氢原子可以被取代基代替，优选地，被氘或氟代替。其它示例包括具有3个至40个碳原子(优选地，3个至20个碳原子，更优选地，具有4个至10个碳原子)的烷氧基，其中，一个或更多个氢原子可以被取代基代替，优选地，被氘或氟代替。理解的是，这些烷基和烷氧基取代基可以被除了氘和氟之外的取代基取代，例如，被芳基取代。在这种情况下，优选的是，作为取代基的芳基包括6个至30个芳香环原子(更优选地，6个至18个芳香环原子，最优选地，6个芳香环原子)，并且优选地不是诸如蒽、芘等的稠合芳香族体系。其它示例包括具有6个至30个芳香环原子(更优选地，具有6个至24个芳香环原子)的芳基。这些芳基取代基中的一个或更多个氢原子可以被取代，并且优选的取代基是例如具有6个至30个碳原子的芳基以及具有1个至20个碳原子的直链、支链或环烷基。全部取代基可以进一步被取代。理解的是，US2017077418(A1)中公开的全部空间要求的并且优选地也是电子惰性的(换言之：非活泼)取代基可以用于空间屏蔽荧光核(诸如上述荧光核)，以提供适合作为用于根据本发明的小FWHM发射体SB的空间屏蔽的荧光发射体。
在下面，示出了(US2017077418(A1)中公开的)可以用作本发明的上下文中的空间要求的(即，屏蔽的)和电子惰性的(即，非活泼)取代基的取代基的非限制性示例：
Figure BDA0004134659910002691
Figure BDA0004134659910002701
其中，每条虚线表示将相应的取代基连接到核结构(优选地，连接到荧光核结构)的单键。如本领域技术人员已知的，三烷基甲硅烷基也适合用作空间要求的且电子惰性的取代基。
还理解的是，荧光核不仅可以具有这种空间屏蔽的取代基，而且可以被又一非屏蔽取代基取代，所述非屏蔽取代基可以是或可以不是本发明的上下文中的活泼基团(见下面的定义)。
在下面，示出了可以用作本发明的上下文中的小FWHM发射体SB的空间屏蔽的荧光发射体的示例。这不暗指本发明限于包括所示发射体的有机电致发光器件。
Figure BDA0004134659910002711
理解的是，空间屏蔽的取代基(如上所述可以是或可以不是电子惰性的)可以附着到任何荧光分子(例如，附着到上述多环芳香族或杂芳香族荧光核、BODIPY衍生的结构和在此所示的NRCT发射体)，并且附着到包括式BNE-1结构的发射体。这可以产生可以适合作为根据发明的小FWHM发射体SB的空间屏蔽的荧光发射体。
在发明的一个实施例中，在发光层B中，小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个：
(i)它是含硼(B)发射体，这意指每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)它包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB是含硼(B)发射体，这意指每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(例如，蒽、芘或其氮杂衍生物)。
在发明的一个实施例中，在发光层B中，小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个(或两者)：
(i)它是含硼(B)发射体，这意指每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)它包括芘核结构。
在发明的一个实施例中，小FWHM发射体SB包括芘核结构。
在发明的优选实施例中，在发光层B中，小FWHM发射体SB是含硼(B)发射体和含氮(N)发射体，这意指每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)并且每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是氮(N)。
在发明的优选实施例中，在发光层B中，小FWHM发射体SB包括(直接地)共价结合到至少一个氮原子(N)的至少一个硼原子(B)。
在发明的优选实施例中，在发光层B中，小FWHM发射体SB包括三价的(即，经由三个单键结合的)硼原子(B)。
空间屏蔽
屏蔽参数A的确定
分子的屏蔽参数A可以如下面针对(荧光)发射体(诸如上面提到的(荧光)发射体)示例性地描述的那样确定。将理解的是，屏蔽参数A通常指单位埃
Figure BDA0004134659910002721
这不暗指仅这些化合物可以在本发明的上下文中被空间屏蔽，也不暗指仅可以确定针对这些化合物的屏蔽参数。
1、分子轨道的能级的确定
分子轨道的能级可以经由量子化学计算来确定。为此目的，在当前情况下，可以使用Turbomole软件包(Turbomole GmbH)，7.2版。首先，可以使用密度泛函理论(DFT)、采用def2-SV(P)基组和BP-86泛函来进行分子的基态的几何形状优化。随后，基于优化的几何形状，可以采用B3-LYP泛函来进行针对电子基态的单点能量计算。通过能量计算，例如，可以获得作为被两个电子占据的最高能量轨道的最高占据分子轨道(HOMO)，并且可以获得作为最低能量未占轨道的最低未占分子轨道(LUMO)。对于其它分子轨道(诸如HOMO-1、HOMO-2、...LUMO+1、LUMO+2等)，可以以类似的方式获得能级。
在此描述的方法独立于所使用的软件包。用于此目的的其它常用程序的示例可以是“Gaussian09”(Gaussian Inc.)和Q-Chem 4.1(Q-Chem,Inc.)。
2、(荧光)化合物的电荷交换分子轨道
(荧光)化合物的电荷交换分子轨道可以被认为是HOMO和LUMO以及可以在能量上与HOMO或LUMO分开75meV或更小的全部分子轨道。
3、分子轨道的活泼原子的确定
对于每个电荷交换分子轨道，可以确定哪些原子可以是活泼的。换言之，对于每个分子轨道，可以发现通常不同的活泼原子组。下面描述可以如何确定HOMO的活泼原子。对于全部其它电荷交换分子轨道(例如，HOMO-1、LUMO、LUMO+1等)，可以类似地确定活泼原子。
可以如上所述计算HOMO。为了确定活泼原子，检查其上轨道具有0.035的绝对值的表面(“截止值是0.035的等值面”)。为此目的，在当前情况下，使用Jmol软件(http://jmol.sourceforge.net/)，14.6.4版。在其周围可以定位有具有等于或大于截止值的值的轨道叶的原子可以被认为是活泼的。在其周围可以未定位具有等于或大于截止值的值的轨道叶的原子可以被认为是不活泼的。
4、(荧光)化合物中的活泼原子的确定
如果一个原子在至少一个电荷交换分子轨道中是活泼的，则可以认为它对于(荧光)化合物是活泼的。仅在全部电荷交换分子轨道中可以是非活泼的(不活泼的)原子可以对于(荧光)化合物是非活泼的。
5、屏蔽参数A的确定
在第一步骤中，可以根据B.Lee,F.M.Richards,Journal of Molecular Biology1971,55(3),379,DOI:10.1016/0022-2836(71)90324-X中描述的方法来确定针对全部活泼原子的溶剂可及表面积SASA。为此目的，分子的原子的范德华表面可以被认为是不可穿透的。然后可以将整个分子的SASA定义为可以由具有半径r(所谓的探针半径)的硬球体(也称为探针)的中心跟踪的表面的面积，同时它可以在空间中遍及全部可接近点滚动，在所述空间处，其表面可以与分子的范德华表面直接接触。还可以针对分子的原子的子集确定SASA值。在这种情况下，可以仅考虑在探针的表面可以与可以是子集的一部分的原子的范德华表面接触的点处由探针的中心跟踪的表面。用于确定用于本目的的SASA的Lee-Richards算法可以是程序包Free SASA的一部分(S.Mitternacht,Free SASA:An open source Clibrary for solvent accessible surface area calculations.F1000Res.2016；5:189.Published 2016Feb 18.doi:10.12688/f1000research.7931.1)。相关元素的范德华半径rVDW可以汇编在以下参考文献中：M.Mantina,A.C.Chamberlin,R.Valero,C.J.Cramer,D.G.Truhlar,The Journal of Physical Chemistry A 2009,113(19),5806,DOI:10.1021/jp8111556。为了本目的，对于全部SASA确定，探针半径r可以被设定为
Figure BDA0004134659910002731
在本发明的上下文中，屏蔽参数A可以通过将活泼原子的子集的溶剂可及表面积(标记为S以与整个分子的SASA区别开)除以活泼原子的数量n来获得：
A＝S/n。
在本发明的上下文中，如果屏蔽参数A具有低于
Figure BDA0004134659910002742
的值
Figure BDA0004134659910002743
则化合物可以被定义为是良好的空间屏蔽的。
在本发明的上下文中，如果屏蔽参数A具有
Figure BDA0004134659910002744
至
Figure BDA0004134659910002745
Figure BDA0004134659910002746
(优选地，
Figure BDA0004134659910002747
至
Figure BDA0004134659910002748
的值，则化合物可以被定义为是空间屏蔽的。
在下面，示出了示例性(荧光)发射体以及如上所述确定的它们的屏蔽参数A。将理解的是，这不暗指本发明限于包括所示发射体中的一个的有机电致发光器件。所描绘的发射体化合物仅是表示发明的可选的实施例的非限制性示例。
Figure BDA0004134659910002741
在发明的一个实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件中的每个小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004134659910002751
的屏蔽参数A。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004134659910002752
的屏蔽参数A。
在发明的优选实施例中，包括在根据发明的有机电致发光器件中的每个小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004134659910002753
的屏蔽参数A。
在一个实施例中，在根据本发明的有机电致发光器件的至少一个(优选地每个)发光层B中，至少一个(优选地每个)小FWHM发射体SB表现出等于或小于
Figure BDA0004134659910002754
的屏蔽参数A。
本领域技术人员理解的是，不仅诸如根据本发明的小FWHM发射体SB的荧光发射体可以通过附着屏蔽取代基而被空间屏蔽。理解的是，例如，本发明的上下文中的TADF材料EB以及本发明的上下文中的磷光材料SB也可以被屏蔽。
激发态寿命
关于如何测量激发态寿命的详细描述在本文后面的子章节中提供。
在发明的一个实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于110μs(优选地，等于或短于100μs)的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002756
在发明的一个实施例中，本发明的上下文中的每个TADF材料EB表现出等于或短于110μs(优选地，等于或短于100μs)的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002757
