TW202216953A - 有機電致發光裝置之材料 - Google Patents
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Abstract
本發明係有關一種包括式(H1)的化合物和式(H2)的化合物之組成物。本發明進一步有關一種包括包含式(H1)和式(H2)的化合物之組成物及溶劑之調合物。最後，本發明係有關一種包括該組成物的電子裝置。
Description
本發明係有關一種包括式(H1)的化合物和式(H2)的化合物之組成物。本發明進一步有關一種包括包含式(H1)和式(H2)的化合物之組成物及溶劑之調合物。最後，本發明係有關一種包括該組成物的電子裝置。
發展用於電子裝置之功能性化合物是目前深入研究的主題。目標尤其是發展可改良電子裝置的一或多個相關性質之化合物，例如，裝置的功率效率和壽命及所發射的光的色座標。
根據本發明，用語“電子裝置”尤其是指有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場淬滅裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-雷射)和有機電致發光裝置(OLED)。
最有興趣的是提供可用於最後提及之稱為OLED的電子裝置之化合物。OLED的一般結構和功能原理已為熟悉此項技術之人士所習知，且已揭示於，例如，US 4539507。
OLED的性能數據仍需要進一步的改良，特別是就廣泛商業使用的觀點而言，例如用於顯示裝置或用作為光源。關於此點，特別重要的是OLED的壽命、效率和操作電壓，以及所達到的色值。特別地，在藍光OLED的情況，仍有改良裝置的效率、壽命和操作電壓的可能性。
達成上述改良的重要起點是發光體化合物的選擇及主體化合物的選擇。事實上，發光體化合物通常是與第二化合物組合一起用於發光層，該第二化合物係用作為基質化合物或主體化合物。本文中，發光體化合物意指在電子裝置操作期間發射光的化合物。在此情況，主體化合物意指在混合物中以大於該發光體化合物的比率存在之化合物。用語“基質化合物”和用語“主體化合物”可同義地使用。主體化合物較佳不發射光。即使數個不同的主體化合物存在於發光層的混合物中，其個別比率通常大於發光體化合物的比率，或如果數個發光體化合物存在於發光層的混合物，則大於個別發光體化合物的比率。此種體系已揭示於例如US 4769292中的螢光發光層。
如果數個化合物的混合物存在於發光層，則發光體化合物通常是比率較小的組份，即，其比率小於發光層的混合物中的其他化合物之比率。在此情況，發光體化合物亦指摻雜物。
用於螢光發光體的主體化合物在先前技術中已知有數種化合物。發光層可包括一或多種主體化合物。包括菲(phenanthrene)基團的主體化合物已揭示於先前技術(例如WO 2009/100925)。包括二苯並呋喃和蒽基基團的主體化合物亦已揭示於先前技術(例如KR 10-2017-0096860和CN 109867646)。
然而，對於可用於OLED且使得OLED在壽命、色彩發射和效率方面具有非常好的性質之用於螢光發光體的其他主體材料仍有需求。更特別地，對於組合非常高的效率、非常好的壽命和非常好的熱安定性之用於螢光發光體的主體材料仍有需求。
此外，吾人已知OLED可包括不同的層，其可利用氣相沉積法於真空室中施加或利用溶液加工的方式施加。基於氣相沉積的方法可得到非常好的結果，但是其可能複雜且昂貴。因此，仍然需要包括可簡單且可信賴地由溶液加工的OLED材料之組成物。更特別地，仍然需要當由調合物加工(更特別是由例如油墨的溶液加工)以製造OLED時可沉積成均勻的膜之包括OLED材料的組成物。在此情況，所述之材料在包含彼的溶液中應具有良好的溶解度，且包括OLED材料的沉積膜在移除溶劑的乾燥步驟後應儘可能的平滑。重要的是，沉積層形成平滑且均勻的膜，因為不均勻的層厚度會造成亮度分佈不均勻，且膜厚度較薄的區域會顯現增加的亮度，而較厚的區域會顯現減少的亮度，如此導致OLED的品質下降。同時，包括由溶液加工的膜之OLED應會展現出良好的性能，例如壽命、操作電壓和效率。
此外，仍然需要可得到容易純化且容易加工之穩定的OLED材料之方法。仍然需要經由提供具有可接受的純度及高產率的OLED材料之經濟上和品質上有興趣的方法。本發明因此係基於提供包括適合用於電子裝置(例如OLED)，更特別是用作為螢光發光體的基質組份之OLED材料的組成物之技術目標。本發明亦是基於提供包括特別適合於溶液加工的OLED材料之組成物的技術目標。本發明亦是基於提供製造方法之技術目標。
在針對用於電子裝置之新穎組成物進行研究時，目前已發現，如下所定義之包括式(H1)的化合物和式(H2)的化合物之組成物極優異地適合用於電子裝置。特別地，其可達成一或多個，較佳是全部，上文所述之技術目標。
本發明因此係有關一種包括式(H1)的化合物和式(H2)的化合物之組成物，
其中符號和指數的定義如下：
E 表示O或S，較佳是O；
X 在每次出現時相同或不同地表示CR
X或N；或當X鍵結至基團Ar
S或Ar
1時，X是C；
Z 在每次出現時相同或不同地表示CR
Z或N；或當Z鍵結至基團Ar
S或Ar
3時，Z是C；
Ar
1在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子的芳基或雜芳基，其在每個情況亦可經一或多個基團R
V取代；
Ar
3在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子的芳基或雜芳基，其在每個情況亦可經一或多個基團R
Y取代；
Ar
2、Ar
4、Ar
S在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在每個情況亦可經一或多個基團R取代；
R
V、R
X、R
Y、R
Z在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)
2、S(=O)Ar、S(=O)
2Ar、N(R)
2、N(Ar)
2、NO
2、Si(R)
3、B(OR)
2、OSO
2R、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R)
2、Ge(R)
2、Sn(R)
2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO
2、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO
2置換)、具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)、或具有5至60個芳族環原子的芳氧基(其可經一或多個基團R取代)；其中二個基團R
V、二個基團R
X、二個基團R
Y、二個基團R
Z可一起形成脂族、芳族或雜芳族環系統(其可經一或多個基團R取代)；
R 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)
2、S(=O)Ar、S(=O)
2Ar、N(R’)
2、N(Ar)
2、NO
2、Si(R’)
3、B(OR’)
2、OSO
2R’、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R’取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經R’C=CR’、C≡C、Si(R’)
2、Ge(R’)
2、Sn(R’)
2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R’)、SO、SO
2、O、S或CONR’置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO
2置換)、具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R’取代)、或具有5至60個芳族環原子的芳氧基(其可經一或多個基團R’取代)；其中二基團R可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R’取代)；
Ar 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R’取代)；
R’ 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經SO、SO
2、O、S置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換)、或具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統；及
a、b、c和d 在每次出現時相同或不同地為0或1；其中：
當a或b是0時，則對應的Ar
S不存在，且基團Ar
1直接鍵結至基團X，
當c或d是0時，則對應的Ar
S不存在，且基團Ar
3直接鍵結至基團Z；
p、q、r和s 相同或不同地表示1、2或3。
此外，基於本發明的目的，化學基團的定義如下所示：
芳基就本發明的意義包含6至60個芳族環原子，較佳6至40個芳族環原子，更佳6至20個芳族環原子；雜芳基就本發明的意義包含5至60個芳族環原子，較佳5至40個芳族環原子，更佳5至20個芳族環原子，其中至少一者是雜原子。雜原子較佳是選自N、O和S。此為基本的定義。當本發明的揭示內容提及其他優先定義，例如關於所存在的芳族環原子或雜原子的數目，則採用這些優先定義。
芳基或雜芳基在本文中意指簡單的芳族環(即苯)、或簡單的雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)、或稠合的(annellated)芳族或雜芳族多環(例如萘、菲(phenanthrene)、喹啉或咔唑。稠合的(annellated)芳族或雜芳族多環就本發明的意義係由二或多個彼此相互稠合之簡單的芳族或雜芳族環組成。
在每個情況可經上述的基團取代且可以任何所欲的位置連結至芳族或雜芳族環系統之芳基或雜芳基尤其意指由下列衍生的基團：苯、萘、蒽、菲、芘(pyrene)、二氫芘(dihydropyrene)、
(chrysene)、苝(perylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、苯並蒽(benzanthracene)、苯並菲(benzophenanthrene)、稠四苯(tetracene)、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶(phenanthridine)、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、吩噻嗪(phenothiazine)、吩噁嗪(phenoxazine)、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑(naphthimidazole)、菲並咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶並咪唑、吡嗪並咪唑、喹噁啉並咪唑、噁唑、苯並噁唑、萘並噁唑(naphthoxazole)、蒽並噁唑(anthroxazole)、菲並噁唑(phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、吡嗪、吩嗪(phenazine)、萘啶、氮雜咔唑(azacarbazole)、苯並咔啉(benzocarboline)、菲啉(phenanthroline)、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪(indolizine)和苯並噻二唑。