在发明的一个实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于75μs的延迟荧光寿命
Figure BDA00041346599100027511
在发明的一个实施例中，本发明的上下文中的每个TADF材料EB表现出等于或短于75μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002755
在发明的一个实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于50μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002758
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB表现出等于或短于50μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002759
在发明的优选实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于10μs的延迟荧光寿命
Figure BDA00041346599100027510
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB表现出等于或短于10μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002761
在发明的甚至更优选的实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的至少一个(优选地每个)TADF材料EB表现出等于或短于5μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002763
在发明的一个实施例中，每个TADF材料EB表现出等于或短于5μs的延迟荧光寿命
Figure BDA0004134659910002762
在发明的一个实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的磷光材料PB表现出等于或短于50μs的激发态寿命
Figure BDA0004134659910002764
在发明的一个实施例中，每个磷光材料PB表现出等于或短于50μs的激发态寿命
Figure BDA0004134659910002765
在发明的优选实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的磷光材料PB表现出等于或短于10μs的激发态寿命
Figure BDA0004134659910002766
在发明的一个实施例中，每个磷光材料PB表现出等于或短于10μs的激发态寿命
Figure BDA0004134659910002767
在发明的甚至更优选的实施例中，在发光层B中，本发明的上下文中的磷光材料PB表现出等于或短于5μs的激发态寿命
Figure BDA0004134659910002768
在发明的一个实施例中，磷光材料PB表现出等于或短于5μs的激发态寿命
Figure BDA0004134659910002769
在发明的一个实施例中，在根据发明的有机电致发光器件中，将一个或更多个TADF材料EB添加到包括磷光材料PB、小FWHM发射体SB和主体材料HB的发光层B中导致有机电致发光器件的激发态寿命降低。在发明的优选实施例中，根据发明的TADF材料EB的上述添加使有机电致发光器件的激发态寿命降低至少50％。
进一步的定义和信息
如全文所使用的，本发明的上下文中的术语“层”优选地指具有广泛平面几何形状的主体。理解的是，对于可以组成层的全部“子层”也是如此。
如在此所使用的，术语有机电致发光器件和光电发光器件和有机发光器件可以在最广泛的意义上被理解为包括一个或更多个发光层B的任何器件，所述一个或更多个发光层B均作为整体包括一个或更多个TADF材料、一个或更多个激发能量转移组分EET-2、一个或更多个小FWHM发射体SB以及可选地一个或更多个主体材料HB，上述定义和优选实施例可以适用于全部这些。
在发明的优选实施例中，有机电致发光器件发射440nm至480nm的蓝光。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在440nm至480nm的范围内的主发射峰。在发明的优选实施例中，有机电致发光器件具有在440nm至480nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的特别优选实施例中，有机电致发光器件发射450nm至470nm的蓝光。在发明的特别优选实施例中，有机电致发光器件具有在450nm至470nm的范围内的主发射峰。在发明的特别优选实施例中，有机电致发光器件具有在450nm至470nm的范围内的主发射峰的发射最大值。
在发明的优选实施例中，有机电致发光器件是选自于由有机发光二极管(OLED)、发光电化学电池(LEC)和发光晶体管组成的组中的器件。
特别优选地，有机电致发光器件是有机发光二极管(OLED)。可选择地，有机电致发光器件作为整体可以是不透明的(非透明的)、半透明的或(基本上)透明的。
如在整个本申请中所使用的，术语“环基团”可以在最广泛的意义上被理解为任何单环、双环或多环部分。
如在整个本申请中所使用的，术语“环”和“环体系”可以在最广泛的意义上被理解为任何单环、双环或多环部分。
术语“环原子”指作为环或环结构的环核的一部分而不是可选地附着到其的取代基的一部分的任何原子。
如在整个本申请中所使用的，术语“碳环”可以在最广泛的意义上被理解为其中环核结构仅包括碳原子的任何环基团，所述碳原子当然可以取代有氢或发明的具体实施例中定义的任何其它取代基。理解的是，术语“碳环”作为形容词指其中环核结构仅包括碳原子的环基团，所述碳原子当然可以取代有氢或发明的具体实施例中定义的任何其它取代基。理解的是，术语“碳环”或“碳环环体系”可以指脂肪族和芳香族环基团或环体系两者。
如在整个本申请中所使用的，术语“杂环”可以在最广泛的意义上被理解为其中环核结构不仅包括碳原子而且包括至少一个杂原子的任何环基团。理解的是，术语“杂环”作为形容词指其中环核结构不仅包括碳原子而且包括至少一个杂原子的环基团。除非在具体实施例中另有说明，否则杂原子在每次出现时可以相同或不同，并且可以单独地选自于由N、O、S和Se组成的组。包括在发明的上下文中的杂环中的全部碳原子或杂原子当然可以取代有氢或在发明的具体实施例中定义的任何其它取代基。理解的是，术语“杂环”或“杂环环体系”可以指脂肪族和杂芳香族环基团或环体系两者。
如在整个本申请中所使用的，术语“芳香环体系”可以在最广泛的意义上被理解为任何双环或多环芳香族部分。
如在整个本申请中所使用的，术语“杂芳香环体系”可以在最广泛的意义上被理解为任何双环或多环杂芳香族部分。
如在整个本申请中所使用的，术语“稠合”当涉及芳香环体系或杂芳香环体系时意指“稠合”的芳香环或杂芳香环共享至少一个键，所述至少一个键是两个环体系的一部分。例如，萘(或当被称为取代基时的萘基)或苯并噻吩(或当被称为取代基时的苯并噻吩基)在本发明的上下文中被认为是稠合芳香环体系，其中，两个苯环(对于萘)或者噻吩和苯(对于苯并噻吩)共享一个键。还理解的是，在该上下文中共享键包括共享构成相应的键的两个原子，并且稠合的芳香环体系或杂芳香环体系可以被理解为一个芳香体系或杂芳香体系。另外，理解的是，大于一个键可以被构成稠合的芳香环体系或杂芳香环体系的芳香环或杂芳香环共享(例如，在芘中)。此外，将理解的是，脂肪环体系也可以是稠合的，并且这具有与针对芳香环体系或杂芳香环体系相同的含义，当然除了稠合的脂肪环体系不是芳香的。
如在整个本申请中所使用的，术语“芳基”和“芳香族”可以在最广泛的意义上被理解为任何单环、双环或多环芳香族部分。在此，除非在具体实施例中不同地指出，否则芳基优选地包含6个至60个芳香环原子，杂芳基优选地包含其至少一个是杂原子的5个至60个芳香环原子。尽管如此，在整个申请中，芳香环原子的数量(具体地，芳香环原子的作为碳原子的数量)可以在某些取代基的定义中作为下标数字给出。具体地，杂芳香环包括一个至三个杂原子。同样，术语“杂芳基”和“杂芳香族”可以在最广泛的意义上被理解为包括至少一个杂原子的任何单环、双环或多环杂芳香族部分。杂原子在每次出现时可以相同或不同，并且可以单独地选自于由N、O、S和Se组成的组。因此，术语“亚芳基”指具有与其它分子结构的两个结合点且因此用作连接基结构的二价取代基。在示例性实施例中的基团被定义为与这里所给出的定义不同(例如，芳香环原子的数量或杂原子的数量与给定的定义不同)的情况下，将应用示例性实施例中的定义。根据发明，缩合(环化)芳香多环或杂芳香多环由经由缩合反应形成多环的两个或更多个单芳香环或杂芳香环构成。
具体地，如在整个本申请中所使用的，术语“芳基”或“杂芳基”包括可以经由芳香族基团或杂芳香族基团的任何位置结合的基团，该基团衍生自苯、萘、蒽、菲、芘、二氢芘、
Figure BDA0004134659910002791
苝、荧蒽、苯并蒽、苯并菲、并四苯、并五苯、苯并芘、呋喃、苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、硒吩、苯并硒吩、异苯并硒吩、二苯并硒吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩噁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、噁唑、苯并噁唑、萘并噁唑、蒽并噁唑、菲并噁唑、异噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、1,3,5-三嗪、喹喔啉、吡嗪、吩嗪、萘啶、咔啉、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、蝶啶、中氮茚和苯并噻二唑或者上述基团的组合。
在发明的某些实施例中，结合到芳香环或杂芳香环的相邻的取代基可以一起形成稠合到取代基结合到其的芳香环或杂芳香环的附加单环或多环的脂肪族或芳香族或杂芳香族的碳环或杂环环体系。理解的是，可选地如此形成的稠合环体系将比与相邻的取代基结合到其的芳香环或杂芳香环大(意指它包括更多的环原子)。在这些情况下，包括在稠合环体系中的环原子的“总”量将被理解为包括在相邻的取代基结合到其的芳香环或杂芳香环中的环原子与由相邻的取代基形成的附加环体系的环原子的总和，然而，其中，被稠合的环体系共享的碳原子计数一次而不是两次。例如，苯环可以具有两个相邻的取代基，所述两个相邻的取代基形成另一苯环使得构成萘核。因为两个碳原子被两个苯环共享并且因此仅计数一次而不是两次，所以所述萘核于是包括10个环原子。在此上下文中的术语“相邻的取代基”指附着到(例如，环体系的)相同或相邻的环原子的取代基。
如在整个本申请中所使用的，当提及环体系时，术语“脂肪族”可以在最广泛的意义上被理解，并且意指构成环体系的环中没有芳香环或杂芳香环。理解的是，这种脂肪环体系可以稠合到一个或更多个芳香环或杂芳香环，使得包括在脂肪环体系的核结构中的一些(但不是全部)碳原子或杂原子是附着的芳香环或杂芳香环的一部分。
如以上和在此所使用的，术语“烷基”可以在最广泛的意义上被理解为任何直链、支链或环状的烷基取代基。具体地，术语烷基包括这样的取代基：甲基(Me)、乙基(Et)、正丙基(nPr)、异丙基(iPr)、环丙基、正丁基(nBu)、异丁基(iBu)、仲丁基(sBu)、叔丁基(tBu)、环丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、叔戊基、2-戊基、新戊基、环戊基、正己基、仲己基、叔己基、2-己基、3-己基、新己基、环己基、1-甲基环戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、环庚基、1-甲基环己基、正辛基、2-乙基己基、环辛基、1-双环[2,2,2]辛基、2-双环[2,2,2]辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金刚烷基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)-环己-1-基、1-(正丁基)-环己-1-基、1-(正己基)-环己-1-基、1-(正辛基)-环己-1-基和1-(正癸基)-环己-1-基。
如以上和在此所使用的，术语“烯基”包括直链、支链和环状的烯基取代基。术语烯基示例性地包括这样的取代基：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基或环辛二烯基。
如以上和在此所使用的，术语“炔基”包括直链、支链和环状的炔基取代基。术语炔基示例性地包括乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。
如以上和在此所使用的，术语“烷氧基”包括直链、支链和环状的烷氧基取代基。术语烷氧基示例性地包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基和2-甲基丁氧基。
如以上和在此所使用的，术语“硫代烷氧基”包括其中示例性地烷氧基的O被S代替的直链、支链和环状的硫代烷氧基取代基。
如以上和在此所使用的，术语“卤素”和“卤代”可以在最广泛的意义上被理解为优选地氟、氯、溴或碘。
包括在在此提及的任何结构中的全部氢原子(H)在每次出现时可以彼此独立地被氘(D)代替，并且没有特别指出。用氘代替氢是惯例，并且对于本领域技术人员来说是明显的，本领域技术人员也知道如何实现这种合成。
理解的是，当分子片段被描述为取代基或以其它方式附着到另一部分时，其名称可以被写成好像它是一个片段(例如，萘基、二苯并呋喃基)或好像它是整个分子(例如，萘、二苯并呋喃)。如在此所使用的，指定取代基或附着片段的这些不同方式被认为是等同的。
当提及浓度或组成时，除非另有说明，否则百分比指具有与重量百分比或重量％((重量/重量)，(w/w)，wt％)相同的含义的重量百分比。
轨道和激发态能量可以通过实验方法的方式或通过采用量子化学方法的计算(具体地，密度泛函理论计算)来确定。在此，最高占据分子轨道的能量EHOMO通过本领域技术人员已知的方法以0.1eV的精度通过循环伏安法测量确定。
最低未占分子轨道的能量ELUMO可以通过本领域技术人员已知的方法以0.1eV的精度通过循环伏安法测量确定。如果ELUMO可以通过循环伏安法测量确定，其在此将表示为
Figure BDA0004134659910002811
可选择地，在此优选地，ELUMO被计算为EHOMO+Egap，其中，除非另有说明，否则对于主体材料HB、TADF材料EB和小FWHM发射体SB，第一激发单重态S1(参见下文)的能量用作Egap。也就是说，对于主体材料HB、TADF材料EB和小FWHM发射体SB，Egap通过在室温(即，近似20℃)下发射光谱的起始点确定(稳态光谱；对于TADF材料EB，通常使用在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中的10重量％的EB的旋涂膜；对于小FWHM发射体SB，通常使用在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜；对于主体材料HB，通常使用相应的主体材料HB的旋涂纯膜)。对于磷光材料PB，Egap也通过在室温(即，近似20℃)下发射光谱的起始点确定(通常通过在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜测量)。
在室温(即，近似20℃)下记录吸收光谱。对于TADF材料EB，通常通过在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中的10重量％的EB的旋涂膜来测量吸收光谱。对于小FWHM发射体SB，通常通过在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜来测量吸收光谱。对于主体材料HB，通常通过主体材料HB的旋涂纯膜来测量吸收光谱。对于磷光材料PB，通常通过在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜来测量吸收光谱。可选择地，也可以通过相应的分子的溶液(例如，在二氯甲烷或甲苯中)来记录吸收光谱，其中，通常选择溶液的浓度，使得最大吸光度优选地在0.1至0.5的范围内。
吸收光谱的起始点是通过计算吸收光谱的切线与x轴的交点所确定的。吸收光谱的切线被设定在吸收带的低能侧处且在吸收光谱的最大强度的半高度(half maximum)的点处。
除非另有说明，否则第一(即，最低)激发三重态T1的能量通过77K下的磷光光谱的起始点确定(对于TADF材料EB，通常使用在PMMA中的10重量％的EB的旋涂膜；对于小FWHM发射体SB，通常使用在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜；对于主体材料HB，通常使用相应的主体材料HB的旋涂纯膜；对于磷光材料PB，通常使用在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜，并且通常在室温(即，近似20℃)下进行测量)。如在EP2690681A1中所述的，已知对于具有小ΔEST值的TADF材料EB，即使在低温下，也可以发生系间窜越和反向系间窜越两者。因此，77K下的发射光谱可以包括来自S1态和T1态两者的发射。然而，也如EP2690681A1中所描述的，三重态能量的贡献/值通常被认为是主要的。
除非另有说明，否则第一(即，最低)激发单重态S1的能量通过在室温(即，近似20℃)下的荧光光谱的起始点确定(稳态光谱；对于TADF材料EB，通常使用在PMMA中的10重量％的EB的旋涂膜；对于小FWHM发射体SB，通常使用在PMMA中的1重量％至5重量％(优选地，2重量％)的SB的旋涂膜；对于主体材料HB，通常使用相应的主体材料HB的旋涂纯膜；对于磷光材料PB，通常使用在PMMA中的10重量％的PB的旋涂膜)。然而，对于显示出有效的系间窜越的磷光材料PB，室温发射可以(主要)是磷光并且不是荧光。在这种情况下，在室温(即，近似20℃)下的发射光谱的起始点用于确定如上所述的第一(即，最低)激发三重态T1的能量。
发射光谱的起始点是通过计算发射光谱的切线与x轴的交点所确定的。发射光谱的切线被设定在发射带的高能侧处且在发射光谱的最大强度的半高度(half maximum)的点处。
对应于第一(即，最低)激发单重态(S1)与第一(即，最低)激发三重态(T1)之间的能量差的ΔEST值是基于如上所述确定的第一(即，最低)激发单重态能量和第一(即，最低)激发三重态能量确定的。
如本领域技术人员已知的，发射体(例如，小FWHM发射体SB)的半峰全宽(FWHM)是通过相应的发射光谱(对于荧光发射体的荧光光谱和对于磷光发射体的磷光光谱)来容易地确定。对于小FWHM发射体SB，通常使用荧光光谱。全部报告的FWHM值通常指主发射峰(即，具有最高强度的峰)。确定(在此优选地以电子伏特eV报告的)FWHM的方式是本领域技术人员的公知的一部分。例如，考虑到发射光谱的主发射峰在两个波长λ1和λ2处达到其半最大发射(即，最大发射强度的50％)(所述两个波长λ1和λ2两者通过发射光谱以纳米(nm)获得)，呈电子伏特(eV)的FWHM通常(并且在此)使用以下等式确定：
Figure BDA0004134659910002831
如在此所使用的，如果在具体上下文中没有更具体地定义，则发射和/或吸收光的颜色的指定如下：
紫色：>380nm至420nm的波长范围；
深蓝色：>420nm至475nm的波长范围；
天蓝色：>475nm至500nm的波长范围；
绿色：>500nm至560nm的波长范围；
黄色：>560nm至580nm的波长范围；
橙色：>580nm至620nm的波长范围；
红色：>620nm至800nm的波长范围。
通过以下示例和权利要求示出发明。
示例
循环伏安法
测量在二氯甲烷或合适的溶剂以及合适的支持电解质中具有浓度为10-3mol/L的有机分子的溶液(例如，0.1mol/L的四丁基六氟磷酸铵)的循环伏安图。在室温(即，(近似)20℃)下并且在氮气氛下使用三电极组件(工作电极和对电极：Pt线，参比电极：Pt线)进行测量，并且使用FeCp2/FeCp2 +作为内标进行校准。使用二茂铁作为内标对SCE校正HOMO数据和LUMO数据。
密度泛函理论计算
采用BP86泛函和一致性检验方法(RI，resolution of identity approach)优化分子结构。采用时间依赖DFT(TD-DFT)法使用(BP86)优化的结构计算激发能量。使用Def2-SVP基组和用于数值积分法的m4网格。Turbomole程序包用于全部计算。用B3LYP泛函计算轨道和激发态能量。然而，在此，轨道和激发态能量优选地如上所述实验地确定。已经实验地确定了在此所报告的全部轨道和激发态能量(见实验结果)。
光物理测量
样品预处理：真空蒸发。
如前所述，可以包括在根据本发明的有机电致发光器件的发光层B中的各个化合物(例如，有机分子或过渡金属配合物)(例如，主体材料HB、TADF材料EB、磷光材料PB或小FWHM发射体SB)的光物理测量通常使用旋涂纯膜(在主体材料HB的情况下)或在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中的相应的材料的旋涂膜(例如，对于TADF材料EB、磷光材料PB和小FWHM发射体SB)来进行。这些膜是旋涂膜，除非对于特定测量不同地陈述，否则对于TADF材料EB和对于磷光材料PB，材料在PMMA膜中的浓度是10重量％，或者对于小FWHM发射体SB，材料在PMMA膜中的浓度是1重量％至5重量％，优选地，2重量％。可选择地，如前所述，一些光物理测量也可以通过相应的分子的溶液(例如，在二氯甲烷或甲苯中)来进行，其中，通常选择溶液的浓度使得最大吸光度优选地在0.1至0.5的范围内。
设备：Spin150，SPS euro。
样品浓度是1.0mg/mL，通常溶解在作为合适的溶剂的甲苯/DCM中。
程序：在2000U/min下7秒至30秒。在涂覆之后，将膜在70℃下干燥1分钟。
为了进一步研究如存在于(根据本发明或对比示例的)有机电致发光器件的EML中的某些材料的组成的目的，通过在石英基底上真空沉积50nm的相应的发光层B，通过用于器件制造的相同材料来制作用于光物理测量的样品。样品的光物理表征在氮气氛下进行。
吸收测量
使用Thermo Scientific Evolution 201UV-可见分光光度计来确定样品在270nm以上的波长区域中的吸收最大值的波长。所述波长用作用于光致发光光谱和量子产率测量的激发波长。
光致发光光谱
使用配备有150W氙弧灯、激发和发射单色器的Horiba Scientific,ModellFluoroMax-4来记录稳态发射光谱。将样品放置在比色皿中并且在测量期间用氮冲洗。
光致发光量子产率测量
对于光致发光量子产率(PLQY)测量，使用积分球、绝对PL量子产率测量C9920-03G系统(Hamamatsu Photonics)。在整个测量中将样品保持在氮气氛下。使用软件U6039-05来确定量子产率并且以％给出。使用等式计算产率：