根據本發明的定義，芳氧基意指經由氧原子鍵結之如上所定義的芳基。類似的定義適用於雜芳氧基基團。
芳族環系統就本發明的意義意指環系統包含6至60個C原子，較佳6至40個C原子，更佳6至20個C原子。雜芳族環系統就本發明的意義包含5至60個芳族環原子，較佳5至40個芳族環原子，更佳5至20個芳族環原子，其中至少一者是雜原子。雜原子較佳選自N、O和/或S。芳族或雜芳族環系統就本發明的意義意指不一定只含有芳基或雜芳基而是其中另外地數個芳基或雜芳基基團可經由非芳族單元(較佳少於10%的原子不是H)連結的系統，例如，所述之非芳族單元是，例如，sp
3-混成的C、Si、N或O原子、sp
2-混成的C或N原子或sp-混成的C原子。因此，例如，9,9’-螺二茀、9,9’-二芳基茀、三芳胺、二芳基醚、芪(stilbene)等系統就本發明的意義亦稱為芳族環系統，因為是其中二或多個芳基基團經由例如直鏈或環狀烷基、烯基或炔基或經由矽基連結之系統。此外，二或多個芳基或雜芳基基團彼此經由單鍵鍵結的系統就本發明的意義亦稱為芳族或雜芳族環系統，例如，聯苯、聯三苯(terphenyl)或二苯基三嗪等系統。
具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經如上所定義的基團取代且可經由任何所欲的位置連結至該芳族或雜芳族)特別意指由下列衍生的基團：苯、萘、蒽、苯並蒽(benzanthracene)、菲、苯並菲(benzophenanthrene)、芘(pyrene)、(chrysene)、苝(perylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、稠四苯(naphthacene)、稠五苯、苯並芘、聯苯、二亞苯(biphenylene)、聯三苯(terphenyl)、聯伸三苯(terphenylene)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、二氫菲(dihydrophenanthrene)、二氫芘(dihydropyrene)、四氫芘(tetrahydropyrene)、順式-或反式-茚並茀(cis- or trans-indenofluorene)、三茚並苯(truxene)、異三茚並苯(isotruxene)、螺三茚並苯(spirotruxene)、螺異三茚並苯(spiroisotruxene)、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吲哚並咔唑、茚並咔唑(indenocarbazole)、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶(phenanthridine)、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、吩噻嗪(phenothiazine)、吩噁嗪(phenoxazine)、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑(naphthimidazole)、菲並咪唑(phenanthrimidazole)、吡啶並咪唑、吡嗪並咪唑、喹噁啉並咪唑、噁唑、苯並噁唑、萘並噁唑(naphthoxazole)、蒽並噁唑(anthroxazole)、菲並噁唑(phenanthroxazole)、異噁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、噠嗪、苯並噠嗪、嘧啶、苯並嘧啶、喹噁啉、1,5-二氮雜蒽(1,5-diazaanthracene)、2,7-二氮雜芘(2,7-diazapyrene)、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝(4,5,9,10-tetraazaperylene)、吡嗪、吩嗪(phenazine)、吩噁嗪(phenoxazine)、吩噻嗪(phenothiazine)、螢紅環(fluorubin)、萘啶、氮雜咔唑(azacarbazole)、苯並咔啉(benzocarboline)、菲啉(phenanthroline)、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噁二唑、1,2,5-噁二唑、1,3,4-噁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、喋啶、吲哚嗪(indolizine)和苯並噻二唑，或這些基團的組合。
為了本發明的目的，具有1至40個C原子的直鏈烷基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基或具有2至40個C原子的烯基或炔基(其中，此外，在該基團的定義下，個別H原子或CH
2基團可經上述基團取代)較佳意指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。具有1至40個C原子的烷氧基或烷硫基較佳意指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。
為了本發明的目的，二或多個基團可彼此形成環的定義尤其意指二個基團彼此經由化學鍵連結的情況。此可由下列反應圖說明：
此外，然而，上述的定義亦意指，在該二個基團中之一者表示氫的情況，第二基團係鍵結至該氫原子所鍵結的位置，如此形成環。此可由下列反應圖說明：
當二個基團彼此形成環時，則較佳的是該二個基團是相鄰的基團。相鄰的基團就本發明的意義是指鍵結至彼此直接鍵結的數個原子之基團或鍵結至相同原子的基團。
較佳地，基團Ar
1、Ar
3在每次出現時相同或不同地表示具有10至18個芳族環原子之稠合的芳基。更佳地，基團Ar
1、Ar
3在每次出現時相同或不同地表示蒽、萘、菲、稠四苯(tetracene)、(chrysene)、苯並蒽(benzanthracene)、苯並菲(benzophenanthrene)、芘(pyrene)、苝(perylene)、三亞苯(triphenylene)、苯並芘或1,2-苯並苊(fluoranthene)，其在Ar
1的情況分別可經一或多個基團R
V取代在任何可用的位置，或在Ar
3的情況分別可經一或多個基團R
Y取代在任何可用的位置。非常佳地，基團Ar
1、Ar
3表示蒽基，其在Ar
1的情況可經一或多個基團R
V取代在任何可用的位置，或在Ar
3的情況可經一或多個基團R
Y取代在任何可用的位置。
適合的基團Ar
1和Ar
3之範例是如下表所示之式(Ar1-1)至(Ar1-11)的基團：
其中虛鍵表示與相鄰基團的鍵結；及其中式(Ar1-1)至(Ar1-11)的基團在Ar
1的情況可經基團R
V取代在各個可用的位置，或在Ar
3的情況可經基團R
Y取代在各個可用的位置，其中R
V和R
Y具有與上述相同的定義。
在式(Ar1-1)至(Ar1-11)的基團中，式(Ar1-1)的基團是較佳的。
非常適合的基團Ar
1和Ar
3之範例是如下表所示之式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)的基團：
其中虛鍵表示與相鄰基團的鍵結；及其中式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)的基團在Ar
1的情況可經基團R
V取代在各個可用的位置，或在Ar
3的情況可經基團R
Y取代在各個可用的位置，其中R
V和R
Y具有與上述相同的定義。
在式(Ar1-1-1)至(Ar1-12-1)的基團中，式(Ar1-1-1)的基團是較佳的。
較佳地，式(H2)的化合物係選自式(H2-1)的化合物，
其中：
Y是CR
Y或N；或當Y鍵結至Ar
2、Ar
S或基團Z時，Y是C；其中R
Y及其他符號和指數亦具有與上述相同的定義。
更佳地，式(H2)的化合物係選自式(H2-2-1)、(H2-2-2)和(H2-2-3)的化合物，
其中符號和指數具有與上述相同的定義。
又更佳地，式(H2)的化合物係選自式(H2-3-1)至(H2-3-20)的化合物，
其中符號和指數具有與上述相同的定義。
在式(H2-3-1)至(H2-3-20)中，式(H2-3-1)至(H2-3-11)和(H2-3-13)、(H2-3-14)、(H2-3-16)和(H2-3-17)的主體是較佳的。式(H2-3-1)至(H2-3-11)、(H2-3-16)和(H2-3-17)的主體是非常佳的。式(H2-3-1)至(H2-3-10)的主體是特別佳的。式(H2-3-1)的主體是非常特別佳的。
特別佳地，式(H2)的化合物係選自式(H2-3-30)至(H2-3-49)的化合物，
其中符號和指數具有與上述相同的定義。
在式(H2-3-30)至(H2-3-49)中，式(H2-3-30)至(H2-3-40)和(H2-3-42)、(H2-3-43)、(H2-3-45)和(H2-3-46)的主體是較佳的。式(H2-3-30)至(H2-3-40)、(H2-3-45)和(H2-3-46)的主體是非常佳的。式(H2-3-30)至(H2-3-39)的主體是特別佳的。式(H2-3-30)的主體是非常特別佳的。
較佳地，Z表示CR
Z。
較佳地，Y表示CR
Y。
較佳地，R
Y、R
Z在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經RC=CR、C≡C、O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換)、具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個，特別佳5至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。更佳地，R
Y、R
Z在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個，更佳1至6個C原子的直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個，更佳3至6個C原子的支鏈或環狀烷基(其可分別經一或多個基團R取代)、具有5至40個，較佳5至30個，更佳5至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。
更佳地，Z表示CR
Z，其中R
Z是H。
更佳地，Y表示CR
Y，其中R
Y是H。
較佳地，式(H1)的化合物係選自式(H1-1)的化合物，
其中符號X、Ar
S、Ar
4及指數a和b具有與上述相同的定義；及
V是CR
V或N；或當V鍵結至Ar
4、Ar
S或基團X時，V是C；其中R
V具有與上述相同的定義。
較佳地，該指數a和b等於0，如此，基團Ar
S不存在，且蒽基團直接鍵結至菲基團。