Figure BDA0004134659910002851
其中，n光子表示光子计数，Int.是强度。为了质量保证，使用乙醇中的蒽(已知浓度)作为参考。
TCSPC(时间相关单光子计数)
除非在某些实施例或分析的上下文中另有说明，否则采用配备有发射单色器、作为检测器单元的温度稳定的光电倍增管和作为激发源的脉冲LED(310nm中心波长，910ps脉冲宽度)的Edinburgh Instruments FS5荧光分光光度计来确定激发态粒子数动力学(excited state population dynamics)。将样品放置在比色皿中并且在测量期间用氮冲洗。
为了确定所测量的瞬态光致发光信号的平均衰减时间
Figure BDA0004134659910002854
用n个指数函数的总和拟合数据：
Figure BDA0004134659910002852
其中，n是在1与3之间的整数。通过将特定的衰减时间常数τi与对应的幅值Ai加权，确定激发态寿命
Figure BDA0004134659910002855
Figure BDA0004134659910002853
该方法可以用于荧光材料和磷光材料以确定激发态寿命。对于TADF材料，需要收集如下所述的全衰减动力学。
全衰减动力学
通过在4个时间窗：200ns、1μs和20μs以及跨越>80μs的更长测量中进行TCSPC测量来实现在时间和信号强度上在几个数量级上的全激发态粒子数衰减动力学。然后以以下方式处理所测量的时间曲线：
通过在激发和减去之前确定平均信号水平来应用背景校正。
通过将主信号的初始上升作为参考来对准时间轴。
使用重叠的测量时间区域将曲线缩放到彼此上。
将所处理的曲线合并为一条曲线。
分别使用即时荧光(PF)和延迟荧光(DF)衰减的单指数和双指数拟合进行数据分析。通过将拟合得到的特定衰减时间常数τi与对应的幅值Ai加权，可以如下分别确定即时(即，即时荧光寿命)和延迟荧光(即，延迟荧光寿命)的平均寿命
Figure BDA0004134659910002861
Figure BDA0004134659910002862
其中，n是1或2。
通过相应的光致发光随时间衰减的积分来计算延迟荧光和即时荧光的比(n值)。
Figure BDA0004134659910002863
具有光谱分辨率的瞬态光致发光测量
在具有光谱分辨率的瞬态光致发光(PL)测量中，记录在脉冲光激发之后在规定延迟时间处的PL光谱。
用于测量瞬态PL光谱的示例性装置包括：
具有355nm的中心波长和1ns的脉冲宽度的脉冲激光器(eMOPA，CryLas)，用于激发样品。
构造为容纳可以用氮抽空或冲洗的样品的样品室。
光谱仪(SpectraPro HRS)，用于分散从样品发射的光。
具有与脉冲激光器同步的集成时序发生器的CCD照相机(Princeton InstrumentsPI-MAX4)，用于对分散的发射光进行波长分辨探测。
被构造为分析从CCD照相机输入到其中的信号的个人计算机。
在测量过程中，样品被放置在样品室中，并且用脉冲激光器照射。在相对于激光脉冲的照射方向90度的方向上获取来自样品的发射光。它被光谱仪分散并且被引导到检测器(示例性装置中的CCD照相机)上，从而获得波长分辨发射光谱。激光照射与检测之间的时间延迟以及检测的持续时间(即，控制时间(gate time))由时序发生器控制。
应注意的是，瞬态光致发光可以由与示例性装置中描述的装置不同的装置来测量。
有机电致发光器件的制造和表征
可以经由真空沉积法来制造包括根据发明的有机分子的OLED器件。如果层包含大于一个的化合物，则一个或更多个化合物的重量百分比以％给出。总重量百分比值是100％，因此如果未给出值，则该化合物的分数等于给定值与100％之间的差。
使用标准方法并且测量电致发光光谱、依赖于强度的外量子效率(以％计)对未完全地优化的OLED进行表征，依赖于强度的外量子效率(以％计)是使用由光电二极管检测的光和电流计算的。器件的FWHM是通过如先前针对光致发光光谱(荧光或磷光)所陈述的电致发光光谱来确定。报告的FWHM指主发射峰(即，具有最高发射强度的峰)。OLED器件寿命是通过在恒定电流密度下操作期间的亮度的改变提取的。LT50值与测量的亮度降低至初始亮度的50％的时间点对应，类似地，LT80值与测量的亮度降低至初始亮度的80％的时间点对应，LT97值与测量的亮度降低至初始亮度的97％的时间点对应等。
(例如，应用增大的电流密度)进行加速寿命测量。示例性地，使用以下等式确定在500cd/m2下的LT80值：
Figure BDA0004134659910002871
其中，L0表示施加电流密度下的初始亮度。该值与几个(典型地两个至八个)像素的平均值对应。
实验结果
堆叠材料
Figure BDA0004134659910002872
Figure BDA0004134659910002881
TTA材料
Figure BDA0004134659910002882
表1TTA.TTA材料的性质。
Figure BDA0004134659910002883
1在纯膜中测量。
主体材料HB
Figure BDA0004134659910002884
表1H.主体材料的性质。
Figure BDA0004134659910002885
Figure BDA0004134659910002891
可以被选择为TADF材料EB或激发能量转移组分EET-2的TADF材料EB
Figure BDA0004134659910002892
表1E.TADF材料EB的性质
Figure BDA0004134659910002893
可以被选择为激发能量转移组分EET-2的磷光材料PB
Figure BDA0004134659910002894
表1P.磷光材料的性质。
Figure BDA0004134659910002895
其中，
Figure BDA0004134659910002896
是最低未占分子轨道的能量，其通过循环伏安法确定。c发射光谱通过0.001mg/mL PB-3在甲苯中的溶液记录。
小FWHM发射体SB
Figure BDA0004134659910002901
表1S.小FWHM发射体SB的性质。
Figure BDA0004134659910002902
Figure BDA0004134659910002911
表2.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定1。
Figure BDA0004134659910002912
结果I：EET-2是发光层B(发射层5)中的磷光材料PB器件D1的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004134659910002913
使用来自表2的设定1，其中，mCBP(HB-1)用作主体材料HB，EB-1用作TADF材料EB，PB-3用作激发能量转移组分EET-2(这里示例性地为磷光材料PB)，并且SB-15用作小FWHM发射体SB。
器件结果I
Figure BDA0004134659910002921
表3.示例性有机电致发光器件(OLED)的设定2。
Figure BDA0004134659910002922
结果II：EET-2是发光层B(发射层6)和与发光层B相邻的激子管理层EXL中的磷光材料PB
器件D2的发光层B的组成(百分比指重量百分比)：
Figure BDA0004134659910002923
Figure BDA0004134659910002931
使用来自表3的设定2，其中，mCBP(HB-1)用作主体材料HB，EB-1用作TADF材料EB，PB-3用作激发能量转移组分EET-2(这里示例性地为磷光材料PB)，并且SB-15用作小FWHM发射体SB。
器件结果II
Figure BDA0004134659910002932

Claims (15)

1.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括发光层B，所述发光层B包括以下组分：
(i)TADF材料EB，具有最低激发单重态能级E(S1E)和最低激发三重态能级E(T1E)；
(ii)小半峰全宽(FWHM)发射体SB，具有最低激发单重态能级E(S1S)和最低激发三重态能级E(T1S)，其中，SB发射具有在440nm与480nm之间的发射最大值并且具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)的光；以及
(iii)主体材料HB，具有最低激发单重态能级E(S1H)和最低激发三重态能级E(T1H)；
其中，所述有机电致发光包括与所述发光层B相邻的激子管理层EXL，所述激子管理层EXL包括三重态-三重态湮灭(TTA)材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层EXL具有小于15nm的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层EXL具有小于10nm的厚度。
4.根据权利要求1至3中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述TTA材料包括由式4表示的结构：
Figure FDA0004134659890000011
其中，
每个Ar独立地选自于由以下组成的组：C6-C60芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C3-C57杂芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；并且
每个A1独立地选自于由以下组成的组：氢；氘；C6-C60芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；C3-C57杂芳基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基；以及C1-C40(杂)烷基，可选地取代有选自于由C6-C60芳基、C3-C57杂芳基、卤素和C1-C40(杂)烷基组成的组中的一个或更多个残基。
5.根据权利要求1至4中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述相邻层EXL包括至少一个附加发射体。
6.根据权利要求1至5中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述相邻层和所述发光层B中的发射体两者是小半峰全宽(FWHM)发射体SB，所述小半峰全宽(FWHM)发射体SB发射具有小于或等于0.25eV的半峰全宽(FWHM)且具有在440nm与480nm之间的发射最大值的光。
7.根据权利要求1至6中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述发光层B还包括以下组分：
(iv)激发能量转移组分EET-2，具有最低激发单重态能级E(S1EET-2)和最低激发三重态能级E(T1EET-2)；并且所述激发能量转移组分EET-2选自于由TADF材料和磷光材料组成的组。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其中，EET-2是磷光材料。
9.根据权利要求1至8中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述小FWHM发射体SB满足以下要求中的至少一个：
(i)它是含硼(B)发射体，这意指每个小FWHM发射体SB内的至少一个原子是硼(B)；并且/或者
(ii)它包括多环芳香族或杂芳香族核结构，其中，至少两个芳香环稠合在一起(诸如以蒽、芘或其氮杂衍生物为例)。
10.根据权利要求1至9中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，每个TADF材料EB：
(i)特征在于表现出小于0.4eV的ΔEST值，所述ΔEST值对应于所述最低激发单重态能量E(S1E)与所述最低激发三重态能量E(T1E)之间的能量差；并且
(ii)显示出大于30％的光致发光量子产率(PLQY)。
11.根据权利要求1至10中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，满足以下条件中的一个：
(i)E(T1EET-2)>E(T1E)，并且E(T1EET-2)–E(S1E)≤0.3eV；或者
(ii)E(T1E)>E(T1EET-2)，并且E(T1E)–E(S1E)≤0.3eV。
12.根据权利要求1至11中一项或更多项所述的有机电致发光器件，其中，所述激子管理层EXL位于所述有机电致发光器件的所述发光层B和阳极之间。
13.一种用于产生根据权利要求1至12中任一项所述的有机电致发光器件的方法，所述包括以下步骤：
(i)经由真空沉积蒸发发光层B；以及
(ii)经由真空沉积蒸发激子管理层EXL，
其中，所述步骤(i)和所述步骤(ii)彼此相继进行，并且
所述步骤(i)和所述步骤(ii)的顺序能够颠倒。
14.一种用于产生光的方法，所述方法包括以下步骤：
(i)提供根据权利要求1至12中任一项所述的或通过权利要求13所述的方法能获得的有机电致发光器件；以及
(ii)将电流施加到所述有机电致发光器件。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法用于产生具有在440nm至480nm的波长内的主发射峰的发射最大值的光。
CN202180064322.0A 2020-09-18 2021-09-17 发射蓝光的有机电致发光器件 Pending CN116235645A (zh)

Applications Claiming Priority (35)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20197072 2020-09-18
EP20197074 2020-09-18
EP20197071.2 2020-09-18
EP20197072.0 2020-09-18
EP20197071 2020-09-18
EP20197075.3 2020-09-18
EP20197073.8 2020-09-18
EP20197073 2020-09-18
EP20197076 2020-09-18
EP20197076.1 2020-09-18
EP20197075 2020-09-18
EP20197074.6 2020-09-18
EP20197588 2020-09-22
EP20197589 2020-09-22
EP20197589.3 2020-09-22
EP20197588.5 2020-09-22
EP20217041.1 2020-12-23
EP20217041 2020-12-23
EP21170783.1 2021-04-27
EP21170776.5 2021-04-27
EP21170776 2021-04-27
EP21170783 2021-04-27
EP21170779.9 2021-04-27
EP21170775.7 2021-04-27
EP21170779 2021-04-27
EP21170775 2021-04-27
EP21184616 2021-07-08
EP21184619 2021-07-08
EP21184619.1 2021-07-08
EP21184616.7 2021-07-08
EP21185402 2021-07-13
EP21185402.1 2021-07-13
EP21186615 2021-07-20
EP21186615.7 2021-07-20
PCT/EP2021/075655 WO2022058523A1 (en) 2020-09-18 2021-09-17 Organic electroluminescent device emitting blue light

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116235645A true CN116235645A (zh) 2023-06-06

Family

ID=78049190

Family Applications (15)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180064207.3A Pending CN116326240A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063847.2A Pending CN116368957A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064229.XA Pending CN116235646A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064334.3A Pending CN116261921A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064322.0A Pending CN116235645A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 发射蓝光的有机电致发光器件
CN202180063835.XA Pending CN116235648A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063926.3A Pending CN116235643A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 发射绿光的有机电致发光器件
CN202180064324.XA Pending CN116235647A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064299.5A Pending CN116391456A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064156.4A Pending CN116261920A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063829.4A Pending CN116261919A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064202.0A Pending CN116264871A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 发射蓝光的有机电致发光器件
CN202180064226.6A Pending CN116210360A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063466.4A Pending CN116368956A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064271.1A Pending CN116235644A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180064207.3A Pending CN116326240A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063847.2A Pending CN116368957A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064229.XA Pending CN116235646A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064334.3A Pending CN116261921A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件

Family Applications After (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180063835.XA Pending CN116235648A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063926.3A Pending CN116235643A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 发射绿光的有机电致发光器件
CN202180064324.XA Pending CN116235647A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064299.5A Pending CN116391456A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064156.4A Pending CN116261920A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063829.4A Pending CN116261919A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064202.0A Pending CN116264871A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 发射蓝光的有机电致发光器件
CN202180064226.6A Pending CN116210360A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180063466.4A Pending CN116368956A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件
CN202180064271.1A Pending CN116235644A (zh) 2020-09-18 2021-09-17 有机电致发光器件

Country Status (6)

Country Link
US (15) US20230371294A1 (zh)
EP (15) EP4214772A1 (zh)
JP (15) JP2023543421A (zh)
KR (15) KR20230068381A (zh)
CN (15) CN116326240A (zh)
WO (15) WO2022058515A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9434072B2 (en) 2012-06-21 2016-09-06 Rethink Robotics, Inc. Vision-guided robots and methods of training them