更佳地，式(H1)的化合物係選自式(H1-2)所示的化合物，
其中X、Ar
4和V具有與上述相同的定義。
又更佳地，式(H1)的化合物係選自式(H1-3)的化合物，
其中符號具有與上述相同的定義。
特別佳地，式(H1)的化合物係選自式(H1-4)的化合物，
其中符號具有與上述相同的定義。
非常特別佳地，式(H1)的化合物係選自式(H1-5)的化合物，
其中符號具有與請求項1相同的定義。
非常適合之式(H1-5)的化合物之例子是式(H1-5-1)至(H1-5-4)的化合物，
其中符號具有與上述相同的定義。
較佳地，R
X、R
V在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經RC=CR、C≡C、O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換)、具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個，特別佳5至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。更佳地，R
X、R
V在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個，更佳1至6個C原子的直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個，更佳3至6個C原子的支鏈或環狀烷基(其分別可經一或多個基團R取代)、具有5至40個，較佳5至30個，更佳5至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。
更佳地，R
X、R
V在每次出現時相同或不同地表示H、D、具有1至10個，更佳1至6個C原子的直鏈烷基或具有3至10個，更佳3至6個C原子的支鏈或環狀烷基(其分別可經一或多個基團R取代)、具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。
較佳地，基團Ar
2、Ar
4在每次出現時相同或不同地為選自具有5至30個，較佳5至25個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。更佳地，基團Ar
2、Ar
4係選自由下列組成的群組：苯基、聯苯、聯三苯(terphenyl)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、萘、菲、蒽、三亞苯(triphenylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、稠四苯(tetracene)、(chrysene)、苯並蒽(benzanthracene)、苯並菲(benzophenanthrene)、芘(pyrene)、苝(perylene)、吲哚、苯並呋喃、苯並噻吩、二苯並呋喃、二苯並噻吩、咔唑、茚並咔唑(indenocarbazole)、吲哚並咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、喹啉酮(quinolone)、苯並吡啶、苯並噠嗪、苯並嘧啶、苯並咪唑和喹唑啉，其分別可經一或多個基團R取代；其中Ar
2、Ar
4亦可為前述基團之二或多者的組合。特別佳地，基團Ar
2、Ar
4係選自由下列組成的群組：苯基、聯苯、聯三苯(terphenyl)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、三亞苯(triphenylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、稠四苯(tetracene)、(chrysene)、苯並蒽(benzanthracene)、苯並菲(benzophenanthrene)、芘(pyrene)或苝(perylene)、二苯並呋喃、咔唑和二苯並噻吩，其分別可經一或多個基團R取代在任何可用的位置；及其中Ar
2、Ar
4亦可為前述基團之二或多者的組合。非常特別佳地，基團Ar
2、Ar
4係選自由下列組成的群組：苯基、聯苯、聯三苯(terphenyl)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、三亞苯(triphenylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、二苯並呋喃、咔唑和二苯並噻吩，其分別可經一或多個基團R取代在任何可用的位置；及其中Ar
2、Ar
4亦可為前述基團之二或多者的組合。
適合的基團Ar
2和Ar
4之範例是如下表所示之式(Ar2-1)至(Ar2-27)的基團：
其中虛鍵表示與相鄰基團的鍵結，及其中基團R
0具有與上述相同的定義；及其中式(Ar2-1)至(Ar2-27)的基團可經基團R取代在各個可用的位置，基團R具有與上述相同的定義。
在式(Ar2-1)至(Ar2-27)的基團中，式(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-4)、(Ar2-5)、(Ar2-8)、(Ar2-18)、(Ar2-19)的基團是較佳的。式(Ar2-1)、(Ar2-2)、(Ar2-3)、(Ar2-4)、(Ar2-5)的基團是非常佳的。
較佳地，基團Ar
S在每次出現時相同或不同地表示苯基、聯苯、茀、螺二茀、萘、菲、蒽、二苯並呋喃、二苯並噻吩、咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、三嗪、苯並吡啶、苯並噠嗪、苯並嘧啶和喹唑啉，其分別可經一或多個基團R取代。
適合的基團Ar
S之範例是如下表所示之式(ArS-1)至(ArS-26)的基團：
其中虛鍵表示與式(H1)或(H2)中之相鄰的基團的鍵結；
其中式(ArS-1)至(ArS-26)的基團可經基團R取代在各個可用的位置，基團R具有與上述相同的定義；及
其中基團E在每次出現時相同或不同地選自-BR
0-、 -C(R
0)
2-、-Si(R
0)
2-、-C(=O)-、-O-、-S-、-S(=O)-、-SO
2-、-N(R
0)-、和-P(R
0)-，
其中R
0在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個C原子的支鏈或環狀烷基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換)、或具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R取代)，其中二個相鄰的基團R
0可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R取代)。
在式(ArS-1)至(ArS-26)的基團中，式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)、(ArS-11)和(ArS-12)的基團是較佳的。式(ArS-1)、(ArS-2)、(ArS-3)的基團是非常佳的。
較佳地，R在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、CN、N(Ar)
2、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R’取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經R’C=CR’、C≡C、O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換)、或具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個，特別佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R’取代)。
較佳地，Ar在每次出現時相同或不同地為具有5至40個，較佳5至30個，更佳5至25個，非常更佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R’取代)。
較佳地，R’在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至10個C原子直鏈烷基或具有3至10個C原子的支鏈或環狀烷基(其中在每個情況一或多個H原子可經D或F置換)、或具有5至18個C原子的芳族或雜芳族環系統。
下列化合物是式(H1)的化合物之範例：
下列化合物是式(H2)的化合物之範例：
根據一較佳體系，組成物包括式(H1)的化合物、式(H2)的化合物及至少一種螢光發光體。用語“至少一種螢光發光體”意指“一、二、三或更多種螢光發光體”。
較佳地，組成物包括至少一種螢光發光體，該螢光發光體包括下列基團中之至少一者：
- 含有3個直接鍵結至其氮原子之經取代或未經取代的芳族或雜芳族環系統之芳基胺；
- 橋接的三芳胺；
- 具有至少14個芳族環原子之稠合的芳族或雜芳族環系統；
- 茚並茀(indenofluorene)、茚並茀胺或茚並茀二胺；
- 苯並茚並茀(benzoindonofluorene)、苯並茚並茀胺或苯並茚並茀二胺；
- 二苯並茚並茀(dibenzoindenofluorene)、二苯並茚並茀胺或二苯並茚並茀二胺；
- 包含具有至少10個芳族環原子之稠合的芳基之茚並茀(indenofluorene)；
- 雙茚並茚並茀(bisindenoindenofluorene)；
- 茚並二苯並呋喃；茚並茀胺或茚並茀二胺；
- 茀二聚體；
- 吩噁嗪(phenoxazine)；或
- 硼衍生物。
更佳地，組成物包括至少一種如下式(E-1)、(E-2)、(E-3)或(E-4)中之一者所示的螢光發光體：
其中
Ar
10、Ar
11、Ar
12在每次出現時相同或不同地為具有6至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R取代)；先決條件是至少一個基團Ar
10、Ar
11、Ar
12是具有10至40個芳族環原子且含有至少一個由2至4個彼此稠合的芳族環組成之稠合的芳基或雜芳基之芳族或雜芳族環系統，其中該芳族或雜芳族環系統可經一或多個基團R取代；
R 具有與上述相同的定義；及
e 是1、2、3或4；更佳地，e是1；
其中
Ar
20、Ar
21、Ar
22在每次出現時相同或不同地為具有6至30個芳族環原子的芳基或雜芳基，其在每個情況亦可經一或多個基團R取代；
E
20在每次出現時相同或不同地為選自BR、C(R
0)
2、Si(R
0)
2、C=O、C=NR
0、C=C(R
0)
2、O、S、S=O、SO
2、NR
0、PR
0、P(=O)R
0或P(=S)R
0的基團；其中Ar
20、Ar
21和E
20一起形成5員環或6員環，及Ar
21、Ar
22和E
20一起形成5員環或6員環；
R
0在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個C原子的支鏈或環狀烷基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換)、或具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R取代)，其中二個相鄰的基團R