JP2023050136A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 住友化学株式会社 組成物及びそれを含有する発光素子
EP4335846A1 (en) * 2022-06-30 2024-03-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20240188316A1 (en) * 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Family Cites Families (144)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
EP1881050B1 (en) 2000-11-30 2013-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Luminescence device and display apparatus
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
US6579630B2 (en) 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP4438042B2 (ja) 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP4307001B2 (ja) 2001-03-14 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
DE10116962A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
DE10238903A1 (de) 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
KR100686268B1 (ko) 2002-08-27 2007-02-28 후지필름 가부시키가이샤 유기금속 착체, 유기 ｅｌ 소자 및 유기 ｅｌ 디스플레이
WO2004093207A2 (de) 2003-04-15 2004-10-28 Covion Organic Semiconductors Gmbh Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen
US7740955B2 (en) 2003-04-23 2010-06-22 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent device and display
EP1647554B1 (en) 2003-07-22 2011-08-31 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Iridiumorganic complex and electroluminescent device using same
HU0302888D0 (en) 2003-09-09 2003-11-28 Pribenszky Csaba Dr In creasing of efficacity of stable storage by freezing of embryos in preimplantation stage with pretreatment by pressure
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
CN100445294C (zh) 2003-11-04 2008-12-24 高砂香料工业株式会社 铂络合物及发光元件
US20050123791A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Deaton Joseph C. Organic electroluminescent devices
US7029766B2 (en) 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
KR100880220B1 (ko) 2004-10-04 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 실리콘을 갖는 페닐 피리딘기를 포함하는 이리듐화합물계 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 사용하는유기전계발광소자
JP4478555B2 (ja) 2004-11-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 金属錯体、発光素子及び画像表示装置
US20060134459A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo OLEDs with mixed-ligand cyclometallated complexes
TWI242596B (en) 2004-12-22 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Organometallic compound and organic electroluminescent device including the same
US8492749B2 (en) 2004-12-23 2013-07-23 Basf Se Electroluminescent metal complexes with nucleophilic carbene ligands
DE502006008326D1 (de) 2005-02-03 2010-12-30 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
WO2006117052A1 (de) 2005-05-03 2006-11-09 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung und in deren herstellung verwendete boronsäure- und borinsäure-derivate
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
DE102005043163A1 (de) 2005-09-12 2007-03-15 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
US9023489B2 (en) 2005-11-07 2015-05-05 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR100662378B1 (ko) 2005-11-07 2007-01-02 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
US7462406B2 (en) 2005-11-15 2008-12-09 Eastman Kodak Company OLED devices with dinuclear copper compounds
US20080233410A1 (en) 2005-11-17 2008-09-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transition metal complex compound
JP4593631B2 (ja) 2005-12-01 2010-12-08 新日鐵化学株式会社 有機電界発光素子用化合物及び有機電界発光素子
US7999103B2 (en) 2005-12-15 2011-08-16 Chuo University Metal complex compound and organic electroluminescence device using the compound
EP2399922B1 (en) 2006-02-10 2019-06-26 Universal Display Corporation Metal complexes of cyclometallated imidazo(1,2-f) phenanthridine and diimidazo(1,2-A;1',2'-C)quinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs therof
KR20070097139A (ko) 2006-03-23 2007-10-04 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
JP5273910B2 (ja) 2006-03-31 2013-08-28 キヤノン株式会社 発光素子用有機化合物、発光素子および画像表示装置
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US20070278936A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Norman Herron Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds
US7629158B2 (en) 2006-06-16 2009-12-08 The Procter & Gamble Company Cleaning and/or treatment compositions
US7736756B2 (en) 2006-07-18 2010-06-15 Global Oled Technology Llc Light emitting device containing phosphorescent complex
US8062769B2 (en) 2006-11-09 2011-11-22 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
KR102312855B1 (ko) 2007-03-08 2021-10-14 유니버셜 디스플레이 코포레이션 인광성 물질
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
US8956737B2 (en) 2007-09-27 2015-02-17 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compound and organic electroluminescent device using the same
US8067100B2 (en) 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
KR100950968B1 (ko) 2007-10-18 2010-04-02 에스에프씨 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR100933226B1 (ko) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
US7862908B2 (en) 2007-11-26 2011-01-04 National Tsing Hua University Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use
WO2009073245A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
TWI555734B (zh) 2008-09-16 2016-11-01 環球展覽公司 磷光物質
JP5530695B2 (ja) 2008-10-23 2014-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 有機金属錯体、発光素子、及び電子機器
KR101348699B1 (ko) 2008-10-29 2014-01-08 엘지디스플레이 주식회사 적색 인광 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101506919B1 (ko) 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
JP5701766B2 (ja) 2008-11-11 2015-04-15 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセント素子
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
JP5514800B2 (ja) 2009-02-27 2014-06-04 出光興産株式会社 ピロメテンホウ素錯体化合物及びそれを用いた有機電界発光素子
US8709615B2 (en) 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
TWI770731B (zh) 2009-04-28 2022-07-11 美商環球展覽公司 具有甲基-d3取代之銥錯合物
US8586203B2 (en) 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009048791A1 (de) 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP4039774B1 (en) 2009-12-07 2023-09-20 NIPPON STEEL Chemical & Material Co., Ltd. Organic light-emitting material and organic light-emitting element
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
DE102010009903A1 (de) 2010-03-02 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
US9175211B2 (en) 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
TWI395804B (zh) 2010-05-18 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置及組合物
US20140058099A1 (en) 2011-03-03 2014-02-27 Kyushu University National University Corporation Novel compound, charge transport material, and organic device
WO2012133188A1 (ja) 2011-03-25 2012-10-04 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101298735B1 (ko) 2011-04-06 2013-08-21 한국화학연구원 신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
EP2733762B1 (en) 2011-07-15 2018-11-28 Kyulux, Inc. Organic electroluminescence element and compound used therein
TWI429652B (zh) 2011-08-05 2014-03-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置
US9193745B2 (en) 2011-11-15 2015-11-24 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
KR20140106631A (ko) 2011-12-02 2014-09-03 고쿠리쓰다이가쿠호진 규슈다이가쿠 유기 발광 소자 그리고 그것에 사용하는 지연 형광 재료 및 화합물
TWI490211B (zh) 2011-12-23 2015-07-01 Semiconductor Energy Lab 有機金屬錯合物，發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置
JP2013157552A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc 有機発光素子
US9985215B2 (en) 2012-03-09 2018-05-29 Kyulux, Inc. Light-emitting material, and organic light-emitting element
JP2014135466A (ja) 2012-04-09 2014-07-24 Kyushu Univ 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
CN104271701A (zh) 2012-04-25 2015-01-07 国立大学法人九州大学 发光材料和有机发光元件
US8946697B1 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
TWI612051B (zh) 2013-03-01 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、照明設備
TWI636056B (zh) 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
WO2015135624A1 (de) 2014-03-13 2015-09-17 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
KR102204111B1 (ko) 2014-04-17 2021-01-15 삼성전자주식회사 화합물, 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN105895810B (zh) * 2015-01-26 2018-11-30 北京维信诺科技有限公司 一种热活化敏化磷光有机电致发光器件
US20160230960A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Lg Chem, Ltd. Color conversion film and back light unit and display apparatus comprising the same
US10547009B2 (en) 2015-03-27 2020-01-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element, electronic device and compound
JP6738838B2 (ja) 2015-07-03 2020-08-12 サイノーラ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 有機光電子デバイスに使用するための有機分子
KR102409257B1 (ko) * 2016-04-26 2022-06-14 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 유기 전계 발광 소자
US10205105B2 (en) 2016-08-15 2019-02-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP7038371B2 (ja) 2016-09-07 2022-03-18 学校法人関西学院 多環芳香族化合物
KR102147502B1 (ko) 2016-11-01 2020-08-24 시노라 게엠베하 유기 분자, 특히 유기 광전자 디바이스에 사용하기 위한 유기 분자
JP6888943B2 (ja) 2016-11-17 2021-06-18 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN109792002B (zh) * 2016-11-23 2020-11-20 广州华睿光电材料有限公司 有机混合物、组合物及有机电子器件和应用
JP6720272B2 (ja) 2017-11-08 2020-07-08 サイノラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 特にオプトエレクトロニクスデバイスにおける使用のための有機分子
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2019165101A (ja) 2018-03-19 2019-09-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
CN111902956A (zh) * 2018-03-27 2020-11-06 夏普株式会社 发光装置以及显示装置
US11342506B2 (en) 2018-06-20 2022-05-24 Kwansei Gakuin Educational Foundation Organic electroluminescent element
KR102727054B1 (ko) 2018-06-26 2024-11-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR102692561B1 (ko) 2018-06-26 2024-08-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR102659436B1 (ko) 2018-06-27 2024-04-23 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN109378392B (zh) 2018-09-03 2020-12-08 云谷（固安）科技有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
US11447473B2 (en) 2018-09-06 2022-09-20 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