0可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R取代)；
R 具有與上述相同的定義；
p、q 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件是p+q=1；
r 是1、2或3；
其中
Ar
30、Ar
31、Ar
32在每次出現時相同或不同地表示經取代或未經取代之具有5至22個，較佳5至18個，更佳6至14個芳族環原子的芳基或雜芳基；
E
30表示B或N；
E
31、E
32、E
33在每次出現時相同或不同地表示O、S、C(R
0)
2、C=O、C=S、C=NR
0、C=C(R
0)
2、Si(R
0)
2、BR
0、NR
0、PR
0、SO
2、SeO
2或化學鍵，其先決條件是當E
30是B時，則該基團E
31、E
32、E
33中的至少一者表示NR
0，且當E
30是N時，則該基團E
31、E
32、E
33中的至少一者表示BR
0；
R
0具有與上述相同的定義；
s、t、u 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件是s+t+u≥1；
其中
Ar
40、Ar
41、Ar
42在每次出現時相同或不同地表示經取代或未經取代之具有5至22個，較佳5至18個，更佳6至14個芳族環原子的芳基或雜芳基；
E
41、E
42、E
43在每次出現時相同或不同地表示O、S、C(R
0)
2、C=O、C=S、C=NR
0、C=C(R
0)
2、Si(R
0)
2、BR
0、NR
0、PR
0、SO
2、SeO
2或化學鍵，其先決條件是該基團E
41、E
42、E
43中的至少一者是存在的且表示化學鍵；
R
0具有與上述相同的定義；
i、g、h 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件是i+g+h≥1。
較佳地，式(E-1)的螢光發光體包括至少一個基團Ar
10、Ar
11或Ar
12，較佳是Ar
10，其係選自式(Ar
10-1)至(Ar
10-24)的基團：
其中基團Ar
10-1至Ar
10-24可經一或多個基團R取代在所有可用的位置；及其中
E
10在每次出現時相同或不同地為選自BR
0、C(R
0)
2、Si(R
0)
2、C=O、C=NR
0、C=C(R
0)
2、O、S、S=O、SO
2、NR
0、PR
0、P(=O)R
0或P(=S)R
0的基團，較佳地，E
10是C(R
0)
2；其中R
0具有與上述相同的定義；
E
11在每次出現時相同或不同地為選自C=O、O、S、S=O或SO
2的基團，較佳是O或S，更佳是O；及
Ar
13在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R取代)。
根據一較佳體系，式(E-1)的發光體包括選自式(Ar
10-15)至(Ar
10-22)的基團之基團Ar
10，其中d較佳是等於1，及其中較佳地，至少一個基團Ar
11、Ar
12是選自式(Ar
10-15)至(Ar
10-22)的基團。
根據一非常佳體系，式(E-1)的發光體是選自式(E-1-1)至(E-1-6)的發光體，
其中符號具有與上述相同的定義，及其中：
f 是0、1或2；及
式(E-1-1)至(E-1-6)的化合物中所示出的苯環可經一或多個基團R取代在所有可用的位置。
特別佳地，式(E-1)的化合物係選自式(E-1-1-A)至(E-1-6-A)的化合物，
其中符號和指數具有與上述相同的定義，及其中式(E-1-1-A)至(E-1-6-A)的化合物中所示出的苯環可經一或多個基團R取代在所有可用的位置。
較佳地，式(E-2)的螢光發光體係選自式(E-2-1)至(E-2-43)所示的螢光發光體，
其中式(E-2-1)至(E-2-43)的基團可經一或多個基團R取代在所有可用的位置；及其中E
20具有與上述相同的定義。較佳地，E
20是C(R
0)
2。
式(E-2)的化合物較佳是選自式(E-2-32)至(E-2-43)的化合物。更佳地，式(E-2)的化合物係選自式(E-2-32-A)至(E-2-43-A)的化合物：
其中符號具有與上述相同的定義，及其中式(E-2-32-A)至(E-2-43-A)的化合物中所示出的苯環和萘環可經一或多個基團R取代在所有可用的位置。
較佳地，式(E-3)的螢光發光體是選自式(E-3-1)的螢光發光體，
其中符號和指數具有與上述相同的定義。
更佳地，式(E-3)的螢光發光體是選自式(E-3-2)的螢光發光體，
其中符號E
30至E
33具有與上述相同的定義；其中t是0或1，其中當t是0時，基團E
32不存在，及基團R
10存在，其置換與E
32的鍵結；及其中
R
10在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)
2、S(=O)Ar、S(=O)
2Ar、N(R’)
2、N(Ar)
2、NO
2、Si(R’)
3、B(OR’)
2、OSO
2R’、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R’取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經R’C=CR’、C≡C、Si(R’)
2、Ge(R’)
2、Sn(R’)
2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R’)、SO、SO
2、O、S或CONR’置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO
2置換)、具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R’取代)、或具有5至60個芳族環原子的芳氧基(其可經一或多個基團R’取代)；其中二個相鄰的取代基R
10可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R’取代)；其中R’具有與上述相同的定義。
又更佳地，式(E-3)的螢光發光體是選自式(E-3-3)和(E-3-4)的螢光發光體，
其中符號和指數具有與上述相同的定義。
較佳地，式(E-4)的螢光發光體是選自式(E-4-1)或(E-4-2)的螢光發光體，
其中
E
41和E
42在每次出現時相同或不同地表示O、S、C(R
0)
2、C=O、C=S、C=NR
0、C=C(R
0)
2、Si(R
0)
2、BR
0、NR
0、PR
0、SO
2、SeO
2或化學鍵，其中E
41較佳是一鍵；
R
20在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar)
2、S(=O)Ar、S(=O)
2Ar、N(R’)
2、N(Ar)
2、NO
2、Si(R’)
3、B(OR’)
2、OSO
2R’、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R’取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH
2基團可經R’C=CR’、C≡C、Si(R’)
2、Ge(R’)
2、Sn(R’)
2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R’)、SO、SO
2、O、S或CONR’置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO
2置換)、具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R’取代)、或具有5至60個芳族環原子的芳氧基(其可經一或多個基團R’取代)；其中二個相鄰的取代基R
20可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R’取代)；其中R’具有與上述相同的定義；
g 是0或1。
更佳地，式(E-4)的螢光發光體是選自式(E-4-1-A)或(E-4-2-A)的螢光發光體，
其中符號具有與上述相同的定義。
根據一較佳體系，式(E-1)、(E-2)、(E-3)或(E-4)的螢光發光體包括基團RS，其中該基團RS是選自下列：
- 如下列通式(RS-a)所示之支鏈或環狀烷基基團，
其中
R
22、R
23、R
24在每次出現時相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子的直鏈烷基、或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基(其中上述的基團可分別經一或多個基團R
25取代)，及其中基團R
22、R
23、R
24中之二者或全部基團R
22、R
23、R
24可連結形成(多)環狀烷基(其可經一或多個基團R
25取代)；
R
25在每次出現時相同或不同地選自具有1至10個碳原子的直鏈烷基、或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基；
先決條件是在每次出現時基團R
22、R
23和R
24中之至少一者不是H，其先決條件是在每次出現時全部基團R
22、R
23和R
24一起具有至少4個碳原子，及先決條件是在每次出現時，如果基團R
22、R
23、R
24中之二者是H，則其餘的基團不是直鏈；或
- 如下列通式(RS-b)所示支鏈或環狀烷氧基基團，
其中
R
26、R
27、R
28在每次出現時相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子的直鏈烷基、或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基(其中上述的基團可分別經一或多個如上所定義的基團R
25取代)，及其中基團R
26、R
27、R
28中之二者或全部基團R
26、R
27、R
28可連結形成(多)環狀烷基(其可經一或多個如上所定義的基團R
25取代)；
先決條件是在每次出現時基團R
26、R
27和R
28中只有一者可為H；
- 如下列通式(RS-c)所示之芳烷基基團，
其中
R
29、R
30、R
31在每次出現時相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子的直鏈烷基、或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基(其中上述的基團可分別經一或多個基團R
32取代)、或具有6至30個芳族環原子的芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R
32取代)，及其中基團R
29、R
30、R
31中之二者或全部可連結形成(多)環狀烷基或芳族環系統(其分別可經一或多個基團R
32取代)；
R
32在每次出現時相同或不同地選自具有1至10個碳原子的直鏈烷基、或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基、或具有6至24個芳族環原子的芳族環系統；
先決條件是在每次出現時基團R
29、R
30、R
31中之至少一者不是H，及在每次出現時基團R
29、R
30、R
31中之至少一者是具有至少6個芳族環原子的芳族環系統或含有具有至少6個芳族環原子的芳族環系統；
- 如下列通式(RS-d)所示之芳族環系統，
其中
R
40至R
44在每次出現時相同或不同地選自H、具有1至10個碳原子的直鏈烷基、或具有3至10個碳原子的支鏈或環狀烷基(其中上述的基團可分別經一或多個基團R
32取代)、或具有6至30個芳族環原子的芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R
32取代)，及其中基團R
40至R
44中之二或多者可連結形成(多)環狀烷基或芳族環系統(其分別可經一或多個如上所定義的基團R
32取代)；或
- 如式(RS-e)之基團，
其中
式(RS-e)中的虛鍵表示與螢光發光體的鍵結，其中Ar
50、Ar
51在每次出現時相同或不同地表示具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)；及其中m是選自1至10的整數。
較佳地，式(RS-e)的基團中的指數m是選自1至6的整數，非常佳地是選自1至4的整數。
較佳地，Ar
50、Ar
51在每次出現時相同或不同地表示具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)。更佳地，Ar
50、Ar
51係選自苯基、聯苯、聯三苯(terphenyl)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、三亞苯(triphenylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、二苯並呋喃、咔唑和二苯並噻吩，其在每個情況可經一或多個基團R取代。非常佳地，至少一個基團Ar
50或Ar
51是茀，其可經一或多個基團R取代。
更特別地，較佳的是，至少一個基團Ar
50表示式(Ar50-2)的基團及/或至少一個基團Ar
51表示式(Ar51-2)的基團，
其中
式(Ar50-2)中的虛鍵表示與螢光發光體及與基團Ar
50或Ar
51的鍵結；及式(Ar51-2)中的虛鍵表示與基團Ar
50的鍵結；
E
4係選自-C(R
0a)
2-、-Si(R
0a)
2-、-O-、-S-或-N(R
0a)-，較佳是-C(R
0a)
2；
R
0a在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、CN、具有1至40個，較佳1至20個，更佳1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至40個，較佳3至20個，更佳3至10個C原子的支鏈或環狀烷基(其分別可經一或多個基團R取代)、具有5至60個，較佳5至40個，更佳5至30個，非常佳5至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)；其中二個相鄰的取代基R
0a可形成單環或多環的脂族環系統或芳族環系統(其可經一或多個基團R取代)，其中基團R具有與上述相同的定義；及
式(Ar50-2)和(Ar51-2)的基團可經基團R取代在各個可用的位置，其中基團R具有與上述相同的定義。
基團RS較佳是位在其替換R、R
0或R’的位置。
可用於包括式(H1)和(H2)的化合物之組成物中之螢光發光體的範例是芳族蒽胺、芳族蒽二胺、芳族芘胺、芳族芘二胺、芳族(chrysene)胺或芳族(chrysene)二胺。芳族蒽胺意指一個二芳胺基基團直接鍵結至蒽基基團，較佳鍵結至9-位置之化合物。芳族蒽二胺意指二個二芳胺基基團直接鍵結至蒽基基團，較佳鍵結至9,10-位置之化合物。芳族芘胺、芘二胺、(chrysene)胺和(chrysene)二胺與上述定義相類似，其中二芳胺基基團較佳鍵結至芘的1-位置或1,6-位置。其他較佳的發光體是橋接的三芳胺類，例如根據WO 2019/111971、WO2019/240251和WO 2020/067290。其他較佳的發光體是茚並茀胺類或茚並茀二胺類(例如根據WO 2006/108497或WO 2006/122630)、苯並茚並茀胺類或苯並茚並茀二胺類(例如根據WO 2008/006449)、及二苯並茚並茀胺類或二苯並茚並茀二胺類(例如根據WO 2007/140847)、及含有稠合的芳基基團之茚並茀衍生物(揭示於WO 2010/012328)。又其他較佳的發光體是揭示於WO 2015/158409的苯並蒽(benzanthracene)衍生物、揭示於WO 2017/036573的蒽衍生物、揭示於WO 2016/150544之經由雜芳基基團連結的茀二聚體、或揭示於WO 2017/028940和WO 2017/028941的吩噁嗪(phenoxazine)衍生物。同樣較佳的是揭示於WO 2012/048780和WO 2013/185871的芘芳基胺類。同樣較佳的是揭示於WO 2014/037077的苯並茚並茀胺類、揭示於WO 2014/106522的苯並茀胺類、及揭示於WO 2014/111269或WO 2017/036574、WO 2018/007421的茚並茀類。又較佳的是揭示於WO 2018/095888、WO 2018/095940、WO 2019/076789、WO 2019/170572以及未公開的申請案PCT/EP2019/072697、PCT/EP2019/072670和PCT/EP2019/072662之包括二苯並呋喃或茚並二苯並呋喃基團的發光體。同樣較佳的是揭示於例如WO 2015/102118、CN 108409769、CN 107266484、WO 2017195669、US 2018069182以及未公開的申請案EP 19168728.4、EP 19199326.0和EP 19208643.7之硼衍生物。
對於本發明，非常適合的螢光發光體是揭示於WO 2018/007421的茚並茀衍生物和揭示於WO 2019/076789的二苯並呋喃衍生物。
可用於包括式(H1)和(H2)的化合物的組成物之較佳的發螢光化合物之例子示於下表：
根據本發明，式(H1)的化合物和式(H2)的化合物是一起存在於組成物中，較佳是呈均勻混合物。
較佳地，式(H1)的化合物在根據本發明之組成物中的比例是1-60%，較佳是5-50%，更佳是10-50%，特別佳是5-40%，更特別佳是10-40%，及非常更特別佳是20-40%。
較佳地，式(H2)的化合物在組成物中的比例是30-99%，較佳是50-95%，更佳是50-90%，特別佳是60-95%，更特別佳是60-90%，及非常更特別佳是60-80%。
根據一較佳體系，根據本發明的組成物另外包括至少一種螢光發光體。在此情況，較佳的是，螢光發光體在該組成物中的比例是0.1至50.0%，較佳是0.5至20.0%，特別佳是1.0至10.0%。
為了本發明的目的，當化合物係以氣相應用時，以%表示的比例意指體積%，當化合物係以溶液應用時，以%表示的比例意指重量%。
當本發明化合物以液相處理時，例如利用塗覆法(例如旋塗法)或印刷法，根據本發明的組成物之調合物是必要的。這些調合物可為例如溶液、分散液或乳液。為此目的可能較佳的是使用二或多種溶劑的混合物。溶劑較佳是選自有機和無機溶劑，更佳是有機溶劑。溶劑非常佳地選自烴類、醇類、酯類、醚類、酮類和胺類。適合和較佳的溶劑是例如甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、均三甲苯、四氫化萘(tetralin)、藜蘆醇(veratrole)、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二噁烷、苯氧基甲苯(特別是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮(fenchone)、1,2,3,5-四甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、1-甲基萘、1-乙基萘、癸基苯、苯基萘、異戊酸薄荷酯、異丁酸對甲苯酯、己酸環己酯、對甲基苯甲酸乙酯、鄰甲基苯甲酸乙酯、間甲基苯甲酸乙酯、十氫萘、2-甲氧基苯甲酸乙酯、二丁基苯胺、二環己基酮、異山梨醇二甲醚、十氫萘、2-甲基聯苯、辛酸乙酯、辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、3,3-二甲基聯苯、1,4-二甲基萘、2,2’-二甲基聯苯、2-甲基苯並噻唑、2-苯氧基乙醇、2-吡咯烷酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇(terpineol)、苯並噻唑、苯甲酸丁酯、枯烯、環己醇、環己酮、環己基苯、萘烷、十二烷基苯、苯甲酸乙酯、茚滿(indane)、NMP、對-異丙基甲苯(p-cymene)、苯乙醚(phenetole)、1,4-二異丙基苯、二苄基醚、二乙二醇丁甲醚、三乙二醇丁甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇單丁醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、2-異丙基萘、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷或這些溶劑的混合物。
本發明因此另外係有關一種包括根據本發明之式(H1)的化合物和式(H2)的化合物和至少一種溶劑之調合物。溶劑可為上述溶劑中之一者或這些溶劑的混合物。
有機溶劑在根據本發明的調合物中之比例基於調合物的總重較佳是至少60重量%，較佳是至少70重量%，更較佳是至少80重量%。
根據本發明的調合物可用於製造一層或多層結構，其中依據製造較佳的電子或光電組件(例如OLED)之要求，有機功能材料可存在於數個層中。
本發明的調合物可較佳用於將包括根據本發明的組成物之功能層形成於基板上或形成於施加於該基板上的數個層中之一層上。
本發明的又另一目標是一種製造電子裝置的方法，其中至少一個層是由施加本發明的調合物而得到。較佳地，根據本發明的調合物係施加於一基板或另一層上，及接著乾燥。
由根據本發明的調合物得到的功能層可藉由以例如溢流塗覆法(flood coating)、浸塗法、噴塗法、旋塗法、網版印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、滾筒印刷法、輥塗法、柔版印刷法、膠版印刷法或噴嘴印刷法，較佳是噴墨印刷法，施加於基板上或施加於已先施加於該基板上的數個層中的一個層上而得到。
在將根據本發明的調合物施加至基板或施加至已先施加的功能層之後，可進行乾燥步驟以移除溶劑。較佳地，乾燥步驟包括真空乾燥，之後較佳接著進行層的退火。真空乾燥在此可較佳在10
-7mbar至1 bar的壓力範圍內，特別佳是在10
-6mbar至1 bar的壓力範圍內進行。真空乾燥較佳是在10至50℃，更佳15至30℃的溫度範圍內進行。真空乾燥步驟之後較佳接著進行層的熱退火。層的熱退火較佳在120℃至180℃，較佳130℃至170℃，更佳140℃至160℃的溫度下進行。
因此，本發明係有關一種製造電子裝置的方法，該電子裝置包括至少一個包含根據本發明的組成物之層，其中該方法包括下列步驟：
a) 製備根據本發明的調合物；
b) 將步驟a)中製備的該調合物施加至基板上或另一層上以形成一個包括根據本發明的組成物之層；
c) 乾燥該層以移除該溶劑。
較佳地，在步驟b)中，該調合物係藉由液相處理而施加，更佳是經由塗覆法或印刷法，非常更佳的是利用印刷法，特別佳的是利用噴墨印刷法。
本發明的另一目標是電子裝置，其包括陽極、陰極和介於二者之間的至少一個功能層，其中該功能層包括根據本發明的組成物。較佳地，包括根據本發明的組成物之該至少一個功能層是發光層。
電子裝置較佳是選自有機電致發光裝置(OLED)、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體和有機電漿子發光裝置。更佳地，電子裝置是有機電致發光裝置(OLED)。
有機電致發光裝置包括陰極、陽極和至少一個發光層，其包括根據本發明的組成物。除了這些層外，其亦可包括其他的層，例如在每個情況，一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層和/或電荷產生層。同樣可能的是在二個發光層之間導入中間層，其具有例如激子阻擋功能。然而，須指明的是，這些層之每一者不是必須存在。有機電致發光裝置在此可包括一個發光層或數個發光層。如果存在有數個發光層，則這些發光層較佳在380 nm和750 nm之間總共具有數個發光最大值，導致整體為白色發光，即，多種可以發射螢光或磷光的發光化合物係用於發光層中。特別佳的是3層發光層的系統，其中該3層展現出藍色、綠色和橙或紅色發光(基本結構請參見例如WO 2005/011013)。這些可為螢光或磷光發光層或混合系統，其中螢光和磷光發光層可彼此相互組合。
所述的電子裝置可包括包含根據本發明的組成物之單一個發光層，或其可包括二或多個發光層。
根據本發明的組成物可包括一或多個其他基質材料。
較佳的其他基質材料是選自寡伸芳烴類(例如根據EP 676461的2,2’,7,7’-四苯基螺二茀或二萘基蒽)，特別是含有稠合的芳族基團之寡伸芳烴類、寡伸芳烴乙烯類(例如根據EP 676461的DPVBi或螺-DPVBi)、多足金屬錯合物(例如根據WO 2004/081017)、電洞傳導性化合物(例如根據WO 2004/058911)、電子傳導性化合物(特別是酮類、膦氧化物、亞碸類等，例如根據WO 2005/084081和WO 2005/084082)、位阻異構物(atropisomer) (例如根據WO 2006/048268)、硼酸衍生物(例如根據WO 2006/117052)、或苯並蒽類(例如根據WO 2008/145239)。特別佳的基質材料是選自寡伸芳烴類(包括萘、蒽、苯並蒽和/或芘或這些化合物的位阻異構物)、寡伸芳烴乙烯類、酮類、膦氧化物和亞碸類。非常特別佳的基質材料是選自寡伸芳烴類，包括蒽、苯並蒽、苯並菲和/或芘或這些化合物的位阻異構物。寡伸芳烴就本發明的意義意指至少3個芳基或伸芳基基團彼此鍵結在一起的化合物。
在根據本發明的有機電致發光裝置中用作為對應的功能性材料之材料的通常較佳的類型示於下文。
可用於根據本發明的電子裝置中之電洞注入層或電洞傳輸層或電子阻擋層或電子傳輸層之適合的電荷傳輸材料是例如Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010中所揭示的化合物、或根據先前技術可應用於這些層的其他材料。
可用於電子傳輸層的材料是先前技術中可於電子傳輸層中用作為電子傳輸材料之所有材料。特別適合的是鋁錯合物(例如Alq
3)、鋯錯合物(例如Zrq
4)、鋰錯合物(例如LiQ)、苯並咪唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、喹噁啉衍生物、喹啉衍生物、噁二唑衍生物、芳族酮類、內醯胺類、硼烷類、二氮磷雜環戊二烯(diazaphosphole)衍生物和膦氧化物衍生物。此外，適合的材料是上述的化合物之衍生物，如JP 2000/053957、WO 2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975和WO 2010/072300所揭示。
可用於根據本發明的電致發光裝置之電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層之較佳的電洞傳輸材料是茚並茀胺衍生物(例如根據WO 06/122630或WO 06/100896)、揭示於EP 1661888的胺衍生物、六氮雜三亞苯(hexaazatriphenylene)衍生物(例如根據WO 01/049806)、含有稠合的芳族環之胺衍生物(例如根據US 5,061,569)、揭示於WO 95/09147的胺衍生物、單苯並茚並茀胺類(例如根據WO 08/006449)、二苯並茚並茀胺類(例如根據WO 07/140847)、螺二茀胺類(例如根據WO 2012/034627或WO 2013/120577)、茀胺類(例如根據申請案EP 2875092、EP 2875699和EP 2875004)、螺二苯並吡喃胺類(例如根據WO 2013/083216)、和二氫吖啶衍生物(例如根據WO 2012/150001)。本發明化合物亦可用作為電洞傳輸材料。
有機電致發光裝置的陰極較佳包括具有低功函數的金屬、金屬合金或包括多種金屬的多層結構，例如，鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。亦適合的是包括鹼金屬或鹼土金屬與銀的合金，例如含有鎂和銀的合金。在多層結構的情況中，除了上述的金屬之外，亦可使用具有相對高功函數之額外的金屬，例如Ag或Al，在此情況，通常使用金屬的組合，例如Ca/Ag、Mg/Ag或Ag/Ag。亦較佳的是在金屬陰極和有機半導體之間導入具有高介電常數的材料之薄中間層。適合於此目的的是，例如鹼金屬氟化物或鹼土金屬氟化物，以及對應的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li
2O、BaF
2、MgO、NaF、CsF、Cs
2CO
3等)。此外，喹啉鋰(LiQ)可用於此目的。此層的層厚度較佳是0.5至5 nm。
陽極較佳包括具有高功函數的材料。陽極較佳具有相對於真空之大於4.5 eV的功函數。一方面，適合於此目的的是具有高氧化還原電位的金屬，例如，Ag、Pt或Au。另一方面，可亦較佳的是金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO
x、Al/PtO
x)。對於一些應用，電極中之至少一者必須是透明或部份透明的，以利於有機材料的照射(有機太陽能電池)或光的外偶合(coupling-out) (OLED、O-雷射)。在此，較佳的陽極材料是導電性混合金屬氧化物。特別佳的是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。另外較佳的是導電性摻雜的有機材料，特別是導電性摻雜的聚合物。
將裝置適當地結構化(決定於應用)、提供接點及最後緊密地密封，因為根據本發明的裝置之壽命在水和/或空氣的存在下會大幅地減少。
在一較佳體系中，根據本發明的有機電致發光裝置之特徵在於一或多個層係利用昇華方法施加，其中該材料於真空昇華單元中在小於10
-5mbar，較佳小於10
-6mbar的初始壓力下利用氣相沉積而施加。然而，在此亦可行的是該初始壓力為更低，例如小於10
-7mbar。
同樣較佳的是有機電致發光裝置，其特徵在於利用OVPD (有機氣相沉積)方法或藉助於載體氣體昇華而施加一或多層，其中該材料係在10
-5mbar和1 bar之間的壓力下施加。此方法的一特別情況是OVJP (有機氣相噴墨印刷)方法，其中該材料係由噴嘴直接施加及因而結構化(例如M. S. Arnold
et al., Appl. Phys. Lett. 2008,
92,053301)。
另外較佳的是有機電致發光裝置，其特徵在於由溶液施加一或多層，諸如，例如，利用旋塗法、或利用任何所欲的印刷法，諸如，例如，網版印刷、柔版印刷、噴嘴印刷或膠版印刷，但特別佳的是LITI (光誘發的熱成像熱轉移印刷)或噴墨印刷。對此目的而言，可溶性之式(I)的化合物是必要的。可經由化合物之適合的取代而得到高溶解度。
混合方法亦是可行的，其中，例如，利用溶液施加一或多層及利用氣相沉積施加一或多個其他層。因此，例如，可以利用溶液施加發光層及利用氣相沉積施加電子傳輸層。
這些製程方法通常已為熟悉此項技術之人士所習知且可以無須創新手段無困難地應用於包括本發明化合物的有機電致發光裝置。
根據本發明，包括一或多個根據本發明的化合物之電子裝置可用於顯示器、於照明應用中用作為光源、及於醫療和/或整容應用(例如光療法)中用作為光源。
本發明將由下列實施例而更詳細地說明，但這些實施例並不用於限制本發明。
合成實例
Int-1
的合成
11.0 g (32 mmol)的CAS2377545-68-9溶於130 mL的THF並冷卻至-78℃，加入25 ml的1.6M正丁基鋰的己烷溶液，攪拌反應混合物1小時。接著，於其中加入19 g (0.1 mol)的三異丙氧基硼(triisopropoxy boron)並攪拌1小時。反應混合物升溫至室溫並攪拌1小時，加入480 ml的1N鹽酸溶液，並攪拌30分鐘。所得反應混合物經二氯甲烷萃取出有機層，以水沖洗，以無水硫酸鎂乾燥及在低壓下減少體積。所得殘餘物經管柱層析純化。產率：6.4 g (21 mmol，66%)。
化合物 A1 的合成 
7.9 g (32 mmol)的3,6-二氯-菲(20851-90-5)、30.4 g (80 mmol)的4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-9-蒽基)-1,3,2-二氧硼雜環戊烷(dioxaborolane) (460347-59-5)、和29.5 g (128 mmol)單水合磷酸鉀溶於750 ml THF/水(2:1)。加入813 mg (0.96 mmol)的XPhos Palladacycle G3，混合物在65℃下攪拌。16小時後，使反應混合物回到室溫。反應混合物經過濾及以冷的THF沖洗。沉澱物於氧化鋁上經熱萃取(甲苯)純化，進一步以甲苯/乙醇和甲苯/庚烷結晶純化，以HPLC測得純度＞99.9%。在300℃及10
-5bar下調節2小時以移除殘留的溶劑。產率：4.9 g (7.2 mmol，23%)淡黃色固體。
利用類似的方法可以合成出下列化合物：
化合物 I1 的合成 
9.3 g (32 mmol)的3-溴-6-氯-菲(892550-44-6)、13.3 g (35 mmol)的4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-9-蒽基)-1,3,2-二氧硼雜環戊烷(460347-59-5)、和11.5 g (50 mmol)單水合磷酸鉀溶於750 ml THF/水(2:1)。加入813 mg (0.96 mmol)的XPhos Palladacycle G3，混合物在65℃下攪拌。16小時後，使反應混合物回到室溫。混合物經300 ml甲苯稀釋。水層經甲苯(2x200 ml)萃取，合併的有機層經水(2x 200 ml)沖洗、以硫酸鎂乾燥、過濾及在低壓下減少體積。殘餘的固體於矽膠上過濾(甲苯)，及以甲苯/乙醇結晶，以HPLC測得純度98%。產率：10.7 g (23 mmol，72%)。
利用類似的方法可以合成出下列化合物：
化合物 B1 的合成 
9.3 g (20 mmol)的
I1、16.0 g (30 mmol)的4,4,5,5-四甲基-2-(10-{5-苯基-[1,1’-聯苯基]-3-基}蒽-9-基)-1,3,2-二氧硼雜環戊烷(1016653-38-5)、11.5 g (50 mmol)單水合磷酸鉀溶於750 ml THF/水(2:1)。加入813 mg (0.96 mmol)的XPhos Palladacycle G3，混合物在65℃下攪拌。16小時後，使反應混合物回到室溫。混合物經300 ml甲苯稀釋。水層經甲苯(2x200 ml)萃取，合併的有機層經水(2x200 ml)沖洗、以硫酸鎂乾燥、過濾及在低壓下減少體積。殘餘的固體於氧化鋁上經熱萃取(甲苯)純化，及以甲苯/乙醇和甲苯/庚烷結晶，以HPLC測得純度＞99.9%。在300℃及10
-5bar下調節2小時以移除殘留的溶劑。產率：7.5 g (9 mmol，45%)。
利用類似的方法可以合成出下列化合物：
化合物 C1 的合成 
15 g (38 mmol)的三氟甲磺酸8-溴-二苯並呋喃-1-基酯、43.3 g (114 mmol)的4,4,5,5-四甲基-2-(10-苯基-蒽-9-基)-[1,3,2]二氧硼雜環戊烷、35.5 g ( 167 mmol)的磷酸鉀和1.6 g (1,9 mmol)的XPhos Palladacycle G3溶於450 ml THF/水(2:1)。混合物在90℃下攪拌16小時。冷卻至室溫後，加入300 ml乙醇，及攪拌混合物1小時。過濾出沉澱物並以乙醇沖洗。起始物溶於甲苯，以過濾墊(矽膠，甲苯)過濾，得黃色固體，此固體進一步以甲苯/庚烷結晶數次而純化，得淡黃色固體(HPLC＞99.9)。藉由昇華(10
-5bar和330℃)以移除殘餘的溶劑。產率：15.2 g (22.6 mmol；60%)。
利用類似的方法可以合成出下列化合物：
化合物 Int1 的合成 
10 g (25.3 mmol)的三氟甲磺酸8-溴-二苯並呋喃-1-基酯、11.5 g (25.31 mmol)的4,4,5,5-四甲基-2-[3-(10-苯基蒽-9-基)苯基]-1,3,2-二氧硼雜環戊烷、7.7 g (55.7 mmol)的碳酸鉀、1.16 g (1.3 mmol)的三(二亞苄基丙酮)二鈀和324 mg (0.76 mmol)的1,4-雙(二苯膦基)丁烷溶於250 ml THF/水(4:1)。混合物在100℃下攪拌16小時。冷卻至室溫後，加入100 ml甲苯和100 ml水，使二層分離。有機層經水沖洗二次，合併的水層經甲苯萃取二次。合併的有機層以甲苯為洗提液經矽膠墊過濾及在低壓下減少體積。殘餘物以甲苯/庚烷結晶數次而純化，得淡黃色固體(HPLC ＞98)。產率：6.3 g (11 mmol；43%)。
利用類似的方法可以合成出下列化合物：
化合物 D1 的合成 
10 g (17.4 mmol)的化合物
Int1、5.5 g (18.5 mmol)的10-苯基-蒽-9-硼酸、8.1 g (38.3 mmol)的磷酸鉀和0.8 g (1 mmol)的XPhos Palladacycle G3溶於450 ml THF/水(2:1)。混合物在90℃下攪拌16小時。冷卻至室溫後，加入300 ml乙醇，及攪拌混合物1小時。過濾出沉澱物並以乙醇沖洗。起始物溶於甲苯，以過濾墊(矽膠，甲苯)過濾，得黃色固體，此固體進一步以甲苯/庚烷結晶數次而純化，得淡黃色固體(HPLC ＞99.9)。藉由昇華(10
-5bar和330℃)以移除殘餘的溶劑。產率：6.8 g (9.1 mmol，52%)。
利用類似的方法可以合成出下列化合物：
裝置實例 膜和裝置的製備
覆蓋有預結構化的ITO (50 nm)和空白材料之玻璃基板使用超音波於去離子水中清潔。下文中，基板係使用空氣槍乾燥及接著於加熱板上在225℃下退火2小時。所有下列製程步驟係於黃光下進行。
下列的層順序示於圖4a和4b。
為了製備圖4a的裝置，將厚度20 nm的電洞注入層(HIL)噴墨印刷於基板上，並在真空下乾燥。為此，HIL油墨的固體濃度為6 g/l。HIL接著在220℃下退火30分鐘。HIL的噴墨印刷和退火是在空氣中進行。作為HIL材料，電洞傳輸性可交聯的聚合物和經p-摻雜的鹽溶於3-苯氧基甲苯。這些材料揭示於WO2016/107668、WO2013/081052和EP2325190。
在HIL上部，在環境條件下噴墨印刷電洞傳輸層，在真空下乾燥及於氬氣氛中在225℃下退火30分鐘。電洞傳輸層可為具有表1所示的結構之聚合物(HTM1)，其可根據WO2013156130合成，或為聚合物HTM2 (表1)，其可根據WO2018/114882合成。聚合物溶於3-苯氧基甲苯，如果是利用噴墨印刷方法以得到裝置通常使用的層厚度20 nm，則溶液通常具有約5 g/l的固體含量。這些層係利用噴墨印刷方法在環境氣氛下、在真空下乾燥及於氬氣氛中在210℃下加熱30分鐘以退火而得到。
發光層係由下列組成：
- 基質材料(主體材料) H1和發光摻雜劑(發光體) D；
- 基質材料(主體材料) H2和發光摻雜劑(發光體) D；或
- 二種基質材料(主體材料1和主體材料2) H1、H2和發光摻雜劑(發光體) D。
其比率如下所示。
用於發光層的混合物溶於3-苯氧基甲苯。如果是利用噴墨印刷方法以得到裝置通常使用的層厚度30 nm，則此溶液的固體含量是約10 mg/ml。藍色發光層(B-EML)亦是經噴墨印刷，接著在真空下乾燥及在150℃下退火10分鐘。噴墨印刷係在環境氣氛下完成，然而退火是在氬氣氛下完成。
為了評估EML膜的均勻性，製備圖4a的裝置。
為了製備圖4b的裝置，如上所述的樣品接著轉移至真空沉積室，其中利用熱蒸發的方式進行二個電子傳輸層(ETL1，ETL2)、一個電子注入層(EIL)和陰極(Al)的沉積。如此，ETL1係由ETM1組成(10 nm膜厚度)，然而ETL2係由ETM1和ETM2的1:1體積%混合物組成(35 nm膜厚度)。電子注入層係由ETM2組成(1 nm)，及陰極是鋁(100 nm)。結構示於表1。蒸發後，於手套箱中在氬氣氛中包封該裝置。
對於顯示器的製造，非常重要的是得到非常良好的像素均勻性，且同時具有良好的裝置性能。層厚度的不均勻性造成不均勻的發光分佈，較薄的厚膜厚度的區域顯示增加的發光，而較厚的區域顯示減少的發光。此種不均勻性隨著像素而變化，如此導致無法在像素之間得到可再現的外觀。總而言之，此將導致對此種顯示器的品質有負面的感覺。因此，本發明係針對EML膜均勻性和裝置性能的課題。因而，評估的第一步是檢測膜均勻性。為此，使用圖4a所示的堆疊體。且在EML沉積後停止處理。膜係依據a)部分中所述而製備。EML的組成示於表2。
為了評估印刷膜的均勻性，印刷膜的形貎係利用輪廓儀(profilometer)沿著7.5 µm輪廓描述特徵，並計算Rp-v(波峰至波谷)值及粗糙度的均方根差。使用KLA-Tencor Corporation之配備2 μm記錄針的輪廓儀Alpha-step D120測量膜輪廓。Rp-v值對應於在所測量的輪廓內之所測得的最大譜峰和最小譜峰之高度差。為了容易可視，減去膜輪廓的底線，使得最小譜峰對應於高度0 nm，所有圖的軸刻度均相同。
下列二個方程式係用於決定膜均勻性：波峰至波谷差值，
R
p-v ，表示層內之最大高度差(方程式1)，及均方根的粗糙度，
RMS，其中
z
i 對應於在
i位置的輪廓高度，及
對應於平均輪廓高度(方程式2)。
相較於PR2，包括根據本發明之主體混合物的實例PE1表現出顯著減低的
R
p-v 和
RMS，且對應於更平滑的膜(圖2和3)，然而二個情況之OLED的效能為相當，如下所示(見表5f，對照例10和實例10)。
此外，相較於PR1，實例PE1亦表現出減低的
R
p-v 和
RMS，且同時得到更好的OLED，如下所示(見表5f，對照例9和實例10)。
總而言之，只有混合的主體系統可同時得到具有良好均勻性的平滑膜以及良好的裝置性能(EQE和LT)。
此外，其他發光層(EML)之膜均勻性示於下表2b。
如圖4b所示的裝置係依a)部份所述而製備。主體材料示於表3，發光體示於表4。藍光EML油墨係依據表5a至5j所示混合。表5a至5j亦總結個別實例之在1000 cd/m
2的相對外部量子效率(相對EQE)和在1000 cd/m
2的相對裝置壽命(相對LT90)。
在於手套箱內封裝後，利用標準方法描述OLED的特徵。為此目的，測定電致發光光譜、假設發光Lambert特性的電流/電壓/發光密度特徵曲線(IUL特徵曲線)、和(操作)壽命。IUL特徵曲線是用於測量例如在特定亮度下的外部量子效率(以%表示)的優點之特徵圖。裝置是在穩定電壓下在每個施加電壓斜坡的步驟下驅動。裝置壽命是在給定電流下以起始亮度測量。接著藉由校正過的光二極體測量隨時間變化的亮度。
所有例示之混合的主體系統之實例相較於單一主體類型H1 (即，A或B型)均顯示改良的裝置性能，但是可以達到與主體類型H2類似的性能。此無關於所用的發光體和所用的發光體濃度。
如上所述，表5f顯示對照例11、12及實例11的輪廓測定結果(見圖1至3)。
相較於對照例11，根據本發明的實例11至13顯示出有關於效率和壽命之改良的裝置性能。相較於顯示出高度不均勻膜的對照例12，包括根據本發明之混合主體的膜是非常均勻的，且同時顯示出類似的裝置性能。
表5a至5l顯示根據本發明的裝置均展現出類似的結果。
藉助於本發明，可以得到良好的OLED裝置性能且同時確保均勻膜的品質。
[圖1]示出膜輪廓PR1。
[圖2]示出膜輪廓PR2。
[圖3]示出膜輪廓PE1。
[圖4a]示出裝置堆疊體以評估膜均勻性。
[圖4b]示出OLED堆疊體。
Claims (20)
- 一種包括式(H1)的化合物和式(H2)的化合物之組成物，
其中符號和指數的定義如下： E 表示O或S； X 在每次出現時相同或不同地表示CR X或N；或當X鍵結至基團Ar S或Ar 1時，X是C； Z 在每次出現時相同或不同地表示CR Z或N；或當Z鍵結至基團Ar S或Ar 3時，Z是C； Ar 1在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子的芳基或雜芳基，其在每個情況亦可經一或多個基團R V取代； Ar 3在每次出現時相同或不同地為具有10至60個芳族環原子的芳基或雜芳基，其在每個情況亦可經一或多個基團R Y取代； Ar 2、Ar 4、Ar S在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統，其在每個情況亦可經一或多個基團R取代； R V、R X、R Y、R Z在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar) 2、S(=O)Ar、S(=O) 2Ar、N(R) 2、N(Ar) 2、NO 2、Si(R) 3、B(OR) 2、OSO 2R、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH 2基團可經RC=CR、C≡C、Si(R) 2、Ge(R) 2、Sn(R) 2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R)、SO、SO 2、O、S或CONR置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO 2置換)、具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R取代)、或具有5至60個芳族環原子的芳氧基(其可經一或多個基團R取代)；其中二個基團R V、二個基團R X、二個基團R Y、二個基團R Z可一起形成脂族、芳族或雜芳族環系統(其可經一或多個基團R取代)； R 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CHO、CN、C(=O)Ar、P(=O)(Ar) 2、S(=O)Ar、S(=O) 2Ar、N(R’) 2、N(Ar) 2、NO 2、Si(R’) 3、B(OR’) 2、OSO 2R’、具有1至40個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至40個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其分別可經一或多個基團R’取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH 2基團可經R’C=CR’、C≡C、Si(R’) 2、Ge(R’) 2、Sn(R’) 2、C=O、C=S、C=Se、P(=O)(R’)、SO、SO 2、O、S或CONR’置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br、I、CN或NO 2置換)、具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況可經一或多個基團R’取代)、或具有5至60個芳族環原子的芳氧基(其可經一或多個基團R’取代)；其中二基團R可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R’取代)； Ar 在每次出現時相同或不同地為具有5至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R’取代)； R’ 在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或烷硫基或具有3至20個C原子的支鏈或環狀烷基、烷氧基或烷硫基(其中在每個情況一或多個不相鄰的CH 2基團可經SO、SO 2、O、S置換及其中一或多個H原子可經D、F、Cl、Br或I置換)、或具有5至24個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統；及 a、b、c和d 在每次出現時相同或不同地為0或1；其中： 當a或b是0時，則對應的Ar S不存在，且基團Ar 1直接鍵結至基團X， 當c或d是0時，則對應的Ar S不存在，且基團Ar 3直接鍵結至基團Z； p、q、r和s 相同或不同地表示1、2或3。
- 如請求項1之組成物，其中該式(H2)的化合物係選自式(H2-1)的化合物，其中： Y是CR Y或N；或當Y鍵結至Ar 2、Ar S或基團Z時，Y是C；其中R Y及其他符號和指數具有與請求項1相同的定義。
- 如請求項1或2之組成物，其中該式(H2)的化合物係選自式(H2-2-1)、(H2-2-2)和(H2-2-3)的化合物，其中Ar S、Ar 2、Z及指數c和d具有與請求項1相同的定義，及Y具有與請求項2相同的定義。
- 如請求項1或2之組成物，其中該式(H2)的化合物係選自式(H2-3-1)至(H2-3-20)所示的化合物，
其中該符號和指數具有與請求項1相同的定義。
- 如請求項1之組成物，其中該式(H1)的化合物係選自式(H1-1)的化合物，其中X、Ar S、Ar 4及該指數a和b具有與請求項1相同的定義；及 V是CR V或N；或當V鍵結至Ar 4、Ar S或基團X時，V是C；其中R V具有與請求項1相同的定義。
- 如請求項1或5之組成物，其中該式(H1)的化合物係選自式(H1-2)的化合物，其中X和Ar 4具有與請求項1相同的定義；及 V具有與請求項5相同的定義。
- 如請求項1或5之組成物，其中該式(H1)的化合物係選自式(H1-3)的化合物，其中該符號具有與請求項1或5相同的定義。
- 如請求項1或5之組成物，其中該式(H1)的化合物係選自式(H1-4)的化合物，其中該符號具有與請求項1相同的定義。
- 如請求項1或5之組成物，其中該式(H1)的化合物係選自式(H1-5)的化合物，其中該符號具有與請求項1相同的定義。
- 如請求項1之組成物，其中該基團Ar 2、Ar 4在每次出現時相同或不同地選自由下列組成的群組：苯基、聯苯、聯三苯(terphenyl)、聯四苯(quaterphenyl)、茀、螺二茀、萘、蒽、菲、三亞苯(triphenylene)、1,2-苯並苊(fluoranthene)、稠四苯(tetracene)、(chrysene)、苯並蒽(benzanthracene)、苯並菲(benzophenanthracene)、芘(pyrene)或苝(perylene)、二苯並呋喃、咔唑和二苯並噻吩，其分別可經一或多個基團R取代在任何可用的位置；及其中Ar 2、Ar 4亦可為前述基團之二或多者的組合。
- 如請求項1之組成物，其另外包括螢光發光體。
- 如請求項1之組成物，其包括選自由下列組成的群組之螢光發光體： - 含有3個直接鍵結至其氮原子之經取代或未經取代的芳族或雜芳族環系統之芳基胺； - 橋接的三芳胺； - 具有至少14個芳族環原子之稠合的芳族或雜芳族環系統； - 茚並茀(indenofluorene)、茚並茀胺或茚並茀二胺； - 苯並茚並茀(benzoindonofluorene)、苯並茚並茀胺或苯並茚並茀二胺； - 二苯並茚並茀(dibenzoindenofluorene)、二苯並茚並茀胺或二苯並茚並茀二胺； - 包含具有至少10個芳族環原子之稠合的芳基之茚並茀(indenofluorene)； - 雙茚並茚並茀(bisindenoindenofluorene)； - 茚並二苯並呋喃；茚並茀胺或茚並茀二胺； - 茀二聚體； - 吩噁嗪(phenoxazine)；及 - 硼衍生物。
- 如請求項1之組成物，其包括式(E-1)、(E-2)、(E-3)或(E-4)的螢光發光體，其中 Ar 10、Ar 11、Ar 12在每次出現時相同或不同地為具有6至60個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R取代)；先決條件是至少一個基團Ar 10、Ar 11、Ar 12是具有10至40個芳族環原子且含有至少一個由2至4個彼此稠合的芳族環組成之稠合的芳基或雜芳基之芳族或雜芳族環系統，其中該芳族或雜芳族環系統可經一或多個基團R取代； R 具有與請求項1相同的定義；及 e 是1、2、3或4；更佳地，e是1；
其中 Ar 20、Ar 21、Ar 22在每次出現時相同或不同地為具有6至30個芳族環原子的芳基或雜芳基，其在每個情況亦可經一或多個基團R取代； E 20在每次出現時相同或不同地為選自BR、C(R 0) 2、Si(R 0) 2、C=O、C=NR 0、C=C(R 0) 2、O、S、S=O、SO 2、NR 0、PR 0、P(=O)R 0或P(=S)R 0的基團；其中Ar 20、Ar 21和E 20一起形成5員環或6員環，及Ar 21、Ar 22和E 20一起形成5員環或6員環； R 0在每次出現時相同或不同地表示H、D、F、具有1至20個，較佳1至10個C原子的直鏈烷基或具有3至20個，較佳3至10個C原子的支鏈或環狀烷基(其分別可經一或多個基團R取代，其中在每個情況一或多個不相鄰的CH 2基團可經O或S置換及其中一或多個H原子可經D或F置換)、或具有5至40個，較佳5至30個，更佳6至18個芳族環原子的芳族或雜芳族環系統(其在每個情況亦可經一或多個基團R取代)，其中二個相鄰的基團R 0可一起形成脂族或芳族環系統(其可經一或多個基團R取代)， R 具有與請求項1相同的定義； p、q 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件是p+q=1； r 是1、2或3；
其中 Ar 30、Ar 31、Ar 32在每次出現時相同或不同地表示經取代或未經取代之具有5至22個，較佳5至18個，更佳6至14個芳族環原子的芳基或雜芳基； E 30表示B或N； E 31、E 32、E 33在每次出現時相同或不同地表示O、S、C(R 0) 2、C=O、C=S、C=NR 0、C=C(R 0) 2、Si(R 0) 2、BR 0、NR 0、PR 0、SO 2、SeO 2或化學鍵，其先決條件是當E 30是B時，則該基團E 31、E 32、E 33中的至少一者表示NR 0，且當E 30是N時，則該基團E 31、E 32、E 33中的至少一者表示BR 0； R 0具有與上述相同的定義； s、t、u 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件是s+t+u≥1；
其中 Ar 40、Ar 41、Ar 42在每次出現時相同或不同地表示經取代或未經取代之具有5至22個，較佳5至18個，更佳6至14個芳族環原子的芳基或雜芳基； E 41、E 42、E 43在每次出現時相同或不同地表示O、S、C(R 0) 2、C=O、C=S、C=NR 0、C=C(R 0) 2、Si(R 0) 2、BR 0、NR 0、PR 0、SO 2、SeO 2或化學鍵，其先決條件是該基團E 41、E 42、E 43中的至少一者是存在的且表示化學鍵； R 0具有與上述相同的定義； i、g、h 在每次出現時相同或不同地為0或1，其先決條件是i+g+h≥1。
- 如請求項1之組成物，其中該式(H1)的化合物在該組成物中的比例是1至60%，及該式(H2)的化合物在該組成物中的比例是30至99%。
- 一種調合物，其包括至少一種如請求項1至14中任一項之組成物和至少一種溶劑。
- 一種製備電子裝置之方法，該電子裝置包括至少一個包含如請求項1至14中任一項之組成物的層，該方法包括： a) 製備包括至少一種如請求項1至14中任一項之組成物和至少一種溶劑之調合物； b) 將步驟a)中製備的該調合物施加至基板上或另一層上以形成一個層； c) 乾燥該層以移除該溶劑。
- 如請求項16之方法，其中該調合物係以塗覆法或印刷法施加。
- 如請求項16或17之方法，其中該調合物係以溢流塗覆(flood coating)、浸塗法、噴塗法、旋塗法、網版印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、輥塗法、噴墨印刷法、滾筒印刷法、柔版印刷法、膠版印刷法、狹縫式塗覆法(slot die coating)或噴嘴印刷法施加。
- 一種電子裝置，其包括陽極、陰極、和至少一個發光層，其中該發光層包括如請求項1至14中任一項之組成物。
- 如請求項19之電子裝置，其係選自由下列組成的群組：有機電致發光裝置、有機積體電路、有機場效電晶體、有機薄膜電晶體、有機發光電晶體、有機太陽能電池、染料敏化有機太陽能電池、有機光學偵測器、有機光感受器、有機場淬滅裝置、發光電化學電池、有機雷射二極體和有機電漿子發光裝置。
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