KR102714927B1 (ko) 2018-09-21 2024-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR102693673B1 (ko) * 2018-10-25 2024-08-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 유기발광장치
US11456428B2 (en) 2018-11-21 2022-09-27 Sfc Co., Ltd. Indolocarbazole derivatives and organic electroluminescent devices using the same
KR102261645B1 (ko) 2018-11-26 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102713389B1 (ko) 2018-11-29 2024-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR102717925B1 (ko) * 2018-12-05 2024-10-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광장치
KR102719524B1 (ko) 2018-12-10 2024-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR102743332B1 (ko) 2018-12-19 2024-12-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7265013B2 (ja) 2018-12-28 2023-04-25 三星ディスプレイ株式會社 有機分子、有機分子の使用、組成物、光電子デバイス及び光電子デバイスを製造するための方法
KR20200087906A (ko) 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
EP3686206B1 (en) 2019-01-23 2021-10-27 Cynora Gmbh Organic molecules for optoelectronic devices
CN109817818B (zh) 2019-01-31 2021-05-04 云谷（固安）科技有限公司 一种有机电致发光器件和显示装置
KR102745909B1 (ko) 2019-02-01 2024-12-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11758807B2 (en) 2019-02-22 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20200119453A (ko) 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2020208051A1 (en) 2019-04-11 2020-10-15 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
US20230083303A1 (en) 2019-04-26 2023-03-16 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Polycyclic compound and an organic electroluminescence device comprising the polycyclic compound or the composition
CN110911575B (zh) 2019-11-29 2023-04-07 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
JPWO2021241677A1 (zh) 2020-05-29 2021-12-02

Also Published As

Publication number Publication date
JP7512522B2 (ja) 2024-07-08
EP4214776A1 (en) 2023-07-26
KR20230070208A (ko) 2023-05-22
US20230345750A1 (en) 2023-10-26
CN116261921A (zh) 2023-06-13
EP4214777A1 (en) 2023-07-26
US20230329024A1 (en) 2023-10-12
EP4214770A1 (en) 2023-07-26
CN116368956A (zh) 2023-06-30
KR20230077725A (ko) 2023-06-01
CN116326240A (zh) 2023-06-23
JP2023542916A (ja) 2023-10-12
KR20230077727A (ko) 2023-06-01
US20230380199A1 (en) 2023-11-23
EP4214768A1 (en) 2023-07-26
CN116235648A (zh) 2023-06-06
US20230329023A1 (en) 2023-10-12
WO2022058510A1 (en) 2022-03-24
EP4214769A1 (en) 2023-07-26
US20230329028A1 (en) 2023-10-12
JP2023541491A (ja) 2023-10-02
CN116235643A (zh) 2023-06-06
CN116235647A (zh) 2023-06-06
EP4214766A1 (en) 2023-07-26
JP2023542915A (ja) 2023-10-12
WO2022058516A2 (en) 2022-03-24
CN116368957A (zh) 2023-06-30
EP4214779A1 (en) 2023-07-26
KR20230070450A (ko) 2023-05-23
EP4214772A1 (en) 2023-07-26
WO2022058525A1 (en) 2022-03-24
JP2023541977A (ja) 2023-10-04
JP2023541975A (ja) 2023-10-04
JP2023543420A (ja) 2023-10-16
WO2022058502A1 (en) 2022-03-24
KR20230068390A (ko) 2023-05-17
CN116235646A (zh) 2023-06-06
US20240032317A1 (en) 2024-01-25
EP4214775A1 (en) 2023-07-26
WO2022058507A1 (en) 2022-03-24
CN116235644A (zh) 2023-06-06
US20230371364A1 (en) 2023-11-16
US20230363195A1 (en) 2023-11-09
CN116210360A (zh) 2023-06-02
US20240074304A1 (en) 2024-02-29
JP2023541974A (ja) 2023-10-04
WO2022058504A1 (en) 2022-03-24
KR20230070213A (ko) 2023-05-22
US20240032420A1 (en) 2024-01-25
US20230329022A1 (en) 2023-10-12
WO2022058523A1 (en) 2022-03-24
US20230345751A1 (en) 2023-10-26
CN116391456A (zh) 2023-07-04
CN116264871A (zh) 2023-06-16
JP2023542011A (ja) 2023-10-04
WO2022058515A1 (en) 2022-03-24
KR20230068392A (ko) 2023-05-17
WO2022058513A1 (en) 2022-03-24
EP4214778A1 (en) 2023-07-26
CN116261919A (zh) 2023-06-13
JP2023541976A (ja) 2023-10-04
JP2023541978A (ja) 2023-10-04
WO2022058524A1 (en) 2022-03-24
WO2022058512A1 (en) 2022-03-24
JP2023543421A (ja) 2023-10-16
WO2022058520A1 (en) 2022-03-24
KR20230074482A (ko) 2023-05-30
WO2022058521A1 (en) 2022-03-24
JP2023543418A (ja) 2023-10-16
US20230329021A1 (en) 2023-10-12
KR20230077726A (ko) 2023-06-01
KR20230068397A (ko) 2023-05-17
KR20230069931A (ko) 2023-05-19
EP4214773A1 (en) 2023-07-26
JP2023543417A (ja) 2023-10-16
KR20230070217A (ko) 2023-05-22
JP2023543419A (ja) 2023-10-16
EP4214774A2 (en) 2023-07-26
EP4214765A1 (en) 2023-07-26
EP4214767A1 (en) 2023-07-26
CN116261920A (zh) 2023-06-13
KR20230100719A (ko) 2023-07-05
US20240049492A1 (en) 2024-02-08
WO2022058501A1 (en) 2022-03-24
WO2022058508A1 (en) 2022-03-24
KR20230068381A (ko) 2023-05-17
JP2023541979A (ja) 2023-10-04
KR20230068395A (ko) 2023-05-17
EP4214771A1 (en) 2023-07-26
WO2022058516A3 (en) 2022-06-16
US20230371294A1 (en) 2023-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI776918B (zh) 有機分子，特別是用於光電子裝置的有機分子
CN109942551A (zh) 有机分子，特别是其在光电设备中的用途
JP7512522B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および光発生方法
CN118215668A (zh) 用于光电器件的有机分子
CN118923232A (zh) 有机电致发光器件
CN118614159A (zh) 用于光电器件中的配合物的配体
CN118574837A (zh) 用于光电器件的有机分子
CN118414341A (zh) 用于光电器件中的配合物的配体
CN117177981A (zh) 用于光电器件的有机分子
CN117980311A (zh) 用于光电器件的有机分子

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination